JP2016069438A - 研磨用組成物及び研磨方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一実施形態の研磨用組成物は、砥粒、有機酸、及びこの有機酸の共役塩基を含有することができる。
一実施形態のこの研磨用組成物においては、有機酸は、0.3以上6.0以下のpKa値を有し、研磨用組成物は、有機酸のpKa値の1.0単位小さい値以上、同pKa値の1.5単位大きい値以下のpH値を有してもよい。
一実施形態の研磨用組成物において、砥粒は表面に有機酸を固定化したシリカであってもよい。
一実施形態の研磨用組成物において、砥粒の含有量が0.1質量%以上、20.0質量%以下であってもよい。
さらに、この研磨用組成物は、単体シリコン、特にポリシリコンを含有する基板の研磨に使用されることができる。
また、本発明の他の態様に係る研磨方法は、上記の実施形態の研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することを要旨とする。この研磨方法においては、研磨対象物がポリシリコンを含有する基板であってもよい。
この研磨用組成物は、単体シリコン、シリコン化合物、金属等の研磨対象物を研磨する用途、例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいて半導体配線基板の単体シリコン、シリコン化合物、金属等を含んだ表面を研磨する用途に好適である。そして、ポリシリコンを含む基板を研磨する用途に特に好適である。単体シリコンには、ポリシリコン、単結晶シリコン、アモルファスシリコン等が含まれ、ポリシリコンには、通常のポリシリコンや、変性ポリシリコンが含まれる。変性ポリシリコンには、ポリシリコンのBやP等の不純物元素をドーピングしたシリコンが包含される。また、シリコン化合物としては、例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素等が挙げられる。シリコン化合物膜には、比誘電率が3以下の低誘電率被膜が含まれる。単体シリコンの研磨速度を抑制して、単体シリコン以外のケイ素化合物を高研磨速度で研磨することができる。
1.砥粒について
使用される砥粒は、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア等の金属酸化物からなる粒子、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)粒子が挙げられる。該砥粒は、単独でもまたは2種以上混合して用いてもよい。また、該砥粒は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
これら砥粒の中でも、シリカが好ましく、特に好ましいのはコロイダルシリカである。
砥粒は表面修飾されていてもよい。通常のコロイダルシリカは、酸性条件下でゼータ電位の値がゼロに近いために、酸性条件下ではシリカ粒子同士が互いに電気的に反発せず凝集を起こしやすい。これに対し、酸性条件でもゼータ電位が比較的大きな負の値を有するように表面修飾された砥粒は、酸性条件下においても互いに強く反発して良好に分散する結果、研磨用組成物の保存安定性を向上させることになる。このような表面修飾砥粒は、例えば、アルミニウム、チタンまたはジルコニウムなどの金属あるいはそれらの酸化物を砥粒と混合して砥粒の表面にドープさせることにより得ることができる。
また、特開平4-214022号公報に開示されるような、塩基性アルミニウム塩または塩基性ジルコニウム塩を添加して製造したカチオン性シリカを砥粒として用いることもできる。
研磨用組成物中の砥粒のアスペクト比の上限は、1.5未満であり、1.3以下であることが好ましく、1.1以下であることがより好ましい。このような範囲であれば、砥粒の形状が原因の表面粗さを良好なものとすることができる。なお、アスペクト比は、走査型電子顕微鏡による砥粒粒子の画像に外接する最小の長方形の長辺の長さを同じ長方形の短辺の長さで除することにより得られる値の平均であり、一般的な画像解析ソフトウエアを用いて求めることができる。
砥粒の平均一次粒子径の下限は、5nm以上であることが好ましく、7nm以上であることがより好ましく、10nm以上であることがさらに好ましい。また、砥粒の平均一次粒子径の上限は、200nm以下であることが好ましく、150nm以下であることがより好ましく、100nm以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度は向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシングが生じるのをより抑えることができる。なお、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、BET法で測定される砥粒の比表面積に基づいて算出される。
砥粒の平均二次粒子径の下限は、25nm以上であることが好ましく、30nm以上であることがより好ましく、35nm以上であることがさらに好ましい。また、砥粒の平均二次粒子径の上限は、300nm以下であることが好ましく、260nm以下であることがより好ましく、220nm以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度は向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に表面欠陥が生じるのをより抑えることができる。なお、ここでいう二次粒子とは、砥粒が研磨用組成物中で会合して形成する粒子をいい、この二次粒子の平均二次粒子径は、例えば動的光散乱法により測定することができる。
研磨用組成物中の砥粒の含有量が、0.005重量%以上であると 研磨対象物の研磨速度が向上することができ、また、50重量%以下であると研磨用組成物のコストを抑えることができ、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に表面欠陥が生じるのをより抑えることができる。
本発明の一実施形態において、有機酸は、特に限定されない。例えば、炭酸、酢酸、コハク酸、フタル酸、クエン酸が好ましい。また、有機酸の共役塩基としては、使用する有機酸の共役塩基であればよい。一実施形態において、共役塩基は、アンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩から選ばれる。
研磨用組成物中の有機酸の含有量(濃度)の下限は、少量でも効果を発揮するため特に限定されるものではないが、0.01g/L以上であることが好ましく、0.1g/L以上であることがより好ましく、10g/L以上であることがさらに好ましい。また、本発明の研磨用組成物中の有機酸の含有量(濃度)の上限は、100g/L以下であることが好ましく、50g/L以下であることがより好ましく、25g/L以下であることがさらに好ましい。
CH3COO− + H+ → CH3COOH
また、OH−がスラリー内に混入した場合、下記の化学反応式のように未解離の酢酸がOH−を吸収する。
CH3COOH + OH− → CH3COO− +H2O
このように、有機酸とその有機酸の共役塩基の系では、H+とOH−の受け取りが存在する。その結果、単体シリコンに作用するOH−がスラリー内の緩衝反応によって、消費され、単体シリコンの研磨速度を下げるのではないかと推測している。また、pHが有機酸のもつpKa近傍であると、OH―は非常に少ないため、スラリー内に少しでも吸収されると研磨速度の抑制の効果が顕著に得られるのではないかと推測される。
有機酸のpKa値は、有機酸が多価の場合、その価数分のpKaを有するが、そのうちの1つのpKa値が0.3以上6.0以下であればよい。pKa値が0.3以上6.0以下の有機酸の例としては、炭酸、酢酸、コハク酸、フタル酸、クエン酸等が挙げられる。
研磨用組成物には、その性能を向上させるために、pH調整剤、錯化剤、界面活性剤、水溶性高分子、防カビ剤等の各種添加剤を添加してもよい。
(pH調整剤)
研磨用組成物のpHの値は、pH調節剤の添加により調整することができる。研磨用組成物のpHの値を所望の値に調整するために必要に応じて使用されるpH調節剤は、酸及びアルカリのいずれであってもよく、また、無機化合物及び有機化合物のいずれであってもよい。
アルカリ金属の具体例としては、カリウム、ナトリウム等があげられる。また、アルカリ土類金属の具体例としては、カルシウム、ストロンチウム等があげられる。さらに、塩の具体例としては、炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、酢酸塩等があげられる。さらに、第四級アンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等があげられる。
水酸化第四級アンモニウム化合物としては、水酸化第四級アンモニウム又はその塩を含み、具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等があげられる。
また、研磨用組成物には、塩基として、金属汚染防止の観点からカリウム化合物を含むことがさらに好ましい。カリウム化合物としては、カリウムの水酸化物又はカリウム塩があげられ、具体的には水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、硫酸カリウム、酢酸カリウム、塩化カリウム等があげられる。
研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度を向上させるために、研磨用組成物に錯化剤を添加してもよい。錯化剤は、研磨対象物の表面を化学的にエッチングする作用を有する。錯化剤の具体例としては、無機酸又はその塩、有機酸又はその塩、ニトリル化合物、アミノ酸、キレート剤等があげられる。錯化剤としての有機酸は、単体シリコンの研磨速度抑制効果を妨げない範囲であれば、有機酸の共役塩基と共に使用する有機酸と重複する種類の有機酸を使用してもよい。これらの錯化剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらの錯化剤は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
また、有機酸の具体例としては、カルボン酸、スルホン酸等があげられる。カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、2−メチル酪酸、n−ヘキサン酸、3,3−ジメチル酪酸、2−エチル酪酸、4−メチルペンタン酸、n−ヘプタン酸、2−メチルヘキサン酸、n−オクタン酸、2−エチルヘキサン酸、乳酸、グリコール酸、グリセリン酸、安息香酸、サリチル酸等の一価カルボン酸や、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、グルコン酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、フマル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等の多価カルボン酸があげられる。また、スルホン酸の具体例としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、イセチオン酸等があげられる。
また、ニトリル化合物の具体例としては、アセトニトリル、アミノアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル等があげられる。
また、研磨用組成物全体における錯化剤の含有量が少ないほど、研磨対象物の溶解が生じにくく段差解消性が向上する。よって、研磨用組成物全体における錯化剤の含有量は、20g/L以下であることが好ましく、15g/L以下であることがより好ましく、10g/L以下であることがさらに好ましい。
研磨用組成物には界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤は、研磨後の研磨対象物の研磨表面に親水性を付与する作用を有しているので、研磨後の研磨対象物の洗浄効率を良好にし、汚れの付着等を抑制することができる。界面活性剤としては、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、及び非イオン性界面活性剤のいずれも使用することができる。
さらに、両性界面活性剤の具体例としては、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシドがあげられる。
さらに、非イオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミドがあげられる。
これらの界面活性剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、研磨用組成物全体における界面活性剤の含有量が少ないほど、研磨後の研磨対象物の研磨面への界面活性剤の残存量が低減され、洗浄効率がより向上するので、研磨用組成物全体における界面活性剤の含有量は10g/L以下であることが好ましく、1g/L以下であることがより好ましい。
研磨用組成物には水溶性高分子を添加してもよい。研磨用組成物に水溶性高分子を添加すると、研磨後の研磨対象物の表面粗さがより低減する(平滑となる)。
水溶性高分子の具体例としては、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリイソプレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、イソプレンスルホン酸とアクリル酸の共重合体、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の塩、ジアリルアミン塩酸塩二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの塩、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン、及びキトサン塩類があげられる。これらの水溶性高分子は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、研磨用組成物全体における水溶性高分子の含有量が少ないほど、研磨対象物の研磨面への水溶性高分子の残存量が低減され洗浄効率がより向上するので、研磨用組成物全体における水溶性高分子の含有量は、10g/L以下であることが好ましく、1g/L以下であることがより好ましい。
本発明に係る研磨用組成物に添加し得る防腐剤および防カビ剤としては、例えば、2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オンや5−クロロ−2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、及びフェノキシエタノール等が挙げられる。これら防腐剤および防カビ剤は、単独でもまたは2種以上混合して用いてもよい。
本発明の研磨用組成物は、通常各成分の分散または溶解のための分散媒または溶媒が用いられる。分散媒または溶媒としては有機溶媒、水が考えられるが、その中でも水を含むことが好ましい。他の成分の作用を阻害するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましい。具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
本発明の研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、必要に応じて他の成分を、水中で攪拌混合することにより得ることができる。
各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、10〜40℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
(研磨装置)
研磨装置としては、研磨対象物を有する基板等を保持するホルダーと回転数を変更可能なモータ等とが取り付けてあり、研磨パッド(研磨布)を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。
(研磨パッド)
前記研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、および多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤の回転速度は、10〜500rpmが好ましく、研磨対象物を有する基板にかける圧力(研磨圧力)は、0.1〜10psiが好ましい。研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に本発明の研磨用組成物で覆われていることが好ましい。
研磨終了後、基板を流水中で洗浄し、スピンドライヤ等により基板上に付着した水滴を払い落として乾燥させることにより、単体シリコンを含む層を有する基板が得られる。
以下に実施例及び比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。
表1に示すように、表面にスルホン酸を固定化したコロイダルシリカと、各種の有機酸と、各種の共役塩基と、液状媒体である水とを混合して、実施例1、2及び比較例1〜5の研磨用組成物を製造した。この際、表1に示されるように、実施例1及び2では、有機酸及び有機酸の共役塩基としてマレイン酸とマレイン酸アンモニウム、酢酸と酢酸アンモニウムをそれぞれ使用し、比較例1〜3及び5では、有機酸の共役塩基ではなく硫酸アンモニウムを使用し、比較例4では有機酸及び有機酸の共役塩基としてマレイン酸とクエン酸アンモニウムを使用した。
研磨装置:FREX 300E(荏原製作所製)
研磨圧力:2.0psi
研磨定盤の回転速度:60rpm
キャリアの回転速度:58rpm
研磨用組成物の供給量:300ml/分
研磨時間:60秒
各シリコンウェーハについては、光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前と研磨後の各膜の膜厚をそれぞれ測定した。そして、膜厚差と研磨時間から、二酸化ケイ素、ポリシリコン、窒化ケイ素の研磨速度をそれぞれ算出した。結果を表1に示す。
Claims (11)
- 砥粒、有機酸、及び前記有機酸の共役塩基を含有する研磨用組成物。
- 前記有機酸は、0.3以上6.0以下のpKa値を有し、前記研磨用組成物は、前記pKa値の1.0単位小さい値以上、前記pKa値の1.5単位大きい値以下のpH値を有する、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記有機酸の共役塩基が、アンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩から選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒が表面に有機酸を固定化したシリカである請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 前記表面に有機酸を固定化したコロイダルシリカの含有量が0.1質量%以上、20.0質量%以下である請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 前記有機酸の共役塩基の含有量が、0.01質量%以上、10.0質量%以下である請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 前記有機酸の含有量が、0.01質量%以上、10.0質量%以下である請求項1〜6のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 単体シリコンを含有する基板の研磨に使用されることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 前記単体シリコンが、ポリシリコンである請求項8に記載の研磨用組成物。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の研磨用組成物を使用して研磨する研磨方法。
- ポリシリコンを含有する基板を研磨する請求項10に記載の研磨方法。
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