JP2016027779A - 交流−直流変換装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図10において、1は交流電源、2〜5は整流回路(ダイオードブリッジ)DBを構成するダイオード、6はリアクトル、7は半導体スイッチング素子、8はダイオード、9はコンデンサ、10は負荷である。リアクトル6,スイッチング素子7,ダイオード8及びコンデンサ9からなる部分は、直流電圧を昇圧して出力する、いわゆる昇圧チョッパとしても知られている。ここで、スイッチング素子7には、図示されているMOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)のほか、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)やBJT(Bipolar Junction Transistor:バイポーラジャンクショントランジスタ)を用いることもできる。
(1)交流入力電圧Vinを所望の大きさの直流出力電圧Eに変換し、かつ、この直流出力電圧Eを、交流入力電圧Vinや負荷電流の変動に関わらず一定に保つ。
(2)交流入力電流Iinを、ほぼ力率1の正弦波とする。
交流入力電圧Vinが正極性の場合、図10のスイッチング素子7をオンすると電圧Vr2が0[V]となり、交流電源1→ダイオード2→リアクトル6→スイッチング素子7→ダイオード5→交流電源1の経路で電流Iinが流れる。これにより、電圧Vinがリアクトル6の両端に加わり、電流ILは増加する。また、スイッチング素子7をオフすると、交流電源1→ダイオード2→リアクトル6→ダイオード8→コンデンサ9→ダイオード5→交流電源1の経路で電流Iinが流れる。この時、電圧Vr2はコンデンサ9の両端電圧Eにほぼ等しくなり、リアクトル6には、電圧Eと交流入力電圧Vinとの差電圧が印加される。なお、回路の動作により、電圧Eは交流入力電圧Vinのピーク値より高く保たれているので、ILは減少する。
周知の電圧検出手段により図10における直流出力電圧Eを検出し、指令値E*と電圧Eとの偏差を加算器102により求めて電圧調節器107に入力する。電圧調節器107は、指令値E*に対して電圧Eが不足する時は電流ILの振幅指令を増加させ、指令値E*に対して電圧Eが過剰である時は電流ILの振幅指令を減少させるように動作する。この電圧調節器107には、例えばPI(比例・積分)調節器が用いられる。
また、上述した制御により、直流出力電圧Eが不足する場合には電流Iinの振幅が大きくなるので、より大きい電力が交流電源1から回路に流入して電圧Eの値が上昇する。このため、電圧Eは所望の一定値に保たれることになる。
このため、交流入力電圧Vinが400[V]を超える場合には、1200[V]を超える耐圧の半導体デバイスが必要になる。
この場合の対応策として、複数の半導体デバイスを直列に接続することにより所望の耐圧を得る技術が存在する。しかし、各デバイスのスイッチングのタイミングが正確に合っていないと一部の半導体デバイスに過電圧が印加される危険があるため、上記の対応策を高周波でスイッチングする装置に適用することは難しい。
図13において、20,21は半導体スイッチング素子、22,23はダイオード、24,25はコンデンサであり、その他の部分については図10と同一の参照符号を付してある。
図13における直流出力電圧Eは、コンデンサ24,25によって1/2ずつの電圧Ep,Enに分割されている。電圧Vr2は、スイッチング素子20,21が共にオンの時は0[V]となり、スイッチング素子20,21の何れか一方がオフの時には、EpまたはEn、すなわちE/2となり、スイッチング素子20,21が共にオフの時は(Ep+En)、すなわちEとなる。
このように、電圧Vr2を、0[V],E/2,Eの3つのレベルから選定できるのが、「3レベル」と呼ばれる所以である。
また、本発明の他の目的は、簡単な構成によりマルチレベル回路と同等の機能を実現し、かつ、直流回路に設けられるリアクトルの小型化を図った交流−直流変換装置を提供することにある。
本発明においては、交流−直流変換装置の負荷を電位的に独立した複数の負荷に分割できる条件においては、既存の低耐圧のデバイスを用いたスイッチング部を複数、直列に接続して用いることができる。
特に、このような構成は、交流−直流変換回路を構成するスイッチング部の後段に絶縁型の直流−直流変換回路を接続し、全体として絶縁型の交流−直流変換装置を構成する場合に有益である。すなわち、直流−直流変換回路の入出力間が電位的に独立していることを利用すれば、この直流−直流変換回路を複数台に分割し、個々の直流−直流変換回路を、直列に接続された複数のスイッチング部の出力側にそれぞれ接続すれば良い。この場合、直流−直流変換回路は出力側が絶縁されており、また、個々の直流−直流変換回路は、単体では他の直流−直流変換回路との間で入力側も絶縁されているので、個々の直流−直流変換回路の入力側電位を任意に設定することができる。
なお、直流−直流変換回路の出力側は、互いに直列または並列に接続することも可能である。
すなわち、制御装置内に、各スイッチング部のスイッチング素子に対するPWMパルスのパルス幅を調整するパルス幅補正部を設ける。このパルス幅補正部は、一つのスイッチング部の直流出力電圧が他のスイッチング部の直流出力電圧よりも低い時は、一つのスイッチング部内のダイオードの導通期間を他のスイッチング部よりも長くするようにパルス幅を補正する。逆に、一つのスイッチング部の直流出力電圧が他のスイッチング部の直流出力電圧よりも高い時は、一つのスイッチング部内のダイオードの導通期間を他のスイッチング部よりも短くするようにパルス幅を補正するものである。
この場合、パルス幅補正部は、共通の信号波に、複数のスイッチング部の直流出力電圧の逆数に比例する値を乗算するか、あるいは、共通の信号波に、全てのスイッチング部の直流出力電圧の平均値から各スイッチング部の直流出力電圧を差し引いた値に比例する値を加算することにより、複数のスイッチング部に対する信号波を個別に生成する。
すなわち、複数のスイッチング部の直列接続回路の両端電圧を検出する単一の電圧検出器を設け、この電圧検出器による電圧検出値の変化分と複数のスイッチング部のスイッチング状態とから、電圧検出値の変化分が何れのスイッチング部のスイッチングによるものかを識別する出力電圧識別回路と、を設ける。
また、リアクトル電圧検出器の他の構成例としては、リアクトルを流れる電流の微分値を検出する検出器を、制御装置の内部または外部に設ければ良い。
なお、前記ダイオードまたは前記スイッチング素子の一部もしくは全部には、炭化珪素,窒化ガリウム,酸化ガリウムまたはダイアモンド等からなるワイドバンドギャップ半導体素子を用いても良い。この場合、ワイドバンドギャップ半導体素子は、一種類のワイドバンドギャップ半導体材料からなるものでも良いし、複数種類のワイドバンドギャップ半導体材料を組み合わせて構成しても良い。
また、直列接続された複数のスイッチング部のスイッチングタイミングをずらすことにより、スイッチング部の直列接続数がn(nは複数)の場合に装置全体としてのスイッチング周波数はスイッチング部が単一である場合(例えば、図10に示した従来技術)のn倍になる。これにより、図13に示したように、スイッチングによる電圧の変化幅が1/nになるというマルチレベル回路の機能を容易に実現することができる。これに加えて、直流回路のリアクトルとして小容量の部品を使用できるため、交流−直流変換装置の更なる小型化が可能である。
まず、図1は、本発明の第1実施形態を示す回路図であり、請求項1に相当する。図1において、図10,図13と同一の機能を有する部分には同一の参照符号を付してある。
この第1実施形態では、3つのスイッチング部11a,11b,11cが直列に接続されているが、スイッチング部の直列接続数は任意の複数であれば良い。
また、以下の説明では、スイッチング素子7a,7b,7c及びダイオード8a,8b,8cの順方向電圧降下を無視するものとする。
図2は、上記の点に基づいて構成された本発明の第2実施形態を示しており、それぞれ電位的に独立した負荷を絶縁型の直流−直流変換回路によって実現したものである。この第2実施形態は、請求項2,3に相当する。
直流−直流変換回路30a,30b,30cにおいて、31a,31b,31cは直流−交流変換部、32a,32b,32cは変圧器、33a,33b,33cは交流−直流変換部(整流器)である。図示されていないが、交流−直流変換部33a,33b,33cの出力側には直流負荷が接続されている。
なお、一般的に、直流−交流変換部31a,31b,31cの出力周波数は、変圧器32a,32b,32cを小型化するために数[kHz]〜数10[kHz]以上に設定されている。
更に、交流−直流変換部33a,33b,33cの出力電力が等しい条件では、これらの出力側を相互に接続せず、分割したままそれぞれの直流負荷に電力を供給することも可能である。
なお、図4では、Vr2の瞬時値指令をキャリアa,b,cごとに図示してあるが、これは理解を容易にするためのもので、実際にはVr2の瞬時値指令は単一である。また、図4におけるV2ra,V2rb,V2rcは、図1,図2におけるスイッチング部11a,11b,11cの入力電圧であり、スイッチング素子7a,7b,7cのPWMパルスに相当する。
同時に、スイッチング素子7a,7b,7cに印加される電圧が図12のEに対して何れも1/3になると、スイッチング周波数が図12と同一であれば、スイッチング損失も1/3となる。
これらの効果により、交流−直流変換装置全体の高効率化、小型化、低コスト化が可能になる。
すなわち、本発明によれば、複数群のスイッチング部を直列に接続し、かつ、従来の制御回路(図11)と同一原理で各キャリア間に位相差を持たせた制御回路(図3)を用いることにより、図13に示したマルチレベル回路と同等の機能を実現することができる。
除算器110a,110b,110cは、電圧Vr2の瞬時値指令を、Ea,Eb,Ecを正規化した値(Ea,Eb,Ec=E/3の時に「1.0」になる値)によってそれぞれ除算するものである。これらの除算器110a,110b,110cの出力を信号波としてスイッチング素子7a,7b,7cを個別に制御することにより、電圧Ea,Eb,Ecの均等化を図っている。
すなわち、請求項7に記載するように、加算器104の出力に直流出力電圧Ea,Eb,Ecの逆数に比例する値を乗算すれば、各スイッチング部11a,11b,11cに対する信号波を個別に生成することができる。
1/(1−Δx)≒1+Δx
という近似式が成立するので、除算や乗算の代わりに、Vr2の瞬時値指令にそれぞれk(E/3−Ea),k(E/3−Eb),k(E/3−Ec)を加算する近似方法を用いても制御上の誤差は問題にならないためである。
この第4実施形態の動作原理は図1と同様であり、図1一のリアクトル6に比べて各リアクトル6a,6b,6cのインダクタンスを小さくすることができる。
交流電源1の両端は整流回路DBa,DBcの各一方の入力端子に接続され、整流回路DBa,DBcの各他方の入力端子は、整流回路DBcの2つの入力端子に接続されている。このような接続状態により、整流回路DBa,DBb,DBcが直列に接続されると共に、スイッチング部12a,12b,12cは、それぞれの入力側のダイオード同士の接続点及び交流電源1を介して相互に接続されることとなる。
また、同様の効果を得る方法として、図1の整流回路DBにおいて、例えばダイオード2を図6で用いる2a,2b,2cの直列回路によって構成しても良い。ダイオード3〜5についても同様である。
図7において、整流回路DBの出力端子間に接続された電圧検出器としての絶縁アンプ201は、電圧Vr1を検出し、その検出値を絶縁して制御装置207に伝送する。
一方、各群のスイッチング部13a,13b,13cは、絶縁ディジタル信号伝送部204,205,206をそれぞれ備えている。絶縁ディジタル信号伝送部204,205,206は、制御装置207からディジタル信号のオン,オフ指令を受信し、このオン,オフ指令を絶縁してスイッチング素子7a,7b,7cに与える。
スイッチング部13cと整流回路DBの負側出力端子との間の直流母線には、ホールCT(Current Transfer)等からなる電流検出器203が接続されている。この電流検出器203は、電流ILを絶縁状態で検出し、その検出値を制御装置207に伝送する。
しかし、本発明が対象としているのは交流電源1が高電圧の回路であるため、主回路に対して制御装置207を非絶縁にすると、安全性の確保が重要になると共に、差動アンプでは分圧抵抗の大型化や損失増加等の問題が生じる。従って、この第6実施形態以下の実施形態では、主回路側と制御装置207とを絶縁するものとし、電圧検出には絶縁アンプを用いることとした。
これに伴い、スイッチング素子7a,7b,7cのゲート駆動信号についても、制御装置207との間をそれぞれ絶縁することが必要であるため、絶縁ディジタル信号伝送部204,205,206を設けている。
この第7実施形態では、図8に示すように、リアクトル6とスイッチング部13aとの接続点と、スイッチング部13cの負側直流母線との間に、1個の絶縁アンプ208が接続されている。絶縁アンプ208は、スイッチング部の直列接続数に関わらず、スイッチング部の直列接続回路の合計電圧、すなわち電圧Vr2のみを検出し、その検出値を出力電圧識別回路209に送出する。
従って、スイッチング素子7aのスイッチングの前後で記録した電圧Vr2の差分を検出すれば、Eaの値を知ることができる。このことは、スイッチング素子7bと電圧Ebとの関係、スイッチング素子7cと電圧Ecとの関係についても同様である。
すなわち、出力電圧識別回路209は、電圧Vr2の検出値のみに基づいて、各スイッチング部13a,13b,13cの出力電圧Ea,Eb,Ecを識別可能である。
出力電圧識別回路209は、制御装置207から入力されるスイッチング素子7a,7b,7cのオン,オフ信号を参照し、電圧Vr2の変化分を各スイッチング部13a,13b,13cの出力電圧Ea,Eb,Ecとしてそれぞれ振り分け、記録する。この出力電圧Ea,Eb,Ecは、各スイッチング素子7a,7b,7cのスイッチングタイミング毎に更新される。ここで、スイッチング周波数は交流電源1の周波数より十分高いため、十分に短い間隔で出力電圧Ea,Eb,Ecを検出し、更新することが可能である。
スイッチングにより電圧Vr2が変化する現象は、リアクトル6の両端においても検出することができる。第8実施形態はこの点に着目したものである。
高周波変圧器210の二次巻線は出力電圧識別回路209に接続されており、図8と同様に、電圧Vr2の変化分を各スイッチング部13a,13b,13cの出力電圧Ea,Eb,Ecとしてそれぞれ識別することが可能である。
ここで、高周波変圧器210の代わりに、リアクトル6に二次巻線を設けて高周波変圧器210と同様の動作をさせることもでき、この二次巻線電圧を出力電圧識別回路209に入力することでも同様の機能を実現可能であり、回路構成を更に簡単にすることができる。
この第8実施形態によれば、図7の絶縁アンプ202a,202b,202cや図8の絶縁アンプ208のように、直流出力電圧Ea,Eb,Ecを検出するための絶縁型電圧検出器自体を不要にすることができる。
この場合の対応としては、例えばスイッチング部13a,13b,13cの電位ごとに非絶縁の電圧検出器と、各電位が正常な範囲にあるか判別するコンパレータと、コンパレータによる判別結果を制御装置207に絶縁伝送する絶縁デジタル信号伝送手段を別途設け、主回路がスイッチング開始可能な状態にあるか否かを制御装置207が判断する方法が考えられる。その際に追加で必要となる部品は、高電圧絶縁性能を持つ絶縁アンプに比べればはるかに安価である。
上述した本発明の各実施形態では、スイッチング素子やダイオードに比較的低耐圧の半導体素子を使用して高電圧の交流入力に対応させているが、これらの半導体素子に高耐圧のワイドバンドギャップ半導体素子を用いることで、更に高耐圧の交流−直流変換装置を提供することができる。例えば、図1に示した第1実施形態において、スイッチング部を構成するスイッチング素子やダイオードに耐圧が3300[V]のワイドバンドギャップ半導体素子を用い、このスイッチング部を5段、直列に接続することにより、合計で16500[V]相当の耐圧を持つことになるので、6600[V]の交流系統に直接、接続可能な交流−直流変換装置を実現することも可能である。
なお、交流入力電圧の大きさに応じて、一部の素子にワイドバンドギャップ半導体素子を用いても良い。更に、ワイドバンドギャップ半導体素子を構成する材料は、上述した各種材料のうちの何れか一種類でも良いし、複数種類を組み合わせたものでも良い。
2〜5,8a,8b,8c:ダイオード
6,6a,6b,6c:リアクトル
7a,7b,7c:半導体スイッチング素子
9a,9b,9c:コンデンサ
10a,10b,10c:負荷
11a,11b,11c,12a,12b,12c,13a,13b,13c:スイッチング部
30a,30b,30c:直流−直流変換回路
31a,31b,31c:直流−交流変換部
32a,32b,32c:変圧器
33a,33b,33c:交流−直流変換部
101〜104,105a,105b,105c:加算器
106:絶対値演算器
107:電圧調節器
108:乗算器
109:電流調節器
110a,110b,110c:除算器
111a,111b,111c:比較器
112a,112b,112c:論理反転器
113a,113b,113c:キャリア発生器
201,202a,202b,202c,208:絶縁アンプ
203:電流検出器
204〜206:絶縁ディジタル信号伝送部
207:制御装置
209:出力電圧識別回路
210:高周波変圧器
211:低周波カットコンデンサ
DB,DBa,DBb,DBc:整流回路
Claims (13)
- 交流電圧を整流する整流回路と、前記整流回路の出力電圧がリアクトルを介して入力され、かつ、半導体スイッチング素子のオン,オフ動作により前記整流回路の出力電圧を昇圧してダイオードを介してコンデンサに供給し、前記コンデンサの両端電圧を直流出力電圧として負荷に供給するスイッチング部と、を備えた交流−直流変換装置において、
前記スイッチング部を複数、直列に接続し、複数の前記スイッチング部の出力端子間に前記負荷をそれぞれ接続したことを特徴とする交流−直流変換装置。 - 請求項1に記載した交流−直流変換装置において、
前記負荷は、入出力間を絶縁しながら電力変換を行う直流−直流変換回路であることを特徴とする交流−直流変換装置。 - 請求項2に記載された交流−直流変換装置において、
前記直流−直流変換回路の出力側を互いに直列または並列に接続したことを特徴とする交流−直流変換装置。 - 請求項1〜3の何れか1項に記載した交流−直流変換装置において、
前記半導体スイッチング素子をパルス幅変調制御して前記直流出力電圧を制御し、かつ、前記整流回路への交流入力電流の波形を正弦波状に制御する制御装置を備えたことを特徴とする交流−直流変換装置。 - 請求項4に記載した交流−直流変換装置において、
前記制御装置は、
複数の前記スイッチング部の相互間で、各スイッチング部のスイッチングタイミングに時間差を持たせることを特徴とする交流−直流変換装置。 - 請求項4に記載した交流−直流変換装置において、
前記制御装置は、
一つのスイッチング部の直流出力電圧が他のスイッチング部の直流出力電圧よりも低い時は前記一つのスイッチング部内の前記ダイオードの導通期間を前記他のスイッチング部よりも長くし、前記一つのスイッチング部の直流出力電圧が前記他のスイッチング部の直流出力電圧よりも高い時は前記一つのスイッチング部内の前記ダイオードの導通期間を前記他のスイッチング部よりも短くするように、各スイッチング部をパルス幅変調制御するパルス幅補正部を備えたことを特徴とする交流―直流変換装置。 - 請求項6に記載した交流―直流変換装置において、
前記制御装置は、
複数の前記スイッチング部に対する信号波とキャリアとを比較するパルス幅変調制御により複数の前記スイッチング部内の前記半導体スイッチング素子に対する駆動信号をそれぞれ生成し、
前記パルス幅補正部は、
共通の前記信号波に、複数の前記スイッチング部の直流出力電圧の逆数に比例する値を乗算し、または、共通の前記信号波に、全ての前記スイッチング部の直流出力電圧の平均値から各スイッチング部の直流出力電圧を差し引いた値に比例する値を加算することにより、複数の前記スイッチング部に対する信号波を個別に生成することを特徴とする交流−直流変換装置。 - 請求項6に記載した交流―直流変換装置において、
複数の前記スイッチング部の直列接続回路の両端電圧を検出する電圧検出器と、
前記電圧検出器による電圧検出値の変化分と複数の前記スイッチング部のスイッチング状態とから、前記変化分が何れのスイッチング部のスイッチングによるものかを識別する出力電圧識別回路と、
を備えたことを特徴とする交流−直流変換装置。 - 請求項6に記載した交流―直流変換装置において、
前記リアクトルの両端電圧を検出するリアクトル電圧検出器と、
前記リアクトル電圧検出器による電圧検出値の変化分と複数の前記スイッチング部のスイッチング状態とから、前記変化分が何れのスイッチング部のスイッチングによるものかを識別する出力電圧識別回路と、
を備えたことを特徴とする交流−直流変換装置。 - 請求項9に記載した交流―直流変換装置において、
前記リアクトル電圧検出器を変圧器により構成し、前記変圧器の一次巻線を前記リアクトルに並列に接続すると共に、前記変圧器の二次巻線を前記出力電圧識別回路に接続したことを特徴とする交流-直流変換装置。 - 請求項9に記載した交流―直流変換装置において、
前記リアクトル電圧検出器を、前記リアクトルを流れる電流の微分値を検出する検出器により構成したことを特徴とする交流-直流変換装置。 - 請求項1〜11の何れか1項に記載した交流―直流変換装置において、
前記ダイオードまたは前記半導体スイッチング素子の一部もしくは全部が、ワイドバンドギャップ半導体素子であることを特徴とする交流-直流変換装置。 - 請求項12に記載した交流―直流変換装置において、
前記ワイドバンドギャップ半導体素子が、炭化珪素,窒化ガリウム,酸化ガリウムまたはダイアモンドのうちの何れか一種類もしくは複数種類の組み合わせによって構成されていることを特徴とする交流-直流変換装置。
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