JP5866770B2 - 電源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、N相(Nは2以上の自然数)の交流電圧を直流電圧に変換する電源装置に関する。
図3は、特許文献1に開示されている電源装置を説明するための図である。この電源装置は、3組の整流回路を用いて3相交流電圧を所定の直流電圧に変換する。次に、変換して得られた直流電圧は、DC/DCコンバータで変換されて、共通の負荷に供給される。
図3において、1aは3相交流電源、2a,2b,2cは整流回路、10a,10b,10cは絶縁型のDC/DCコンバータ、Cnはコンデンサである。整流回路2a,2b,2cは同じ回路構成からなり、同じ回路動作をする。したがって、以下では整流回路2aを代表として、その回路構成と回路動作を説明する。
3相交流電源1aは、R相、S相、T相がスター結線された電源であり、各相の端子R,S,Tを有している。3相交流電源1aの端子R,S,Tにはスター結線されたコンデンサCnが接続されている。
整流回路2aは、交流入力端子A1a,A2a,A3aと直流出力端子Pa,Naとを有する。端子A1aは、3相交流電源1aの端子Rに接続される。端子A2aは、3相交流電源1aの端子Rに接続される。端子A3aは、コンデンサCnの中性点に接続される。端子PaとNaとの間にはダイオードD1aとD2aとが直列に接続された第1の直列回路と、サイリスタTh1aとTh2aとが直列に接続された第2の直列回路と、ダイオードD3aとD4aとが直列に接続された第3の直列回路が、それぞれ並列に接続される。第1の直列回路のダイオードD1aとD2aとの接続点は、端子A1aに接続される。第2の直列回路のサイリスタTh1aとTh2aとの接続点は、端子A2aに接続される。第3の直列回路のダイオードD3aとD4aとの接続点は、端子A3aに接続される。
上記回路構成において、3相交流電源1aが200V電源のとき、サイリスタTh1a,Th2aのゲートにはオン信号が入力される。これにより、整流回路2aは第1の直列回路と第2の直列回路とで3相交流電源1aのR相とS相の線間電圧を整流する回路として機能する。一方、3相交流電源1aが400V電源のとき、サイリスタTh1a,Th2aのゲートにはオフ信号が入力される。これにより、整流回路2aは第1の直列回路と第3の直列回路とで3相交流電源1aのR相の相電圧を整流する回路として機能する。
整流回路2bと整流回路2cとは整流回路2aと同じ回路構成からなる。したがって、整流回路2bは、3相交流電源1aが200V電源のときS相とT相の線間電圧を整流する回路として機能する。3相交流電源1aが400V電源のときS相の相電圧を整流する回路として機能する。また、整流回路2cは、3相交流電源1が200V電源のときT相とR相の線間電圧を整流する回路として機能する。3相交流電源1aが400V電源のときT相の相電圧を整流する回路として機能する。
その結果、3相交流電源1aが200V電源のとき、整流回路2a,2b,2cからは3相交流電源1aの線間電圧を全波整流した電圧が出力される。また、3相交流電源1aが400V電源のとき、整流回路2a,2b,2cからは3相交流電源1aの相電圧を全波整流した電圧が出力される。
整流回路2aの直流出力端子Pa,NaにはDC/DCコンバータ10aが接続されている。同様に、整流回路2bの直流出力端子Pb,NbにはDC/DCコンバータ10bが接続され、整流回路2cの直流出力端子Pc,NcにはDC/DCコンバータ10cが接続されている。DC/DCコンバータ10a,10b,10cの出力端子は並列に接続され、直流出力電圧が共通の負荷に供給される。
特許第3900444号公報
上記特許文献1に開示されている技術によれば、整流回路2a,2b,2cは、ダイオードをフルブリッジ構成した回路またはサイリスタとダイオードとを混合ブリッジ構成した回路である。また、一般に、DC/DCコンバータの入力部にはインダクタとコンデンサとからなるフィルタ回路が設けられている。したがって、整流回路2a,2b,2cの入力力率は1にはならず、0.8から0.9程度である。
その結果、3相交流電源1および整流回路2a,2b,2cの電流容量が大きくなり、電源装置が大型化するという問題がある。
本発明は、このような電源装置の問題を解決しようとするものであり、異なる交流電圧を入力することができるとともに、高力率かつ小型な電源装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、N相(Nは2以上の自然数)からなる交流電源の電圧をM個(Mは1以上かつN以下の自然数)の整流回路によって直流電圧に変換する電源装置において、前記整流回路が、前記交流電源の線間電圧と同位相の交流電流を入力することにより前記交流電源の線間電圧を第1の所定値の直流電圧に変換する第1の回路と、前記交流電源の相電圧と同位相の交流電流を入力することにより前記交流電源の相電圧を第2の所定値の直流電圧に変換する第2の回路とを有するように構成したものである。
電源装置をこのように構成することにより、整流回路の交流入力の力率を略1.0と高力率にすることができる。その結果、整流回路の電流容量を小さくすることができ、電源装置を小型化することができる。
この発明においては、前記整流回路を、前記第2の回路の動作を停止し前記第1の回路を動作させる第1のモードと、前記第1の回路の動作を停止し前記第2の回路を動作させる第2のモードとのいずれかのモードで動作させるのが良い。さらに、前記整流回路を、前記交流電源の電圧の実効値が所定値以下のとき前記第1のモードで動作させ、前記交流電源の電圧の実効値が所定値を超えているとき前記第2のモードで動作させるのが良い。
前記電源装置をこのように動作させることにより、電源電圧が異なる交流電源に接続された場合であっても、1台の電源装置で所望の直流電圧を得ることができる。
また、この発明においては、前記直流電圧の第1の所定値と第2の所定値とが同じとなるように前記整流回路を動作させるのが良い。
前記整流回路をこのように動作させることにより、整流回路の後段に設けられる電圧変換回路の入力電圧範囲を小さくすることができる。
本発明によると、電源電圧が異なる交流電源に接続されても、整流回路の交流入力を高力率とすることができる。その結果、入力力率が高くかつ小型な電源装置を提供することができる。
本発明に係る電源装置の第1の実施形態を説明するための図である。 本発明に係る電源装置の第2の実施形態を説明するための図である。 従来技術に係る電源装置を説明するための図である。
以下、本発明の実施の形態を図1、図2を参照して詳細に説明する。なお、図1、図2において、図3に示した電源装置と共通する構成要素には同符号を付し、その説明を省略する。
図1は、本発明に係る電源装置の第1の実施形態を説明するための図である。図1において、1bは3相交流電源、3a,3b,3cは整流回路、10a,10b,10cは絶縁型のDC/DCコンバータである。整流回路3a,3b,3cは同じ回路構成からなり、同じ回路動作をする。したがって、以下では整流回路3aを代表として、その回路構成と回路動作を説明する。
3相交流電源1bは、R相、S相、T相がスター結線された電源であり、各相の端子R,S,Tと中性点の端子Nとを有している。
整流回路3aは、交流入力端子A1a,A2a,A3aと直流出力端子Pa,Naとを有する。端子A1aは、3相交流電源1bの端子Rに接続される。端子A2aは、3相交流電源1bの端子Sに接続される。端子A3aは、3相交流電源1bの中性点Nに接続される。
端子PaとNaとの間にはトランジスタT1aとT2aとが直列に接続された第1の直列回路と、サイリスタTh1aとTh2aとが直列に接続された第2の直列回路と、サイリスタTh3aとTh4aとが直列に接続された第3の直列回路とコンデンサCaが、それぞれ並列に接続される。トランジスタT1a,T2aには、それぞれダイオードD1a,D2aが並列に接続されている。
第1の直列回路のトランジスタT1aとT2aとの接続点は、インダクタLaを介して端子A1aに接続される。第2の直列回路のサイリスタTh1aとTh2aとの接続点は、端子A2aに接続される。第3の直列回路のサイリスタTh3aとTh4aとの接続点は、端子A3aに接続される。
さらに、整流回路3aは、上記トランジスタT1a,T2aおよびサイリスタTh1a〜Th4aのゲート信号を生成するための制御回路CNTaを有している。
第1の直列回路、第2の直列回路およびインダクタLaによって、第1の回路が構成されている。また、第1の直列回路、第3の直列回路およびインダクタLaによって、第2の回路が構成されている。
上記回路構成において、3相交流電源1bの交流電圧は、整流回路3aによって第1の所定値の直流電圧に変換される。整流回路3aから出力される第1の所定値の直流電圧はDC/DCコンバータ10aに入力され、第3の所定値の直流電圧に変換される。
以下に、3相交流電源1bが200V電源の場合における整流回路3aの動作(第1のモードの動作)を説明する。まず、3相交流電源1bの端子Sに対する端子Rの電圧が正のとき、サイリスタTh1aのゲートにはオフ信号が入力され、サイリスタTh2aのゲートにはオン信号が入力される。サイリスタTh3a,Th4aのゲートにはオフ信号が入力される。この状態で、トランジスタT1aのゲートにはオフ信号が入力され、トランジスタT2aのゲートにはPWM変調されたオン・オフ信号が入力される。
第1から第3の直列回路の半導体スイッチング素子を上記のように制御することにより、トランジスタT2aがオンしているとき、3相交流電源1bの端子R→インダクタLa→トランジスタT2a→サイリスタTh2a→3相交流電源1bの端子Sの経路で電流が流れる。トランジスタT2aがオフしたとき、上記経路で流れていた電流は、3相交流電源1bの端子R→インダクタLa→ダイオードD1a→コンデンサCa→サイリスタTh2a→3相交流電源1bの端子Sの経路で流れる。この電流によって、コンデンサCaが第1の所定値に充電される。
一方、3相交流電源1bの端子Sに対する端子Rの電圧が負のとき、サイリスタTh1aのゲートにはオン信号が入力され、サイリスタTh2aのゲートにはオフ信号が入力される。サイリスタTh3a,Th4aのゲートには、オフ信号が入力される。この状態で、トランジスタT2aのゲートにはオフ信号が入力される。トランジスタT1aのゲートにはPWM変調されたオン・オフ信号が入力される。
第1から第3の直列回路の半導体スイッチング素子を上記のように制御することにより、トランジスタT1aがオンしているとき、3相交流電源1bの端子S→サイリスタTh1a→トランジスタT1a→インダクタLa→3相交流電源1bの端子Rの経路で電流が流れる。トランジスタT1aがオフしたとき、上記経路で流れていた電流は、3相交流電源1bの端子S→サイリスタTh1a→コンデンサCa→ダイオードD2a→インダクタLa→3相交流電源1の端子Rの経路で流れる。この電流によって、コンデンサCaが第1の所定値に充電される。
上記動作において、トランジスタT1a,T2aのゲートに入力されるオン・オフ信号は、制御回路CNTaにより、整流回路3aの入力電圧と入力電流が同位相となりかつ直流出力電圧が第1の所定値に維持されるように調整されている。この第1の所定値は、端子Rと端子Sの両端に生じる線間電圧の振幅値よりも大きい。
次に、3相交流電源1bが400V電源の場合における整流回路3aの動作(第2のモードの動作)を説明する。まず、3相交流電源1bの端子Nに対する端子Rの電圧が正のとき、サイリスタTh1a,Th2aのゲートにはオフ信号が入力される。サイリスタTh3aのゲートにはオフ信号が入力され、サイリスタTh4aのゲートにはオン信号が入力される。この状態で、トランジスタT1aのゲートにはオフ信号が入力され、トランジスタT2aのゲートにPWM変調されたオン・オフ信号が入力される。
第1から第3の直列回路の半導体スイッチング素子を上記のように制御することにより、トランジスタT2aがオンしているとき、3相交流電源1bの端子R→インダクタLa→トランジスタT2a→サイリスタTh4a→3相交流電源1bの端子Nの経路で電流が流れる。トランジスタT2aがオフしたとき、上記経路で流れていた電流は、3相交流電源1bの端子R→インダクタLa→ダイオードD1a→コンデンサCa→サイリスタTh4a→3相交流電源1bの端子Nの経路で流れる。この電流によってコンデンサCaが第2の所定値に充電される。
一方、3相交流電源1bの端子Nに対する端子Rの電圧が負のとき、サイリスタTh1a,Th2aのゲートには、オフ信号が入力される。サイリスタTh3aのゲートにはオン信号が入力され、サイリスタTh4aのゲートにはオフ信号が入力される。この状態で、トランジスタT2aのゲートにはオフ信号が入力される。トランジスタT1aのゲートにはPWM変調されたオン・オフ信号が入力される。
第1から第3の直列回路の半導体スイッチング素子を上記のように制御することにより、トランジスタT1aがオンしているとき、3相交流電源1bの端子N→サイリスタTh3a→トランジスタT1a→インダクタLa→3相交流電源1bの端子Rの経路で電流が流れる。トランジスタT1aがオフしたとき、上記経路で流れていた電流は、3相交流電源1bの端子N→サイリスタTh3a→コンデンサCa→ダイオードD2a→インダクタLa→3相交流電源1bの端子Rの経路で流れる。この電流によってコンデンサCaが第2の所定値に充電される。
上記動作において、トランジスタT1a,T2aのゲートに入力されるオン・オフ信号は、制御回路CNTaにより、整流回路3aの入力電圧と入力電流が同位相となりかつ直流出力電圧が第2の所定値に維持されるように調整されている。この第2の所定値は、端子Rと端子Nの両端に生じる相電圧の振幅値よりも大きい。
DC/DCコンバータ10aは、第1の所定値または第2の所定値に充電されたコンデンサCaの両端電圧(第1の所定値または第2の所定値の直流電圧)を第3の所定値の直流電圧に変換して出力する。この場合において、直流電圧の第1の所定値と第2の所定値とが同じ値であっても良く、異なる値であっても良い。直流電圧の第1の所定値と第2の所定値とが同じ値であるか、または近い値である場合、DC/DCコンバータ10aの入力電圧範囲を小さくすることができる。
整流回路3bとDC/DCコンバータ10bの回路および整流回路3cとDC/DCコンバータ10cの回路も、上記整流回路3aとDC/DCコンバータ10aの回路と同じ動作をする。DC/DCコンバータ10a,10b,10cの出力端子は並列に接続され、直流出力電圧が共通の負荷に供給される。
なお、交流電源1bの電圧が200Vか400Vであるかは、例えば交流電源の線間電圧または相電圧を検出し、検出値が300V相当の値以下であるときは200V電源、300V相当の値を超えているときは400V電源であると判断することができる。
上記で説明した第1の実施形態では、3相交流電源1bの電源電圧が200Vまたは400Vのいずれのときであっても、電源装置3a〜3cの入力力率を略1.0の高力率に維持することができる。そのため、電源装置3a〜3cの入力電流は、ダイオードからなるフルブリッジ整流回路またはサイリスタとダイオードとからなる混合ブリッジ整流回路に比べて低減される。これにより、電源装置の入力電流容量を小さくすることができるので、高力率かつ小型な電源装置を提供することができる。
図2は、本発明に係る電源装置の第2の実施形態を説明するための図である。図2において、1bは3相交流電源、4a,4b,4cは整流回路、10a,10b,10cは絶縁型のDC/DCコンバータである。整流回路4a,4b,4cは同じ回路構成からなり、同じ回路動作をする。したがって、以下では整流回路4aを代表として、その回路構成と回路動作を説明する。
整流回路4aは、交流入力端子A1a,A2a,A3aと直流出力端子Pa,Naとを有する。端子A1aは、3相交流電源1bの端子Rに接続される。端子A2aは、3相交流電源1bの端子Sに接続される。端子A3aは、3相交流電源1bの中性点Nに接続される。
端子PaとNaとの間にはダイオードD1aとD2aとが直列に接続された第1の直列回路と、サイリスタTh1aとTh2aとが直列に接続された第2の直列回路と、サイリスタTh3aとTh4aとが直列に接続された第3の直列回路と、インダクタLaとトランジスタT1aとが直列に接続された第4の直列回路が、それぞれ並列に接続される。第1の直列回路のダイオードD1aとD2aとの接続点は、端子A1aに接続される。第2の直列回路のサイリスタTh1aとTh2aとの接続点は、端子A2aに接続される。第3の直列回路のサイリスタTh3aとTh4aとの接続点は、端子A3aに接続される。第4の直列回路のトランジスタT1aの両端には、第5の直列回路が並列に接続される。第5の直列回路のコンデンサCaの両端は、端子PaとNaに接続される。
整流回路4aは、上記トランジスタT1aとサイリスタTh1a〜Th4aのゲート信号を生成するための制御回路CNTaを有している。
第1の直列回路、第2の直列回路、第4の直列回路および第5の直列回路によって、第1の回路が構成されている。また、第1の直列回路および第3の直列回路から第5の直列回路によって、第2の回路が構成されている。
上記回路構成において、3相交流電源1bの交流電圧は、整流回路4aによって第1の所定値の直流電圧に変換される。整流回路4aから出力される第1の所定値の直流電圧は、DC/DCコンバータ10aに入力され、第3の所定値の直流電圧に変換される。
以下に、3相交流電源1bが200V電源の場合の整流回路4aの動作(第1のモードの動作)を説明する。まず、3相交流電源1bの端子Rの電圧が端子Sに対して正のとき、サイリスタTh1aのゲートにはオフ信号が入力され、サイリスタTh2aのゲートにはオン信号が入力される。サイリスタTh3a,Th4aのゲートにはオフ信号が入力される。この状態で、トランジスタT1aのゲートには、PWM変調されたオン・オフ信号が入力される。
第2から第4の直列回路の半導体スイッチング素子を上記のように制御することにより、トランジスタT1aがオンしているとき、3相交流電源1bの端子R→ダイオードD1a→インダクタLa→トランジスタT1a→サイリスタTh2a→3相交流電源1bの端子Sの経路で電流が流れる。トランジスタT1aがオフしたとき、上記経路で流れていた電流は、3相交流電源1bの端子R→ダイオードD1a→インダクタLa→ダイオードD3a→コンデンサCa→サイリスタTh2a→3相交流電源1bの端子Sの経路で流れる。この電流によって、コンデンサCaが第1の所定値に充電される。
一方、3相交流電源1bの端子Rの電圧が端子Sに対して負のとき、サイリスタTh1aのゲートにはオン信号が入力され、サイリスタTh2aのゲートにはオフ信号が入力される。サイリスタTh3a,Th4aのゲートには、オフ信号が入力される。この状態で、トランジスタT1aのゲートにはPWM変調されたオン・オフ信号が入力される。
第2から第4の直列回路の半導体スイッチング素子を上記のように制御することにより、トランジスタT1aがオンしているとき、3相交流電源1の端子S→サイリスタTh1a→インダクタLa→トランジスタT1a→ダイオードD2a→3相交流電源1の端子Rの経路で電流が流れる。トランジスタT1aがオフしたとき、上記経路で流れていた電流は、3相交流電源1の端子S→サイリスタTh1a→インダクタLa→ダイオードD3a→コンデンサCa→ダイオードD2a→3相交流電源1の端子Rの経路で流れる。この電流によって、コンデンサCaが第1の所定値に充電される。
上記動作において、トランジスタT1aのゲートに入力されるオン・オフ信号は、制御回路CNTaにより、整流回路4aの入力電圧と入力電流が同位相となりかつ直流出力電圧が第1の所定値に維持されるように調整されている。この第1の所定値は、端子Rと端子Sの両端に生じる線間電圧の振幅値よりも大きい。
次に、3相交流電源1bが400V電源の場合の整流回路4aの動作(第2のモードの動作)を説明する。まず、3相交流電源1bの端子Rの電圧が端子Nに対して正のとき、サイリスタTh1a,Th2aのゲートにはオフ信号が入力される。サイリスタTh3aのゲートにはオフ信号が入力され、サイリスタTh4aのゲートにはオン信号が入力される。この状態で、トランジスタT1aのゲートにPWM変調されたオン・オフ信号が入力される。
第2から第4の直列回路の半導体スイッチング素子を上記のように制御することにより、トランジスタT1aがオンしているとき、3相交流電源1bの端子R→ダイオードD1a→インダクタLa→トランジスタT1a→サイリスタTh4a→3相交流電源1bの端子Nの経路で電流が流れる。トランジスタT1aがオフしたとき、上記経路で流れていた電流は、3相交流電源1bの端子R→ダイオードD1a→インダクタLa→ダイオードD3a→コンデンサCa→サイリスタTh4a→3相交流電源1bの端子Nの経路で流れる。この電流によって、コンデンサCaが第2の所定値に充電される。
一方、3相交流電源1bの端子Rの電圧が端子Nに対して負のとき、サイリスタTh1a,Th2aのゲートには、オフ信号が入力される。サイリスタTh3aのゲートにはオン信号が入力され、サイリスタTh4aのゲートにはオフ信号が入力される。この状態で、トランジスタT1aのゲートにPWM変調されたオン・オフ信号が入力される。
第2から第4の直列回路の半導体スイッチング素子を上記のように制御することにより、トランジスタT1aがオンしているとき、3相交流電源1bの端子R→ダイオードD1a→インダクタLa→トランジスタT1a→サイリスタTh4a→3相交流電源1bの端子Nの経路で電流が流れる。トランジスタT1aがオフしたとき、上記経路で流れていた電流は、3相交流電源1bの端子R→ダイオードD1a→インダクタLa→ダイオードD3a→コンデンサCa→サイリスタTh4a→3相交流電源1bの端子Nの経路で流れる。この電流によって、コンデンサCaが第2の所定値に充電される。
上記動作において、トランジスタT1aのゲートに入力されるオン・オフ信号は、制御回路CNTaにより、整流回路4aの入力電圧と入力電流が同位相となりかつ直流出力電圧が第2の所定値に維持されるように調整されている。この第2の所定値は、端子Rと端子Nの両端に生じる相電圧の振幅値よりも大きい。
DC/DCコンバータ10aは、第1の所定値または第2の所定値に充電された直流電圧を第3の所定値の直流電圧に変換して出力する。この場合において、第1の所定値と第2の所定値とは同じ値であっても良く、異なる値であっても良い。直流電圧の第1の所定値と第2の所定値とが同じ値であるか、または近い値である場合、DC/DCコンバータ10aの入力電圧範囲を小さくすることができる。
整流回路3bとDC/DCコンバータ10bの回路および整流回路3cとDC/DCコンバータ10cの回路も、上記整流回路3aとDC/DCコンバータ10aの回路と同じ動作をする。DC/DCコンバータ10a,10b,10cの出力端子は並列に接続され、直流出力電圧が共通の負荷に供給される。
なお、交流電源1bの電圧が200Vか400Vであるかは、例えば交流電源の線間電圧または相電圧を検出し、検出値が300V相当の値以下であるときは200V電源、300V相当の値を超えているときは400V電源であると判断することができる。
上記で説明した第2の実施形態では、3相交流電源1bの電源電圧が200Vまたは400Vのいずれのときであっても、電源装置4a〜4cの入力力率を略1.0の高力率に維持することができる。そのため、電源装置4a〜4cの入力電流は、ダイオードからなるフルブリッジ整流回路またはサイリスタとダイオードとからなる混合ブリッジ整流回路に比べて低減される。これにより、電源装置の入力電流容量を小さくすることができるので、高力率かつ小型な電源装置を提供することができる。
上記第1の実施形態および第2の実施形態では、図3に示した整流回路2aのダイオードD3a,D4aからなる第3の直列回路を、サイリスタTh3a,Th4aからなる直列回路に置き換えている。このようにすることにより、第1のモードと第2のモードとを択一的に選択することができ、整流回路が何れのモードで動作する場合でも高力率な電源装置とすることができる。
また、上記第1の実施形態および第2の実施形態では、3相交流電源が200V電源と400V電源のいずれかとして本発明に係る電源装置の説明をした。しかし、電源の組み合わせはこれに限られず、100V電源と200V電源であっても、他の電源の組み合わせであっても良い。
また、本発明は3相交流電源を対象とした電源装置に限られず、N相(Nは2以上の自然数)からなる交流電源の電圧を直流電圧に変換する電源装置に適用することができる。さらに、N相交流電源のすべての相および線間の電圧を整流する電源装置に限られず、所定の相電圧及び線間電圧を整流する電源装置であってもかまわない。
1・・・3相交流電源、2a,2b,2c,3a,3b,3c,4a,4b,4c・・・整流回路、10a,10b,10c・・・DC/DCコンバータ、Ca,Cb,Cc,Cn・・・コンデンサ、D1a〜D4a,D1b〜D4b,D1c〜D4c・・・ダイオード、La,Lb,Lc・・・インダクタ、T1a,T2a,T1b、T2b,T1c、T2c・・・トランジスタ、Th1a〜Th4a,Th1b〜Th4b,Th1c〜Th4c・・・サイリスタ。

Claims (3)

  1. N相(Nは2以上の自然数)からなる交流電源の電圧をM個(Mは1以上かつN以下の自然数)の整流回路によって直流電圧に変換する電源装置において、
    前記整流回路は、
    前記交流電源のそれぞれの所定相に接続される第1の交流入力端子と、
    前記交流電源の他の所定相に接続される第2の交流入力端子と、
    前記交流電源の中性点に接続される第3の交流入力端子と、
    正側及び負側の直流出力端子と、
    それぞれに整流素子が逆並列に接続された第1と第2の半導体スイッチング素子とが直列に接続された第1の直列回路と、
    第3と第4の半導体スイッチング素子とが直列に接続された第2の直列回路と、
    第5と第6の半導体スイッチング素子とが直列に接続された第3の直列回路と、
    コンデンサと
    インダクタと、
    を有し、
    前記第1から第3の直列回路と前記コンデンサとは前記正側と負側の直流出力端子の間に並列に接続され、
    前記インダクタは前記第1の交流入力端子と前記第1の直列回路の第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体スイッチング素子の接続点との間に接続され、
    前記第3と第4の半導体スイッチング素子との直列続点が前記第2の交流入力端子に接続され、
    前記第5と第6の半導体スイッチング素子との直列続点が前記第3の交流入力端子に接続され、
    前記整流回路は、前記交流電源の電圧の実効値が所定値以下のとき、
    前記第2の直列回路の第3と第4の半導体スイッチング素子を導通させ、前記第3の直列回路の第5と第6の半導体スイッチング素子を非導通とし、前記第1の直列回路の第1または第2の半導体スイッチング素子のいずれかをオフし他方の半導体スイッチング素子をオン・オフ動作させて、前記交流電源の線間電圧と同位相の交流電流を入力することにより、前記交流電源の線間電圧を第1の所定値の直流電圧に変換する第1のモードで動作し
    前記交流電源の電圧の実効値が所定値を超えているとき、前記第2の直列回路の第3と第4の半導体スイッチング素子を非導通とし、前記第3の直列回路の第5と第6の半導体スイッチング素子を導通させ、前記第1の直列回路の第1または第2の半導体スイッチング素子のいずれかをオフし他方の半導体スイッチング素子をオン・オフ動作させて、前記交流電源の相電圧と同位相の交流電流を入力することにより前記交流電源の相電圧を第2の所定値の直流電圧に変換する第2のモードで動作することを特徴とする電源装置。
  2. N相(Nは2以上の自然数)からなる交流電源の電圧をM個(Mは1以上かつN以下の自然数)の整流回路によって直流電圧に変換する電源装置において、
    前記整流回路は、
    前記交流電源のそれぞれの所定相に接続される第1の交流入力端子と、
    前記交流電源の他の所定相に接続される第2の交流入力端子と、
    前記交流電源の中性点に接続される第3の交流入力端子と、
    正側及び負側の直流出力端子と、
    第1と第2の整流素子とが直列に接続されるとともにその接続点が前記第1の交流入力端子に接続される第1の直列回路と、
    第1と第2の半導体スイッチング素子とが直列に接続されるとともにその接続点が前記第2の交流入力端子に接続される第2の直列回路と、
    第3と第4の半導体スイッチング素子とが直列に接続されるとともにその接続点が前記第3の交流入力端子に接続される第3の直列回路と、
    インダクタと第5の半導体スイッチング素子とを直列に接続した第4の直列回路と、
    整流素子とコンデンサとを直列に接続した第5の直列回路と、
    を有し、
    前記第1から第4の直列回路は前記正側と負側の直流出力端子の間に並列に接続され、
    前記第5の直列回路は前記第4の直列回路の第5の半導体スイッチング素子の両端に接続されており
    前記整流回路は、前記交流電源の電圧の実効値が所定値以下のとき、
    前記第2の直列回路の第1と第2の半導体スイッチング素子を導通させ、前記第3の直列回路の第3と第4の半導体スイッチング素子を非導通とし、前記第4の直列回路の第5の半導体スイッチング素子をオン・オフ動作させて、前記交流電源の線間電圧と同位相の交流電流を入力することにより前記交流電源の線間電圧を第1の所定値の直流電圧に変換する第1のモードで動作し
    前記交流電源の電圧の実効値が所定値を超えているとき、前記第2の直列回路の第1と第2の半導体スイッチング素子を非導通とし、前記第3の直列回路の第3と第4の半導体スイッチング素子を導通させ、前記第4の直列回路の第5の半導体スイッチング素子をオン・オフ動作させて、前記交流電源の相電圧と同位相の交流電流を入力することにより前記交流電源の相電圧を第2の所定値の直流電圧に変換する第2のモードで動作することを特徴とする電源装置。
  3. 前記直流電圧の第1の所定値と第2の所定値とが同じであることを特徴とする請求項乃至請求項のいずれか1項に記載の電源装置。


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