JP2016022095A5

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Publication number: JP2016022095A5
Application number: JP2014147451A
Authority: JP
Filing date: 2014-07-18
Publication date: 2017-05-18
Anticipated expiration: 2034-07-18

Description

上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び／又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する制御手段と、
を備える。

請求項２に記載の発明は、
被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び／又は前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び／又は二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び／又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、前記放射線検出器の放射線蓄積時間、又は一投影あたりの放射線照射時間の少なくとも一つの撮影条件を決定する。

請求項３に記載の発明は、
被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び／又は前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び／又は二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び／又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記放射線源の照射野範囲、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、前記放射線検出器の放射線蓄積時間、又は一投影あたりの放射線照射時間の少なくとも一つの撮影条件を決定する。

請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか一項に記載の発明において、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する。

請求項７に記載の発明は、請求項１〜４の何れか一項に記載の発明において、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、面内解像度、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する。

請求項１０に記載の発明は、請求項１〜８の何れか一項に記載の発明において、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、面内解像度、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する。

Claims

被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び／又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する制御手段と、
を備える断層画像生成システム。
被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び／又は前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び／又は二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び／又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、前記放射線検出器の放射線蓄積時間、又は一投影あたりの放射線照射時間の少なくとも一つの撮影条件を決定する断層画像生成システム。
被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び／又は前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び／又は二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び／又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記放射線源の照射野範囲、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、前記放射線検出器の放射線蓄積時間、又は一投影あたりの放射線照射時間の少なくとも一つの撮影条件を決定する断層画像生成システム。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記放射線源の照射野範囲を決定する請求項１〜３の何れか一項に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する請求項１〜４の何れか一項に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、前記再構成手段において逐次近似画像構成法により前記被写体の断層画像の生成を行う場合に用いられる検出確率の値を決定する請求項５に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、面内解像度、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する請求項１〜４の何れか一項に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記再構成手段において逐次近似画像構成法により前記被写体の断層画像の生成を行う場合に用いられる検出確率の値を決定する請求項７に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記断層画像における被写体の存在しない領域を特定し、特定した領域の画素値に任意の値を設定する請求項８に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、面内解像度、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する請求項１〜８の何れか一項に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記断層画像における被写体の存在しない領域を特定し、特定した領域の画素値に任意の値を設定する請求項１０に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記被写体の部位を認識し、認識した部位に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び／又は前記再構成手段における画像の再構成条件を決定する請求項１に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記被写体の部位及び撮影方向を認識し、認識した部位及び撮影方向に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び／又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する請求項１２に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、前記放射線源の振り角、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、ＳＩＤ、前記放射線検出器の放射線蓄積時間、一投影あたりの放射線照射時間、又は前記放射線検出器のビニングサイズの少なくとも一つの撮影条件を決定する請求項１２又は１３に記載の断層画像生成システム。
前記制御手段は、面内解像度、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、鮮鋭度や粒状性を決めるパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する請求項１２〜１４の何れか一項に記載の断層画像生成システム。
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び／又は二次元形状の情報を前記被写体の患者情報及び部位情報に対応付けて記憶する記憶手段と、
撮影対象の被写体に係る患者情報及び部位情報を取得する手段と、を備え、
前記制御手段は、前記撮影対象の被写体に係る患者情報及び部位情報に対応する情報が前記記憶手段に記憶されている場合には、前記取得手段による取得は行わずに、前記撮影対象の被写体に係る患者情報及び部位情報に対応付けて前記記憶手段に記憶されている被写体の厚さ及び／又は二次元形状の情報を使用して撮影条件及び／又は再構成条件の決定を行う請求項１〜１５の何れか一項に記載の断層画像生成システム。