JP6379785B2 - 断層画像生成システム - Google Patents
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Description
被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び/又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する制御手段と、
を備える。
被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び/又は前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件を決定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、又は前記放射線検出器の放射線蓄積時間の少なくとも一つの撮影条件を決定する。
被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び/又は前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件を決定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記放射線源の照射野範囲、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、又は前記放射線検出器の放射線蓄積時間の少なくとも一つの撮影条件を決定する。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記放射線源の照射野範囲を決定する。
前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状に基づいて、前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する。
請求項6に記載の発明は、請求項1又は5に記載の発明において、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する。
前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、前記再構成手段において逐次近似画像構成法により前記被写体の断層画像の生成を行う場合に用いられる検出確率の値を決定する。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、面内解像度、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する。
前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記再構成手段において逐次近似画像構成法により前記被写体の断層画像の生成を行う場合に用いられる検出確率の値を決定する。
前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記断層画像における被写体の存在しない領域を特定し、特定した領域の画素値に任意の値を設定する。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、面内解像度、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する。
前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記断層画像における被写体の存在しない領域を特定し、特定した領域の画素値に任意の値を設定する。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記被写体の部位を認識し、認識した部位に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び/又は前記再構成手段における画像の再構成条件を決定する。
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記被写体の部位及び撮影方向を認識し、認識した部位及び撮影方向に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び/又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する。
前記制御手段は、前記放射線源の振り角、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、SID、前記放射線検出器の放射線蓄積時間、一投影あたりの放射線照射時間、又は前記放射線検出器のビニングサイズの少なくとも一つの撮影条件を決定する。
前記制御手段は、面内解像度、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、鮮鋭度や粒状性を決めるパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する。
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状の情報を前記被写体の患者情報及び部位情報に対応付けて記憶する記憶手段と、
撮影対象の被写体に係る患者情報及び部位情報を取得する手段と、を備え、
前記制御手段は、前記撮影対象の被写体に係る患者情報及び部位情報に対応付けて前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状の情報が前記記憶手段に記憶されている場合には、前記取得手段による取得は行わずに、前記撮影対象の被写体に係る患者情報及び部位情報に対応付けて前記記憶手段に記憶されている被写体の厚さ及び/又は二次元形状の情報を使用して撮影条件及び/又は再構成条件の決定を行う。
[断層画像生成システム100の構成]
まず、第1の実施形態に係る断層画像生成システム100の概略構成について説明する。断層画像生成システム100は、被写体H(人体の部位)をトモシンセシス撮影することにより得られた投影画像を用いて再構成画像としての被写体Hの断層画像を生成するシステムである。図1に、本実施形態に係る断層画像生成システム100の概略構成を示す。図1に示すように、断層画像生成システム100は、主に、放射線撮影装置1やコンソール90等で構成されている。
なお、以下の説明において、被写体台54の長手方向(被写体台54に配置された被写体Hの体軸方向)をy軸方向、撮影面(放射線が照射される面)においてy軸方向と直交する方向をx軸方向、放射線照射方向(被写体Hの厚さ方向)をz軸方向として説明する。
投影画像の各画素の値(信号値)は、放射線検出器Fに到達した放射線強度を電気信号に変換した値、即ち、放射線検出器Fに到達した放射線強度に相関する値であり、到達した放射線強度が高いほど信号値は大きくなる。また、本実施形態においては、投影画像の信号値が大きいほど黒く(高い濃度で)描出される。
放射線検出器Fは、ネットワークN1及び制御BOX80を介してコンソール90と通信を行う機能、アクセスポイントAPを介してコンソール90と通信を行うための無線通信機能を備えている。
検出器装填部51は、放射線検出器Fを保持する。
装填部支持部52は、被写体台54の被写体Hを載置する面とは反対の面の側に、被写体台54の長手方向(被写体Hの体軸方向。y軸方向。)に移動可能に設けられ、検出器装填部51を支持する。
搬送装置53は、図示を省略するが、例えば、駆動モーター等を備え、駆動モーターの回転力をラックアンドピニオンで装填部支持部52に伝えて、装填部支持部52を被写体台54の長手方向(y軸方向)に移動させる。なお、搬送装置53は、装填部支持部52を被写体台54の長手方向に移動させることができるものであれば、どのような構成や機構等でも採用することが可能であり、上記のラックアンドピニオンを用いた構成等に限定されない。例えばアクチュエーター等の直線的な動きを装填部支持部52に伝達して装填部支持部52を移動させるように構成することも可能である。
被写体台54は、放射線源61の放射線照射方向に設けられた被写体Hを支持する台であり、アクリル板等の樹脂性の板や、カーボン板等の無機材料からなる板、或いは金属板等で構成されている。被写体台54には、被写体台54の長手方向(y軸方向)に沿って装填部支持部52を移動させるためのガイド(図示せず)が設けられている。
また、放射線源61の放射線照射方向には、放射線源61から照射された放射線の照射領域を制限するコリメーター75が設けられている。
更に、記憶部95には、受付された患者の患者情報等が記憶されている。
次に、本実施形態における断層画像生成システム100の動作について説明する。
断層画像生成システム100においては、コンソール90の制御部91が以下に説明する再構成画像生成処理Aを実行することにより、放射線撮影装置1の各部を制御して放射線源61及び放射線検出器Fを移動させながら所定回数の撮影を行わせ、得られた一連の投影画像に基づいて画像再構成を行うことにより再構成画像(断層画像)を生成する。
ここで、決定される撮影条件としては、放射線源61の振り角θ、放射線源61及び放射線検出器Fの移動速度、移動距離、照射野範囲、回転中心O、撮影回数、放射線検出器Fの放射線蓄積時間、一投影あたりの放射線照射時間、管電流、管電圧、mAs値等が挙げられる。ステップS4においては、これらのうち少なくとも一つの撮影条件を決定する。
振り角θは、大きくなるほど再構成に使用できる情報が多くなり、また被写体Hの厚さ方向(深さ方向)の分解能も増える。しかし、振り角θが大きくなると撮影回数を増やす必要があるため撮影に時間がかかる。また、再構成画像においては、被写体H内に構造物があるとその構造物に対して放射線源61の移動方向に平行に偽像(リップル)が現れる。このリップルの現れる範囲は、振り角θが小さいほど小さく、振り角θが大きいほど広がるという性質がある。また、リップルの現れる範囲は、放射線検出器Fとの距離が離れているほど広がるという性質がある。即ち、被写体Hが厚いほどリップルの影響が大きくなる。そこで、被写体の厚さが大きい(厚い)ほど振り角θを小さく決定する。具体的には、被写体Hの厚さの分布から被写体Hの厚さの代表値(例えば、最大値。ここでは代表値を最大値とする。)を取得し、被写体Hの厚さの代表値が大きいほど振り角θを小さく設定する。被写体Hの厚さの代表値とは、被写体Hのおよその厚さを示す値であり、最大値の他、例えば、中央値、平均値等が挙げられる。
これにより、被写体のHの厚さに応じて自動的に最適な振り角θを決定することが可能となる。
撮影時間が長くなると被写体Hの体動が増えてしまうため、撮影時間は所定の基準時間に収まるように制限されている。撮影時間が基準時間に制限されている場合、放射線源61及び放射線検出器Fの移動度速度は、被写体Hの厚さによって決定された振り角θと基準時間によって決まる。即ち、被写体Hの厚さに応じて、自動的に最適な放射線源61及び放射線検出器Fの移動速度を決定することができる。
また、放射線源61及び放射線検出器Fの移動距離は、被写体Hの厚さによって決定された振り角θに連動して決まる。即ち、被写体Hの厚さに応じて、自動的に最適な放射線源61及び放射線検出器Fの移動距離を決定することができる。
例えば、図2に実線で示す位置から一点鎖線で示す位置に放射線源61及び放射線検出器Fを移動させながら複数の撮影位置で撮影を行った場合、すべての撮影位置で放射線が照射される範囲は図2のドットで示した部分となる。即ち、全ての撮影位置で放射線が照射される範囲は、回転中心Oが位置する断面CS1において最も広く、回転中心Oから離れるにつれてその範囲が狭くなる。全ての撮影位置で放射線が照射されていない位置では、放射線が当たらない撮影での情報がないため、ぼやけた画像となる。
そこで、被写体Hの厚さ方向の中央部に位置する断面(例えば、被写体Hの厚さが代表値であるところの厚さ方向の中央部に位置する断面)に回転中心Oがくるように回転中心Oの位置を決定する。これにより、被写体H内においてすべての撮影位置で放射線が照射される範囲(図2のドットで示した範囲)を最大化することができる。即ち、被写体Hの厚さに基づいて、自動的に最適な位置に回転中心Oの位置を決定することができる。
即ち、制御部91は、制御BOX80を介して放射線撮影装置1の各装置を制御して、放射線源61及び放射線検出器Fを回転中心Oを中心に被写体Hの体軸方向に沿って反対方向に移動させて所定回数の撮影を行わせる。撮影により得られた一連の投影画像は、放射線検出器Fによりコンソール90に送信される。コンソール90においては、通信部94により受信した一連の投影画像を投影画像記憶部951に記憶する。
ここで、決定される再構成条件としては、被写体Hの再構成範囲、面内解像度、スライスピッチ、断層厚を決めるパラメーター、逐次近似画像再構成法の繰り返し回数等が挙げられる。ステップS6においては、これらのうち少なくとも一つの再構成条件を決定する。
例えば、被写体Hの厚さ方向(z軸方向)において再構成可能な範囲が図5(a)において格子で示す範囲の場合、制御部91は、被写体Hの厚さの分布に基づいて、再構成可能な範囲のうち、被写体Hが存在しない領域(図5(a)においてドットで示す領域)を再構成範囲からはずす。なお、被写体Hの厚さの代表値(最大値)までの範囲を被写体Hの厚さ方向の再構成範囲としてもよい。また、被写体Hの放射線が照射される面(xy平面)における再構成可能な範囲が図5(b)において格子で示す範囲の場合、制御部91は、被写体Hの厚さの分布に基づいて、被写体Hの存在する領域(例えば、被写体Hの厚さが0より大きい領域)を特定し、それ以外の被写体Hが存在しない領域(図5(b)においてドットで示す領域)を再構成範囲からはずす。これにより、自動的に最適な再構成範囲を決定し、再構成画像生成にかかる処理時間を短縮することができる。また、余分な範囲についての複雑な計算処理を行わないため、処理精度を向上させることができる。
スライスピッチが大きい場合、スライス間(再構成画像間)にある病変の見逃しを防ぐため、断層厚は大きいほうが好ましい。ここで、スライスピッチは、上述のように、被写体Hの厚さに応じて決定される。そこで、断層厚を決めるパラメーターについても、被写体Hの厚さに基づいて、例えば、被写体Hの厚さが大きいほど断層厚が大きくなるように決定する。これにより、被写体Hの厚さに基づいて、自動的に最適な断層厚を決定することができる。
再構成画像生成の処理は、スライス枚数と繰り返し回数が多いほど時間がかかる。スライス枚数は、被写体Hの厚さに基づいて決定された再構成範囲とスライスピッチに基づいて算出される(スライス枚数=被写体Hの厚さ方向の再構成範囲/スライスピッチ+1)。そこで、処理時間を所定時間内に制限するために、スライス枚数が大きいほど繰り返し回数を少なく制限する。即ち、被写体Hの厚さに基づいて逐次近似画像再構成法の繰り返し回数を決定する。これにより、被写体Hの厚さに基づいて 自動的に最適な逐次近似画像再構成法の繰り返し回数を決定することができる。
逐次近似画像再構成法は、例えば、参考文献1に記載のように、公知の再構成画像生成法である(参考文献1:篠原広行、中世古和真、坂口和也、橋本雄幸著、「画像再構成シリーズ 逐次近似画像再構成の基礎」、株式会社医療科学社、2013年)。逐次近似画像再構成法は、一般的に、光学モデル(検出確率等)や統計モデル等をモデル建ててそのモデルに従い、計算機上で、或る仮定した再構成画像を投影することにより作成した投影画像(推定投影画像と呼ぶ)と、実際に撮影された投影画像とを比較し、比較結果を逆投影してフィードバック値として再構成画像を逐次更新していき、真の再構成画像に近づけいく方法である。検出確率を用いる逐次近似画像再構成法としては、SIRT(Simultaneous Iterative Reconstruction Technique)法やML−EM(Maximum Likelihood-Expectation Maximization)法等がある。ここでは、SIRT法(乗算型)を例にとり説明する。また、画素と検出器は一次元変数に直して表記したもので説明する。また、断層厚を示すパラメーターが複数枚の断面の画像を平均化する枚数である場合を例にとり説明する。
図8(a)は、被写体が薄い場合の散乱線の影響を考慮した検出確率C(i-3,j)〜C(i+3,j)の一例を示す図、図8(b)は、被写体が厚い場合の散乱線の影響を考慮した検出確率C(i-3,j)〜C(i+3,j)の一例を示す図である。
上述の検出確率Cijの説明では、散乱線については考慮していないが、実際には、図8(a)、(b)に示すように、被写体Hに入射した放射線が構造物を通過したときに散乱線が生じる。ここで、放射線検出器F側の散乱線が到達する範囲(散乱線の影響を受ける範囲)は、放射線の散乱角度θ1が同じでも、図8(b)に示すように被写体Hの厚さが大きくなるほど増える。そこで、制御部91は、被写体Hの厚さに基づいて検出確率Cijを決定する。例えば、被写体Hの厚みが薄い図8(a)に示す例おいては、検出器i−3、i+3は入射放射線及び散乱線の影響がないため、検出確率C(i-3,j)やC(i+3,j)を0に決定する。一方、被写体Hの厚みが大きい図8(b)に示す例においては、検出器i−3、i+3は散乱線の影響を受けるため、検出確率C(i-3,j)やC(i+3,j)はこの散乱線の影響を考慮した値(例えば、0.05)に決定する。
このように、被写体Hの厚さに基づいて検出確率Cijを決定することで、検出確率Cijの精度を向上させることができ、これに基づいて生成される再構成画像の精度を向上させることができる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
上記第1の実施形態においては、三次元カメラ70が取得した距離画像に基づいて撮影条件及び再構成条件を算出する場合を例にとり説明したが、第2の実施形態においては、三次元カメラ70が取得した二次元画像に基づいて撮影条件及び再構成条件を算出する場合について説明する。
ここで、決定される撮影条件の項目としては、照射野範囲が挙げられる。
例えば、制御部91は、被写体Hの二次元形状に基づいて、被写体Hに外接する矩形より内部の領域を照射野範囲に決定する。これにより、ユーザーが手動により調整しなくても自動的に最適な照射野範囲を決定することができる。
なお、その他の撮影条件については、第1の実施形態で説明したように、距離画像に基づいて自動的に算出してもよいし、撮影技師等の操作者が操作卓62から手動により設定することとしてもよい。
ここで、決定される再構成条件としては、被写体Hの放射線が照射される面(xy平面)における再構成範囲、面内解像度、逐次近似画像再構成法の繰り返し回数等が挙げられる。ステップS16においては、これらのうち少なくとも一つの再構成条件を決定する。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
第3の実施形態においては、三次元カメラ70の二次元画像に基づいて被写体Hの部位を認識し、認識した部位に基づいて撮影条件及び再構成条件を算出する場合について説明する。
ここで、決定される撮影条件としては、放射線源61の振り角θ、放射線源61及び放射線検出器Fの移動速度、移動距離、撮影回数、SID(Source Image receptor Distance)、放射線検出器Fの放射線蓄積時間、一投影あたりの放射線照射時間、ビニングサイズ、mAs値、管電流、管電圧等が挙げられる。ステップS24においては、これらのうち少なくとも一つの撮影条件を決定する。
また、放射線源61及び放射線検出器Fの移動距離は、被写体Hの部位によって決定された振り角θに連動して決まる。即ち、被写体Hの部位に応じて、自動的に最適な放射線源61及び放射線検出器Fの移動距離を決定することができる。
ここで、決定される再構成条件としては、面内解像度、スライスピッチ、断層厚を決めるパラメーター、FBP法における鮮鋭度や粒状性を決めるパラメーター、逐次近似画像再構成法の繰り返し回数等が挙げられる。ステップS26においては、これらのうち少なくとも一つの再構成条件を決定する。
上記第3の実施形態においては、ステップS23において、三次元カメラ70により取得した二次元画像を解析して被写体Hの部位を認識することとしたが、併せて被写体Hの撮影方向(正面、側面)を認識してもよい。例えば、二次元画像に顔認識処理を行い、認識された顔が正面であるか側面であるかに基づいて、撮影方向を認識することができる。なお、例えば、撮影方向の情報をRIS等から取得している場合、これらの情報と認識した結果が異なる場合は警告を出力するようにしてもよい。そして、ステップS24においては、認識した被写体Hの部位及び撮影方向に基づいて撮影条件を決定し、ステップS26においては、認識した被写体Hの部位及び撮影方向に基づいて再構成条件を決定することとしてもよい。撮影方向が正面の場合と側面の場合とでは、側面のほうが被写体Hが厚い(深さ方向(z軸軸方向)に大きい)。また、被写体Hの二次元形状(xy平面(断層面)の領域)は小さい。そこで、部位及び撮影方向に基づいて撮影条件や再構成画像を決定することで、撮影方向による被写体Hの厚さや断層面における被写体Hの領域等を考慮して、より一層精度良く条件を決定することができる。
1 放射線撮影装置
50 撮影台
51 検出器装填部
52 装填部支持部
53 搬送装置
54 被写体台
60 放射線照射装置
61 放射線源
62 操作卓
63 曝射スイッチ
64 放射線源移動機構
70 三次元カメラ
80 制御BOX
90 コンソール
91 制御部
92 操作部
93 表示部
94 通信部
95 記憶部
96 バス
F 放射線検出器
H 被写体
Claims (17)
- 被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び/又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する制御手段と、
を備える断層画像生成システム。 - 被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び/又は前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件を決定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、又は前記放射線検出器の放射線蓄積時間の少なくとも一つの撮影条件を決定する断層画像生成システム。 - 被写体に放射線を照射する放射線源と、放射線を検出して電気信号を生成する放射線検出素子が二次元状に配置され、照射された放射線に応じた投影画像を取得する放射線検出器と、前記放射線源と前記放射線検出器の間に設けられ、被写体を保持する被写体台と、を備え、前記放射線源と前記放射線検出器との位置関係を変化させながら所定回数の前記投影画像の取得を行う撮影手段と、
前記撮影手段により取得された投影画像を用いて前記被写体の断層画像の生成を行う再構成手段と、
を備える断層画像生成システムであって、
前記被写体の厚さ及び/又は前記被写体の放射線が照射される面の二次元形状を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状に基づいて、前記撮影手段における撮影条件を決定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記放射線源の照射野範囲、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、又は前記放射線検出器の放射線蓄積時間の少なくとも一つの撮影条件を決定する断層画像生成システム。 - 前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記放射線源の照射野範囲を決定する請求項1〜3の何れか一項に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状に基づいて、前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する請求項2又は3に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する請求項1又は5に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの代表値に基づいて、前記再構成手段において逐次近似画像構成法により前記被写体の断層画像の生成を行う場合に用いられる検出確率の値を決定する請求項6に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、面内解像度、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する請求項1又は5に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記再構成手段において逐次近似画像構成法により前記被写体の断層画像の生成を行う場合に用いられる検出確率の値を決定する請求項8に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の厚さの分布に基づいて、前記断層画像における被写体の存在しない領域を特定し、特定した領域の画素値に任意の値を設定する請求項9に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、面内解像度、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する請求項1又は5に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、更に、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記断層画像における被写体の存在しない領域を特定し、特定した領域の画素値に任意の値を設定する請求項11に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記被写体の部位を認識し、認識した部位に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び/又は前記再構成手段における画像の再構成条件を決定する請求項1に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、前記取得手段により取得された前記被写体の二次元形状に基づいて、前記被写体の部位及び撮影方向を認識し、認識した部位及び撮影方向に基づいて、前記撮影手段における撮影条件及び/又は前記再構成手段における前記被写体の断層画像の再構成条件を決定する請求項13に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、前記放射線源の振り角、前記放射線源及び前記放射線検出器の移動速度、回転中心の位置、撮影回数、SID、前記放射線検出器の放射線蓄積時間、一投影あたりの放射線照射時間、又は前記放射線検出器のビニングサイズの少なくとも一つの撮影条件を決定する請求項13又は14に記載の断層画像生成システム。
- 前記制御手段は、面内解像度、スライスピッチ、断層厚を決定するパラメーター、鮮鋭度や粒状性を決めるパラメーター、又は逐次近似画像構成法における繰り返し回数の少なくとも一つの再構成条件を決定する請求項13〜15の何れか一項に記載の断層画像生成システム。
- 前記取得手段により取得された前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状の情報を前記被写体の患者情報及び部位情報に対応付けて記憶する記憶手段と、
撮影対象の被写体に係る患者情報及び部位情報を取得する手段と、を備え、
前記制御手段は、前記撮影対象の被写体に係る患者情報及び部位情報に対応付けて前記被写体の厚さ及び/又は二次元形状の情報が前記記憶手段に記憶されている場合には、前記取得手段による取得は行わずに、前記撮影対象の被写体に係る患者情報及び部位情報に対応付けて前記記憶手段に記憶されている被写体の厚さ及び/又は二次元形状の情報を使用して撮影条件及び/又は再構成条件の決定を行う請求項1〜16の何れか一項に記載の断層画像生成システム。
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