JP2016015415A - 三色光光源 - Google Patents

三色光光源 Download PDF

Info

Publication number
JP2016015415A
JP2016015415A JP2014136991A JP2014136991A JP2016015415A JP 2016015415 A JP2016015415 A JP 2016015415A JP 2014136991 A JP2014136991 A JP 2014136991A JP 2014136991 A JP2014136991 A JP 2014136991A JP 2016015415 A JP2016015415 A JP 2016015415A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
laser
laser light
carrier
collimating lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014136991A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6097253B2 (ja
Inventor
中西　裕美
Hiromi Nakanishi
裕美 中西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2014136991A priority Critical patent/JP6097253B2/ja
Priority to US15/315,518 priority patent/US9941667B2/en
Priority to CN201580029216.3A priority patent/CN106415953B/zh
Priority to PCT/JP2015/058737 priority patent/WO2016002267A1/ja
Publication of JP2016015415A publication Critical patent/JP2016015415A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6097253B2 publication Critical patent/JP6097253B2/ja
Priority to US15/906,095 priority patent/US10374395B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1092—Multi-wavelength lasing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32316—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm comprising only (Al)GaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
    • H01S5/4093—Red, green and blue [RGB] generated directly by laser action or by a combination of laser action with nonlinear frequency conversion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】環境温度の影響を受けにくくコリメート性を維持することができる三色光装置を提供する。【解決手段】三色光光源１は、赤色、緑色及び青色のレーザ光を合波して出力する三色光光源である。三色光光源１は、赤色ＬＤ１１と、緑色ＬＤ１２と、青色ＬＤ１３と、第１のコリメートレンズ６１と、第２のコリメートレンズ６２と、第３のコリメートレンズ６３と、第１の波長フィルタ８１と、第２の波長フィルタ８２と、ＬＤ１１〜１３、コリメートレンズ６１〜６３及び波長フィルタ８１，８２を搭載するキャリア３０と、キャリア３０を搭載するＴＥＣ４０と、を備える。赤色ＬＤ１１はＧａＡｓ系材料で構成され、緑色ＬＤ１２、青色ＬＤ１３は、ＧａＮ系材料で構成される。【選択図】図２

Description

本発明は、ディスプレイ、照明、通信、分析又は医療機器等に用いられる三色光光源に関する。
特許文献１には、スクリーンに画像を映し出すプロジェクションディスプレイであるレーザ投射装置が記載されている。このレーザ投射装置は、赤色レーザ光源と、青色レーザ光源と、緑色レーザ光源と、放熱部と、を有する。放熱部は、冷却水を筐体内に出力することによって、レーザ投射装置の筐体内の熱を外部に放出する。放熱部から出力された冷却水は、赤色レーザ光源を冷却した後に、青色レーザ光源及び緑色レーザ光源から熱を奪い、放熱部に戻る。このように、冷却水によって、赤色レーザ光源は、青色レーザ光源及び緑色レーザ光源よりも優先的に放熱されるため、赤色レーザ光源の温度が低く保たれる。
特許文献２には、複数レーザ同軸化光源装置が記載されている。この複数レーザ同軸化光源装置は、コリメータレンズと、３個の発光点を有する半導体レーザアレイと、発光点を選択的にパルス点灯させるパルス点灯制御手段と、コリメータレンズと半導体レーザアレイとの相対位置を変更する相対位置制御手段と、を備えている。相対位置制御手段は、パルス点灯のタイミングに合わせて、当該パルス点灯により出射される各レーザ光の光軸上にコリメータレンズの光軸が位置するように、コリメータレンズと半導体レーザアレイとの相対位置を制御する。このコリメータレンズによって各レーザ光がそれぞれ平行光に変換されると共に、各レーザ光の通過領域の重なり部分において各レーザ光は擬似的に同軸化される。
特許文献３には、面状照明装置が記載されている。この面状照明装置は、波長が互いに異なる三色のレーザ光を出射するレーザ光源と、三色のレーザ光が一端から入射されて他端から当該レーザ光を出射光として出射するファイバと、この出射光を面状の照明光に変換する透過光学部材と、を備えている。上記複数のレーザ光は、互いに異なる波長に応じて異なるＮＡとされて上記ファイバの一端に入射される。
国際公開２００７／０４００８９号公報 特開２０１１−１６５７１５号公報 特開２００９−２６６４６３号公報
上述したような三色光光源では、赤色、緑色及び青色のレーザ光をそれぞれ出射するＬＤ（Laser Diode）を搭載して白色光源を構成する際に、集光された光に現れる色分散を考慮する必要がある。特に、赤色のレーザ光を出射するＬＤについては、出射光の波長の温度係数が大きく、周囲の環境温度の変化によって波長が変動しやすい。すなわち、赤色のレーザ光は、緑色のレーザ光及び青色のレーザ光と比較して温度特性が大きい。例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系材料によって赤色のレーザ光を出射するＬＤを構成した場合、環境温度が２０℃〜７０℃の範囲において、波長が最長１０ｎｍ、光出力（発光効率）が約４０％変化する。
また、各ＬＤの出射光にそれぞれ対応するコリメートレンズでコリメート光に変換された各光の合波光は、走査光学系（ＭＥＭＳ等）を介して集光される場合がある。よって、コリメートレンズにおいて各光のコリメート性が維持されていない場合には、走査光学系を介して集光された際に、非点収差や球面収差等の色滲みが生じる可能性がある。また、上述したように、特に赤色のＬＤは、温度特性の影響が大きく温度によってレンズの屈折率やレンズの焦点位置にも変動が生じやすくなるのでその品質を維持しづらいという問題がある。
本発明は、環境温度の影響を受けにくくコリメート性を維持することができる三色光光源を提供することを課題とする。
本発明の一形態による三色光光源は、赤色、緑色及び青色のレーザ光を合波して出力する三色光光源であって、第１のレーザ光を出射するＧａＡｓ系材料で構成された第１のレーザダイオードと、ＧａＮ系材料で構成され第２のレーザ光を出射する第２のレーザダイオードと、ＧａＮ系材料で構成され、第２のレーザ光と異なる波長の第３のレーザ光を出射する第３のレーザダイオードと、第１のレーザ光をコリメートする第１のコリメートレンズと、第２のレーザ光をコリメートする第２のコリメートレンズと、第３のレーザ光をコリメートする第３のコリメートレンズと、第１のコリメートレンズによりコリメートされた第１のレーザ光を透過し、第２のコリメートレンズによりコリメートされた第２のレーザ光を反射して、第１のレーザ光及び第２のレーザ光を合波した第１の合波光を出力する第１の波長フィルタと、第１の合波光に対して透過及び反射のうち一方を行い、第３のコリメートレンズによりコリメートされた第３のレーザ光に対して透過及び反射のうち他方を行って、第１の合波光及び第３のレーザ光を合波した第２の合波光を出力する第２の波長フィルタと、第１〜第３のレーザダイオード、第１〜第３のコリメートレンズ並びに第１及び第２の波長フィルタを搭載するキャリアと、キャリアを搭載する温調素子と、を備える。
本発明によれば、環境温度の影響を受けにくくコリメート性を維持することが可能な三色光光源を提供することができる。
図１は、本発明の第１実施形態に係る三色光光源を示す斜視図である。 図２は、図１に示された三色光光源のキャップを取り外した状態を示す斜視図である。 図３（ａ）はキャリア及び中間アセンブリを示す斜視図であり、図３（ｂ）はＴＥＣ及びベース部材を示す斜視図である。 図４は、ＴＥＣ上にキャリアを搭載した状態を示す斜視図である。 図５は、ベース部材上の各部品と各リードピンとのワイヤリングが行われた状態を示す斜視図である。 図６は、図５のキャリア上にコリメートレンズを搭載した状態を示す斜視図である。 図７は、各色のビームパターンを示す図表である。 図８は、図６のキャリア上に波長フィルタを搭載した状態を示す斜視図である。 図９は、レーザ光の波長と受光感度との関係を示すグラフである。 図１０は、本発明の第２実施形態に係る三色光光源を示す斜視図である。 図１１は、図１０に示された三色光光源のキャップを取り外した状態を示す斜視図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る三色光光源の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る三色光光源１を示す斜視図である。図２は、三色光光源１からキャップ２を取り外した状態を示す斜視図である。図１及び図２に示されるように、三色光光源１は、赤色レーザ光ＬＲ及び緑色レーザ光ＬＧを合波した第１の合波光Ｌ１を生成し、第１の合波光Ｌ１と青色レーザ光ＬＢを合波した第２の合波光Ｌ２を生成する。三色光光源１は、赤色ＬＤ１１、緑色ＬＤ１２、青色ＬＤ１３、第１のサブマウント２１、第２のサブマウント２２、第３のサブマウント２３、キャリア３０、ＴＥＣ（温調素子）４０、ベース部材５０、ミラー９１、ＰＤ（フォトダイオード）９２及びサーミスタ（温測抵抗体）９３を備える。
以下では、図面において「上下方向」、「前後方向」及び「左右方向」の語を用いるが、これらの語は図示する状態に基づく便宜的なものである。以下の説明において、上方向はキャリア３０の法線方向（合波光Ｌ２の出射方向）であり、前方向は赤色ＬＤ１１からの赤色レーザ光ＬＲの出射方向であり、右方向は緑色ＬＤ１２からの緑色レーザ光ＬＧの出射方向（青色ＬＤ１３からの青色レーザ光ＬＢの出射方向）である。
ベース部材５０は、平坦な主面５０ａを有する。ベース部材５０には、１８本のリードピン５１が通されている。１８本のリードピン５１のうち、９本のリードピン５１は、ＴＥＣ４０の左側において前後方向に並設されており、残り９本のリードピン５１は、ＴＥＣ４０の右側において前後方向に並設されている。各リードピン５１は、ベース部材５０の主面５０ａの上に突出している。
また、１８本のリードピン５１は、ＬＤ１１〜１３及びＰＤ９２のそれぞれにおけるアノード及びカソードのそれぞれに供給される信号用として８本、並びにＴＥＣ４０への電流供給用として２本が割り当てられ、他のリードピン５１はＧＮＤ線として割り当てられる。なお、ベース部材５０に代えて、例えば、外径５．６ｍｍの汎用同軸パッケージ、角型セラミックパッケージ、又はＡｌＮ、ＳｉＣ若しくはサファイア等のベア基板（ハイブリッドＩＣ用基板）を用いることも可能である。
ＴＥＣ４０は、ベース部材５０の主面５０ａ上に搭載されている。ＴＥＣ４０の配線パッドは、ボンディングワイヤＢ８を介してリードピン５１と電気的に接続されている。ＴＥＣ４０上には、キャリア３０が搭載されている。キャリア３０の配線パッドは、ボンディングワイヤＢ７を介してリードピン５１と電気的に接続されている。キャリア３０は、第１の主面３０ａと第２の主面３０ｂとを有する。第２の主面３０ｂは第１の主面３０ａの前側及び右側が上から切り欠かれることによって形成されており、第２の主面３０ｂの高さは第１の主面３０ａの高さよりも低くなっている。
すなわち、キャリア３０は、互いに高さが異なる第１の主面３０ａ及び第２の主面３０ｂを有しており、これらの主面３０ａ，３０ｂによって段差を形成している。また、平面視におけるキャリア３０の形状は、例えば、一辺が１０ｍｍ程度の正方形状となっている。平面視において第１の主面３０ａはＬ字状に形成されている。第１の主面３０ａは、赤色ＬＤ１１、緑色ＬＤ１２及び青色ＬＤ１３を搭載するＬＤ搭載領域とされている。また、第１〜第３のサブマウント２１，２２，２３も、それぞれ平坦な主面２１ａ，２２ａ，２３ａを有する。
赤色ＬＤ１１は、本実施形態における第１のレーザダイオードであって、赤色レーザ光（第１のレーザ光）ＬＲを出射する。赤色ＬＤ１１は、例えばＧａＡｓ系材料で構成された赤色半導体レーザである。ここで、ＧａＡｓ系材料とはＧａＡｓに格子整合する半導体材料を指し、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ等を含む。赤色ＬＤ１１は、第１のサブマウント２１の主面２１ａ上に搭載されており、第１のサブマウント２１を介してキャリア３０の第１の主面３０ａ上に搭載されている。赤色ＬＤ１１はボンディングワイヤＢ１を介して第１のサブマウント２１と電気的に接続されており、第１のサブマウント２１はボンディングワイヤＢ２を介してリードピン５１と電気的に接続されている。赤色ＬＤ１１は、第１の主面３０ａに沿った光軸でもって赤色レーザ光ＬＲを出射する。赤色ＬＤ１１から出射される赤色レーザ光ＬＲの波長は、例えば６４０ｎｍである。
緑色ＬＤ１２は、本実施形態における第２のレーザダイオードであって、緑色レーザ光（第２のレーザ光）ＬＧを出射する。緑色ＬＤ１２は、第２のサブマウント２２の主面２２ａ上に搭載されており、第２のサブマウント２２を介してキャリア３０の第１の主面３０ａ上に搭載されている。緑色ＬＤ１２はボンディングワイヤＢ３を介して第２のサブマウント２２と電気的に接続されており、第２のサブマウント２２はボンディングワイヤＢ４を介してリードピン５１と電気的に接続されている。緑色ＬＤ１２は、第１の主面３０ａに沿った光軸でもって緑色レーザ光ＬＧを出射する。本実施形態では、緑色ＬＤ１２からの緑色レーザ光ＬＧの出射方向は、赤色ＬＤ１１からの赤色レーザ光ＬＲの出射方向に対して直角を成している。緑色レーザ光ＬＧの波長は、例えば５３５ｎｍである。緑色ＬＤ１２は、たとえばＧａＮ系材料で構成される。典型的にはＧａＮそのものが該当するが、これに限定されない。緑色の５００〜５５０ｎｍ程度の波長の光を出力できる材料であればよい。
青色ＬＤ１３は、本実施形態における第３のレーザダイオードであって、青色レーザ光（第３のレーザ光）ＬＢを出射する。青色ＬＤ１３は、第３のサブマウント２３の主面２３ａ上に搭載されており、第３のサブマウント２３を介してキャリア３０の第１の主面３０ａ上に搭載されている。青色ＬＤ１３はボンディングワイヤＢ５を介して第３のサブマウント２３と電気的に接続されており、第３のサブマウント２３はボンディングワイヤＢ６を介してリードピン５１と電気的に接続されている。青色ＬＤ１３は、第１の主面３０ａに沿った光軸でもって青色レーザ光ＬＢを出射する。本実施形態では、青色ＬＤ１３からの青色レーザ光ＬＢの出射方向は、赤色ＬＤ１１からの赤色レーザ光ＬＲの出射方向に対して直角を成しており、緑色ＬＤ１２からの緑色レーザ光ＬＧの出射方向に対して平行である。青色レーザ光ＬＢの波長は、例えば４４０ｎｍである。青色ＬＤ１３は、たとえばＧａＮ系材料で構成される。典型的にはＧａＮそのものが該当するが、これに限定されない。青色の４１０〜４６０ｎｍ程度の波長の光を出力できる材料であればよい。
本実施形態では、キャリア３０の第１の主面３０ａを基準とした場合における、赤色ＬＤ１１のレーザ光出射点の高さ、緑色ＬＤ１２のレーザ光出射点の高さ、及び青色ＬＤ１３のレーザ光出射点の高さ、は互いに等しくなるようにサブマウント２１〜２３の高さが設定されている。すなわち、赤色レーザ光ＬＲの光軸、緑色レーザ光ＬＧの光軸及び青色レーザ光ＬＢの光軸は、第１の主面３０ａを基準として互いに実質同一の高さにある。なお、各ＬＤ１１〜１３における各レーザ光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢの光出射端面の高さは、各ＬＤ１１〜１３の上端の高さと略一致している。
第１〜第３のサブマウント２１〜２３の材料としては、赤色ＬＤ１１、緑色ＬＤ１２及び青色ＬＤ１３を構成する半導体材料と熱膨張係数が近い材料を用いることができ、例えばＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ又はダイヤモンド等を用いることが可能である。赤色ＬＤ１１、緑色ＬＤ１２及び青色ＬＤ１３のそれぞれは、第１〜第３のサブマウント２１〜２３のそれぞれに対して、例えばＡｕ、Ｓｎ、ＳｎＡｇＣｕ又はＡｇペースト等によって固定される。
三色光光源１は、更に、第１のコリメートレンズ６１、第２のコリメートレンズ６２、第３のコリメートレンズ６３、第１のサブベース部材７１、第２のサブベース部材７２、第３のサブベース部材７３、第１の波長フィルタ８１、第２の波長フィルタ８２、第４のサブベース部材７４及び第５のサブベース部材７５を備える。また、キャリア３０における第２の主面３０ｂは、第１のコリメートレンズ６１、第２のコリメートレンズ６２及び第３のコリメートレンズ６３が搭載されるレンズ搭載領域とされている。第１〜第５のサブベース部材７１〜７５の厚さは、例えば０．１ｍｍ程度である。
第１のコリメートレンズ６１は、赤色ＬＤ１１の光出射端面と光学的に結合されており、赤色ＬＤ１１から出射された赤色レーザ光ＬＲをコリメート（平行化）する。第１のコリメートレンズ６１は、第１のサブベース部材７１上に搭載されており、第１のサブベース部材７１を介してキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載されている。
第２のコリメートレンズ６２は、緑色ＬＤ１２の光出射端面と光学的に結合されており、緑色ＬＤ１２から出射された緑色レーザ光ＬＧをコリメートする。第２のコリメートレンズ６２は、第２のサブベース部材７２上に搭載されており、第２のサブベース部材７２を介してキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載されている。
第３のコリメートレンズ６３は、青色ＬＤ１３の光出射端面と光学的に結合されており、青色ＬＤ１３から出射された青色レーザ光ＬＢをコリメートする。第３のコリメートレンズ６３は、第２のサブベース部材７２の側方（前方）に並んで配置された第３のサブベース部材７３上に搭載されている。第３のコリメートレンズ６３は、第３のサブベース部材７３を介してキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載されている。
第１〜第３のコリメートレンズ６１〜６３それぞれの光軸とＬＤ１１〜１３それぞれの光軸とは、互いに略一致するように調整されている。一例として、第１〜第３のサブマウント２１〜２３それぞれの厚さが０．１５ｍｍであり、サブマウント２１〜２３それぞれの主面２１ａ〜２３ａに対するＬＤ１１〜１３それぞれのレーザ光出射点の高さが０．１ｍｍであり、第１の主面３０ａを基準とする当該レーザ光出射点の高さは０．２５ｍｍである。
ここで、第１〜第３のコリメートレンズ６１〜６３が、例えば、一辺が１．０ｍｍである側面視正方形状のレンズホルダに保持されたレンズであって、側面視におけるレンズホルダの一辺からレンズ中心までの距離が０．５ｍｍである場合、第１の主面３０ａと第２の主面３０ｂとの段差の高さを０．２５ｍｍ程度とすると、ＬＤ１１〜１３の光軸高さとコリメートレンズ６１〜６３の光軸高さとが略一致することとなる。
また、キャリア３０における第１の主面３０ａと第２の主面３０ｂとの段差の高さは、コリメートレンズ６１〜６３を調芯する際における上下方向の調芯代、及びコリメートレンズ６１〜６３の各レンズホルダを第２の主面３０ｂ上に固定させる紫外線硬化樹脂の塗布厚を考慮すると、０．２５ｍｍよりも数百μｍ程度高くすることが望ましい。よって、例えば、キャリア３０自体の厚さ（キャリア３０のＬＤ搭載領域の厚さ）を１．０ｍｍ、キャリア３０における第２の主面３０ｂの厚さ（キャリア３０のレンズ搭載領域の厚さ）を０．４ｍｍとし、第１の主面３０ａと第２の主面３０ｂとの段差の高さを０．６ｍｍとしている。
第１の波長フィルタ８１は、例えばガラス基板上に形成された多層膜フィルタであり、キャリア３０の第２の主面３０ｂ上に第４のサブベース部材７４を介して搭載されている。第１の波長フィルタ８１の一方の面は第１のコリメートレンズ６１と光学的に結合されており、第１の波長フィルタ８１の他方の面は第２のコリメートレンズ６２と光学的に結合されている。第１の波長フィルタ８１は、第１のコリメートレンズ６１によりコリメートされた赤色レーザ光ＬＲを透過し、第２のコリメートレンズ６２によりコリメートされた緑色レーザ光ＬＧを前方に反射する。第１の波長フィルタ８１を透過した赤色レーザ光ＬＲの光軸と、第１の波長フィルタ８１において反射した緑色レーザ光ＬＧの光軸とは、互いに略一致するように調整される。このように、第１の波長フィルタ８１は、赤色レーザ光ＬＲ及び緑色レーザ光ＬＧを合波した合波光Ｌ１を出力する。
第２の波長フィルタ８２は、第１の波長フィルタ８１と同様、例えばガラス基板上に形成された多層膜フィルタであり、キャリア３０の第２の主面３０ｂ上に第５のサブベース部材７５を介して搭載されている。第２の波長フィルタ８２の一方の面は第１の波長フィルタ８１の上記他方の面と光学的に結合されており、第２の波長フィルタ８２の他方の面は第３のコリメートレンズ６３と光学的に結合されている。
第２の波長フィルタ８２は、第１の波長フィルタ８１から出射された赤色レーザ光ＬＲ及び緑色レーザ光ＬＧ（合波光Ｌ１）を透過し、第３のコリメートレンズ６３によりコリメートされた青色レーザ光ＬＢを前方に反射する。第２の波長フィルタ８２を透過した赤色レーザ光ＬＲ及び緑色レーザ光ＬＧの光軸と、第２の波長フィルタ８２において反射した青色レーザ光ＬＢの光軸とは、互いに略一致するように調整される。
なお、キャリア３０の第２の主面３０ｂを基準とした場合における、第１の波長フィルタ８１及び第２の波長フィルタ８２の各中心位置の高さは、第２の主面３０ｂを基準とした場合における各レーザ光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢの光軸の高さと実質的に同一であることが望ましい。
コリメートレンズ６１〜６３及び波長フィルタ８１，８２のそれぞれは、サブベース部材７１〜７５のそれぞれに対し、例えばＡｇペースト又は半田によって固定される。サブベース部材７１〜７５の材料は、コリメートレンズ６１〜６３及び波長フィルタ８１，８２と熱膨張係数が近い材料、例えばガラスであることが望ましい。また、サブベース部材７１〜７５は、セラミック又は金属によって構成されていてもよい。サブベース部材７１〜７５の搭載面（上面）の面積は、それらが搭載するコリメートレンズ６１〜６３及び波長フィルタ８１，８２を固定するために必要な量の紫外線硬化樹脂を塗布可能な面積、例えば０．３〜０．５平方ミリメートル程度であることが望ましい。
ミラー９１は、第６のサブベース部材７６を介してキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載されている。ミラー９１は、第２の波長フィルタ８２の前方に配置されている。ミラー９１は、合波光Ｌ２の一部を上方に反射させると共に残部を前方に透過させる。ミラー９１は、側面視において、斜面９１ａと底面９１ｂと側面９１ｃとを有する直角三角形状となっている。すなわち、ミラー９１は、合波光Ｌ２の光軸が延びる方向に対して傾斜する斜面９１ａと、底面９１ｂと、を有する。斜面９１ａは、第２の主面３０ｂに対して実質４５度の角度を成している。底面９１ｂは、キャリア３０に対して固定される。
ミラー９１の斜面９１ａは、合波光Ｌ２を第２の主面３０ｂに対して交差する方向に反射させる。斜面９１ａ上には例えば半透明膜が形成されており、斜面９１ａにおける光の反射率が９５％、斜面９１ａにおける光の透過率が５％となっている。斜面９１ａを透過する透過光は、斜面９１ａにおいて第２の主面３０ｂに近づく方向に屈折する。
ＰＤ９２は、キャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載される。ＰＤ９２は、レーザ光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢのモニタ用として用いられる。ＰＤ９２は、ボンディングワイヤＢ９によってリードピン５１と電気的に接続されている。ＰＤ９２は、ミラー９１の側面９１ｃの斜め下方に配置されている。ＰＤ９２は、ミラー９１の斜面９１ａにおいて屈折した光を受光することによって、合波光Ｌ２の強度を検知可能となっている。
ＰＤ９２は、赤色レーザ光ＬＲ、緑色レーザ光ＬＧ及び青色レーザ光ＬＢのそれぞれに対して高い感度を有していることが望ましい。図３は、ＰＤ９２としてＳｉ製ＰＤを用いた場合における感度特性の典型例を示すグラフである。図３に示されるように、赤色レーザ光ＬＲ（波長６４０ｎｍ程度）と比較して緑色レーザ光ＬＧ（波長５３５ｎｍ程度）及び青色レーザ光ＬＢ（波長４４０ｎｍ程度）の感度は低下するものの、Ｓｉ製のＰＤは有意な感度を有しているので、三色混合された合波光Ｌ２をモニタすることができる。
サーミスタ９３は、キャリア３０の第１の主面３０ａにおける赤色ＬＤ１１の左方に配置されている。サーミスタ９３は、ボンディングワイヤＢ１０によってリードピン５１と電気的に接続されている。
以上のように構成される三色光光源１では、赤色ＬＤ１１、緑色ＬＤ１２及び青色ＬＤ１３のそれぞれから、赤色レーザ光ＬＲ、緑色レーザ光ＬＧ及び青色レーザ光ＬＢのそれぞれが出射される。これらのレーザ光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、それぞれ第１のコリメートレンズ６１、第２のコリメートレンズ６２及び第３のコリメートレンズ６３を透過する際にコリメートされる。そして、赤色レーザ光ＬＲ及び緑色レーザ光ＬＧは第１の波長フィルタ８１によって合波されて合波光Ｌ１が出力され、この合波光Ｌ１と青色レーザ光ＬＢとは第２の波長フィルタ８２によって合波されて第２の合波光Ｌ２が出力される。赤色レーザ光ＬＲ、緑色レーザ光ＬＧ及び青色レーザ光ＬＢから成る合波光Ｌ２は、ミラー９１の斜面９１ａによってキャリア３０における第２の主面３０ｂの法線方向に反射され、三色光光源１の外部へ出射される。
次に、三色光光源１の製造方法について説明する。まず、図４（ａ）に示されるように、ＬＤ１１〜ＬＤ１３をそれぞれサブマウント２１〜２３の各主面２１ａ，２２ａ，２３ａに搭載する。そして、各ＬＤ１１〜ＬＤ１３の上面電極からそれぞれのサブマウント２１〜２３のパターンにワイヤボンディングによって電気的導通を確保し、各ＬＤ１１〜ＬＤ１３と各サブマウント２１〜２３とから成る中間アセンブリＣ１，Ｃ２，Ｃ３を生成する。そして、中間アセンブリＣ１〜Ｃ３をそれぞれキャリア３０の第１の主面３０ａ上に搭載する。
なお、キャリア３０の第１の主面３０ａ上に先にサブマウント２１〜２３を搭載し、その後サブマウント２１〜２３の各主面２１ａ〜２３ａにＬＤ１１〜１３を搭載し、最後にワイヤボンディングによってサブマウント２１〜２３とＬＤ１１〜１３との電気的導通を確保してもよい。この場合、第１の主面３０ａにサブマウント２１〜２３を搭載するときのプロセス温度は、主面２１ａ〜２３ａにＬＤ１１〜１３を搭載するときのプロセス温度よりも高く、且つ主面２１ａ〜２３ａにＬＤ１１〜１３を搭載するときのプロセス温度は、上記ワイヤボンディングにおけるプロセス温度よりも高い。
上記のように、第１の主面３０ａにサブマウント２１〜２３を搭載するときのプロセス温度を主面２１ａ〜２３ａにＬＤ１１〜１３を搭載するときのプロセス温度よりも高くすることによって、ＬＤ１１〜１３を搭載するときにサブマウント２１〜２３の位置が変化する事態を回避することが可能となる。また、主面２１ａ〜２３ａにＬＤ１１〜１３を搭載するときのプロセス温度をワイヤボンディングにおけるプロセス温度よりも高くすることによって、ワイヤボンディングを行うときにＬＤ１１〜１３の位置が変化する事態を回避することが可能となる。
上述したキャリア３０におけるサブマウント２１〜２３及びＬＤ１１〜１３の搭載と並行して、ベース部材５０の主面５０ａ上へのＴＥＣ４０の搭載を行う。図４（ｂ）に示されるように、ＴＥＣ４０は、上板部４１を有しており、上板部４１の上面は平坦な主面４１ａとなっている。主面５０ａ上へのＴＥＣ４０の搭載を行った後には、上板部４１の主面４１ａ上にキャリア３０を搭載する。
図５及び図６に示されるように、キャリア３０をＴＥＣ４０の主面４１ａ上に搭載した後には、ＰＤ９２をキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載すると共に、サーミスタ９３をキャリア３０の第１の主面３０ａ上に搭載する。そして、各リードピン５１とキャリア３０上の配線パッドとのワイヤボンディング、各リードピン５１とＴＥＣ４０の配線パッドとのワイヤボンディング、及び各リードピン５１と各サブマウント２１〜２３とのワイヤボンディングを行う。
ここで、ベース部材５０の主面５０ａ上へのＴＥＣ４０の搭載におけるプロセス温度（共晶半田の融点）は、ＴＥＣ４０の主面４１ａ上へのキャリア３０の搭載におけるプロセス温度よりも高い。また、主面４１ａ上へのキャリア３０の搭載におけるプロセス温度は、上記ワイヤボンディングにおけるプロセス温度よりも高い。
このように、主面５０ａ上へのＴＥＣ４０の搭載におけるプロセス温度を主面４１ａ上へのキャリア３０の搭載におけるプロセス温度よりも高くすることによって、キャリア３０を搭載するときにＴＥＣ４０の位置が変化する事態を回避することが可能となる。また、主面４１ａ上へのキャリア３０の搭載におけるプロセス温度をワイヤボンディングにおけるプロセス温度よりも高くすることによって、ワイヤボンディングを行うときにキャリア３０の位置が変化する事態を回避することが可能となる。
次に、コリメートレンズ６１〜６３の搭載について説明する。
図７に示されるように、コリメートレンズ６１〜６３の搭載時には、各コリメートレンズ６１〜６３からの出射光の投影パターンを観測しつつ各コリメートレンズ６１〜６３の位置を調整することによってコリメートレンズ６１〜６３の光学調芯を行う。
各コリメートレンズ６１〜６３の位置調整時には、各コリメートレンズ６１〜６３からの出射光がコリメートされているか否かが確認される。ここで、仮に上記コリメートの品質が低い場合（コリメート性が良くない場合）には、赤色レーザ光ＬＲ、緑色レーザ光ＬＧ及び青色レーザ光ＬＢの合波光Ｌ２において収差（非点収差及び球面収差）が大きくなり、例えば画像の品質が劣化するという問題を生じさせる可能性がある。よって、コリメート性を高く維持すべく、本実施形態では、下記の手順によって３つのコリメートレンズ６１〜６３の光学調芯を実施している。
最初に赤色ＬＤ１１と第１のコリメートレンズ６１との相対位置を決定する。このとき、第１のコリメートレンズ６１を、第１のサブベース部材７１を介してキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載する。そして、赤色ＬＤ１１を発光させつつ、第１のコリメートレンズ６１を第１のサブベース部材７１上に固定する。ここで、赤色ＬＤ１１からの赤色レーザ光ＬＲは、反射されることなく前方に直進する。
また、赤色レーザ光ＬＲの光軸がキャリア３０の主面３０ａ，３０ｂに対して実質平行となるように第１のコリメートレンズ６１の上下位置を調整する。このとき、例えば、第１のサブベース部材７１に紫外線硬化樹脂を塗布し且つその厚みを確保しながら、第１のコリメートレンズ６１をコレット等によって吸着しつつコレットの上下位置を調整させる。これにより、主面３０ａ，３０ｂに対する赤色レーザ光ＬＲの煽り角が調整される。
そして、例えば、赤色ＬＤ１１の光出射端面から前方に所定距離（例えば１〜２ｍ）離れた位置にＣＣＤ等の撮像素子を配置し、ＣＣＤ等に投影される赤色レーザ光ＬＲのビーム径を観測しつつ第１のコリメートレンズ６１の調芯を行うことによって、第１のコリメートレンズ６１の一方の焦点と赤色ＬＤ１１の光出射端面とを一致させる。このように第１のコリメートレンズ６１の一方の焦点と赤色ＬＤ１１の光出射端面とを一致させることによって、第１のコリメートレンズ６１が出力する赤色レーザ光ＬＲは実質コリメート光となる。
なお、第１のコリメートレンズ６１と赤色ＬＤ１１の光出射端面との距離が第１のコリメートレンズ６１の焦点距離よりも短い場合には、第１のコリメートレンズ６１から出射する赤色レーザ光ＬＲは発散光となる。一方、第１のコリメートレンズ６１と上記光出射端面との距離が上記焦点距離よりも長い場合には、第１のコリメートレンズ６１から出射する赤色レーザ光ＬＲは収束光となる。
しかしながら、本実施形態では、上述したように第１のコリメートレンズ６１の一方の焦点と赤色ＬＤ１１の光出射端面とを一致させているので、第１のコリメートレンズ６１から出射する赤色レーザ光ＬＲの光束は実質平行となっており、数ｍ離れた位置においても投影パターンを観測することが可能である。以上のように第１のコリメートレンズ６１の一方の焦点と赤色ＬＤ１１の光出射端面とを一致させた後、第１のサブベース部材７１上の紫外線硬化樹脂を硬化させて第１のコリメートレンズ６１を第１のサブベース部材７１上に固定させる。
次に、緑色ＬＤ１２と第２のコリメートレンズ６２との相対位置を決定する。このとき、第２のコリメートレンズ６２を、第２のサブベース部材７２を介してキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載する。そして、緑色ＬＤ１２を発光させつつ、第２のコリメートレンズ６２を第２のサブベース部材７２上に固定する。ここで、緑色ＬＤ１２からの緑色レーザ光ＬＧは反射されることなく右方に直進する。
また、緑色レーザ光ＬＧの光軸がキャリア３０の主面３０ａ，３０ｂに対して実質平行となるように第２のコリメートレンズ６２の上下位置を調整する。このとき、例えば、第２のサブベース部材７２に紫外線硬化樹脂を塗布し且つその厚みを確保しながら、第２のコリメートレンズ６２をコレット等によって吸着しつつコレットの上下位置を調整させる。これにより、主面３０ａ，３０ｂに対する緑色レーザ光ＬＧの煽り角が調整される。
そして、例えば、緑色ＬＤ１２の光出射端面から右方に所定距離（例えば１〜２ｍ）離れた位置にＣＣＤ等の撮像素子を配置し、ＣＣＤ等に投影される緑色レーザ光ＬＧのビーム径を観測しつつ第２のコリメートレンズ６２の調芯を行うことによって、第２のコリメートレンズ６２の一方の焦点と緑色ＬＤ１２の光出射端面とを一致させる。このように第２のコリメートレンズ６２の一方の焦点と緑色ＬＤ１２の光出射端面とを一致させることによって、第２のコリメートレンズ６２が出力する緑色レーザ光ＬＧは実質コリメート光となる。
なお、上記のＣＣＤ等の配置に代えて、緑色ＬＤ１２の光出射端面から右方に所定距離離れた位置に緑色レーザ光ＬＧを前方に反射させる観測用ミラーを配置すると共に、観測用ミラーの前方にＣＣＤ等の撮像素子を配置することによって、上述した調芯を行ってもよい。
続いて、青色ＬＤ１３と第３のコリメートレンズ６３との相対位置を決定する。このとき、緑色ＬＤ１２と第２のコリメートレンズ６２との相対位置を決定する工程と同様、第３のコリメートレンズ６３の一方の焦点と青色ＬＤ１３の光出射端面とを一致させることによって、第３のコリメートレンズ６３が出力する青色レーザ光ＬＢをコリメート光とさせる。なお、上述した各工程では、赤色レーザ光ＬＲの光軸と緑色レーザ光ＬＧの光軸と青色レーザ光ＬＢの光軸とを互いに同一の高さとすることが望ましい。
次に、図８に示されるように、第１の波長フィルタ８１をキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載する。このとき、上述したＣＣＤ等の撮像素子における緑色レーザ光ＬＧの投影パターンを赤色レーザ光ＬＲの投影パターンに実質一致させるように第１の波長フィルタ８１の角度を調整する。ここで、図９に示されるように、赤色レーザ光ＬＲの投影パターンはＸ方向に長い楕円状となり、緑色レーザ光ＬＧ及び青色レーザ光ＬＢそれぞれの投影パターンは略円形状となる。そこで、本実施形態のように、赤色レーザ光ＬＲの投影パターンを基準とし、緑色レーザ光ＬＧ及び青色レーザ光ＬＢの各投影パターンを赤色レーザ光ＬＲの投影パターンに合わせることによって、各レーザ光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢの位置調整を容易に行うことが可能となっている。
具体的には、まず第１の波長フィルタ８１を緑色レーザ光ＬＧの光軸上に置き、第１の波長フィルタ８１において緑色レーザ光ＬＧを反射させてＣＣＤ等の投影面上に投影パターンを投影させる。そして、第１の波長フィルタ８１の振れ角及び煽り角を調整することにより、緑色レーザ光ＬＧの投影パターンを赤色レーザ光ＬＲの投影パターンに実質一致させる。このように第１の波長フィルタ８１の振れ角及び煽り角を調整して赤色レーザ光ＬＲの投影パターンに緑色レーザ光ＬＧの投影パターンを実質一致させた後には、第４のサブベース部材７４上の紫外線硬化樹脂を硬化させて、第１の波長フィルタ８１を第４のサブベース部材７４に固定させる。
なお、第１の波長フィルタ８１により、赤色レーザ光ＬＲの投影パターンは、第１の波長フィルタ８１の厚みの影響を受けて僅かに平行移動することとなる。しかしながら、平行移動した赤色レーザ光ＬＲの投影パターンに、緑色レーザ光ＬＧ及び青色レーザ光ＬＢの投影パターンを実質一致させるようにすれば問題無く調芯を行うことが可能である。
続いて、第２の波長フィルタ８２をキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載する。このとき、第１の波長フィルタ８１を搭載したときと同様に、青色レーザ光ＬＢの投影パターンが赤色レーザ光ＬＲの投影パターンと実質一致するように、第２の波長フィルタ８２の振れ角及び煽り角を調整する。また、第１の波長フィルタ８１の光反射面と第２の波長フィルタ８２の光反射面とが互いに平行となるように第２の波長フィルタ８２を配置する。具体的な調整方法は、上述した第１の波長フィルタ８１の配置手順と同様である。
次に、ミラー９１をキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載する。ミラー９１は、その斜面９１ａが第２の主面３０ｂに対して４５度の角度を成す状態で第２の主面３０ｂ上に搭載される。ミラー９１は、第６のサブベース部材７６上に紫外線硬化樹脂によって固定される。その後、ベース部材５０の主面５０ａをキャップ２で覆うと共に、ミラー９１の斜面９１ａの上方にキャップ２の開口２ａを位置させた状態でハーメチックシールを施すことにより三色光光源１が完成する。
以上、三色光光源１では、赤色ＬＤ１１、緑色ＬＤ１２、青色ＬＤ１３、第１のコリメートレンズ６１、第２のコリメートレンズ６２、第３のコリメートレンズ６３、第１の波長フィルタ８１及び第２の波長フィルタ８２がキャリア３０に搭載されている。また、キャリア３０は、ＴＥＣ４０上に搭載されている。よって、ＴＥＣ４０の温度をＡＴＣ（Automatic Temperature Controller）を用いて制御することによって赤色ＬＤ１１、緑色ＬＤ１２及び青色ＬＤ１３の温度が一定に維持される。従って、周囲の環境温度の影響を受けにくくなるので、赤色ＬＤ１１、緑色ＬＤ１２及び青色ＬＤ１３の発光特性を一定に維持することができる。
また、ＴＥＣ４０によって温度が一定に維持されることにより、ＬＤ１１〜１３とコリメートレンズ６１〜６３との間における光結合状態の変動を抑制することができる。よって、コリメートレンズ６１〜６３から出射されたレーザ光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢのコリメート性を高く維持することができる。従って、三色光光源１の後段（合波光Ｌ２の出力側）に接続される走査光学系において三色混合ビーム（合波光Ｌ２）を集光させる場合に、非点収差及び球面収差を大幅に低減させることができ、色滲みが生じる可能性を低減させることが可能となる。
また、三色光光源１において、レーザ光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ（合波光Ｌ２）は、ミラー９１によって、キャリア３０の主面３０ａ，３０ｂに対して交差する方向に反射される。よって、キャップ２の高さを高くしなくてもキャップ２の開口２ａを大きくすることができるので、合波光Ｌ２のビーム径を簡単に大きくすることが可能となる。
また、三色光光源１では、三色のＬＤ１１〜１３のそれぞれに対応して、コリメートレンズ６１〜６３のそれぞれが配置されている。そして、これらのコリメートレンズ６１〜６３は、互いに独立した３つのサブベース部材７１〜７３を介してキャリア３０の第２の主面３０ｂ上に搭載されている。このような構成によれば、コリメートレンズ６１〜６３を固定させるための樹脂が別のコリメートレンズ６１〜６３の固定位置にまで流れ出ることを防ぐことができる。従って、ＬＤ１１〜１３から出射される赤色レーザ光ＬＲ、緑色レーザ光ＬＧ及び青色レーザ光ＬＢの光軸の変動を抑制し、光軸調整を精度良く行うことが可能となる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る三色光光源１０１について説明する。図１０は三色光光源１０１の外観を示す斜視図であり、図１１は三色光光源１０１からキャップ１０２を外した状態を示す斜視図である。なお、図１１では、便宜上、ボンディングワイヤＢ１〜Ｂ１０等、一部の図示を省略している。
図１０及び図１１に示されるように、三色光光源１０１は、合波光Ｌ２の出射方向がキャリア３０の主面３０ａ，３０ｂに対して略平行な方向（前方）である点が第１実施形態と異なっている。三色光光源１０１は、前方に開口１０２ａを有するキャップ１０２を備えている。また、三色光光源１０１は、第１実施形態のミラー９１とＰＤ９２に代えて、ビームスプリッタ１９１とＰＤ１９２とを備えている。ビームスプリッタ１９１は、例えば半透明ミラーである。なお、ＰＤ１９２の機能は、第１実施形態のＰＤ９２の機能と同様である。
ビームスプリッタ１９１は、キャリア３０の前端に位置する台座１３１の斜面１３１ａに接触し傾斜した状態で保持されている。ビームスプリッタ１９１は斜面１９１ａを有し、斜面１９１ａはキャリア３０の第２の主面３０ｂに対して例えば４５度の角度を成している。ＰＤ１９２は、斜面１９１ａの下方に配置されている。
また、ビームスプリッタ１９１の斜面１９１ａには例えば誘導体多層膜が貼り付けられており、この斜面１９１ａは合波光Ｌ２の一部を下方に反射させる機能を有する。すなわち、ビームスプリッタ１９１は、第２の波長フィルタ８２から出射される合波光Ｌ２の一部を下方に反射させると共に残部を前方に透過させる。このように、斜面１９１ａは、レーザ光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを反射させる反射面となっている。斜面１９１ａにおいて下方に反射されたレーザ光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、ＰＤ１９２に入射する。ＰＤ１９２は、ビームスプリッタ１９１の斜面１９１ａにおいて反射した光を受光することによって、合波光Ｌ２の強度を検知可能となっている。
以上のように構成される第２実施形態の三色光光源１０１でも、キャリア３０がＴＥＣ４０上に搭載されているので、第１実施形態と同様の効果が得られる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。すなわち、本発明は、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変形が可能である。
例えば、上記各実施形態では、第１のコリメートレンズ６１によりコリメートされた赤色レーザ光ＬＲを透過し、第２のコリメートレンズ６２によりコリメートされた緑色レーザ光ＬＧを前方に反射する第１の波長フィルタ８１を用いたが、この第１の波長フィルタ８１に代えて、赤色レーザ光ＬＲを反射し且つ緑色レーザ光ＬＧを透過させる波長フィルタを用いることも可能である。また、合波光Ｌ１を透過し青色レーザ光ＬＢを反射させる第２の波長フィルタ８２に代えて、合波光Ｌ１を反射し青色レーザ光ＬＢを透過させる波長フィルタを用いることも可能である。
１，１０１…三色光光源、２，１０２…キャップ、２ａ，１０２ａ…開口、１１…赤色ＬＤ（第１のレーザダイオード）、１２…緑色ＬＤ（第２のレーザダイオード）、１３…青色ＬＤ（第３のレーザダイオード）、３０…キャリア、３０ａ…第１の主面（主面）、３０ｂ…第２の主面（主面）、４０…ＴＥＣ（温調素子）、６１…第１のコリメートレンズ、６２…第２のコリメートレンズ、６３…第３のコリメートレンズ、７１…第１のサブベース部材、７２…第２のサブベース部材、７３…第３のサブベース部材、７４…第４のサブベース部材、７５…第５のサブベース部材、７６…第６のサブベース部材、８１…第１の波長フィルタ、８２…第２の波長フィルタ、９１…ミラー、９１ａ…斜面、９１ｂ…底面、９１ｃ…側面、９２，１９２…ＰＤ（フォトダイオード）、１９１…ビームスプリッタ、Ｌ１…第１の合波光、Ｌ２…第２の合波光、ＬＲ…赤色レーザ光（第１のレーザ光）、ＬＧ…緑色レーザ光（第２のレーザ光）、ＬＢ…青色レーザ光（第３のレーザ光）。
図１は、本発明の第１実施形態に係る三色光光源を示す斜視図である。 図２は、図１に示された三色光光源のキャップを取り外した状態を示す斜視図である。 図３は、レーザ光の波長と受光感度との関係を示すグラフである。 図４（ａ）はキャリア及び中間アセンブリを示す斜視図であり、図４（ｂ）はＴＥＣ及びベース部材を示す斜視図である。 図５は、ＴＥＣ上にキャリアを搭載した状態を示す斜視図である。 図６は、ベース部材上の各部品と各リードピンとのワイヤリングが行われた状態を示す斜視図である。 図７は、図６のキャリア上にコリメートレンズを搭載した状態を示す斜視図である。 図８は、図６のキャリア上に波長フィルタを搭載した状態を示す斜視図である。 図９は、各色のビームパターンを示す図表である。 図１０は、本発明の第２実施形態に係る三色光光源を示す斜視図である。 図１１は、図１０に示された三色光光源のキャップを取り外した状態を示す斜視図である。

Claims (5)

  1. 赤色、緑色及び青色のレーザ光を合波して出力する三色光光源であって、
    第１のレーザ光を出射するＧａＡｓ系材料で構成された第１のレーザダイオードと、
    ＧａＮ系材料で構成され第２のレーザ光を出射する第２のレーザダイオードと、
    ＧａＮ系材料で構成され、前記第２のレーザ光と異なる波長の第３のレーザ光を出射する第３のレーザダイオードと、
    前記第１のレーザ光をコリメートする第１のコリメートレンズと、
    前記第２のレーザ光をコリメートする第２のコリメートレンズと、
    前記第３のレーザ光をコリメートする第３のコリメートレンズと、
    前記第１のコリメートレンズによりコリメートされた前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のコリメートレンズによりコリメートされた前記第２のレーザ光を反射して、前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光を合波した第１の合波光を出力する第１の波長フィルタと、
    前記第１の合波光に対して透過及び反射のうち一方を行い、前記第３のコリメートレンズによりコリメートされた前記第３のレーザ光に対して透過及び反射のうち他方を行って、前記第１の合波光及び前記第３のレーザ光を合波した第２の合波光を出力する第２の波長フィルタと、
    前記第１〜第３のレーザダイオード、前記第１〜第３のコリメートレンズ並びに前記第１及び第２の波長フィルタを搭載するキャリアと、
    前記キャリアを搭載する温調素子と、
    を備える三色光光源。
  2. 前記第１のレーザ光は赤色であり、前記第２もしくは第３のレーザ光の一方は緑色であり、前記第２もしくは第３のレーザ光の他方は青色である、請求項１に記載の三色光光源。
  3. 前記第２の合波光の一部を反射させて残部を透過させるミラーと、
    前記ミラーを透過した前記第２の合波光の強度を検知するフォトダイオードと、
    を備える請求項１又は２に記載の三色光光源。
  4. 前記第２の合波光は、前記ミラーによって、前記キャリアの主面に対して交差する方向に反射される、
    請求項３に記載の三色光光源。
  5. 前記ミラーは、前記第２の合波光の光軸が延びる方向に対して傾斜する斜面と、底面と、を有し、
    前記底面は、前記キャリアに対して固定されており、
    前記フォトダイオードは、前記ミラーの前記斜面において屈折された前記第２の合波光の強度を検知する、
    請求項３又は４に記載の三色光光源。
JP2014136991A 2014-07-02 2014-07-02 三色光光源 Active JP6097253B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014136991A JP6097253B2 (ja) 2014-07-02 2014-07-02 三色光光源
US15/315,518 US9941667B2 (en) 2014-07-02 2015-03-23 Three-color light source
CN201580029216.3A CN106415953B (zh) 2014-07-02 2015-03-23 三色光源
PCT/JP2015/058737 WO2016002267A1 (ja) 2014-07-02 2015-03-23 三色光光源
US15/906,095 US10374395B2 (en) 2014-07-02 2018-02-27 Three-color light source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014136991A JP6097253B2 (ja) 2014-07-02 2014-07-02 三色光光源

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016133707A Division JP6380471B2 (ja) 2016-07-05 2016-07-05 三色光光源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016015415A true JP2016015415A (ja) 2016-01-28
JP6097253B2 JP6097253B2 (ja) 2017-03-15

Family

ID=55018827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014136991A Active JP6097253B2 (ja) 2014-07-02 2014-07-02 三色光光源

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9941667B2 (ja)
JP (1) JP6097253B2 (ja)
CN (1) CN106415953B (ja)
WO (1) WO2016002267A1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017201652A (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 住友電気工業株式会社 光モジュール
JP2017212252A (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 オプト エレクトロニクス ソリューションズ 光送信機及びこれを含む光モジュール
JP2018014351A (ja) * 2016-07-19 2018-01-25 住友電気工業株式会社 光モジュール
WO2018034055A1 (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 ソニー株式会社 光源モジュールおよび光源モジュールの製造方法ならびに投射型表示装置
JP2018056371A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 住友電気工業株式会社 光源モジュール
JP2018085450A (ja) * 2016-11-24 2018-05-31 住友電気工業株式会社 光モジュール
JPWO2017188097A1 (ja) * 2016-04-25 2018-10-18 住友電気工業株式会社 光モジュール
WO2019069775A1 (ja) * 2017-10-05 2019-04-11 住友電気工業株式会社 光モジュール
WO2019159827A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 住友電気工業株式会社 光モジュール
WO2019211943A1 (ja) * 2018-05-02 2019-11-07 住友電気工業株式会社 光モジュール
JP2019220672A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JPWO2018163513A1 (ja) * 2017-03-06 2020-01-16 住友電気工業株式会社 光モジュール
JP2020077773A (ja) * 2018-11-08 2020-05-21 住友電気工業株式会社 光源装置
WO2020208871A1 (ja) * 2019-04-11 2020-10-15 住友電気工業株式会社 光モジュール
US11600757B2 (en) 2018-06-15 2023-03-07 Nichia Corporation Semiconductor laser device
US11990728B2 (en) 2020-05-26 2024-05-21 Nichia Corporation Light emitting device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6340999B2 (ja) * 2014-08-26 2018-06-13 住友電気工業株式会社 光アセンブリ
CN109417268A (zh) * 2016-06-29 2019-03-01 夏普株式会社 光模块
JP6964469B2 (ja) 2017-08-30 2021-11-10 シャープ株式会社 光源装置およびその製造方法
US10431959B2 (en) * 2017-10-02 2019-10-01 Nichia Corporation Light emitting device and optical device
JP6866843B2 (ja) * 2017-12-26 2021-04-28 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11289875B2 (en) * 2019-11-24 2022-03-29 Applied Optoelectronics, Inc. Temperature control device with a plurality of electrically conductive terminals, and an optical subassembly module implementing same

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06290476A (ja) * 1993-04-01 1994-10-18 Seiko Epson Corp 光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド
JPH11330627A (ja) * 1998-02-27 1999-11-30 Litton Syst Inc マイクロレ―ザ・サブマウント組立体および関連実装方法
JP2002335032A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Sony Corp 光学装置およびその製造方法
JP2003037328A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Sony Corp 光半導体装置
JP2003273440A (ja) * 2002-03-13 2003-09-26 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザモジュール
JP2005309370A (ja) * 2003-10-27 2005-11-04 Nec Tokin Corp 光モジュール、光合分波器及びそれを用いた光合分波ユニット
JP2006186243A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Fuji Photo Film Co Ltd レーザー光源、色光源およびこれを用いた光走査型カラープロジェクター装置
JP2008244384A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Yamaha Corp 半導体レーザモジュール
JP2008282987A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュールおよび光送信装置
WO2011040290A1 (ja) * 2009-10-01 2011-04-07 アルプス電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2011108939A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｔｏ−ｃａｎ型ｔｏｓａモジュール
WO2012014798A1 (ja) * 2010-07-30 2012-02-02 ソニー株式会社 光源ユニット、照明装置および表示装置
JP2012164924A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Renesas Electronics Corp 光通信用送信モジュール
WO2013146749A1 (ja) * 2012-03-28 2013-10-03 アルプス電気株式会社 レーザモジュール及びその製造方法
JP2014063063A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Nippon Seiki Co Ltd 表示装置
JP2014102498A (ja) * 2012-10-26 2014-06-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 波長多重光送信モジュール及びその製造方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5768098A (en) 1980-10-16 1982-04-26 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser synthesizer
JP2913890B2 (ja) * 1991-05-07 1999-06-28 日本電気株式会社 半導体レーザモジュール
JP3018561B2 (ja) 1991-05-23 2000-03-13 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
JPH05303031A (ja) 1992-04-28 1993-11-16 Sony Corp 液晶プロジェクタ
JP2669372B2 (ja) 1994-12-22 1997-10-27 日本電気株式会社 ダイクロックミラーホルダ及びダイクロックミラーの固定方法
JPH08181370A (ja) 1994-12-27 1996-07-12 Fuji Photo Film Co Ltd レーザーダイオード励起固体レーザー
JPH0949948A (ja) 1995-06-01 1997-02-18 Sumitomo Electric Ind Ltd アレイ型発光素子モジュールとその製造方法
JPH0996787A (ja) 1995-09-29 1997-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH10149559A (ja) 1996-11-19 1998-06-02 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd レーザビーム出射装置
US6154259A (en) * 1996-11-27 2000-11-28 Photera Technologies, Inc. Multi-beam laser scanning display system with speckle elimination
JPH11142763A (ja) 1997-11-07 1999-05-28 Shimadzu Corp 表示装置
JP2000031575A (ja) * 1998-07-09 2000-01-28 Oki Electric Ind Co Ltd Ｌｄモジュール
JP2000131583A (ja) 1998-10-22 2000-05-12 Minolta Co Ltd 光学部材保持構造
JP2000277843A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Nec Corp 半導体レーザモジュールとその製造方法
JP2000301764A (ja) 1999-04-19 2000-10-31 Noritsu Koki Co Ltd レーザー露光装置
JP2003215406A (ja) 2002-01-21 2003-07-30 Kyocera Corp 半導体レーザモジュールとその製造方法
JP2005352037A (ja) 2004-06-09 2005-12-22 Nikon Corp 光学部材の保持構造、露光装置
JP2007036046A (ja) 2005-07-28 2007-02-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信デバイス
US20090244405A1 (en) 2005-09-30 2009-10-01 Kazuhisa Yamamoto Laser projection device and liquid crystal display television
JP2008026462A (ja) 2006-07-19 2008-02-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
DE102007034261B4 (de) 2007-07-20 2010-02-18 Lasos Lasertechnik Gmbh Vorrichtung zum Vereinigen einzelner Lichtstrahlen verschiedener Wellenlängen zu einem koaxialen Lichtbündel
JP2009266463A (ja) 2008-04-23 2009-11-12 Panasonic Corp 面状照明装置とこれを用いた画像表示装置
JP2010093236A (ja) * 2008-09-12 2010-04-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置、光装置および表示装置
JP5375532B2 (ja) 2009-11-11 2013-12-25 コニカミノルタ株式会社 集積光源、プロジェクタ装置、及びモバイル機器
CN102082142B (zh) * 2009-11-30 2012-12-05 光明电子有限公司 封装结构
JP2011138968A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Senju Metal Ind Co Ltd 面実装部品のはんだ付け方法および面実装部品
JP2011165715A (ja) 2010-02-04 2011-08-25 Fujifilm Corp 複数レーザ同軸化光源装置
JP4809507B1 (ja) 2010-11-30 2011-11-09 パイオニア株式会社 レーザ光源ユニット及び画像表示装置
US9368934B2 (en) * 2011-02-14 2016-06-14 Spectrasensors, Inc. Semiconductor laser mounting for improved frequency stability
JP2012247529A (ja) 2011-05-26 2012-12-13 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 光源装置および光軸調整方法
JP5335873B2 (ja) * 2011-09-20 2013-11-06 株式会社日立メディアエレクトロニクス レーザ光源モジュールおよびそれを備えた走査型画像表示装置
CN202373563U (zh) * 2011-12-23 2012-08-08 深圳市飞康技术有限公司 一种温度可控雪崩光电二极管组件
JP5891858B2 (ja) 2012-03-08 2016-03-23 スタンレー電気株式会社 発光装置及び車両用灯具
JP2013190594A (ja) 2012-03-14 2013-09-26 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 光モジュールおよび走査型画像表示装置
WO2013146313A1 (ja) 2012-03-26 2013-10-03 シチズンホールディングス株式会社 レーザ光源装置及びレーザ光源装置の製造方法
JP6064530B2 (ja) 2012-11-08 2017-01-25 住友電気工業株式会社 発光モジュール及び光トランシーバ
JP5759499B2 (ja) 2013-02-28 2015-08-05 住友電気工業株式会社 光アセンブリ
US9243761B2 (en) * 2013-02-28 2016-01-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06290476A (ja) * 1993-04-01 1994-10-18 Seiko Epson Corp 光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド
JPH11330627A (ja) * 1998-02-27 1999-11-30 Litton Syst Inc マイクロレ―ザ・サブマウント組立体および関連実装方法
JP2002335032A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Sony Corp 光学装置およびその製造方法
JP2003037328A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Sony Corp 光半導体装置
JP2003273440A (ja) * 2002-03-13 2003-09-26 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザモジュール
JP2005309370A (ja) * 2003-10-27 2005-11-04 Nec Tokin Corp 光モジュール、光合分波器及びそれを用いた光合分波ユニット
JP2006186243A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Fuji Photo Film Co Ltd レーザー光源、色光源およびこれを用いた光走査型カラープロジェクター装置
JP2008244384A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Yamaha Corp 半導体レーザモジュール
JP2008282987A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュールおよび光送信装置
WO2011040290A1 (ja) * 2009-10-01 2011-04-07 アルプス電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2011108939A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｔｏ−ｃａｎ型ｔｏｓａモジュール
WO2012014798A1 (ja) * 2010-07-30 2012-02-02 ソニー株式会社 光源ユニット、照明装置および表示装置
JP2012164924A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Renesas Electronics Corp 光通信用送信モジュール
WO2013146749A1 (ja) * 2012-03-28 2013-10-03 アルプス電気株式会社 レーザモジュール及びその製造方法
JP2014063063A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Nippon Seiki Co Ltd 表示装置
JP2014102498A (ja) * 2012-10-26 2014-06-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 波長多重光送信モジュール及びその製造方法

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017188097A1 (ja) * 2016-04-25 2018-10-18 住友電気工業株式会社 光モジュール
JP2017201652A (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 住友電気工業株式会社 光モジュール
JP2017212252A (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 オプト エレクトロニクス ソリューションズ 光送信機及びこれを含む光モジュール
JP2018014351A (ja) * 2016-07-19 2018-01-25 住友電気工業株式会社 光モジュール
WO2018034055A1 (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 ソニー株式会社 光源モジュールおよび光源モジュールの製造方法ならびに投射型表示装置
JP7010226B2 (ja) 2016-08-19 2022-01-26 ソニーグループ株式会社 光源モジュールおよび光源モジュールの製造方法ならびに投射型表示装置
JPWO2018034055A1 (ja) * 2016-08-19 2019-06-13 ソニー株式会社 光源モジュールおよび光源モジュールの製造方法ならびに投射型表示装置
US10824060B2 (en) 2016-08-19 2020-11-03 Sony Corporation Light source module, method of manufacturing light source module, and projection-type display unit
JP2018056371A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 住友電気工業株式会社 光源モジュール
JP2018085450A (ja) * 2016-11-24 2018-05-31 住友電気工業株式会社 光モジュール
JPWO2018163513A1 (ja) * 2017-03-06 2020-01-16 住友電気工業株式会社 光モジュール
JPWO2019069775A1 (ja) * 2017-10-05 2020-10-22 住友電気工業株式会社 光モジュール
US11431147B2 (en) 2017-10-05 2022-08-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
WO2019069775A1 (ja) * 2017-10-05 2019-04-11 住友電気工業株式会社 光モジュール
JP6996567B2 (ja) 2017-10-05 2022-01-17 住友電気工業株式会社 光モジュール
JPWO2019159827A1 (ja) * 2018-02-16 2021-01-28 住友電気工業株式会社 光モジュール
JP7136097B2 (ja) 2018-02-16 2022-09-13 住友電気工業株式会社 光モジュール
WO2019159827A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 住友電気工業株式会社 光モジュール
US11245245B2 (en) 2018-05-02 2022-02-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
JP7173017B2 (ja) 2018-05-02 2022-11-16 住友電気工業株式会社 光モジュール
WO2019211943A1 (ja) * 2018-05-02 2019-11-07 住友電気工業株式会社 光モジュール
US11616337B2 (en) 2018-05-02 2023-03-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
JPWO2019211943A1 (ja) * 2018-05-02 2021-03-25 住友電気工業株式会社 光モジュール
US11600757B2 (en) 2018-06-15 2023-03-07 Nichia Corporation Semiconductor laser device
JP7174242B2 (ja) 2018-06-15 2022-11-17 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2019220672A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP7436907B2 (ja) 2018-06-15 2024-02-22 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2020077773A (ja) * 2018-11-08 2020-05-21 住友電気工業株式会社 光源装置
JP7119926B2 (ja) 2018-11-08 2022-08-17 住友電気工業株式会社 光源装置
WO2020208871A1 (ja) * 2019-04-11 2020-10-15 住友電気工業株式会社 光モジュール
JPWO2020208871A1 (ja) * 2019-04-11 2020-10-15
US11990728B2 (en) 2020-05-26 2024-05-21 Nichia Corporation Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US20170207606A1 (en) 2017-07-20
WO2016002267A1 (ja) 2016-01-07
US20180191136A1 (en) 2018-07-05
CN106415953A (zh) 2017-02-15
JP6097253B2 (ja) 2017-03-15
US9941667B2 (en) 2018-04-10
CN106415953B (zh) 2020-04-14
US10374395B2 (en) 2019-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6097253B2 (ja) 三色光光源
JP6340999B2 (ja) 光アセンブリ
KR102312472B1 (ko) 광 어셈블리
US9806494B2 (en) Optical module and method for manufacturing the optical module
TWI802700B (zh) 發光裝置
JP7010226B2 (ja) 光源モジュールおよび光源モジュールの製造方法ならびに投射型表示装置
US10333270B2 (en) Optical module and method for manufacturing the optical module
JPWO2020116084A1 (ja) 光源ユニット、照明装置、加工装置及び偏向素子
JP6380471B2 (ja) 三色光光源
JP6504142B2 (ja) 光アセンブリ
WO2021210348A1 (ja) 光源装置
JPWO2017188097A1 (ja) 光モジュール
JP6460082B2 (ja) 光アセンブリの製造方法、及び光アセンブリ
JP6112091B2 (ja) 光アセンブリの製造方法、及び光アセンブリ
JP6805688B2 (ja) 光源モジュール
JP6267660B2 (ja) 光アセンブリ
JP2016174189A5 (ja)
US20240106187A1 (en) Light source device
JP2021097216A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160209

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160308

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160705

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20160712

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20160805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6097253

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250