JP6996567B2 - 光モジュール - Google Patents

光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP6996567B2
JP6996567B2 JP2019546657A JP2019546657A JP6996567B2 JP 6996567 B2 JP6996567 B2 JP 6996567B2 JP 2019546657 A JP2019546657 A JP 2019546657A JP 2019546657 A JP2019546657 A JP 2019546657A JP 6996567 B2 JP6996567 B2 JP 6996567B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
optical module
mirror
protective member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019546657A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2019069775A1 (ja
Inventor
裕美 中西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Publication of JPWO2019069775A1 publication Critical patent/JPWO2019069775A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6996567B2 publication Critical patent/JP6996567B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/1006Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10Scanning systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10Scanning systems
    • G02B26/105Scanning systems with one or more pivoting mirrors or galvano-mirrors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/14Beam splitting or combining systems operating by reflection only
    • G02B27/141Beam splitting or combining systems operating by reflection only using dichroic mirrors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/005Projectors using an electronic spatial light modulator but not peculiar thereto
    • G03B21/008Projectors using an electronic spatial light modulator but not peculiar thereto using micromirror devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)

Description

本開示は、光モジュールに関する。本出願は、2017年10月5日出願の日本出願2017‐195304号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
複数の半導体発光素子からの光が合波される発光部と、発光部からの光を走査する走査部とを含む光モジュールが知られている(たとえば、特許文献1~3参照)。このような光モジュールは、発光部からの光を所望の経路に沿って走査することにより、文字や図形などを描画することができる。
特開2014-186068号公報 特開2014-56199号公報 国際公開第2007/120831号
本開示の光モジュールは、光を発生するように構成された発光部と、前記発光部が発生した前記光を反射するように構成されたミラー機構と、前記ミラー機構が反射した光を走査するように構成された走査部と、を備える。前記発光部は、複数の半導体発光素子と前記複数の半導体発光素子からの光を合波するフィルタとを含む光形成部と、前記光形成部を取り囲むように配置された保護部材と、を有する。前記ミラー機構は、前記保護部材の外部に前記保護部材と一体に設けられ、前記走査部は、前記保護部材によって取り囲まれた領域に設けられている。
図1は、実施の形態1における光モジュールの構造を示す第1の概略斜視図である。 図2は、実施の形態1における光モジュールの構造を示す第2の概略斜視図である。 図3は、図1のキャップを取り外した状態における概略斜視図である。 図4は、図2のキャップを取り外した状態における概略斜視図である。 図5は、実施の形態1における光モジュールの構造を示す第1の概略図である。 図6は、実施の形態1における光モジュールの構造を示す第2の概略図である。 図7は、実施の形態2における光モジュールの構造を示す第1の概略斜視図である。 図8は、実施の形態2における光モジュールの構造を示す第2の概略斜視図である。 図9は、図7のキャップを取り外した状態における概略斜視図である。 図10は、図8のキャップを取り外した状態における概略斜視図である。 図11は、実施の形態2における光モジュールの構造を示す第1の概略図である。 図12は、実施の形態2における光モジュールの構造を示す第2の概略図である。
従来の光モジュールにおいては、耐久性向上の観点から、半導体発光素子からの光を合波するための光学部品や走査部などを、保護部材の内部に配置することが好ましい。しかし、このような構造を採用した場合、保護部材内に光路を適切に形成するためには(たとえば保護部材内で光を反射させる際の光の入射角および反射角をある程度小さくするためには)、光モジュールが大型化するという問題が生じる。
[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。本開示の光モジュールは、光を発生するように構成された発光部と、発光部が発生した光を反射するように構成されたミラー機構と、ミラー機構が反射した光を走査するように構成された走査部と、を備える。発光部は、複数の半導体発光素子と複数の半導体発光素子からの光を合波するフィルタとを含む光形成部と、前記光形成部を取り囲むように配置された保護部材と、を有する。ミラー機構は、保護部材の外部に前記保護部材と一体に設けられ、走査部は、保護部材によって取り囲まれた領域に設けられている。
本開示の光モジュールの発光部では、複数の半導体発光素子からの光がフィルタにおいて合波される。これにより、複数の半導体発光素子からの光を合波して走査部へと到達させることができる。走査部は、保護部材の内部に配置され、発光部からの光を所望の経路に沿って走査することにより、文字や図形などを描画する。このように、半導体発光素子やフィルタだけでなく、走査部をも保護部材により保護することにより、光モジュールの耐久性を向上させることができる。そして、本開示の光モジュールにおいては、発光部からの光を反射して走査部に到達させるミラー機構が、保護部材の外部に、保護部材と一体に配置される。このようなミラー機構の配置により、発光部から走査部への光路を確保するための部品同士を近づけて配置することが容易となり、光モジュールの大型化を抑制することができる。その結果、本開示の光モジュールによれば、大型化を抑制しつつ、耐久性に優れた光モジュールを提供することができる。なお、フィルタとしては、たとえば波長選択性フィルタ、偏波合成フィルタなどを採用することができる。
上記光モジュールにおいて、上記光形成部は、複数の半導体発光素子のそれぞれに対応して設けられた複数の貫通孔を有する部材(以降、遮光部材とも記載する)を含み、複数の貫通孔のそれぞれは複数の半導体発光素子それぞれからの光のみが通過するように構成されていてもよい。このようにすることにより、半導体発光素子が設置される側からの迷光を遮断することができる。特に、走査部が保護部材の内部に配置される場合、半導体発光素子が設置される側からの迷光が走査部に到達することを有効に抑制することができる。
上記光モジュールは、上記光形成部において複数の半導体発光素子が搭載される面である搭載面に垂直な方向において、搭載面とは異なる高さに走査部を保持する走査部保持部材をさらに備えていてもよい。このようにすることにより、半導体発光素子が配置される領域からの迷光が走査部に到達することを有効に抑制することができる。
上記光モジュールにおいて、上記ミラー機構は、発光部が発生した光を反射するミラーと、保護部材に設置され、ミラーを保持するミラー保持部と、を含んでいてもよい。保護部材に設置されたミラー保持部によりミラーを保持することにより、ミラー機構の設置によって光モジュールが大型化することを抑制することができる。
上記光モジュールにおいて、保護部材には、発光部からミラー機構に向かう光が出射する第1の窓と、ミラー機構によって反射され走査部に向かう光が入射する第2の窓と、が設けられていてもよい。このようにすることにより、光モジュールの大型化を抑制しつつ、発光部からの光を走査部に到達させることが容易となる。
上記光モジュールにおいて、走査部からの光は、上記第2の窓を通って保護部材の外部へと出射してもよい。このように、ミラー機構から走査部に向かう光が入射する第2の窓を走査部からの光が出射する経路として利用することにより、部品点数を低減することができる。
上記光モジュールにおいて、保護部材は、内部を気密状態とする気密部材であってもよい。すなわち、保護部材の内部は保護部材によってハーメチックシールされていてもよい。このようにすることにより、保護部材の内部に配置される部品の劣化を有効に抑制することができる。
上記光モジュールにおいて、上記複数の半導体発光素子は、赤色の光を出射する第1半導体発光素子、緑色の光を出射する第2半導体発光素子および青色の光を出射する第3半導体発光素子を含んでいてもよい。このようにすることにより、これらの光を合波し、所望の色の光を形成することができる。
上記光モジュールにおいて、上記複数の半導体発光素子はそれおぞれがレーザダイオードであってもよい。このようにすることにより、波長のばらつきの少ない出射光を得ることができる。
[本開示の実施形態の詳細]
次に、本開示にかかる光モジュールの実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
(実施の形態1)
まず、図1~図6を参照して実施の形態1について説明する。図1は、実施の形態1における光モジュールの構造を示す第1の概略斜視図である。図2は、図1とは異なる視点から見た光モジュールの構造を示す第2の概略斜視図である。図3は、図1のキャップ40を取り外した状態に対応する斜視図である。図4は、図2のキャップ40を取り外した状態に対応する斜視図である。図5は、キャップ40を断面にて、他の部品を平面視にて示したX-Y平面における第1の概略図である。図6は、キャップ40およびミラー保持部115を断面にて、他の部品を平面視にて示したX-Z平面における第2の概略図である。
図1~図4を参照して、本実施の形態における光モジュール1は、平板状の形状を有する基部10と、基部10の一方の主面10A上に配置され、光を形成する光形成部20と、光形成部20を覆うように基部10の一方の主面10A上に接触して配置されるキャップ40と、基部10の他方の主面10B側から一方の主面10A側まで貫通し、一方の主面10A側および他方の主面10B側の両側に突出する複数のリードピン51とを備えている。基部10とキャップ40とは、たとえば溶接されることにより気密状態とされている。すなわち、光形成部20は、基部10とキャップ40とによりハーメチックシールされている。基部10とキャップ40とにより取り囲まれる空間には、たとえば乾燥空気などの水分が低減(あるいは除去)された気体が封入されている。キャップ40には、第1の窓41と、第2の窓42とが形成されている。第1の窓41および第2の窓42には、それぞれたとえば平板状のガラス部材(不図示)が嵌め込まれている。基部10およびキャップ40は、保護部材2を構成する。本実施の形態において、保護部材2は、内部を気密状態とする気密部材である。この保護部材2および光形成部20は、発光部3を構成する。
図3~図6を参照して、光形成部20は、板状の形状を有するベース部材であるベース板60を含む。ベース板60は、平面的に見て長方形形状を有する一方の主面60Aを有している。ベース板60の一方の主面60Aは、ベース領域61と、チップ搭載領域62と、レンズ搭載領域63と、フィルタ搭載領域64とを含んでいる。チップ搭載領域62は、一方の主面60Aの一方の短辺を含む領域に、当該一方の短辺に沿って形成されている。レンズ搭載領域63は、チップ搭載領域62に隣接し、かつチップ搭載領域62に沿って形成されている。フィルタ搭載領域64は、一方の主面60Aの他方の短辺を含む領域に、当該他方の短辺に沿って形成されている。レンズ搭載領域63とフィルタ搭載領域64とに挟まれる領域が、ベース領域61となっている。ベース領域61、チップ搭載領域62、レンズ搭載領域63およびフィルタ搭載領域64は、互いに平行である。
レンズ搭載領域63およびフィルタ搭載領域64におけるベース板60の厚みは、ベース領域61に比べて大きくなっている。その結果、ベース領域61に比べて、レンズ搭載領域63およびフィルタ搭載領域64の高さ(ベース領域61を基準とした高さ、すなわちベース領域61に垂直な方向における高さ)が高くなっている。また、チップ搭載領域62におけるベース板60の厚みは、レンズ搭載領域63およびフィルタ搭載領域64に比べてさらに大きくなっている。その結果、レンズ搭載領域63およびフィルタ搭載領域64に比べて、チップ搭載領域62の高さが高くなっている。
チップ搭載領域62上には、平板状の第1サブマウント71、第2サブマウント72および第3サブマウント73が、一方の主面60Aの上記一方の短辺に沿って並べて配置されている。第1サブマウント71と第3サブマウント73とに挟まれるように、第2サブマウント72が配置されている。第1サブマウント71上に、第1半導体発光素子としての赤色レーザダイオード81が配置されている。第2サブマウント72上に、第2半導体発光素子としての緑色レーザダイオード82が配置されている。第3サブマウント73上に、第3半導体発光素子としての青色レーザダイオード83が配置されている。赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83の光軸の高さ(一方の主面60Aのベース領域61を基準面とした場合の基準面と光軸との距離;Z軸方向における基準面との距離)は、第1サブマウント71、第2サブマウント72および第3サブマウント73により調整されて一致している。
レンズ搭載領域63上には、第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93が配置されている。第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93は、表面がレンズ面となっているレンズ部91A,92A,93Aを有している。第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93は、レンズ部91A,92A,93Aとレンズ部91A,92A,93A以外の領域とが一体成型されている。第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93のレンズ部91A,92A,93Aの中心軸、すなわちレンズ部91A,92A,93Aの光軸は、それぞれ赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83の光軸に一致する。第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93は、それぞれ赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射される光のスポットサイズを変換する。第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93により、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射される光のスポットサイズが一致するようにスポットサイズが変換される。第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93により、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射される光がコリメート光に変換される。
フィルタ搭載領域64上には、第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99が配置される。赤色レーザダイオード81と第1レンズ91とを結ぶ直線上に、第1フィルタ97が配置される。緑色レーザダイオード82と第2レンズ92とを結ぶ直線上に、第2フィルタ98が配置される。青色レーザダイオード83と第3レンズ93とを結ぶ直線上に、第3フィルタ99が配置される。第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99は、それぞれ互いに平行な主面を有する平板状の形状を有している。第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99は、たとえば波長選択性フィルタである。第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99は、誘電体多層膜フィルタである。
より具体的には、第1フィルタ97は、赤色の光を反射する。第2フィルタ98は、赤色の光を透過し、緑色の光を反射する。第3フィルタ99は、赤色の光および緑色の光を透過し、青色の光を反射する。このように、第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99は、特定の波長の光を選択的に透過および反射する。その結果、第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99は、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射された光を合波する。
フィルタ搭載領域64上には、平板状の第1支持板66、第2支持板67および第3支持板68が、一方の主面60Aの上記他方の短辺に沿って並べて配置されている。そして、第1支持板66、第2支持板67および第3支持板68の表面66A,67A,68A上には、それぞれ第1受光素子としての第1フォトダイオード94、第2受光素子としての第2フォトダイオード95および第3受光素子としての第3フォトダイオード96が配置されている。第1フォトダイオード94、第2フォトダイオード95および第3フォトダイオード96は、それぞれ赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83からの光の出射方向の延長線上に設置される。本実施の形態においては、全ての半導体発光素子のそれぞれに対応して受光素子が配置される。第1フォトダイオード94、第2フォトダイオード95および第3フォトダイオード96は、それぞれ赤色、緑色および青色の光を受光可能なフォトダイオードである。
フィルタ搭載領域64上において第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99が配置される領域と第1フォトダイオード94、第2フォトダイオード95および第3フォトダイオード96が配置される領域との間には、第4フィルタ74、第5フィルタ75および第6フィルタ76が配置される。第1フィルタ97と第1フォトダイオード94との間に、第4フィルタ74が配置される。第2フィルタ98と第2フォトダイオード95との間に、第5フィルタ75が配置される。第3フィルタ99と第3フォトダイオード96との間に、第6フィルタ76が配置される。第4フィルタ74は、赤色レーザダイオード81から出射される波長の赤色の光を透過し、他の波長の光を反射する。第5フィルタ75は、緑色レーザダイオード82から出射される波長の緑色の光を透過し、他の波長の光を反射する。第6フィルタ76は、青色レーザダイオード83から出射される波長の青色の光を透過し、他の波長の光を反射する。
一方の主面60Aの上記他方の短辺に沿う方向において、フィルタ搭載領域64の第1フィルタ97が搭載される側とは反対側の端部には、一方の主面60Aの長辺方向に平行であって、フィルタ搭載領域64に対して傾斜する第1ミラー搭載領域65が形成されている。第1ミラー搭載領域65は、たとえばフィルタ搭載領域64に対して45°だけ傾斜している。そして、第1ミラー搭載領域65上に、第1ミラー69が搭載されている。
ベース領域61に垂直な方向から平面的に見て、第1ミラー69は、第1の窓41に重なるように配置されている。
ベース領域61のレンズ搭載領域63との境界に沿うように、平板状の壁部材である第1遮光部材59が配置されている。第1遮光部材59には、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83のそれぞれに対応して配置され、第1遮光部材59を厚み方向に貫通する第1貫通孔59A、第2貫通孔59Bおよび第3貫通孔59Cが形成されている。赤色レーザダイオード81からの光は、第1貫通孔59Aを通過する。緑色レーザダイオード82からの光は、第2貫通孔59Bを通過する。青色レーザダイオード83からの光は、第3貫通孔59Cを通過する。
ベース領域61のフィルタ搭載領域64との境界に沿うように、平板状の壁部材である第2遮光部材58が配置されている。第2遮光部材58には、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83のそれぞれに対応して配置され、第2遮光部材58を厚み方向に貫通する第4貫通孔58A、第5貫通孔58Bおよび第6貫通孔58Cが形成されている。赤色レーザダイオード81からの光は、第4貫通孔58Aを通過する。緑色レーザダイオード82からの光は、第5貫通孔58Bを通過する。青色レーザダイオード83からの光は、第6貫通孔58Cを通過する。
ベース領域61上には、さらに発光部3からの光を走査する走査部120(光スキャナ)が配置されている。走査部120は、内部に配置された駆動機構(図示しない)により駆動される走査ミラー121を含む。駆動機構としては、たとえばMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を採用することができる。
走査部120は、発光部3と一体に配置される。走査部120は、保護部材2である基部10およびキャップ40に取り囲まれる領域の内部に配置される。
図5を参照して、赤色レーザダイオード81、第1レンズ91のレンズ部91A、第1遮光部材59の第1貫通孔59A、第2遮光部材58の第4貫通孔58A、第1フィルタ97、第4フィルタ74および第1フォトダイオード94の受光部94Aは、赤色レーザダイオード81の光の出射方向に沿う一直線上に並んで(X軸方向に並んで)配置されている。緑色レーザダイオード82、第2レンズ92のレンズ部92A、第1遮光部材59の第2貫通孔59B、第2遮光部材58の第5貫通孔58B、第2フィルタ98、第5フィルタ75および第2フォトダイオード95の受光部95Aは、緑色レーザダイオード82の光の出射方向に沿う一直線上に並んで(X軸方向に並んで)配置されている。青色レーザダイオード83、第3レンズ93のレンズ部93A、第1遮光部材59の第3貫通孔59C、第2遮光部材58の第6貫通孔58C、第3フィルタ99、第6フィルタ76および第3フォトダイオード96の受光部96Aは、青色レーザダイオード83の光の出射方向に沿う一直線上に並んで(X軸方向に並んで)配置されている。
赤色レーザダイオード81の出射方向、緑色レーザダイオード82の出射方向および青色レーザダイオード83の出射方向は、互いに平行である。第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99の主面は、それぞれ赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83の出射方向(X軸方向)に対して45°傾斜している。
基部10と光形成部20との間には、電子冷却モジュール30が配置されている。電子冷却モジュール30は、吸熱板31と、放熱板32と、電極を挟んで吸熱板31と放熱板32との間に並べて配置される半導体柱33とを含む。吸熱板31および放熱板32は、たとえばアルミナからなっている。吸熱板31がベース板60の他方の主面60Bに接触して配置される。放熱板32は、基部10の一方の主面10Aに接触して配置される。本実施の形態において、電子冷却モジュール30はペルチェモジュール(ペルチェ素子)である。そして、電子冷却モジュール30に電流を流すことにより、吸熱板31に接触するベース板60の熱が基部10へと移動し、ベース板60が冷却される。その結果、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83の温度上昇が抑制される。これにより、たとえば自動車に搭載される場合など、温度が高くなる環境下においても光モジュール1を使用することが可能となる。また、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83の温度を適正な範囲に維持することで、所望の色の光を精度よく形成することが可能となる。
図1、図2および図6を参照して、キャップ40上には、径方向中央部に貫通孔が形成された環状(円環状)の形状を有する第1支持部材111が配置されている。第1支持部材111は、平面的に見て、貫通孔が第1の窓41に重なるように配置される。第1支持部材111上には、中空筒状(中空円筒状)の形状を有する第2支持部材112が配置されている。第2支持部材112の側壁には、当該側壁を厚み方向に貫通する貫通孔112Aが形成されている。第2支持部材112の軸方向一方の端面側において、第2支持部材112は第1支持部材111に接続されている。第1支持部材111と第2支持部材112とは、互いの中心軸が一致するように配置されている。第2支持部材112の軸方向他方の端面側は、第3支持部材113により閉塞されている。第3支持部材113の一部が第2支持部材112により取り囲まれる空間内に進入するように、第3支持部材113は配置されている。そして、第3支持部材113の第2支持部材112により取り囲まれる空間内に進入する部分に、支持面が形成されている。この支持面上に、第2ミラー114が設置されている。第1支持部材111、第2支持部材112および第3支持部材113は、保護部材2を構成するキャップ40に設置され、第2ミラー114を保持するミラー保持部115である。
第2ミラー114は、発光部3からの(第1ミラー69からの)光を走査部120の走査ミラー121に到達するように反射する。第2ミラー114の調心は、主面60Aに沿う方向(X-Y方向)における調心を第1支持部材111により、主面60Aに垂直な方向(Z方向)における調心を第2支持部材112により、主面60Aに沿う面内での回転方向(X-Y面内での回転方向)における調心を第3支持部材113により、それぞれ行うことができる。具体的には、たとえば第1支持部材111、第2支持部材112および第3支持部材113を、紫外線硬化性樹脂(UV樹脂)を用いて仮固定し、調心完了後にUV樹脂に紫外線を照射して硬化させることによりこれらを最終的に固定することができる。この最終的な固定は、YAG(Yittrium Aluminum Garnet)レーザを用いた溶接により実施してもよい。このように、予め調心を実施しておくことにより、光モジュール1の設置が容易となる。第1支持部材111、第2支持部材112、第3支持部材113および第2ミラー114は、ミラー機構110を構成する。ミラー機構110は、保護部材2を構成するキャップ40と一体に配置され、発光部3が発生した光を反射して走査部120に到達させる。ミラー機構110は、保護部材2の外部に配置されている。ミラー機構110は、保護部材2を構成するキャップ40の外壁面に設置されている。
次に、本実施の形態における光モジュール1の動作について説明する。図5を参照して、赤色レーザダイオード81から出射された赤色の光は、光路Lに沿って進行する。この赤色の光は、第1レンズ91のレンズ部91Aに入射し、光のスポットサイズが変換される。具体的には、たとえば赤色レーザダイオード81から出射された赤色の光がコリメート光に変換される。第1レンズ91においてスポットサイズが変換された赤色の光は、光路Lに沿って進行し、第1遮光部材59の第1貫通孔59Aおよび第2遮光部材58の第4貫通孔58Aを通過した後、第1フィルタ97に入射する。
第1フィルタ97は赤色の光を反射するため、赤色レーザダイオード81から出射された光は光路Lに沿ってさらに進行し、第2フィルタ98に入射する。第2フィルタ98は赤色の光を透過するため、赤色レーザダイオード81から出射された光は光路Lに沿ってさらに進行し、第3フィルタ99に入射する。第3フィルタ99は赤色の光を透過するため、赤色レーザダイオード81から出射された光は光路Lに沿ってさらに進行し、第1ミラー69に到達する。図5および図6を参照して、第1ミラー69に到達した赤色の光は第1ミラー69において反射され、光路Lに沿って第1の窓41を通ってキャップ40の外部へと出射する。
図5を参照して、第1フィルタ97に入射した赤色の光の一部は、第1フィルタ97を透過し、光路Lに沿って進行し、第4フィルタ74に入射する。第4フィルタ74は赤色の光を透過するため、赤色の光は光路Lに沿ってさらに進行し、第1フォトダイオード94の受光部94Aに入射する。これにより赤色レーザダイオード81から出射された赤色の光の強度が把握され、把握された光の強度と出射されるべき目標の光の強度との差に基づいて赤色の光の強度が調整される。
緑色レーザダイオード82から出射された緑色の光は、光路Lに沿って進行する。この緑色の光は、第2レンズ92のレンズ部92Aに入射し、光のスポットサイズが変換される。具体的には、たとえば緑色レーザダイオード82から出射された緑色の光がコリメート光に変換される。第2レンズ92においてスポットサイズが変換された緑色の光は、光路Lに沿って進行し、第1遮光部材59の第2貫通孔59Bおよび第2遮光部材58の第5貫通孔58Bを通過した後、第2フィルタ98に入射する。
第2フィルタ98は緑色の光を反射するため、緑色レーザダイオード82から出射された光は光路Lに合流する。その結果、緑色の光は赤色の光と合波され、光路Lに沿って進行し、第3フィルタ99に入射する。第3フィルタ99は緑色の光を透過するため、緑色レーザダイオード82から出射された光は光路Lに沿ってさらに進行し、第1ミラー69に到達する。図5および図6を参照して、第1ミラー69に到達した緑色の光は第1ミラー69において反射され、光路Lに沿って第1の窓41を通ってキャップ40の外部へと出射する。
図5を参照して、第2フィルタ98に入射した緑色の光の一部は、第2フィルタ98を透過し、光路Lに沿って進行し、第5フィルタ75に入射する。第5フィルタ75は緑色の光を透過するため、緑色の光は光路Lに沿ってさらに進行し、第2フォトダイオード95の受光部95Aに入射する。これにより緑色レーザダイオード82から出射された緑色の光の強度が把握され、把握された光の強度と出射されるべき目標の光の強度との差に基づいて緑色の光の強度が調整される。
青色レーザダイオード83から出射された青色の光は、光路Lに沿って進行する。この青色の光は、第3レンズ93のレンズ部93Aに入射し、光のスポットサイズが変換される。具体的には、たとえば青色レーザダイオード83から出射された青色の光がコリメート光に変換される。第3レンズ93においてスポットサイズが変換された青色の光は、光路Lに沿って進行し、第1遮光部材59の第3貫通孔59Cおよび第2遮光部材58の第6貫通孔58Cを通過した後、第3フィルタ99に入射する。
第3フィルタ99は青色の光を反射するため、青色レーザダイオード83から出射された光は光路Lに合流する。その結果、青色の光は赤色の光および緑色の光と合波され、光路Lに沿って進行し、第1ミラー69に到達する。図5および図6を参照して、第1ミラー69に到達した青色の光は第1ミラー69において反射され、光路Lに沿って第1の窓41を通ってキャップ40の外部へと出射する。
図5を参照して、第3フィルタ99に入射した青色の光の一部は、第3フィルタ99を透過し、光路Lに沿って進行し、第6フィルタ76に入射する。第6フィルタ76は青色の光を透過するため、青色の光は光路Lに沿ってさらに進行し、第3フォトダイオード96の受光部96Aに入射する。これにより青色レーザダイオード83から出射された青色の光の強度が把握され、把握された光の強度と出射されるべき目標の光の強度との差に基づいて青色の光の強度が調整される。
このようにして、キャップ40の第1の窓41から、赤色、緑色および青色の光が合波されて形成された光(合波光)が光路Lに沿って出射する。第1の窓41から出射した合波光は、第2ミラー114において反射され、光路Lに沿って進行し、第2支持部材112の貫通孔112Aおよび第2の窓42を通って走査部120の走査ミラー121へと到達する。そして、走査ミラー121が駆動機構(図示しない)により駆動されることにより合波光が走査され、光路L10に沿って第2の窓42を通ってキャップ40の外部へと出射する合波光により文字、図形などが描画される。
ここで、本実施の形態における光モジュール1では、走査部120が発光部3と一体に、予め調心(光軸調整)された状態で設けられている。そのため、発光装置と走査装置とをそれぞれ設置し、その後に光軸調整等を行う場合に比べて、設置が容易となっている。
その結果、本実施の形態の光モジュールは、描画を可能としつつ、設置の容易な光モジュールとなっている。
光モジュール1において、第1ミラー69の外径は、走査部120の走査ミラー121が走査可能な合波光のビーム径に一致するように設定されていることが好ましい。これにより、走査部120に到達したにもかかわらず走査ミラー121において走査されない光が、走査ミラー121以外の場所で反射し、迷光の原因となることを抑制することができる。
また、光モジュール1において、走査部120は、保護部材2の内部(キャップ40および基部10に取り囲まれる領域内)に配置されている。これにより、走査部120が有効に保護されている。特に、本実施の形態の光モジュール1では、走査部120は、基部10とキャップ40とによりハーメチックシールされている。そのため、走査部120への水分や異物等の浸入が抑制され、光モジュール1の耐久性が向上している。
また、本実施の形態の光モジュール1の光形成部は、第1遮光部材59および第2遮光部材58を含んでいる。これにより、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83が設置される側からの迷光が走査部120に到達することが有効に抑制されている。
また、本実施の形態の光モジュール1は、保護部材2(キャップ40および基部10)の外部に保護部材2と一体に配置されたミラー機構110(第1支持部材111、第2支持部材112、第3支持部材113および第2ミラー114)を含んでいる。これにより、発光部3から走査部120への光路を確保するための部品同士を近づけて配置することが容易となる。その結果、光モジュール1の大型化を抑制しつつ、発光部3からの光を走査部120に到達させることが容易となっている。このように、実施の形態1の光モジュール1は、大型化を抑制しつつ、耐久性に優れた光モジュールとなっている。
また、本実施の形態の光モジュール1において、走査部120からの光は、第2の窓42を通って保護部材2の外部へと出射する。このように、ミラー機構110から走査部120に向かう光が入射する第2の窓42を走査部120からの光が出射する経路として利用することにより、部品点数が低減されている。
(実施の形態2)
次に、図7~図12を参照して、他の実施の形態である実施の形態2について説明する。図7は、実施の形態2における光モジュールの構造を示す第1の概略斜視図である。図8は、図7とは異なる視点から見た光モジュールの構造を示す第2の概略斜視図である。図9は、図7のキャップ40を取り外した状態に対応する斜視図である。図10は、図8のキャップ40を取り外した状態に対応する斜視図である。図11は、キャップ40を断面にて、他の部品を平面視にて示したX-Y平面における第1の概略図である。図12は、キャップ40およびミラー保持部115を断面にて、他の部品を平面視にて示したX-Z平面における第2の概略図である。
本実施の形態における光モジュール1は、基本的には実施の形態1の場合と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。しかし、実施の形態2における光モジュール1は、走査部120の配置態様、およびベース板60の形状において、実施の形態1の場合とは異なっている。
図7~図12および図1~図6を参照して、実施の形態2におけるベース板60においては、レンズ搭載領域63およびフィルタ搭載領域64の形成が省略され、チップ搭載領域62以外の領域がベース領域61となっている。また、実施の形態2においては、第1遮光部材59および第2遮光部材58も省略されている。実施の形態1においてベース板60の一方の主面60A上に配置される他の部材については、一方の主面60Aに垂直な方向から平面的に見て、同様に配置されている。また、第1ミラー搭載領域65についても、一方の主面60Aに垂直な方向から平面的に見て、実施の形態1の場合と同様の位置に形成されている。そして、第1ミラー搭載領域65上に、第1ミラー69が配置されている。
さらに、実施の形態2の光モジュール1は、ベース板60の搭載面であるチップ搭載領域62に垂直な方向において、チップ搭載領域62とは異なる高さ、より具体的にはチップ搭載領域62よりも高さの高い領域に走査部120を保持する走査部保持部材57を備えている。走査部保持部材57は、第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93が存在する領域を跨ぐように、ベース領域61上に配置されている。走査部保持部材57は、平板状の保持部57Bと、保持部57Bをベース領域61に対して支持する一対の脚部57Aとを含んでいる。保持部57Bの一対の主面がベース領域61に沿って配置されるように、より具体的には保持部57Bの一対の主面がベース領域61と平行になるように、走査部保持部材57は設置されている。そして、保持部57Bの一方の主面上(ベース領域61に面する側とは反対側の主面上)に、走査部120が設置されている。このように、ベース板60上において、半導体発光素子、レンズ、フィルタ等が配置される階層と、走査部120が配置される階層とを分離することにより、半導体発光素子が配置される領域からの迷光が走査部120に到達することを有効に抑制することができる。
なお、実施の形態2では、第1遮光部材59および第2遮光部材58が省略される場合について説明したが、実施の形態2の構造において第1遮光部材59および第2遮光部材58を実施の形態1の場合と同様に配置してもよい。
また、上記実施の形態においては、3個の半導体発光素子からの光が合波される場合について説明したが、半導体発光素子は2個であってもよく、4個以上であってもよい。また、上記実施の形態においては、半導体発光素子としてレーザダイオードが採用される場合について説明したが、半導体発光素子として、たとえば発光ダイオードが採用されてもよい。また、上記実施の形態においては、第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99として波長選択性フィルタが採用される場合を例示したが、これらのフィルタは、たとえば偏波合成フィルタであってもよい。また、上記実施の形態においては、半導体発光素子としてチップ状のレーザダイオードが採用される場合について説明したが、半導体発光素子としては、レーザダイオードのチップが、たとえば金属製の容器内に封入された構造を有するものが採用されてもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、請求の範囲によって規定され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 光モジュール、2 保護部材、3 発光部、10 基部、10A,10B 主面、20 光形成部、30 電子冷却モジュール、31 吸熱板、32 放熱板、33 半導体柱、40 キャップ、41 第1の窓、42 第2の窓、51 リードピン、57 走査部保持部材、57A 脚部、57B 保持部、58 第2遮光部材、58A 第4貫通孔、58B 第5貫通孔、58C 第6貫通孔、59 第1遮光部材、59A 第1貫通孔、59B 第2貫通孔、59C 第3貫通孔、60 ベース板、60A,60B,61 ベース領域、62 チップ搭載領域、63 レンズ搭載領域、64 フィルタ搭載領域、65 第1ミラー搭載領域、66 第1支持板、66A,67A,68A 表面、67 第2支持板、68 第3支持板、69 第1ミラー、71 第1サブマウント、72 第2サブマウント、73 第3サブマウント、74 第4フィルタ、75 第5フィルタ、76 第6フィルタ、81 赤色レーザダイオード、82 緑色レーザダイオード、83 青色レーザダイオード、91 第1レンズ、91A,92A,93A レンズ部、92 第2レンズ、93 第3レンズ、94 第1フォトダイオード、94A 受光部、95 第2フォトダイオード、95A 受光部、96 第3フォトダイオード、96A 受光部、97 第1フィルタ、98 第2フィルタ、99 第3フィルタ、110 ミラー機構、111 第1支持部材、112 第2支持部材、112A 貫通孔、113 第3支持部材、114 第2ミラー、115 ミラー保持部、120 走査部、121 走査ミラー

Claims (10)

  1. 光を発生するように構成された発光部と、
    前記発光部が発生した前記光を反射するように構成されたミラー機構と、
    前記ミラー機構が反射した光を走査するように構成された走査部と、を備え、
    前記発光部は、複数の半導体発光素子と前記複数の半導体発光素子からの光を合波するフィルタとを含む光形成部と、前記光形成部を取り囲むように配置された保護部材と、を有し、
    前記ミラー機構は、前記保護部材の外部に前記保護部材と一体に設けられ、
    前記走査部は、前記保護部材によって取り囲まれた領域に設けられている、
    光モジュール。
  2. 前記光形成部は、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに対応して設けられた複数の貫通孔を有する部材を含み、前記複数の貫通孔のそれぞれは前記複数の半導体発光素子それぞれからの光のみが通過するように構成されている、請求項1に記載の光モジュール。
  3. 前記光形成部において前記複数の半導体発光素子が搭載される面である搭載面に垂直な方向において、前記搭載面とは異なる高さに前記走査部を保持する走査部保持部材をさらに備える、請求項1または請求項2に記載の光モジュール。
  4. 前記ミラー機構は、
    前記発光部が発生した前記光を反射するミラーと、
    前記保護部材に設置され、前記ミラーを保持するミラー保持部と、を含む、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の光モジュール。
  5. 前記保護部材には、前記発光部から前記ミラー機構に向かう光が出射する第1の窓と、前記ミラー機構によって反射され前記走査部に向かう光が入射する第2の窓と、が設けられている、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の光モジュール。
  6. 前記走査部によって走査された光は、前記第2の窓を通って前記保護部材の外部へと出射する、請求項5に記載の光モジュール。
  7. 前記保護部材は、内部を気密状態とする気密部材である、請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の光モジュール。
  8. 前記複数の半導体発光素子は、赤色の光を出射する第1半導体発光素子、緑色の光を出射する第2半導体発光素子および青色の光を出射する第3半導体発光素子を含む、請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の光モジュール。
  9. 前記複数の半導体発光素子はそれぞれがレーザダイオードである、請求項1~請求項8のいずれか1項に記載の光モジュール。
  10. 光を発生するように構成された発光部と、
    前記発光部が発生した前記光を反射するように構成されたミラー機構と、
    前記ミラー機構が反射した光を走査するように構成された走査部と、を備え、
    前記発光部は、複数のレーザダイオードと前記複数のレーザダイオードからの光を合波するフィルタとを含む光形成部と、前記光形成部を取り囲むように配置された保護部材と、を有し、
    前記ミラー機構は、前記保護部材の外部に前記保護部材と一体に設けられ、前記発光部が発生した前記光を反射するミラーと、前記保護部材に設置され、前記ミラーを保持するミラー保持部と、を含み、
    前記走査部は、前記保護部材によって取り囲まれた領域に設けられており、
    前記保護部材には、前記発光部から前記ミラー機構に向かう光が出射する第1の窓と、前記ミラー機構によって反射され前記走査部に向かう光が入射する第2の窓と、が設けられており、
    前記走査部によって走査された光は、前記第2の窓を通って前記保護部材の外部へと出射する、
    光モジュール。
JP2019546657A 2017-10-05 2018-09-27 光モジュール Active JP6996567B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017195304 2017-10-05
JP2017195304 2017-10-05
PCT/JP2018/035866 WO2019069775A1 (ja) 2017-10-05 2018-09-27 光モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019069775A1 JPWO2019069775A1 (ja) 2020-10-22
JP6996567B2 true JP6996567B2 (ja) 2022-01-17

Family

ID=65995184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019546657A Active JP6996567B2 (ja) 2017-10-05 2018-09-27 光モジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11431147B2 (ja)
JP (1) JP6996567B2 (ja)
DE (1) DE112018004438T5 (ja)
WO (1) WO2019069775A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019185002A (ja) * 2018-04-11 2019-10-24 ソニー株式会社 顕微鏡システム及び医療用光源装置
JP7302313B2 (ja) * 2019-06-12 2023-07-04 住友電気工業株式会社 光モジュール

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009533715A (ja) 2006-04-11 2009-09-17 マイクロビジョン,インク. 統合型および統合型フォトニクスモジュールを用いたデバイス
US20100141896A1 (en) 2008-12-10 2010-06-10 Hc Photonics Corp. Wavelength converter and green light source and projection apparatus using the same
JP2013190594A (ja) 2012-03-14 2013-09-26 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 光モジュールおよび走査型画像表示装置
JP2016015415A (ja) 2014-07-02 2016-01-28 住友電気工業株式会社 三色光光源

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014056199A (ja) 2012-09-14 2014-03-27 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 走査型投影装置
JP2014186068A (ja) 2013-03-22 2014-10-02 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 画像表示装置
JP6608329B2 (ja) 2016-04-21 2019-11-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009533715A (ja) 2006-04-11 2009-09-17 マイクロビジョン,インク. 統合型および統合型フォトニクスモジュールを用いたデバイス
US20100141896A1 (en) 2008-12-10 2010-06-10 Hc Photonics Corp. Wavelength converter and green light source and projection apparatus using the same
JP2013190594A (ja) 2012-03-14 2013-09-26 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 光モジュールおよび走査型画像表示装置
JP2016015415A (ja) 2014-07-02 2016-01-28 住友電気工業株式会社 三色光光源

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019069775A1 (ja) 2019-04-11
JPWO2019069775A1 (ja) 2020-10-22
US11431147B2 (en) 2022-08-30
DE112018004438T5 (de) 2020-05-20
US20200287348A1 (en) 2020-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6413675B2 (ja) 光モジュール
JP6711333B2 (ja) 発光装置
KR20130063491A (ko) 반도체 레이저 광원
JP6996567B2 (ja) 光モジュール
US10795248B2 (en) Light source device and projector
US10320147B2 (en) Wavelength conversion member and light emitting device
JP2016092364A (ja) 発光装置及び灯具
US11609423B2 (en) Mirror driving mechanism and optical module
CN107251344B (zh) 光学模块
JP2023002753A (ja) 光モジュール
WO2016067899A1 (ja) 蛍光光源装置
US20190361329A1 (en) Light source device, projector, and method of manufacturing light source device
JP7190065B2 (ja) 発光装置、光源ユニット、光源装置、および光ファイバレーザ
US20150198305A1 (en) Light Source System
JP6819677B2 (ja) 光モジュール
JP6958122B2 (ja) 光モジュール
WO2021241332A1 (ja) 光導波路パッケージおよび発光装置
JP7310341B2 (ja) 光モジュール
US10824064B2 (en) Light source device and projector
TWI628482B (zh) 光插座以及光模組
JP7040185B2 (ja) 光モジュール
JP7418952B2 (ja) 光モジュール
US20210257814A1 (en) Optical module
JP7302313B2 (ja) 光モジュール
JP7172890B2 (ja) 光モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211116

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211129

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6996567

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150