JP2015537238A - 反射防止レンズおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)第1の屈折率および約5〜100nmの厚さをもつ第1の材料の第1の層を超疎水性材料の層の上に形成する工程;
(2)第2の屈折率および約40〜50nmの厚さをもつ第2の材料の第2の層を、第1の層に形成する工程;
(3)第1の屈折率および約10〜20nmの厚さをもつ第1の材料の第3の層を、第2の層に形成する工程;
(4)第2の屈折率および約50〜70nmの厚さをもつ第2の材料の第4の層を、第3の層に形成する工程;
(5)第1の屈折率および約25〜40nmの厚さをもつ第1の材料の第5の層を、第4の層に形成する工程;
(6)第2の屈折率および約10〜25nmの厚さをもつ第2の材料の第6の層を、第5の層に形成する工程;ならびに
(7)第1の屈折率および約5〜15nmの厚さをもつ第1の材料の第7の層を、第6の層に形成する工程
によって実施することができる。
発明の全体像
発明の実施および実施例
(1)型302の光学面304を洗浄する。本発明の一実施形態では、プラズマ洗浄が型表面で約2分間行われる。
(2)光学面304に、約45nmの厚さをもつMgF2の層305を形成する。
(3)層305の上に、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層306を形成する、ここで、超疎水性材料は、超疎水性材料に対して約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する。
(4)層306に、イオンアシストを用いずに、約5〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層310を形成する。
(5)層310に、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積されるSiO2の層312を形成する。
(6)層312に、約40〜50nmの厚さをもつZrO2の層314を形成する。
(7)層314に、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積されるSiO2の層316を形成する。
(8)層316に、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の層318を形成する。
(9)層318に、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層320を形成する。
(10)層320に、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の層322を形成する。
(11)層322に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されるSiO2の層324を形成する。
(12)層324に、ディップコーティングまたは蒸着を用いて単層の厚さで堆積されるカップリング剤の層326を形成する。
(1)型402の光学面404を洗浄する。本発明の一実施形態では、プラズマ洗浄が型表面で約2分間行われる。
(2)光学面404の上に、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層406を形成する。ここで、超疎水性材料は、超疎水性材料に対して約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する。
(3)層406に、イオンアシストを用いて約60〜120nmの厚さで堆積されるSiO2の層412を形成する。
(4)層412に、約40〜50nmの厚さをもつZrO2の層414を形成する。
(5)層414に、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積されるSiO2の層416を形成する。
(6)層416に、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の層418を形成する。
(7)層418に、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層420を形成する。
(8)層420に、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の層422を形成する。
(9)層422に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されるSiO2の層424を形成する。
(10)層424に、ディップコーティングまたは蒸着を用いて単層の厚さで堆積されるカップリング剤の層426を形成する。
(1)型502の光学面504を洗浄する。本発明の一実施形態では、プラズマ洗浄が型表面で約2分間行われる。
(2)光学面504の上に、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層506を形成する。ここで、超疎水性材料は、約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する。
(3)層506に、イオンアシストを用いずに、約5〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層510を形成する。
(4)層510に、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積されるSiO2の層512を形成する。
(5)層512に、約40〜50nmの厚さをもつZrO2の層514を形成する。
(6)層514に、イオンアシストを用いずに厚さ約10〜20nmで堆積されるSiO2の層516を形成する。
(7)層516に、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の層518を形成する。
(8)層518に、イオンアシストを用いずに、約25〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層520を形成する。
(9)層520に、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の層522を形成する。
(10)層522に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されるSiO2の層524を形成する。
(11)層524に、ディップコーティングまたは蒸着を用いて単層の厚さで堆積されるカップリング剤の層526を形成する。
(1)型602の光学面604を洗浄する。本発明の一実施形態では、プラズマ洗浄が型表面で約2分間行われる。
(2)光学面604の上に、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層606を形成する。ここで、超疎水性材料は、超疎水性材料に対して約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する。
(3)層606に、イオンアシストを用いずに、約5〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層610を形成する。
(4)層610に、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積されるSiO2の層612を形成する。
(5)層612に、約40〜50nmの厚さをもつZrO2の層614を形成する。
(6)層614に、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積されるSiO2の層616を形成する。
(7)層616に、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の層618を形成する。
(8)層618に、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層620を形成する。
(9)層620に、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の層622を形成する。
(10)層622に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されるSiO2の層624を形成する。
(11)層624に、蒸着を用いて単層の厚さで堆積されるカップリング剤の層626を形成する。
(1)型の対応する光学面が、実施例3〜6に例示されるように本発明の様々な実施形態の1つに従ってARコーティングされた型である、前型と後型からなる一対の光学型を、非プロトン性の環境を作り出すために所定の圧力で排気される真空チャンバに入れる。このチャンバの中に導入されるとカップリング剤は気化する。
(2)カップリング剤を密封したチャンバに導入し、最低10分間、各々のARコーティングによってコーティングし、反応させる。
(3)チャンバを排気して元の(カップリング剤の前の)所定の圧力にして、過剰なカップリング剤を除去する。
(4)真空を解除し、光学金型装置をチャンバから取り出す。その後、ハードコートを適用することができる。
(1)カップリング剤の非プロトン性溶媒中の溶液を調製する(最小0.05%)。非プロトン性溶媒の例としては、トルエン、ベンゼン、石油エーテル、またはその他の炭化水素溶媒が挙げられる。
(2)実施例3〜6に例示されるように本発明の様々な実施形態の1つに従って調製した、ARコーティングされた型を、室温で最低5分間、溶液に触れさせる(または溶液で処理する)。
(3)処理した型を溶液から取り出し、エタノールまたは同様の溶媒ですすぐ。
(4)次に、型を風乾する。その後、ハードコートを適用することができる。
光学面304を有するレンズ型302を準備する工程;
光学面304に、イオンアシストされた、約45nmの厚さをもつMgF2の層305を形成する工程;
層305の上に、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層306を形成する工程、ここで超疎水性材料は、超疎水性材料に対して約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する;
層306に、イオンアシストを用いずに、約5〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層310を形成する工程;
層310に、反射防止コーティングの層状構造311を形成する工程;および
層324に、蒸着を用いて堆積され、単層の厚さをもつカップリング剤の層326を形成する工程
が含まれる。
(1)層310に、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積されるSiO2の層312を形成する工程;
(2)層312に、約40〜50nmの厚さをもつZrO2の層314を形成する工程;
(3)層314に、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積されるSiO2の層316を形成する工程;
(4)層316に、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の層318を形成する工程;
(5)層318に、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層320を形成する工程;
(6)層320に、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の層322を形成する工程;および
(7)層322に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されるSiO2の層324を形成する工程
によって形成され得る。
(1)層310に、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層312を形成する工程;
(2)層312に、約40〜50nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の層314を形成する工程;
(3)層314に、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層316を形成する工程;
(4)層316に、約50〜70nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の層318を形成する工程;
(5)層318に、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層320を形成する工程;
(6)層320に、約10〜25nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の層322を形成する工程;および
(7)層322に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層324を形成する工程
によって形成され得る。
型302の光学面304に堆積した、5〜100nmの厚さでイオンアシストされるSiO2の層305;
層305の上の約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層306、ここで、超疎水性材料は、超疎水性材料に対して約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する;
層306に堆積した、イオンアシストを用いずに、約5〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層310;
層310に堆積した、反射防止コーティングの層状構造311;および
層324に堆積した、蒸着を用いて単層の厚さで堆積されるカップリング剤の層326
を有する。
(1)層310に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積されるSiO2の層312;
(2)層312に堆積した、約40〜50nmの厚さをもつZrO2の層314;
(3)層314に堆積した、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積されるSiO2の層316;
(4)層316に堆積した、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の層318;
(5)層318に堆積した、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層320;
(6)層320に堆積した、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の層322;および
(7)層322に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されるSiO2の層324
を有する。
(1)層310に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層312;
(2)層312に堆積した、約40〜50nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の層314;
(3)層314に堆積した、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層316;
(4)層316に堆積した、約50〜70nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の層318;
(5)層318に堆積した、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層320;
(6)層320に堆積した、約10〜25nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の層322;および
(7)層322に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層324
で形成される。
層305の上の、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層306、ここで、超疎水性材料は、超疎水性材料に対して約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する;
層306に堆積した、イオンアシストを用いずに、約5〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層310;
層310に堆積した、反射防止コーティングの層状構造311;および
層324に堆積し、光学面とカップリングした、蒸着を用いて単層の厚さで堆積されるカップリング剤の層326
で形成される。
(1)層310に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積されるSiO2の層312;
(2)層312に堆積した、約40〜50nmの厚さをもつZrO2の層314;
(3)層314に堆積した、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積されるSiO2の層316;
(4)層316に堆積した、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の層318;
(5)層318に堆積した、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の層320;
(6)層320に堆積した、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の層322;および
(7)層322に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されるSiO2の層324
を有する。
(1)層310に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層312;
(2)層312に堆積した、約40〜50nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の層314;
(3)層314に堆積した、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層316;
(4)層316に堆積した、約50〜70nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の層318;
(5)層318に堆積した、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層320;
(6)層320に堆積した、約10〜25nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の層322;および
(7)層322に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の層324
で形成される反射防止コーティングの層状構造311を有する。
光学面304、404、504または604を有するレンズ型302、402、502または602を準備する工程;
光学面304、404、504または604の上に、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層306、406、506または606を形成する工程、ここで、超疎水性材料は、超疎水性材料に対して約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する;
層306、406、506または606の上に、反射防止コーティングの層状構造311、411、511または611を形成する工程;および
反射防止コーティングの層状構造311、411、511または611の上に、ディップコーティングまたは蒸着を用いて単層の厚さで堆積されるカップリング剤の層326、426、526または626を形成する工程
を有する。
(1)層306、406、506または606の上に、第1の屈折率および約5〜100nmの厚さをもつ第1の材料の層312、412、512または612を形成する工程;
(2)層312、412、512または612に、第2の屈折率および約40〜50nmの厚さをもつ第2の材料の層314、414、514または614を形成する工程;
(3)層314、414、514または614に、第1の屈折率および約10〜20nmの厚さをもつ第1の材料の層316、416、516または616を形成する工程;
(4)層316、416、516または616に、第2の屈折率および約50〜70nmの厚さをもつ第2の材料の層318、418、518または618を形成する工程;
(5)第1の屈折率および約25〜40nmの厚さをもつ第1の材料の層320、420、520または620を、層318、418、518または618に形成する工程;
(6)第2の屈折率および約10〜25nmの厚さをもつ第2の材料の層322、422、522または622を、層320、420、520または620に形成する工程;および
(7)第1の屈折率および約5〜15nmの厚さをもつ第1の材料の層324、424、524または624を、層322、422、522または622に形成する工程
によって実施することができる。
型302、402、502または602の光学面304、404、504または604の上に堆積した、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層306、406、506または606、ここで、超疎水性材料は、超疎水性材料に対して約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する;
層306、406、506または606の上に堆積した反射防止コーティングの層状構造311、411、511または611;および
反射防止コーティングの層状構造311、411、511または611の上に堆積した、ディップコーティングまたは蒸着を用いて単層の厚さで堆積されるカップリング剤の層326、426、526または626
を有する。
(1)層306、406、506または606の上に堆積した、第1の屈折率および約5〜100nmの厚さをもつ第1の材料の層312、412、512または612;
(2)層312、412、512または612に堆積した、第2の屈折率および約40〜50nmの厚さをもつ第2の材料の層314、414、514または614;
(3)層314、414、514または614に堆積した、第1の屈折率および約10〜20nmの厚さをもつ第1の材料の層316、416、516または616;
(4)層316、416、516または616に堆積した、第2の屈折率および約50〜70nmの厚さをもつ第2の材料の層318、418、518または618;
(5)層318、418、518または618に堆積した、第1の屈折率および約25〜40nmの厚さをもつ第1の材料の層320、420、520または620;
(6)層320、420、520または620に堆積した、第2の屈折率および約10〜25nmの厚さをもつ第2の材料の層322、422、522または622;ならびに
(7)層322、422、522または622に堆積した、第1の屈折率および約5〜15nmの厚さをもつ第1の材料の層324、424、524または624
を有する。
型302、402、502または602の光学面304、404、504または604の上に堆積した、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性材料の層306、406、506または606、ここで、超疎水性材料は、超疎水性材料に対して約1.7〜8.3重量%のダイポーダルシランを含有する;
層306、406、506または606の上に堆積した、反射防止コーティングの層状構造311、411、511または611;および
反射防止コーティングの層状構造311、411、511または611の上に堆積し、光学面とカップリングした、蒸着を用いて単層の厚さで堆積されるカップリング剤の層326、426、526または626
を有する。
(1)層306、406、506または606の上に堆積した、第1の屈折率および約5〜100nmの厚さをもつ第1の材料の層312、412、512または612;
(2)層312、412、512または612に堆積した、第2の屈折率および約40〜50nmの厚さをもつ第2の材料の層314、414、514または614;
(3)層314、414、514または614に堆積した、第1の屈折率および約10〜20nmの厚さをもつ第1の材料の層316、416、516または616;
(4)層316、416、516または616に堆積した、第2の屈折率および約50〜70nmの厚さをもつ第2の材料の層318、418、518または618;
(5)層318、418、518または618に堆積した、第1の屈折率および約25〜40nmの厚さをもつ第1の材料の層320、420、520または620;
(6)層320、420、520または620に堆積した、第2の屈折率および約10〜25nmの厚さをもつ第2の材料の層322、422、522または622;および
(7)層322、422、522または622に堆積した、第1の屈折率および約5〜15nmの厚さをもつ第1の材料の層324、424、524または624
で形成される。
Claims (67)
- 反射防止コーティングを型の光学面に適用するための方法であって、
(a)光学面を有するレンズ型を準備する工程;
(b)フッ化物または酸化物材料の堆積層を、前記レンズ型の前記光学面に形成する工程;
(c)疎水性材料の層を前記堆積層の上に形成する工程であって、前記疎水性材料が、前記疎水性材料の相対的な百分率である一定量のダイポーダルシランを含有するものである、工程;
(d)約5〜40nmの厚さをもつSiO2の第1の層を、前記疎水性材料の前記層の上に形成する工程;
(e)反射防止コーティングの層状構造を、前記SiO2の第1の層の上に形成する工程;および
(f)非プロトン性条件下での蒸着を用いるか、または非プロトン性溶媒中のシランカップリング剤の溶液を用いるディップコーティングによって、前記反射防止コーティングの層状構造に単層の厚さで堆積されるシランカップリング剤の層を形成する工程
を含む、方法。 - 前記堆積層が、それに続く全ての層が互いに付着しているままであるように、前記型表面と前記疎水性層との間の一時的粘着を提供するように適合化されている、請求項1に記載の方法。
- 前記堆積層が、LiF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LaF3、CeF3、HfF4、NdF4、SiO2、ZrO2、Al2O3、Cr2O3、HfO2、In2O3、Ta2O5、TiO2、Y2O3、またはそれらの組合せで形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記堆積層が、イオンアシストを用いてMgF2で形成され、約45nmの厚さを有する、請求項3に記載の方法。
- 前記疎水性層が、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性層であり、前記ダイポーダルシランの量が、前記超疎水性材料の約1.7〜8.3重量%である、請求項1に記載の方法。
- 反射防止コーティングの層状構造を、前記SiO2の第1の層の上に形成する前記工程が、
(a)前記SiO2の第1の層に、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積されるSiO2の第2の層を形成する工程;
(b)前記SiO2の第2の層に約40〜50nmの厚さをもつZrO2の第1の層を形成する工程;
(c)前記ZrO2の第1の層に、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積されるSiO2の第3の層を形成する工程;
(d)前記SiO2の第3の層に、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の第2の層を形成する工程;
(e)前記ZrO2の第2の層に、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の第4の層を形成する工程;
(f)前記SiO2の第4の層に、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の第3の層を形成する工程;および
(g)前記ZrO2の第3の層に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されるSiO2の第5の層を形成する工程
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記ダイポーダルシランが、ビス(トリメトキシシリルプロピル)アミンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記シランカップリング剤の前記層が、環状アザシランを含む組成物で形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記シランカップリング剤の前記層が、N−n−ブチル−アザ−2,2−ジメトキシ−シラシクロペンタンで形成される、請求項8に記載の方法。
- 反射防止コーティングの層状構造を、前記SiO2の第1の層に形成する前記工程が、
(a)前記SiO2の第1の層に、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の第1の層を形成する工程;
(b)前記第1の材料の前記第1の層に、約40〜50nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の第2の層を形成する工程;
(c)前記第2の材料の前記第2の層に、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積される、前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料の第3の層を形成する工程;
(d)前記第3の層に、約50〜70nmの厚さをもつ、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料の第4の層を形成する工程;
(d)前記第4の層に、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積される、前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料の第5の層を形成する工程;
(f)前記第5の層に、約10〜25nmの厚さをもつ、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料の第6の層を形成する工程;および
(g)前記第6の層に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積される、前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料の第7の層を形成する工程
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の屈折率Lおよび前記第2の屈折率Hが、H/L>1の比を満たす、請求項10に記載の方法。
- 前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料が、SiO2を含み、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料が、ZrO2を含む、請求項11に記載の方法。
- レンズの光学面に転写可能な、反射防止コーティングを有する光学面を備えた型であって、
(a)前記光学面に堆積したフッ化物または酸化物材料の堆積層;
(b)疎水性材料が前記疎水性材料の相対的な百分率である一定量のダイポーダルシランを含有する、前記堆積層の上の前記疎水性材料の層;
(c)前記疎水性材料の層に堆積した、イオンアシストを用いずに、約5〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の第1の層;
(d)前記SiO2の第1の層に堆積した、反射防止コーティングの層状構造;および
(e)前記反射防止コーティングの層状構造の上に堆積される、蒸着を用いて単層の厚さで堆積された、または非プロトン性溶媒中のシランカップリング剤の溶液を用いるディップコーティングによって堆積された、シランカップリング剤の層
を含む型。 - 前記堆積層が、それに続く全ての層が互いに付着しているままであるように、前記型表面と前記疎水性層との間の一時的粘着を提供するように適合化されている、請求項13に記載の型。
- 前記堆積層が、LiF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LaF3、CeF3、HfF4、NdF4、SiO2、ZrO2、Al2O3、Cr2O3、HfO2、In2O3、Ta2O5、TiO2、Y2O3、またはそれらの組合せで形成される、請求項13に記載の型。
- 前記第1の堆積層が、イオンアシストを用いてMgF2で形成され、約45nmの厚さを有する、請求項14に記載の型。
- 前記疎水性層が、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性層であり、前記ダイポーダルシランの量が、前記超疎水性材料の1.7〜8.3%である、請求項13に記載の型。
- 前記反射防止コーティングの層状構造が:
(a)前記SiO2の第1の層に、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積されたSiO2の第2の層;
(b)前記SiO2の第2の層に堆積した、約40〜50nmの厚さをもつZrO2の第1の層;
(c)前記ZrO2の第1の層に、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積されたSiO2の第3の層;
(d)前記SiO2の第3の層に堆積した、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の第2の層;
(e)前記ZrO2の第2の層に、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積されたSiO2の第4の層;
(f)前記SiO2の第4の層に堆積した、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の第3の層;および
(g)前記ZrO2の第3の層に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されたSiO2の第5の層
を含む、請求項13に記載の型。 - 前記ダイポーダルシランが、ビス(トリメトキシシリルプロピル)アミンを含む、請求項13に記載の型。
- 前記シランカップリング剤の前記層が、環状アザシランを含む組成物で形成される、請求項13に記載の型。
- 前記シランカップリング剤の前記層が、N−n−ブチル−アザ−2,2−ジメトキシ−シラシクロペンタンで形成される、請求項20に記載の型。
- 前記反射防止コーティングの層状構造が:
(a)前記SiO2の第2の層に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の第1の層;
(b)前記第1の材料の前記第1の層に堆積した、約40〜50nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の第2の層;
(c)前記第2の材料の前記第2の層に堆積した、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積される、前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料の第3の層;
(d)前記第3の層に堆積した、約50〜70nmの厚さをもつ、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料の第4の層;
(e)前記第4の層に堆積した、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積される、前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料の第5の層;
(f)前記第5の層に堆積した、約10〜25nmの厚さをもつ、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料の第6の層;および
(g)前記第6の層に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積される、前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料の第7の層
を含む、請求項13に記載の型。 - 前記第1の屈折率Lおよび前記第2の屈折率Hが、H/L>1の比を満たす、請求項22に記載の型。
- 前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料がSiO2を含み、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料がZrO2を含む、請求項23に記載の型。
- 光学面を備えるレンズ体;
前記光学面の上のハードコート層;および
前記光学面の上の反射防止コーティングを含む光学レンズであって、前記反射防止コーティングが:
(a)前記ハードコート層の上の、単層の厚さをもつシランカップリング剤の層;
(b)前記シランカップリング剤の前記層の上の反射防止コーティングの層状構造;
(c)前記シランカップリング剤の層の上の前記反射防止コーティングの層状構造の上の、イオンアシストを用いずに、約5〜40nmの厚さで堆積されるSiO2の第1の層;および
(d)前記SiO2の第1の層の上の疎水性材料の層であって、前記疎水性材料が前記疎水性材料の相対的な百分率である一定量のダイポーダルシランを含有する層
を含む、光学レンズ。 - 前記疎水性層が、約30〜40nmの厚さをもつ超疎水性層であり、前記ダイポーダルシランの量が、前記超疎水性材料の1.7〜8.3%である、請求項25に記載の光学レンズ。
- 前記反射防止コーティングの層状構造が:
(a)前記SiO2の第1の層に、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積されたSiO2の第2の層;
(b)前記SiO2の第2の層に堆積した、約40〜50nmの厚さをもつZrO2の第1の層;
(c)前記ZrO2の第1の層に、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積されたSiO2の第3の層;
(d)前記SiO2の第3の層に堆積した、約50〜70nmの厚さをもつZrO2の第2の層;
(e)前記ZrO2の第2の層に、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積されたSiO2の第4の層;
(f)前記SiO2の第4の層に堆積した、約10〜25nmの厚さをもつZrO2の第3の層;および
(g)前記ZrO2の第3の層に、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積されたSiO2の第5の層
を含む、請求項25に記載の光学レンズ。 - 前記ダイポーダルシランが、ビス(トリメトキシシリルプロピル)アミンを含む、請求項25に記載の光学レンズ。
- 前記シランカップリング剤の前記層が、環状アザシランを含む組成物で形成される、請求項25に記載の光学レンズ。
- 前記シランカップリング剤の前記層が、N−n−ブチル−アザ−2,2−ジメトキシ−シラシクロペンタンで形成される、請求項29に記載の光学レンズ。
- 前記反射防止コーティングの層状構造が:
(a)前記SiO2の第2の層に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜100nmの厚さで堆積される、第1の屈折率をもつ第1の材料の第1の層;
(b)前記第1の材料の前記第1の層に堆積した、約40〜50nmの厚さをもつ、第2の屈折率をもつ第2の材料の第2の層;
(c)前記第2の材料の前記第2の層に堆積した、イオンアシストを用いて約10〜20nmの厚さで堆積される、前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料の第3の層;
(d)前記第3の層に堆積した、約50〜70nmの厚さをもつ、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料の第4の層;
(e)前記第4の層に堆積した、イオンアシストを用いて約25〜40nmの厚さで堆積される、前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料の第5の層;
(f)前記第5の層に堆積した、約10〜25nmの厚さをもつ、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料の第6の層;および
(g)前記第6の層に堆積した、イオンアシストを用いて約5〜15nmの厚さで堆積される、前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料の第7の層
を含む、請求項25に記載の光学レンズ。 - 前記第1の屈折率Lおよび前記第2の屈折率Hが、H/L>1の比を満たす、請求項31に記載の光学レンズ。
- 前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料がSiO2を含み、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料がZrO2を含む、請求項32に記載の光学レンズ。
- 反射防止コーティングを型の光学面に適用するための方法であって、
(a)光学面を有するレンズ型を準備する工程;
(b)疎水性材料の層を前記光学面の上に形成する工程であって、前記疎水性材料が、前記疎水性材料の相対的な百分率である一定量のダイポーダルシランを含有する、工程;
(c)反射防止コーティングの層状構造を前記疎水性材料の前記層の上に形成する工程;および
(d)非プロトン性条件下での蒸着を用いて、または非プロトン性溶媒中のカップリング剤の溶液を用いるディップコーティングによって、前記反射防止コーティングの層状構造に単層の厚さで堆積されたカップリング剤の層を形成する工程
を含む方法。 - 前記疎水性層が超疎水性層であり、前記ダイポーダルシランの量が、前記超疎水性材料の約1.7〜8.3重量%である、請求項34に記載の方法。
- 前記層の上に反射防止コーティングの層状構造を形成する工程が:
(a)第1の屈折率および約5〜100nmの厚さをもつ第1の材料の第1の層を、前記超疎水性材料の前記層の上に形成する工程;
(b)第2の屈折率および約40〜50nmの厚さをもつ第2の材料の第2の層を、前記第1の層に形成する工程;
(c)前記第1の屈折率および約10〜20nmの厚さをもつ前記第1の材料の第3の層を、前記第2の層に形成する工程;
(d)前記第2の屈折率および約50〜70nmの厚さをもつ前記第2の材料の第4の層を、前記第3の層に形成する工程;
(e)前記第1の屈折率および約25〜40nmの厚さをもつ前記第1の材料の第5の層を、前記第4の層に形成する工程;
(f)前記第2の屈折率および約10〜25nmの厚さをもつ前記第2の材料の第6の層を、前記第5の層に形成する工程;および
(g)前記第1の屈折率および約5〜15nmの厚さをもつ前記第1の材料の第7の層を、前記第6の層に形成する工程
をさらに含む、請求項34に記載の方法。 - 前記第1の屈折率Lおよび前記第2の屈折率Hが、H/L>1の比を満たす、請求項36に記載の方法。
- 前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料がSiO2であり、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料がZrO2である、請求項37に記載の方法。
- 前記光学面の上に前記疎水性材料の層を形成する前記工程の前に、フッ化物または酸化物材料の堆積層を、前記レンズ型の前記光学面に形成する工程をさらに含む、請求項34に記載の方法。
- 前記堆積層が、LiF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LaF3、CeF3、HfF4、NdF4、SiO2、ZrO2、Al2O3、Cr2O3、HfO2、In2O3、Ta2O5、TiO2、Y2O3、またはそれらの組合せで形成される、請求項39に記載の方法。
- 前記反射防止コーティングの層状構造を前記疎水性材料の前記層の上に形成する前記工程の前に、SiO2の第8の層が、前記超疎水性材料の前記層と前記第1の材料の前記第1の層との間に形成されるように、イオンアシストを用いずに5〜40nmの厚さで前記疎水性材料の前記層の上に堆積される前記SiO2の第8の層を形成する工程をさらに含む、請求項38に記載の方法。
- SiO2の各層が、イオンアシストを用いてまたはイオンアシストを用いずに堆積される、請求項38に記載の方法。
- 前記ダイポーダルシランが、ビス(トリメトキシシリルプロピル)アミンを含む、請求項34に記載の方法。
- 前記カップリング剤の層が、環状アザシランを含む組成物で形成される、請求項34に記載の方法。
- 前記カップリング剤の層が、N−n−ブチル−アザ−2,2−ジメトキシ−シラシクロペンタンで形成される、請求項44に記載の方法。
- レンズの光学面に転写可能な、反射防止コーティングを有する光学面を備えた型であって、
(a)前記型の光学面の上に堆積された疎水性材料の層であって、前記疎水性材料が、前記疎水性材料の相対的な百分率である一定量のダイポーダルシランを含有する層;
(b)前記疎水性材料の前記層の上に堆積された反射防止コーティングの層状構造;および
(c)蒸着を用いて、または非プロトン性溶媒中のカップリング剤の溶液を用いるディップコーティングによって前記反射防止コーティングの層状構造の上に単層の厚さで堆積されたカップリング剤の層
を含む型。 - 前記疎水性層が、超疎水性層であり、前記ダイポーダルシランの量が、前記超疎水性材料の約1.7〜8.3重量%である、請求項46に記載の型。
- 前記反射防止コーティングの層状構造が:
(a)前記疎水性材料の前記層の上に堆積した、第1の屈折率および約5〜100nmの厚さをもつ第1の材料の第1の層;
(b)前記第1の層に堆積した、第2の屈折率および約40〜50nmの厚さをもつ第2の材料の第2の層;
(c)前記第2の層に堆積した、前記第1の屈折率および約10〜20nmの厚さをもつ前記第1の材料の第3の層;
(d)前記第3の層に堆積した、前記第2の屈折率および約50〜70nmの厚さをもつ前記第2の材料の第4の層;
(e)前記第4の層に堆積した、前記第1の屈折率および約25〜40nmの厚さをもつ前記第1の材料の第5の層;
(f)前記第5の層に堆積した、前記第2の屈折率および約10〜25nmの厚さをもつ前記第2の材料の第6の層;ならびに
(g)前記第6の層に堆積した、前記第1の屈折率および約5〜15nmの厚さをもつ前記第1の材料の第7の層
を含む、請求項46に記載の型。 - 前記第1の屈折率Lおよび前記第2の屈折率Hが、H/L>1の比を満たす、請求項48に記載の型。
- 前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料がSiO2であり、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料がZrO2である、請求項49に記載の型。
- 前記疎水性材料の前記層と前記光学面との間に形成されたフッ化物または酸化物材料の堆積層をさらに含む、請求項47に記載の型。
- 前記堆積層が、LiF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LaF3、CeF3、HfF4、NdF4、SiO2、ZrO2、Al2O3、Cr2O3、HfO2、In2O3、Ta2O5、TiO2、Y2O3、またはそれらの組合せで形成される、請求項51に記載の型。
- SiO2の層が前記疎水性材料の前記層と前記第1の材料の前記第1の層との間に形成されるように、イオンアシストを用いずに5〜40nmの厚さで前記疎水性材料の前記層の上に堆積される前記SiO2の層をさらに含む、請求項48に記載の型。
- SiO2の各層が、イオンアシストを用いてまたはイオンアシストを用いずに堆積される、請求項50に記載の型。
- 前記ダイポーダルシランが、ビス(トリメトキシシリルプロピル)アミンを含む、請求項46に記載の型。
- 前記カップリング剤の前記層が、環状アザシランを含む組成物で形成される、請求項46に記載の型。
- 前記カップリング剤の前記層が、N−n−ブチル−アザ−2,2−ジメトキシ−シラシクロペンタンで形成される、請求項56に記載の型。
- 光学面を備えるレンズ体;
前記光学面の上のハードコート層;および
前記光学面の上に形成された反射防止コーティング
を備える光学レンズであって、前記反射防止コーティングが:
(a)前記光学面の上に堆積した、単層の厚さをもつカップリング剤の層;
(b)前記カップリング剤の前記層の上に堆積した、反射防止コーティングの層状構造;および
(c)疎水性材料が、前記疎水性材料の相対的な百分率である一定量のダイポーダルシランを含有する、前記反射防止コーティングの層状構造の上に堆積した前記疎水性材料の層を含む、光学レンズ。 - 前記疎水性層が超疎水性層であり、前記ダイポーダルシランの量が前記超疎水性材料の約1.7〜8.3重量%である、請求項58に記載の光学レンズ。
- 前記反射防止コーティングの層状構造が:
(a)前記疎水性材料の層の上に堆積した、第1の屈折率および約5〜100nmの厚さをもつ第1の材料の第1の層;
(b)前記第1の層に堆積した、第2の屈折率および約40〜50nmの厚さをもつ第2の材料の第2の層;
(c)前記第2の層に堆積した、前記第1の屈折率および約10〜20nmの厚さをもつ前記第1の材料の第3の層;
(d)前記第3の層に堆積した、前記第2の屈折率および約50〜70nmの厚さをもつ前記第2の材料の第4の層;
(e)前記第4の層に堆積した、前記第1の屈折率および約25〜40nmの厚さをもつ前記第1の材料の第5の層;
(f)前記第5の層に堆積した、前記第2の屈折率および約10〜25nmの厚さをもつ前記第2の材料の第6の層;ならびに
(g)前記第6の層に堆積した、前記第1の屈折率および約5〜15nmの厚さをもつ前記第1の材料の第7の層
を含む、請求項58に記載の光学レンズ。 - 前記第1の屈折率Lおよび前記第2の屈折率Hが、H/L>1の比を満たす、請求項60に記載の光学レンズ。
- 前記第1の屈折率をもつ前記第1の材料がSiO2であり、前記第2の屈折率をもつ前記第2の材料がZrO2である、請求項62に記載の光学レンズ。
- SiO2の層が、前記疎水性材料の前記層と前記第1の材料の前記第1の層との間に形成されるように、イオンアシストを用いずに、約5〜40nmの厚さで、前記疎水性材料の前記層の上に堆積される前記SiO2の層をさらに含む、請求項60に記載の光学レンズ。
- SiO2の各層が、イオンアシストを用いてまたはイオンアシストを用いずに堆積される、請求項62に記載の光学レンズ。
- 前記ダイポーダルシランが、ビス(トリメトキシシリルプロピル)アミンを含む、請求項58に記載の光学レンズ。
- 前記カップリング剤の前記層が、環状アザシランを含む組成物で形成される、請求項58に記載の光学レンズ。
- 前記カップリング剤の前記層が、N−n−ブチル−アザ−2,2−ジメトキシ−シラシクロペンタンで形成される、請求項66に記載の光学レンズ。
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