KR20220069619A - 조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시 장치, 물품 및 물품 제조방법 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- -1 cyclic silane compound Chemical class 0.000 claims abstract description 146
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 130
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 130
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 130
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims abstract description 125
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 101
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims abstract description 99
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 claims description 51
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 49
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 39
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 37
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 36
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 34
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 13
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 claims description 6
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 5
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 18
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- HCBRSIIGBBDDCD-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoro-3-(1,1,2,2-tetrafluoroethoxy)propane Chemical compound FC(F)C(F)(F)COC(F)(F)C(F)F HCBRSIIGBBDDCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- ZDCRNXMZSKCKRF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 4-(4-bromoanilino)piperidine-1-carboxylate Chemical compound C1CN(C(=O)OC(C)(C)C)CCC1NC1=CC=C(Br)C=C1 ZDCRNXMZSKCKRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 150000004759 cyclic silanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical group OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000000027 (C1-C10) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- BRNBYPNQQNFBEX-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-1,6,2-diazasilocane Chemical compound CO[Si]1(OC)CCCNCCN1 BRNBYPNQQNFBEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003562 2,2-dimethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003660 2,3-dimethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003469 3-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 230000003666 anti-fingerprint Effects 0.000 description 1
- 239000006116 anti-fingerprint coating Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane;platinum Chemical compound [Pt].C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005638 hydrazono group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000005415 substituted alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005156 substituted alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005703 substituted oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001712 tetrahydronaphthyl group Chemical group C1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
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Abstract
하기 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물; 및 하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시 장치, 물품 및 물품 제조방법이 제공된다:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2> <화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1, Q1, p1, q1, q2, q3, A1, A2, A3, R1, R2, R5, R8, R9, R3, R4, R6, R7, Ra, Rb, Ri, Rj, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 상세한 설명에서 정의된 바와 같다
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2> <화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1, Q1, p1, q1, q2, q3, A1, A2, A3, R1, R2, R5, R8, R9, R3, R4, R6, R7, Ra, Rb, Ri, Rj, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 상세한 설명에서 정의된 바와 같다
Description
조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시 장치, 물품 및 물품 제조방법에 관한 것이다.
스마트폰 또는 태블릿 PC와 같은 휴대용 전자기기는 다양한 기능을 가진 기능성 층이 적용된다.
근래 손가락이나 도구를 사용하여 접촉 위치를 인식하는 터치 스크린 패널이 보편화되고 있다.
터치 스크린 패널의 표면의 슬립성 및 터치감을 개선하기 위하여 표시 패널의 표면에 기능성 층이 적용된다.
기능성 층에 손가락이나 도구가 지속적 또는 반복적으로 접촉함에 의하여 기능성 층의 성능이 저하될 수 있다.
한 측면은 새로운 조성을 가짐에 의하여 향상된 내구성을 제공하는 조성물을 제공한다.
다른 측면에 따라 상기 조성물로부터 형성되는 필름을 제공한다.
또 다른 측면에 따라 상기 조성물로부터 형성되는 필름을 포함하는 표시장치를 제공한다.
또 다른 측면에 따라 상기 조성물로부터 형성되는 필름을 포함하는 물품을 제공한다.
또 다른 한 측면은 상기 물품의 제조방법을 제공한다.
한 측면에 따라
하기 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물; 및
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물이 제공된다:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2>
<화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
p1은 1 내지 10의 정수이고, q1, q2 및 q3는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
A1, A2, 및 A3는 서로 독립적으로 N-Ru, 또는 S이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra, Rb, Ri, 및 Rj는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 또는 히드록시기이고,
Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다.
다른 한 측면에 따라
화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함하거나,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 포함하거나,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함하는, 필름이 제공된다:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2>
<화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
p1은 1 내지 10의 정수이고, q1, q2 및 q3는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
A1, A2, 및 A3는 서로 독립적으로 N-Ru, 또는 S이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra, Rb, Ri, 및 Rj는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 또는 히드록시기이고,
Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다.
또 다른 한 측면에 따라,
화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함하는 필름,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 포함하는 필름, 또는
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함하는 필름을 포함하는 표시장치가 제공된다:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2>
<화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
p1은 1 내지 10의 정수이고, q1, q2 및 q3는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
A1, A2, 및 A3는 서로 독립적으로 N-Ru, 또는 S이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra, Rb, Ri, 및 Rj는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 또는 히드록시기이고,
Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다.
또 다른 한 측면에 따라,
기재; 및
상기 기재 상에 배치되는 필름을 포함하며,
상기 필름이
화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함하거나,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 포함하거나,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함하는, 물품이 제공된다:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2>
<화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
p1은 1 내지 10의 정수이고, q1, q2 및 q3는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
A1, A2, 및 A3는 서로 독립적으로 N-Ru, 또는 S이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra, Rb, Ri, 및 Rj는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 또는 히드록시기이고,
Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다.
또 다른 한 측면에 따라,
기재 상에 상기 조성물을 제공하여 필름을 배치하는 단계를 포함하는 물품 제조방법이 제공된다.
한 측면에 따르면, 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물과 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함함에 의하여, 이러한 조성물로부터 형성되는 필름 및 이를 포함하는 표시장치 및 물품의 내구성이 향상된다.
도 1은 일구현예에 따른 조성물로부터 기재 상에 형성된 필름의 구조 및 생성 메카니즘을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2는은 일 구현예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 다른 구현예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2는은 일 구현예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 다른 구현예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
다양한 구현예가 첨부 도면에 도시되었다. 그러나 본 창의적 사상은 많은 다른 형태로 구체화될 수 있으며, 본 명세서에 설명된 구현예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시가 철저하고 완전하게 이루어질 수 있도록 제공되며, 기술분야에서 통상의 지식을 가진 이들에게 본 창의적 사상의 범위를 충분히 전달할 것이다. 동일한 도면 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "위에" 있다고 언급될 때, 다른 구성 요소의 바로 위에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 구성 요소가 개재될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 대조적으로, 구성 요소가 다른 구성 요소의 "직접적으로 위에" 있다고 언급될 때, 그 사이에 구성 요소가 개재하지 않는다.
"제1", "제2", "제3" 등의 용어는 본 명세서에서 다양한 구성 요소, 성분, 영역, 층 및/또는 구역을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이들 구성 요소, 성분, 영역, 층 및/또는 구역은 이들 용어들에 의해 제한되어서는 안된다. 이들 용어는 하나의 구성 요소, 성분, 영역, 층 또는 구역을 다른 요소, 성분, 영역, 층 또는 구역과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서 이하에서 설명되는 제1 구성요소, 성분, 영역, 층 또는 구역은 본 명세서의 교시를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소, 성분, 영역, 층 또는 구역으로 지칭될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정한 구현예만을 설명하기 위한 것이며 본 창의적 사상을 제한하려는 것은 아니다. 본원에서 사용된 단수 형태는 내용이 명확하게 달리 지시하지 않는 한 "적어도 하나"를 포함하는 복수 형태를 포함하고자 한다. "적어도 하나"는 단수로 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "및/또는"의 용어는 목록 항목 중 하나 이상의 임의의 모든 조합을 포함한다. 상세한 설명에서 사용된 "포함한다" 및/또는 "포함하는"의 용어는 명시된 특징, 영역, 정수, 단계, 동작, 구성 요소 및/또는 성분의 존재를 특정하며, 하나 이상의 다른 특징, 영역, 정수, 단계, 동작, 구성 요소, 성분 및/또는 이들의 그룹의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
"밑", "아래쪽", "하부", "위", "위쪽", "상부" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어는 하나의 구성 요소 또는 특징의 다른 구성 요소 또는 특징에 대한 관계를 용이하게 기술하기 위하여 여기에서 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 방향에 추가하여 사용 또는 작동시 장치의 상이한 방향을 포함하도록 의도된 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, 도면의 장치가 뒤집힌다면, 다른 구성 요소 또는 특징의 "밑" 또는 "아래"로 기술된 구성 요소는 다른 구성 요소 또는 특징의 "위"에 배향될 것이다. 따라서 예시적인 용어 "아래"는 위와 아래의 방향 모두를 포괄할 수 있다. 상기 장치는 다른 방향으로 배치될 수 있고(90도 회전되거나 다른 방향으로 회전될 수 있음), 본 명세서에서 사용되는 공간적으로 상대적인 용어는 그에 따라 해석될 수 있다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학 용어 포함)는 본 개시가 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 이에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 바와 같은 용어는 관련 기술 및 본 개시 내용의 문맥 내의 그 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 이상화되거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않아야 함이 또한 이해될 것이다.
예시적인 구현예들이 이상화된 구현예들의 개략도인 단면도를 참조하여 본 명세서에서 설명된다. 이와 같이, 예를 들어 제조 기술 및/또는 허용 오차와 같은 결과로서 도시의 형상으로부터의 변형이 예상되어야 한다. 따라서 본 명세서에 기술된 실시예들은 본 명세서에 도시된 바와 같은 영역들의 특정 형상들로 제한되는 것으로 해석되어서는 안되며, 예를 들어 제조로부터 야기되는 형상들의 편차들을 포함해야 한다. 예를 들어, 평평한 것으로 도시되거나 기술된 영역은 전형적으로 거칠거나 및/또는 비선형 특징을 가질 수 있다. 더욱이, 예리하게 도시된 각은 둥글 수 있다. 따라서 도면들에 도시된 영역들은 본질적으로 개략적이며, 그 형상들은 영역의 정확한 형상을 도시하기 위한 것이 아니며, 본 청구항의 범위를 제한하려는 것이 아니다.
특정한 구현예가 기술되었지만, 현재 예상되지 않거나 예상할 수 없는 대안, 수정, 변형, 개선 및 실질적인 균등물이 출원인 또는 당업자에게 발생할 수 있다. 따라서 출원되고 수정될 수 있는 첨부된 청구범위는 그러한 모든 대안, 수정, 변형, 개선 및 실질적 균등물을 포함하는 것으로 의도된다.
이하에서 예시적인 하나 이상의 구현예에 따른 조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시장치, 물품 및 물품 제조방법에 관하여 더욱 상세히 설명한다.
[조성물]
일 구현예에 따른 조성물은 하기 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물; 및 하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함한다:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2>
<화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
p1은 1 내지 10의 정수이고, q1, q2 및 q3는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
A1, A2, 및 A3는 서로 독립적으로 N-Ru, 또는 S이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra, Rb, Ri, 및 Rj는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 또는 히드록시기이고,
Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다.
화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물에서 예를 들어 Ra, 및 Rb 중에서 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 할로겐, 또는 히드록시기일 수 있다.
화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물에서 예를 들어 Ri, 및 Rj 중에서 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 할로겐, 또는 히드록시기일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물은 기재의 표면 코팅용 재료로서 사용된다. 디스플레이의 일 표면 상에 코팅 필름을 형성하는 경우 시간이 경과함에 따라 손가락 등의 접촉에 의하여 마모가 발생하여 내구성이 저하된다. 조성물이 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 함유한 화합물과 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 동시에 포함함에 의하여, 코팅 필름의 형성 과정에서 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물이 수분 없이도 개환 반응을 통하여 기재 상의 하이드록시기 등의 극성 작용기에 결합한다. 이와 동시에, 헤테로 원자를 포함하는 말단 작용기를 형성하고, 이러한 헤테로 원자를 포함하는 말단 작용기가 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물의 가수분해 반응 및/또는 축중합 반응의 촉매로 작용하거나, 헤테로 원자를 포함하는 말단 작용기가 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물의 가수분해 반응 및/또는 축중합 반응에 반응물로 사용될 수 있다. 이에 의하여, 보다 견고하고 내구성이 향상된 코팅 필름이 얻어질 수 있다.
예를 들어, 증착 코팅에서 챔버 내부는 진공 상태이므로 챔버 내부는 실질적으로 무수(anhydrous) 조건이다. 챔버 내부에서 기화된 불소 함유(폴리)에테르기를 가지는 화합물이 기재 표면에서 불소 함유(폴리)에테르기를 가지는 화합물 단독에 의한 가수분해 반응 및/또는 축중합 반응을 진행시키기 어렵다. 증착 코팅 시에 기재 표면에서 불소 함유(폴리)에테르기를 가지는 화합물 단독에 의한 가수분해 반응 및/또는 축중합 반응의 반응 효율이 저하된다. 따라서, 이러한 가수분해 반응 및/또는 축중합 반응으로부터 얻어지는 코팅 필름의 내구성도 저하될 수 있다. 이에 반해, 불소 함유(폴리)에테르기를 가지는 화합물 외에 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물이 추가적으로 포함된 조성물을 사용함에 의하여 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물이 무수 조건에서도 개환 반응을 통하여 기재의 표면 상에 결합한다. 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물은 고리 스트레인(ring strain)을 가지므로 수분이 없어도 기재 상의 친수성 작용기와 결합을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응을 통하여 생성되는 화합물은 기재 방향과 반대 방향에 헤테로 원자를 포함하는 말단기 작용기를 포함한다. 이러한, 헤테로 원자를 포함하는 말단 작용기, 예를 들어, 아민기 및/또는 티올기는 촉매 및/또는 반응물로서 불소 함유(폴리)에테르기를 가지는 화합물 가수분해 반응 및/또는 축중합 반응에 관여한다. 따라서, 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물의 가수분해 반응 및/또는 축중합 반응의 반응 효율이 현저히 향상될 수 있다. 결과적으로, 얻어지는 코팅 필름의 내구성이 향상된다.
그리고, 화학식 2 내지 3로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응을 통하여 생성되는 화합물과 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 가수분해 및/또는 축중합 반응에 의하여 생성되는 화합물은 불소 함유 (폴리)에테르 모이어티와 실란기 사이에 인접한 분자들과 비공유성 상호작용을 형성할 수 있는 연결기를 포함한다. 조성물로부터 상술한 반응들을 통하여 생성되는 화합물이 인접한 분자 사슬 간의 상호작용(inter-chain interaction)을 강건하게 유지함에 의하여 빈번한 마찰로 인한 코팅 필름의 결합 손상 및/또는 파괴를 줄이거나 방지할 수 있다. 이에 따라 표면 코팅 필름이 빈번한 마찰에 의해 쉽게 마모되는 것을 방지하고 내구성을 강화할 수 있다. 보다 구체적으로, 화학식 2 내지 3로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 가수분해 및/또는 축중합 반응에 의하여 생성되는 화합물이 포함하는 아미노기 또는 아미드기의 비공유 전자쌍이 인접한 화합물이 포함하는 아미드기의 수소 원자와 수소 결합 등의 비공유성 상호작용을 유지함에 의하여 이러한 조성물로부터 형성되는 코팅 필름의 내구성이 더욱 향상될 수 있다.
일구현예에 따른 불소 함유 (폴리)에테르기를 함유한 화합물 및 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물은 디스플레이 장치에 구비되는 패널의 표면에 사용됨에 의하여 발수 기능 및 내지문 기능을 제공하고, 개선된 내마노성 및 내구성을 제공할 수 있다. 디스플레이 장치에 구비되는 패널은 예를 들어 휴대 단말기에 구비되는 터치 스크린 패널, 액정표시장치(Liquid display device: LCD)에 구비되는 패널, 플라즈마 디스플레이 패널(Dlasja Display Paiel: PDP)에 구비되는 패널 등일 수 있다.
도 1을 참조하면, 일구현예에 따른 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 함유한 화합물과 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물이 기재의 표면 상에 코팅되어 기재 상에 필름이 형성된다. 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물은 헤테로 원자를 포함하며 실란기(silane)를 가지는 화합물이다. 사이클릭 실란 화합물은 고리 스트레인(ring strain)을 가지므로 상온에서 수분이 없이도 개환 반응이 진행될 수 있다. 따라서, 가수분해 없이 개환 반응을 통하여 사이클릭 실란 화합물이 포함하는 실란기가 하이드록시기 등의 극성 작용기를 가지는 기재 또는 하부막에 결합되어 단분자층을 형성할 수 있으며, 가수 분해 반응에서 수반되는 유해한 부산물의 생성도 없다. 따라서, 기재 상에 결합하기 위하여 50℃ 내지 120℃의 고온이 필요하거나 수분이 요구되는 종래의 조성물과 구분된다.
따라서, 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물이 포함하는 실란기는 가수분해성 작용기를 포함하지 않을 수 있다. 가수분해성 작용기를 포함하지 않음에도 상술한 바와 같이 고리 스트레인에 의하여 기재 또는 하부막에 용이하게 결합을 형성할 수 있다. 가수분해성 작용기를 포함하지 않는 실란은 예를 들어 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기로 치환된 실란일 수 있다. 다르게는, 실란기는 적어도 하나의 가수분해성 작용기로 치환된 실란일 수 있다. 가수분해성 작용기가 치환됨에 의하여 실란기가 기재 또는 하부막에 더욱 용이하게 결합될 수 있다. 가수분해성 작용기로 치환된 실란은 예를 들어 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환된 실란일 수 있다. 가수분해성 실란기는 코팅 또는 증착시 가수분해 및/또는 축중합 반응에 의해 기재 또는 하부막에 결합될 수 있다. 상기 결합은 예를 들어 공유결합(covalent bond)일 수 있다. 가수분해성 실란기는 가수분해 가능한 작용기를 가짐에 의하여 조성물의 코팅 과정에서 가수분해성 실란기의 가수분해 및 중축합 반응이 진행되어 실란의 가수분해 및/또는 중축합물로 이루어진 네크워크(network)를 형성한다. 가수분해 가능한 작용기는 예를 들어 C1-C10의 알콕시기, 할로겐 원자, 하이드록시기 등을 들 수 있고, 예를 들어 C1-C8의 알콕시기, 예를 들어 메톡시기 또는 에톡시기를 들 수 있다. 특히, 메톡시기의 가수분해 반응성이 우수하다.
헤테로 원자를 포함하는 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응에 의하여 실란기가 기재 또는 하부막에 결합하고, 기재 또는 하부막의 반대 방향(대기 방향)에 헤테로 원자를 포함하는 작용기가 배치된다. 헤테로 원자를 포함하는 작용기는 예를 들어 아민기 또는 티올기이다. 헤테로 원자를 포함하는 작용기에 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물이 가수분해 및/또는 축중합 반응에 의하여 연결된다. 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물은 불소 함유 (폴리)에테르기로서 퍼플루오로에테르(폴리)에테르(PFPE)기를 가지며, PFPE기에 헤테로 원자를 포함하는 작용기에 대하여 반응성을 가지는 작용기가 연결된다. 헤테로 원자를 가지는 작용기에 반응성을 가지는 작용기는 예를 들어 에스테르기, 아크릴레이트기, 에폭시기, 말레이트기, 안하이드라이드기, 사이클릭 카보네이트기 등이나 반드시 이들로 한정되지 않으며, 헤테로 원자를 포함하는 작용기와 반응할 수 있는 작용기를 모두 가능하다.
헤테로 원자를 포함하는 사이클릭 실란 화합물에서 유래하는 헤테로 원자를 포함하는 작용기에 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물이 가수분해 및/또는 축합 반응에 의하여 연결됨에 의하여 생성되는 화합물은 예를 들어 아미드 결합을 포함한다. 그리고, 생성된 화합물들이 포함하는 아미드 결합 간의 수소 결합이 형성되어 아미드 결합을 포함하는 화합물간의 결합이 보다 견고해질 수 있다. 따라서, 이러한 조성물로부터 형성된 필름은 내마모성이 더 개선될 수 있다.
화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물은 예를 들어 하기 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물일 수 있다:
<화학식 4>
Rfa-O-Lfb-(L1)p2-Q1
Rfa는 C1 내지 C20 퍼플루오로알킬기이며,
Lfa는 불소 함유 C1 내지 C5 알킬렌기를 포함하는 (폴리)옥시알킬렌기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
P2는 1 내지 10의 정수이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물에서, Lfb는 예를 들어 -CFXO-, -CFXCFXO-, -CF2CF2CF2O-, -CF2CF2CF2CF2O -, 및 -CF2CF2CF2CF2CF2O- 중에서 선택된 하나 이상의 반복 단위를 포함하는 (폴리)옥시알킬렌기이며, 상기 반복 단위의 개수는 예를 들어 2 내지 510, 2 내지 410, 2 내지 310, 2 내지 210 또는 2 내지 110이다. 상기 X는 예를 들어 Cl, Br, 또는 I이다.
화학식 1 및 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물에서 예를 들어 Rfa는 퍼플루오로에테르 또는 퍼플루오로폴리에테르이다.
화학식 1 및 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물이 포함하는 불소 함유 (폴리)에테르기는 예를 들어 말단에 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2CF2O기를 가지고, 상기 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2 CF2O기에 -(CF2CF2O)m- 및 -(CF2O)n-이 순서에 무관하게 결합된 구조일 수 있다. m 및 n은 서로 독립적으로 예를 들어 1 내지 110, 5 내지 100, 10 내지 80, 10 내지 70, 10 내지 50, 또는 10 내지 40의 정수이며, m+n은 예를 들어 2 내지 210, 2 내지 200, 2 내지 150, 5 내지 100, 또는 10 내지 50이다.
화학식 1 및 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물이 포함하는 불소 함유 (폴리)에테르기는 예를 들어 말단에 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2 CF2O기를 가지고, 상기 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2CF2O기에 -(CF2CF2O)m-, -(CF2O)n1-, 및 -(CF2CF2CF2O)n2- 이 순서에 무관하게 결합된 구조를 가질 수 있다. m, n1 및 n2는 서로 독립적으로 예를 들어 1 내지 110, 5 내지 100, 10 내지 80, 10 내지 70, 10 내지 50, 또는 10 내지 40의 정수이며, m+n1+n2는 예를 들어 3 내지 310, 3 내지 300, 3 내지 250, 3 내지 200, 5 내지 150, 10 내지 110, 또는 10 내지 50이다.
화학식 1 및 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물이 포함하는 불소 함유 (폴리)에테르기는 예를 들어 말단에 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2 CF2O기를 가지고, 상기 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2CF2O기에 -(CF2CF2O)m-, -(CF2O)n1-, -(CF2CF2CF2O)n2-, 및 -(CF2CF2CF2CF2O)n3- 이 순서에 무관하게 결합된 구조를 가질 수 있다. m, n1, n2, 및 n3은 서로 독립적으로 예를 들어 1 내지 110, 5 내지 100, 10 내지 80, 10 내지 70, 10 내지 50, 또는 10 내지 40의 정수이며, m+n1+n2+n3는 예를 들어 4 내지 410, 4 내지 400, 4 내지 350, 4 내지 300, 4 내지 250, 4 내지 200, 5 내지 150, 10 내지 110, 또는 10 내지 50이다.
화학식 1 및 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물이 포함하는 불소 함유 (폴리)에테르기는 예를 들어 말단에 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2 CF2O기를 가지고, 상기 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2CF2O기에 -(CF2CF2O)m-, -(CF2O)n1-, -(CF2CF2CF2O)n2-, -(CF2CF2CF2CF2O)n3- 및 -(CF2CF2CF2CF2CF2O)n4- 이 순서에 무관하게 결합된 구조를 가질 수 있다. m, n1, n2, n3, 및 n4는 서로 독립적으로 예를 들어 1 내지 110, 5 내지 100, 10 내지 80, 10 내지 70, 10 내지 50, 또는 10 내지 40의 정수이며, m+n1+n2+n3+n4는 5 내지 510, 5 내지 500, 5 내지 450, 5 내지 400, 5 내지 350, 5 내지 300, 5 내지 250, 5 내지 200, 5 내지 150, 10 내지 110, 또는 10 내지 50이다.
화학식 1 및 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물이 포함하는 Rf는 예를 들어 CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-(CF2CF2CF2CF2CF2O)n4-, CF3CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-, CF3CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-, CF3CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-, CF3CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-(CF2CF2CF2CF2CF2O)n4-,CF3CF2CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-, CF3CF2CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-, CF3CF2CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-, 또는 CF3CF2CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-(CF2CF2CF2CF2CF2O)n4-이다. m, n, n1, n2, n3, 및 n4는 서로 독립적으로 예를 들어 1 내지 110, 5 내지 100, 10 내지 80, 10 내지 70, 10 내지 50, 또는 10 내지 40의 정수이다. m+n은 예를 들어 2 내지 210, 2 내지 200, 2 내지 150, 5 내지 100, 또는 10 내지 50이다. m+n1+n2는 예를 들어 3 내지 310, 3 내지 300, 3 내지 250, 3 내지 200, 5 내지 150, 10 내지 110, 또는 10 내지 50이다. m+n1+n2+n3는 예를 들어 4 내지 410, 4 내지 400, 4 내지 350, 4 내지 300, 4 내지 250, 4 내지 200, 5 내지 150, 10 내지 110, 또는 10 내지 50이다. m+n1+n2+n3+n4는 5 내지 510, 5 내지 500, 5 내지 450, 5 내지 400, 5 내지 350, 5 내지 300, 5 내지 250, 5 내지 200, 5 내지 150, 10 내지 110, 또는 10 내지 50이다.
화학식 1 및 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물은, 예를 들어 하기 화학식 5a 내지 5b로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 에스테르 화합물, 하기 화학식 5c 내지 5d로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 안하이드라이드 화합물, 하기 화학식 5e 내지 5f로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 아크릴레이트 화합물, 하기 화학식 5g 내지 5h로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 말레에이트 화합물, 하기 화학식 5i 내지 5j로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 카보네이트 화합물, 하기 화학식 5k 내지 5l로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 에폭시 화합물, 및 하기 화학식 5m 내지 5n으로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 사이클릭 카보네이트 화합물 중에서 선택된 하나 이상의 화합물일 수 있다:
<화학식 5a>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-C(=O)O-R1
<화학식 5b>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-C(=O)O-R1
<화학식 5c>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-C(=O)-O-C(=O)-R2
<화학식 5d>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-C(=O)-O-C(=O)-R2
<화학식 5e>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-O-(C=O)-CR3=CR4R5
<화학식 5f>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-O-(C=O)-CR3=CR4R5
<화학식 5g>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8
<화학식 5h>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8
<화학식 5i>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-O-C(=O)-O-R9
<화학식 5j>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-O-C(=O)-O-R9
<화학식 5k>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-R10
<화학식 5l>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-R10
<화학식 5m>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-R11
<화학식 5n>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-R11
상기 식들에서,
R10 및 R11은 서로 독립적으로 수소, C1 내지 C5 알킬기, 불소, 또는 불소화된 C1 내지 C5 알킬기이고,
m 및 n은 서로 독립적으로 1 내지 110의 정수이며, m+n은 2 내지 210이며, p3는 1 내지 10의 정수이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, R7, R12, R13, R14, R15, R16 및 R17은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이며,
R10은 
이며, R11은 
이며,
R18, R19, 및 R20은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
화학식 1 및 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물은, 예를 들어
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-C(CH3)=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CHCH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-C(CH3)=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CHCH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-C(CH3)=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CHCH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-C(=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2CH2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-C(=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CH2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH2CH3,
또는
m, 및 n은 서로 독립적으로 예를 들어 1 내지 110, 5 내지 100, 10 내지 80, 10 내지 70, 10 내지 50, 또는 10 내지 40의 정수이다.
m+n은 예를 들어 2 내지 210, 2 내지 200, 2 내지 150, 5 내지 100, 또는 10 내지 50이다. p3는 1 내지 10의 정수이다.
화학식 2 및 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물은 예를 들어 하기 화학식 6 내지 8로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물일 수 있다:
<화학식 6>
<화학식 7>
<화학식 8>
상기 식들에서,
Ra1, Rb1, Ri1, 및 Rj1은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 하이드록시기이고,
Rd1, Re1, Rg1, Re1, Rm1, Ro1, Rq1, Rs1, Ru1, Ru2, 및 Ru3는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다.
화학식 2 및 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물은 예를 들어 하기 화학식 9 내지 11로 각각 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물일 수 있다:
<화학식 9>
<화학식 10>
<화학식 11>
상기 식들에서,
Ra2, Rb2, Ri2, 및 Rj2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기,
Re2, Ru4, Ru5, 및 Ru6는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다.
화학식 2 및 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물은 예를 들어 하기 화학식 12a 내지 12n으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물일 수 있다:
<화학식 12a>
<화학식 12b>
<화학식 12c>
<화학식 12d>
<화학식 12e>
<화학식 12f>
<화학식 12g>
<화학식 12h>
<화학식 12i>
<화학식 12j>
<화학식 12k>
<화학식 12l>
<화학식 12m>
<화학식 12n>
화학식 1 및 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물에서 불소 함유 (폴리)에테르기의 중량평균 분자량은 예를 들어 1,000 g/mol 내지 20,000 g/mol, 1,000 g/mol 내지 15,000 g/mol, 1,000 g/mol 내지 10,000 g/mol, 2,000 g/mol 내지 9,000 g/mol, 3,000 g/mol 내지 8,000 g/mol, 3,000 g/mol 내지 7,000 g/mol, 또는 3,000 g/mol 내지 6,000 g/mol 일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 실란 화합물과 상기 화학식 2로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 조성물에서, 화학식 1로 표시되는 실란 화합물과 상기 화학식 2로 표시되는 아민 화합물의 혼합 몰비는 예를 들어 1:0.1 내지 1:10, 1:0.2 내지 1:10, 1:0.5 내지 1:10, 1:0.8 내지 1:10, 1:1 내지 1:10 또는 1:1 내지 1:5 일 수 있다.
화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물은 액체 상태 또는 기체 상태일 수 있다.
예를 들어, 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물이 액체 상태로 기재 상에 공급될 수 있다. 액체 상태의 조성물에서 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물의 혼합 몰비는 예를 들어 1:0.1 내지 1:10, 1:0.2 내지 1:10, 1:0.5 내지 1:10, 1:0.8 내지 1:10, 1:1 내지 1:10 또는 1:1 내지 1:5 일 수 있다.
다르게는, 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물이 액체 상태로 기재에 함침되거나 또는 용기에 투입되어 준비된 후, 조성물이 기화된 후 공급 라인을 따라 챔버로 공급되어 기체 상태의 조성물이 기재 상에 공급될 수 있다. 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하며 챔버 내에서 얻어지는 기체 상태의 조성물의 혼합 몰비는 예를 들어 1:0.1 내지 1:10, 1:0.2 내지 1:10, 1:0.5 내지 1:10, 1:0.8 내지 1:10, 1:1 내지 1:10 또는 1:1 내지 1:5 일 수 있다. 기체 상태의 조성물의 혼합 몰비는 액체 조성물의 혼합 몰비에 따라 결정될 수 있다. 챔버 내의 압력은 대기압 이하일 수 있다. 챔버 내의 압력은 예를 들어, 101325 Pa 이하, 10000 Pa 이하, 5000 Pa 이하, 1000 Pa 이하, 500 Pa 이하, 100 Pa 이하, 50 Pa 이하, 10 Pa 이하일 수 있다.
다르게는, 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물이 액체 상태로 각각 별도의 기재에 함침되거나 또는 별도의 용기에 투입되어 준비된 후, 이들이 각가 기화된 후 별도의 공급 라인을 따라 챔버로 공급된 후에 챔버 내에서 혼합되어 기체 상태의 조성물이 얻어지고, 이러한 기체 상태의 조성물이 기재 상에 공급될 수 있다. 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하며 챔버 내에서 얻어지는 기체 상태의 조성물의 혼합 몰비는 예를 들어 1:0.1 내지 1:10, 1:0.2 내지 1:10, 1:0.5 내지 1:10, 1:0.8 내지 1:10, 1:1 내지 1:10 또는 1:1 내지 1:5 일 수 있다. 기체 상태의 조성물의 혼합 몰비는 챔버로 공급되는 기화된 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물과 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 공급 속도에 따라 결정될 수 있다. 챔버 내의 압력은 대기압 이하일 수 있다. 챔버 내의 압력은 예를 들어, 101325 Pa 이하, 10000 Pa 이하, 5000 Pa 이하, 1000 Pa 이하, 500 Pa 이하, 100 Pa 이하, 50 Pa 이하, 10 Pa 이하일 수 있다.
조성물은 용매를 더 포함할 수 있다. 용매는 예를 들어 불소화된 에테르계 용매일 수 있다. 불소화된 에테르계 용매는 예를 들어 예를 들어, 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,3,3-테트라플루오로프로필 에테르(1,1,2,2-Tetrafluoroethyl-2,2,3,3-tetrafluoropropyl ether), 1,1,2,2,-테트라플루오로에틸-1H,1H,5H-옥타플루오로펜틸에테르(1,1,2,2-Tetrafluoroethyl-1H,1H,5H-octafluoropeityl ether), 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,2-트리플루오로에틸 에테르)(1,1,2,2-Tetrafluoroethyl-2,2,2-trifluoroethyl ether), 또는 그 혼합물을 사용할 수 있으나 이들로 한정되지 않는다.
조성물은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 조성물은 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및/또는 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물과 상호작용이 가능한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 조성물이 상술한 첨가제를 더 함께 포함하면 조성물로부터 생성되는 코팅층의 내구성을 더 향상시킬 수 있다. 첨가제는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 비고리형 실란 화합물일 수 있다. 조성물은 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및/또는 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물과 상호작용이 가능한 첨가제를 더 포함함에 의하여, 상기 조성물로부터 생성되는 복수의 축중합물의 인접한 분자 사슬 간의 상호작용(inter-chain interaction)을 강건하게 유지하여 빈번한 마찰로 인한 복수의 축중합물의 결합 손상 및/또는 파괴를 줄이거나 방지할 수 있다. 이에 따라 표면 코팅재가 빈번한 마찰에 의해 쉽게 마모되는 것을 방지하고 내구성을 강화할 수 있다.
첨가제는 예를 들어 하기 화학식 13 내지 14로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 비고리형 실란 화합물일 수 있다.
<화학식 13>
CF3(CF2)hO(CF2CF2O)i(CF2O)j(CH2O)k-(CR17R18)p4-C(=O)-NH-(CH2)p5-Si(R19)(R20)(R21)
<화학식 14>
CF3(CF2)hO(CF2CF2O)i(CF2O)j(CH2O)k-(CR17R18)p3-C(=O)-N((CH2)p4-Si(R19)(R20)(R21))((CH2)p6-Si(R22)(R23)(R24))
상기 식들에서,
R17 및 R18는 서로 독립적으로 수소, C1-C5 알킬, 불소, 또는 불소화된 C1-C5 알킬기이고,
p4, p5 및 p6는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
h 및 k는 서로 독립적으로 0 내지 10의 정수이며, i 및 j은 서로 독립적으로 1 내지 100의 정수이고,
R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, 및 R24는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
단, R19, R20, 및 R21 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 할로겐 원자 또는 히드록시기이고, R22, R23, 및 R24 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 할로겐 원자 또는 히드록시기이다.
[필름]
다른 일구현예에 따른 필름은 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함하거나, 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 포함하거나, 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함한다. 필름이 상술한 화합물의 개환 반응 생성물, 및 축중합물을 포함함에 의하여 필름의 내구성이 향상될 수 있다.
본 명세서에서 "헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물"은 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 및 선택적으로 이어지는 가수분해 및/또는 축중합에 의하여 얻어지는 결과물을 의미한다. 개환 반응의 결과물은 예를 들어 기재에 결합된 형태의 화합물이다. 본 명세서에서 "불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물"은 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물과 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물의 축중합 반응으로 얻은 축중합 결과물을 의미한다.
필름은 예를 들어 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함할 수 있다. 필름은 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 더 포함할 수 있다.
필름이 포함하는 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 혼합 몰비는 예를 들어 1:0.1 내지 1:10, 1:0.2 내지 1:10, 1:0.5 내지 1:10, 1:0.8 내지 1:10, 1:1 내지 1:10 또는 1:1 내지 1:5 일 수 있다.
필름은 예를 들어 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함할 수 있다. 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물이 기재 상에 결합된 후에, 개환 반응 생성물의 말단과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물이 축중합 반응을 통하여 축중합물을 형성함에 의하여 필름을 형성할 수 있다.
필름은 예를 들어 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함할 수 있다. 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물이 축중합 반응을 통하여 축중합물을 형성한 후에, 사이클릭 실란 화합물이 개환 반응을 통하여 기재 상에 결합되어 필름을 형성할 수 있다.
필름의 두께는 예를 들어 1um 이하, 500nm 이하, 100nm 이하, 50nm 이하, 40nm 이하, 30nm 이하, 20nm 이하, 또는 15nm 이하일 수 있다. 필름은 예를 들어 투명하다.
필름은 예를 들어 기재 상에 배치될 수 있다. 기재 상에 배치된 필름에서, 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물의 실란기가 기재에 결합되고 불소 함유 (폴리)에테르기가 표면(공기) 측에 배열되는 구조일 수 있다. 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물은 기재에 대하여 실질적으로 수직 방향을 따라 배열되어 있을 수 있다. 필름은 기재 상에 배치되며 기재를 요구하는 비자립막일 수 있다.
필름의 내지문 코팅 성능은 상온 예를 들어 25℃에서 물 접촉각 및/또는 디요도메탄 접촉각 분석을 통하여 정량화할 수 있다.
필름의 접촉각은 물을 사용하여 측정될 수 있다. 필름은 표면에 불소 함유 (폴리)에테르기를 가짐으로써 높은 접촉각(contact angle)을 가질 수 있다. 이에 따라 양호한 슬립성 및 발수성을 가질 수 있다. 필름은 예를 들어 약 100ㅀ 이상의 접촉각을 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 예를 들어 약 105ㅀ이상, 예를 들어 110ㅀ 이상, 예를 들어 115ㅀ 이상의 접촉각을 가질 수 있다. 여기서 접촉각은 세실 드롭 기술(Sessile drop technique)로 측정된 것일 수 있다. 접촉각 측정시 사용된 액체로는 물일 수 있으며, 측정장비는 Drop Shape Analyzer (DSA100, KRUSS, Gerjaiy)를 사용하여 일정량 (~3ul)의 물을 필름의 표면 위에 떨어뜨린 후 접촉각을 측정할 수 있다.
필름은 빈번한 마찰 후에도 높은 접촉각을 유지할 수 있다. 필름의 내구성은 복수의 마찰 후의 접촉각 변화로 확인할 수 있다. 예를 들어 필름은 1kg 하중의 지우개 마모 테스트(5000회) 후 접촉각 변화가 약 20ㅀ 이하일 수 있으며 약 18ㅀ 이하일 수 있으며 약 15ㅀ 이하일 수 있으며 약 12ㅀ 이하일 수 있으며 약 10ㅀ 이하일 수 있다. 예를 들어 필름은 1kg 하중의 지우개 마모 테스트(1000회) 후에도 약 95ㅀ 이상의 접촉각을 가질 수 있다. 예를 들어 필름은 1kg 하중의 지우개 마모 테스트(10,000회) 후에도 약 50ㅀ 이상의 접촉각을 가질 수 있다.
다르게는, 필름의 접촉각은 디아이오도메탄(diiodomethane)을 사용하여 측정될 수 있다. 이 때, 예를 들어 약 90ㅀ 이상의 접촉각을 가질 수 있으며, 상기 범위 내에서 예를 들어 약 95ㅀ 이상, 또는 약 97ㅀ 이상의 접촉각을 가질 수 있다. 여기서 접촉각은 세실 드롭 기술(Sessile drop techiique)로 측정된 것일 수 있다. 접촉각 측정시 사용된 액체로는 디아이오도메탄(diiodomethane)일 수 있으며, 측정장비는 Drop Shape Analyzer (DSA100, KRUSS, Germany)를 사용하여 일정량 (~2.7ul)의 디아이오도메탄을 필름의 표면 위에 떨어뜨린 후 접촉각을 측정할 수 있다.
[표시장치]
다른 일구현예에 따른 표시장치는 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함하는 필름, 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 포함하는 필름, 또는 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함하는 필름을 포함한다. 표시장치가 상술한 화합물의 개환 반응 생성물, 및 축중합물을 포함하는 필름을 포함한다.
표시장치가 이러한 필름을 포함함에 의하여 표시 장치의 내구성이 향상될 수 있다.
도 2를 참조하면, 일 구현예에 따른 표시 장치(100)는 표시 패널(50) 및 기능성 필름(10A)을 포함한다. 표시 패널(50)은 예를 들어 유기 발광 표시 패널 또는 액정 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(50)은, 예를 들어 벤더블 표시 패널, 폴더블 표시 패널 또는 롤러블 표시 패널일 수 있다. 기능성 필름(10A)은 상술한 필름 또는 적층체를 포함할 수 있으며, 관찰자 측에 배치될 수 있다. 표시 패널(50)과 기능성 필름(10A) 사이에는 추가적으로 다른 층이 배치될 수 있다. 표시 패널(50)과 기능성 필름(10A) 사이에는, 예를 들어 단일층 또는 복수층의 고분자 층(도시하지 않음)과 선택적으로 투명접착층(도시하지 않음)이 더 배치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 일 구현예에 따른 표시 장치(200)는 표시 패널(50), 기능성 필름(10A), 및 표시 패널(50)과 기능성 필름(10A) 사이에 배치되는 터치 스크린 패널(70)을 포함한다. 표시 패널(50)은 예를 들어 유기 발광 표시 패널 또는 액정 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(50)은, 예를 들어 벤더블 표시 패널, 폴더블 표시 패널 또는 롤러블 표시 패널일 수 있다. 기능성 필름(10A)은 상술한 필름 또는 적층체를 포함할 수 있으며, 관찰자 측에 배치될 수 있다.
터치 스크린 패널(70)은 기능성 필름(10A)과 표시 패널(50)에 각각 인접하게 배치되어 기능성 필름(10A)을 통해 사람의 손 또는 물체가 터치되면 터치 위치 및 위치 변화를 인식하고 터치 신호를 출력할 수 있다. 구동 모듈(도시하지 않음)은 출력된 터치 신호로부터 터치 지점의 위치를 확인하고 확인된 터치 지점의 위치에 표시된 아이콘을 확인하며 확인된 아이콘에 대응하는 기능을 수행하도록 제어할 수 있고 기능의 수행 결과는 표시 패널(50)에 표시될 수 있다. 터치 스크린 패널(70)과 기능성 필름(10A) 사이에는 다른 층이 배치될 수 있다. 터치 스크린 패널(70)과 기능성 필름(10A) 사이에는 예를 들어 단일층 또는 복수층의 고분자 층(도시하지 않음)과 선택적으로 투명접착층(도시하지 않음)이 더 배치될 수 있다. 터치 스크린 패널(70)과 표시 패널(50) 사이에는 다른 층이 배치될 수 있다. 터치 스크린 패널(70)과 표시 패널(50) 사이에는 예를 들어 단일층 또는 복수층의 고분자 층(도시하지 않음)과 선택적으로 투명접착층(도시하지 않음)이 더 배치될 수 있다. 상술한 필름 또는 적층체를 포함한 기능성 필름(10A)은 표시 장치를 포함한 다양한 전자 기기에 적용될 수 있으며, 예를 들어 스마트폰, 태블릿 PC, 카메라, 터치스크린 패널 등에 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[물품]
다른 일 구현예에 따른 물품은 기재; 및 상기 기재 상에 배치되는 필름을 포함하며, 상기 필름이 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함하거나, 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 포함하거나, 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함한다. 물품이 이러한 필름을 포함함에 의하여 물품의 내구성이 향상될 수 있다.
기재는 예를 들어 세라믹, 글래스, 또는 고분자일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 필름은 기재 상에서 형성되어 배치될 수 있다.
기재와 필름은 예를 들어 적층체를 형성할 수 있다. 적층체는 상기 기재와 필름 사이에 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다. 적층체는 투명 필름일 수 있으며 예를 들어 투명 플렉서블 필름일 수 있다. 예를 들어, 필름 또는 적층체는 표시 패널 위에 부착될 수 있으며, 이때 표시 패널과 상기 필름 또는 적층체는 직접 결합되거나 점착제를 개재하여 결합될 수 있다. 표시 패널은 예를 들어 액정 표시 패널 또는 유기 발광 표시 패널일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 필름 또는 적층체는 관찰자 측에 배치될 수 있다. 물품은 예를 들어 모바일 디스플레이 장치, 고정형 디스플레이 장치, 자동차용 디스플레이, 항공기용 디스플레이, 헤드업디스플레이(HUD), 모바일 센서, 고정형 센서, 광학용 물품 등이나, 반드시 이들로 한정되는 것은 아니다.
다른 일구현예에 따른 물품 제조방법은 기재 상에 상술한 조성물을 제공하여 필름을 배치하는 단계를 포함한다.
화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물 및 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물은 예를 들어 기재 상에 액체 상태 또는 기체 상태로 제공될 수 있다. 필름은 예를 들어 조성물이 액체 상태로 제공되는 용액 공정에 의한 코팅 또는 조성물이 기체 상태로 제공되는 건식 공정에 의한 증착에 의해 형성될 수 있다. 따라서 상기 필름은 코팅 필름 또는 증착 필름일 수 있다.
기재 상에 상술한 조성물을 액체 상태로 제공하여 필름을 배치하는 단계는, 용매에 상술한 조성물을 용해 또는 분산시킨 용액을 기재 상에 예를 들어 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 인쇄, 스프레이 코팅 또는 침지에 의해 코팅하고 건조하는 단계를 포함할 수 있다. 다르게는, 기재 상에 상술한 조성물을 기체 상태로 제공하여 필름을 배치하는 단계는, 기재 상에 예를 들어 열 증착, 진공 증착 또는 화학 기상 증착에 의해 코팅하는 단계를 포함할 수 있다.
용매는 예를 들어 불소화된 에테르계 용매일 수 있다. 불소화된 에테르계 용매는 예를 들어 예를 들어, 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,3,3-테트라플루오로프로필 에테르(1,1,2,2-Tetrafluoroethyl-2,2,3,3-tetrafluoropropyl ether), 1,1,2,2,-테트라플루오로에틸-1H,1H,5H-옥타플루오로펜틸에테르(1,1,2,2-Tetrafluoroethyl-1H,1H,5H-octafluoropeityl ether), 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,2-트리플루오로에틸 에테르)(1,1,2,2-Tetrafluoroethyl-2,2,2-trifluoroethyl ether), 또는 그 혼합물을 사용할 수 있으나 이들로 한정되지 않는다.
기재 상에 상술한 조성물을 제공하여 필름을 배치하는 단계 전에 기재 상에 중간층을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 중간층은 금속산화물을 포함할 수 있다. 금속산화물은 예를 들어 실리카(SiO2)이다. 중간층은 예를 들어 SiO2의 프라이머층일 수 있다. 프라이머층의 두께는 100nm 이하, 50nm 이하, 30nm 이하, 20nm 이하, 10nm 이하, 7 nm 이하일 수 있다.
이하, 본 명세서의 화학식에서 사용되는 치환기의 정의에 대하여 살펴 보기로 한다.
본 명세서에서 사용된 치환된 알킬렌기, 치환된 옥시알킬렌기, 치환된 알콕시기, 치환된 알킬기, 및 치환된 아릴기의 치환기는 서로 독립적으로 할로겐, 하이드록시기, C1 내지 C5 알킬기, C1 내지 C5 알콕시기, 또는 이들의 조합이다.
화학식에서 사용되는 용어 "알킬"은 완전 포화된 분지형 또는 비분지형 (또는 직쇄 또는 선형) 탄화수소를 말한다.
상기 "알킬"의 비제한적인 예로는 메틸, 에틸, i-프로필, 이소프로필, i-부틸, 이소부틸, sec-부틸, i-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, i-헥실, 3-메틸헥실, 2,2-디메틸펜틸, 2,3-디메틸펜틸, i-헵틸 등을 들 수 있다.
상기 "알킬"중 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환될 수 있다.
용어 "할로겐 원자"는 불소, 브롬, 염소, 요오드 등을 포함한다.
화학식에서 사용되는 용어"알콕시"는 알킬-O-를 나타내며, 상기 알킬은 상술한 바와 같다. 상기 알콕시의 비제한적인 예로서 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 2-프로폭시, 부톡시, 터트-부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 사이클로프로폭시, 사이클로헥실옥시 등이 있다. 상기 알콕시기중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 알킬기의 경우와 동일한 치환기로 치환가능하다.
화학식에서 사용되는 용어 "아릴"기는 단독 또는 조합하여 사용되어, 하나 이상의 고리를 포함하는 방향족 탄화수소를 의미한다.
상기 용어 "아릴"은 방향족 고리가 하나 이상의 사이클로알킬고리에 융합된 그룹도 포함한다. 상기 "아릴"의 비제한적인 예로서, 페닐, 나프틸, 테트라히드로나프틸 등이 있다. 또한 상기 "아릴"기중 하나 이상의 수소원자는 상술한 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S, Se, Te, 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 4개 함유한 것을 의미한다.
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 창의적 사상이 더욱 상세하게 설명된다. 단, 실시예는 본 창의적 사상을 예시하기 위한 것으로서 이들만으로 본 창의적 사상의 범위가 한정되는 것이 아니다.
(조성물 및 필름의 제조)
실시예 1: 에스테르 화합물 (A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 몰비 1:2, p/q=1
Novec HPE 7200 용매(3M사)에 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 에스테르 화합물(A)인 CF3(CF2CF2O)p(CF2O)qCF2C(=O)OCF2CH3 (p/q = ~1, Mw= 3800 g/mol, Solvay) 20wt%가 용해된 제1 용액을 준비하였다. 여기에, 디클로로메탄에 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물(B)인 2,2-디메톡시-1,6-디아자-2-실라시클로옥탄(2,2-dimethoxy-1,6-diaza-2-silacyclooctane) 20wt%가 용해된 제2 용액을 첨가한 후 Vortex mixer에서 혼합하여 조성물을 준비하였다.
조성물이 포함하는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 에스테르 화합물(A)과 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물(B)의 몰비는 1:2 이었다.
제조된 조성물에서 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 에스테르 화합물(A)과 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물(B) 총 함량은 조성물 총 중량 100 중량부를 기준으로 하여 20 중량부이다.
챔버 내에 7 nm 두께의 SiO2이 열증착되어 있는 유리 기판 및 상기 조성물이 함침된 태블릿(tablet)을 배치하였다. 진공 챔버에서 기화된 조성물이 상기 유리 기판 상에 진공 증착되어 10nm 두께의 필름이 배치된 유리 기판을 제조하였다.
기화된 사이클릭 실란(B)이 유리 기판 상에 개환 반응물을 형성하고, 형성된 개환 반응물과 에스테르 화합물(A)이 유리 기판 상에서 가수분해물 및/또는 축중합물을 형성함에 의하여 유리 기판 상에 필름이 건식 코팅된다.
진공 증착시 조성물의 함침량은 0.4g/tablet이었다.
실시예 2: 에스테르 화합물 (A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 몰비 1:2, p/q=0.6
에스테르 화합물(A)을 CF3(CF2CF2O)p(CF2O)qCF2C(=O)OCF2CH3 (p/q = 0.6, Mw= 3800 g/mol, Solvay)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 제조하고, 상기 조성물을 사용하여 10nm 두께의 필름이 배치된 유리 기판을 제조하였다.
실시예 3: 에스테르 화합물 (A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 몰비 1:1, p/q= ~1
에스테르 화합물(A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 혼합 몰비를 1:1로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 제조하고, 상기 조성물을 사용하여 10nm 두께의 필름이 배치된 유리 기판을 제조하였다.
실시예 4: 에스테르 화합물 (A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 몰비 1:1.5, p/q= ~1
에스테르 화합물(A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 혼합 몰비를 1:1.5로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 제조하고, 상기 조성물을 사용하여 10nm 두께의 필름이 배치된 유리 기판을 제조하였다.
실시예 5: 에스테르 화합물 (A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 몰비 1:3, p/q= ~1
에스테르 화합물(A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 혼합 몰비를 1:3으로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 제조하고, 상기 조성물을 사용하여 10nm 두께의 필름이 배치된 유리 기판을 제조하였다.
실시예 6: 에스테르 화합물 (A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 몰비 1:3, p/q=0.6
에스테르 화합물(A)을 CF3(CF2CF2O)p(CF2O)qCF2C(=O)OCF2CH3 (p/q = 0.6, Mw= 3800 g/mol, Solvay)로 변경하고, 에스테르 화합물(A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 혼합 몰비를 1:3으로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 제조하고, 상기 조성물을 사용하여 10nm 두께의 필름이 배치된 유리 기판을 제조하였다.
실시예 7: 에스테르 화합물 (A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 몰비 1.5:1, p/q=~1
에스테르 화합물(A)과 사이클릭 실란 화합물(B)의 혼합 몰비를 1.5:1로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 제조하고, 상기 조성물을 사용하여 10nm 두께의 필름이 배치된 유리 기판을 제조하였다.
비교예 1: 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 실란 화합물(C)
불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 실란 화합물의 제조)
교반 및 가열 장치가 장착된 100ml 반응기에 CF3(CF2CF2O)p(CF2O)qCF2C(=O)OCF2CH3 (p/q = 1, Mw= 3800 g/mol, Solvay) 20g을 투입하고, 알릴 아민(allyl amine) 0.9g을 투입하고, 상온에서 후 3시간 동안 교반하였다. 이어서 80℃ 및 1 Torr의 고온 진공 조건에서 회전펌프(rotary pump)로 미반응 알릴 아민 및 메탄올 생성물을 제거하였다. 얻어진 생성물을 Novec 7200 용매에 용해시킨 후 실리카 겔을 통과시키는 정제에 의하여 CF3(CF2CF2O)p(CF2O)qCF2C(=O)NHCH2CH=CH2를 얻었다.
교반 및 가열 장치가 장착된 100ml 반응기에 CF3(CF2CF2O)p(CF2O)qCF2C(=O)NHCH2CH=CH2를 15g을 투입하고, 트리메톡시 실란(trimethoxy silane) 0.73g과 백금(0)-1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체(platinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethylsiloxane complex)의 자일렌 용액 80㎕를 투입하고, 60℃에서 12시간 동안 교반하였다. 이어서 80℃ 및 1 Torr의 고온 진공 조건에서 회전펌프(rotary pump)로 미반응 트리메톡시 실란을 제거한 후, 셀라이트(celite) 필터로 여과하여 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 실란 화합물(C )인 CF3(CF2CF2O)p(CF2O)qCF2C(=O)NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3를 얻었다.
(조성물 및 필름의 제조)
Novec HPE 7200 용매(3M사) 4g에 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 실란 화합물(C)인 CF3(CF2CF2O)p(CF2O)qCF2C(=O)NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3 1g을 투입하여, CF3(CF2CF2O)p(CF2O)qCF2C(=O)NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3 20wt%가 용해된 조성물을 준비하였다.
준비된 조성물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 10nm 두께의 필름이 배치된 유리 기판을 제조하였다.
비교예 2: 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 실란 화합물(D)
상업적으로 입수된 퍼플루오로 (폴리)에테르 실란 화합물 (OPTOOL US509, Daikin)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름을 제조하였다.
평가예 1: 내구성, 및 슬립성 평가
실시예 1 내지 실시예 7 및 비교예 1 내지 2에서 제조된 필름의 내구성, 및 슬립성을 평가하였다.
필름의 내구성은 마찰에 의한 접촉각 변화에 의해 평가하였다.
초기 접촉각은 Sessile drop technique 방법으로 평가하고 Drop Shape Analyzer (model DSA100, KRUSS, Germany)를 사용하여 25℃에서 물방울을 필름 위에 적하한 후 초기 접촉각을 측정하였다.
이어서 1kg 하중의 6mm 폭의 폴리우레탄 고무지우개를 사용하여, 러빙(5000회(5K), 10000회(10K), 12,000회(12K), 15,000회(15k) 및 20000회(20k))하였다. 러빙 후 초기 접촉각과 동일한 방법으로 25℃에서 러빙 후의 물 접촉각을 측정하여 물 접촉각이 100도(degree) 이상을 유지하는 러빙 횟수를 하기 표 1에 나타내었다. 러빙 횟수가 높을수록 내구성이 우수하다.
슬립성은 마찰계수 시험기(model FPT-F1, Labthink)의 매뉴얼 표준 측정방식을 사용하여 25℃에서 마찰계수(COF, Coefficient of friction)를 측정하였다. 마찰계수 측정 결과의 일부를 하기 표 1에 나타내었다.
| 마찰계수 (COF) |
초기 접촉각 [degree] |
러빙 횟수 [회] |
|
| 실시예 1 | 0.07 | 117 | 20K |
| 실시예 2 | 0.06 | 117 | 20K |
| 실시예 3 | 0.06 | 117 | 10K |
| 실시예 4 | 0.07 | 117 | 15K |
| 실시예 5 | 0.06 | 117 | 12K |
| 실시예 6 | 0.06 | 117 | 15K |
| 실시예 7 | 0.07 | 116 | 10K |
| 비교예 1 | 0.07 | 118 | 10K |
| 비교예 2 | 0.07 | 118 | 5K |
표 1에 보여지는 바와 같이, 실시예 1 내지 7에서 제조된 필름은 모두 접촉각이 100도 이상을 유지하는 러빙 횟수가 10K 이상이었다.
한편, 실시예 1 내지 2, 및 4 내지 6에서 제조된 필름의 경우 접촉각이 100 도 이상을 유지하는 러빙 횟수가 12K 이상이었다.
따라서, 실시예 1 내지 7에서 제조된 필름이 비교예 1에서 제조된 필름에 비하여 마찰에 대해 향상된 내구성을 보여주었다.
실시예 1 내지 7에서 제조된 필름은 마찰계수가 0.1 이하의 수치를 나타내어 비교예 1 내지 2에서 제조된 필름과 같이 우수한 슬립성을 보여주었다.
10A: 기능성 층
50: 표시 패널
70: 터치 스크린 패널 100, 200: 표시 장치
70: 터치 스크린 패널 100, 200: 표시 장치
Claims (20)
- 하기 화학식 1 로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물; 및
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물을 포함하는 조성물:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2> <화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
p1은 1 내지 10의 정수이고, q1, q2 및 q3는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
A1, A2, 및 A3는 서로 독립적으로 N-Ru, 또는 S이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra, Rb, Ri, 및 Rj는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 또는 히드록시기이고,
Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다. - 제1 항에 있어서, 상기 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물인, 조성물:
<화학식 4>
Rfa-O-Lfb-(L1)p2-Q1
Rfa는 C1 내지 C20 퍼플루오로알킬기이며,
Lfa는 불소 함유 C1 내지 C5 알킬렌기를 포함하는 (폴리)옥시알킬렌기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
P2는 1 내지 10의 정수이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다. - 제2 항에 있어서, 상기 Lfb는 -CFXO-, -CFXCFXO-, -CF2CF2CF2O-, -CF2CF2CF2CF2O -, 및 -CF2CF2CF2CF2CF2O- 중에서 선택된 하나 이상의 반복 단위를 포함하는 (폴리)옥시알킬렌기이며,
상기 반복 단위의 개수는 2 내지 510이며, 상기 X는 Cl, Br, 또는 I인, 조성물. - 제1 항에 있어서, 상기 Rf는 퍼플루오로(폴리)에테르기인, 조성물.
- 제1 항에 있어서, 상기 불소 함유 (폴리)에테르기는
말단에 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2CF2O기를 가지고,
상기 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2 CF2O기에 -(CF2CF2O)m- 및 -(CF2O)n-(m 및 n은 서로 독립적으로 1 내지 110의 정수이며, m+n은 2 내지 210임)이 결합된 구조를 가지거나 또는
말단에 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2 CF2O기를 가지고,
상기 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2CF2O기에 -(CF2CF2O)m-, -(CF2O)n1-, 및 -(CF2CF2CF2O)n2- (m, n1 및 n2는 서로 독립적으로 1 내지 110의 정수이며, m+n1+n2는 3 내지 310임)이 결합된 구조를 가지거나 또는
말단에 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2 CF2O기를 가지고,
상기 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2CF2O기에 -(CF2CF2O)m-, -(CF2O)n1-, -(CF2CF2CF2O)n2-, 및 -(CF2CF2CF2CF2O)n3- (m, n1, n2, 및 n3은 서로 독립적으로 1 내지 110의 정수이며, m+n1+n2+n3는 4 내지 410임)이 결합된 구조를 가지거나 또는
말단에 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2 CF2O기를 가지고,
상기 CF3O기, CF3CF2O기 또는 CF3CF2CF2O기에 -(CF2CF2O)m-, -(CF2O)n1-, -(CF2CF2CF2O)n2-, -(CF2CF2CF2CF2O)n3- 및 -(CF2CF2CF2CF2CF2O)n4- (m, n1, n2, n3, 및 n4는 서로 독립적으로 1 내지 110의 정수이며, m+n1+n2+n3+n4는 5 내지 510임)이 결합된 구조를 가지는, 조성물. - 제1 항에 있어서, 상기 Rf는
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-(CF2CF2CF2CF2CF2O)n4-,
CF3CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-, CF3CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-, CF3CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-, CF3CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-(CF2CF2CF2CF2CF2O)n4-,
CF3CF2CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-, CF3CF2CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-, CF3CF2CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-, 또는 CF3CF2CF2O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n1-(CF2CF2CF2O)n2-(CF2CF2CF2CF2O)n3-(CF2CF2CF2CF2CF2O)n4-이며,
m, n, n1, n2, n3, 및 n4는 서로 독립적으로 1 내지 110의 정수이며, m+n은 2 내지 210, m+n1+n2는 3 내지 310, m+n1+n2+n3는 4 내지 410, 및 m+n1+n2+n3+n4는 5 내지 510인, 조성물. - 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물이,
하기 화학식 5a 내지 5b로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 에스테르 화합물,
하기 화학식 5c 내지 5d로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 안하이드라이드 화합물,
하기 화학식 5e 내지 5f로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 아크릴레이트 화합물,
하기 화학식 5g 내지 5h로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 말레에이트 화합물,
하기 화학식 5i 내지 5j로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 카보네이트 화합물,
하기 화학식 5k 내지 5l로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 에폭시 화합물, 및
하기 화학식 5m 내지 5n으로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 사이클릭 카보네이트 화합물 중에서 선택된 하나 이상의 화합물인, 조성물:
<화학식 5a>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-C(=O)O-R1
<화학식 5b>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-C(=O)O-R1
<화학식 5c>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-C(=O)-O-C(=O)-R2
<화학식 5d>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-C(=O)-O-C(=O)-R2
<화학식 5e>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-O-(C=O)-CR3=CR4R5
<화학식 5f>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-O-(C=O)-CR3=CR4R5
<화학식 5g>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8
<화학식 5h>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8
<화학식 5i>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-O-C(=O)-O-R9
<화학식 5j>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-O-C(=O)-O-R9
<화학식 5k>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-R10
<화학식 5l>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-R10
<화학식 5m>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR12R13)p3-R11
<화학식 5n>
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CR14R15CR16R17)p3-R11
상기 식들에서,
R10 및 R11은 서로 독립적으로 수소, C1 내지 C5 알킬기, 불소, 또는 불소화된 C1 내지 C5 알킬기이고,
m 및 n은 서로 독립적으로 1 내지 110의 정수이며, m+n은 2 내지 210이며, p3는 1 내지 10의 정수이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, R7, R12, R13, R14, R15, R16 및 R17은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이며,
R10은이며, R11은
이며,
R18, R19, 및 R20은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다. - 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물이
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-C(=O)-O-C(=O)-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-C(CH3)=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CHCH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-C(CH3)=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CHCH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-C(CH3)=CH2, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CHCH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-(C=O)-CH=CH-(C=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-C(=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CF2CH2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2CH2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH2CH3,
CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-C(=O)-O-CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-(CH2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH3, CF3O-(CF2CF2O)m-(CH2O)n-(CF2)p3-O-C(=O)-O-CH2CH2CH3,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
또는
이며,
m 및 n은 서로 독립적으로 1 내지 110의 정수이며, m+n은 2 내지 210이며, p3는 1 내지 10의 정수인, 조성물. - 제1 항에 있어서, 상기 화학식 2 및 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물이 하기 화학식 6 내지 8로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물인, 조성물:
<화학식 6> <화학식 7> <화학식 8>
상기 식들에서,
Ra1, Rb1, Ri1, Rj1, Ra1, 및 Rb1은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 하이드록시기이고,
Rd1, Re1, Rg1, Re1, Rm1, Ro1, Rq1, Rs1, Ru1, Ru2, 및 Ru3는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다. - 제1 항에 있어서, 상기 화학식 2 및 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물이 하기 화학식 9 내지 11로 각각 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물인, 조성물:
<화학식 9> <화학식 10> <화학식 11>
상기 식들에서,
Ra2, Rb2, Ri2, 및 Rj2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기,
Re2, Ru4, Ru5, 및 Ru6는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다. - 제1 항에 있어서, 상기 화학식 2 및 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물이 하기 화학식 12a 내지 12n으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물인, 조성물:
<화학식 12a> <화학식 12b>
<화학식 12c> <화학식 12d>
<화학식 12e> <화학식 12f>
<화학식 12g> <화학식 12h>
<화학식 12i> <화학식 12j>
<화학식 12k> <화학식 12l>
<화학식 12m> <화학식 12n>
.
- 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물은 중량평균 분자량 1,000 g/mol 내지 20,000 g/mol의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는, 조성물.
- 제1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 불소 함유 (폴리)에테르기를 가지는 화합물과 상기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 혼합 몰비는 1:0.5 내지 1:10 인, 조성물.
- 제1 항에 있어서, 상기 조성물이 액체 상태 또는 기체 상태인, 조성물.
- 제1 항에 있어서, 상기 조성물이 용매 및 첨가제 중 하나 이상을 더 포함하는, 조성물.
- 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함하거나,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 포함하거나,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함하는, 필름:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2> <화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
p1은 1 내지 10의 정수이고, q1, q2 및 q3는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
A1, A2, 및 A3는 서로 독립적으로 N-Ru, 또는 S이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra, Rb, Ri, 및 Rj는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 또는 히드록시기이고,
Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다. - 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함하는 필름,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 포함하는 필름, 또는
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함하는 필름을 포함하는 표시장치:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2> <화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
p1은 1 내지 10의 정수이고, q1, q2 및 q3는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
A1, A2, 및 A3는 서로 독립적으로 N-Ru, 또는 S이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra, Rb, Ri, 및 Rj는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 또는 히드록시기이고,
Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다. - 기재; 및
상기 기재 상에 배치되는 필름을 포함하며,
상기 필름이
화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물을 포함하거나,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물을 포함하거나,
하기 화학식 2 내지 3으로 표시되는 헤테로 원자 함유 사이클릭 실란 화합물의 개환 반응 생성물과 화학식 1의 불소 함유 (폴리)에테르기를 포함하는 화합물의 축중합물을 포함하는, 물품:
<화학식 1>
Rf-(L1)p1-Q1
<화학식 2> <화학식 3>
상기 식들에서,
Rf 는 불소 함유 (폴리)에테르기이며,
L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 옥시알킬렌기, 또는 이들의 조합이고,
Q1은 -C(=O)O-R1, -C(=O)-O-C(=O)-R2, -O-(C=O)-CR3=CR4R5, -O-(C=O)-CR6=CR7-(C=O)-O-R8, -O-C(=O)-O-R9, 에폭시 함유기, 또는 사이클릭 카보네이트 함유기이며,
p1은 1 내지 10의 정수이고, q1, q2 및 q3는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
A1, A2, 및 A3는 서로 독립적으로 N-Ru, 또는 S이고,
R1, R2, R5, R8, 및 R9는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3, R4, R6, 및 R7은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Ra, Rb, Ri, 및 Rj는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 또는 히드록시기이고,
Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Rk, Rl, Rm, Rn, Ro, Rp, Rq, Rr, Rs, Rt, 및 Ru는 서로 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이다. - 기재 상에 상기 제1 항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 제공하여 필름을 배치하는 단계를 포함하는 물품 제조방법.
- 제18 항에 있어서, 상기 조성물이 상기 기재 상에 액체 상태 또는 기체 상태로 제공되는 물품 제조방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200156928A KR20220069619A (ko) | 2020-11-20 | 2020-11-20 | 조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시 장치, 물품 및 물품 제조방법 |
| US17/530,534 US11639361B2 (en) | 2020-11-20 | 2021-11-19 | Composition, film, display device and article prepared therefrom, and method of preparing article |
| US18/310,214 US20230265114A1 (en) | 2020-11-20 | 2023-05-01 | Composition, film, display device and article prepared therefrom, and method of preparing article |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200156928A KR20220069619A (ko) | 2020-11-20 | 2020-11-20 | 조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시 장치, 물품 및 물품 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220069619A true KR20220069619A (ko) | 2022-05-27 |
Family
ID=81656857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200156928A KR20220069619A (ko) | 2020-11-20 | 2020-11-20 | 조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시 장치, 물품 및 물품 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11639361B2 (ko) |
| KR (1) | KR20220069619A (ko) |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5914420A (en) * | 1998-05-29 | 1999-06-22 | Pcr, Inc. | Perfluorinated organo substituted cyylosiloxanes and copolymers prepared from these cyclosiloxahes |
| US20040077892A1 (en) | 2002-04-23 | 2004-04-22 | Gelest, Inc. | Azasilanes and methods for making and using the same |
| US7323514B2 (en) | 2004-12-30 | 2008-01-29 | 3M Innovative Properties Company | Low refractive index fluoropolymer coating compositions for use in antireflective polymer films |
| PL2215171T3 (pl) | 2007-11-29 | 2013-12-31 | Lg Chemical Ltd | Kompozycja powlekająca i warstewka powlekająca mające podwyższoną odporność na ścieranie i zdolność do usuwania odcisków palców |
| ES2622405T3 (es) | 2009-12-23 | 2017-07-06 | Dsm Ip Assets B.V. | Método para activar superficies de caucho de silicona |
| US20130189495A1 (en) * | 2010-11-12 | 2013-07-25 | The Regents Of The University Of Michigan | Nanoscale Photolithography |
| US9042019B2 (en) | 2011-04-15 | 2015-05-26 | Qspex Technologies, Inc. | Anti-reflective lenses and methods for manufacturing the same |
| US9335443B2 (en) | 2011-04-15 | 2016-05-10 | Qspex Technologies, Inc. | Anti-reflective lenses and methods for manufacturing the same |
| CA2887662C (en) | 2012-10-10 | 2018-01-16 | Qspex Technologies, Inc. | Anti-reflective lenses and methods for manufacturing the same |
| WO2015172232A1 (en) * | 2014-05-14 | 2015-11-19 | 1866402 Ontario Limited | Bonded microsphere filter |
| US9815858B2 (en) * | 2015-06-16 | 2017-11-14 | Gelest Technologies, Inc. | Hydridosilapyrroles, hydridosilaazapyrroles, thiasilacyclopentanes, method for preparation thereof, and reaction products therefrom |
| JP6816702B2 (ja) * | 2017-10-27 | 2021-01-20 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR20210022978A (ko) * | 2019-08-21 | 2021-03-04 | 삼성전자주식회사 | 불소 함유 (폴리)에테르기를 갖는 실란 화합물, 이를 포함하는 조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시 장치 및 물품 |
| KR20210106801A (ko) * | 2020-02-21 | 2021-08-31 | 삼성전자주식회사 | 조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시 장치, 물품 및 물품 제조방법 |
| KR20210108673A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-03 | 삼성전자주식회사 | 불소 함유 (폴리)에테르기를 갖는 실란 화합물, 이를 포함하는 조성물, 이로부터 형성된 필름, 표시 장치 및 물품 |
| KR20220083348A (ko) * | 2020-12-11 | 2022-06-20 | 삼성전자주식회사 | 적층체, 이를 포함한 표시장치 및 물품 |
-
2020
- 2020-11-20 KR KR1020200156928A patent/KR20220069619A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-11-19 US US17/530,534 patent/US11639361B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-01 US US18/310,214 patent/US20230265114A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230265114A1 (en) | 2023-08-24 |
| US11639361B2 (en) | 2023-05-02 |
| US20220162237A1 (en) | 2022-05-26 |
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination |