TW202239813A - 表面處理劑 - Google Patents
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Abstract
本發明提供下述式(1)或(2)所示之化合物。
Description
本揭示係關於一種新穎的含氟聚醚基的矽烷化合物及包含此化合物的表面處理劑。
已知某種含氟聚醚基的矽烷化合物在用於基材之表面處理時可提供優異的撥水性、撥油性、防污性等。由包含含氟聚醚基的矽烷化合物之表面處理劑而得的層(以下，亦稱為「表面處理層」)，作為所謂的機能性薄膜，應用於例如玻璃、塑膠、纖維、衛生用品、建材等各種各樣的基材(專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2014-218639號公報
專利文獻1所述之含氟聚醚基的矽烷化合物雖可賦予具有優異機能的表面處理層，惟需要具有更高耐久性的表面處理層。
本揭示之目的在於提供一種可賦予耐久性，特別係摩擦耐久性及耐化學性更高的表面處理層之含氟聚醚基化合物。
本揭示包含以下態樣。
[1]一種下述式(1)或(2)所示之含氟聚醚基的矽烷化合物；
[式中：
RF1為Rf1-RF-Oq-；
RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；
Rf1為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基；
Rf2為可經1個以上之氟原子取代的C1-6伸烷基；
RF分別獨立地為2價之氟聚醚基；
p為0或1；
q分別獨立地為0或1；
R1分別獨立地為-R3-(OR2)m-On-R4-R5；
R2在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基；
m為2至10之整數；
n為0或1；
R3為單鍵或C1-6伸烷基；
R4為單鍵或C1-6伸烷基；
R5為氫原子或RSi；
RSi分別獨立地為包含鍵結有羥基或水解性基之Si原子的1價基；
XA分別獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(X51)p5-
(式中：
X51在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所組成群組的基，
R53在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，
R54在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，
m5在每次出現時分別獨立地為1至100之整數，
n5在每次出現時，分別獨立地為1至20之整數，
p5為1至10之整數。)
XB分別獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(X61)p6-
(式中：
X61在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基，-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R63)2-、-(Si(R63)2O)m6-Si(R63)2-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所組成群組的基，
R63在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，
R64在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，
m6在每次出現時分別獨立地為1至100之整數，
n6在每次出現時，分別獨立地為1至20之整數，
p6為1至10之整數。)]。
[2]如上述[1]所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，Rf1在每次出現時分別獨立地為C1-16全氟烷基、Rf2在每次出現時分別獨立地為C1-6全氟伸烷基。
[3]如上述[1]或[2]所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下述所示之基，
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
[式中，RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200之整數，a、b、c、d、e及f之和為1以上，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，惟，所有之RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f之至少1者為1以上]。
[4]如上述[3]所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，RFa為氟原子。
[5]如上述[1]至[4]中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)或(f5)所示之基，
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
[式中，d為1至200之整數、e為0或1]；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
[式中，c及d分別獨立地為0至30之整數，
e及f分別獨立地為1至200之整數，
c、d、e及f之和為10至200之整數，
標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]；
-(R6-R7)g- (f3)
[式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7可為選自由OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或為選自此等之基的2或3個基的組合，
g為2至100之整數]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f4)
[式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
[式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
[6]如上述[1]至[5]中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，R5為氫原子。
[7]如上述[1]至[4]中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中R5為RSi。
[8]如上述[1]至[7]中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，RSi分別獨立地為下述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基，
-SiR
11
n1
R
12
3-n1
(S2)
-SiR
a1
k1
R
b1
l1
R
c1
m1
(S3)
-CR
d1
k2
R
e1
l2
R
f1
m2
(S4)
-NR
g1
R
h1
(S5)
[式中：
R11在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R12在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元分別獨立地為0至3之整數；
X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或2價有機基；
R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
t在每次出現時分別獨立地為2以上之整數；
R14在每次出現時分別獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；
R15在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基；
Ra1在每次出現時分別獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；
Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R21在每次出現時分別獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；
R22在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R23在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
p1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
q1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
r1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
p1、q1及r1之合計為3；
Z1’在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R21’在每次出現時分別獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；
R22’在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R23’在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
p1’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
q1’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
r1’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
p1’、q1’及r1’之合計為3；
Z1”在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R22”在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R23”在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
q1”在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
r1”在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
q1”及r1”之合計為3；
Rb1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
Rc1在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
k1在每次出現時分別獨立地為1至3之整數；
l1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
m1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
k1、l1及m1之合計為3；
Rd1在每次出現時分別獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；
Z2在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R31在每次出現時分別獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；
R32在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
p2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
q2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
r2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
p2、q2及r2之合計為3；
Z2’在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R32’在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33’在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
q2’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
r2’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
q2’及r2’之合計為3；
Z3在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R34在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R35在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
n2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
Re1在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
Rf1在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
k2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
l2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
m2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；
k2、l2及m2之合計為3；
Rg1及Rh1在每次出現時分別獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、或-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；
Z4在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
惟，式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中，存在至少一個鍵結有羥基或水解性基的Si原子]。
[9]如上述[8]所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，鍵結於XB的RSi為式(S3)或(S4)所示之基。
[10]如上述[8]或[9]所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，R1中之RSi為式(S2)所示之基。
[11]如上述[1]至[10]中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，XA分別獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(R51’)p5’-(X51’)q5’-(R51’)p5”-
(式中：
R51’分別獨立地為C1-6伸烷基，
X51’為O，
p5’為0或1，
p5”為0或1，
q5’為0或1，
於此，p5’及p5”之至少一者為1)；
XB分別獨立地為單鍵或下述式所示之基，
-(R61’)p6’-(X61’)q6’-(R61’)p6”-
(式中：
R61’分別獨立地為C1-6伸烷基，
X61’為O，
p6’為0或1，
p6”為0或1，
q6’為0或1，
於此，p6’及p6”之至少一者為1)。
[12]如上述[1]至[11]中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，XA為單鍵，XB為C1-6伸烷基。
[13]一種表面處理劑，其係含有如上述[1]至[12]中任一項所述之含氟(聚)醚基的矽烷化合物。
[14]如上述[13]所述之表面處理劑，其更含有選自由含氟油、聚矽氧油、及觸媒之1種以上之其他成分。
[15]如上述[13]或[14]所述之表面處理劑，其更包含溶媒。
[16]如上述[13]至[15]中任一項所述之表面處理劑，其係作為防污性塗佈劑或防水性塗佈劑使用。
[17]一種物品，係包含基材、與由上述[1]至[12]中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物或上述[13]至[16]中任一項所述之表面處理劑形成在該基材之表面的層。
[18]如上述[17]所述之物品，其為光學構件。
依據本揭示，可提供可賦予具更高摩耗耐久性之表面處理層的表面處理劑。
本說明書中所使用時，「1價有機基」係指含碳之1價基。作為1價有機基，並無特別限定，可為烴基或其衍生物。烴基之衍生物係指，在烴基之末端或分子鏈中，具有1個以上之N、O、S、Si、醯胺、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰氧基等的基。尚且，單獨顯示「有機基」時，係指1價有機基。此外，「2價有機基」係指含碳之2價基。作為此2價有機基，並無特別限定，可列舉：進一步使1個氫原子從有機基脫離而得的2價基。
本說明書中所使用時，「烴基」係指包含碳及氫之基，係指使1個氫原子從烴脫離而得的基。作為此烴基，並無特別限定者，可列舉如：可經1個以上之取代基取代的C1-20烴基，係例如：脂肪族烴基、芳香族烴基等。上述「脂肪族烴基」可為直鏈狀、支鏈狀或環狀，亦可為飽和或不飽和。此外，烴基可包含1個以上之環結構。
本說明書中所使用時，作為「烴基」之取代基，並無特別限定，可列舉例如：鹵素原子，以及可經1個以上之鹵素原子取代之選自由C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員之雜環基、5至10員之不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員之雜芳基之1個以上之基。
本說明書中所使用時，「水解性基」係指藉由水解反應而得之基，亦即，藉由水解反應，從化合物之主骨架脫離而得之基。作為水解性基之例，可列舉-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO、鹵素(此等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)等。
(含氟聚醚基的矽烷化合物)
本揭示之含氟聚醚基的矽烷化合物為下述式(1)或(2)所示之含氟聚醚基的矽烷化合物；
[式中：
RF1為Rf1-RF-Oq-；
RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；
Rf1為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基；
Rf2為可經1個以上之氟原子取代的C1-6伸烷基；
RF分別獨立地為2價之氟聚醚基；
p為0或1；
q在每次出現時分別獨立地為0或1；
R1分別獨立地為-R3-(OR2)m-On-R4-R5；
R2在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基；
m為2至10之整數；
n為0或1；
R3為單鍵或C1-6伸烷基；
R4為單鍵或C1-6伸烷基；
R5為氫原子或RSi；
RSi分別獨立地為包含鍵結有羥基或水解性基之Si原子的1價基；
XA分別獨立地為單鍵或下述式所示之基；
-(X51)p5-
(式中：
X51在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所組成群組的基，
R53在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，
R54在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，
m5在每次出現時分別獨立地為1至100之整數，
n5在每次出現時，分別獨立地為1至20之整數，
p5為1至10之整數)；
XB分別獨立地為單鍵或下述式所示之基：
-(X61)p6-
(式中：
X61在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R63)2-、-(Si(R63)2O)m6-Si(R63)2-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所組成群組的基，
R63在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，
R64在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，
m6在每次出現時分別獨立地為1至100之整數，
n6在每次出現時，分別獨立地為1至20之整數，
p6為1至10之整數)]。
上述式(1)中，RF1為Rf1-RF-Oq-。
上述式(2)中，RF2為-Rf2 p-RF-Oq-。
上述式中，Rf1為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基。
上述可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基中，「C1-16烷基」可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈或支鏈之C1-6烷基，尤其係C1-3烷基，更佳為直鏈之C1-6烷基，尤其係C1-3烷基。
上述Rf1較佳為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基，更佳為CF2H-C1-15全氟伸烷基，又更佳為C1-16全氟烷基。
上述C1-16全氟烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈或支鏈之C1-6全氟烷基，尤其係C1-3全氟烷基，更佳為直鏈之C1-6全氟烷基，尤其係C1-3全氟烷基，具體而言為-CF3、-CF2CF3、或-CF2CF2CF3。
上述式中，Rf2為可經1個以上之氟原子取代的C1-6伸烷基。
上述可經1個以上之氟原子取代的C1-6伸烷基中，「C1-6伸烷基」可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈或支鏈之C1-3伸烷基，更佳為直鏈之C1-3伸烷基。
上述Rf2較佳為可經1個以上之氟原子取代的C1-6伸烷基，更佳為C1-6全氟伸烷基，又更佳為C1-3全氟伸烷基。
上述C1-6全氟伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈或支鏈之C1-3全氟伸烷基，更佳為直鏈之C1-3全氟伸烷基，具體而言為-CF2-、-CF2CF2-、或-CF2CF2CF2-。
上述式中，p為0或1。一態樣中，p為0。另一態樣中，p為1。
上述式中，q分別獨立地為0或1。一態樣中，q為0。另一態樣中，q為1。
上述式(1)及(2)中，RF在每次出現時分別獨立地為2價之氟聚醚基。
RF較佳為下述式所示之基；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
[式中：
RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200之整數，a、b、c、d、e及f之和為1以上。標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。惟，所有之RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f之至少1者為1以上]。
RFa較佳為氫原子或氟原子，更佳為氟原子。惟，所有之RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f之至少1者為1以上。
a、b、c、d、e及f較佳係分別獨立地可為0至100之整數。
a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如可為15以上或20以上。a、b、c、d、e及f之和較佳為200以下，更佳為100以下，又更佳為60以下，例如可為50以下或30以下。
此等重複單元可為直鏈狀或支鏈狀。例如：-(OC6F12)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC5F10)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-之任一者。-(OC3F6)-(即，上述式中，RFa為氟原子)可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-之任一者。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-之任一者。
一態樣中，上述重複單元為直鏈狀。藉由將上述重複單元設為直鏈狀，可使表面處理層之表面平滑性、摩耗耐久性等提升。
一態樣中，上述重複單元為支鏈狀。藉由將上述重複單元設為支鏈狀，可增加表面處理層之動摩擦係數。
一態樣中，RF在每次出現時分別獨立地為下述式(f1)至(f5)之任一者所示之基。
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
[式中，d為1至200之整數，e為0或1]；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
[式中，c及d分別獨立地為0以上30以下之整數，e及f分別獨立地為1以上200以下之整數，
c、d、e及f之和為2以上，
標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]；
-(R6-R7)g- (f3)
[式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基，或為獨立地選自此等之基的2或3個基的組合，
g為2至100之整數]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f4)
[式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下之整數，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
[式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下之整數，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
上述式(f1)中，d較佳為5至200，更佳為10至100，又更佳為15至50，例如25至35之整數。一態樣中，e為1。其他態樣中，e為0。上述式(f1)中，OC3F6較佳為OCF2CF2CF2、OCF2CF(CF3)、或OCF(CF3)CF2，更佳為OCF2CF2CF2。
上述式(f2)中，e及f分別獨立地較佳為5至200，更佳為10至200之整數。此外，c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如可為15以上或20以上。一態樣中，上述式(f2)較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f-所示之基。其他態樣中，式(f2)可為-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示之基。
上述式(f3)中，R6較佳為OC2F4。上述(f3)中，R7較佳為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之基，或為獨立地選自此等之基的2或3個基的組合，更佳為選自OC3F6及OC4F8之基。作為獨立地選自OC2F4、OC3F6及OC4F8的2或3個基的組合，並無特別限定，可列舉例如：-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、-OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、-OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-、及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。上述式(f3)中，g較佳為3以上，更佳為5以上之整數。上述g較佳為50以下之整數。上述式(f3)中，OC2F4、OC3F6、
OC4F8、OC5F10及OC6F12可為直鏈或支鏈之任一者，較佳為直鏈。此態樣中，上述式(f3)較佳為-(OC2F4-OC3F6)g-或-(OC2F4-OC4F8)g-。
上述式(f4)中，e較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下之整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如10以上100以下。
上述式(f5)中，f較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下之整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如10以上100以下。
一態樣中，上述RF為上述式(f1)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f2)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f3)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f4)所示之基。
一態樣中，上述RF為上述式(f5)所示之基。
上述RF中，e對於f之比(以下稱為「e/f比」)為0.1至10，較佳為0.2至5，更佳為0.2至2，又更佳為0.2至1.5，再更佳為0.2至0.85。藉由將e/f比設為10以下，則更提升由該化合物而得之表面處理層的平滑性、摩耗耐久性及耐化學性(例如，相對於人工汗之耐久性)。e/f比越小，則更提升表面處理層之平滑性及摩耗耐久性。另一方面，藉由將e/f比設為0.1以上，則可更提高化合物之穩定性。e/f比越大，則更提升化合物之穩定性。
一態樣中，上述e/f比較佳為0.2至0.95，更佳為0.2至0.9。
一態樣中，就耐熱性之觀點而言，上述e/f比較佳為1.0以上，更佳為1.0至2.0。
上述含氟聚醚基的矽烷化合物中，RF1及RF2部分之數平均分子量並無特別限定者，惟例如為500至30,000，較佳為1,500至30,000，更佳為2,000至10,000。本說明書中，RF1及RF2之數平均分子量係藉由19F-NMR所測定之值。
其他態樣中，RF1及RF2部分之數平均分子量可為500至30,000，較佳為1,000至20,000，更佳為2,000至15,000、又更佳為2,000至10,000，例如可為3,000至6,000。
其他態樣中，RF1及RF2部分之數平均分子量可為4,000至30,000，較佳為5,000至10,000，更佳為6,000至10,000。
上述式(1)及(2)中，R1分別獨立地為-R3-(OR2)m-On-R4-R5。
上述式中，R2在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基。
R2中，上述C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。
上述R2較佳為C1-4伸烷基，更佳為C1-3伸烷基，特佳為-CH2CH2-。藉由將R2設為上述者，則可更提升摩擦耐久性。
上述式中，m為2至10之整數，較佳為2至6之整數，更佳為2至4之整數。藉由將m設為上述範圍，則可更提升摩擦耐久性。
上述式中，R3為單鍵或C1-6伸烷基。
R3中，上述C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。
上述R3較佳為C1-6伸烷基，更佳為C1-3伸烷基，特佳為亞甲基。
上述式中，R4為單鍵或C1-6伸烷基。
R4中，上述C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。
上述R4較佳為C1-6伸烷基，更佳為C1-3伸烷基，特佳為亞甲基。
上述式中，n為0或1。
一態樣中，n為0。
其他態樣中，n為1。
上述式中，R5為氫原子或RSi。此RSi可為與鍵結於XB的RSi相同或相異。
一態樣中，上述R1中之RSi與鍵結於XB的RSi相同。
其他態樣中，上述R1中之RSi與鍵結於XB的RSi相異。
一態樣中，上述R5為氫原子。
其他態樣中，上述R5為RSi。
上述式(1)及(2)中，RSi在每次出現時分別獨立地為包含鍵結有羥基或水解性基的Si原子之1價基。
較佳態樣中，RSi為下述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。
-SiR
11
n1
R
12
3-n1
(S2)
-SiR
a1
k1
R
b1
l1
R
c1
m1
(S3)
-CR
d1
k2
R
e1
l2
R
f1
m2
(S4)
-NR
g1
R
h1
(S5)
上述式中，R11在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R11較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R11較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO、或鹵素(此等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(即，烷氧基)。作為Rj，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等之未取代烷基；氯甲基等取代烷基。此等之中，較佳係烷基，尤其係未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述式中，R12在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。此1價有機基，除了上述水解性基之外，為1價有機基。
R12中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述式中，n1係每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元分別獨立地為0至3之整數。惟，RSi為式(S1)或(S2)所示之基時，式(1)及式(2)之末端的RSi部分(以下亦簡稱為式(1)及式(2)之「末端部分」)中，至少存在1個n1為1
至3之(SiR11 n1R12 3-n1)單元。亦即，此末端部分中，所有之n1不同時為0。換言之，式(1)及式(2)之末端部分中，存在至少一個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
n1係每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元分別獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述式中，X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或2價有機基。此2價有機基較佳為-R28-Ox-R29-(式中，R28及R29在每次出現時分別獨立地為單鍵或C1-20伸烷基、x為0或1)。此C1-20伸烷基可為直鏈或支鏈，惟較佳為直鏈。此C1-20伸烷基較佳為C1-10伸烷基，更佳為C1-6伸烷基，又更佳為C1-3伸烷基。
一態樣中，X11在每次出現時分別獨立地為-C1-6伸烷基-O-C1-6伸烷基-或-O-C1-6伸烷基-。
較佳態樣中，X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或直鏈之C1-6伸烷基，較佳為單鍵或直鏈之C1-3伸烷基，更佳為單鍵或直鏈之C1-2伸烷基，又更佳為直鏈之C1-2伸烷基。
上述式中，R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。此1價有機基較佳為C1-20烷基。此C1-20烷基可為直鏈或支鏈，惟較佳為直鏈。
較佳態樣中，R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或直鏈之C1-6烷基，較佳為氫原子或直鏈之C1-3烷基，較佳為氫原子或甲基。
上述式中，t在每次出現時分別獨立地為2以上之整數。
較佳態樣中，t在每次出現時分別獨立地為2至10之整數，較佳為2至6之整數。
上述式中，R14在每次出現時分別獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1。此鹵素原子較佳為碘原子、氯原子或氟原子，更佳為氟原子。較佳態樣中，R14為氫原子。
上述式中，R15在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基。
一態樣中，R15在每次出現時分別獨立地為氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基。
較佳態樣中，R15為單鍵。
一態樣中，式(S1)為下述式(S1-a)。
[式中，
R11、R12、R13、X11、及n1係與上述式(S1)之記載同義；
t1及t2在每次出現時分別獨立地為1以上之整數，較佳為1至10之整數，更佳為2至10之整數，例如1至5之整數或2至5之整數；
標註t1及t2並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。]
較佳態樣中，式(S1)為下述式(S1-b)。
[式中，R11、R12、R13、X11、n1及t係與上述式(S1)之記載同義]
上述式中，Ra1在每次出現時分別獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1。
上述Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z1記載之結構係右側與(SiR21 p1R22 q1R23 r1)鍵結。
較佳態樣中，Z1為2價有機基。
較佳態樣中，Z1不包含與於Z1鍵結的Si原子形成矽氧烷鍵結者。較佳為式(S3)中，(Si-Z1-Si)不包含矽氧烷鍵。
上述Z1較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1-O-(CH2)z2-(式中，z1為0至6之整數，例如1至6之整數，z2為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-(式中，z3為0至6之整數，例如1至6之整數，z4為0至6之整數，例如1至6之整數)。此C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。此等之基，例如：可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基所取代，較佳為未取代。
較佳態樣中，Z1為C1-6伸烷基或-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4-。Z1為此基時，可更提高光耐性，尤其係紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z1為C1-3伸烷基。一態樣中，Z1可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z1可為-CH2CH2-。
上述R21在每次出現時分別獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’。
上述Z1’在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z1’記載之結構係右側與(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)鍵結。
較佳態樣中，Z1’為2價有機基。
較佳態樣中，Z1’不包含與於Z1’鍵結的Si原子形成矽氧烷鍵結者。較佳為式(S3)中，(Si-Z1’-Si)不包含矽氧烷鍵。
上述Z1’較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1’-O-(CH2)z2’-(式中，z1’為0至6之整數，例如1至6之整數，z2’為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z3’-伸苯基-(CH2)z4’-(式中，z3’為0至6之整數，例如1至6之整數，z4’為0至6之整數，例如1至6之整數)。此C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。此等之基，例如：可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基所取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z1’為C1-6伸烷基或-(CH2)z3’-伸苯基-(CH2)z4’-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4’-。Z1’為此基時，可更提高光耐性，尤其係紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z1’為C1-3伸烷基。一態樣中，Z1’可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z1’可為-CH2CH2-。
上述R21’在每次出現時分別獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”。
上述Z1”在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z1”記載之結構係右側與(SiR22” q1”R23” r1”)鍵結。
較佳態樣中，Z1”為2價有機基。
較佳態樣中，Z1”不包含與於Z1”鍵結的Si原子形成矽氧烷鍵結者。較佳為式(S3)中，(Si-Z1”-Si)不包含矽氧烷鍵。
上述Z1”較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1”-O-(CH2)z2”-(式中，z1”為0至6之整數，例如1至6之整數，z2”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z3”-伸苯基-(CH2)z4”-(式中，z3”為0至6之整數，例如1至6之整數，z4”為0至6之整數，例如1至6之整數)。此C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。此等之基，例如：可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基所取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z1”為C1-6伸烷基或-(CH2)z3”-伸苯基-(CH2)z4”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4”-。Z1”為此基時，可更提高光耐性，尤其係紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z1”為C1-3伸烷基。一態樣中，Z1”可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z1”可為-CH2CH2-。
上述R22”在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
上述R22”較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
上述R22”較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO、或鹵素(此等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(即，烷氧基)。作為Rj，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。此等之中，較佳係烷基，尤其係未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述R23”在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。此1價有機基，除了上述水解性基之外，為1價有機基。
上述R23”中，1價有機基較佳為C1-20烷基、或-(CH2)y1-O-(CH2)y2-(式中，y1為0至6之整數，例如1至6之整數，y2為0至6之整數，例如1至6之整數)，更佳為C1-20烷基。C1-20烷基較佳為C1-6烷基，更佳為甲基。
上述q1”在每次出現時分別獨立地為0至3之整數，上述r1”在每次出現時分別獨立地為0至3之整數。尚且，q1”與r1”之合計在(SiR22” q1”R23” r1”)單元中，為3。
上述q1”在每個(SiR22” q1”R23” r1”)單元分別獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R22’在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R22’較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R22’較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO、或鹵素(此等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(即，烷氧基)。作為Rj，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。此等之中，較佳係烷基，尤其係未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述R23’在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。此1價有機基，除了上述水解性基之外，為1價有機基。
R23’中，1價有機基較佳為C1-20烷基、或-(CH2)y3-O-(CH2)y4-(式中，y3為0至6之整數，例如1至6之整數，y4為0至6之整數，例
如1至6之整數)，更佳為C1-20烷基。C1-20烷基較佳為C1-6烷基，更佳為甲基。
上述p1’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數，q1’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數，r1’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數。尚且，p’、q1’與r1’之合計在(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中，為3。
一態樣中，p1’為0。
一態樣中，p1’在每個(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元分別獨立地可為1至3之整數、2至3之整數、或3。較佳態樣中，p1’為3。
一態樣中，q1’在每個(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元分別獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
一態樣中，p1’為0，q1’在每個(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元分別獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數、更佳為3。
上述R22在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R22較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R22較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO、或鹵素(此等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(即，烷氧基)。作為Rj，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等之未取代烷基；氯甲基等取代烷基。此等之中，較佳係烷基，尤其係未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述R23在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。此1價有機基，除了上述水解性基之外，為1價有機基。
R23中，1價有機基較佳為C1-20烷基、或-(CH2)y5-O-(CH2)y6-(式中，y5為0至6之整數，例如1至6之整數，y6為0至6之整數，例如1至6之整數)，更佳為C1-20烷基。C1-20烷基較佳為C1-6烷基，更佳為甲基。
上述p1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數，q1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數，r1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數。尚且，p1、q1與r1之合計，在(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中，為3。
一態樣中，p1為0。
一態樣中，p1在每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元分別獨立地可為1至3之整數、2至3之整數、或3。較佳態樣中，p1為3。
一態樣中，q1在每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元分別獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
一態樣中，p1為0，q1在每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元分別獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數、更佳為3。
上述式中，Rb1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
上述Rb1較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
上述Rb1較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO、或鹵素(此等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(即，烷氧基)。作為Rj，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。此等
之中，較佳係烷基，尤其係未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述式中，Rc1在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。此1價有機基，除了上述水解性基之外，為1價有機基。
上述Rc1中，1價有機基較佳為C1-20烷基、或-(CH2)y7-O-(CH2)y8-(式中，y7為0至6之整數，例如1至6之整數，y8為0至6之整數，例如1至6之整數)，更佳為C1-20烷基。C1-20烷基較佳為C1-6烷基，更佳為甲基。
上述k1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數，l1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數，m1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數。尚且，k1、l1與m1之合計，在(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元中，為3。
一態樣中，k1在每個(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元分別獨立地為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。較佳態樣中，k1為3。
上述式(1)及(2)中，RSi為式(S3)所示之基時，較佳為式(1)及式(2)之末端部分中，至少存在2個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
較佳態樣中，式(S3)所示之基，具有-Z1-SiR22 q1R23 r1(式中，q1為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3，r1為0至2之整數)、-Z1’-SiR22’ q1’R23’ r1’(式中，q1’為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3，r1’為0至2之整數)、或-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”(式中，q1”為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3，r1”為0至2之整數)之任1者。Z1、Z1’、Z1”、R22、R23、R22’、R23’、R22”、及R23”與上述同義。
較佳態樣中，式(S3)中，R21’存在時，至少1個之較佳為所有之R21’中，q1”為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S3)中，R21存在時，至少1個之較佳為所有之R21中，p1’為0、q1’為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S3)中，Ra1存在時，至少1個之較佳為所有之Ra1中，p1為0、q1為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S3)中，k1為2或3，較佳為3、p1為0、q1為2或3，較佳為3。
Rd1在每次出現時分別獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2。
Z2在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z2記載之結構係右側與(CR31 p2R32 q2R33 r2)鍵結。
較佳態樣中，Z2為2價有機基。
上述Z2較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5-O-(CH2)z6-(式中，z5為0至6之整數，例如1至6之整數，z6為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-(式中，z7為0至6之整數，例如1至6之整數，z8為0至6之整數，例如1至6之整數)。此C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，惟較佳為直鏈。此等之基，例如：可藉由選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z2為C1-6伸烷基或-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8-。Z2為此基時，可更提高光耐性，尤其係紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z2為C1-3伸烷基。一態樣中，Z2可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z2可為-CH2CH2-。
R31在每次出現時分別獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’。
Z2’在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z2’記載之結構係右側與(CR32’ q2’R33’ r2’)鍵結。
上述Z2’較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5’-O-(CH2)z6’-(式中，z5’為0至6之整數，例如1至6之整數，z6’為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7’-伸苯基-(CH2)z8’-(式中，z7’為0至6之整數，例如1至6之整數，z8’為0至6之整數，例如1至6之整數)。此C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。此等之基，例如：可藉由選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代，較佳為未取代。
較佳態樣中，Z2’為C1-6伸烷基或-(CH2)z7’-伸苯基-(CH2)z8’-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8’-。Z2’為此基時，可更提高光耐性，尤其係紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z2’為C1-3伸烷基。一態樣中，Z2’可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z2’可為-CH2CH2-。
上述R32’在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。
上述Z3在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z3記載之結構係右側與(SiR34 n2R35 3-n2)鍵結。
一態樣中，Z3為氧原子。
一態樣中，Z3為2價有機基。
上述Z3較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如1至6之整數，z8”為0至6之整數，例如1至6之整數)。此C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。此等之基，例如：可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代，較佳為未取代。
較佳態樣中，Z3為C1-6伸烷基或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8”-。Z3為此基時，可更提高光耐性，尤其係紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z3為C1-3伸烷基。一態樣中，Z3可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z3可為-CH2CH2-。
上述R34在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R34較佳係在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R34較佳係在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO、或鹵素(此等式中，Rj表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORj(即，烷氧基)。作為Rj，係列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。此等之中，較佳係烷基，尤其係未取代烷基，更佳為甲基或乙基。一態樣中，Rj為甲基，其他態樣中，Rj為乙基。
上述R35在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。此1價有機基，除了上述水解性基之外，為1價有機基。
上述R35中，1價有機基較佳為C1-20烷基、或-(CH2)y9-O-(CH2)y10-(式中，y9為0至6之整數，例如1至6之整數，y10為0至6之整數，例如1至6之整數)，更佳為C1-20烷基。C1-20烷基較佳為C1-6烷基，更佳為甲基。
上述式中，n2在每個(SiR34 n2R35 3-n2)單元分別獨立地為0至3之整數。惟，RSi為式(S4)所示之基時，式(1)及式(2)之末端部分中，至少存在1個n2為1至3之(SiR34 n2R35 3-n2)單元。亦即，此末端部分中，所有之n2不同時為0。換言之，式(1)及式(2)之末端部分中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
n2在每個(SiR34 n2R35 3-n2)單元分別獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R33’在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。此1價有機基，除了上述水解性基之外，為1價有機基。
上述R33’中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6之整數，較佳為2至4之整數、t1為1或0，較佳為0，t2為1至20之整數，較佳為2至10之整數，更佳為2至6之整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特佳為甲基。
一態樣中，R33’為羥基。
其他態樣中，R33’為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述q2’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數、上述r2’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數。尚且，q2’與r2’之合計在(CR32’ q2’R33’ r2’)單元中，為3。
q2’在每個(CR32’ q2’R33’ r2’)單元分別獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
R32在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。此-Z3-SiR34 n2R35 3-n2與上述R32’中之記載同義。
上述R33在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。此1價有機基，除了上述水解性基之外，為1價有機基。
上述R33中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6之整數，較佳為2至4之整數、t1為1或0，較佳為0，t2為1至20之整數，較佳為2至10之整數，更佳為2至6之整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特佳為甲基。
一態樣中，R33為羥基。
其他態樣中，R33為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述p2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數，q2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數，r2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數。尚且，p2、q2及r2之合計在(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中，為3。
一態樣中，p2為0。
一態樣中，p2在每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元分別獨立地可為1至3之整數、2至3之整數或3。較佳態樣中，p2為3。
一態樣中，q2在每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元分別獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
一態樣中，p2為0、q2在每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元分別獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，又更佳為3。
上述Re1在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。此-Z3-SiR34 n2R35 3-n2與上述R32’中之記載同義。
上述Rf1在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。此1價有機基，除了上述水解性基之外，為1價有機基。
上述Rf1中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6之整數，較佳為2至4之整數、t1為1或0，較佳為0，t2為1至20之整數，較佳為2至10之整數，更佳為2至6之整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特佳為甲基。
一態樣中，Rf1為羥基。
其他態樣中，Rf1為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述k2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數、l2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數、m2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數。尚且，k2、l2及m2之合計在(CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2)單元中，為3。
一態樣中，RSi為式(S4)所示之基時，n2為1至3，較佳為2或3，更佳為3之(SiR34 n2R35 3-n2)單元，在式(1)及式(2)之各末端部分中，存在2個以上，例如2至27個，較佳為2至9個，更佳為2至6個，又更佳為2至3個，特佳為3個。
較佳態樣中，式(S4)中，R32’存在時，至少1個，較佳為所有之R32’中，n2為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S4)中，R32存在時，至少1個，較佳為所有之R32中，n2為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S4)中，Re1存在時，至少1個，較佳為所有之Ra1中，n2為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S4)中，k2為0、l2為2或3，較佳為3、n2為2或3，較佳為3。
上述Rg1及Rh1在每次出現時分別獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2。於此，R11、R12、Ra1、Rb2、Rc1、Rd1、Re1、Rf1、n1、k1、l1、m1、k2、l2、及m2與上述同義。
較佳態樣中，Rg1及Rh1分別獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1。
上述Z4在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z4記載之結構係右側與(SiR11 n1R12 3-n1)鍵結。
一態樣中，Z4為氧原子。
一態樣中，Z4為2價有機基。
上述Z4較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如1至6之整數，z8”為0至6之整數，例如1至6之整數)。此C1-6伸烷基可為直鏈或支鏈，較佳為直鏈。此等之基，例如：可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代，較佳為未取代。
較佳態樣中，Z4為C1-6伸烷基或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8”-。Z3為此基時，可更提高光耐性，尤其係紫外線耐性。
其他較佳態樣中，上述Z4為C1-3伸烷基。一態樣中，Z4可為-CH2CH2CH2-。其他態樣中，Z4可為-CH2CH2-。
一態樣中，RSi為式(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。此等化合物可形成具有表面平滑性高之表面處理層。
一態樣中，RSi為式(S1)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。此等化合物因一末端具有複數個水解性基，故可形成與基材強固密著且具有摩耗耐久性高的表面處理層。
一態樣中，RSi為式(S1)、(S3)或(S4)所示之基。此等之化合物因一末端具有複數個水解性基，故可形成與基材強固密著且具有摩耗耐久性高的表面處理層。
一態樣中，RSi為式(S3)或(S4)所示之基。此等之化合物，因一末端可具有從一個Si原子或C原子分支的複數個水解性基，故可形成更具有摩耗耐久性高的表面處理層。
一態樣中，RSi為式(S1)所示之基。
一態樣中，RSi為式(S2)所示之基。
一態樣中，RSi為式(S3)所示之基。
一態樣中，RSi為式(S4)所示之基。
一態樣中，RSi為式(S5)所示之基。
較佳態樣中，與XB鍵結的RSi為式(S3)或(S4)所示之基。
特佳態樣中，與XB鍵結的RSi為式(S4)所示之基。
一態樣中，R1中之RSi為式(S2)所示之基。
較佳態樣中，與XB鍵結的RSi為式(S3)或(S4)所示之基，較佳為式(S4)所示之基，R1中之RSi為式(S2)所示之基。
上述式(1)及(2)中，XA分別獨立地為單鍵或下述式所示之基。
-(X51)p5-
[式中：
X51在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所組成群組的基，
R53在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳為苯基或C1-6烷基，更佳為甲基，
R54在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，
m5在每次出現時分別獨立地為1至100之整數，較佳為1至20之整數，
n5在每次出現時分別獨立地為1至20之整數，較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數，
p5為1至10之整數，較佳為1至5之整數，更佳為1至3之整數。]
又，XA之說明中，各基之左側與式中之RF1或RF2鍵結，右側與CONR1之碳原子鍵結。
一態樣中，XA不含矽氧烷鍵(-Si-O-Si-)。
一態樣中，XA為單鍵。
其他態樣中，XA為-(X51)p5-。
較佳態樣中，X51在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-C(O)O-、-OC(O)-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所組成群組的基。
更佳態樣中，X51在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-CONR54-、-NR54CO-、及-(CH2)n5-所組成群組的基。
又更佳態樣中，X51在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、及-(CH2)n5-所組成群組的基。
其他態樣中，XA分別獨立地為單鍵或下述式所示之基。
-(R51’)p5’-(X51’)q5’-(R51’)p5”-
(式中：
R51’分別獨立地為C1-6伸烷基、
X51’為O、
p5’為0或1、
p5”為0或1、
q5’為0或1、
於此，p5’及p5”之至少一者為1。)
其他態樣中，XA分別獨立地為C1-6伸烷基。
上述式(1)及(2)中，XB分別獨立地為單鍵或下述式所示之基。
-(X61)p6-
[式中：
X61在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R63)2-、-(Si(R63)2O)m6-Si(R63)2-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所組成群組的基，
R63在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳為苯基或C1-6烷基，更佳為甲基，
R64在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，
m6在每次出現時分別獨立地為1至100之整數，較佳為1至20之整數，
n6在每次出現時分別獨立地為1至20之整數，較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數，
p6為1至10之整數，較佳為1至5之整數，更佳為1至3之整數。]
又，XB之說明中，各基之左側與式中之CONR1的氮原子鍵結，右側與RSi鍵結。
一態樣中，XB不含矽氧烷鍵(-Si-O-Si-)。
一態樣中，XB為單鍵。
其他態樣中，XB為-(X61)p6-。
較佳態樣中，X61在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-C(O)O-、-OC(O)-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所組成群組的基。
更佳態樣中，X61在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-CONR64-、-NR64CO-、及-(CH2)n6-所組成群組的基。
又更佳態樣中，X61在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、及-(CH2)n6-所組成群組的基。
其他態樣中，XB分別獨立地為單鍵或下述式所示之基。
-(R61’)p6’-(X61’)q6’-(R61’)p6”-
(式中：
R61’分別獨立地為C1-6伸烷基、
X61’為O、
p6’為0或1、
p6”為0或1、
q6’為0或1、
於此，p6’及p6”之至少一者為1。)
其他態樣中，XB分別獨立地為C1-6伸烷基。
一態樣中，XA為單鍵，XB分別獨立地為C1-6伸烷基。
一態樣中，式(1)或式(2)所示之含氟聚醚基的矽烷化合物不含矽氧烷鍵(-Si-O-Si-)。
上述式(1)或式(2)所示之含氟聚醚基的矽烷化合物，並無特別限定者，惟可具有5×102至1×105之平均分子量。即使於此範圍中，就摩耗耐久性之觀點而言，較佳為具有2,000至32,000，更佳為2,500至12,000之平均分子量。又，此「平均分子量」係指數平均分子量，「平均分子量」為藉由19F-NMR所測定的值。
上述式(1)及(2)所示之含氟聚醚基的矽烷化合物，例如可藉由下述方法製造。
使式(1a)或(2a)所示之化合物與式(5)所示之化合物反應而得式(1b)或(2b)所示之含全氟聚醚基之烯丙基化合物。
PFPE-COOH (1a)
HOCO-PFPE-COOH (2a)
[式中，PFPE為氟聚醚基。]
[式中：
R1與式(1)及(2)之記載同義；
R25為C或Si；
XB’為單鍵、或2價有機基。]
[式中，PFPE、R1、R25、及XB’與上述同義。]
其次，使式(1b)或(2b)所示之化合物與式(6)所示之化合物反應，並藉由適當地將水解性基導入Si原子，可獲得式(1)或(2)所示之化合物。
HSiR26 3 (6)
[式中，R26分別獨立地為氫原子、1價有機基、羥基、水解性基、或鹵素原子。]
上述反應之各步驟的反應條件，可由所屬技術領域中具有通常知識者適當地設定。
其次，針對本發明之表面處理劑進行說明。
本揭示之表面處理劑含有式(1)或(2)所示之至少1種之含氟聚醚基的矽烷化合物。
一態樣中，本揭示之表面處理劑中，含氟聚醚基的矽烷化合物為式(1)所示之化合物。
其他態樣中，本揭示之表面處理劑中，含氟聚醚基的矽烷化合物為式(2)所示之化合物。
其他態樣中，本揭示之表面處理劑中，含氟聚醚基的矽烷化合物為式(1)所示之化合物及式(2)所示之化合物。
本揭示之表面處理劑中，相對於式(1)所示之化合物與式(2)所示之化合物之合計，式(2)所示之化合物較佳為0.1莫耳%以上35莫耳%以下。相對於式(1)所示之化合物與式(2)所示之化合物之合計，式(2)所示之化合物之含量的下限，較佳為0.1莫耳%，更佳為0.2莫耳%，又更佳為0.5莫耳%，再更佳為1莫耳%，特佳為2莫耳%、尤其可為5莫耳%。相對於式(1)所示之化合物與式(2)所示之化合物之合計，式(2)所示之化合物之含量的上限，較佳可為35莫耳%，更佳為30莫耳%，又更佳為20莫耳%，再更佳為15莫耳%或10莫耳%。相對於式(1)所示之化合物與式(2)所示之化合物之合計，式(2)所示之化合物，較佳為0.1莫耳%以上30莫耳%以下，更佳為0.1莫耳%以上20莫耳%以下，又更佳為0.2莫耳%以上10莫耳%以下，再更佳為0.5莫耳%以上10莫耳%以下，特佳為1莫耳%以上10莫
耳%以下，例如2莫耳%以上10莫耳%以下或5莫耳%以上10莫耳%以下。藉由將式(2)所示之化合物設於此範圍，可更提升摩耗耐久性。
上述式(1)或(2)所示之化合物之含量，相對於表面處理劑整體，較佳為0.1至50.0質量%，更佳為1.0至30.0質量%，又更佳為5.0至25.0質量%、特佳可為10.0至20.0質量%。藉由將上述含氟聚醚基的矽烷化合物之含量設於上述範圍，可獲得更高的撥水撥油性及摩擦耐久性。
本揭示之表面處理劑可包含：溶劑、可理解作為含氟油之(非反應性之)氟聚醚化合物，較佳為全氟(聚)醚化合物(以下統稱為「含氟油」)、可理解作為矽油之(非反應性之)聚矽氧化合物(以下稱為「矽油」)、醇類、觸媒、界面活性劑、聚合抑制劑、敏化劑等。
作為上述溶劑，可列舉例如：己烷、環己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、礦物油精等脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、萘、溶劑油等芳香族烴類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丙酯、乙酸異丁酯、乙酸賽珞蘇、丙二醇甲醚乙酸酯、乙酸卡必醇、草酸二乙酯、丙酮酸乙酯、2-羥基丁酸乙酯、乙醯乙酸乙酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯等酯類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、2-己酮、環己酮、甲基胺基酮、2-庚酮等酮類；乙基賽珞蘇、甲基賽珞蘇、乙酸甲賽珞蘇、乙酸乙賽珞蘇、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、二丙二醇二甲醚、乙二醇單烷基醚等乙二醇醚類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、三級丁醇、二級丁醇、3-戊醇、辛醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、
三級戊醇等醇類；乙二醇、丙二醇等乙二醇類；四氫呋喃、四氫哌喃、二噁烷等環狀醚類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；甲基賽珞蘇、賽珞蘇、異丙基賽珞蘇、丁基賽珞蘇、二乙二醇一甲基醚等醚醇類；二乙二醇單乙醚乙酸酯；1,1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷、1,2-二氯-1,1,2,2-四氟乙烷、二甲亞碸、1,1-二氯-1,2,2,3,3-五氟丙烷(HCFC225)、Zeorora H、HFE7100、HFE7200、HFE7300、CF3CH2OH、CF3CF2CH2OH、(CF3)2CHOH等含氟溶媒等。或者列舉此等之2種以上的混合溶媒等。
作為含氟油，並無特別限定者，惟可列舉例如：以下通式(3)所示之化合物(全氟(聚)醚化合物)。
Rf5-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-Rf6‧‧‧(3)
式中，Rf5表示可經1個以上之氟原子取代的碳數1至16烷基(較佳為C1-16之全氟烷基)，Rf6表示可經1個以上之氟原子取代的碳數1至16烷基(較佳為C1-16全氟烷基)、氟原子或氫原子，Rf5及Rf6更佳為分別獨立地為C1-3全氟烷基。
a’、b’、c’及d’分別表示構成聚合物之主骨架的全氟(聚)醚之4種重複單元數，彼此獨立地為0以上300以下之整數，a’、b’、c’及d’之和至少為1，較佳為1至300，更佳為20至300。標註a’、b’、c’或d’並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。此等重複單元之中，-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及(OCF2CF(C2F5))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及
(OCF2CF(CF3))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2)-。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及(OCF(CF3))-之任一者，較佳為-(OCF2CF2)-。
作為上述通式(3)所示之全氟(聚)醚化合物之例，可列舉以下通式(3a)及(3b)之任一者所示的化合物(可為1種或2種以上之混合物)。
Rf5-(OCF2CF2CF2)b”-Rf6‧‧‧(3a)
Rf5-(OCF2CF2CF2CF2)a”-(OCF2CF2CF2)b”-(OCF2CF2)c”-(OCF2)d”-Rf6‧‧‧(3b)
此等式中，Rf5及Rf6為以上所述；式(3a)中，b”為1以上100以下之整數；式(3b)中，a”及b”分別獨立地為0以上30以下之整數，c”及d”分別獨立地為1以上300以下之整數。標註a”、b”、c”、d”並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
此外，就其他觀點而言，含氟油可為通式Rf3-F(式中，Rf3為C5-16全氟烷基)所示之化合物。此外，可為三氟氯乙烯寡聚物。
上述含氟油可具有500至10000之平均分子量。含氟油之分子量可使用GPC測定。
相對於本揭示之表面處理劑，含氟油可包含例如：0至50質量%，較佳為0至30質量%，更佳為0至5質量%。一態樣中，本揭示之表面處理劑實質上不含含氟油。實質上不含含氟油係指：完全不含含氟油、或可含極微量之含氟油。
一態樣中，含氟油之平均分子量可大於含氟聚醚基的矽烷化合物之平均分子量。藉由設為此等之平均分子量，尤其係藉由真空蒸鍍法形成表面處理層之情況中，可獲得更優異的摩耗耐久性與表面平滑性。
一態樣中，含氟油之平均分子量可小於含氟聚醚基的矽烷化合物之平均分子量。藉由設為此等之平均分子量，抑制從此化合物而得之表面處理層的透明性降低的同時，可形成具有高摩耗耐久性及高表面平滑性的硬化物。
含氟油有助於使藉由本揭示之表面處理劑所形成的層之表面平滑性的提升。
作為上述矽油，可使用例如：矽氧烷鍵為2,000以下之直鏈狀或環狀的矽油。直鏈狀矽油可為所謂的純矽油及改質矽油。作為純矽油，可列舉二甲基矽油、甲基苯基矽油、甲基氫基矽油。作為改質矽油，可列舉將純矽油藉由烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等改質者。環狀矽油，可列舉例如：環狀二甲基矽氧烷油等。
本揭示之表面處理劑中，此矽油相對於上述本揭示之含氟聚醚基的矽烷化合物的合計100質量部(2種以上時，此等之合計以下亦相同)，可包含例如：0至300質量部，較佳為50至200質量部。
矽油有助於使表面處理層之表面平滑性的提升。
作為上述醇類，可列舉例如：可經1個以上之氟原子取代的碳數1至6之醇，例如：甲醇、乙醇、異丙醇、三級丁醇、CF3CH2OH、CF3CF2CH2OH、(CF3)2CHOH。藉由將此等醇類添加於表面處理劑，使表面處理劑之穩定性提升，此外，改善含全氟聚醚基之矽烷化合物與溶劑的相容性。
上述醇較佳為2,2,3,3,3-五氟-1-丙醇或2,2,2-三氟乙醇。
作為上述觸媒，可列舉酸(例如：乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如：氨、三乙胺、二乙胺等)、過渡金屬(例如：Ti、Ni、Sn等)等。
觸媒促進本揭示之含氟聚醚基的矽烷化合物的水解及脫水縮合，並促進本揭示之表面處理劑所形成之層的形成。
作為其他成分，除了上述以外，亦可列舉例如：四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷等。
本揭示之表面處理劑可藉由使多孔質物質(例如：多孔質之陶瓷材料)、金屬纖維(例如：鋼絲絨)浸漬於棉狀固化物中製成顆粒。該顆粒可使用例如真空蒸鍍。
本揭示之表面處理劑，除了上述成分以外，可包含微量的不純物，例如：Pt、Rh、Ru、1，3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、三苯基膦、NaCl、KCl、矽烷之縮合物等。
以下針對本揭示之物品進行說明。
本揭示之物品包含基材、與在該基材表面藉由本揭示之表面處理劑所形成的層(表面處理層)。
本揭示中可使用的基材可由例如：玻璃、樹脂(天然或合成樹脂，可為例如一般的塑膠材料)、金屬、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築構件等、衛生用品、任意合適的材料所構成。
例如，在應製造物品為光學構件時，構成基材之表面的材料可為光學構件用材料，例如玻璃或透明塑膠等。此外，在應製造物品為光
學構件時，於基材之表面(最外層)之任何層(或膜)可形成例如：硬塗層或抗反射層等。抗反射層中，可使用單層抗反射層及多層抗反射層之任一者。作為可使用於抗反射層之無機物之例，係列舉SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、Ta3O5，Nb2O5、HfO2、Si3N4、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。此等之無機物可單獨使用、或組合此等之2種以上(例如作為混合物)使用。作成多層抗反射層時，較佳係於其最外層中使用SiO2及/或SiO。應製造物品為觸控面板用之光學玻璃元件時，可在基材(玻璃)之表面的一部分具有透明電極，該透明電極係使用例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅等的薄膜。此外，基材，因應其具體規格等，可具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框層(I-CON)、霧化膜層、硬塗膜層、偏光膜、相位差膜、及液晶顯示模組等。
上述基材的形狀並無特別限定，可為例如：板狀、膜、其他形態。此外，應形成表面處理層之基材的表面區域，只要為基材表面之至少一部分即可，可因應應製造物品之用途及具體規格等而適當地決定。
一態樣中，作為此基材，至少其表面部分可為從最初具有羥基之材料所成者。作為此材料係可列舉玻璃，此外，可列舉表面形成有自然氧化膜或熱氧化膜的金屬(尤其係卑金屬)、陶瓷、半導體等。或者，如樹脂等般，在即使具有羥基卻不充分時、或最初不具有羥基時，藉由在基材實施任何前處理，在基材之表面導入羥基，則可使其增加。作為此前處理之例，可列舉電漿處理(例如：電暈放電)、及離子束照射。電漿處理由於可在基材表面導入羥基或使其增加的同時，淨化基材表面(除去異物等)，故可較佳地利用。此外，作為此前處理之其他例，可列舉將具有碳-碳不飽和鍵
基之界面吸附劑藉由LB法(Langmuir-Blodgett法)或化學吸附法等，在基材表面預先形成單分子膜之形態，其後，在包含氧或氮等之環境下，裂解不飽和鍵的方法。
其他態樣中，作為此基材，至少其表面部分可為由包含其他反應性基例如具有1個以上之Si-H基的聚矽氧化合物、或烷氧基矽烷之材料所成者。
較佳態樣中，上述基材為玻璃。作為此玻璃，係以藍寶石玻璃、鈉鈣玻璃、鹼鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃、石英玻璃為佳，並以經化學強化的鈉鈣玻璃、經化學強化的鹼鋁矽酸鹽玻璃、及經化學鍵結的硼矽酸玻璃為特佳。
本揭示之物品，可藉由在上述基材之表面形成上述之本揭示之表面處理劑的層，因應需要將該層進行後處理，藉此從本揭示之表面處理劑形成層而製造。
本揭示之表面處理劑的層形成係可藉由將上述表面處理劑相對於基材之表面，以覆蓋該表面之方式施用而實施。覆蓋方法並無特別限定。可使用例如濕潤覆蓋法及乾燥覆蓋法。
作為濕潤覆蓋法之例，可列舉浸塗、旋塗、流塗、噴塗、輥塗、凹版塗佈及類似之方法。
作為乾燥覆蓋法之例，係列舉蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺射、CVD及類似之方法。作為蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)之具體例，可列舉電阻加熱、電子束、使用微波等的高頻加熱、離子束及類似之方法。作為CVD方法之具體例，可列舉電漿CVD、光學CVD、熱CVD及類似之方法。
更且，亦能夠藉由常壓電漿法覆蓋。
使用濕潤覆蓋法時，本揭示之表面處理劑可以溶媒使其稀釋而施用於基材表面。就本揭示之組成物的穩定性及溶媒的揮發性之觀點而言，較佳係使用下述溶媒：碳數5至12之全氟脂肪族烴(例如，全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1，3-二甲基環己烷)；多氟芳香族烴(例如，雙(三氟甲基)苯)；多氟脂肪族烴(例如，C6F13CH2CH3(例如，旭硝子股份有限公司製之ASAHIKLIN(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如，日本ZEON股份有限公司製之ZEORORA(註冊商標)H)；氫氟醚(HFE)(例如，全氟丙基甲基醚(C3F7OCH3)(例如，住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7000)、全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)(例如，住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7100)、全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)(例如，住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7200)、全氟己基甲基醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如，住友3M股份有限公司製之Novec(商標)7300)等之烷基全氟烷基醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或支鏈狀)、或者CF3CH2OCF2CHF2(例如，旭硝子股份有限公司製之ASAHIKLIN(註冊商標)AE-3000))等。此等溶劑可單獨使用或使用2種以上之混合物。其中，較佳為氫氟醚，特佳為全氟丁基甲基醚(C4F9OCH3)及/或全氟丁基乙基醚(C4F9OC2H5)。
使用乾燥覆蓋法時，本揭示之表面處理劑可直接進行乾燥覆蓋法、或以上述溶媒稀釋後進行乾燥覆蓋法。
表面處理劑之層形成較佳係在層中以本揭示之表面處理劑與用於水解及脫水縮合之觸媒共存的方式實施。易言之，藉由濕潤覆蓋法時，
將本揭示之表面處理劑以溶媒稀釋後，在即將施用於基材表面前，可在本揭示之表面處理劑的稀釋液中添加觸媒。藉由乾燥覆蓋法時，可直接將添加有觸媒的本揭示之表面處理劑進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，或者可在鐵或銅等金屬多孔體，使用浸漬有已添加觸媒的本揭示之表面處理劑的顆粒狀物質，進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。
觸媒中，可使用任何適合的酸或鹼。作為酸觸媒，可使用例如，乙酸、甲酸、三氟乙酸等。此外，作為鹼觸媒，可使用例如氨、有機胺類等。
本揭示之物品中含有的表面處理層兼具高摩耗耐久性。此外，上述表面處理層除了高摩耗耐久性以外，視所使用表面處理劑之組成而定，亦可具有撥水性、撥油性、防污性(例如，防止指紋等之污漬的附著)、防水性(防止水浸入電子元件等)、表面平滑性(或潤滑性，例如指紋等之污漬之擦拭性、或對手指觸感優異)、耐化學性等，可適用作為機能性薄膜。
因此，本揭示更關於在最外層具有上述表面處理層的光學材料。
作為光學材料，除了後述所例示之顯示器等相關光學材料以外，較佳係列舉各種各樣的光學材料：例如，陰極線管(CRT；例如，個人電腦顯示器)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點矩陣顯示器、背投影型顯示器、螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器(FED；Field Emission Display)等顯示器或此等顯示器的保護板、或在此等表面實施抗反射膜處理者。
本揭示之物品並無特別限定者，惟可為光學構件。光學構件之例中，係列舉下述者：眼鏡等透鏡；PDP、LCD等顯示器的前面保護板、抗反射板、偏光板、防眩板；行動電話、行動情報終端等機器之觸控面板片；藍光(Blu-ray(註冊商標))光碟、DVD光碟、CD-R、MO等光碟的光碟面；光纖；鐘錶的顯示面等。
此外，本揭示之物品可為醫療機器或醫療材料。此外，具有藉由本揭示而得之層的物品可為自動車內外裝構件。外裝材之例中，可列舉下述者：窗戶、燈罩、公司外攝像罩。內裝材之例中，可列舉下述者：儀表板罩、導航系統觸控面板、裝飾內飾材料。
上述層之厚度並無特別限定。光學構件時，就光學性能、摩耗耐久性及防污性之點而言，上述層之厚度為1至50nm、1至30nm，較佳為1至15nm之範圍。
以上針對本揭示之物品進行詳述。又，本揭示之物品及物品的製造方法等並不限於上述所例示者。
[實施例]
以下針對本揭示之物品，在實施例中進行說明，惟本揭示並不限於以下實施例者。又，本實施例中，構成氟聚醚之重複單元的存在順序為任意，以下所示化學式係表示平均組成。
(合成例1)
將CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒21、n≒35)與HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒21、n≒35)之混合物4.0g(惟，HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH之含量為11mol%)溶解於1,3-雙(三氟甲基)
苯6.0g並進行冰冷卻。在該溶液中滴入亞硫醯氯3.0g後，進一步加入N,N-二甲基甲醯胺0.3mg，並在60℃下攪拌2小時。從該反應液餾除亞硫醯氯後，在冰冷卻下，加入N-(3,6-二氧雜庚基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺0.6g及N,N-二異丙基乙胺1.0g，並在室溫下攪拌3小時。反應之終點係藉由19F-NMR確認CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH之羰基α位之-CF2-之化學移位向低磁場移動、及藉由1H-NMR確認二烯丙基胺之胺基α位之亞甲基質子向低磁場移動。藉由在反應液中加入1N-鹽酸，並將分液之下層進行水洗，使用硫酸鎂乾燥，並濃縮。將獲得的濃縮物溶解於全氟己烷，以丙酮進行3次洗滌，藉此獲得包含含聚醚基的化合物(A)及含聚醚基的化合物(A’)之混合物4.0g。
含聚醚基的化合物(A)：
含聚醚基的化合物(A’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例2)
將合成例1中獲得的混合物4.0g溶解於1,3-雙(三氟甲基)苯5ml，加入包含三乙醯氧基甲基矽烷0.01g及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之Pt錯體2%的二甲苯溶液0.06ml後，饋入三氯矽烷1.5g，在60℃加熱並攪拌4小時間。其後，將獲得的溶液在減壓下餾除揮發物後，加入甲醇0.1g及原甲酸三甲酯3.0g之混合溶液後，加熱至60℃並攪拌3小時。其後，藉由進行純化，獲得包含在末端具有三甲氧基矽基之下述含聚醚基的化合物(B)及含聚醚基的化合物(B’)的混合物3.9g(惟，含聚醚基的化合物(B’)之含量為11mol%)。
含聚醚基的化合物(B)：
含聚醚基的化合物(B’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例3)
除了使用包含CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)及HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)的混合物4.0g(惟，HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH之含量為7mol%)以外，進行與合成例1至2之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(C)及含聚醚基的化合物(C’)的混合物3.9g(惟，含聚醚基的化合物(C’)之含量為7mol%)。
含聚醚基的化合物(C)：
含聚醚基的化合物(C’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例4)
除了使用包含CF3CF2CF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2CF2COOH(m≒25)及HOCOCF2CF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2CF2COOH(m≒25)的混合物4.2g(惟，HOCOCF2CF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2CF2COOH之含量為5mol%)以外，進行與合成例1至2之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(D)及含聚醚基的化合物(D’)的混合物4.2g(惟，含聚醚基的化合物(D’)之含量為5mol%)。
含聚醚基的化合物(D)：
含聚醚基的化合物(D’)：
(合成例5)
除了使用N-(3,6-二氧雜庚基)-2-(2-丙烯基)-4-戊胺取代N-(3,6-二氧雜庚基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺以外，進行與合成例1至2之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(E)及含聚醚基的化合物(E’)的混合物3.8g(惟，含聚醚基的化合物(E’)之含量為11mol%)。
含聚醚基的化合物(E)：
含聚醚基的化合物(E’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例6)
除了使用包含CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)及HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)的混合物4.0g(惟，HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH之含量為7mol%)以外，進行與合成例4之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(F)、含聚醚基的化合物(F’)的混合物4.0g(惟，含聚醚基的化合物(F’)之含量為7mol%)。
含聚醚基的化合物(F)：
含聚醚基的化合物(F’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例7)
除了使用N-(3,6,9-三氧雜癸基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺取代N-(3,6-二氧雜庚基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺以外，進行與合成例1至2之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(G)及含聚醚基的化合物(G’)的混合物3.9g(惟，含聚醚基的化合物(G’)之含量為11mol%)。
含聚醚基的化合物(G)：
含聚醚基的化合物(G’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例8)
除了使用包含CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)及HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)的混合物4.0g(惟，HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH之含量為7mol%)以外，進行與合成例7之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(H)、含聚醚基的化合物(H’)的混合物3.7g(惟，含聚醚基的化合物(H’)之含量為7mol%)。
含聚醚基的化合物(H)：
含聚醚基的化合物(H’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例9)
除了使用包含CF3CF2CF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2CF2COOH(m≒25)及HOCOCF2CF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2CF2COOH(m≒25)的混合物4.2g(惟，HOCOCF2CF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2CF2COOH之含量為5mol%)以外，進行與合成例8之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(I)及含聚醚基的化合物(I’)的混合物4.1g(惟，含聚醚基的化合物(I’)之含量為5mol%)。
含聚醚基的化合物(I)：
含聚醚基的化合物(I’)：
(合成例10)
除了使用N-(3,6,9,11-四氧雜十三烷基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺取代N-(3,6-二氧雜庚基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺以外，進行與合成例1至2之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(J)及含聚醚基的化合物(J’)的混合物3.6g(惟，含聚醚基的化合物(J’)之含量為11mol%)。
含聚醚基的化合物(J)：
含聚醚基的化合物(J’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例11)
除了使用包含CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)及HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)的混合物4.0g(惟，
HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH之含量為7mol%)以外，進行與合成例10之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(K)及含聚醚基的化合物(K’)的混合物3.9g(惟，含聚醚基的化合物(K’)之含量為7mol%)。
含聚醚基的化合物(K)：
含聚醚基的化合物(K’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例12)
除了使用包含CF3CF2CF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2COOH(m≒25)及HOCOCF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2COOH(m≒25)的混合物4.2g(惟，HOCOCF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2COOH之含量為5mol%)以外，進行與合成例11之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(L)及含聚醚基的化合物(L’)的混合物4.0g(惟，含聚醚基的化合物(L’)之含量為5mol%)。
含聚醚基的化合物(L)：
含聚醚基的化合物(L’)：
(合成例13)
除了使用N-(3-氧雜己烯-5-基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺取代N-(3,6-二氧雜庚基)-2,2-二(2-丙烯基)-4-戊胺以外，進行與合成例1至2之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(M)及含聚醚基的化合物(M’)的混合物3.5g(惟，含聚醚基的化合物(M’)之含量為11mol%)。
含聚醚基的化合物(M)：
含聚醚基的化合物(M’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例14)
除了使用包含CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)及HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH(m≒28、n≒26)的混合物4.0g(惟，HOCOCF2-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-COOH之含量為7mol%)以外，進行與合成例13之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(N)及含聚醚基的化合物(N’)的混合物3.8g(惟，含聚醚基的化合物(N’)之含量為7mol%)。
含聚醚基的化合物(N)：
含聚醚基的化合物(N’)：
(又，全氟聚醚基中，作為平均組成，雖含有微量的(OCF2CF2CF2CF2)單元及(OCF2CF2CF2)單元，惟已被省略。)
(合成例15)
除了使用包含CF3CF2CF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2COOH(m≒25)及HOCOCF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2COOH(m≒25)的混合物4.2g(惟，HOCOCF2-(OCF2CF2CF2)m-OCF2COOH之含量為5mol%)以外，進行與合成例13之相同操作，獲得包含含聚醚基的化合物(O)及含聚醚基的化合物(O’)的混合物4.2g(惟，含聚醚基的化合物(O’)之含量為5mol%)。
含聚醚基的化合物(O)：
含聚醚基的化合物(O’)：
(實施例1)
將包含上述合成例2所獲得的含聚醚基的化合物(B)及含聚醚基的化合物(B’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(1)。
(實施例2)
將包含上述合成例3所獲得的含聚醚基的化合物(C)及含聚醚基的化合物(C’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(2)。
(實施例3)
將包含上述合成例4所獲得的含聚醚基的化合物(D)及含聚醚基的化合物(D’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(3)。
(實施例4)
將包含上述合成例5所獲得的含聚醚基的化合物(E)及含聚醚基的化合物(E’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(4)。
(實施例5)
將包含上述合成例6所獲得的含聚醚基的化合物(F)及含聚醚基的化合物(F’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(5)。
(實施例6)
將包含上述合成例7所獲得的含聚醚基的化合物(G)及含聚醚基的化合物(G’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(6)。
(實施例7)
將包含上述合成例8所獲得的含聚醚基的化合物(H)及含聚醚基的化合物(H’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(7)。
(實施例8)
將包含上述合成例9所獲得的含聚醚基的化合物(I)及含聚醚基的化合物(I’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(8)。
(實施例9)
將包含上述合成例10所獲得的含聚醚基的化合物(J)及含聚醚基的化合物(J’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(9)。
(實施例10)
將包含上述合成例11所獲得的含聚醚基的化合物(K)及含聚醚基的化合物(K’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(10)。
(實施例11)
將包含上述合成例12所獲得的含聚醚基的化合物(L)及含聚醚基的化合物(L’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(11)。
(實施例12)
將包含上述合成例13所獲得的含聚醚基的化合物(M)及含聚醚基的化合物(M’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(12)。
(實施例13)
將包含上述合成例14所獲得的含聚醚基的化合物(N)及含聚醚基的化合物(N’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(13)。
(實施例14)
將包含上述合成例15所獲得的含聚醚基的化合物(O)及含聚醚基的化合物(O’)的混合物以成為濃度0.1質量%的方式在氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)使其溶解，而調製表面處理劑(14)。
(比較例1及2)
除了分別使用下述對照化合物(1)及(2)取代包含含聚醚基的化合物(D)及含聚醚基的化合物(D’)的混合物以外，進行與實施例2之相同操作，而調製比較表面處理劑(1)及(2)。
對照化合物(1)
對照化合物(2)
CF3CF2CF2CF2CF2CF2CH2CH2Si(OCH2CH3)3
(靜態接觸角)
靜態接觸角係使用全自動接觸測角儀DropMaster700(協和界面科學公司製)並以下述方法測定。
<靜態接觸角之測定方法>
靜態接觸角係藉由將2μL之水從微量注射器滴在水平放置的基板，並以視頻顯微鏡拍攝在滴入1秒後之靜止圖像而求出。
(硬化膜之形成)
將表面處理劑(1)至(14)及比較表面處理劑(1)至(2)分別使用旋塗器塗佈在化學強化玻璃(Corning公司製、「Gorilla」玻璃、厚度0.7mm)上。旋塗器之條件為在300轉/分鐘進行3秒、在2000轉/分鐘進行30秒。將塗佈後的玻璃在大氣下、恆溫槽內，加熱150℃30分，以形成硬化膜。
[硬化膜之特性評定]
將獲得的硬化膜之特性進行以下評定。
<靜態接觸角>
(初期評定)
首先，作為初期評定，係在硬化膜形成後且其表面尚未接觸之狀態下，測定水的靜態接觸角。
(乙醇擦拭後之評定)
其次，使用將經乙醇充分地浸泡的Kimwipe(商品名：Nippon Paper Crecia(股)製)來回擦拭上述硬化膜5次後，使其乾燥。測定乾燥後之硬化膜之水的靜態接觸角。
<指紋附著性及擦拭性>
(指紋附著性)
將手指按壓在使用表面處理劑或比較表面處理劑所形成的硬化膜，並以目視判定指紋附著的難易度。評定係基於下述基準判斷。
A：指紋難以附著，或者即使附著指紋亦不明顯。
B：指紋的附著少，惟可充分地確認其指紋。
C：與未處理之玻璃基板相同程度且明確地附著有指紋。
(指紋擦拭性)
在上述指紋附著性試驗後，以Kimwipe(商品名。Nippon Paper Crecia(股)製)來回擦拭被附著的指紋5次，並以目視判定被附著的指紋之擦拭的難易度。評定係基於下述基準判斷。
A：可完全地擦拭指紋。
B：殘留指紋之擦拭痕跡。
C：指紋之擦拭痕跡擴大，且難以除去。
將上述評定結果顯示於下述表1。
[表1]
如上述結果所示，使用表面處理劑(1)至(14)所形成的硬化膜之接觸角，即使在使用乙醇擦拭時，亦不會降低。另一方面，使用比較表面處理劑(1)及(2)所形成的硬化膜之接觸角，因使用乙醇擦拭而降低。此乃
認為在以比較表面處理劑(1)或(2)所形成的硬化膜中，耐化學性(即，對溶劑的耐久性)不佳之故。
[硬化膜之耐摩擦性評定]
將獲得的硬化膜之耐摩擦性進行以下評定。
<耐橡皮擦摩擦性試驗>
使用摩擦試驗機(新東科學公司製)，在下述條件下每2500次摩擦測定耐水接觸角，並繼續試驗直至10000次或者未達100度為止。試驗環境條件為25℃、濕度40%RH。
橡皮擦：Raber Eraser(Minoan公司製)
接地面積：6mm 
移動距離(單趟)：30mm
移動速度：3,600mm/分鐘
荷重：1kg/6mm 
將上述評定結果呈示於下述表2。表中「-」意指未測定。
[產業上之可利用性]
本揭示之含氟聚醚基的化合物可適合利用於各種各樣的基材，特別係要求具摩擦耐久性之光學構件的表面，以形成表面處理層。
Claims (18)
- 一種下述式(1)或(2)所示之含氟聚醚基的矽烷化合物；
式中：RF1為Rf1-RF-Oq-；RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；Rf1為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基；Rf2為可經1個以上之氟原子取代的C1-6伸烷基；RF分別獨立地為2價之氟聚醚基；p為0或1；q分別獨立地為0或1；R1分別獨立地為-R3-(OR2)m-On-R4-R5；R2在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基；m為2至10之整數；n為0或1；R3為單鍵或C1-6伸烷基；R4為單鍵或C1-6伸烷基；R5為氫原子或RSi；RSi分別獨立地為包含鍵結有羥基或水解性基之Si原子的1價基；XA分別獨立地為單鍵或下述式所示之基，-(X51)p5-式中：X51在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-NR54CO-、-O-CONR54-、-NR54CO-O-、-NR54-及-(CH2)n5-所組成群組的基，R53在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，R54在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，m5在每次出現時分別獨立地為1至100之整數，n5在每次出現時分別獨立地為1至20之整數，p5為1至10之整數；XB分別獨立地為單鍵或下述式所示之基，-(X61)p6-式中：X61在每次出現時分別獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-C(O)O-、-OC(O)-、-Si(R63)2-、-(Si(R63)2O)m6-Si(R63)2-、-CONR64-、-NR64CO-、-O-CONR64-、-NR64CO-O-、-NR64-及-(CH2)n6-所組成群組的基，R63在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，R64在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基，m6在每次出現時分別獨立地為1至100之整數，n6在每次出現時分別獨立地為1至20之整數，p6為1至10之整數。 - 如請求項1所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，Rf1在每次出現時分別獨立地為C1-16全氟烷基，Rf2在每次出現時分別獨立地為C1-6全氟伸烷基。
- 如請求項1或2所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下述式所示之基，-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-式中，RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200之整數，a、b、c、d、e及f之和為1以上，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，惟所有之RFa為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f之至少1者為1以上。
- 如請求項3所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中RFa為氟原子。
- 如請求項1至4中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)或(f5)所示之基，-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)式中，d為1至200之整數，e為0或1；-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)式中，c及d分別獨立地為0至30之整數，e及f分別獨立地為1至200之整數，c、d、e及f之和為10至200之整數，標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；-(R6-R7)g- (f3)式中，R6為OCF2或OC2F4，R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12的基，或為選自此等基之2或3個基的組合，g為2至100之整數；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f4)式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
- 如請求項1至5中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，R5為氫原子。
- 如請求項1至5中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中R5為RSi。
- 如請求項1至7中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，RSi分別獨立地為下述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基，
-SiR 11 n1 R 12 3-n1 (S2)-SiR a1 k1 R b1 l1 R c1 m1 (S3)-CR d1 k2 R e1 l2 R f1 m2 (S4)-NR g1 R h1 (S5)式中：R11在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R12在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元分別獨立地為0至3之整數；X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或2價有機基；R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；t在每次出現時分別獨立地為2以上之整數；R14在每次出現時分別獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；R15在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基；Ra1在每次出現時分別獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；R21在每次出現時分別獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；R22在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R23在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；p1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；q1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；r1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；p1、q1及r1之合計為3；Z1’在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；R21’在每次出現時分別獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；R22’在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R23’在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；p1’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；q1’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；r1’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；p1’、q1’及r1’之合計為3；Z1”在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；R22”在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R23”在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；q1”在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；r1”在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；q1”及r1”之合計為3；Rb1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；Rc1在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；k1在每次出現時分別獨立地為1至3之整數；l1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；m1在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；k1、l1及m1之合計為3；Rd1在每次出現時分別獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；Z2在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R31在每次出現時分別獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；R32在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；p2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；q2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；r2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；p2、q2及r2之合計為3；Z2’在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R32’在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33’在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；q2’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；r2’在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；q2’及r2’之合計為3；Z3在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R34在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R35在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；n2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；Re1在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；Rf1在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；k2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；l2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；m2在每次出現時分別獨立地為0至3之整數；k2、l2及m2之合計為3；Rg1及Rh1在每次出現時分別獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、或-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；Z4在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；惟式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中，存在至少一個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。 - 如請求項8所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，鍵結於XB的RSi為式(S3)或(S4)所示之基。
- 如請求項8或9所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，R1中之RSi為式(S2)所示之基。
- 如請求項1至10中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，XA分別獨立地為單鍵或下述式所示之基，-(R51’)p5’-(X51’)q5’-(R51’)p5”-式中：R51’分別獨立地為C1-6伸烷基，X51’為O，p5’為0或1，p5”為0或1，q5’為0或1，於此，p5’及p5”之至少一者為1；XB分別獨立地為單鍵或下述式所示之基，-(R61’)p6’-(X61’)q6’-(R61’)p6”-式中：R61’分別獨立地為C1-6伸烷基，X61’為O，p6’為0或1，p6”為0或1，q6’為0或1，於此，p6’及p6”之至少一者為1。
- 如請求項1至11中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物，其中，XA為單鍵，XB為C1-6伸烷基。
- 一種表面處理劑，其係含有請求項1至12中任一項所述之含氟(聚)醚基的矽烷化合物。
- 如請求項13所述之表面處理劑，其更含有選自含氟油、聚矽氧油、及觸媒之1種以上之其他成分。
- 如請求項13或14所述之表面處理劑，其更包含溶媒。
- 如請求項13至15中任一項所述之表面處理劑，其係作為防污性塗佈劑或防水性塗佈劑使用。
- 一種物品，其係包含基材、與由請求項1至12中任一項所述之含氟聚醚基的矽烷化合物或請求項13至16中任一項所述之表面處理劑形成在該基材之表面的層。
- 如請求項17所述之物品，其為光學構件。
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