JP2015536570A - 半導体構造およびリセス形成のエッチング技術 - Google Patents
半導体構造およびリセス形成のエッチング技術 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015536570A JP2015536570A JP2015542838A JP2015542838A JP2015536570A JP 2015536570 A JP2015536570 A JP 2015536570A JP 2015542838 A JP2015542838 A JP 2015542838A JP 2015542838 A JP2015542838 A JP 2015542838A JP 2015536570 A JP2015536570 A JP 2015536570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor material
- layer
- transistor
- semiconductor
- etching process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 200
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 146
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 94
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 113
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 21
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 28
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 11
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30621—Vapour phase etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
- H01L29/205—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/4175—Source or drain electrodes for field effect devices for lateral devices where the connection to the source or drain region is done through at least one part of the semiconductor substrate thickness, e.g. with connecting sink or with via-hole
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41766—Source or drain electrodes for field effect devices with at least part of the source or drain electrode having contact below the semiconductor surface, e.g. the source or drain electrode formed at least partially in a groove or with inclusions of conductor inside the semiconductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
より下の第2の層で停止する。第2の層は、第2の半導体材料を含む。第1の半導体材料は、第1のIII−N半導体材料を含む。第2の半導体材料は、第2のIII−N半導体材料を含む。
図面では、様々な図に示される同一の構成要素またはほぼ同一の構成要素はそれぞれ、類似の参照符号によって表される。分かりやすくするために、すべての図面において、すべての構成要素にラベルが付けられていないことがある。図面は、必ずしも原寸に比例して示されておらず、本明細書に記載の技術およびデバイスの様々な態様を例示することに重点が置かれている。
ことができる。しかしながら、本明細書に記載の技術は、ウェット・エッチング工程に限定されない。
形成することができる。たとえば、バリア層8は、第1のエッチング技術を用いてエッチング可能な第1の半導体材料の上側バリア層10、および第2のエッチング技術を用いてエッチング可能な第2の半導体材料の下側バリア層12を有する、「2層」バリア構造を含むことができる。幾つかの実施形態では、上側バリア層10は、ドライ・エッチング・プロセスで選択的にエッチング可能な半導体材料、たとえばGaN、またはたとえばBwAlxInyGazN(ここで、w、x、yおよびzはそれぞれ、0と1の間の(0および1を含む)任意の適切な値を有し、w+x+y+z=1)などの他の窒化物半導体材料などを含むことができ、この組成は、ドライ・エッチング・プロセスを用いて窒化物半導体材料が選択的にエッチング可能であるようなものである。たとえば、上側バリア層10は、xが0.25より小さいBwAlxInyGazNなどの半導体材料を含むことができる。
図1Bに示すように、上側バリア層10の一部を除去するために、第1のエッチング技術を用いて第1のエッチング工程を実施することができる。エッチングされる領域を決めるために、適切なマスキング・プロセスを用いることができる。第1のエッチング工程に用いられるエッチング技術は、上側バリア層10の材料を下側バリア層12の材料に対して選択的にエッチング可能である。第1のエッチング工程に用いられるエッチング・プロセスの選択性は、上側バリア層10が下側バリア層12より速い速度でエッチングされるように、1より大きくすることができる。幾つかの実施形態では、第1のエッチング工程に用いられるエッチング・プロセスの選択性は、上側バリア層10が、下側バリア層12がエッチングされる速度の3倍より大きい速度でエッチングされるように、3:1より大きくすることができる。
リア層12の厚さの一部を除去することができる。幾つかの実施形態では、下側バリア層12をエッチングするためにウェット・エッチング・プロセスを用いることによって、ゲート・リセス16の深さに対する細かい制御を可能にし、プロセスによって引き起こされるトランジスタ特性の変動を低減または解消することができる。
gas)の形成を妨げる限界厚さより小さい厚さを有することができ(たとえば、図5B参照)、それによって、ノーマリオフ・トランジスタが形成される。しかしながら、本明細書に記載の技術は、ノーマリオフ・トランジスタの形成に限定されず、ノーマリオン・トランジスタなど他のデバイスを形成するために用いることができる。
ることができる。キャリア・ドナー層22は、含まれる場合には、上側バリア層10の任意選択のドーピングに関して、これまでに論じたものなど任意の適切なドーピング技術を用いてドープすることができる。ゲート・リセスの外側の、ゲートとソースの間および/またはゲートとドレインの間のキャリア・ドナー層22の中に、ドープされた領域を形成することができる。キャリア・ドナー層22をドープすることによって、ゲートの下にない(1つまたは複数の)領域内のチャネル層にキャリアを供給することができる。ドープされる領域は、分極ドープされるか、またはn型ドーパントもしくはp型ドーパントなどのドーパントを含むことができる。ドープされる領域は、任意の適切なドーピング濃度および分布を有することができる。たとえば、ドーパントは、キャリア・ドナー層22の下面、キャリア・ドナー層22の上面、および/または他の場所に提供することができる。ドーピング・プロファイルは、均一でも不均一でもよい。幾つかの実施形態では、デルタ・ドーピングのプロファイルを用いることができる。たとえば、注入または拡散などの任意の適切なドーピング技術を用いることができる。他の例として、キャリア・ドナー層22を、キャリア・ドナー層22の形成(たとえば、成長)の間にドープすることができる。幾つかの実施形態では、キャリア・ドナー層22のドーピング・タイプは、チャネル領域におけるキャリアと同じタイプのものとすることができる。たとえば、キャリア・ドナー層22におけるドーピング・タイプは、nチャネル・トランジスタ用のn型、およびpチャネル・トランジスタ用のp型とすることができる。幾つかの実施形態では、ドープされる領域を高濃度にドープすることができる。キャリア・ドナー層22が含まれる場合、幾つかの実施形態では、上側バリア層10をドープしなくてもよい。
実施例
例示的な実施形態では、上側バリア層10をGaNで形成することができ、下側バリア層12をAlNで形成することができる。GaNは、フッ素ベースのドライ・エッチングによって、AlNに対して選択的にエッチングすることができる。AlNは、水酸化カリウム(KOH)および/もしくは水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH:tetramethylammonium hydroxide)などの塩基を用いたウェット・エッチング・プロセスによって、またはデジタル・エッチング・プロセスによって、GaNに対して選択的にエッチングすることができる。デジタル・エッチング・プロセスは当業者には理解されており、本明細書では詳述しない。しかしながら、これらは単なる例であり、任意の適切なエッチャントを用いることができる。
SF6のガス流量の場合に、GaNのAlNに対するきわめて高いエッチング選択性が得られる。70秒のオーバエッチングを含む350秒のエッチングを用いて、リセス深さを原子間力顕微鏡によって測定した図6Aに示すように、n−GaN層を均一かつ完全に除去した。次いで、AlN層の表面を低エネルギーの酸素プラズマによって酸化し、室温で水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)に1分浸すことによってウェット・エッチングして、ドライ・エッチングの損傷を除去した。図6BのX線光電子分光法(XPS)の測定に示すように、TMAHウェット・エッチングの後には、ドライ・エッチング工程からのフッ素の存在が著しく低減した。UVオゾンおよびHClの表面洗浄の後、次いで、250℃における原子層堆積によって10nmのAl2O3ゲート誘電体を堆積させ、形成ガス中で500℃において1分間アニールした。図5Bに示すように、2.5μmのオーバハング長を有する、リセス・ゲート領域を覆うNi/Auゲート電極を堆積させた。次いで、サンプルを400℃の形成ガス中で5分間アニールして、Al2O3における正の固定電荷を低減させた。リセス・ゲート・トランジスタは、3〜20μmの範囲にわたるリセス・ゲート長Lrec_gを有する。
Tは、0.30±0.04Vの均一なVthを有する。平均のサブスレッショルド・スロープは、62±1mV/decadeである。図7の伝達特性における二方向性のゲート電圧掃引は、しきい値電圧で10mV未満のヒステリシスを示している。図8に示すように、リセス・ゲート・トランジスタ(実線)は、同じソース−ドレイン間距離(Lsd=11μm)を有するプレーナ・ゲート・トランジスタ(点線)と同様のオン抵抗(Ron=10Ω・mm)を有する。両方のデバイスの比較的低い最大ドレイン電流は、長いゲート長およびゲート−ソース間距離、比較的低い2DEG密度(7.1×1012cm−2)、ならびに最適化されていないオーム接触の高い接触抵抗(1.2Ω・mm)によるものである。
DC/C−V測定およびゲーテッド・ホール測定から得られた、Vgs(V)に応じたチャネル抵抗Rch(Ω/sq)、電荷密度Nsh(×1012cm−2)および電子移動度μe(cm2・V−1・s−1)。Vgs=1Vでは、Rchは信頼性のあるホール測定値を得るには大きすぎる。
を有する。図11に示すように、低いNshでのμeの増加は、イオン化した不純物および転移のスクリーニングのためであり、高いNshでのμeの減少は、増大する合金散乱および界面ラフネス散乱のためである。最大の実効移動度は、1131cm2・V−1・s−1であり、これは、これまでに報告されたノーマリオフGaN MISFETに関する結果と比べて大幅に改善されている。
本明細書に記載の装置および技術の様々な態様は、単独で、組み合わせて、または前述の説明に記載した実施形態では具体的に論じられていない様々な配置で使用することが可能であり、したがって、その用途において、前述の説明で述べた、または図面に示した細部および構成要素の配置に限定されない。たとえば、1つの実施形態に記載した態様を、他の実施形態に記載した態様と任意の形で組み合わせることができる。
Claims (36)
- トランジスタであって、
チャネル層と、
第1の半導体材料を含む第1の層と第2の半導体材料を含む第2の層とを備えるバリア層であって、前記第1の層は、前記第2の層の上に配設され、前記第1の半導体材料は、ドライ・エッチング・プロセスを用いて、前記第2の半導体材料に対して選択的にエッチング可能であり、少なくとも前記第1の層の中に、ゲート・リセスが配設される、バリア層と、
前記ゲート・リセスの中に配設されるゲートと
を備えるトランジスタ。 - 前記第2の半導体材料は、ウェット・エッチング・プロセスを用いて、前記第2の層より上、下、またはその両方の層に対して選択的にエッチング可能である、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・リセスは、前記第2の層の中にさらに配設される、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記第1の半導体材料は第1のIII−N半導体材料を含み、前記第2の半導体材料は第2のIII−N半導体材料を含む、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記第1の半導体材料は、xが0.25より小さいBwAlxInyGazN材料を含み、前記第2の半導体材料は、yが0.5より大きいBwAlxInyGazN材料を含む、請求項4に記載のトランジスタ。
- 前記第1の半導体材料はGaNを備え、前記第2の半導体材料はAlNを備える、請求項5に記載のトランジスタ。
- 前記チャネル層にキャリアを提供するために、ドープされた領域をさらに備える、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記ドープされた領域は、分極ドープされるか、n型ドーパントを含むか、またはp型ドーパントを含む、請求項7に記載のトランジスタ。
- 前記ドープされた領域は、前記第1の層の中にあるか、前記第1の層より上、下、またはその両方のキャリア・ドナー層の中にあるか、またはその両方にあり、前記ドープされた領域は、前記ゲート・リセスの外側の、前記トランジスタの前記ゲートとソースの間に、前記トランジスタの前記ゲートとドレインの間に、またはその両方にある、請求項7に記載のトランジスタ。
- 前記ドープされた領域は、少なくとも部分的に前記キャリア・ドナー層の中にあり、前記キャリア・ドナー層はIII−N半導体材料を含む、請求項9に記載のトランジスタ。
- 前記キャリア・ドナー層は、前記第1の層と同じ半導体材料を含む、請求項10に記載のトランジスタ。
- 前記チャネル層と前記第2の層との間にバンド・オフセット層をさらに備え、前記バンド・オフセット層はIII−N半導体材料を含む、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記バリア層は、第3の半導体材料を含む第3の層と、第4の半導体材料を含む第4の層とをさらに備え、前記第3の層は、前記第4の層の上に配設され、前記第3の半導体材料は、ドライ・エッチング・プロセスを用いて、前記第4の半導体材料に対して選択的にエッチング可能である、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記第4の半導体材料は、ウェット・エッチング・プロセスを用いて、前記第3の半導体材料に対して選択的にエッチング可能である、請求項13に記載のトランジスタ。
- 前記第1の半導体材料は、前記第3の半導体材料と同じ材料であり、前記第2の半導体材料は、前記第4の半導体材料と同じ材料である、請求項13に記載のトランジスタ。
- 前記第1の半導体材料は、フッ素ベースのドライ・エッチング・プロセスを用いて、前記第2の半導体材料に対して選択的にエッチング可能であり、前記第2の半導体材料は、TMAHベースのウェット・エッチング・プロセス、KOHベースのウェット・エッチング・プロセス、またはデジタル・エッチングを用いてエッチングすることができる、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域をさらに備え、前記ゲートは、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間にある、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・リセスの下の前記バリア層の厚さは、前記トランジスタがノーマリオフ・トランジスタになるように、限界厚さより小さい、請求項17に記載のトランジスタ。
- 第1の半導体材料を含む第1の層と、
第2の半導体材料を含む第2の層と
を備える半導体構造であって、
前記第1の層は、前記第2の層の上に配設され、前記第1の半導体材料は、ドライ・エッチング・プロセスを用いて、前記第2の半導体材料に対して選択的にエッチング可能であり、少なくとも前記第1の層の中に、リセスが配設される、半導体構造。 - 前記第2の半導体材料は、ウェット・エッチング・プロセスを用いて、前記第2の層より上、下、またはその両方の層に対して選択的にエッチング可能である、請求項19に記載の半導体構造。
- 前記リセスは、前記第2の層の中にさらに配設される、請求項19に記載の半導体構造。
- 前記第1の半導体材料は第1のIII−N半導体材料を含み、前記第2の半導体材料は第2のIII−N半導体材料を含む、請求項19に記載の半導体構造。
- 前記第1の半導体材料は、xが0.25より小さいBwAlxInyGazN材料を含み、前記第2の半導体材料は、yが0.5より大きいBwAlxInyGazN材料を含む、請求項22に記載の半導体構造。
- 前記第1の半導体材料はGaNを備え、前記第2の半導体材料はAlNを備える、請求項23に記載の半導体構造。
- 第1の半導体材料を含む第1の層と、
第2の半導体材料を含む第2の層と
を備える半導体構造であって、
前記第1の層は、前記第2の層の上に配設され、前記第1の半導体材料は、第1のエッチング・プロセスを用いて、前記第2の半導体材料に対して選択的にエッチング可能であり、少なくとも前記第1の層の中に、リセスが配設される、半導体構造。 - 前記第2の半導体材料は、第2のエッチング・プロセスを用いて、前記第2の層より上、下、またはその両方の層に対して選択的にエッチング可能である、請求項25に記載の半導体構造。
- 前記リセスは、前記第2の層の中にさらに配設される、請求項25に記載の半導体構造。
- 前記第1の半導体材料は第1のIII−N半導体材料を含み、前記第2の半導体材料は第2のIII−N半導体材料を含む、請求項25に記載の半導体構造。
- 前記第1の半導体材料は、xが0.25より小さいBwAlxInyGazN材料を含み、前記第2の半導体材料は、yが0.5より大きいBwAlxInyGazN材料を含む、請求項28に記載の半導体構造。
- 前記第1の半導体材料はGaNを備え、前記第2の半導体材料はAlNを備える、請求項29に記載の半導体構造。
- リセスを含む半導体構造を形成する方法であって、
第1のエッチング・プロセスを用いて、第1の半導体材料を含む第1の層内の1つの領域をエッチングする工程であって、前記第1のエッチング・プロセスは、前記第1の層より下の、第2の半導体材料を含む第2の層で停止する、工程
を備え、前記第1の半導体材料は第1のIII−N半導体材料を含み、前記第2の半導体材料は第2のIII−N半導体材料を含む方法。 - 第2のエッチング・プロセスを用いて、前記第1の層を通して前記第2の層の1つの領域をエッチングする工程をさらに備える、請求項31に記載の方法。
- 前記第1のエッチング・プロセスはドライ・エッチング・プロセスであり、前記第2のエッチング・プロセスはウェット・エッチング・プロセスである、請求項32に記載の方法。
- 前記第1の半導体材料は、xが0.25より小さいBwAlxInyGazN材料を含み、前記第2の半導体材料は、yが0.5より大きいBwAlxInyGazN材料を含み、前記ドライ・エッチング・プロセスは、フッ素ベースのドライ・エッチング・プロセスを備え、前記ウェット・エッチング・プロセスは、TMAHベースのウェット・エッチング・プロセス、KOHベースのウェット・エッチング・プロセス、またはデジタル・エッチングを備える、請求項33に記載の方法。
- 前記リセス内に電極を形成する工程をさらに備える、請求項31に記載の方法。
- 前記リセス内に前記電極を形成する前記工程は、前記リセス内にトランジスタのゲート、ソースまたはドレインを形成する工程を備える、請求項35に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261727333P | 2012-11-16 | 2012-11-16 | |
US61/727,333 | 2012-11-16 | ||
PCT/US2013/070372 WO2014078699A1 (en) | 2012-11-16 | 2013-11-15 | Semiconductor structure and recess formation etch technique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015536570A true JP2015536570A (ja) | 2015-12-21 |
JP6486828B2 JP6486828B2 (ja) | 2019-03-20 |
Family
ID=50731727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015542838A Active JP6486828B2 (ja) | 2012-11-16 | 2013-11-15 | 半導体構造およびリセス形成のエッチング技術 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9570600B2 (ja) |
EP (1) | EP2920814A4 (ja) |
JP (1) | JP6486828B2 (ja) |
KR (1) | KR20150092172A (ja) |
CN (1) | CN104871319B (ja) |
WO (1) | WO2014078699A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018157177A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-10-04 | ローム株式会社 | 窒化物半導体デバイスおよび窒化物半導体パッケージ |
WO2019131546A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP2021500747A (ja) * | 2017-10-19 | 2021-01-07 | キング・アブドゥッラー・ユニバーシティ・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | 窒化ホウ素合金中間層を有する高電子移動度トランジスタ及び製造方法 |
US11233144B2 (en) | 2016-08-24 | 2022-01-25 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and nitride semiconductor package |
WO2023181749A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6308049B2 (ja) * | 2014-06-26 | 2018-04-11 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
US10529820B2 (en) * | 2014-07-15 | 2020-01-07 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Method for gallium nitride on diamond semiconductor wafer production |
US9679762B2 (en) * | 2015-03-17 | 2017-06-13 | Toshiba Corporation | Access conductivity enhanced high electron mobility transistor |
US20160293596A1 (en) | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Texas Instruments Incorporated | Normally off iii-nitride transistor |
US9502535B2 (en) | 2015-04-10 | 2016-11-22 | Cambridge Electronics, Inc. | Semiconductor structure and etch technique for monolithic integration of III-N transistors |
US9614069B1 (en) | 2015-04-10 | 2017-04-04 | Cambridge Electronics, Inc. | III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture |
US9536984B2 (en) | 2015-04-10 | 2017-01-03 | Cambridge Electronics, Inc. | Semiconductor structure with a spacer layer |
TWI808473B (zh) * | 2015-06-05 | 2023-07-11 | 美商蘭姆研究公司 | GaN及其他Ⅲ-Ⅴ族材料之原子層蝕刻 |
WO2017015225A1 (en) | 2015-07-17 | 2017-01-26 | Cambridge Electronics, Inc. | Field-plate structures for semiconductor devices |
US10096487B2 (en) | 2015-08-19 | 2018-10-09 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten and other metals |
US9991128B2 (en) | 2016-02-05 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching in continuous plasma |
EP3440704A4 (en) * | 2016-04-08 | 2020-03-25 | Cambridge Electronics, Inc. | SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND ENGRAVING TECHNIQUE FOR MONOLITHIC INTEGRATION OF N-III TRANSISTORS |
US10566212B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Designer atomic layer etching |
IT201700064147A1 (it) * | 2017-06-09 | 2018-12-09 | St Microelectronics Srl | Transistore hemt normalmente spento con generazione selettiva del canale 2deg e relativo metodo di fabbricazione |
CN110754001B (zh) * | 2017-06-15 | 2023-09-26 | 宜普电源转换公司 | 用以改善氮化镓间隔件厚度均匀度的增强型氮化镓晶体管 |
JP6974049B2 (ja) * | 2017-06-28 | 2021-12-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11699704B2 (en) * | 2017-09-28 | 2023-07-11 | Intel Corporation | Monolithic integration of a thin film transistor over a complimentary transistor |
CN110034186B (zh) * | 2018-01-12 | 2021-03-16 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于复合势垒层结构的iii族氮化物增强型hemt及其制作方法 |
JP7024534B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-02-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
EP3818568A4 (en) | 2018-07-06 | 2022-08-03 | Analog Devices, Inc. | COMPOSITE DEVICE WITH REAR SIDE FIELD PLATE |
US10796942B2 (en) | 2018-08-20 | 2020-10-06 | Stmicroelectronics S.R.L. | Semiconductor structure with partially embedded insulation region |
JP2019071497A (ja) * | 2019-02-13 | 2019-05-09 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN111916351A (zh) * | 2019-05-10 | 2020-11-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 半导体器件及其制备方法 |
JP7151620B2 (ja) * | 2019-05-15 | 2022-10-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
KR20210041931A (ko) * | 2019-10-08 | 2021-04-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
US11195933B2 (en) | 2020-02-04 | 2021-12-07 | Tower Semiconductor Ltd. | Method of forming a GaN sensor having a controlled and stable threshold voltage |
CN111490100B (zh) * | 2020-04-16 | 2024-04-05 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
CN115332332A (zh) * | 2021-05-11 | 2022-11-11 | 联华电子股份有限公司 | 具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法 |
CN113410285B (zh) * | 2021-08-04 | 2023-02-28 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 半导体器件及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009066434A1 (ja) * | 2007-11-19 | 2009-05-28 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2011082216A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2012054471A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電源装置 |
JP2013247363A (ja) * | 2012-05-25 | 2013-12-09 | Triquint Semiconductor Inc | 電荷誘導層を有するiii族窒化物トランジスタ |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6982204B2 (en) | 2002-07-16 | 2006-01-03 | Cree, Inc. | Nitride-based transistors and methods of fabrication thereof using non-etched contact recesses |
US7045404B2 (en) | 2004-01-16 | 2006-05-16 | Cree, Inc. | Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof |
FR2875337A1 (fr) * | 2004-09-13 | 2006-03-17 | Picogiga Internat Soc Par Acti | Structures hemt piezoelectriques a desordre d'alliage nul |
US20070018199A1 (en) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Cree, Inc. | Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer |
JP2007035905A (ja) | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
DE102005059231B4 (de) * | 2005-12-12 | 2011-01-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiter-Feldeffekttransistors mit einer Fin-Struktur und Verbindungshalbleiter-Feldeffekttransistor mit einer Fin-Struktur |
CN100485959C (zh) * | 2007-02-01 | 2009-05-06 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法 |
US8431962B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-04-30 | Northrop Grumman Systems Corporation | Composite passivation process for nitride FET |
US8519438B2 (en) * | 2008-04-23 | 2013-08-27 | Transphorm Inc. | Enhancement mode III-N HEMTs |
US8541817B2 (en) * | 2009-11-06 | 2013-09-24 | Nitek, Inc. | Multilayer barrier III-nitride transistor for high voltage electronics |
US20110254134A1 (en) | 2010-04-19 | 2011-10-20 | Theeradetch Detchprohm | Method of Group III Metal - Nitride Material Growth Using Metal Organic Vapor Phase Epitaxy |
US8124505B1 (en) | 2010-10-21 | 2012-02-28 | Hrl Laboratories, Llc | Two stage plasma etching method for enhancement mode GaN HFET |
KR101736914B1 (ko) | 2010-12-06 | 2017-05-19 | 한국전자통신연구원 | 고주파 소자 구조물의 제조방법 |
JP5685918B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-03-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
GB201112330D0 (en) | 2011-07-18 | 2011-08-31 | Epigan Nv | Method for growing III-V epitaxial layers and semiconductor structure |
CN104011867B (zh) | 2011-12-23 | 2016-12-07 | 英特尔公司 | 用于栅极凹进晶体管的iii-n材料结构 |
-
2013
- 2013-11-15 KR KR1020157015905A patent/KR20150092172A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-11-15 EP EP13854428.3A patent/EP2920814A4/en not_active Ceased
- 2013-11-15 CN CN201380066532.9A patent/CN104871319B/zh active Active
- 2013-11-15 US US14/442,546 patent/US9570600B2/en active Active
- 2013-11-15 WO PCT/US2013/070372 patent/WO2014078699A1/en active Application Filing
- 2013-11-15 JP JP2015542838A patent/JP6486828B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009066434A1 (ja) * | 2007-11-19 | 2009-05-28 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2011082216A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2012054471A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電源装置 |
JP2013247363A (ja) * | 2012-05-25 | 2013-12-09 | Triquint Semiconductor Inc | 電荷誘導層を有するiii族窒化物トランジスタ |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018157177A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-10-04 | ローム株式会社 | 窒化物半導体デバイスおよび窒化物半導体パッケージ |
US11233144B2 (en) | 2016-08-24 | 2022-01-25 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and nitride semiconductor package |
JP7025853B2 (ja) | 2016-08-24 | 2022-02-25 | ローム株式会社 | 窒化物半導体デバイスおよび窒化物半導体パッケージ |
US11769825B2 (en) | 2016-08-24 | 2023-09-26 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and nitride semiconductor package |
JP2021500747A (ja) * | 2017-10-19 | 2021-01-07 | キング・アブドゥッラー・ユニバーシティ・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | 窒化ホウ素合金中間層を有する高電子移動度トランジスタ及び製造方法 |
US11233143B2 (en) | 2017-10-19 | 2022-01-25 | King Abdullah University Of Science And Technology | High electron mobility transistor having a boron nitride alloy interlayer and method of production |
JP7024073B2 (ja) | 2017-10-19 | 2022-02-22 | キング・アブドゥッラー・ユニバーシティ・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | 窒化ホウ素合金中間層を有する高電子移動度トランジスタ及び製造方法 |
WO2019131546A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JPWO2019131546A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2020-12-24 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
US11393905B2 (en) | 2017-12-28 | 2022-07-19 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor device |
JP7194120B2 (ja) | 2017-12-28 | 2022-12-21 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
WO2023181749A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9570600B2 (en) | 2017-02-14 |
WO2014078699A1 (en) | 2014-05-22 |
US20160064539A1 (en) | 2016-03-03 |
CN104871319B (zh) | 2018-04-10 |
CN104871319A (zh) | 2015-08-26 |
KR20150092172A (ko) | 2015-08-12 |
EP2920814A4 (en) | 2016-11-02 |
JP6486828B2 (ja) | 2019-03-20 |
EP2920814A1 (en) | 2015-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6486828B2 (ja) | 半導体構造およびリセス形成のエッチング技術 | |
US11322599B2 (en) | Enhancement mode III-nitride devices having an Al1-xSixO gate insulator | |
US9536984B2 (en) | Semiconductor structure with a spacer layer | |
US9252258B2 (en) | CMOS compatible method for manufacturing a HEMT device and the HEMT device thereof | |
EP2735031B1 (en) | Method for growing iii-v epitaxial layers | |
JP5071377B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
US9502535B2 (en) | Semiconductor structure and etch technique for monolithic integration of III-N transistors | |
US8692294B2 (en) | Semiconductor devices with field plates | |
US20160225857A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US10679860B2 (en) | Self-aligning source, drain and gate process for III-V nitride MISHEMTs | |
KR20140070663A (ko) | 리세스 전극 구조를 갖는 반도체 장치 | |
CN103545362B (zh) | 化合物半导体器件及其制造方法 | |
EP3335242A1 (en) | Semiconductor structure with a spacer layer | |
KR20070092482A (ko) | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
US8558242B2 (en) | Vertical GaN-based metal insulator semiconductor FET | |
JP7308593B2 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
Zhou et al. | Threshold voltage modulation by interface charge engineering for high performance normally-off GaN MOSFETs with high faulty turn-on immunity | |
KR20160115499A (ko) | 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
CN117238959A (zh) | 高电子迁移率晶体管器件及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6486828 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |