CN100485959C - 复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法 - Google Patents

复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100485959C
CN100485959C CNB2007100196695A CN200710019669A CN100485959C CN 100485959 C CN100485959 C CN 100485959C CN B2007100196695 A CNB2007100196695 A CN B2007100196695A CN 200710019669 A CN200710019669 A CN 200710019669A CN 100485959 C CN100485959 C CN 100485959C
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
separator
algan
gan
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2007100196695A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101009326A (zh
Inventor
李忠辉
陈辰
董逊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 55 Research Institute
Original Assignee
CETC 55 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 55 Research Institute filed Critical CETC 55 Research Institute
Priority to CNB2007100196695A priority Critical patent/CN100485959C/zh
Publication of CN101009326A publication Critical patent/CN101009326A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100485959C publication Critical patent/CN100485959C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明公开了一种采用复合隔离层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法，它通过在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的AlGaN势垒层和隔离层之间插入GaN隔离层，能够有效降低热电子进入到AlGaN势垒的几率，减小合金散射，提高电子的输运特性，从而改善晶体管的频率特性，另外也有利于器件欧姆接触工艺的实现，降低高性能器件制作的工艺难度。

Description

复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法
技术领域
本发明涉及一种晶体管及其制造方法，尤其是一种氮化物晶体管的外延结构及其制造方法，具体地说是一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法。
背景技术
由于AlGaN/GaN异质结存在较强自发和压电极化效应，可以在界面处产生高浓度和高迁移率的二维电子气，使得基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管可以工作在更高的功率密度、温度和频率条件下，它将成为微波大功率器件的重要发展方向，广泛应用于电子和信息通讯领域。
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通常是由衬底、成核层、缓冲层、沟道层、隔离层、势垒层、帽层构成。生长方法通常为MOCVD(Metal-organicChemical Vapor Phase Deposition)和MBE(Molecular Beam Epitaxy)，还包括如UHVCVD(Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition)、PLD(Pulsed Laser Deposition)等化学沉积方法。衬底一般是蓝宝石或碳化硅；在其上外延的成核层是GaN、AlGaN或AlN；外延的缓冲层是高阻氮化物；外延的沟道层是GaN或InGaN或InN；外延的隔离层是AlN；外延的势垒层是AlGaN；外延的帽层是GaN或AlGaN。另外，也可以采用另一种结构，即隔离层是AlGaN，对应的势垒层是n-AlGaN。在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管工作时，沟道电子获得足够能量后可穿过隔离层进入到AlGaN势垒中，但是由于AlGaN材料的较高合金散射，降低了电子速度，使晶体管的频率特性难以提高。
目前，改善AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管频率特性的方法：一是通过减小晶体管的栅的长度，但在减小栅长的同时降低了夹断电压，且工艺复杂，二是增加电子的速度，比如采用In(Ga)N沟道，但In(Ga)N材料与沟道和势垒材料的晶格常数及生长条件差别较大，很难得到高质量的异质结构，另外由于In(Ga)N材料的带隙较小，造成晶体管的夹断电压降低。
发明内容
本发明的目的是针对目前的氮化物高电子迁移率晶体管存在的电子速度低，频率特性难以提高的不足，发明一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法，用以改善高电子迁移率晶体管频率特性，降低高性能器件制造工艺难度。
本发明的技术方案是：
一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，包括衬底1、成核层2、缓冲层3、沟道层4、隔离层5、势垒层7和帽层8，衬底1位于最底导，成核层2外延生长在衬底1上，缓冲层3外延在成核层2之上，沟道层4则生长在缓冲层3上，隔离层5又外延在沟道层4上，势垒层7位于隔离层5的上部，帽层8外延在势垒层7上，其特征是在势垒层7和隔离层5之间设有厚度为1～6nm的隔离层6，该隔离层6外延生长在隔离层5之上，而势垒层7则外延生长在所述的隔离层6上。
所述的衬底1为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂或铝酸锂；所述的成核层2为GaN、AlGaN或AlN，其厚度为20～120nm；缓冲层3为高阻AlGaN，其电阻率不小于105Ω·cm，厚度为0.2～3μm，Al的摩尔含量为0～1.0；沟道层4为3～200nm厚的GaN、InGaN或InN；隔离层5是0.5～3nm厚的AlN；隔离层6为GaN；势垒层7为5～50nm厚且Al的摩尔含量为0.1～0.4的AlGaN；所述的帽层8为1～10nm厚的GaN或AlGaN。
一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构制造方法，其特征是它包括以下步骤：
第一步，选择蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂或铝酸锂作为衬底1并将其置于1000～1200℃温度条件下烘烤，以除去衬底表面的沾污；
第二步，在衬底1上生长GaN、AlGaN或AlN成核层2，厚度为20～120nm；
第三步，在成核层2上生长高电阻率氮化物缓冲层3，厚度为0.2～3μm；
第四步，在缓冲层3上生长沟道层4，厚度为3～200nm；
第五步，在沟道层3上依次生长隔离层5和隔离层6，厚度分别为0.8～3nm和1～6nm；
第六步，在隔离层6上生长势垒层，厚度为5～50nm、Al的摩尔含量为0.1～0.4；
第七步，最后在势垒层7上生长帽层8，厚度在1～10nm之间，即得本发明的复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构。
所述的隔离层6为GaN，当隔离层5为AlN时，对应的势垒层7为AlGaN，或者隔离层5为AlGaN，对应的势垒层7为n-AlGaN。
本发明的有益效果：
在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管工作时，沟道电子获得足够能量后可以进入到AlGaN势垒，由于AlGaN势垒较高的合金散射，降低了电子速度，使晶体管频率特性变差。通常采取以下方法来提高晶体管的频率：1、减小栅的长度，但同时降低了夹断电压，导致制作工艺复杂；2、增加沟道电子的迁移速度，比如采用In(Ga)N沟道，但In(Ga)N材料与沟道和势垒材料的晶格常数及生长条件差别较大，很难度高质量的异质结构，但是In(Ga)N材料的带隙较小，造成夹断电压降低。
本发明通过在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的势垒层和沟道层之间的隔离层上再外延生长一层GaN隔离层，降低电子进入到AlGaN势垒的几率，从而减小合金散射，提高电子的输运性能，改善晶体管的频率特性，另外也有利于器件的欧姆接触制作。本发明降低了高性能器件制作的工艺难度。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
如图1所示。
一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，它由衬底1、生长在衬底1上的成核层2、生长在成核层2之上的高阻氮化物缓冲层3、生长在缓冲层3上的氮化物沟道层4、生长在沟道层4上的隔离层5、生长在隔离层5上的隔离层6、生长在隔离层6上的势垒层7，位于最上层的是帽层8。
其中：
衬底1可选用蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂或铝酸锂。
成核层2可采用GaN、AlGaN或AlN，其厚度为20～120nm。
氮化物缓冲层3可为厚度为0.2～3μm的高阻氮化物3。
氮化物沟道层4可为厚度为3～200nm的GaN、InGaN或InN。
隔离层5可为厚度为0.5～3nm的AlN。
隔离层6可为厚度1～6nm的GaN。
势垒层7可为厚度为5～50nm的AlGaN，且Al的摩尔含量为0.1～0.4。
帽层8可为1～10nm的GaN或AlGaN。
此外，还可采用另一种结构，当其中隔离层5为AlGaN(厚度为1～4nm)，对应的势垒层7为n-AlGaN(厚度为5～50nm，掺杂浓度为1×1018～5×1018cm-3)，其中Al的摩尔含量为0.1～0.4。
本发明的制造方法包括以下步骤：
第一步，选择蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂或铝酸锂作为衬底1并将其置于高温条件下烘烤，以除去衬底表面的沾污；
第二步，在衬底1上生长GaN、AlGaN或AlN成核层2，厚度为20～120nm；
第三步，在成核层2上生长高电阻率氮化物缓冲层3，厚度为0.2～3μm；
第四步，在缓冲层3上生长沟道层4，厚度为3～200nm，沟道层4可选用GaN、InGaN或InN；
第五步，在沟道层4上依次生长隔离层5(AlN)和隔离层6(GaN)，厚度分别为0.8～3nm和1～6nm；
第六步，在隔离层6上生长厚度为5～50nm的势垒层7(AlGaN)，Al的摩尔含量为0.1～0.4；
第七步，在势垒层7上生长帽层8(GaN或AlGaN)，厚度在1～10nm之间，冷却后即得本发明的复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构。
实例1：
1)选择蓝宝石衬底，利用MOCVD法在1100℃(也可为1000～1200℃之间的任一温度值)，氢气气氛烘烤衬底10分钟左右；
2)降温至550℃，500Torr，通入氨气对表面进行氮化处理2分钟；然后通入氨气和三甲基镓生长30nm的GaN成核层2；然后升温至1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)；
3)在1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)、130Torr下生长2～3μm高阻GaN缓冲层3；
4)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，200Torr，生长50nm GaN沟道层4，根据需要，具体实施时沟道层4的厚度可在3～200nm之间选定；
5)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，130Torr，依次生长0.8nm AlN隔离层5和3nm GaN隔离层6，具体实施时隔离层5的厚度可在0.8～2nm之间选取，隔离层6的厚度可在1～6nm之间选取；
6)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，130Torr，生长25nm的AlGaN势垒层7(Al的摩尔含量为0.25)，具体实施时势垒层7的厚度可在5～50nm之间选取，Al的摩尔含量可在0.1～0.4之间选取；
7)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，生长2nm的GaN帽层8，具体实施时帽层8的厚度可在1～10nm之间选取；
8)降至室温，取片。
实例2：
1)选择碳化硅衬底，利用MOCVD法在1100℃(也可为1000～1200℃之间的任一温度值)，氢气气氛烘烤衬底10分钟；
2)降温至1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，通入氨气和三甲基铝生长60nm AlN成核层；
3)在1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，通入氨气和三甲基铝生长0.5μm AlN缓冲层；
4)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，200Torr，生长40nm GaN沟道层4，具体实施时沟道层4的厚度可在3～200nm之间选定；
5)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，130Torr，依次生长1.2nm AlN隔离层5和5nm GaN隔离层6体实施时隔离层5的厚度可在0.8～2nm之间选取，隔离层6的厚度可在1～6nm之间选取；
6)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，130Torr，生长30nm的AlGaN势垒层7(Al的摩尔含量为0.25)，具体实施时势垒层7的厚度可在5～50nm之间选取，Al的摩尔含量可在0.1～0.4之间选取；
7)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，150Torr，生长5nm的GaN帽层8，具体实施时帽层8的厚度可在1～10nm之间选取；
8)降至室温，取片。
实例3：
1)选择硅衬底，经过清洗，利用MOCVD法在1100℃(也可为1000～1200℃之间的任一温度值)，氢气气氛烘烤衬底10分钟；
2)降温至1050℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，三甲基铝通入反应室60秒；
3)通入氨气和三甲基铝生长80nm AlN成核层；
4)通入氨气和三甲基镓生长1.0μm GaN高电阻率缓冲层；
5)200Torr，生长40nm GaN沟道层4，具体实施时沟道层4的厚度可在3～200nm之间选定；
6)1040℃，150Torr，依次生长1nm AlN隔离层5和5nm GaN隔离层6，具体实施时隔离层5的厚度可在0.8～2nm之间选取，隔离层6的厚度可在1～6nm之间选取；
7)1040℃，150Torr，生长30nm的AlGaN势垒层7(Al的摩尔含量为0.25)，具体实施时势垒层7的厚度可在5～50nm之间选取，Al的摩尔含量可在0.1～0.4之间选取；
8)生长3nm GaN帽层，具体实施时帽层8的厚度可在1～10nm之间选取；
9)降至室温，取片。
实例4：
1)选择碳化硅衬底，利用MOCVD法在1100℃(也可为1000～1200℃之间的任一温度值)，氢气气氛烘烤衬底10分钟；
2)降温至1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，通入氨气和三甲基铝生长60nm AlN成核层；
3)在1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，通入氨气、三甲基镓和三甲基铝生长0.5μm AlGaN缓冲层(Al的摩尔含量为0.15)；
4)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，200Torr，生长40nm GaN沟道层4，具体实施时沟道层4的厚度可在3～200nm之间选定；
5)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，130Torr，依次生长2nm AlGaN隔离层5(Al的摩尔含量为0.25)和3nm GaN隔离层6，具体实施时隔离层5的厚度可在0.8～2nm之间选取，隔离层6的厚度可在1～6nm之间选取；
6)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，130Torr，生长25nm的n-AlGaN势垒层7(Al的摩尔含量为0.25，掺杂浓度1×1018～5×1018cm-3)，具体实施时势垒层7的厚度可在5～50nm之间选取，Al的摩尔含量可在0.1～0.4之间选取；
7)1040℃(也可控制在1000～1100℃之间的任一温度值)，150Torr，生长2nm GaN帽层8，具体实施时帽层8的厚度可在1～10nm之间选取；
8)降至室温，取片。
实施例1-4中除了应用所述的MOCVD法进行生长外，还可采用MBE、UHVCVD、PLD等化学沉积方法实现，所不同的是生长温度和压力有所不同。

Claims (4)

1、一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、沟道层(4)、第一隔离层(5)、势垒层(7)和帽层(8)，衬底(1)位于最底层，成核层(2)外延生长在衬底(1)上，缓冲层(3)外延在成核层(2)之上，沟道层(4)则生长在缓冲层(3)上，第一隔离层(5)又外延在沟道层(4)上，势垒层(7)位于第一隔离层(5)的上部，帽层(8)外延在势垒层(7)上，在势垒层(7)和第一隔离层(5)之间设有厚度为1～6nm第二隔离层(6)，该第二隔离层(6)外延生长在第一隔离层(5)之上，而势垒层(7)则外延生长在所述的第二隔离层(6)上，其特征是所述的衬底(1)为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂或铝酸锂；所述的成核层(2)为GaN、AlGaN或AlN，其厚度为20～120nm；缓冲层(3)为高阻AlGaN，其电阻率不小于105Ω·cm，厚度为0.2～3μm，Al的摩尔含量为0～1.0；沟道层(4)为3～200nm厚的GaN、InGaN或InN；第一隔离层(5)是0.5～3nm厚的AlN，第二隔离层(6)为GaN，势垒层(7)为5～50nm厚且Al的摩尔含量为0.1～0.4的AlGaN，所述的帽层(8)为1～10nm厚的GaN或AlGaN。
2、一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、沟道层(4)、第一隔离层(5)、势垒层(7)和帽层(8)，衬底(1)位于最底层，成核层(2)外延生长在衬底(1)上，缓冲层(3)外延在成核层(2)之上，沟道层(4)则生长在缓冲层(3)上，第一隔离层(5)又外延在沟道层(4)上，势垒层(7)位于第一隔离层(5)的上部，帽层(8)外延在势垒层(7)上，在势垒层(7)和第一隔离层(5)之间设有厚度为1～6nm第二隔离层(6)，该第二隔离层(6)外延生长在第一隔离层(5)之上，而势垒层(7)则外延生长在所述的第二隔离层(6)上，其特征是所述的衬底(1)为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂或铝酸锂；所述的成核层(2)为GaN、AlGaN或AlN，其厚度为20～120nm；缓冲层(3)为高阻AlGaN，其电阻率不小于105Ω·cm，厚度为0.2～3μm，Al的摩尔含量为0～1.0；沟道层(4)为3～200nm厚的GaN、InGaN或InN；第一隔离层(5)为AlGaN，第二隔离层(6)为GaN，对应的势垒层(7)为5～50nm厚且Al的摩尔含量为0.1～0.4的n-AlGaN，掺杂浓度为1×1018～5×1018cm-3，所述的帽层(8)为1～10nm厚的GaN或AlGaN。
3、一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构制造方法，其特征是它包括以下步骤：
第一步，选择蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂或铝酸锂作为衬底(1)并将其置于1000～1200℃高温条件下烘烤，以除去衬底表面的沾污；
第二步，在衬底(1)上生长GaN、AlGaN或AlN成核层(2)，厚度为20～120nm；
第三步，在成核层(2)上生长电阻率不小于105Ω·cm的高阻AlGaN缓冲层(3)，厚度为0.2～3μm；
第四步，在缓冲层(3)上生长GaN、InGaN或InN沟道层(4)，厚度为3～200nm；
第五步，在沟道层(3)上依次生长AlN第一隔离层(5)和GaN第二隔离层(6)，厚度分别为0.8～3nm和1～6nm；
第六步，在第二隔离层(6)上生长厚度为5～50nm、Al的摩尔含量为0.1～0.4的AlGaN的势垒层(7)；
第七步，最后在势垒层(7)上生长1～10nm的GaN或AlGaN帽层(8)，即得所述的复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构。
4、一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构制造方法，其特征是它包括以下步骤：
第一步，选择蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂或铝酸锂作为衬底(1)并将其置于1000～1200℃高温条件下烘烤，以除去衬底表面的沾污；
第二步，在衬底(1)上生长GaN、AlGaN或AlN成核层(2)，厚度为20～120nm；
第三步，在成核层(2)上生长电阻率不小于105Ω·cm的高阻AlGaN缓冲层(3)，厚度为0.2～3μm；
第四步，在缓冲层(3)上生长GaN、InGaN或InN沟道层(4)，厚度为3～200nm；
第五步，在沟道层(3)上依次生长AlGaN第一隔离层(5)和GaN第二隔离层(6)，厚度分别为0.8～3nm和1～6nm；
第六步，在第二隔离层(6)上生长厚度为5～50nm、Al的摩尔含量为0.1～0.4的n-AlGaN势垒层(7)，掺杂浓度为1×1018～5×1018cm-3；
第七步，最后在势垒层(7)上生长1～10nm的GaN或AlGaN帽层(8)，即得所述的复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构。
CNB2007100196695A 2007-02-01 2007-02-01 复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法 Active CN100485959C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2007100196695A CN100485959C (zh) 2007-02-01 2007-02-01 复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2007100196695A CN100485959C (zh) 2007-02-01 2007-02-01 复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101009326A CN101009326A (zh) 2007-08-01
CN100485959C true CN100485959C (zh) 2009-05-06

Family

ID=38697589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2007100196695A Active CN100485959C (zh) 2007-02-01 2007-02-01 复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100485959C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102646700A (zh) * 2012-05-07 2012-08-22 中国电子科技集团公司第五十五研究所 复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014078699A1 (en) * 2012-11-16 2014-05-22 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor structure and recess formation etch technique
KR102232558B1 (ko) 2013-06-06 2021-03-29 엔지케이 인슐레이터 엘티디 13족 질화물 복합 기판, 반도체 소자, 및 13족 질화물 복합 기판의 제조 방법
CN105514157A (zh) * 2016-01-13 2016-04-20 中国科学院上海技术物理研究所 一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法
CN107546261A (zh) * 2016-06-29 2018-01-05 江西省昌大光电科技有限公司 半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构
CN106653840A (zh) * 2016-11-15 2017-05-10 苏州捷芯威半导体有限公司 一种半导体器件及其制造方法
CN107919392A (zh) * 2017-11-09 2018-04-17 中国电子科技集团公司第五十五研究所 氮化镓基氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及生长方法
CN110246754B (zh) * 2019-06-20 2022-05-27 江苏能华微电子科技发展有限公司 一种hemt外延结构的制备方法及外延结构
CN111668101B (zh) * 2020-06-03 2022-07-01 西安电子科技大学 一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
WO2022068256A1 (zh) * 2020-09-30 2022-04-07 苏州能讯高能半导体有限公司 半导体器件的外延结构及其制备方法
CN112635551A (zh) * 2020-12-18 2021-04-09 西安电子科技大学 一种GaN异质结材料及其制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102646700A (zh) * 2012-05-07 2012-08-22 中国电子科技集团公司第五十五研究所 复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构
CN102646700B (zh) * 2012-05-07 2015-01-28 中国电子科技集团公司第五十五研究所 复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN101009326A (zh) 2007-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100485959C (zh) 复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法
US9166033B2 (en) Methods of passivating surfaces of wide bandgap semiconductor devices
US7709859B2 (en) Cap layers including aluminum nitride for nitride-based transistors
EP1610392B1 (en) HEMT device
KR101854021B1 (ko) 헤테로기판 상의 iii족-질화물 버퍼 층 구조의 p-도핑
KR100863762B1 (ko) 질화 인듐 갈륨 채널의 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조 방법
US8575651B2 (en) Devices having thick semi-insulating epitaxial gallium nitride layer
KR100690413B1 (ko) 질화물 반도체 성장용 기판
CN100433364C (zh) 复合缓冲层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法
US7626217B2 (en) Composite substrates of conductive and insulating or semi-insulating group III-nitrides for group III-nitride devices
JP2005167275A (ja) 半導体素子
CN109390212B (zh) 氮化物半导体器件的形成工艺
CN103003931A (zh) 半导体元件用外延基板、半导体元件、pn接合二极管元件以及半导体元件用外延基板的制造方法
CN103367589A (zh) 用于制造含Ga的第III族氮化物半导体的方法
JP2003151996A (ja) ２次元電子ガスを用いた電子デバイス
TW202013433A (zh) Iii-n半導體結構及形成iii-n半導體結構的方法
CN115842042B (zh) 一种外延层结构及其制备方法和应用
JP2006004970A (ja) 窒化物半導体薄膜の作製方法
CN109285777A (zh) 具有n-极性氮化镓的外延衬底的形成方法
CN100501951C (zh) 场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法
KR20110015009A (ko) 질소 화합물 반도체 기판의 제조 방법 및 질소 화합물 반도체 기판, 단결정 ＳｉＣ 기판의 제조 방법 및 단결정 ＳｉＣ 기판
CN109599437A (zh) 基于InGaN双沟道异质结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法
JP2004289005A (ja) エピタキシャル基板、半導体素子および高電子移動度トランジスタ
CN111009579A (zh) 半导体异质结构及半导体器件
CN114914296A (zh) 一种外延片、外延片制备方法及高电子迁移率晶体管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant