JP2015512555A - 導光板及び関連付けられたライトアセンブリ - Google Patents

Abstract

導光板は、９０パーセントを超える透過率と、１．４を超える屈折率と、１０未満のヘイズパーセントとを有する。導光板はまた、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含む。オルガノシロキサンブロックコポリマーは、各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位と、各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位と、０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］とを含む。Ｒ１は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、Ｒ２は、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルである。更に、非直鎖状ブロックの少なくとも３０％は、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集される。

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１２年３月２０日に出願された米国仮特許出願第６１／６１３，１１８号の利益を主張するものであり、その開示の全体は、本明細書に完全に記載されているかのように、参照することにより、本明細書に組み込まれる。

（発明の分野）
本開示は、概して、光源からの光を離れた点まで送光するため導光板に関する。

導光板は、照明、背面照明、標識、及び表示目的を含む様々な機能のために採用される。導光板は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの注入成形された又は機械加工された透明なプラスチック構成要素を含む多くの異なる方法で構築され得、蛍光灯又は発光ダイオードなどの光源が、機械的付属品などを用いて統合される。光源から発光された光は、内面反射によって導光板を通じて導かれる。様々な例において、内面反射は全反射である。

光源と導光板の結合がより良好であるほど、一般的に、光源から導光板の反対側の端部への光の透過率もより良好でより効率的である。いくつかの用途において、光は、性能を増加させるように導光板の平面内に発光される。他の用途において、導光板の長さは、性能を高めるために最短化される。しかしながら、導光板の長さを最短化することはまた、例えば、暗点及び／又は光源に近い光のより強烈な領域を作り出すことによって、光の均一性を損ない得る。

光を生成することに加えて、光源はまた、熱を生成する。この理由により、多くの導光板は、熱に抵抗性であるように設計される。しかしながら、そうすることで、このような導光板は時には嵩張りかつ重く、それによって、生産及び製造コストが増大する。加えて、導光板の嵩は、光学特性に悪影響を与え得る。更に、ＰＭＭＡは、加熱／老化後に物理的に劣化する傾向がある。したがって、改善された導光板を開発する機会が残されている。

本開示は、最小限の吸収損失を伴って、光源からの光を離れた点まで送光するための導光板を提供する。導光板は、表面反射のために補正された９０パーセントを超える透過率、１．４を超える屈折率、及び１０未満のヘイズパーセントを有する。導光板はまた、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含む。オルガノシロキサンブロックコポリマーは、各々が直鎖状ブロック毎に平均１０〜４００ジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］を有する直鎖状ブロック、に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位を含む。オルガノシロキサンブロックコポリマーはまた、各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位を含む。更に、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］を含む。これらの式中、Ｒ^１は、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルであり、Ｒ^２は、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルである。加えて、非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集される。更に、各直鎖状ブロックが、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結される。本開示はまた、光源、及び光源上に配設された導光板を備える物品を提供する。本開示の導光板は、改善された厚さ制御を有し、最小限の吸収損失を伴い、光源からの光を離れた点まで送光することができる。更に、導光板は、効率的に、かつ費用効果的に形成することができる。加えて、導光板は、低いヘイズ、優れた熱安定性、及び加熱老化後の物理的特性を有する。

実施形態１は、ライトアセンブリに関し、該ライトアセンブリは、
光源と、
導光板であって、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、かつ光源からの光を受光するように構成される第１の表面と、導光板の長さに沿って透過する光を発光するように構成される第２の表面とを有する導光板と、を含み、
オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、かつ
各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位と、
各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位と、
０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］とを含み、
式中、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルであり、各Ｒ_２は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルである。
非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
各直鎖状ブロックが、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに架橋される。

実施形態２は、第１の表面が少なくとも部分的に、光源を受け入れるように構成される窪部を形成する、実施形態１のライトアセンブリに関する。

実施形態３は、光源が第１の表面と物理的に接触している、実施形態１又は２のライトアセンブリに関する。

実施形態４は、導光板が不規則な三次元形状に形成されている、実施形態１〜３のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態５は、不規則な三次元形状が屈曲を含む、実施形態４のライトアセンブリに関する。

実施形態６は、不規則な三次元形状が角柱を含む、実施形態４又は５のライトアセンブリに関する。

実施形態７は、不規則な三次元形状が楔形を含む、実施形態４〜６のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態８は、不規則な三次元形状が、第１の表面に近接する第１の断面と、第２の表面に近接する第２の断面とを備え、第１の断面が第１の断面と異なる、実施形態４〜７のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態９は、第１の断面及び第２の断面のうちの少なくとも１つが、円形及び矩形のうちの少なくとも１つである、実施形態８のライトアセンブリに関する。

実施形態１０は、導光板が、光を受光するように構成される複数の第１の表面を備える、実施形態１〜９のいずれか一項に記載のライトアセンブリに関する。

実施形態１１は、複数の光源を更に備える、実施形態１０のライトアセンブリに関する。

実施形態１２は、複数の光源の各々が、第１の表面のうちの１つに関連付けられる、実施形態１１のライトアセンブリに関する。

実施形態１３は、第１の表面によって少なくとも部分的に受光される光を発光するように構成される複数の光源を更に備える、実施形態１〜１０のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態１４は、導光板の長さを透過した光を発光するように構成される複数の第２の表面を更に備える、実施形態１〜１３のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態１５は、第２の表面が拡散出口である、実施形態１〜１４のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態１６は、拡散出口がエッチングプロセスによって形成されている、実施形態１５のライトアセンブリに関する。

実施形態１７は、導光板が、空気雰囲気中において２５０℃に曝露される７００分にわたって、５重量％未満の総重量損失を有するように熱安定性を有する、実施形態１〜１６のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態１８は、導光板が、表面反射のために補正された約９５％を超える透過率、約１．４を超える屈折率、及び約１０未満のヘイズパーセントを有する、実施形態１〜１７のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態１９は、光源が発光体及び保護部材を備える、実施形態１〜１８のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態２０は、保護部材が、ブロックコポリマーからなる、実施形態１９のライトアセンブリに関する。

実施形態２１は、ライトアセンブリに関し、該ライトアセンブリは、
不規則な三次元形状に形成されたオルガノシロキサンブロックコポリマーであって、光を受光するように構成される第１の表面と、導光板の長さを透過する光を発光するように構成される第２の表面とを有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、該ブロックコポリマーが、空気雰囲気中において２５０℃に曝露される７００分にわたって５重量％未満の総重量損失を有するような熱安定性と、表面反射のために補正された約９５％を超える透過率と、約１．４を超える屈折率と、約１０未満のヘイズパーセントと、を有し、
式中、
オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、かつ
各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位と、
各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位と、
０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］とを含み、
式中、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルであり、各Ｒ_２は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルであり、
非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
各直鎖状ブロックが少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結される。

実施形態２２は、不規則な三次元形状が屈曲を含む、実施形態２１の導光板に関する。

実施形態２３は、不規則な三次元形状が角柱を含む、実施形態２１又は２２の導光板に関する。

実施形態２４は、不規則な三次元形状が楔形を含む、実施形態２１〜２３のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態２５は、不規則な三次元形状が、第１の表面に近接する第１の断面と、第２の表面に近接する第２の断面とを備え、第１の断面が第１の断面と異なる、実施形態２１〜２４のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態２６は、第１の断面及び第２の断面のうちの少なくとも１つが、円形断面及び矩形断面のうちの少なくとも１つである、実施形態２５の導光板に関する。

実施形態２７は、導光板が、光を受光するように構成される複数の第１の表面を備える、実施形態２１〜２６のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態２８は、複数の光源を更に備える、実施形態２７のライトアセンブリに関する。

実施形態２９は、数の光源の各々が、第１の表面のうちの１つに関連付けられる、実施形態２８のライトアセンブリに関する。

実施形態３０は、第１の表面によって少なくとも部分的に受光される光を発光するように構成される複数の光源を更に備える、実施形態２１〜２９のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態３１は、導光板の長さを透過した光を発光するように構成される複数の第２の表面を更に備える、実施形態２１〜３０のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態３２は、第２の表面が、拡散出口である、実施形態２１〜３１のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態３３は、拡散出口がエッチングプロセスによって形成されている、実施形態３２のライトアセンブリに関する。

実施形態３４は、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーがジシロキシ単位及びトリシロキシ単位の勾配を含む、実施形態２１のライトアセンブリに関する。

実施形態３５は、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーがジシロキシ単位、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、実施形態２１のライトアセンブリに関する。

実施形態３６は、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーがトリシロキシ単位及びシラノール基の勾配を含む、実施形態２１のライトアセンブリに関する。

実施形態３７は、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーがジシロキシ単位及びシラノール基の勾配を含む、実施形態２１のライトアセンブリに関する。

実施形態３８は、ジシロキシ単位が、式［（ＣＨ_３）（Ｃ_６Ｈ_５）ＳｉＯ_２／２］を有する、実施形態３４〜３７のいずれか１つの導光板に関する。

実施形態３９は、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが少なくとも３０重量パーセントのジシロキシ単位を含む、実施形態３４〜３７のいずれか１つの導光板に関する。

実施形態４０は、Ｒ^２はフェニルである、実施形態３４〜３９のいずれか１つの導光板に関する。

実施形態４１は、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが１．０ＭＰａを超える引張強度及び２０％を超える破断伸度（％）を有し、各々が独立して、ＡＳＴＭ Ｄ４１２により判定される、実施形態２１〜４０のいずれか１つの導光板に関する。

実施形態４２は、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが２５℃〜２００℃の溶融流動温度を有する、実施形態２１〜４１のいずれか１つの導光板に関する。

実施形態４３は、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、
２５℃で０．０１ＭＰａ〜５００ＭＰａの貯蔵弾性率（Ｇ’）、及び２５℃で０．００１ＭＰａ〜２５０ＭＰａの損失弾性率（Ｇ’’）、
１２０℃で１０Ｐａ〜５００，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）、及び１２０℃で１０Ｐａ〜５００，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）、又は
２００℃で１０Ｐａ〜１００，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）、及び２００℃で５Ｐａ〜８０，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）を有する、実施形態２１〜４２のいずれか１つの導光板に関する。

実施形態４４は、光源と、前記光源上に配設された導光板とを備える物品に関し、前記導光板は、表面反射のために補正された９０％を超える透過率、１．４を超える屈折率、及び１０未満のヘイズパーセントを有し、かつオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、このオルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、かつ
各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位と、
各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位と、
０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］とを含み、
式中、Ｒ^１が、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルであり、Ｒ^２が、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルであり、
非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
各直鎖状ブロックが少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結される。

実施形態４５は、オルガノシロキサンブロックコポリマーがジシロキシ単位及びトリシロキシ単位の勾配を含む、実施形態４４の物品に関する。

実施形態４６は、オルガノシロキサンブロックコポリマーがジシロキシ単位、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、実施形態４４の物品に関する。

実施形態４７は、オルガノシロキサンブロックコポリマーがジシロキシ単位及びシラノール基の勾配を含む、実施形態４４の物品に関する。

実施形態４８は、オルガノシロキサンブロックコポリマーがジシロキシ単位、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、実施形態４４の物品に関する。

実施形態４９は、前記ジシロキシ単位が式［（ＣＨ_３）（Ｃ_６Ｈ_５）ＳｉＯ_２／２］を有する、実施形態４４〜４８のいずれか１つの物品に関する。

実施形態５０は、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが少なくとも３０重量パーセントのジシロキシ単位を含む、実施形態４４〜４８のいずれか１つの物品に関する。

実施形態５１は、Ｒ^２がフェニルである、実施形態４４〜４８のいずれか１つの物品に関する。

実施形態５２は、実施形態１〜２０のいずれか１つのライトアセンブリの作製方法に関する。

実施形態５３は、実施形態２１〜５１のいずれか１つの導光板の作製方法に関する。

本開示の他の利点は、添付の図面と関連付けて説明されるとき、以下の詳細な説明を参照することによってより了解に理解されることと認識される。
光源からの損失した流束の例示である。 レンズを通過して導光板内に入る光を生成する、ＬＥＤランプの概略図である。 導光板内に配設された光源を備えるライトアセンブリの概略図である。 導光板の斜視図である。 実質的に滑らかで平坦な表面を有する近位端を含む導光板の概略図である。 滑らかで凹面端を含む導光板の概略図である。 凹面端を含む導光板の概略図である。 光源の上に位置付けられた滑らかで平坦な入口端を含む導光板の概略図である。 導光板の概略図である。 屈曲を組み込んだ導光板の概略図である。 ４５度のプリズム反射板を含む導光板の概略図である。 楔形平面の導光板の概略図である。 楔形平面の導光板の概略図である。 半透過型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の斜視図である。 直角平面の楔形導光板の斜視図である。 直角平面の楔形導光板の側面図である。 直角平面の導光板に配設された光源の概略図である。 ３つの様々に不規則な形状の導光板の斜視図である。 ３つの様々に不規則な形状の導光板の斜視図である。 ３つの様々に不規則な形状の導光板の斜視図である。 ２つの様々に不規則な形状の導光板の斜視図である。 ２つの様々に不規則な形状の導光板の斜視図である。 それぞれ、Ｓ字状矩形の導光板の斜視図及び概略図である。 それぞれ、Ｓ字状矩形の導光板の斜視図及び概略図である。 一連の４つの導光板の斜視図である。 一連の４つのＳ字状の下位部材の斜視図である。 導光板の２つの例を通じた光路の概略図である。 導光板の２つの例を通じた光路の概略図である。 導光板から出射する幅の広い及び狭い放射パターンの概略図である。 導光板から出射する幅の広い及び狭い放射パターンの概略図である。

光源
本明細書中に記載の光源は、特に限定されず、固体ライト、発光ダイオード（ＬＥＤ）、蛍光灯、白熱灯、ハロゲン光等として更に定義され得る発光部材を含む、又はそれ自体であり得る。ＬＥＤは、特に限定されず、半導体ＬＥＤ、有機ＬＥＤ、ポリマーＬＥＤ、量子ドットＬＥＤ、赤外線ＬＥＤ、可視光ＬＥＤ（着色された白色光を含む）、紫外線ＬＥＤ、及びこれらの組み合わせのうちの１つ以上として更に説明され得る。加えて、ＬＥＤ、及び様々な軸に沿って光を発光する他の固体ライト、すなわち、横方向又は垂直に光を発光する光源。例えば、Ｚ軸上に光を発光する表面発光レーザ（ＳＥＬ）が組み込まれ得る。光源はまた、典型的には、ＬＥＤなどの固体ライトに関連付けられた際、当該技術分野で既知の１つ以上の構成要素を含み得る。例えば、光源は、１つ以上のドライバ、光学素子、ヒートシンク、筐体、レンズ、電源装置、器具、ワイヤ、電極、回路等を含み得る。

本明細書に開示される光源は、絶縁するように、又はそうでなければ、環境条件に対して発光部材を保護するように、及び、ある実施例においては、全体として光源からの光の発光を調節するように構成された保護部材を様々に組み込み得る。保護部材は、ガラス電球、又は蛍光、白熱、ハロゲンライト、あるＬＥＤ、及び他の固体ライトにおいてよく知られている他のガラス構造などの構造であり得る。あるいは、保護部材は、固体ライトを封入するように構成された封止材であり得る。様々な実施例において、封止材は、本明細書に開示される同じ又は類似のオルガノシロキサンブロックコポリマーのものであり得る。他の保護部材が企図される。しかしながら、保護部材を含む光源の全ての場合において、保護部材は、光源の不可欠な構成要素であり、導光板から構造的かつ機械的に分離して区別されると理解され得る。保護部材が、本明細書に開示されるオルガノシロキサンブロックコポリマーから作製されている様々な実施例において、保護部材は、厚さ約１ミリメートル以下から厚さ約１センチメートルであり得る。横方向に光を発光する光源は、封入剤を必要としない場合があり、又は封入剤の代わりに比較的薄い蛍光体層を利用し得る。

導光板
本明細書に記載の導光板は、本明細書に開示されるオルガノシロキサンブロックコポリマーから作製され得る、又はそうでなければ、それを組み込み得る。このようなブロックコポリマーは、結果として得られる導光板が、熱劣化を経験せずに様々な光源に比較的ごく近接している、又は直接接触することを可能にする熱安定性を有し得る。その結果、本明細書に開示される導光板は、表面反射のために補正された約９５パーセントを超える透過率、約１．４を超える屈折率、及び約１０未満のヘイズパーセントを有し得る一方で、導光板にごく近接した又は直接接触する光源を用いて、更に経時的にこれらの特性を維持することができる。本明細書に記載の導光板は、本明細書に開示されるオルガノシロキサンブロックコポリマーから作製され得る、又はそうでなければ、それを組み込み得る一方で、導光板は、好適な光透過特性及び熱安定性を有する任意の材料（例えば、空気雰囲気中において２５０℃に曝露される７００分にわたって５重量％未満の総重量損失などの最小の総重量損失を呈する材料）から作製され得ることが理解されるべきである。このような材料は、参照することにより本明細書に完全に記載されているかのように組み込まれる、国際特許第２０１２／０４０４５３号に開示されている。

本明細書に記載の導光板は、サイズ又は形状において限定されず、シート、フィルム、プレートであり得るか、又は任意の様々な幾何学的形状を有し得る。導光板は、均一な寸法、又は全部若しくは一部において不均一な寸法を有し得る。様々な実施形態では、導光板（及び／又は個別のシート若しくはそれらの形状）は、１０μｍ〜２ｍｍ、１０μｍ〜１ｍｍ、１０μｍ〜０．５ｍｍ、１０μｍ〜１００μｍ、５０μｍ〜１００μｍ、１０μｍ〜５０μｍ、１０μｍ〜９０μｍ、２０μｍ〜８０μｍ、３０μｍ〜７０μｍ、４０μｍ〜６０μｍ、又は約５０μｍの厚さを有する。

本明細書に開示される導光板は、導光板が意図された目的に好適な任意の様々な長さを有し得る。例えば、導光板は、密接に離間配置された電子部品間のデータ通信のために（１センチメートル以下の長さであり得るような）比較的短い距離にわたって利用され得る。あるいは、導光板は、数キロメートルなどの長距離にわたって光を透過するために利用され得る。

様々な導光板は、比較的低い吸収損失を伴って、光源からの光を導光板内に送光するように、導光板を通り出口へ向かう光の比較的高い透過率を提供するように、及び／又は比較的低い吸収損失を伴って、導光板からの比較的高い光の出口を提供するように、比較的効率的な流束の結合を提供し得る。一般的に、具体的には断面において、導光板は、任意の様々な形状、円筒型（楕円形）、矩形（正方形）、（出口端から入口端にかけてサイズが増大する）円錐形、又は任意の特殊な形状（例えば、矢印、星形、扇形等）で作製され得る。角部を持つ矩形又は特殊な形状に対して、角部は、角部で照明を最大化するように０．５ｍｍを超える半径であり得る。導光板の形状は、その長さに沿って徐々に変化し得る（すなわち、ランプに対応するために入口端では円形で、出口端では正方形となる）。導光板の形状は、規則的又は不規則的、対称又は非対称、幾何学的又は非幾何学的等であり得る。

図１Ａは、光源１００からの損失した流束の例示である。様々な実施例において、光源１００は、ＬＥＤランプであるが、当該技術分野で既知の任意の様々な光源が、本明細書で利用され得る。図示されるように、光源１００は、導光板１０６の近位端１０４から距離１０２に位置付けられる。様々な実施例において、距離１０２により、流束１０８は、導光板１０６の近位端１０４の反射により損失され得るが、発光された光は、導光板１０６の近位端１０４上に全く入射しない。

光源１００は、発光部１１０及び保護部材１１２を含む。発光部１１０は、ＬＥＤ自体であり得るか、又はどのような照明技術であっても特定の状況において利用される。保護部材１１２は、導光板１０６と同じ又は異なる材料であり得るが、機械的かつ物理的に導光板１０６から区別される。

図１Ｂは、レンズ２００を通って光ガイド１０６内を通過する光を生成するＬＥＤランプの例示である。図１Ａの例示に関する流束の損失は、光が導光板１０６の近位端１０４に影響を与えるように、レンズを伴う光源１００から発光された光を集光することによって対処され得る。

図２は、導光板２０２内に配設された光源１００を含むライトアセンブリ２００の概略図である。様々な実施例において、導光板２０２は、表面反射のために補正された約９５％を超える透過率、約１．４を超える屈折率、及び約１０未満のヘイズパーセントを有する任意の材料から形成することができる一方で、導光板２０２内に配設された光源１００を用いて、更に経時的にこれらの特性を維持することができる。ある実施例では、導光板２０２は、本明細書に開示されるように、実質的に又は完全にオルガノシロキサンブロックコポリマーから形成される。

図示されるように、導光板２０２は、窪部又は空洞２０４を含み、該空洞内に光源１００が固定される又は固定され得る。空洞２０４は、導光板２０２を不規則な三次元形状にすることができる。光源１００の電気接点２０６は、導光板２０２の近位端２０８から外側に延在する。図示されるように、導光板２０２中に固定された光源１００を用いて、光源１００から発光された光２１０は、完全に又は本質的に完全に内部反射され、光源１００の遠位端２１２に透過される。

図示されるように、保護部材１１２は、導光板２０２と物理的に接触しているが、導光板２０２から物理的及び機械的に区別されたままである。あるいは、間隙は、保護部材１１２と導光板２０２との間に配設され得るが、光源１００が窪部２０４内に少なくとも部分的に依然として存在し得る。保護部材１１２は、導光板２０２の製造を考慮せずに、光源１００の一部として製造され得る。様々な実施例において、保護部材１１２間の機械的な区別は、ライトアセンブリ２００を分解して観察され得、ここでは、保護部材１１２は、光源１００に関連付けられたままであり得、一方で導光板２０２は、光源１００から分離され得る。様々な実施例において、保護部材１１２及び導光板２０２は、本明細書に開示されるオルガノシロキサンブロックコポリマーからなる。

代替的な実施例において、光源１００は、保護部材１１２を含まなくてもよい。このような実施例において、発光部１１０は、導光板２０２に対して配設され得る。このような実施例において、導光板２０２は、保護部材１１０に期待され得るものと同程度の保護を環境条件に対して提供しなくてもよい。更に、ライトアセンブリ２００の分解により、発光部１１０から導光板２０２を機械的に分離し得る。

任意に、導光板２０２は、第１の領域２１４と第２の領域２１６との間に屈折率の勾配を含む。様々な実施例において、屈折率の勾配は、本明細書に詳細に開示される方法によって生成され得る。勾配は、領域２１４、２１６の間で連続的であり得、領域２１４、２１６、又はこれらの組み合わせの間の点で急激であり得る。

図３は、導光板３００の透視図である。図示されるように、導光板３００は、近位端３０２に円形断面、遠位端３０４に矩形輪郭を有し、その結果、不規則な三次元形状をもたらす。図示されるように、導光板３００は、円形断面を有する第１の領域３０６、矩形断面を有する第２の領域３０８、及び遷移領域３１０を含み、該遷移領域において、円形断面が徐々に遷移領域３１０の長さにわたって矩形断面になる。様々な実施例において、導光板３００は、第１及び第２の領域３０６、３０８を有さず、代わりに、徐々に近位端３０２から遠位端３０４になる。

導光板３００は、押出し成形、鋳造などを含むいくつかのプロセスのうちのいずれかに従って形成され得る。導光板３００は、窪部又は空洞３１２を含み、該空洞の中に光源１００（図示せず）などの光源が固定され得る。図４は、実質的に滑らかで平坦な表面４０４を有する近位端４０２を含む導光板４００の概略図である。図示されるように、導光板４００は、当該技術分野で既知の光源のための別の材料が光源４０６から吸収された熱を低減し得るように、光源４０６にごく接近して存在する。ある実施例では、光源４０６は、レーザなどの干渉性光源であり、表面４０４内に光を実質的に直接導き、光は、導光板４００内で実質的に又は完全に内部反射される。このような実施例において、必ずしも干渉性光源４０６のみに限定されないが、導光板４００は、光源４０６が導光板４００からある程度離れて位置付けられているにも関わらず、光源４０６からの光を効率的に透過し得る。

図５は、滑らかな凹面端５０２を含む導光板５００の概略図である。図示されるように、光源５０４は、窪部又は空洞５０２内に位置付けられるが、導光板５００から空間的に分離され、物理的に接触しない。図示した実施例では、光源５０４は、非干渉性光源であり、多方向に光を発光する。図示した実施例では、光源５０４から発光された光は、導光板５００によって実質的に捕捉されるが、完全には捕捉されない。

図６は、凹面端６０２を含む導光板６００の概略図である。様々な実施例において、凹面端６０２は、平坦な表面を有する光源と比較して、光源６０４からの流束結合及び光捕捉を向上させるように構成され得る。図示されるように、光源６０４は、電気的及び機械的に基板６０６に結合されている。図示されるように、光源６０４は、導光板６００と物理的に接触しない。

図７は、光源７０４の上に位置付けられた、滑らかで平坦な入口端７０２を含む、導光板７００の概略図である。図示されるように、光源は、光源７０４を確保し、かつ少なくとも部分的に環境条件から単離を提供するように構成される保護部材などの発光アセンブリ７０６内に位置付けられる。図示のような光源７０４は、ＬＥＤなどの複数の発光素子７０８を含む。

図８は、導光板８００の概略図である。導光板８００は、導光板３００と類似する又は同一であり得、かつ拡散出口端８０２を更に含み、その結果、導光板８００の端部８０２から発光された光の散乱をもたらす。図示されるように、光源８０４は、導光板８００内の窪部又は空洞８０６内に配設される。

図９は、９０度の屈曲などの屈曲９０２が組み込まれる導光板９００の概略図である。９０度の屈曲９０２が図示されている一方で、導光板９００は、任意の様々な屈曲角度で形成され得ることが理解されるべきである。図示されるように、光源９０４は、導光板内の窪部又は空洞９０６内に固定され、導光板９００は、拡散出口端９０８を含む。

図示されるように、曲げ半径は、導光板９００の直径９１０の２倍以上である。導光板が円形輪郭を含まない実施例では、導光板の厚さの２倍以上の曲げ半径を有し得る。図示されるように、この構成は、導光板の直径の２倍未満の曲げ半径よりも比較的少ない光損失を引き起こし得る。しかしながら、導光板の直径９１０又は厚さの２倍未満の曲げ半径を有する導光板が、ある実施例において、肯定的に利用されることが理解されるべきである。

図１０は、４５度の角柱反射体１００２を含む導光板１０００の概略図である。角柱反射体１００２は、比較的鋭い内部反射、及び導光板１０００内の光の方向転換を引き起こし得る。光源１００４は、導光板１０００の近位端１００６と接触して位置付けられる。遠位端１００８は、拡散出口を含む。

図１１Ａは、発光表面１１０４の光を概ね反射する平面的な表面１１０２を実質的に含む、楔形に湾曲した導光板１１００の概略図である。様々な実施例において、平面的な表面１１０２は、発光される光の略均一な分布を提供する。図示されるように、導光板１１００は、光源１１０８を固定するように構成された窪部又は空洞１１０６を含む。

図１１Ｂは、発光表面１１１４の光を概ね反射する実質的に湾曲した表面１１１２を含む楔形に湾曲した導光板１１１０の概略図である。図示されるように、湾曲した表面１１１２は、発光された光の略対数分布を提供する。図示されるように、導光板１１１０は、光源１１１８を固定するように構成された窪部又は空洞１１１６を含む。図１２は、半透過反射型液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の斜視図１２００である。図示されるように、液晶ディスプレイ１２００は、画面１２０４の背面照明に楔形に湾曲した導光板１２０２を利用する。図示されるように、導光板１２０２は、複数の光源１２０６を固定する窪部を全く含まない。実質的に平面的な表面１２０８は、発光画面１２０４からの光を反射するように構成される。

図１３は、直角平面の楔形導光板１３００の斜視図である。導光板１３００は、２つの反射面１３０２、１３０４、及び拡散面１３０６を利用して、光源１３０８からの光の発光に実質的に平行に拡散光を導く。

図１４は、直角平面の楔形導光板１３００の側面図である。

図１５は、直角平面の導光板１５０２内に配設された光源１５００の概略図である。導光板１５０２は、光源１５００を固定するように構成された窪部又は空洞１５０４を含み得る。

図１６Ａ〜１６Ｃは、３つの独立した光源１６０２の上に配置された、３つの様々な不規則な形状の導光板１６００Ａ、１６００Ｂ、１６００Ｃの斜視図である。

図１７Ａ及び１７Ｂは、複数の光源１６０２の上に配置された、２つの様々な不規則な形状の導光板１７００Ａ、１７００Ｂの斜視図である。

図１８Ａ及び１８Ｂはそれぞれ、Ｓ字状の矩形導光板１８００の斜視図及び概略図である。図示されるように、導光板１８００は、拡散面１８０２を含む。

図１９は、４つの導光板１９０２の配列１９００の斜視図である。導光板１９０２は、略管状である。導光板１９０２は、支持構造１９０４によって固定される。支持構造１９０４は、導光板１９０２と同じ材料から様々に、又は導光板１９０２を固定するように構成される代替材料によって作製され得る。

図２０は、４つのＳ字状の下位部材２００２の配列２０００の斜視図である。導光板２００２は、導光板２００２と同じ材料から形成された固定部材２００４を含む。図示されるように、配列２０００は、単一構造である。

図２１Ａ及び２１Ｂは、２つの例の導光板２１００Ａ、２１００Ｂを通る光路の概略図であり、各々が中に配設された光源２１０２を含む。図示されるように、導光板２１００Ａ、Ｂはそれぞれ、狭いもの及び広いものであり、拡散面２１０４Ａ、Ｂを含む。図示されるように、広い導光板２１００Ｂは、狭い導光板２１００Ａよりもより広く光を拡散し得る。

図２２Ａ及び２２Ｂは、光源２２０２の上に配設された導光板２２００から現れる広い及び狭い放射パターンの概略図である。

図面は、光源及び導光板の様々な組み合わせを例示することに留意されたい。図示された実施例は、限定的なものではなく、導光板と光源との様々な組み合わせが、例示された実施例の間で形成され得る。本明細書に開示される導光板は、不規則な形状であり得、導光板の形状は、シート、又は他の従来の３次元の形状以外であってもよい。様々な実施例において、本明細書に図示されるように、屈曲、湾曲、角柱、楔形、支持構造、変異断面、及び／又は窪部若しくは空洞を有する導光板は、当該技術分野で既知の他の不規則な形状のうちの不規則な三次元形状を有すると理解され得る。

上に例示したように、光源からの流束は、比較的最小限の吸収損失を伴って、光の捕捉を可能にする（すなわち、光が導光板に入光することを可能にする）ように導光板の入口端に結合され得、その後、この光は、当該技術分野で既知の導光板と比較して効果的に透過され、利用され得る。最も典型的には、光源が、導光板の近傍に配設される、又は導光板内に配設されるとき、流束結合及び捕捉が比較的効果的であり得る。様々な実施例において、光源が導光板からより遠くに配設されるほど、流束の結合は効果的でなくなる。

図示されるように、様々な実施例において、光源からの放射パターンが、導光板の受け入れ角度パターンと一致したとき、光源は、導光板の外部に配設され、かつ有効な流束の結合と光の捕捉が発生し得る。図１Ｂに関して図示されるように、レンズはまた、光源から導光板の入口端に流束を集光させるように流束の結合のために使用され得る。様々な実施例に図示されるように、光源は導光板内に配設され得る。流束の捕捉は、完全に若しくはほぼ完全にフレネル損失の排除又は最小化によるものであり得るが、部分的には、様々な導光板の材料が原因である。

様々な図示された実施例では、導光板は、光源からの光の進行方向と平行な１つ以上の側面を有する。１つ以上の側面は、完全に又は実質的に完全に内部反射に影響を与えるように、滑らか又は実質的に滑らかであり得る。導光板の１つ以上の側面は、塗料又は他のコーティングを含み、内部反射を増加させるように、及び、そうでなければこのような光線が導光板を抜出することを可能にし得る臨界角未満の斜めの光線を反射し得る。

図示されるように、導光板は、１つ以上の入口端（例えば、近位端）、及び１つ以上の出口端（例えば、遠位端）を有し得、光源からの光は、それぞれ入光及び出光する。導光板の１つ以上の入口及び／又は出口端は、滑らかである、輪郭付けされている、又はそうでなければ、様々な光源からの光捕捉を促進するように形成され得、反射及び散乱を最小化し得る方法で光線が導光板に入光すること、及び所望に応じて導光板を出光することを可能にする。導光板の出口端は、様々に、滑らかである、輪郭付けされている、又は拡散されたものであり得る。拡散出口端は、光線が抜出することができる高い確率を提供するように、同様に、広い放射パターンを引き起こす光線の散乱を促進するように、表面を横切るランダムな臨界角を有し得る。

図示されるように、導光板は、屈曲又は湾曲していてもよい。ある実施例では、曲げ半径は、導光板の２枚分の厚さ又は直径の２倍以上である。このような構成は、導光板の直径の２倍未満である曲げ半径よりも比較的少ない光損失を引き起こし得る。光線反射は、ほとんど又は全く損失を伴わず、曲げ半径の滑らかな輪郭に従い得る。図示されるように、鋭い直角方向の変更は、図１０に図示するように、反射角柱設計を使用することによって達成され得る。

本明細書に開示される様々な導光板は、様々なプロセスに従って形成され得る。ある実施例では、導光板は、本明細書で詳細に開示されるオルガノシロキサンブロックコポリマーから溶融処理される。オルガノシロキサンブロックコポリマーは、ペレット、スフェロイド、リボン、シート、立方体、粉末（例えば、約５〜約５００μｍ、約１０〜約１００μｍ、約１０〜約５０μｍ、約３０〜約１００μｍ、約５０〜約１００μｍ、約５０〜約２５０μｍ、約１００〜約５００μｍ、約１５０〜約３００μｍ、又は約２５０〜約５００μｍの平均粒径を有する粉末を含む、５００μｍ以下の平均粒径を有する粉末）、フレーク、タブレットなどを含む多様な開始時の形態から溶融され得る。導光板は、エッチングされる、又はそうでなければ、導光板自体の材料内に含まれるという特徴を持つ。様々な実施例では、インデント及び拡散面は、エッチングプロセスによって形成され得る。

どのように導光板が形成され得るかを示す別の例は、オルガノシロキサンブロックコポリマーのフィルムの形成によるものである。このようなフィルムは、有機溶媒中でオルガノシロキサンブロックコポリマーの溶液から鋳造され、溶媒が蒸発することを可能にし得る。このようなフィルムは、例えば、約２０マイクロメートル〜約２ｍｍ、約３０マイクロメートル〜約１ｍｍ、又は約４０マイクロメートル〜約８００マイクロメートルの厚さの範囲を有し得る。このフィルムは、溶媒を除去し、固体形態（例えば、フィルム）を生成する任意の方法で調製することができる。例えば、フィルムは、スロットダイコーティング、グラビアコーティング、ロールツーロール加工技術等を用いて形成することができる。そのようなロールツーロール技術（熱エンボス）はまた、導光板上の光抽出機能を形成するために使用することができる。このような光抽出機能を導光板の上に印刷する、スクライブするといったことなどもできる。

オルガノシロキサンブロックコポリマー
導光板は、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、いくつかの実施形態では、用語「導光板」及び「オルガノシロキサンブロックコポリマー」は、互に同義的に使用され得る。オルガノシロキサンブロックコポリマーは、固体組成物として説明され得る。固体組成物は、２つのガラス転移温度（Ｔ_ｇ）、軟質ブロック成分と関連付けられているもの、及び硬質ブロック成分と関連付けられているものを有し得る。本明細書で使用される場合、Ｔ_ｇは、較差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて評価され得る。例えば、ＴＡインスツルメンツＱ２０００（ＤＳＣ）を用いて、ガラス転移（Ｔ_ｇ）を測定し得る。いくつかの実施例では、１０ｍｇの試料が、パージガス（２５ｍＬ／分）として、ヘリウムを用いて２０℃／分で加熱される。Ｔ_ｇは、半分外挿した接線でステップ中点を用いて算出され得る。いくつかの実施例では、固体組成物の２つのガラス転移温度のうちの高い方は、−３０〜２００、０〜１３０、２５〜１５０、又は４０〜１２０℃である。２つのガラス転移温度のうちのこの高い方を超える温度で、固体組成物は軟化して、流動し得る。様々な実施形態では、固体組成物の２つのガラス転移温度のうちの低いものは、−１３０℃〜２５℃、−１３０℃〜０℃、又は−１３０℃〜−１０℃である。

オルガノシロキサンブロックコポリマーに戻って参照すると、このコポリマーはまた、「樹脂−直鎖状」オルガノシロキサンブロックコポリマーとして説明され得る。

いくつかの実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍ_ｗ）、あるいは少なくとも４０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは少なくとも５０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは少なくとも６０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは少なくとも７０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、又はあるいは少なくとも８０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有する。いくつかの実施形態では、本明細書に記載のオルガノシロキサンブロックコポリマーは、約２０，０００ｇ／モル〜約２５０，０００ｇ／モル又は約１００，０００ｇ／モル〜約２５０，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍ_ｗ）、あるいは約４０，０００ｇ／モル〜約１００，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは約５０，０００ｇ／モル〜約１００，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは約５０，０００ｇ／モル〜約８０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは約５０，０００ｇ／モル〜約７０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは約５０，０００ｇ／モル〜約６０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有する。他の実施形態では、本明細書に記載のオルガノシロキサンブロックコポリマーの重量平均分子量は、４０，０００〜１００，０００、５０，０００〜９０，０００、６０，０００〜８０，０００、６０，０００〜７０，０００、１００，０００〜５００，０００、１５０，０００〜４５０，０００、２００，０００〜４００，０００、２５０，０００〜３５０，０００、又は２５０，０００〜３００，０００ｇ／モルである。更に他の実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、４０，０００〜６０，０００、４５，０００〜５５，０００、又は約５０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有する。重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を用いて判定され得る。

いくつかの実施形態では、導光板（及び、例えば、オルガノシロキサンブロックコポリマー）は、ＡＳＴＭ Ｅ−９０３−９６又はＡＳＴＭ Ｄ１００３の修正版を使用して判定されるとき、表面反射のために補正された９０、９０．５、９１、９１．５、９２、９２．５、９３、９．５、９４、９４．５、９５、９５．５、９６、９６．５、９７、９７．５、９８、９８．５、９９、又は９９．５パーセントを超える透過率を有し、これはＣＩＥ Ｃ級の光源を使用してどのように光の透過率を測定するかを指定する。修正版では、Ｃ級の光源は、広帯域の紫外−可視−近赤外光源、及び積分球分光光度計の一部としてのモノクロメータと置換される。積分球分光光度計の例は、２００〜１７００ナノメートルの測定範囲を有するＶａｒｉａｎ Ｃａｒｙ ５０００である。修正版では、透過率の測定値は、以下の手順によって、反射損失のために補正される。

直接及び拡散透過を含む全透過率Ｔ_ｔの測定値、分光及び拡散透過を含む全反射Ｒ_ｔを使用して、Ａ＝１−Ｔ_ｔ−Ｒ_ｔによって吸収Ａを算出する。試料を通る単一経路のために、補正された反射Ｒ_ｃは、この式を用いて算出される。

次いで、補正された透過率Ｔ_ｃは、次の式を用いて算出される

導光板はまた、ＡＳＴＭ Ｄ５４２を使用して判定される際、１．４、１．４４、１．５を超える、又は１．５５を超える屈折率を有する。いくつかの実施形態では、２．５を超える屈折率を有する。他の実施形態では、固体組成物は、約１．４〜約２．５、例えば、約１．５〜約２．５、約１．７〜約２．４、約１．４〜約１．７、又は約１．９〜約２．３の屈折率を有する。屈折率は、６３２．８ｎｍでヘリウム・ネオンレーザー源を用いて、Ｍｅｔｒｉｃｏｎ ２０１０プリズム結合器を用いて判定され得、「バルク指数」モードで動作する。導光板はまた、ＡＳＴＭ Ｄ１００３を使用して判定される際、１０、９、８、７、６、５、４、３、２、又は１未満の散乱度を表すヘイズパーセントを呈し得る。導光板はまた、約０．５〜約５０、約１〜約１０の破断点引張強度（ＭＰａ）を呈し得る。上述の値は、導光板の加熱老化（例えば、２２５℃で約１０００時間）前及び／又は後に、非限定的な様々な実施形態に適用することができる。

導光板はまた、１．０ＭＰａを超える、あるいは１．５ＭＰａを超える、あるいは２Ｍｐａを超える、あるいは１０Ｍｐａを超える、あるいは２０Ｍｐを超える、あるいは３０ＭＰａを超える、又はあるいは４０ＭＰａを超える初期の破断点引張強度を有し得る。いくつかの実施形態では、固体組成物は、１．０ＭＰａ〜約５０ＭＰａ、例えば、約１．５ＭＰａ〜約１０ＭＰａ、約２ＭＰａ〜約１０ＭＰａ、約５ＭＰａ〜約１０Ｍｐａ、約７ＭＰａ〜約１０Ｍｐａ、約１０ＭＰａ〜約５０ＭＰａ、又は約２５ＭＰａ〜約５０ＭＰａの初期引張強度を有し得る。いくつかの実施形態では、固体組成物は、４０％を超える、あるいは５０％を超える、あるいは７５％を超える破断（又は破裂）伸度（％）を有し得る。いくつかの実施形態では、固体組成物は、約２０％〜約９０％、例えば、約２５％〜約５０％、約２０％〜約６０％、約４０％〜約６０％、約４０％〜約５０％、又は約７５％〜約９０％の破断（又は破裂）伸度（％）を有し得る。本明細書で使用するとき、引張強度及び破断伸度はＡＳＴＭ Ｄ４１２により測定される。

導光板は、加熱老化時に、引張強度及び破断伸度（％）などのある物理的性質を保持し得る。一実施形態では、導光板の引張強度は、例えば、２２５℃で約１０００時間にわたって加熱老化したとき、初期値の２０％以内、あるいは１０％以内、又はあるいは５％以内に留まる。いくつかの実施形態では、導光板の引張強度は、例えば、２２５℃で約１０００時間にわたって加熱老化したとき、初期値の約２０％〜約１％以内、例えば、初期値の約１０％〜約１％、約１０％〜約５％、又は約５％〜約１％に留まる。いくつかの実施形態では、加熱老化は、高温で長時間にわたり（例えば、約１５０〜３００℃、約５０〜約１０，０００時間）、空気循環炉内で試料を加熱することにより行われ得る。いくつかの実施形態では、導光板の引張強度は、例えば、２２５℃で約１０００時間の加熱老化時に、約１％以内に留まる、又は元の値と同じままである。他の実施形態では、破断伸度（％）は、２００℃で１０００時間の熱老化時に、少なくとも１０％、あるいは５０％、又はあるいは７５％である。他の実施形態では、破断伸度（％）は、２００℃で１０００時間の熱老化時に、約１０％〜約９０％、例えば、約１０％〜約５０％、約２５％〜約６０％、約４０％〜約６０％、又は〜約５０％〜約７５％である。

一実施形態では、導光板は、「溶融加工可能」として説明され得る。本実施形態では、導光板は、例えば、Ｔ_ｇを超える「溶融」又は「加熱」のように、高温で流体挙動を呈し得る。溶融流動温度は、市販の装置を使用して、貯蔵弾性率（Ｇ’）、損失弾性率（Ｇ’’）、及び貯蔵温度の関数としてのタンデルタ（ｔａｎ δ）を測定することにより判定され得る。例えば、貯蔵弾性率（Ｇ’）、損失弾性率（Ｇ’’）、及び温度の関数としてのタンデルタを測定するためには、市販のレオメーター（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓの、２ＫＳＴＤ標準屈曲旋回軸スプリング変換器を備えるＡＲＥＳ−ＲＤＡなどと、強制対流炉）が使用され得る。試験標本（例えば、８ｍｍ幅、１ｍｍ厚さ）は平行なプレートの間に装填することができ、２５℃〜３００℃の範囲で２℃／分にて温度を徐々に上げながら小さなひずみの振動レオロジーを使用して測定され得る（振動数１Ｈｚ）。流動開始は、Ｇ’降下（例えば、「流動」）に入る変曲温度として計算され得、１２０℃での粘度が溶融加工性についての尺度として報告され、硬化開始はＧ’上昇（例えば、「硬化」）に入る開始温度として計算される。いくつかの実施形態では、導光板の「流動」はまた、導光板中の非直鎖状区域（すなわち、樹脂成分）のガラス転移温度と相関する。あるいは、導光板の「溶融加工性」、硬化の程度、及び／又は硬化速度は、様々な温度下でのレオロジー測定値により判定され得る。更なる実施形態では、導光板は、２５℃〜２００℃、あるいは２５℃〜１６０℃、あるいは５０℃〜１６０℃の範囲の溶融流動温度を有し得る。

様々な実施形態では、導光板は、２５℃で０．０１ＭＰａ〜５００ＭＰａの貯蔵弾性率（Ｇ’）及び０．００１ＭＰａ〜２５０ＭＰａの損失弾性率（Ｇ’’）、あるいは２５℃で０．１ＭＰａ〜２５０ＭＰａの貯蔵弾性率（Ｇ’）及び０．０１ＭＰａ〜１２５ＭＰａの損失弾性率（Ｇ’’）、あるいは２５℃で０．１ＭＰａ〜２００ＭＰａの貯蔵弾性率（Ｇ’）及び０．０１ＭＰａ〜１００ＭＰａの損失弾性率（Ｇ’’）を有する。他の実施形態では、導光板は、１２０℃で１０Ｐａ〜５００，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）及び１０Ｐａ〜５００，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）、あるいは１２０℃で２０Ｐａ〜２５０，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）及び２０Ｐａ〜２５０，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）、あるいは１２０℃で３０Ｐａ〜２００，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）及び３０Ｐａ〜２００，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）を有する。更に他の実施形態では、導光板は、２００℃で１０Ｐａ〜１００，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）及び５Ｐａ〜８０，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）、あるいは２００℃で２０Ｐａ〜７５，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）及び１０Ｐａ〜６５，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）、あるいは２００℃で３０Ｐａ〜５０，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）及び１５Ｐａ〜４０，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）を有する。溶融加工可能であることにより、例えば、初期コーティングの後、又はオルガノシロキサンブロックコポリマーがデバイス上に配設された後、様々なデバイス構造の周囲のオルガノシロキサンブロックコポリマー／導光板の再流動を可能にし得る。この特性は、様々な封入された電子デバイスに有益であり得る。

いくつかの実施形態では、導光板のタンデルタ＝１に達する時間は、１５０℃で約３〜約５時間、例えば、１５０℃で約３〜約５分、１５０℃で約１０〜約１５分、１５０℃で約１０〜約１２分、１５０℃で約８〜約１０分、１５０℃で約３０分〜約２．５時間、１５０℃で約１時間〜約４時間、又は１５０℃で約２．５時間〜約５時間である。他の実施形態では、タンデルタ＝１は、１５０℃で約３〜約６０秒、例えば、１５０℃で約３〜約３０秒、１５０℃で約１０〜約４５秒、１５０℃で約５〜約５０秒、１５０℃で約１０〜約３０秒、又は１５０℃で約３０秒〜約６０秒である。更に他の実施形態では、タンデルタ＝１は、１２０℃で約５〜約１２００秒、例えば、１２０℃で約２０〜約６０秒、１２０℃で約２０〜約６００秒、１２０℃で約６０〜約１２００秒、１２０℃で約５〜約１００秒、１２０℃で約１０〜約６０秒、又は１２０℃で約３０秒〜約６０秒である。

いくつかの実施形態では、導光板は、１２０℃で０．０００１ｍ^２／秒（１００ｃＳｔ）を超える、又は１２０℃で０．００１ｍ^２／秒（１０００ｃＳｔ）を超える、１２０℃で０．００５ｍ^２／秒（５０００ｃＳｔ）を超える、又は１２０℃で０．０１ｍ^２／秒（１０，０００ｃＳｔ）を超える粘度を有し、場合によっては、無限の粘度を有し得る。いくつかの実施形態では、固体組成物は、１２０℃で約０．０００１ｍ^２／秒〜約０．０１ｍ^２／秒（約１００ｃＳｔ〜約１０，０００ｃＳｔ）、例えば、１２０℃で約０．００１ｍ^２／秒〜約０．００５ｍ^２／秒（約１０００ｃＳｔ〜約５０００ｃＳｔ）、１２０℃で約０．０００５ｍ^２／秒〜約０．００２ｍ^２／秒（約５００ｃＳｔ〜約２０００ｃＳｔ）、１２０℃で約０．００２ｍ^２／秒〜約０．００５ｍ^２／秒又は約０．００５ｍ^２／秒〜約０．０１ｍ^２／秒（約２０００ｃＳｔ〜約５０００ｃＳｔ又は約５０００ｃＳｔ〜約１０，０００ｃＳｔ）の粘度を有し得る。

いくつかの実施形態では、導光板は、以下の特性の１つ以上、場合によっては全てを有する：黄変に抵抗する、光吸収損失に抵抗する、増大した靭性を有する、優れた熱安定性を有する、加工において優れた柔軟性を呈する（例えば、Ｂ段階のフィルムは、予備硬化し得るが、硬化後に再流動し得る）、及び／又は場合によって、接着促進剤を必要とせずに多くの種類の表面への接着性を呈する。加えて、本明細書に記載のいくつかの実施形態の導光板は、その機械的特性が操作及びカスタマイズされるときでさえ、その屈折率を維持することができる。更に、ＰＤＭＳ樹脂−直鎖状は、直鎖状及び樹脂ブロックは、異なる屈折率を有する（例えば、ＲＩ Ｍｅ_２−Ｄ＝１．４１及びＲＩ Ｐｈ−Ｔ＝１．５６）場合に、利用され得る。更に、導光板は、フロントガラスなどの上板の屈折率に一致又は類似し得る、（高い）屈折率を有するように調整することができ、これは、効率を増大させる。更に、固体組成物は、いくつかの実施形態では、貯蔵安定性と同時に、優れた溶融流動性を提供する。

例えば、本明細書で説明される実施例のオルガノシロキサンブロックコポリマーは、「樹脂−直鎖状」オルガノシロキサンブロックコポリマーと称され、（Ｒ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｒ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＲＳｉＯ_３／２）、又は（ＳｉＯ_４／２）（式中、Ｒは任意の有機基であり得る）シロキシ単位から独立して選択されるシロキシ単位を含む。これらのシロキシ単位は一般にそれぞれＭ、Ｄ、Ｔ、及びＱ単位と呼ばれる。これらのシロキシ単位は、様々な方法で組み合わされて、環状、直鎖状、又は分枝状構造を形成することができる。結果として得られるポリマー構造の化学的及び物理的性質は、オルガノポリシロキサン中のシロキシ単位の数とタイプによって変化する。例えば、「直鎖状」オルガノポリシロキサンは、主としてＤ、又は（Ｒ_２ＳｉＯ_２／２）シロキシ単位を含有し、その結果、ポリジオルガノシロキサン内のＤ単位の数により示される「重合度」、又は「ＤＰ」に応じ様々な粘度の流体であるポリジオルガノシロキサンが生じる。「直鎖状」オルガノポリシロキサンは、２５℃よりも低いガラス転移温度（Ｔ_ｇ）を有する。「樹脂」オルガノポリシロキサンは、シロキシ単位の大半がＴ又はＱシロキシ単位から選択される場合に生じる。主にＴシロキシ単位を使用してオルガノポリシロキサンを調製する場合には、多くの場合、得られるオルガノシロキサンは、「樹脂」又は「シルセスキオキサン樹脂」と称される。オルガノポリシロキサン内のＴ又はＱシロキシ単位の量が増えると、硬度が増した及び／又はガラスのような特性を有するポリマーを生じ得る。したがって、「樹脂」オルガノポリシロキサンは、より高いＴ_ｇ値を有し、例えば、シロキサン樹脂は、多くの場合、４０℃を超えるＴ_ｇ値、例えば、５０℃を超える、６０℃を超える、７０℃を超える、８０℃を超える、９０℃を超える、又は１００℃を超える値を有する。いくつかの実施形態では、シロキサン樹脂のＴ_ｇは、約６０℃〜約１００℃、例えば、約６０℃〜約８０℃、約５０℃〜約１００℃、約５０℃〜約８０℃、又は約７０℃〜約１００℃である。

本明細書に記載されるように、「オルガノシロキサンブロックコポリマー」又は「樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマー」（これらの用語は、本明細書中で同義的に使用される）は、「樹脂」Ｔシロキシ単位と組み合わせられた「樹脂」Ｄシロキシ単位を含有するオルガノポリシロキサンを指す。いくつかの実施形態では、「ランダム」コポリマーとは反対に、オルガノシロキサンコポリマーは、「ブロック」コポリマーである。同様に、本明細書に記載の「樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマー」は、Ｄ及びＴシロキシ単位を含有するオルガノポリシロキサンを指し、Ｄ単位（つまり、［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］単位）は、いくつかの実施形態では、平均で１０〜４００Ｄ単位（例えば、平均で約１０〜約３５０Ｄ単位、約１０〜約３００Ｄ単位、約１０〜約２００Ｄ単位、約１０〜約１００Ｄ単位、約５０〜約４００Ｄ単位、約１００〜約４００Ｄ単位、約１５０〜約４００Ｄ単位、約２００〜約４００Ｄ単位、約３００〜約４００Ｄ単位、約５０〜約３００Ｄ単位、約１００〜約３００Ｄ単位、約１５０〜約３００Ｄ単位、約２００〜約３００Ｄ単位、約１００〜約１５０Ｄ単位、約１１５〜約１２５Ｄ単位、約９０〜約１７０Ｄ単位、又は約１１０〜約１４０Ｄ単位）を有するポリマー鎖を形成するように、主に共に結合され、これは、本明細書で「直鎖状ブロック」と称される。

Ｔ単位（すなわち、［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］）は、主に互いに結合して、分枝状高分子鎖を形成し、これは「非直鎖状ブロック」と称される。いくつかの実施形態では、ブロックコポリマーの固体形態が提供されるとき、かなりの数のこれらの非直鎖状ブロックは、更に凝集して、「ナノドメイン」を形成する。いくつかの実施形態では、これらのナノドメインは、樹脂に富む相を形成するように、Ｄ単位を有する直鎖状ブロックから形成された相から分離した相を形成する。いくつかの実施形態では、ジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］は、直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００ジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］（例えば、平均で約１０〜約４００のＤ単位、約１０〜約３００のＤ単位、約１０〜約２００のＤ単位、約１０〜約１００のＤ単位、約５０〜約４００のＤ単位、約１００〜約４００のＤ単位、約１５０〜約４００のＤ単位、約２００〜約４００のＤ単位、約３００〜約４００のＤ単位、約５０〜約３００のＤ単位、約１００〜約３００のＤ単位、約１５０〜約３００のＤ単位、約２００〜約３００のＤ単位、約１００〜約１５０のＤ単位、約１１５〜約１２５のＤ単位、約９０〜約１７０のＤ単位、又は約１１０〜約１４０のＤ単位）を有する直鎖状ブロック中に配置され、トリシロキシ単位［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］は、少なくとも５００ｇ／モルの分子量を有する非直鎖状ブロック中に配置され、少なくとも３０％の非直鎖状ブロックは、互いに架橋される。

本開示のオルガノシロキサンブロックコポリマーは、
（Ａ）各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位と、
（Ｂ）各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位と、
（Ｃ）０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］とを含む。

いくつかの実施形態では、本明細書に記載のオルガノシロキサンブロックコポリマー内の非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が互いに架橋される、例えば、非直鎖状ブロックの少なくとも４０％が互いに架橋される、非直鎖状ブロックの少なくとも５０％が互いに架橋される、非直鎖状ブロックの少なくとも６０％が互いに架橋される、非直鎖状ブロックの少なくとも７０％が互いに架橋される、又は非直鎖状ブロックの少なくとも８０％が互いに架橋される。他の実施形態では、約３０％〜約８０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約３０％〜約７０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約３０％〜約６０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約３０％〜約５０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約３０％〜約４０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約４０％〜約８０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約４０％〜約７０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約４０％〜約６０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約４０％〜約５０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約５０％〜約８０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約５０％〜約７０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約５５％〜約７０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約５０％〜約６０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、約６０％〜約８０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される、又は約６０％〜約７０％の非直鎖状ブロックが互いに架橋される。

上述の式は、代替的に、［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］_ａ［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］_ｂとして説明され得、式中、添え字ａ、ｂは、オルガノシロキサンブロックコポリマー中のシロキシ単位のモル分率を表す。これらの式において、ａは、０．４〜０．９、あるいは０．５〜０．９、あるいは０．６〜０．９の間で様々であり得る。また、これらの式において、ｂは、０．１〜０．６、あるいは０．１〜０．５、あるいは０．１〜０．４の間で様々であり得る。

上記のジシロキシ単位の式中、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルである。この炭化水素基は独立して、アルキル、アリール、又はアルキルアリール基であり得る。本明細書で使用するとき、ヒドロカルビルはまた、ハロゲン置換ヒドロカルビルを含み、ハロゲンは、塩素、フッ素、臭素、又はそれらの組み合わせであり得る。各Ｒ^１は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０アルキル基であり得、あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立してＣ_１〜Ｃ_１８アルキル基であり得る。あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、又はヘキシルなどのＣ_１〜Ｃ_６アルキル基であり得る。あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立してメチルであり得る。各Ｒ^１は、各発生において、独立して、例えばフェニル、ナフチル、又はアントリル基などのアリール基であり得る。あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、上述のアルキル又はアリール基の任意の組み合わせであり得る。あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、フェニル、メチル、又は両方の組み合わせ（例えば、一方のＲ^１はメチルであり得、他方のＲ^１は、フェニルであり得る）である。

上記のトリシロキシ単位の式中、各Ｒ^２は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルである。本明細書で使用するとき、ヒドロカルビルはまた、ハロゲン置換ヒドロカルビルを含み、該ハロゲンは、塩素、フッ素、臭素、又はそれらの組み合わせであり得る。各Ｒ^２は、各発生において、独立して、フェニル、ナフチル、アンスリル基などのアリール基であり得る。あるいは、各Ｒ^２は、各発生において、独立して、メチル、エチル、プロピル、又はブチルなどのアルキル基であり得る。あるいは、各Ｒ^２は、各発生において、独立して、上述のアルキル又はアリール基の任意の組み合わせであり得る。あるいは、各Ｒ^２は、各発生において、独立して、フェニル又はメチルであり得る。

オルガノシロキサンブロックコポリマーは、オルガノシロキサンブロックコポリマーが、上で説明したモル分率のジシロキシ及びトリシロキシ単位を含む限り、Ｍシロキシ単位、Ｑシロキシ単位、（例えば、Ｒ^１又はＲ^２以外の有機基を有する）他の固有のＤ又はＴシロキシ単位などの追加のシロキシ単位を含んでもよい。換言すれば、添字ａ及びｂにより示されるモル分率の和は、必ずしも合計して１にならなければならないわけではない。ａ＋ｂの和は、オルガノシロキサンブロックコポリマー内に存在し得る量の他のシロキシ単位を考慮した場合に１未満になってもよい。例えばａ＋ｂの和は、０．６を超える、０．７を超える、０．８を超える、０．９を超える、０．９５を超える、又は０．９８若しくは０．９９を超え得る。

一実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーは実質的に、上述の重量百分率で、式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位及び式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位からなるが、０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］をもまた含む（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、本明細書に記載される通りである）。それゆえに、本実施形態では、（モル分率を使用してコポリマー内のジシロキシ及びトリシロキシ単位の量を表す場合の）ａ＋ｂの和は、０．９５を超える、あるいは０．９８を超える。更に、本実施形態では、「から本質的になる」という用語は、オルガノシロキサンブロックコポリマーが、本明細書に記載されていない他のシロキサン単位を含まないことを説明する。

一実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも３０重量パーセントのジシロキシ単位、あるいは少なくとも５０重量パーセント、あるいは少なくとも６０重量パーセント、あるいは少なくとも７０重量パーセントのジシロキシ単位を含む。オルガノシロキサンブロックコポリマー内のジシロキシ及びトリシロキシ単位の量は、ブロックコポリマー内のそれぞれの重量パーセントに従って記載され得る。一実施形態では、ジシロキシ単位は、式［（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_２／２］を有する。更なる実施形態では、ジシロキシ単位は、式［（ＣＨ_３）（Ｃ_６Ｈ_５）ＳｉＯ_２／２］を有する。

いくつかの実施形態では、本明細書に記載のオルガノシロキサンブロックコポリマーは、４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、例えば、５０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、６０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、６５〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、７０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、又は８０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、４０〜８０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、４０〜７０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、４０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、４０〜５０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、５０〜８０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、５０〜７０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、５０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、６０〜８０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、６０〜７０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、又は７０〜８０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位を含む。

いくつかの実施形態では、本明細書に記載のオルガノシロキサンブロックコポリマーは、１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、例えば、１０〜２０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、１０〜３０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、１０〜３５モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、１０〜４０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、１０〜５０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、２０〜３０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、２０〜３５モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、２０〜４０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、２０〜５０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、２０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、３０〜４０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、３０〜５０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、３０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、４０〜５０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、又は４０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位を含む。

式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］_ａ［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］_ｂ、及び本明細書で説明されるような、モル分率を用いた関連する式は、オルガノシロキサンブロックコポリマーにおけるジシロキシ［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］及びトリシロキシ［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］単位の構造的な順序を制限しない。むしろ、これらの式は、添字ａ及びｂを介して上で説明されるモル分率により、オルガノシロキサンブロックコポリマー内の２つの単位の相対量を説明するための非限定的な表記法を提供する。オルガノシロキサンブロックコポリマー内の様々なシロキシ単位のモル分率並びにシラノール含有量は、^２９Ｓｉ ＮＭＲ技術により判定することができる。

シラノール基（≡ＳｉＯＨ）を再度参照すると、オルガノシロキサンブロックコポリマー中に存在するシラノール基の量は、いくつかの実施形態では、０．５〜３５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］、あるいは２〜３２モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］、あるいは８〜２２モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］の間で変化する。シラノール基は、オルガノシロキサンブロックコポリマー内の任意のシロキシ単位中に存在し得る。上記の量は、オルガノシロキサンブロックコポリマー内に見出されるシラノール基の合計量を表す。一実施形態では、シラノール基のモルの大部分は、トリシロキシ単位、すなわち、ブロックコポリマーの樹脂成分に結合される。

いくつかの実施形態では、本明細書に記載のオルガノシロキサンブロックコポリマーは、０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］（例えば、０．５〜５モルパーセント、０．５〜１０モルパーセント、０．５〜１５モルパーセント、０．５〜２０モルパーセント、５〜１０モルパーセント、５〜１５モルパーセント、５〜２０モルパーセント、５〜２５モルパーセント、１０〜１５モルパーセント、１０〜２０モルパーセント、１０〜２５モルパーセント、１５〜２０モルパーセント、１５〜２５モルパーセント、又は２０〜２５モルパーセント）を含む。

オルガノシロキサンブロックコポリマーの樹脂成分上に存在するシラノール基は、オルガノシロキサンブロックコポリマーが、高温で更に反応若しくは硬化、又は架橋することを可能にし得る。非直鎖状ブロックの架橋は、様々な化学的機序及び／又は部分を介して達成され得る。例えば、オルガノシロキサンブロックコポリマー内の非直鎖状ブロックの架橋は、オルガノシロキサンブロックコポリマーの非直鎖状ブロック内に存在する残留シラノール基の縮合から生じ得る。

オルガノシロキサンブロックコポリマー内の非直鎖状ブロックの架橋はまた、「遊離樹脂」成分と非直鎖状ブロックとの間で生じ得る。「遊離樹脂」成分は、オルガノシロキサンブロックコポリマーの調製中に過剰量のオルガノシロキサン樹脂を使用する結果として、オルガノシロキサンブロックコポリマー組成物中に存在し得る。遊離樹脂成分は、非ブロック中及び遊離樹脂成分中に存在する残留シラノール基の縮合により非直鎖状ブロックと架橋し得る。遊離樹脂成分は代替的に、本明細書に記載されるように、架橋剤として利用されるもののような低分子量化合物と反応させることによって架橋をもたらすことができる。遊離樹脂成分は、存在する場合、本明細書に記載の実施形態のオルガノシロキサンブロックコポリマー約１０重量％〜約２０重量％、例えば、本明細書に記載の実施形態のオルガノシロキサンブロックコポリマー約１５重量％〜約２０重量％の量で存在し得る。

あるいは、ある化合物をオルガノシロキサンブロックコポリマーの調製時に添加して、非樹脂ブロックを架橋することができる。これらの架橋化合物は、オルガノシロキサンブロックコポリマーの形成中に利用され得る、式Ｒ^５ _ｑＳｉＸ_４−ｑを有するオルガノシランを含み得る（例えば、本明細書に記載の方法の工程ＩＩを参照されたい）。上述の式において、Ｒ^５は、いくつかの実施形態では、Ｃ_１〜Ｃ_８ヒドロカルビル、又はＣ_１〜Ｃ_８ハロゲン置換ヒドロカルビル、Ｘは、いくつかの実施形態では、加水分解性基、ｑは、０、１、又は２である。Ｒ^５は、あるいは、Ｃ_１〜Ｃ_８ハロゲン置換ヒドロカルビル、Ｃ_１〜Ｃ_８アルキル基、フェニル基、又はメチル基、エチル基、又はメチル基及びエチル基の組み合わせであり得る。Ｘは、任意の加水分解性基、オキシモ、アセトキシ、ハロゲン原子、ヒドロキシル（ＯＨ）、又はアルコキシ基であり得る。一実施形態では、オルガノシランは、アルキルトリアセトキシシラン、例えば、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン又はこれらの組み合わせである。市販の代表的なアルキルトリアセトキシシランとしては、ＥＴＳ−９００（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐ．（Ｍｉｄｌａｎｄ，ＭＩ））が挙げられる。架橋剤として有用な他の好適な非限定的なオルガノシランとしては、メチル−トリス（メチルエチルケトキシム）シラン（ＭＴＯ）、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラオキシムシラン、ジメチルジアセト、ジメチルジオキシムシラン、メチルトリス（メチルメチルケトオキシム（methylmethylketoxime））シランが挙げられる。いくつかの実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマー内の架橋は、シラノール基の縮合に起因するシロキサン結合≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ≡である。

オルガノシロキサンブロックコポリマー内の架橋の量は、ＧＰＣ技術などでオルガノシロキサンブロックコポリマーの平均分子量を判定することにより、推定され得る。いくつかの実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーを架橋することは、平均分子量を増加させる。したがって、架橋の程度の推定は、オルガノシロキサンブロックコポリマーの平均分子量、直鎖状シロキシ成分の選択（すなわち、その重合度により示されるような鎖長）、及び非直鎖状ブロックの分子量（オルガノシロキサンブロックコポリマーを調製するために使用されるオルガノシロキサン樹脂の選択により主に制御され得る）を考慮して行われ得る。

オルガノシロキサンブロックコポリマーは、例えば、有機溶媒溶液中のオルガノシロキサンブロックコポリマーのフィルムを鋳造し、溶媒を蒸発させることにより、固体形態で単離され得る。この固体形態は、導光板として説明され得る。様々な実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーの溶液から単離された固体形態は、例えば、約２０マイクロメートル〜約２ｍｍ、３０マイクロメートル〜約１ｍｍ、又は約４０マイクロメートル〜約８００マイクロメートルの様々な厚さを有し得る。このフィルムは、溶媒を除去し、固体形態（例えば、フィルム）を生成する任意の方法で調製することができる。例えば、フィルムは、スロットダイコーティング、グラビアコーティング、ロールツーロール加工技術等を用いて形成することができる。あるいは、オルガノシロキサンブロックコポリマーの固体形態は、固体ポリマーを樹脂成分のガラス転移点を超えて加熱すること、及び溶融物中で加工することによって形成することができる。例えば、固体オルガノシロキサンブロックコポリマーを押出機又は三本ロールミルに通すことにより、結果的に、その後、冷却されたステンレスロール、冷却された水のような流体、又は窒素パージのようなガスなどの冷却された表面に転写することができる溶融した塊をもたらし得る。スロットダイコーティングなどの溶液注型成形法又は溶融押出法の両方によって、固体オルガノシロキサンブロックコポリマーは、シリコン処理ＰＥＴ又はフッ素化ライナーなどの剥離ライナーに適用することができる。これらのライナーは、典型的に、滑らかであるが、例えば、反射防止面内に、又は反射防止面として、非平滑化することもできる。また、真空ラミネーションを含む後続の加工工程は、粗化面の適用により利益を得ることができる。このようにして、真空をより容易に排気することができる。また、粗化されたフィルムを配置して、ＬＥＤデバイス／光源上で移動させることができる。

固体を乾燥させる又は形成する際、オルガノシロキサンブロックコポリマーの非直鎖状ブロックは、いくつかの実施形態では、共に凝集して「ナノドメイン」を形成する。本明細書で使用される場合、「主に凝集される」は、オルガノシロキサンブロックコポリマーの非線形ブロックの大部分（例えば、５０％を超える、６０％を超える、７５％を超える、８０％を超える、９０％を超える、約７５％〜約９０％、約８０％〜約９０％、又は約７５％〜約８５％）が、いくつかの実施形態では、「ナノドメイン」として本明細書に記載の固体組成物の特定の領域に見られることを説明する。本明細書で使用される場合、「ナノドメイン」は、相分離して、少なくとも１つの寸法（例えば、１〜１００ナノメートルの長さ、幅、深さ、又は高さ）を有する固体組成物内の相領域について説明する。ナノドメインの形状は様々であり得るが、但し、ナノドメインの少なくとも１つの寸法は１〜１００ナノメートルのサイズである。したがって、ナノドメインは、規則的又は不規則的な形状であり得る。ナノドメインは、球状、管状、場合によっては層状であり得る。

オルガノシロキサンブロックコポリマー（例えば、固体組成物）は、第１の相及び不相溶性の第２の相を含み得、第１の相が、ジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］を主に含み、第２の相が、トリシロキシ単位［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］を主に含み、非直鎖状ブロックは、凝集して第１の相と不相溶性であるナノドメインとなる。

ジシロキシ及びトリシロキシ単位の構造順序、並びにナノドメインの特徴は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）、中性子線小角散乱法、Ｘ線小角散乱法、及び走査型電子顕微鏡法などの分析技術を用いて測定され得る。

あるいは、オルガノシロキサンブロックコポリマー中のジシロキシ及びトリシロキシ単位の構造的な順序、並びにナノドメインの形成は、例えば、オルガノシロキサンブロックコポリマーがコーティングとして使用されるとき、固体組成物のある物理的特性を判定することによって推測され得る。一実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマー及び／又は固体組成物から形成されたコーティングは、９５％を超える可視光の光透過率を有する。可視光が媒質を通過することができ、粒子（又は本明細書中で使用されるドメイン）によって分散され得ない、１５０ナノメートルを超えるサイズを有するとき、このような光学的透明度が可能となる。粒径（ドメイン）が減少すると、光学的透明度が増加し得る。

オルガノシロキサンブロックコポリマーは、直鎖状Ｄ単位のブロック及び非直鎖状Ｔ単位のブロックの凝集にそれぞれ起因する「軟質」及び「硬質」区域に分離する相を含み得る。これらのそれぞれの軟質及び硬質区域は、ガラス転移温度（Ｔ_ｇ）が異なることによって判定又は推測され得る。したがって、直鎖状区域は、「軟質」区域として説明され得る。様々な実施形態では、軟質区域は、低いＴ_ｇ、例えば、２５℃未満、あるいは０℃未満、あるいは更に−２０℃未満を有する。直鎖状区域は、様々な条件下で「流体」のような挙動を維持し得る。反対に、非直鎖状ブロックは、「硬質区域」として説明され得る。様々な実施形態では、硬質区域は、より高い、例えば、３０℃を超える、あるいは４０℃を超える、あるいは更に５０℃を超えるＴ_ｇ値を有する。

様々な実施形態では、樹脂−直鎖状オルガノポリシロキサンブロックコポリマーの利点は、加工温度（Ｔ_加工）が、オルガノシロキサンブロックコポリマーの最終硬化に必要とされる温度（Ｔ_硬化）よりも低く、すなわち、Ｔ_加工＜Ｔ_硬化であるため、それらを複数回加工することができるということである。しかしながら、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、Ｔ_加工がＴ_硬化を上回るとき、硬化して、高温安定性を達成するであろう。したがって、本発明の樹脂−直鎖状オルガノポリシロキサンブロックコポリマーは、疎水性、高温安定性、水分／紫外線耐性などのシリコンに関連し得る利益と共に、「再加工可能」であるという有意な利点を提供する。

一実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、「硬化可能」である。本実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、オルガノシロキサンブロックコポリマーを硬化させることを通じて、更に物理的特性の変化を受け得る。上で説明したように、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、一定量のシラノール基を含む。これらのシラノール基の存在は、更に、反応性、例えば、硬化機構を可能にし得る。硬化時に、オルガノシロキサンブロックコポリマーの物理的特性は、更に変化し得る。

オルガノシロキサンブロックコポリマーを形成するとき、上で説明したオルガノシロキサンブロックコポリマー内のジシロキシ及びトリシロキシ単位の構造順序は、特定の固有の物理的特性特徴を有するオルガノシロキサンコポリマーを提供し得る。例えば、オルガノシロキサンブロックコポリマー内のジシロキシ及びトリシロキシ単位の構造順序は、可視光の高い透過率を可能にし得る。構造順序はまた、オルガノシロキサンブロックコポリマーが、加熱時に流動及び硬化するが、室温では、安定したままであることを可能にし得る。シロキシ単位はまた、ラミネーション技術を用いて加工され得る。これらの特性は、耐候性及び耐久性を改善するために、様々な電子物品にコーティングを提供するのに有用であり得る一方で、低コスト及びエネルギー効率的である容易な手順を提供する。

いくつかの実施形態では、導光板は、本明細書で開示される潜在的な機構を通じて、異なる領域で異なる屈折率を有する。様々な実施例において、結果として得られる屈折率の勾配は、漸進的であってもよく、又は急激な変化を含んでもよい。結果として得られる屈折率は、導光板の各領域での異なる組成物の使用から生じ得る（例えば、１つの領域内に［Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２］直鎖状部分及び［ＰｈＳｉＯ_３／２］樹脂部分を含むオルガノシロキサンブロックコポリマー組成物、並びに異なる領域内に［ＰｈＭｅＳｉＯ_２／２］直鎖状部分及び［ＰｈＳｉＯ_３／２］樹脂部分を含む異なるオルガノシロキサンブロックコポリマー組成物）、各領域での同じ組成物の異なる濃度から生じ得る、各領域内の又は１つの領域から次の領域に移動中の組成物の特定の成分の濃度又はモル量の勾配から生じ得る（例えば、ｄｉｌｓｉｌｏｘｙ単位及びトリシロキシ単位の勾配、ｄｉｌｓｉｌｏｘｙ単位、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配、トリシロキシ単位及びシラノール基の勾配、又はｄｉｌｓｉｌｏｘｙ単位及びシラノール基の勾配が存在するようにする、式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、及び／又は式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、及び／又はシラノール基のこのモルパーセントの勾配）、１つの領域での添加剤又は組成物の合成による副生成物の存在／不在（例えば、本明細書に記載の樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーに組み込まれる直鎖状成分の合成から生じるＰｈＭｅ環状副生成物）及び異なる領域での添加剤又は組成物の合成による副生成物の存在／不在から生じ得る、各領域での組成物中に存在する特定の特性のサイズ又は種類の違いから生じ得る（例えば、第１の領域は、所定のサイズ又はサイズ分布のラメラの特徴を含み得る一方、第２の領域は、所定のサイズ又はサイズ分布の球状の特徴を含み得る）、又は第２の領域中の組成物に対する１つの領域中の組成物間における上述の違いの任意の組み合わせから生じ得る。いくつかの実施形態では、本明細書で使用される場合、用語「領域」又は「複数の領域」は、オルガノシロキサンブロックコポリマーの非直鎖状ブロックの凝集によって形成される「ナノドメイン」を幅広く指し得る。ナノドメインの形態は、規則的又は不規則な形状であり得る。例えば、ナノドメインの形態は、本明細書で提唱されるように、球面形状、円筒形状、管形状、及び、いくつかの例では層形状であり得る。

オルガノシロキサンブロックコポリマーの形成方法
オルガノシロキサンブロックコポリマーは、ｃ）溶媒内のａ）直鎖状オルガノシロキサンと、ｂ）式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］の少なくとも６０モル％のシロキシ単位を含むオルガノシロキサン樹脂とを反応させる工程Ｉ）を含む方法を用いて形成され得る。一実施形態では、直鎖状オルガノシロキサンは、式Ｒ^１ _ｑ（Ｅ）_{（３−ｑ）}ＳｉＯ（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｎＳｉ（Ｅ）_{（３−ｑ）}Ｒ^１ _ｑを有し、式中、各Ｒ^１は、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルであり、ｎは１０〜４００であり、ｑは、０、１、又は２であり、Ｅは、少なくとも１つの炭素原子（例えば、１〜１０の炭素原子、１〜５の炭素原子、１〜４の炭素原子、又は１〜３炭素原子）を含む加水分解性基である。別の実施形態では、各Ｒ^２は、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルである。更に別の実施形態では、工程Ｉで使用されるａ）及びｂ）の量が、オルガノシロキサンブロックコポリマーに４０〜９０モル％のジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］、及び１０〜６０モル％のトリシロキシ単位［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］をもたらすように選択される。また更に別の実施形態では、工程Ｉで添加される直鎖状オルガノシロキサンの少なくとも９５重量％が、オルガノシロキサンブロックコポリマーの中に組み込まれる。

更に別の実施形態では、本方法は、工程Ｉからのオルガノシロキサンブロックコポリマーを反応させる、例えば、オルガノシロキサンブロックコポリマーのトリシロキシ単位を架橋する、及び／又はオルガノシロキサンブロックコポリマーの重量平均分子量（Ｍ_ｗ）を少なくとも５０％増加させる工程ＩＩを含む。更なる実施形態は、オルガノシロキサンブロックコポリマーを更に加工して、貯蔵安定性及び／又は光学的透明性を向上する工程、及び／又は有機溶媒を除去する任意の工程を含む。

第１の工程の反応は、概して、以下の概略図に従って表され得る。

オルガノシロキサン樹脂上の様々なＯＨ基（すなわち、ＳｉＯＨ基）は、直鎖状オルガノシロキサン上の加水分解性基（Ｅ）と反応して、オルガノシロキサンブロックコポリマー及びＨ−（Ｅ）化合物を形成し得る。工程Ｉにおける反応は、オルガノシロキサン樹脂と直鎖状オルガノシロキサンとの間の縮合反応として説明され得る。

（ａ）直鎖状オルガノシロキサン：
本発明のプロセスの工程Ｉにおける成分ａ）は、式Ｒ^１ _ｑ（Ｅ）_{（３−ｑ）}ＳｉＯ（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｎＳｉ（Ｅ）_{（３−ｑ）}Ｒ^１ _ｑを有する直鎖状オルガノシロキサンであり、式中、各Ｒ^１は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルであり、添字「ｎ」は直鎖状オルガノシロキサンの重合度（ｄｐ）として見なされ得、かつ１０〜４００の間で様々であり得、添字「ｑ」は０、１又は２であり得、Ｅは少なくとも１個の炭素原子を含有する加水分解性基である。成分ａ）は式Ｒ^１ _ｑ（Ｅ）_{（３−ｑ）}ＳｉＯ（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）_ｎＳｉ（Ｅ）_{（３−ｑ）}Ｒ^１ _ｑを有する直鎖状オルガノシロキサンとして記載されるが、当業者は、Ｔ（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）シロキシ単位などの少量の代替的シロキシ単位が直鎖状オルガノシロキサンの中に組み込まれ得、かつ依然として成分ａ）として使用され得ることを認識している。同様に、オルガノシロキサンは、主としてＤ（Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２）シロキシ単位を有することにより、「主に」直鎖状であるとして見なされ得る。更に、成分ａ）として使用される直鎖状オルガノシロキサンは、複数の直鎖状オルガノシロキサンの組み合わせであり得る。なお更に、成分ａとして使用される直鎖状オルガノシロキサン）は、シラノール基を含み得る。いくつかの実施形態では、成分ａ）として使用される直鎖状オルガノシロキサンは、約０．５〜約５モル％のシラノール基、例えば、約１モル％〜約３モル％、約１モル％〜約２モル％、又は約１モル％〜約１．５モル％のシラノール基を含む。

上記の直鎖状オルガノシロキサンの式中の各Ｒ^１は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルである。この炭化水素基は独立して、アルキル、アリール、又はアルキルアリール基であり得る。本明細書で使用するとき、ヒドロカルビルはまた、ハロゲン置換ヒドロカルビルを含み、ハロゲンは、塩素、フッ素、臭素、又はそれらの組み合わせであり得る。各Ｒ^１は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０アルキル基であり得る、あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_１８アルキル基であり得る。あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、又はヘキシルなどのＣ_１〜Ｃ_６アルキル基であり得る。あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立してメチルであり得る。各Ｒ^１は、各発生において、独立して、例えばフェニル、ナフチル、又はアントリル基などのアリール基であり得る。あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、上述のアルキル又はアリール基の任意の組み合わせであり得る。あるいは、各Ｒ^１は、各発生において、独立して、フェニル、メチル、又は両方の組み合わせ（例えば、一方のＲ^１はメチルであり得、他方のＲ^１はフェニルであり得る）である。

Ｅは、少なくとも１つの炭素原子を含有する任意の加水分解性基から選択され得る。いくつかの実施形態では、Ｅは、オキシモ、エポキシ、カルボキシ、アミノ、アミド基、又はこれらの組み合わせから選択される。あるいは、Ｅは、式Ｒ^１Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｒ^１ _２Ｃ＝Ｎ−Ｏ−、又はＲ^４Ｃ＝Ｎ−Ｏ−を有し得、式中、Ｒ^１は上で定義された通りであり、Ｒ^４は、ヒドロカルビルである。一実施形態では、ＥはＨ_３ＣＣ（＝Ｏ）Ｏ−（アセトキシ）であり、ｑは１である。一実施形態では、Ｅは（ＣＨ_３）（ＣＨ_３ＣＨ_２）Ｃ＝Ｎ−Ｏ−（メチルエチルケトオキシミル（methylethylketoxyimyl））であり、ｑは１である。

一実施形態では、直鎖状オルガノシロキサンは、式
（ＣＨ_３）_ｑ（Ｅ）_{（３−ｑ）}ＳｉＯ［（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_２／２）］_ｎＳｉ（Ｅ）_{（３−ｑ）}（ＣＨ_３）_ｑを有し、式中、Ｅ、ｎ及びｑは上で定義した通りである。

一実施形態では、直鎖状オルガノシロキサンは、式
（ＣＨ_３）_ｑ（Ｅ）_{（３−ｑ）}ＳｉＯ［（ＣＨ_３）（Ｃ_６Ｈ_５）ＳｉＯ_２／２）］_ｎＳｉ（Ｅ）_{（３−ｑ）}（ＣＨ_３）_ｑを有し、式中、Ｅ、ｎ及びｑは上で定義した通りである。

成分ａ）として好適な直鎖状オルガノシロキサンを調製するためのプロセスは、既知である。いくつかの実施形態では、シラノール末端ポリジオルガノシロキサンは、アルキルトリアセトキシシラン（alkyltriacetoxysilane）又はジアルキルケトオキシム（dialkylketoxime）などの「末端ブロック」化合物と反応させられる。末端封鎖反応の化学量は、ポリジオルガノシロキサン上の全てのシラノール基と反応させるのに十分な量の末端封鎖化合物が添加されるように、調整され得る。いくつかの実施形態では、ポリジオルガノシロキサン上のシラノールのモル当たり１モルの末端封鎖化合物が使用される。あるいは、１〜１０％といったわずかにモル過剰の末端封鎖化合物が使用されてもよい。反応は、シラノールポリジオルガノシロキサンの縮合反応を最小化する無水条件下で行われる。いくつかの実施形態では、シラノール末端ポリジオルガノシロキサン及び末端封鎖化合物を、無水条件下で有機溶媒中に溶解させ、室温又は高温（例えば、最高で溶媒の沸点）で反応させる。

（ｂ）オルガノシロキサン樹脂：
本発明のプロセスにおける成分ｂ）は、その式中に少なくとも６０モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位を含むオルガノシロキサン樹脂であり、式中、各Ｒ^２は、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルである。本明細書で使用するとき、ヒドロカルビルはまた、ハロゲン置換ヒドロカルビルを含み、ハロゲンは、塩素、フッ素、臭素、又はそれらの組み合わせであり得る。各Ｒ^２は、各発生において、独立して、フェニル、ナフチル、アンスリル基などのアリール基であり得る。あるいは、各Ｒ^２は、各発生において、独立して、メチル、エチル、プロピル、又はブチルなどのアルキル基であり得る。あるいは、各Ｒ^２は、各発生において、独立して、上述のアルキル又はアリール基の任意の組み合わせであり得る。あるいは、各Ｒ^２は、各発生において、独立して、フェニル又はメチルであり得る。

オルガノシロキサン樹脂は、任意の量及び組み合わせの他のＭ、Ｄ及びＱシロキシ単位を含有し得るが、但し、オルガノシロキサン樹脂は、少なくとも７０モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位を含有し、あるいはオルガノシロキサン樹脂は、少なくとも８０モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位を含有し、あるいはオルガノシロキサン樹脂は、少なくとも９０モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位を含有し、あるいはオルガノシロキサン樹脂は、少なくとも９５モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位を含有する。いくつかの実施形態では、オルガノシロキサン樹脂は、約７０〜約１００モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位、例えば、約７０〜約９５モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位、約８０〜約９５モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位、又は約９０〜約９５モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位を含む。成分ｂ）として有用なオルガノシロキサン樹脂としては、「シルセスキオキサン」として知られるものが挙げられる。

オルガノシロキサン樹脂の重量平均分子量（Ｍ_ｗ）は、限定されないが、いくつかの実施形態では、１０００〜１０，０００、あるいは１５００〜５０００ｇ／モルに及ぶ。

当業者は、このような多量の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位を含有するオルガノシロキサン樹脂が特定の濃度のＳｉ−ＯＺを本質的に有し、式中、Ｚは、水素（すなわち、シラノール）、アルキル基（したがって、ＯＺはアルコキシ基である）であり得、あるいはＯＺはまた、上で説明するようないずれかの「Ｅ」加水分解性基であり得ることを認識している。オルガノシロキサン樹脂上に存在する全てのシロキシ基のモル百分率によるＳｉ−ＯＺ含有量は、^２９Ｓｉ ＮＭＲにより容易に判定され得る。オルガノシロキサン樹脂上に存在するＯＺ基の濃度は、樹脂の調製モード及び後続処理に応じ様々である。いくつかの実施形態では、本発明のプロセスにおける使用に好適なオルガノシロキサン樹脂のシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）含有量は、少なくとも５モル％、あるいは少なくとも１０モル％、あるいは２５モル％、あるいは４０モル％、あるいは５０モル％のシラノール含有量を有する。他の実施形態では、シラノール含有量は、約５モル％〜約６０モル％、例えば、約１０モル％〜約６０モル％、約２５モル％〜約６０モル％、約４０モル％〜約６０モル％、約２５モル％〜約４０モル％、又は約２５モル％〜約５０モル％である。

少なくとも６０モル％の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位を含有するオルガノシロキサン樹脂及びこれらの調製方法は、当該技術分野において既知である。それらは、いくつかの実施形態では、有機溶媒中のハロゲン又はアルコキシ基などの、シリコン原子上の３つの加水分解性基を有するオルガノシランを加水分解することにより調製される。シルセスキオキサン樹脂を調製するための代表的な例は、米国特許第５，０７５，１０３号に見出され得る。更に、多くのオルガノシロキサン樹脂は市販されており、固体（フレーク又は粉末）か又は有機溶媒溶液のいずれかとして販売されている。成分ｂ）として有用な、好適な非限定的な市販のオルガノシロキサン樹脂としては、Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）２１７フレーク樹脂、２３３フレーク、２２０フレーク、２４９フレーク、２５５フレーク、Ｚ−６０１８フレーク（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｍｉｄｌａｎｄ，ＭＩ））が挙げられる。

当業者は更に、このような多量の［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］シロキシ単位及びシラノール含有量を含有するオルガノシロキサン樹脂はまた、特に高湿度条件下で、水分子を保持し得ることを認識している。したがって、工程Ｉにおける反応に先立ってオルガノシロキサン樹脂を「乾燥」させることにより、樹脂上に存在する過剰な水を除去することが、多くの場合、有益である。これは、オルガノシロキサン樹脂を有機溶媒中に溶解させ、加熱して還流させ、分離技術（例えば、Ｄｅａｎ Ｓｔａｒｋトラップ又は同等のプロセス）により水を除去することによって達成され得る。

工程Ｉの反応で使用されるａ）及びｂ）の量は、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーに４０〜９０モル％のジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］及び１０〜６０モル％のトリシロキシ単位［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］をもたらすように選択される。成分ａ）及びｂ）内に存在するジシロキシ及びトリシロキシ単位のモル％は、^２９Ｓｉ ＮＭＲ技術を使用して、容易に判定され得る。次に、開始時のモル％により、工程Ｉにおいて使用される成分ａ）及びｂ）の質量を決定する。

選択される成分ａ）及びｂ）の量はまた、添加する直鎖状オルガノシロキサンの量に対するオルガノシロキサン樹脂上のシラノール基のモル過剰をもたらし得る。したがって、工程Ｉ）において添加した全ての直鎖状オルガノシロキサンと反応させることができるように、十分な量のオルガノシロキサン樹脂が添加され得る。同様に、モル過剰のオルガノシロキサン樹脂が使用される。使用する量は、直鎖状オルガノシロキサンのモル当たりに使用されるオルガノシロキサン樹脂のモル数を計算することにより決定され得る。

上で論じたように、工程Ｉにおいて達成される反応は、直鎖状オルガノシロキサンの加水分解性基とオルガノシロキサン樹脂上のシラノール基との間の縮合反応である。本明細書に記載のプロセスの工程ＩＩにおいて更に反応させるためには、形成された樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの樹脂成分上に十分な量のシラノール基が残存している必要がある。いくつかの実施形態では、少なくとも１０モル％、あるいは少なくとも２０モル％、又はあるいは少なくとも３０モル％のシラノールが、本明細書に記載のプロセスの工程Ｉで生成された樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーのトリシロキシ単位上に残存し得る。いくつかの実施形態では、約１０モル％〜約６０モル％、例えば、約２０モル％〜約６０モル％、又は約３０モル％〜約６０モル％が、本明細書に記載のプロセスの工程Ｉで生成された樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーのトリシロキシ単位上に残存し得る。

上述の（ａ）直鎖状オルガノシロキサンを（ｂ）オルガノシロキサン樹脂と反応させるための反応条件は限定されない。いくつかの実施形態では、反応条件は、ａ）直鎖状オルガノシロキサンとｂ）オルガノシロキサン樹脂との間の縮合型反応を達成するように、選択される。様々な非限定的な実施形態及び反応条件が、本明細書の実施例において説明される。一部の実施形態では、（ａ）直鎖状オルガノシロキサンと（ｂ）オルガノシロキサン樹脂は、室温にて反応する。他の実施形態では、（ａ）及び（ｂ）は、室温を超え、最高約５０、７５、１００、又は更に最高１５０℃の範囲の温度で反応する。あるいは、（ａ）及び（ｂ）は、溶媒の還流で共に反応し得る。更に他の実施形態では、（ａ）及び（ｂ）を室温より５、１０、又は更に１０℃以上下回る温度で反応させる。更に他の実施形態では（ａ）及び（ｂ）は、１、５、１０、３０、６０、１２０、若しくは１８０分、又は更に長い時間で反応する。いくつかの実施形態では、（ａ）及び（ｂ）は、窒素又は希ガスなどの不活性雰囲気下で反応する。あるいは、（ａ）と（ｂ）は、一部の水蒸気及び／又は酸素を含む雰囲気下で反応し得る。更に、（ａ）及び（ｂ）は、任意のサイズの容器中で、ミキサー、ボルテクサー、攪拌機、ヒーター等を含む任意の装置を使用して反応され得る。他の実施形態では、（ａ）及び（ｂ）は、極性又は非極性であり得る１つ以上の有機溶媒中で反応する。代表的な芳香族溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。有機溶媒中に溶解させるオルガノシロキサン樹脂の量は様々であり得るが、その量は、直鎖状オルガノシロキサンの鎖の延長又はオルガノシロキサン樹脂の早すぎる縮合を最小化するように、選択され得る。

成分ａ）及びｂ）の添加順序は、様々であり得る。いくつかの実施形態では、直鎖状のオルガノシロキサンが、有機溶媒に溶解されたオルガノシロキサン樹脂の溶液に添加される。この添加の順序は、直鎖状オルガノシロキサンの鎖の延長又はオルガノシロキサン樹脂の早すぎる縮合を最小化するが、直鎖状オルガノシロキサン上の加水分解性基とオルガノシロキサン樹脂上のシラノール基との縮合を向上させると考えられている。他の実施形態では、オルガノシロキサン樹脂が、有機溶媒に溶解された直鎖状オルガノシロキサンの溶液に添加される。

工程Ｉにおける反応の進行及び樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの形成は、ＧＰＣ、ＩＲ又は^２９Ｓｉ ＮＭＲなどの様々な分析技術によりモニターされ得る。いくつかの実施形態では、工程Ｉで添加された少なくとも９５重量パーセント（例えば、少なくとも９６％、少なくとも９７％、少なくとも９８％、少なくとも９９％、又は１００％）の直鎖状オルガノシロキサンが、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマー内に組み込まれるまで、工程Ｉの反応が継続することが許容される。

オルガノシロキサンブロックコポリマーを調製するプロセスの工程ＩＩは、工程Ｉから得た樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーを更に反応させて、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーのトリシロキシ単位を架橋させて、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの分子量を少なくとも５０％、あるいは少なくとも６０％、あるいは少なくとも７０％、あるいは少なくとも８０％、あるいは少なくとも９０％、あるいは少なくとも１００％増加させる工程を含む。いくつかの実施形態では、工程ＩＩは、工程Ｉからの樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーを更に反応させ、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーのトリシロキシ単位と架橋して、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの分子量を約５０％〜約１００％、例えば、約６０％〜約１００％、約７０％〜約１００％、約８０％〜約１００ ％、又は約９０％〜約１００％増加させることを含む。

本方法の第２の工程の反応は、概して、以下の概略図に従って表され得る。

工程Ｉにおいて形成された樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーのトリシロキシブロックが、工程ＩＩの反応により架橋され、これがブロックコポリマーの平均分子量を増加させると考えられている。本発明者らはまた、トリシロキシブロックの架橋により、トリシロキシブロックが凝集し濃縮されたブロックコポリマーが生成され、これが最終的にブロックコポリマーの固体組成物内に「ナノドメイン」を生成する助けとなり得ると考えている。換言すれば、このトリシロキシブロックの凝集による濃縮は、ブロックコポリマーがフィルム又は硬化済みコーティングなどの固体形態で単離される場合には、相分離し得る。ブロックコポリマー内のトリシロキシブロックの凝集による濃縮及びその後のブロックコポリマーを含有する固体組成物内での「ナノドメイン」の生成は、これらの組成物の光学的透明度並びにこれらの物質に関連する他の物理的特性の向上をもたらし得る。

工程ＩＩにおける架橋反応は、様々な化学的機序及び／又は部分を介して達成され得る。例えば、ブロックコポリマー内の非直鎖状ブロックの架橋は、コポリマーの非直鎖状ブロック内に存在する残留シラノール基の縮合から生じ得る。ブロックコポリマー内の非直鎖状ブロックの架橋はまた、「遊離樹脂」成分と非直鎖状ブロックとの間で生じ得る。「遊離樹脂」成分は、ブロックコポリマーの調製工程Ｉにおいて過剰量のオルガノシロキサン樹脂を使用する結果として、ブロックコポリマー組成物中に存在し得る。遊離樹脂成分は、非直鎖状ブロック上及び遊離樹脂上に存在する残留シラノール基の縮合により非直鎖状ブロックと架橋し得る。遊離樹脂は、本明細書に記載ように、架橋剤として添加された低分子量化合物と反応することにより、架橋をもたらし得る。

本発明の方法の工程ＩＩは、工程Ｉの樹脂−直鎖状オルガノシロキサンの形成と同時に生じ得る、又は工程ＩＩの反応を達成するように条件を修正した分離反応を伴う。工程ＩＩの反応は、工程Ｉと同じ条件下で生じ得る。この状況において、工程ＩＩの反応は、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーが形成されるにつれて、進行する。あるいは、工程Ｉ）に使用される反応条件は、更に工程ＩＩの反応にも拡大適用される。あるいは、反応条件は変更することができ、又は、工程ＩＩの反応を達成するために追加の成分を添加することができる。

いくつかの実施形態では、工程ＩＩの反応条件は、出発物質である直鎖状オルガノシロキサンにおいて使用される加水分解性基（Ｅ）の選択によって異なり得る。直鎖状オルガノシロキサン内の（Ｅ）がオキシム基である場合、工程ＩＩの反応が工程Ｉと同じ反応条件下で生じる可能性がある。すなわち、直鎖状−樹脂オルガノシロキサンコポリマーが工程Ｉにおいて形成されると、それは、樹脂成分上に存在するシラノール基の縮合を介して継続して反応し、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの分子量を更に増加させる。いかなる理論によっても束縛されることを望むものではないが、（Ｅ）がオキシモ基であるとき、工程Ｉの反応から得られた加水分解されたオキシモ基（例えば、メチルエチルケトオキシム（methyl ethylketoxime））は、工程ＩＩの反応のための縮合触媒として作用し得ると考えられている。同様に、工程ＩＩの反応は、工程Ｉと同じ条件下で同時に進行し得る。換言すれば、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーが工程Ｉにおいて形成されるにつれて、それは更に同じ条件下で反応して、コポリマーの樹脂成分上に存在するシラノール基の縮合反応を介してその分子量を更に増加させ得る。しかしながら、直鎖状オルガノシロキサン上の（Ｅ）がアセトキシ基である場合、生じる加水分解性基（酢酸）は工程ＩＩ）の反応を十分に触媒しない。したがって、この状況では、工程ＩＩの反応は、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの樹脂成分の縮合を達成する更なる成分により向上され得る。

一実施形態では、式Ｒ^５ _ｑＳｉＸ_４−ｑを有するオルガノシロキサンを工程ＩＩ）中に添加し、式中、Ｒ^５はＣ_１〜Ｃ_８ヒドロカルビル又はＣ_１〜Ｃ_８ハロゲン置換ヒドロカルビルであり、Ｘは加水分解可能な基であり、ｑは０、１、又は２である。Ｒ^５はＣ_１〜Ｃ_８ヒドロカルビル又はＣ_１〜Ｃ_８ハロゲン置換ヒドロカルビルであり、あるいはＲ^５はＣ_１〜Ｃ_８アルキル基又はフェニル基であり、あるいはＲ^５はメチル、エチル、又はメチルとエチルの組み合わせである。Ｘは任意の加水分解性基であり、あるいはＸは上記に定義されたようなＥ、ハロゲン原子、ヒドロキシル（ＯＨ）又はアルコキシ基であり得る。一実施形態では、オルガノシランは、アルキルトリアセトキシシラン、例えば、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン又はこれらの組み合わせである。市販の代表的なアルキルトリアセトキシシランとしては、ＥＴＳ−９００（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐ．（Ｍｉｄｌａｎｄ，ＭＩ））が挙げられる。本実施形態において有用な、他の好適な非限定のオルガノシランとしては、メチル−トリス（メチルエチルケトキシム）シラン（ＭＴＯ）、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラオキシムシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジメチルジオキシムシラン、メチルトリス（メチルメチルケトキシム）シランが挙げられる。

工程ＩＩ）中に添加する際の式Ｒ^５ _ｑＳｉＸ_４−ｑを有するオルガノシランの量は様々であり得るが、プロセスにおいて使用されるオルガノシロキサン樹脂の量に基づき得る。使用されるシランの量は、オルガノシロキサン樹脂上のＳｉのモル当たり２〜１５モル％のオルガノシランのモル化学量をもたらし得る。更に、工程ＩＩ）中に添加される式Ｒ^５ _ｑＳｉＸ_４−ｑを有するオルガノシランの量は、オルガノシロキサンブロックコポリマー上の全てのシラノール基を消費しない化学量を確保するように制御される。一実施形態では、工程ＩＩにおいて添加されるオルガノシランの量は、０．５〜３５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］を含有するオルガノシロキサンブロックコポリマーをもたらすように選択される。

本発明の方法における工程ＩＩＩは任意であり、貯蔵安定性及び／又は光学的透明性を向上させるために、上述の方法工程を用いて形成されたオルガノシロキサンブロックコポリマーを加工することを更に含む。本明細書で使用するとき、句「更に加工する」は、貯蔵安定性及び／又は光学的透明度を向上させるためにオルガノシロキサンブロックコポリマーの任意の更なる反応又は処理を説明する。工程ＩＩにおいて生成される樹脂−直鎖状オルガノシロキサンコポリマーは、反応性「ＯＺ」基（例えば、≡ＳｉＯＺ基、式中、Ｚは上で定義した通りである）、及び／又はＸ基（式Ｒ^５ _ｑＳｉＸ_４−ｑを有するオルガノシランが工程ＩＩにおいて使用される場合、Ｘはブロックコポリマーの中に導入される）をある量含有し得る。この段階でオルガノシロキサンブロックコポリマー上に存在するＯＺ基は、樹脂成分上に元々存在したシラノール基、又はオルガノシランが工程ＩＩにおいて使用される場合に、式Ｒ^５ _ｑＳｉＸ_４−ｑを有するオルガノシラン及びシラノール基の反応から生じ得るシラノール基であり得る。あるいは、残留シラノール基の更なる反応は、樹脂ドメインの形成を更に向上させ、オルガノシロキサンブロックコポリマーの光学的透明度を改善し得る。したがって、任意の工程ＩＩＩは、工程ＩＩ中に生じるオルガノシロキサンブロックコポリマー上のＯＺ又はＸを更に反応させて、貯蔵安定性及び／又は光学的透明度を改善するために、実行され得る。工程ＩＩＩのための条件は、使用される直鎖状成分及び樹脂成分、これらの量、及び末端封鎖化合物の選択に応じ、様々であり得る。

本方法の一実施形態では、工程ＩＩＩは、工程ＩＩからのオルガノシロキサンブロックコポリマーを水と反応させ、本方法で形成される酢酸などの任意の小分子量化合物を除去することにより、実行される。本実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、いくつかの実施形態で直鎖状オルガノシロキサンから生じ、Ｅはアセトキシ基であり、及び／又はアセトキシシランが工程ＩＩにおいて使用される。いかなる理論によっても束縛されることを望むものではないが、工程ＩＩで形成されたオルガノシロキサンブロックコポリマーは、ある量の加水分解性Ｓｉ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）ＣＨ_３基を含み得、これは、オルガノシロキサンブロックコポリマーの貯蔵安定性を制限し得る。したがって、工程ＩＩから形成される樹脂−直鎖状オルガノシロキサンコポリマーに水を添加してもよく、これは、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）ＣＨ_３基を加水分解して、トリシロキシ単位を更に連結し、酢酸を除去し得る。形成された酢酸及び過剰な水は、既知の分離技術により除去され得る。本実施形態では添加される水の量は様々であり得るが、いくつかの実施形態では、全固形分当たり１０重量％、あるいは５重量％が添加される（反応媒質中のオルガノシロキサンブロックコポリマーに基づいたとき）。

本方法の別の実施形態では、工程ＩＩＩは、アルコール、オキシム、又はトリアルキルシロキシ化合物から選択される末端封鎖化合物と、工程ＩＩからのオルガノシロキサンブロックコポリマーとを反応させることによって実行される。本実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、Ｅがオキシム基である直鎖状オルガノシロキサンから生成される。末端封鎖化合物は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、又はこの一連の他のものなどの、Ｃ_１〜Ｃ_２０アルコールであり得る。あるいは、アルコールはｎ−ブタノールである。末端封鎖化合物はまた、トリメチルメトキシシラン又はトリメチルエトキシシランなどのトリアルキルシロキシ化合物であってもよい。末端封鎖化合物の量は様々であり得、オルガノシロキサンブロックコポリマーに対して３〜１５重量％の間であり得る。

いくつかの実施形態では、工程ＩＩＩは、工程ＩＩからの樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーに超強塩基触媒又は安定剤を添加することを含む。工程ＩＩＩで使用される超強塩基触媒及び安定剤の量は、上に説明したものと同じである。

工程ＩＶは任意であり、工程Ｉ及びＩＩの反応において使用される有機溶媒を除去する工程を含む。有機溶媒は任意の既知の技術により除去され得るが、いくつかの実施形態では、大気条件下又は減圧条件下のいずれかで高温にて樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマー組成物を加熱する工程を含む。いくつかの実施形態では、全ての溶媒が除去されるわけではない。本実施形態では、少なくとも２０％、少なくとも３０％、少なくとも４０％、又は少なくとも５０％の溶媒が除去され、例えば、少なくとも６０％、少なくとも７０％、少なくとも７５％、少なくとも８０％、又は少なくとも９０％の溶媒が除去される。いくつかの実施形態では、２０％未満の溶媒が除去され、例えば、１５％未満、１０％未満、５％未満、又は０％の溶媒が除去される。他の実施形態では、約２０％〜約１００％の溶媒が除去され、例えば、約３０％〜約９０％、約２０％〜約８０％、約３０〜約６０％、約５０〜約６０％、約７０〜約８０％、又は約５０％〜約９０％の溶媒が除去される。

追加の非限定的な実施形態では、本開示は、公開されているＰＣＴ国際特許第２０１２／０４０３０２号、国際特許第０１２／０４０３０５号、国際特許第２０１２／０４０３６７号、国際特許第２０１２／０４０４５３号、及び国際特許第２０１２／０４０４５７号（これらは全て、参照することにより本明細書に組み込まれる）のうちの１つ以上に記載されているように、１つ以上の要素、成分、方法工程、試験方法等を含む。

導光板の形成方法
本開示はまた、導光板（５２）の形成方法を提供する。導光板（５２）は、単に、オルガノシロキサンブロックコポリマーを形成することによって、形成され得る。様々な実施形態では、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、上に説明されるように、シート形状等を形成するように更に加工され、それによって、導光板（５２）を形成する。オルガノシロキサンブロックコポリマーは、当該技術分野で既知の任意の方法、上で説明する任意の工程等を用いて、導光板（５２）を形成するように加工され得る。例えば、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、シート状に形成され得、このシートは、次いで、リボン／ストリップに切断され得、これは、その後、折り畳まれる、又はそうでなければ、導光板（５２）を形成するように操作される。

物品
本開示はまた、光源（５４）と、その上に配設される導光板（５２）を含む物品（５０）を提供する。用語「その上に配設される」は、導光板（５２）が、光源（５４）上に直接接触して配設され得る、又は光源（５４）上に配設されるが離間した状態であり、それにも関わらず、その上に配設され得ることを説明する。

物品（５０）は、代替的に、固体照明として説明され得、インストルメントパネル＆スイッチ、カーテシ照明、ウィンカー及びストップ信号、家庭用器具、ＶＣＲ／ＤＶＤ／ステレオ／オーディオ／ビデオデバイス、おもちゃ／ゲーム器具類、防犯設備、スイッチ、建築照明、標識（経路識別文字）、マシンビジョン、小売ディスプレイ、非常用照明、ネオンサイン及び電球代替品、懐中電灯、アクセント照明、フルカラービデオ、白黒メッセージボード、交通、鉄道、航空用途に、携帯電話に、ＰＤＡ、デジタルカメラ、ラップトップ、医療機器に、バーコードリーダー、色＆マネーセンサー、エンコーダー、光スイッチ、光ファイバー通信、及びこれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない、任意の用途で使用することができる。

物品（５０）はまた、基板及び／又は上板を含み得る。基板は、物品（５０）の裏面に保護を提供し得る一方、上板は、物品（５０）の前面に保護を提供し得る。基板及び上板は同じ又は異なっていてもよく、各々が、独立して、当該技術分野において既知の任意の好適な材料を含み得る。基板及び／又は上板は、柔軟かつ可撓性であってもよいか、又は剛性かつ硬質であってもよい。あるいは、基板及び／又は上板は、剛性かつ硬質の部分を含みつつ、同時に柔軟かつ可撓性の部分を含んでもよい。基板及び／又は上板は、光に透明であってもよく、半透明でもよく、光を透過させなくてもよい（すなわち、光を通さなくてもよい）。いくつかの実施形態では、上板は、光を透過させる。一実施形態では、基板及び／又は上板は、ガラスを含む。別の実施形態では、基板及び／又は上板は、金属箔、ポリイミド、エチレン−ビニルアセテート共重合体、及び／又は有機フルオロポリマー（限定されるものではないが、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）、Ｔｅｄｌａｒ（登録商標）、ポリエステル／Ｔｅｄｌａｒ（登録商標）、Ｔｅｄｌａｒ（登録商標）／ポリエステル／Ｔｅｄｌａｒ（登録商標）が挙げられる）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）単独又はケイ素と酸化材料（ＳｉＯｘ）でコーティングされたもの、並びにこれらの組み合わせを含む）を含む。一実施形態では、基板は更に、ＰＥＴ／ＳｉＯｘ−ＰＥＴ／Ａｌ基板（式中、ｘは１〜４の値である）として定義される。

基板及び／又は上板は、耐荷重性又は非耐荷重性でもよく、物品（５０）の任意の部分に含まれてもよい。いくつかの実施形態では、基板は、耐荷重性である。基板は、いくつかの実施形態では、発光ダイオードの後方に位置付けられ、機械的支持として作用する物品（５０）の「底層」であり得る。あるいは、物品（５０）は、第２の若しくは追加の基板及び／又は上板を含み得る。基板は、物品（５０）の底層であり得る一方、第２の基板は、最上層であり得、上板として機能し得る。いくつかの実施形態では、第２の基板（例えば、上板として機能する第２の基板）は、光（例えば、可視、紫外、及び／又は赤外光）に対して透明であり、基板の上に位置付けられる。第２の基板は、雨、雪、熱等の環境条件から物品（５０）を保護するために使用され得る。一実施形態では、第２の基板は、上板として機能し、光に対して透明であり、物品（５０）の前面を保護するために使用される剛性のガラス盤である。

加えて、物品（５０）はまた、１つ以上の結合層を含み得る。１つ以上の結合層は、発光ダイオードを基板に接着するように、基板上に配設され得る。一実施形態では、物品（５０）は、基板を含まず、結合層を含まない。結合層は、紫外線、赤外線、及び／又は可視光に対して透明であり得る。しかしながら、結合層は、光に対して不透過性又は不透明であってもよい。結合層は、粘着性であり得、ゲル、ガム、液体、ペースト、樹脂、又は固体であり得る。一実施形態では、結合層は、フィルムである。

更に、物品（５０）は蛍光体を含み得る。蛍光体は、特に限定されず、当該技術分野で既知の任意のものを含み得る。一実施形態では、蛍光体は、ホスト材料と、銅活性化硫化亜鉛及び銀活性化硫化亜鉛などの賦活体とから作製される。好適であるが、非限定的なホスト材料としては、酸化物、窒化物、酸窒化物、硫化物、セレン化物、亜鉛のハロゲン化物若しくはケイ酸塩、カドミウム、マンガン、アルミニウム、ケイ素、又は様々な希土類金属が挙げられる。追加の好適な蛍光体としては、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ（ケイ酸亜鉛鉱）；ＺｎＳ：Ａｇ＋（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ；ＺｎＳ：Ａｇ＋ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ；ＺｎＯ：Ｚｎ；ＫＣｌ；ＺｎＳ：Ａｇ、Ｃｌ又はＺｎＳ：Ｚｎ；（ＫＦ，ＭｇＦ_２）：Ｍｎ；（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ又は（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ；Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ＋Ｆｅ_２Ｏ３，ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ；ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｃｏ−オン−Ａｌ_２Ｏ_３；（ＫＦ，ＭｇＦ_２）：Ｍｎ；（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ｃｌ；ＺｎＳ：Ｃｕ又はＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｇ；ＭｇＦ_２：Ｍｎ；（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｆ_２：Ｍｎ；Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ，Ａｓ；ＺｎＳ：Ａｇ＋（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ；Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ；Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ；Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ；Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ；Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｔｂ；ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ；ＺｎＳ：Ａｇ；ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ又はＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ；（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ｃｌ＋（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ；Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｔｂ；Ｙ_２ＯＳ：Ｔｂ；Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ；Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｔｂ；ＩｎＢＯ_３：Ｔｂ；ＩｎＢＯ_３：Ｅｕ；ＩｎＢＯ_３：Ｔｂ＋ＩｎＢＯ_３：Ｅｕ；ＩｎＢＯ_３：Ｔｂ＋ＩｎＢＯ_３：Ｅｕ＋ＺｎＳ：Ａｇ；（Ｂａ，Ｅｕ）Ｍｇ_２Ａｌ_１６Ｏ_２７；（Ｃｅ，Ｔｂ）ＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９；ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ，Ｍｎ；ＢａＭｇ_２Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ（ＩＩ）；ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ，Ｍｎ；ＢａＭｇ_２Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ（ＩＩ），Ｍｎ（ＩＩ）；Ｃｅ_０．６７Ｔｂ_０．３３ＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｃｅ，Ｔｂ；Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ，Ｓｂ_２Ｏ_３；ＣａＳｉＯ_３：Ｐｂ，Ｍｎ；ＣａＷＯ_４（灰重石）；ＣａＷＯ_４：Ｐｂ；ＭｇＷＯ_４；（Ｓｒ，Ｅｕ，Ｂａ，Ｃａ）_５（ＰＯ４）_３Ｃｌ；Ｓｒ_５Ｃｌ（ＰＯ_４）_３：Ｅｕ（ＩＩ）；（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_３（ＰＯ_４）_２Ｃｌ_２：Ｅｕ；（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ；Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｓｎ（ＩＩ）；Ｓｒ_６Ｐ_５ＢＯ_２０：Ｅｕ；Ｃａ_５Ｆ（ＰＯ_４）_３：Ｓｂ；（Ｂａ，Ｔｉ）_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｔｉ；３Ｓｒ_３（ＰＯ_４）_２．ＳｒＦ_２：Ｓｂ，Ｍｎ；Ｓｒ_５Ｆ（ＰＯ_４）_３：Ｓｂ，Ｍｎ；Ｓｒ_５Ｆ（ＰＯ_４）_３：Ｓｂ，Ｍｎ；ＬａＰＯ_４：Ｃｅ，Ｔｂ；（Ｌａ，Ｃｅ，Ｔｂ）ＰＯ_４；（Ｌａ，Ｃｅ，Ｔｂ）ＰＯ_４：Ｃｅ，Ｔｂ；Ｃａ_３（ＰＯ_４）_２．ＣａＦ_２：Ｃｅ，Ｍｎ；（Ｃａ，Ｚｎ，Ｍｇ）_３（ＰＯ_４）_２：Ｓｎ；（Ｚｎ，Ｓｒ）_３（ＰＯ_４）_２：Ｍｎ；（Ｓｒ，Ｍｇ）_３（ＰＯ_４）_２：Ｓｎ；（Ｓｒ，Ｍｇ）_３（ＰＯ_４）_２：Ｓｎ（ＩＩ）；Ｃａ_５Ｆ（ＰＯ_４）_３：Ｓｂ，Ｍｎ；Ｃａ_５（Ｆ，Ｃｌ）（ＰＯ_４）_３：Ｓｂ，Ｍｎ；（Ｙ，Ｅｕ）_２Ｏ_３；Ｙ_２Ｏ_３：Ｅｕ（ＩＩＩ）；Ｍｇ_４（Ｆ）ＧｅＯ_６：Ｍｎ；Ｍｇ_４（Ｆ）（Ｇｅ，Ｓｎ）Ｏ_６：Ｍｎ；Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_４：Ｅｕ；ＹＶＯ_４：Ｅｕ；Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ；３．５ ＭｇＯ・０．５ ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ；Ｍｇ_５Ａｓ_２Ｏ_１１：Ｍｎ；ＳｒＡｌ_２Ｏ_７：Ｐｂ；ＬａＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｃｅ；ＬａＰＯ_４：Ｃｅ；ＳｒＡｌ_１２Ｏ_１９：Ｃｅ；ＢａＳｉ_２Ｏ_５：Ｐｂ；ＳｒＦＢ_２Ｏ_３：Ｅｕ（ＩＩ）；ＳｒＢ_４Ｏ_７：Ｅｕ；Ｓｒ_２ＭｇＳｉ_２Ｏ_７：Ｐｂ；ＭｇＧａ_２Ｏ_４：Ｍｎ（ＩＩ）；Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ；Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ；Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｐｒ；Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ，Ｆ；Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ；Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ；Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｐｒ；Ｚｎ（０．５）Ｃｄ（０．４）Ｓ：Ａｇ；Ｚｎ（０．４）Ｃｄ（０．６）Ｓ：Ａｇ；ＣｄＷＯ_４；ＣａＷＯ_４；ＭｇＷＯ_４；Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ；ＹＡｌＯ_３：Ｃｅ；Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ；Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ；ＣｄＳ：Ｉｎ；ＺｎＯ：Ｇａ；ＺｎＯ：Ｚｎ；（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ；ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ；ＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｕ；ＺｎＳ：Ａｇ；アントラセン，ＥＪ−２１２，Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ；ＺｎＳ：Ｃｕ；ＮａＩ：Ｔｌ；ＣｓＩ：Ｔｌ；ＬｉＦ／ＺｎＳ：Ａｇ；ＬｉＦ／ＺｎＳＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、及びこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。

蛍光体は、物品（５０）の任意の部分に存在し得る。蛍光体は、固体組成物中に分散されてもよく、及び／又は物品（５０）内の別個の層として存在してもよい。換言すれば、蛍光体は、固体組成物から独立した層中に存在し得る、若しくは（例えば、ある勾配パターンで）均一に全体に分散する固体組成物と組み合わされ得る、又は固体組成物の一部の領域でより高い濃度で、及び固体組成物の他の領域でより低い濃度で存在し得る。別の実施形態では、蛍光体は、レンズ内に存在する。

物品（５０）はまた、剥離ライナーを含み得る。剥離ライナーは、シリコン処理されたＰＥＴ又はフッ素化ライナーなどの当該技術分野で既知の任意のものであり得る。いくつかの実施形態では、これらの剥離ライナーは滑らかだが、（例えば、反射防止面に、又は反射防止面として）テクスチャ加工することもできる。

物品の形成方法：
本開示は、物品（５０）を形成する方法も提供する。本方法は、光源（５４）及び導光板（５２）を組み合わせて物品（５０）を形成する工程を含む。組み合わせ工程は、特に限定されず、互いに隣接して若しくは互いの上に、及び／又は互いに直接的又は間接的に接触するように、光源（５４）及び導光板（５２）を配設することを含み得る、又は更にそのように定義され得る。例えば、導光板（５２）は、光源（５４）上に、かつ直接接触して配設され得る。あるいは、導光板（５２）は、光源（５４）上に配設され得るが、分離されて直接接触せず、なおかつ光源（５４）上に配置され得る。

導光板（５２）は、流れるように加熱される、溶融される、プレスされる、（真空）積層される、圧縮成形される、注入転写成形される、カレンダー加工される、ホットエンボス加工される、注入成形される、押出成形される、又は固体から液体若しくは軟化した固体に導光板（５２）を変化させる任意の他の加工工程が行われ得る。次いで、液体又は軟化した導光板（５２）は、前述の技術のうちの任意の１つ以上によって、噴霧、注入、塗装、コーティング、浸漬、ブラッシング等を介して、光源（５４）に適用され得る。

一実施形態では、組み合わせる工程は、導光板（５２）が、光源（５４）上にかつ直接接触して配設されるようにするように、導光板（５２）を溶融することとして、更に定義される。別の実施形態では、組み合わせる工程は、導光板（５２）が、光源（５４）上にかつ直接接触して配設されるようにするように、導光板（５２）を溶融することとして、更に定義される。更に別の実施形態では、本方法は、溶媒中の固体組成物（例えば導光板（５２））の溶液を提供する（例えば、溶媒中で溶解又は部分的に溶解する）工程を更に含む。なお更なる実施形態では、本方法は、溶媒を除去して固体組成物及び導光板（５２）を形成する工程の後、導光板（５２）及び光源（５４）を組み合わせる工程を含む。更に別の実施形態では、本方法は、溶媒を除去する工程の後、並びに導光板（５２）及び光源（５４）を組み合わせる工程の前に、固体組成物を形成する工程を更に含む。

他の実施形態では、本方法は、例えば、縮合反応、フリーラジカル反応、又はヒドロシリル化反応を介して、固体組成物を硬化させる工程を含む。任意の触媒、添加剤等が、硬化工程において利用され得ることが企図される。例えば、酸性又は塩基性の縮合触媒が利用され得る。あるいは、白金触媒などのヒドロシリル化触媒が利用され得る。一実施形態では、硬化工程は、固体組成物の溶融温度よりも高い温度で起こる。あるいは、硬化の工程は、固体組成物の溶融温度よりも高い温度で起こる。

（実施例１）

手順：
２Ｌの３首丸底フラスコに、トルエン（５４４．０ｇ）及びフェニルＴ樹脂（２１６．０ｇ）を装填した。このフラスコに、温度計と、Ｔｅｆｌｏｎ撹拌パドルと、水冷凝縮器に取り付けたＤｅａｎ Ｓｔａｒｋ装置とを装備させた。窒素封入を行った。Ｄｅａｎ Ｓｔａｒｋ装置をトルエンで予め充填した。加熱マントルを加熱に使用した。溶液を３０分間還流で加熱し、次いで、１０８℃（ポットの温度）まで冷却した。ＯＨ−ＰｈＭｅ−ＯＨにメチルトリアセトキシシラン（ＭＴＡ）／エチルトリアセトキシシラン（ＥＴＡ）を添加して、２時間室温で混合することによって、トルエン（１７６．０ｇ）及びＯＨ−のＰｈＭｅ−ＯＨ（２６４．０ｇ）の溶液を、（同日）窒素下のグローブボックス内で５０／５０ ＭＴＡ／ＥＴＡ（４．８４ｇ、０．０２０９ｍｏｌｓのＳｉ）でキャップした。次いで、この溶液を１０８℃でフェニルＴ樹脂に迅速に添加し、２時間還流で加熱し、次いで、１０８℃まで冷却した。５０／５０ ＭＴＡ／ＥＴＡの追加量（３８．３２ｇ、０．１６６ｍｏｌｓのＳｉ）を添加し、２時間還流で加熱し、次いで、９０℃のポットの温度まで冷却した。次いで、脱イオン（ＤＩ）水（３３．６３ｇ）を添加して、（水を除去せず）１時間還流で加熱した。次いで、水を加熱しながら共沸蒸留により除去した。次いで、還流を３時間継続し、溶液を１００℃まで冷却した。次いで、予備乾燥させたＤａｒｃｏ Ｇ６０カーボンブラック（４．８０ｇ）を添加し、この溶液を撹拌しながら室温まで冷却し、次いで、室温で一晩撹拌した。溶液は、次いで、式Ｄ^ＰｈＭｅ _{０．５１９}Ｔ^アルキル _{０．０５０}Ｔ^Ｐｈ _{０．４３１}を有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを回収するように０．４５μｍの濾過器を通して加圧濾過された（^２９Ｓｉ ＮＭＲによって確認されるとき、ＯＺ＝２２ｍｏｌ％）。

（実施例２）

手順：
５Ｌの４首丸底フラスコに、トルエン（１０００．０ｇ）及びフェニルＴ樹脂（２８０．２ｇ）を装填した。このフラスコに、温度計と、Ｔｅｆｌｏｎ撹拌パドルと、水冷凝縮器に取り付けたＤｅａｎ Ｓｔａｒｋ装置とを装備させた。窒素封入を行った。加熱には油浴を使用した。Ｄｅａｎ Ｓｔａｒｋ装置をトルエンで予め充填し、３０分間還流で溶液を加熱し、次いで、１０８℃（ポットの温度）まで冷却した。次いで、トルエン（５００．０ｇ）及びシラノール末端ＰＤＭＳ（７２０．０ｇ）の溶液を５０／５０のＭＴＡ／ＥＴＡで末端封鎖し、末端封鎖は、ＭＴＡ／ＥＴＡ（２３．７７ｇ、０．１０２８ｍｏｌｓのＳｉ）をシラノール末端ＰＤＭＳに添加し、室温にて３０分にわたって混合することにより、窒素下でグローブボックス内で（同日）行った。次いで、この溶液を１０８℃でフェニルＴ樹脂溶液に迅速に添加し、反応混合物は不透明になり、その後１９分で透明になる。次いで、約３時間１５分還流で反応混合物を加熱した。次いで、５０／５０ ＭＴＡ／ＥＴＡ（２２．６３ｇ、０．０９７９ｍｏｌｓのＳｉ）を反応混合物に加え、１時間還流で加熱した。次いで、溶液を１００℃まで冷却し、追加の脱イオン水（３６．１ｇ）を添加した。その後、溶液を３０分間８８〜９０℃に加熱し、次いで、還流で加熱し、共沸蒸留を介して水を除去した。次いで、溶液を室温で一晩放置し、２時間還流で加熱し、その後、１００℃まで冷却した。酢酸レベルを低減させるために、次いで、１２６．８ｇの脱イオン水を加え、水を３．２５時間の間にわたって共沸的に除去した。追加量の脱イオン水（１６２．８ｇ）を添加し、４．７５時間の間にわたって共沸的に除去した。次いで、予備乾燥させたＤａｒｃｏ Ｇ６０カーボンブラック（１０ｇ）を添加し、溶液を攪拌しながら室温まで冷却し、次いで、室温で一晩撹拌させた。溶液は、次いで、式Ｄ^Ｍｅ２ _{０．８１５}Ｔ^アルキル _{０．０１７}Ｔ^Ｐｈ _{０．１６８}を有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを回収するように０．４５μｍの濾過器を通して加圧濾過された（^２９Ｓｉ ＮＭＲによって確認されるとき、ＯＺ＝６．５６ｍｏｌ％）。

（実施例３）

手順：
１２Ｌの３首丸底フラスコに、トルエン（３８０３．９ｇ）及びフェニルＴ樹脂（９４２．５ｇ）を装填した。このフラスコに、温度計と、Ｔｅｆｌｏｎ撹拌パドルと、水冷凝縮器に取り付けたＤｅａｎ Ｓｔａｒｋ装置とを装備した。窒素封入を行った。Ｄｅａｎ Ｓｔａｒｋ装置をトルエンで予め充填した。加熱マントルを加熱に使用した。溶液を３０分間還流で加熱し、次いで、１０８℃（ポットの温度）まで冷却した。次いで、トルエン（１３４４ｇ）＋ＯＨ−ＰＤＭＳ−ＯＨ（１８２９．０ｇ）の溶液を、窒素雰囲気中で５Ｌの３首丸底フラスコ中においてＭＴＯでキャップし、２時間室温で混合した。続いて、この溶液を１１０℃でフェニルＴ樹脂に添加した。この反応混合物は、最初は不透明であったが、その後、２分以内に透明になった。反応混合物を還流させながら２時間１０分にわたって加熱した。次いで、ｎ−ブタノール（２７６．０ｇ）の量を添加し、３時間還流で溶液を加熱した。次いで、トルエン（２９１３ｇ）を留去して、〜５０％の固体含有量を増加させた。次いで、〜２．５時間にわたって６５〜７５℃のポットの温度で真空を適用した。溶液は、次いで、３日間、式Ｄ^Ｍｅ２ _{０．７７４}Ｔ^Ｍｅ _{０．００９}Ｔ^Ｐｈ _{０．２１７}を有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを回収するように据付けされた後、５．０μｍの濾過器を通して加圧濾過された（^２９Ｓｉ ＮＭＲによって確認されるとき、ＯＺ＝６．２３ｍｏｌ％）。

実施例１〜３の組成物を形成した後、各試料を評価して、加熱老化前及び後の両方において、色、屈折率、及び破断点引張強度を判定した。標準的な工業比較例としてＰＭＭＡの試料をもまた評価して、加熱老化前及び後の両方において同じ特性を判定した。これらの判定の結果を以下に示す。

^＊「該当なし」は、試料が物理的な劣化により試験できないことを示す。

色は、目視検査、及びＳｙｌｇａｒｄ １８４などの従来の硬化したＰＤＭＳと比較することによって評価される。

屈折率は、６３２．８ナノメータでヘリウム・ネオンレーザー源を使用して、かつ「バルク指数」モードで動作するＭｅｔｒｉｃｏｎ ２０１０プリズム結合器を使用して評価される。

破断点引張強度は、ＡＳＴＭ Ｄ４１２を使用して評価される。

透過は、上で説明した式を用いて評価される。

ヘイズは、ＡＳＴＭ Ｄ１００３を用いて評価される。

上記のデータは、本開示の例１〜３の組成物が、加熱老化後にＰＭＭＡをしのぐことを明らかに示す。より具体的には、ＰＭＭＡは、更なる物理的特性試験を完了することができない程度まで全体的に低下する。ＬＥＤを含むものなどの物品に適用される際、ＰＭＭＡは、加熱された光源と直接接触して、又は高熱環境においては、効果的に使用することができない。本開示の組成物は、このような環境において使用することができ、ＰＭＭＡをしのぎ得る。

上で説明した値の１つ以上は、変動が本発明の範囲内に留まる限り、±５％、±１０％、±１５％、±２０％、±２５％などで変動し得る。全ての他の要素から独立したマーカッシュ群の各要素から予期せぬ結果が生じ得る。各部材は、個別にかつ／又は組み合わせで依存してもよく、添付の「特許請求の範囲」に含まれる特定の実施形態を十分に支援する。独立請求項及び従属請求項（単一項従属及び多項従属の両者とも）の全ての組み合わせの対象が、本明細書で明確に企図される。本開示は、説明を明示的に包含するものであり、なんら制限するものではない。上記の教示を鑑みれば、本開示の多数の修正及び変形が可能となり、本開示は、本明細書で具体的に説明した以外の形でも実施され得る。

実施形態８は、不規則な三次元形状が、第１の表面に近接する第１の断面と、第２の表面に近接する第２の断面とを備え、第１の断面が第２の断面と異なる、実施形態４〜７のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

実施形態２５は、不規則な三次元形状が、第１の表面に近接する第１の断面と、第２の表面に近接する第２の断面とを備え、第１の断面が第２の断面と異なる、実施形態２１〜２４のいずれか１つのライトアセンブリに関する。

いくつかの実施形態では、導光板は、本明細書で開示される潜在的な機構を通じて、異なる領域で異なる屈折率を有する。様々な実施例において、結果として得られる屈折率の勾配は、漸進的であってもよく、又は急激な変化を含んでもよい。結果として得られる屈折率は、導光板の各領域での異なる組成物の使用から生じ得る（例えば、１つの領域内に［Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２］直鎖状部分及び［ＰｈＳｉＯ_３／２］樹脂部分を含むオルガノシロキサンブロックコポリマー組成物、並びに異なる領域内に［ＰｈＭｅＳｉＯ_２／２］直鎖状部分及び［ＰｈＳｉＯ_３／２］樹脂部分を含む異なるオルガノシロキサンブロックコポリマー組成物）、各領域での同じ組成物の異なる濃度から生じ得る、各領域内の又は１つの領域から次の領域に移動中の組成物の特定の成分の濃度又はモル量の勾配から生じ得る（例えば、ジシロキシ単位及びトリシロキシ単位の勾配、ジシロキシ単位、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配、トリシロキシ単位及びシラノール基の勾配、又はジシロキシ単位及びシラノール基の勾配が存在するようにする、式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位、及び／又は式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位、及び／又はシラノール基のこのモルパーセントの勾配）、１つの領域での添加剤又は組成物の合成による副生成物の存在／不在（例えば、本明細書に記載の樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーに組み込まれる直鎖状成分の合成から生じるＰｈＭｅ環状副生成物）及び異なる領域での添加剤又は組成物の合成による副生成物の存在／不在から生じ得る、各領域での組成物中に存在する特定の特性のサイズ又は種類の違いから生じ得る（例えば、第１の領域は、所定のサイズ又はサイズ分布のラメラの特徴を含み得る一方、第２の領域は、所定のサイズ又はサイズ分布の球状の特徴を含み得る）、又は第２の領域中の組成物に対する１つの領域中の組成物間における上述の違いの任意の組み合わせから生じ得る。いくつかの実施形態では、本明細書で使用される場合、用語「領域」又は「複数の領域」は、オルガノシロキサンブロックコポリマーの非直鎖状ブロックの凝集によって形成される「ナノドメイン」を幅広く指し得る。ナノドメインの形態は、規則的又は不規則な形状であり得る。例えば、ナノドメインの形態は、本明細書で提唱されるように、球面形状、円筒形状、管形状、及び、いくつかの例では層形状であり得る。

Claims (53)

1. ライトアセンブリであって、
   光源と、
   導光板であって、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、かつ前記光源からの光を受光するように構成される第１の表面と、前記導光板の長さに沿って透過する光を発光するように構成される第２の表面とを有する、導光板と、を備え、
   前記オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、かつ
   各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位と、
   各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位と、
   ０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］と、を含み、
   式中、各Ｒ^１が、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルであり、各Ｒ_２が、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルであり、
   前記非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
   各直鎖状ブロックが少なくとも１つの非直鎖状ブロックに架橋されている、ライトアセンブリ。
2. 前記第１の表面が、少なくとも部分的に、前記光源を受け入れるように構成される窪部を形成する、請求項１に記載のライトアセンブリ。
3. 前記光源が、前記第１の表面と物理的に接触している、請求項１又は２に記載のライトアセンブリ。
4. 前記導光板が、不規則な三次元形状に形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
5. 前記不規則な三次元形状が、屈曲を含む、請求項４に記載のライトアセンブリ。
6. 前記不規則な三次元形状が、角柱を含む、請求項４又は５に記載のライトアセンブリ。
7. 前記不規則な三次元形状が、楔形を含む、請求項４〜６のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
8. 前記不規則な三次元形状が、前記第１の表面に近接する第１の断面と、前記第２の表面に近接する第２の断面とを備え、前記第１の断面が前記第１の断面と異なる、請求項４〜７のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
9. 前記第１の断面及び前記第２の断面のうちの少なくとも１つが、円形及び矩形のうちの少なくとも１つである、請求項８に記載のライトアセンブリ。
10. 前記導光板が、光を受光するように構成される複数の第１の表面を備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
11. 複数の光源を更に備える、請求項１０に記載のライトアセンブリ。
12. 前記複数の光源の各々が、前記第１の表面のうちの１つに関連付けられる、請求項１１に記載のライトアセンブリ。
13. 前記第１の表面によって少なくとも部分的に受光される光を発光するように構成される複数の光源を更に備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
14. 前記導光板の長さを透過した光を発光するように構成される複数の第２の表面を更に備える、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
15. 前記第２の表面が、拡散出口である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
16. 前記拡散出口が、エッチングプロセスによって形成されている、請求項１５に記載のライトアセンブリ。
17. 前記導光板が、空気雰囲気中において２５０℃に曝露される７００分にわたって５重量％未満の総重量損失を有するように熱安定性を有する、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
18. 前記導光板が、表面反射のために補正された約９５パーセントを超える透過率、約１．４を超える屈折率、及び約１０未満のヘイズパーセントを有する、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
19. 前記光源が、発光体及び保護部材を備える、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
20. 前記保護部材が、ブロックコポリマーからなる、請求項１９に記載のライトアセンブリ。
21. 導光板であって、
    不規則な三次元形状に形成されたオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーは、光を受光するように構成される第１の表面と、前記導光板の長さを透過する光を発光するように構成される第２の表面とを有し、前記ブロックコポリマーが、空気雰囲気中において２５０℃に曝露される７００分にわたって５重量％未満の総重量損失を有するような熱安定性と、表面反射のために補正された約９５パーセントを超える透過率と、約１．４を超える屈折率と、約１０未満のヘイズパーセントとを有し、
    前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、かつ
    各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位と、
    各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位と、
    ０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］と、を含み、
    式中、各Ｒ^１が、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルであり、各Ｒ_２が、各発生において、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルであり、
    前記非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
    各直鎖状ブロックが少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結されている、導光板。
22. 前記不規則な三次元形状が、屈曲を含む、請求項２１に記載の導光板。
23. 前記不規則な三次元形状が、角柱を含む、請求項２１又は２２に記載の導光板。
24. 前記不規則な三次元形状が、楔形を含む、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の導光板。
25. 前記不規則な三次元形状が、前記第１の表面に近接する第１の断面と、前記第２の表面に近接する第２の断面とを備え、前記第１の断面が前記第１の断面と異なる、請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の導光板。
26. 前記第１の断面及び前記第２の断面のうちの少なくとも１つが、円形断面及び矩形断面のうちの少なくとも１つである、請求項２５に記載の導光板。
27. 前記導光板が、光を受光するように構成される複数の第１の表面を備える、請求項２１〜２６のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
28. 複数の光源を更に備える、請求項２７に記載のライトアセンブリ。
29. 前記複数の光源の各々が、前記第１の表面のうちの１つに関連付けられる、請求項２８に記載のライトアセンブリ。
30. 前記第１の表面によって少なくとも部分的に受光される光を発光するように構成される複数の光源を更に備える、請求項２１〜２９のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
31. 前記導光板の長さを透過する光を発光するように構成される複数の第２の表面を更に備える、請求項２１〜３０のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
32. 前記第２の表面が、拡散出口である、請求項２１〜３１のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
33. 前記拡散出口が、エッチングプロセスによって形成されている、請求項３２に記載のライトアセンブリ。
34. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、ジシロキシ単位、及びトリシロキシ単位の勾配を含む、請求項２１に記載の導光板。
35. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、ジシロキシ単位、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、請求項２１に記載の導光板。
36. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、請求項２１に記載の導光板。
37. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、ジシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、請求項２１に記載の導光板。
38. 前記ジシロキシ単位が、式［（ＣＨ_３）（Ｃ_６Ｈ_５）ＳｉＯ_２／２］を有する、請求項３４〜３７のいずれか一項に記載の導光板。
39. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも３０重量パーセントのジシロキシ単位を含む、請求項３４〜３７のいずれか一項に記載の導光板。
40. Ｒ^２がフェニルである、請求項３４〜３９のいずれか一項に記載の導光板。
41. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、１．０ＭＰａを超える引張強度、及び２０％を超える破断伸度（％）を有し、各々が独立して、ＡＳＴＭ Ｄ４１２に従って測定される、請求項２１〜４０のいずれか一項に記載の導光板。
42. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、２５℃〜２００℃の溶融流動温度を有する、請求項２１〜４１のいずれか一項に記載の導光板。
43. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、
    ２５℃で０．０１ＭＰａ〜５００ＭＰａの貯蔵弾性率（Ｇ’）、及び２５℃で０．００１ＭＰａ〜２５０ＭＰａの損失弾性率（Ｇ’’）、
    １２０℃で１０Ｐａ〜５００，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）、及び１２０℃で１０Ｐａ〜５００，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）、又は
    ２００℃で１０Ｐａ〜１００，０００Ｐａの貯蔵弾性率（Ｇ’）、及び２００℃で５Ｐａ〜８０，０００Ｐａの損失弾性率（Ｇ’’）を有する、請求項２１〜４２のいずれか一項に記載の導光板。
44. 光源と、前記光源上に配置された導光板とを備える物品であって、前記導光板が、表面反射のために補正された９０パーセントを超える透過率と、１．４を超える屈折率と、１０未満のヘイズパーセントとを有し、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、
    各々が直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］を有する直鎖状ブロック、の中に配置された４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／２］のジシロキシ単位と、
    各々が少なくとも５００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する非直鎖状ブロック、の中に配置された１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／２］のトリシロキシ単位と、
    ０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］とを含み、
    式中、Ｒ^１が、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_３０ヒドロカルビルであり、Ｒ^２が、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_２０ヒドロカルビルであり、
    前記非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、別の非直鎖状ブロックと架橋され、ナノドメインに凝集され、
    各直鎖状ブロックが、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結されている、物品。
45. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、ジシロキシ単位、及びトリシロキシ単位の勾配を含む、請求項４４に記載の物品。
46. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、ジシロキシ単位、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、請求項４４に記載の物品。
47. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、請求項４４に記載の物品。
48. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、ジシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む、請求項４４に記載の物品。
49. 前記ジシロキシ単位が、式［（ＣＨ_３）（Ｃ_６Ｈ_５）ＳｉＯ_２／２］を有する、請求項４４〜４８のいずれか一項に記載の物品。
50. 前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも３０重量パーセントのジシロキシ単位を含む、請求項４４〜４８のいずれか一項に記載の物品。
51. Ｒ^２がフェニルである、請求項４４〜４８のいずれか一項に記載の物品。
52. 請求項１〜２０のいずれか一項に記載のライトアセンブリを作製するための方法。
53. 請求項２１〜５１のいずれか一項に記載の導光板を作製するための方法。

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