JP2015212826A - マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ArFエキシマレーザ露光用ハーフトーン型位相シフトマスクを製造するためのマスクブランクス100であって、透明基板101と、透明基板上に形成されSiおよびNのみからなる光半透過膜102と、を有し、光半透過膜は、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.2〜0.45の範囲内、ArFエキシマレーザ露光波長における屈折率が2.3〜2.7の範囲内、ArFエキシマレーザ露光波長における光透過率が15%〜38%の範囲内、更に、膜厚が57nm〜67nmの範囲内である。
【選択図】図1
Description
本発明のマスクブランクスは、ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを製造するために用いられるマスクブランクスであって、透明基板と、上記透明基板上に形成され、Si(珪素)およびN(窒素)のみからなる光半透過膜、またはSi(珪素)、N(窒素)、およびO(酸素)のみからなる光半透過膜と、を有し、上記光半透過膜は、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.2〜0.45の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.3〜2.7の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が15%〜38%の範囲内であり、さらに、膜厚が57nm〜67nmの範囲内であることを特徴とするものである。
ここで、超音波洗浄により生じるパターン欠けとは、超音波によって生じた気泡が破砕する際の衝撃により生じる引き倒す力により、凸状のパターンが倒壊もしくは消失することを意味する。
まず、本発明のマスクブランクスの部材について説明する。本発明のマスクブランクスは、透明基板と光半透過膜とを少なくとも有する。
本発明における光半透過膜は、後述する透明基板上に形成され、SiおよびNのみからなる光半透過膜、またはSi、N、およびOのみからなる光半透過膜である。そして、上記光半透過膜は、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.2〜0.45の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.3〜2.7の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が15%〜38%の範囲内のものである。また、上記光半透過膜は、膜厚が57nm〜67nmの範囲内のものである。
上記光半透過膜のArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率は、従来の光半透過膜よりも高い光半透過膜のArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率として、15%〜38%の範囲内を選択したものである。また、上記光半透過膜の膜厚は、従来の光半透過膜の膜厚よりも薄く、かつ実用に耐えうる光半透過膜の膜厚として、57nm〜67nmの範囲内の膜厚を選択したものである。
上記光半透過膜のArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数および屈折率の範囲は、逆位相を得るために必要となる上記光半透過膜の膜厚が57nm〜67nmの範囲内となり、かつ上記光半透過膜のArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が15%〜38%の範囲内となるような範囲として、計算によって求められたものである。また、上記光半透過膜は、金属を含有しない新しい光半透過膜として、SiおよびNのみからなる光半透過膜、またはSi、N、およびOのみからなる光半透過膜を選択したものである。そして、上記光半透過膜のArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数および屈折率の範囲は、SiおよびNのみからなる光半透過膜、またはSi、N、およびOのみからなる光半透過膜が取り得る範囲として求められたものである。
上記光半透過膜は単層構造でも複数層構造でもよいが、単層構造であることが好ましい。本発明の作用効果を容易に得ることができるからである。具体的には、より簡単な構造によって、上述の通り、転写特性を優れたものとし、かつArFエキシマレーザ露光光照射耐性、および洗浄耐性を高くすることができるからである。また、より簡単な構造によって、パターン欠けを回避することができるからである。さらに、上記光半透過膜の加工がより簡易になるからである。
本発明における透明基板としては、特に限定されるものではないが、例えば、露光光を高透過率で透過する光学研磨された合成石英ガラス、蛍石、フッ化カルシウム等を挙げることができ、中でも、通常、多用されており品質が安定し、短波長の露光光の透過率の高い合成石英ガラスが好ましい。
本発明のマスクブランクスとしては、上記半透過膜および透明基板を有するものであれば、特に膜構成、材質、ArFエキシマーレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)など、限定されるものではないが、上記光半透過膜上に形成され、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)が、上記光半透過膜と合わせて所望の光学濃度(OD値)となるよう調整した、遮光膜をさらに有するものが好ましい。
本発明のマスクブランクスとしては、上記半透過膜および透明基板を有するものであれば、特に限定されるものではなく、他にも必要な部材を適宜加えることができる。
次に、本発明のマスクブランクスの構成ついて説明する。本発明のマスクブランクスは、上記光半透過膜が、上記透明基板上に形成されているものである。以下、本発明のマスクブランクスの構成および製造方法について説明する。
上記マスクブランクスは、特に限定されるものではないが、上記光半透過膜が、上記透明基板上に直接形成されたものが好ましい。
本発明のマスクブランクスの製造方法は、所望のマスクブランクスを得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。本発明のマスクブランクスの製造方法の一例においては、まず、上記透明基板を準備する。次に、上記透明基板上に、スパッタリング法等の従来公知の成膜方法により、上記光半透過膜を形成する。次に、上記光半透過膜上に、スパッタリング法等の従来公知の成膜方法により、上記遮光膜を形成する。上記遮光膜が上記2層構造を有する場合には、上記光半透過膜上にスパッタリング法等の従来公知の成膜方法により上記光吸収層を形成した後に、上記光吸収層上にスパッタリング法等の従来公知の成膜方法により上記ハードマスク層を形成する。上記遮光膜が上記3層構造を有する場合には、上記光半透過膜上にスパッタリング法等の従来公知の成膜方法により上記エッチングバリア層を形成して、上記エッチングバリア層上にスパッタリング法等の従来公知の成膜方法により上記光吸収層を形成した後に、上記光吸収層上にスパッタリング法等の従来公知の成膜方法により上記ハードマスク層を形成する。これにより、本発明のマスクブランクスが得られる。
次に、本発明のネガ型レジスト膜付きマスクブランクスについて説明する。本発明のネガ型レジスト膜付きマスクブランクスは、上記マスクブランクスと、上記マスクブランクス上に形成されたネガ型レジスト膜と、を有することを特徴とするものである。
次に、本発明の位相シフトマスクについて説明する。本発明の位相シフトマスクは、ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクであって、透明基板と、上記透明基板上に形成され、Si(珪素)およびN(窒素)のみからなる光半透過膜パターン、またはSi(珪素)、N(窒素)、およびO(酸素)のみからなる光半透過膜パターンと、を有し、上記光半透過膜パターンは、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.2〜0.45の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.3〜2.7の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が15%〜38%の範囲内であり、さらに、膜厚が57nm〜67nmの範囲内であることを特徴とするものである。
まず、本発明の位相シフトマスクの部材について説明する。本発明の位相シフトマスクは、透明基板と光半透過膜パターンとを少なくとも有する。
本発明における光半透過膜パターンは、後述する透明基板上に形成され、SiおよびNのみからなる光半透過膜パターン、またはSi、N、およびOのみからなる光半透過膜パターンである。そして、上記光半透過膜パターンは、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.2〜0.45の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.3〜2.7の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が15%〜38%の範囲内のものである。また、上記光半透過膜パターンは、膜厚が57nm〜67nmの範囲内である。
上記光半透過膜パターンは、特に限定されるものではないが、幅または奥行きが60nm以下である凸状のパターンを有するものが好ましい。幅または奥行きが60nm以下である凸状のパターンの高さは、57nm〜67nmの範囲内であり、従来のハーフトーン型位相シフトマスクと比較して低くなる。これにより、位相シフトマスクの洗浄工程において、このようなパターンが超音波を用いて洗浄される時に気泡の破砕によって衝撃を受ける面積は小さくなり、このようなパターンが気泡の破砕によって衝撃を受ける位置は低くなる。この結果、このようなパターンが洗浄液中で強い除去力を有する超音波を用いて洗浄されることによって、このようなパターンが欠けるパターン欠けを回避することができるからである。
(a)ネガティブトーン現像によってウエハに転写するパターン
上記光半透過膜パターンは、特に限定されるものではないが、図10に示される例のように、ネガティブトーン現像(Negative tone development)によって、コンタクトホールやライン等の微細パターンをウエハに転写する光半透過膜パターンでもよい。このような光半透過膜パターンは、図10に示されるように、ウェハに解像されるメインパターンおよび上記メインパターンの解像を補助するウェハに解像されない補助パターンを有し、上記補助パターンが、上記幅または奥行きが60nm以下である凸状のパターンであるものである。上記メインパターンは、ウエハに転写される上記微細パターンに対応するものである。上記光半透過膜パターンが、このような光半透過膜パターンである場合には、上記補助パターンが、洗浄液中で強い除去力を有する超音波を用いて洗浄されることによって、欠けるパターン欠けを回避することができる。
なお、後述するようにポジティブトーン現像(Positive tone development)によってウエハに転写するパターンにおいても超音波を用いた洗浄によるパターン欠けが生じる場合があるが、一般に、ネガティブトーン現像(Negative tone development)によってウエハに転写するパターンとポジティブトーン現像(Positive tone development)によってウエハに転写するパターンとを比較した場合、幅が100nm以下の凸状のパターンの奥行きは、ネガティブトーン現像(Negative tone development)によってウエハに転写するパターンの方が短いので、上記超音波を用いて洗浄することによって生じるパターン欠けを回避することができる効果を顕著に発揮することが可能となる。
上記光半透過膜パターンは、特に限定されるものではないが、図12に示される例のように、ポジティブトーン現像(Positive tone development)によって、コンタクトホールやライン等の微細パターンをウエハに転写する光半透過膜パターンでもよい。このような光半透過膜パターンは、図12に示される例のように、ウェハに解像されるメインパターンおよび上記メインパターンの解像を補助するウェハに解像されない補助パターンが形成され、上記メインパターンおよび上記補助パターンとして、光半透過膜の一部を抜いた凹状のパターンが形成されたものである。上記メインパターンは、ウエハに転写される上記微細パターンに対応するものである。
本発明における光半透過膜パターンの構成は、以上に挙げた点を除いて、上記「A.マスクブランクス 1.マスクブランクスの部材 (1)光半透過膜」の項目に記載の本発明における光半透過膜の構成と同様である。このため、ここでの説明は省略する。
本発明における透明基板の構成は、上記「A.マスクブランクス 1.マスクブランクスの部材 (2)透明基板」の項目に記載の本発明における透明基板の構成と同様である。このため、ここでの説明は省略する。
本発明の位相シフトマスクとしては、上記透明基板と光半透過膜パターンを有するものであれば、特に膜構成、材質、ArFエキシマーレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)など、限定されるものではないが、上記光半透過膜パターン上に形成され、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)が、上記光半透過膜パターンと合わせて所望の光学濃度(OD値)となるよう調整した、遮光膜パターンをさらに有するものが好ましい。
本発明の位相シフトマスクとしては、上記半透過膜および透明基板を有するものであれば、特に限定されるものではなく、他にも必要な部材を適宜加えることができる。
次に、本発明の位相シフトマスクの構成ついて説明する。本発明の位相シフトマスクは、上記光半透過膜パターンが、上記透明基板上に形成されているものである。以下、本発明の位相シフトマスクの構成および製造方法について説明する。
上記位相シフトマスクは、特に限定されるものではないが、上記位相シフトマスクが、ネガ型の位相シフトマスクであるものが好ましい。
本発明の位相シフトマスクの製造方法は、所望の位相シフトマスクを得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。位相シフトマスクの製造方法の一例においては、まず、本発明のマスクブランクスとして、上記遮光膜を有するマスクブランクスを準備する。次に、上記遮光膜上に電子線レジストを塗布し、電子線描画装置によってパターン露光し、レジスト専用の現像液により現像し、所望形状のレジストパターンを形成する。次に、当該所望形状のレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング装置によって、所望のガスを用い、上記遮光膜をドライエッチングして、上記遮光膜を後述する光半透過膜パターンの形状に加工する。次に、後述する光半透過膜パターンの形状に加工された遮光膜をマスクとして、上記光半透過膜をドライエッチングして、光半透過膜パターンを形成する。次に、上記光半透過膜パターンの形状に加工された遮光膜上に電子線レジストを塗布し、電子線描画装置によって、パターン露光し、レジスト専用の現像液により現像し、所望形状のレジストパターンを形成する。次に、当該所望形状のレジストパターンをマスクとしてドライエッチング装置によって、所望のガスを用い、上記光半透過膜パターンの形状に加工された遮光膜をドライエッチングして、遮光膜パターンを形成する。これにより、本発明の位相シフトマスクが得られる。
次に、本発明の位相シフトマスクを用いるパターン形成体の製造方法について説明する。本発明の位相シフトマスクを用いるパターン形成体の製造方法は、上記マスクブランクスから形成された位相シフトマスクを用いるパターン形成体の製造方法であって、上記位相シフトマスクを用いて、ネガティブトーン現像によって、レジストパターンを形成する工程を有することを特徴とするものである。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
実施例1は、ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクであって、透明基板と、上記透明基板上に形成された光半透過膜パターンと、を有するものである。また、実施例1の位相シフトマスクは、上記光半透過膜パターン上に形成され、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)が、上記光半透過膜パターンと合わせて3となるよう調整した、遮光膜パターンと、をさらに有するものである。
実施例2は、ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクであって、透明基板と、上記透明基板上に形成された光半透過膜パターンと、を有するものである。また、実施例2の位相シフトマスクは、上記光半透過膜パターン上に形成され、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)が、上記光半透過膜パターンと合わせて3となるよう調整した、遮光膜パターンと、をさらに有するものである。
実施例3は、後述する表3に示されるように、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.35となり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.60となるものである点、実施例2と異なる。そして、これにより、実施例3は、上記光半透過膜パターンが、逆位相を得るために必要となる膜厚が60nmとなり、かつArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が20%となるものである点、実施例2と異なる。実施例3は、これら点を除いて、実施例2と同一の位相シフトマスクである。
実施例4は、後述する表3に示されるように、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.30となり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.50となるものである点、実施例2と異なる。そして、これにより、実施例4は、上記光半透過膜パターンが、逆位相を得るために必要となる膜厚が63nmとなり、かつArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が25%となるものである点、実施例2と異なる。実施例4は、これら点を除いて、実施例2と同一の位相シフトマスクである。
実施例5は、後述する表3に示されるように、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.25となり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.40となるものである点、実施例2と異なる。そして、これにより、実施例5は、上記光半透過膜パターンが、逆位相を得るために必要となる膜厚が67nmとなり、かつArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が30%となるものである点、実施例2と異なる。実施例5は、これら点を除いて、実施例2と同一の位相シフトマスクである。
比較例1は、ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクであって、透明基板と、上記透明基板上に形成された光半透過膜パターンと、を有するものである。また、比較例1の位相シフトマスクは、上記光半透過膜パターン上に形成され、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)が、上記光半透過膜パターンと合わせて3となるよう調整した、遮光膜パターンと、をさらに有するものである。
実施例1〜5および比較例1の位相シフトマスクについて、露光裕度の最大値(max EL)およびフォーカス裕度の最大値(max DoF)を、シミュレーションによって評価した。具体的には、下記のシミュレーション評価条件によって、転写特性を求めるアルゴリズムとしてKirchhoff法を用い、シミュレーションソフトウェアとしてPanoramic Technology社製 EM-Suite を使用して計算することによって評価した。
・NA: 1.35
・sigma: c-quad 0.95/0.80-30deg
・polarization:X/Y
・Target: 60nm HOLE (NTD)
・Pitch: 180, 240, 300nm
図15は、光透過率に対応するOPCバイアス値のシミュレーションの結果を表したグラフを示した図である。
図16は、シミュレーターにより取得したウエハ上の露光光強度分布のXY画像および露光光の強度を表したグラフを示した図である。図16においては、下段に、異なるピッチの位相シフトマスクごとに計算したウエハ上の露光光強度分布のXY画像を示し、上段に、光半透過膜を通過していない露光光の強度を1.0として、下段に示した露光光強度分布のXY画像の横軸方向の各位置において位相シフトマスクを通過した露光光の強度を表したグラフを示した。
図17−1〜図17−3は、実施例1および比較例1の位相シフトマスクにおけるパターン転写時のフォーカス裕度および露光裕度の関係を、シミュレーションの結果にて表したグラフを示した図である。図17−1〜図17−3においては、HOLE pitchが180nm、240nm、および300nmの位相シフトマスクについて、それぞれ、横軸をフォーカス裕度(DOF:Depth of Focus)、縦軸を露光裕度(EL:Exposure Latitude)とするグラフを示した。また、DOFが0nmの場合におけるEL(%)を表4に、ELが10%の場合におけるDOF(nm)を表5に示した。
図18は、光半透過膜の光透過率が38%である位相シフトマスクおよび光半透過膜の光透過率が6%である位相シフトマスクを想定して計算した、ウエハ転写空間光学像のコントラストを表したグラフを示した図である。図18においては、横軸をウエハに形成されるパターンのピッチ、縦軸を画像コントラストとするグラフを示した。
図19は、光半透過膜の光透過率が38%である位相シフトマスクおよび光半透過膜の光透過率が6%である位相シフトマスクを想定して計算した、OPCバイアスを表したグラフを示した図である。図19においては、横軸をウエハに形成されるパターンのピッチ、縦軸をOPCバイアスを伴う位相シフトマスクのパターン寸法(CD)とするグラフを示した。
本発明の位相シフトマスクにおける光半透過膜パターンの欠け耐性の評価を行った。具体的には、凸状のパターンを約10億本有する光半透過膜パターンを有する位相シフトマスクを洗浄液中で超音波を用いて洗浄する洗浄処理前後において、マスク検査装置によって、比較検査を実施した。これにより、洗浄処理前後において、凸状のパターンの欠けの有無を検査し、凸状のパターンの欠けを計数し、凸状のパターンの欠けのサイズを確認した。
(洗浄条件)
・洗浄条件:超音波洗浄
・超音波条件:2水準(低レベルおよび高レベル)
・洗浄回数:5回ずつ積算
Claims (20)
- ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを製造するために用いられるマスクブランクスであって、
透明基板と、前記透明基板上に形成され、SiおよびNのみからなる光半透過膜と、を有し、
前記光半透過膜は、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.2〜0.45の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.3〜2.7の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が15%〜38%の範囲内であり、さらに、膜厚が57nm〜67nmの範囲内であることを特徴とするマスクブランクス。 - 前記光半透過膜は、前記透明基板上に直接形成されたことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランクス。
- 前記光半透過膜上に形成され、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)が、前記光半透過膜と合わせて所望の光学濃度(OD値)となるよう調整した、遮光膜をさらに有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスクブランクス。
- 前記遮光膜は、前記光半透過膜上に形成され、前記光半透過膜に対するエッチングバリア機能およびArFエキシマレーザ露光光に対する光吸収機能を有する光吸収層を含む単層構造を有することを特徴とする請求項3に記載のマスクブランクス。
- 前記遮光膜は、前記光半透過膜上に形成され、前記光半透過膜に対するエッチングバリア機能およびArFエキシマレーザ露光光に対する光吸収機能を有する光吸収層と、前記光吸収層上に形成され、前記光吸収層に対するエッチングバリア機能を有するハードマスク層と、を含む2層構造を有することを特徴とする請求項3に記載のマスクブランクス。
- 前記遮光膜は、前記光半透過膜上に形成され、前記光半透過膜に対するエッチングバリア機能を有するエッチングバリア層と、前記エッチングバリア層上に形成され、ArFエキシマレーザ露光光に対する光吸収機能を有する光吸収層と、前記光吸収層上に形成され、前記光吸収層に対するエッチングバリア機能を有するハードマスク層と、を含む3層構造を有することを特徴とする請求項3に記載のマスクブランクス。
- 前記光吸収層が、珪素(Si)単体から構成されることを特徴とする請求項6に記載のマスクブランクス。
- 前記遮光膜は、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)が、前記光半透過膜と合わせて3.0以上となるよう調整したものであることを特徴とする請求項3から請求項7までのいずれかの請求項に記載のマスクブランクス。
- 請求項1から請求項8までのいずれかの請求項に記載のマスクブランクスと、前記マスクブランクス上に形成されたネガ型レジスト膜と、を有することを特徴とするネガ型レジスト膜付きマスクブランクス。
- ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクであって、
透明基板と、前記透明基板上に形成され、SiおよびNのみからなる光半透過膜パターン、またはSi、N、およびOのみからなる光半透過膜パターンと、を有し、
前記光半透過膜パターンは、ArFエキシマレーザ露光光の波長における消衰係数が0.2〜0.45の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における屈折率が2.3〜2.7の範囲内であり、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光透過率が15%〜38%の範囲内であり、さらに、膜厚が57nm〜67nmの範囲内であることを特徴とする位相シフトマスク。 - 前記光半透過膜パターンは、幅または奥行きが60nm以下である凸状のパターンを有することを特徴とする請求項10に記載の位相シフトマスク。
- 前記光半透過膜パターンは、ウェハに解像されるメインパターンおよび前記メインパターンの解像を補助するウェハに解像されない補助パターンを有し、前記補助パターンは、幅または奥行きが60nm以下である凸状のパターンであることを特徴とする請求項10に記載の位相シフトマスク。
- 前記光半透過膜パターンは、前記透明基板上に直接形成されたことを特徴とする請求項10から請求項12までのいずれかの請求項に記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフトマスクは、ネガ型の位相シフトマスクであることを特徴とする請求項10から請求項13までのいずれかの請求項に記載の位相シフトマスク。
- 前記光半透過膜パターン上に形成され、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)が、前記光半透過膜パターンと合わせて所望の光学濃度(OD値)となるよう調整した、遮光膜パターンをさらに有することを特徴とする請求項10から請求項14までのいずれかの請求項に記載の位相シフトマスク。
- 前記遮光膜パターンは、前記光半透過膜パターン上に形成され、前記光半透過膜パターンに対するエッチングバリア機能およびArFエキシマレーザ露光光に対する光吸収機能を有する光吸収層パターンを含む単層構造を有することを特徴とする請求項15に記載の位相シフトマスク。
- 前記遮光膜パターンは、前記光半透過膜パターン上に形成され、前記光半透過膜パターンに対するエッチングバリア機能を有するエッチングバリア層パターンと、前記エッチングバリア層パターン上に形成され、ArFエキシマレーザ露光光に対する光吸収機能を有する光吸収層パターンと、を含む2層構造を有することを特徴とする請求項15に記載の位相シフトマスク。
- 前記光吸収層パターンが、珪素(Si)単体から構成されることを特徴とする請求項17に記載の位相シフトマスク。
- 前記遮光膜パターンは、ArFエキシマレーザ露光光の波長における光学濃度(OD値)が、前記光半透過膜パターンと合わせて3.0以上となるよう調整したものであることを特徴とする請求項15から請求項18までのいずれかの請求項に記載の位相シフトマスク。
- 請求項1から請求項8までのいずれかの請求項に記載のマスクブランクスから形成された位相シフトマスクを用いるパターン形成体の製造方法であって、
前記位相シフトマスクを用いて、ネガティブトーン現像によって、レジストパターンを形成する工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016035559A (ja) * | 2014-08-04 | 2016-03-17 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法 |
JP2020042208A (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6551585B2 (ja) * | 2014-08-04 | 2019-07-31 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法 |
KR102564650B1 (ko) | 2015-03-24 | 2023-08-08 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법 |
JP6380204B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-08-29 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン露光方法 |
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JP6341129B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-06-13 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク |
JP6477159B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-03-06 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランクス及びハーフトーン位相シフトマスクブランクスの製造方法 |
JP6058757B1 (ja) * | 2015-07-15 | 2017-01-11 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP6346137B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-06-20 | 株式会社ニューギン | 遊技機 |
DE102016203094B4 (de) * | 2016-02-26 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Reparieren von Defekten fehlenden Materials einer photolithographischen Maske |
SG10202000604QA (en) * | 2016-08-26 | 2020-03-30 | Hoya Corp | Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing semiconductor device |
JP6677139B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2020-04-08 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法 |
JP6432636B2 (ja) * | 2017-04-03 | 2018-12-05 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
TWI659262B (zh) * | 2017-08-07 | 2019-05-11 | 日商Hoya股份有限公司 | 光罩之修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法 |
TWI639884B (zh) * | 2017-11-23 | 2018-11-01 | Powerchip Technology Corporation | 相移式光罩及其製作方法 |
WO2019167622A1 (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
TWI753152B (zh) * | 2018-04-12 | 2022-01-21 | 聯華電子股份有限公司 | 光罩以及形成圖案的方法 |
JP6579219B2 (ja) * | 2018-05-07 | 2019-09-25 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク |
CN111367142A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 | 一种包含不同透光性的新型光学掩膜版 |
KR20210121067A (ko) * | 2019-02-13 | 2021-10-07 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003322955A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hoya Corp | リソグラフィーマスクブランクの製造方法及びリソグラフィーマスク並びにハーフトーン型位相シフトマスクブランク |
JP2007241137A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2007241065A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP2009104195A (ja) * | 2003-10-23 | 2009-05-14 | Panasonic Corp | マスクデータ作成方法 |
WO2009157506A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
JP2010009038A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP2010237692A (ja) * | 2010-05-28 | 2010-10-21 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07199447A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Sony Corp | 単層ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその作製方法 |
JPH0815851A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Sony Corp | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法 |
JP3312708B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2002-08-12 | 株式会社東芝 | 位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
JP4322848B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2009-09-02 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
JP2002169265A (ja) | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Hoya Corp | フォトマスクブランクス及びフォトマスクブランクスの製造方法 |
JP2002258458A (ja) | 2000-12-26 | 2002-09-11 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
JP4387390B2 (ja) | 2000-12-26 | 2009-12-16 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクおよびマスクブランク、これらの製造方法、並びにパターン転写方法 |
US20020197509A1 (en) | 2001-04-19 | 2002-12-26 | Carcia Peter Francis | Ion-beam deposition process for manufacturing multi-layered attenuated phase shift photomask blanks |
JP2002323746A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位相シフトマスク及び、それを用いたホールパターン形成方法 |
JP2002351049A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Hitachi Ltd | フォトマスクおよびその製造方法 |
DE10307518B4 (de) | 2002-02-22 | 2011-04-14 | Hoya Corp. | Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung |
JP4707922B2 (ja) | 2002-04-26 | 2011-06-22 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
US7011910B2 (en) | 2002-04-26 | 2006-03-14 | Hoya Corporation | Halftone-type phase-shift mask blank, and halftone-type phase-shift mask |
JP4348536B2 (ja) | 2004-03-31 | 2009-10-21 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
TWI480675B (zh) | 2004-03-31 | 2015-04-11 | Shinetsu Chemical Co | 半色調相移空白光罩,半色調相移光罩,以及圖案轉移方法 |
JP4883278B2 (ja) | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP5023589B2 (ja) | 2006-07-21 | 2012-09-12 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよび該フォトマスクの設計方法 |
JP4554665B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
JP4914272B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2012-04-11 | エルピーダメモリ株式会社 | 投影露光用のレチクル、該投影露光用のレチクルの製造方法及び該レチクルを用いた半導体装置 |
JP2007193368A (ja) | 2007-04-24 | 2007-08-02 | Renesas Technology Corp | 電子装置の製造方法 |
JP2008310091A (ja) | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク |
US7868129B2 (en) * | 2007-07-12 | 2011-01-11 | Eastman Chemical Company | Sloped tubular reactor with spaced sequential trays |
EP2397900B1 (en) * | 2009-02-16 | 2014-10-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photomask and method for manufacturing a photomask |
JP5380703B2 (ja) | 2009-03-06 | 2014-01-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP5177567B2 (ja) | 2009-05-15 | 2013-04-03 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
IL213195A0 (en) * | 2010-05-31 | 2011-07-31 | Rohm & Haas Elect Mat | Photoresist compositions and emthods of forming photolithographic patterns |
JP2012203317A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003322955A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hoya Corp | リソグラフィーマスクブランクの製造方法及びリソグラフィーマスク並びにハーフトーン型位相シフトマスクブランク |
JP2009104195A (ja) * | 2003-10-23 | 2009-05-14 | Panasonic Corp | マスクデータ作成方法 |
JP2007241137A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2007241065A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
WO2009157506A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
JP2010009038A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP2010237692A (ja) * | 2010-05-28 | 2010-10-21 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016035559A (ja) * | 2014-08-04 | 2016-03-17 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法 |
JP2020042208A (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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---|---|---|
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