JP2012203317A - 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012203317A JP2012203317A JP2011069879A JP2011069879A JP2012203317A JP 2012203317 A JP2012203317 A JP 2012203317A JP 2011069879 A JP2011069879 A JP 2011069879A JP 2011069879 A JP2011069879 A JP 2011069879A JP 2012203317 A JP2012203317 A JP 2012203317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- film
- shift mask
- mask blank
- exposure wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る位相シフトマスクブランク11では、透明基板12よりも屈折率の大きな位相シフト膜13により所望の位相差を得るための膜厚を透明基板12の掘り込み量よりも小さくし、パターン倒れを抑制することが可能となる。また、本発明の位相シフト膜13は、露光波長での消衰係数kを0.1以下にすることで、露光波長での透過率を70%以上に調整可能である。したがって、従来のクロムレス位相シフトマスクの特徴である強い位相シフト効果を維持しつつ、パターン倒れを抑制することが可能となる。
【選択図】図1
Description
また、請求項11記載の発明は、請求項7〜9に何れか1項記載の位相シフトマスクブランクの前記遮光膜および前記位相シフト膜をドライエッチングによりパターニングする工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法である。
従来のクロムレス位相シフトマスクでは、所望の位相差を得るための透明基板の掘り込み量が大きく、寸法の細いパターンはアスペクト比(高さ/寸法)が大きくなり、マスク洗浄の際にパターンが倒れることが問題であった。
本発明においては、透明基板よりも屈折率の大きな位相シフト膜により所望の位相差を得るための膜厚を透明基板の掘り込み量よりも小さくし、パターン倒れを抑制することが可能となる。
図1において、位相シフトマスクブランク11は、露光波長に対して透明な基板12と、基板12上に成膜された位相シフト膜13と、位相シフト膜13上に成膜された遮光膜14と、遮光膜14上に成膜されたレジスト膜15からなる。
位相シフト膜13の露光波長に対する位相差φは170度以上180度以下であり、より好ましくは177度以上179度以下である。位相シフト膜13の膜厚dは、d=λ/(n−1)・φ/360で決定される。したがって、露光波長λ=193nm、屈折率n=2.0、位相差φ=177度の場合、膜厚dは95nmである。また、位相シフト膜13は、露光波長での透過率が70%以上となるように、露光波長での消衰係数kが0.1以下、より好ましくは0.05以下の材料を主成分とする。
上記、屈折率nと消衰係数kを有する材料は、膜厚低減と透過率確保のため、位相シフト膜全体の70%以上を占める必要がある。
金属は、Mo(モリブデン)、Ta(タンタル)、W(タングステン)、Zr(ジルコニウム)、Hf(ハウニウム)、V(バナジウム)、Nb(ニオブ)から選ばれる少なくとも1種以上であり、より好ましくはMoである。これらの材料の含有量の比率を適宜選択し、スパッタリング法により成膜することで、前記の屈折率と消衰係数と膜厚を有する位相シフト膜13を得る。
また、位相シフト膜13は、複数の異なる組成の膜を積層させて反射防止層とするようにしてもよい。この場合、露光波長に対する反射率を例えば20%以下、好ましくは15%以下に抑えることが、露光の際にフォトマスクと投影露光面との間での多重反射を抑制する上で望ましい。さらに、フォトマスクブランクやフォトマスクの反射検査に用いる波長(例えば257nm)に対する反射率を例えば30%以下とすることが、欠陥を高精度で検出する上で望ましい。
レジスト膜15の膜厚は、例えば50nm以上350nm以下の範囲である。特に、微細なパターン形成が求められるフォトマスクを作製する場合、パターン倒れを防止する上で、レジストパターンのアスペクト比が大きくならないようにレジスト膜15を薄膜化することが必要であり、200nm以下の膜厚が好ましい。
一方、レジスト膜15の膜厚の下限は用いるレジスト材料のエッチング耐性などの条件を総合的に考慮して決定され、一般的なレジスト材料を用いた場合、その膜厚は50nm以上とされるが、より好ましくは75nm以上とされる。
図2(a)は、レジスト膜15に対し、描画を施し、その後に現像処理を行い、レジストパターン16を形成する工程を示す。この際の描画は、光露光による方法もあるが、一般には、電子ビーム露光による方法が採用される。例えば、レジストとして化学増幅型のものを使用する場合、電子ビームのエネルギー密度は3〜40μC/cm2の範囲であり、この描画の後に加熱処理及び現像処理を施してレジストパターン16を得る。
本実施の形態において、アスペクト比の高さとは、位相シフト膜13への掘り込み量を指す。例えば図2(g)において、基板12上に残る位相シフト膜13のパターンの隣接する凸部との間、すなわち溝形状部分の深さ(=掘り込み量)aを挙げることができる。
また、言い換えると、基板12上に残る位相シフト膜13の凸部の高さaを挙げることができる。
また、本実施の形態で、アスペクト比の寸法とは、例えば図2(g)に示す溝形状部分の幅b1、または基板12上に残る位相シフト膜13の凸部の幅b2を挙げることができる。
12・・・露光波長に対して透明な基板
13・・・位相シフト膜
14・・・遮光膜
15・・・レジスト膜
16・・・レジストパターン
17・・・レジストパターン
18・・・位相シフトマスク
Claims (11)
- 露光波長に対して透明な基板上に、露光波長での屈折率nが前記基板の屈折率より高く、且つ、露光波長での消衰係数kが0.1以下の材料を主成分とする位相シフト膜を有することを特徴とする位相シフトマスクブランク。
- 前記材料の屈折率nは、193nmの露光波長で1.6以上であることを特徴とする請求項1に記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記位相シフト膜の露光波長での前記基板との位相差が170度以上180度以下、且つ、露光波長での透過率が70%以上となるように、前記位相シフト膜の膜厚を調整することを特徴とする請求項1または2記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記位相シフト膜は、Siを含む膜からなることを特徴とする請求項1乃至3に何れか1項記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記Siを含む膜は、Siの酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、もしくはSiおよび金属の酸化膜、窒化膜、酸窒化膜の単層膜、またはこれらの複数層膜もしくは傾斜膜を含むことを特徴する請求項1乃至4に何れか1項記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記金属は、Mo、Ta、W、Zr、Hf、V、Nbから選ばれる少なくとも1種以上であることを特徴とする請求項1乃至5に何れか1項記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記透明な基板上に設けられた位相シフト膜の上に、遮光膜を設けることを特徴とする請求項1乃至6に何れか1項記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記遮光膜は、遮光膜と位相シフト膜からなる遮光層の露光波長に対する透過率が0.1%以下になるように膜厚と組成を調整することを特徴とする請求項1乃至7に何れか1項記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記遮光膜は、Crを含む膜からなることを特徴とする請求項1乃至8に何れか1項記載の位相シフトマスクブランク。
- 請求項7乃至9に何れか1項記載の位相シフトマスクブランクの前記遮光膜および前記位相シフト膜が共にドライエッチングによりパターニングされている、
ことを特徴とする位相シフトマスク。 - 請求項7乃至9に何れか1項記載の位相シフトマスクブランクの前記遮光膜および前記位相シフト膜をドライエッチングによりパターニングする工程を有する、
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011069879A JP2012203317A (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011069879A JP2012203317A (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012203317A true JP2012203317A (ja) | 2012-10-22 |
Family
ID=47184354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011069879A Pending JP2012203317A (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012203317A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103901715A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜板及其制造方法 |
JP2020052195A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフト型フォトマスクブランク及び位相シフト型フォトマスク |
CN111913344A (zh) * | 2013-08-21 | 2020-11-10 | 大日本印刷株式会社 | 相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法 |
WO2022196692A1 (ja) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | 株式会社トッパンフォトマスク | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09311431A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2002156739A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク |
JP2008134214A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-06-12 | Lasertec Corp | マスク検査装置 |
JP2010009038A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP2010175655A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Hoya Corp | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用フォトマスクの製造方法 |
JP2010276960A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Toshiba Corp | 位相シフトマスク又はそのマスクデータの作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-03-28 JP JP2011069879A patent/JP2012203317A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09311431A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2002156739A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク |
JP2008134214A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-06-12 | Lasertec Corp | マスク検査装置 |
JP2010009038A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP2010175655A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Hoya Corp | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用フォトマスクの製造方法 |
JP2010276960A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Toshiba Corp | 位相シフトマスク又はそのマスクデータの作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103901715A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜板及其制造方法 |
CN111913344A (zh) * | 2013-08-21 | 2020-11-10 | 大日本印刷株式会社 | 相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法 |
JP2020052195A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフト型フォトマスクブランク及び位相シフト型フォトマスク |
WO2022196692A1 (ja) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | 株式会社トッパンフォトマスク | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6264238B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 | |
KR101787910B1 (ko) | 바이너리 포토마스크 블랭크 및 바이너리 포토마스크의 제조 방법 | |
US8029948B2 (en) | Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same | |
JP4883278B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
TWI627494B (zh) | 半色調相位移型空白光罩及其製造方法 | |
TWI474103B (zh) | 空白光罩、光罩及其製造方法 | |
JP4764214B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
WO2015025922A1 (ja) | マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法 | |
JP4930737B2 (ja) | フォトマスクブランク及びバイナリーマスクの製造方法 | |
KR101923272B1 (ko) | 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 포토마스크 | |
JP2007292824A (ja) | フォトマスクブランク | |
JP2006146152A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 | |
JP2010079110A (ja) | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 | |
KR101726466B1 (ko) | 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 제조 방법 | |
JPWO2018181891A1 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP4930736B2 (ja) | フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
JP2012203317A (ja) | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP4697495B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
JP6394496B2 (ja) | バイナリフォトマスクブランク、その製造方法、及びバイナリフォトマスクの製造方法 | |
JP4798401B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2014191176A (ja) | フォトマスクブランクス、フォトマスク及びその製造方法 | |
JP2020020868A (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2009271562A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 | |
JP2018063441A (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 | |
JP6551585B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141118 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150609 |