JP2008134214A - マスク検査装置 - Google Patents
マスク検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008134214A JP2008134214A JP2006350157A JP2006350157A JP2008134214A JP 2008134214 A JP2008134214 A JP 2008134214A JP 2006350157 A JP2006350157 A JP 2006350157A JP 2006350157 A JP2006350157 A JP 2006350157A JP 2008134214 A JP2008134214 A JP 2008134214A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- objective lens
- inspection apparatus
- pure water
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のマスク検査装置100では、マスク108のパターン面108cの裏面側に対物レンズ112を配置した構成になっているため、パターン面108cと、対物レンズ112との間に、空気層を形成させることなく、屈折率約1.44の純水114と屈折率約1.56のマスク基板108aだけであるため、液浸光学系を形成できる。これによって、同じ検査波長を用いた場合であっても、従来のマスク検査装置に比べ、分解能を向上することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施の形態1に係るマスク検査装置について、図1を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係るマスク検査装置100の構成を示す図である。図1に示すように、マスク検査装置100は、検査光源130、ハーフミラー101、レンズ102a〜d、均一化光学系103a、b、偏光ビームスプリッタ104、λ/4波長板105、コンデンサーレンズ106、投影レンズ107、二次元センサ109、ミラー111a、b、対物レンズ112、水槽113、純水114を備えている。本実施の形態に係るマスク検査装置100は、マスク基板108a上に形成されたパターン面108cの外側を囲むように配置されたフレーム108dと、これに貼り付けられたペリクル108bとからなる完成したマスクの検査を行うものである。本実施の形態においては、マスク基板108aとしては、屈折率が約1.5608の合成石英を用いることができる。
次に、本発明の実施形態2について、図2を参照して説明する。図2は本実施の形態に係るマスク検査装置200の構成を示す図である。図2に示すように、本実施の形態に係るマスク検査装置200は、検査光源200、ハーフミラー201、レンズ202a〜d、均一化光学系203a、b、偏光ビームスプリッタ204、λ/4波長板205、コンデンサーレンズ206、投影レンズ207、二次元センサ209、ミラー211a、b、対物レンズ212、純水214、純水供給部215、純水吸引部216を備えている。実施の形態1と重複する内容については、説明を省略する。
本発明の実施の形態3に係る、マスク検査装置について図3を参照して説明する。図3は、実施の形態3に係る本実施の形態に係るマスク検査装置300の一部の構成を示す図である。本実施の形態において、実施の形態1と異なる点は、マスク検査装置に用いられる液浸部分である。なお、図3において、光学的な基本構成は図1に示した実施の形態1と同じであるため、図示を省略している。図3は、マスク検査装置300の液浸部分の構成を示している。
本発明の実施の形態4に係るマスク検査装置について、図10を参照して説明する。図10は、実施の形態4に係るマスク検査装置500の構成を示す図である。上述の実施の形態1−3では、ArFあるいはKrFリソグラフィで用いられるペリクル付きの普通のマスクを対象としたマスク検査装置であるが、本実施の形態ではペリクルが無いインプリントマスクを検査対象としている。特に、種々のインプリントマスクの中でも、マスクが石英などの透明な光学材から成る場合は、実施の形態1で示したマスク検査装置がそのまま適用できる。図10に示すように、マスク検査装置500は、基本的には、図1に示したArFやKrF用マスクを対象としたマスク検査装置100と同様な構造になっている。
本発明の実施の形態5に係るマスク検査装置について、図11を参照して説明する。図11は、本実施の形態に係るマスク検査装置600の構成を示す図である。本実施の形態に係るマスク検査装置600もまた、実施の形態5と同様に、インプリントマスクを検査対象としている。
本発明の実施の形態6に係るマスク検査装置について、図13を参照して説明する。図13は、本実施の形態に係るマスク検査装置700の構成を示す図である。マスク検査装置700は、EUVマスクを検査対象としている。マスク検査装置700では、照明光としての波長193nmのレーザ光L71はS波になっている。このため、検査光源730からのレーザ光L71は、偏光ビームスプリッタ705で反射して下方に進み、λ/4波長板706を通過して円偏光になってから、対物レンズ707を通って、EUVマスク701のパターン面702を照射する。照明されたパターン面702からの光学象が、対物レンズ707を通ってレーザ光L72のように上方に進み、再びλ/4波長板706を通ることで今度はP波となって偏光ビームスプリッタ705を透過し、投影レンズ708を通って、二次元センサ709上に拡大投影される。さらに、マスク701で反射した反射光は、上記の実施の形態と同様に、λ/4波長板706と通過するため、P偏光となる。よって、光の利用効率を向上することができる。
本発明の実施の形態7に係るマスク検査装置について、図17〜図19を参照して説明する。図17は、本実施の形態に係るマスク検査装置100の構成を示す図である。図18は、本実施の形態の液浸型の対物レンズ112Aの構成を示す図である。同図(a)は対物レンズ112Aを上から(最端レンズ115側から)見た図であり、同図(b)はその断面図である。また、図19は、マスクのパターン領域108eと対物レンズ112Aの相対位置を説明するための図である。同図(a)はマスク108の上面から見た図であり、同図(b)は側面から見た図である。本実施の形態において、図1に示す実施の形態1に係るマスク検査装置100と異なる点は、対物レンズ112の構造である。図17において、図1に示すマスク検査装置と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
本発明の実施の形態8に係るマスク検査装置について、図24を参照して説明する。図24は、本実施の形態に係るマスク検査装置のマスク固定機構の構成を示す図である。図24(a)は、マスク固定機構を上側から見た図であり、同図(b)は側面から見た図である。
102a〜d レンズ、 103a、b 均一化光学系、
104 偏光ビームスプリッタ、 105 λ/4波長板、
106 コンデンサーレンズ、 107 投影レンズ、
108 マスク、 108a マスク基板、 108b ペリクル、
108c パターン面、 108d フレーム、
108e パターン領域、 109 二次元センサ、
111a,b ミラー、
112、112A、112B、112C 対物レンズ、
112a、112c ボディー、
113 水槽、 114 純水、 115 最端レンズ、
116、116a、b 純水供給口、
117、117a、b 第一純水吸引口、
118 第二純水吸引口、 119a、b ドライエアー噴出口、
120、120B 半導体レーザ、 121 集光レンズ、
122a、b 三角プリズム、 123 二分割センサ、
124 信号線、 130 検査光源、
140 段差部、 150 アームの爪、
200 マスク検査装置、
201 ハーフミラー、 202a〜d レンズ、
203a、b 均一化光学系、 204 偏光ビームスプリッタ、
205 λ/4波長板、 206 コンデンサーレンズ、
207 投影レンズ、 208 マスク、 208a マスク基板、
208b ペリクル、 208c パターン面、
208d フレーム、 208e パターン領域、
209 二次元センサ、 211a,b ミラー、
212 対物レンズ、 214 純水、
215 純水供給部、 216 純水吸引部、
220 対物レンズ、 221 最端レンズ、
222a〜d 純水供給口、
223a〜d 第一純水吸引口、 224 第二純水吸引口、
230 検査光源 、
240 マスク固定機構、 241 L字型固定板、
242a、b 固定板、 243a〜g パッド、
244a、bアーム、 245a、b 真空吸引管、
250 マスク固定機構、 251a、b 純水受け板、
252a〜d アームの爪、 253 アーム、
300 マスク検査装置、
301 マスク、 301a マスク基板、 301b ペリクル、
301c パターン面、 302、302B、302B' 対物レンズ、
303 供給用チューブ、 304 吐出部、 305 純水、
306 受け皿、 307 排出用チューブ、 308 パターン領域、
312 凸型反射面、 313 凹型反射面、 321 最端レンズ、
322a、b 吐出部、 323 カット部、 330 対物レンズ、
331 最端レンズ、 332a、b 吐出部、 333 吸引部、
340 対物レンズ、 341 最端レンズ、 342a、b 吐出部、
343 吸引部、 345 空気吐出部、 346 チューブ接続口、
400a、b 対物レンズ、 401a、b マスク基板、
402a、b パターン面、 403a、b スペーサ、
404a、b ペリクル、 500 マスク検査装置、
501 ハーフミラー、 502a〜d レンズ、
503a、b 均一化光学系、 504 偏光ビームスプリッタ、
505 λ/4波長板、 506 コンデンサーレンズ、
507 投影レンズ、 508 インプリントマスク、
508c パターン面、 509 二次元センサ、
511a,b ミラー、 512 対物レンズ、 513 水槽、
514 純水、 530検査光源 、
600 マスク検査装置、 601 ハーフミラー、
602a〜d レンズ、 603a、b 均一化光学系、
604 偏光ビームスプリッタ、 605 λ/4波長板、
606 コンデンサーレンズ、 607 投影レンズ、
608 インプリントマスク、 608c パターン面、
609 二次元センサ、 611a,b ミラー、
612 対物レンズ、 614 純水、 615 パターン領域、
616 吐出部、 617 吸引部、 618 最端レンズ、
630 検査光源 、
700 マスク検査装置、 701 EUVマスク、
702 パターン面、 705 偏光ビームスプリッタ、
706 λ/4波長板、 707 対物レンズ、
708 投影レンズ、 709 二次元光センサ、
710 水槽、 711 高屈折率液体、 730 検査光源、
800 従来のマスク検査装置、 801 マスク基板、
802 パターン面、 803a、b スペーサ、
804 ペリクル、 805 偏光ビームスプリッタ、
806 λ/4波長板、 807 対物レンズ、
808 投影レンズ、 809 二次元センサ、
810 マスク、 900 液浸露光装置、 901 マスク、
902 ウエハ、 903 縮小投影光学系、 904 純水、
905 ウエハステージ、 906 純水供給部、
907 純水吸引部、 L01〜12、21〜27、51〜59 レーザ光、
61〜67、71、72、81〜83 レーザ光、 D1 回折光
Claims (20)
- マスク基板に設けられたパターンを観察して、マスクを検査するマスク検査装置であって、
対物レンズを有し、
前記対物レンズの前記マスク側の最端レンズと前記マスクとの間が液体で満たされているマスク検査装置。 - 前記対物レンズが前記マスク基板のパターン面と反対側に配置される請求項1に記載のマスク検査装置。
- 前記対物レンズは、前記マスクの上側に配置され、
前記マスク基板の反パターン面に前記液体を供給する供給部と、
前記液体を吸引する吸引部とが設けられている請求項2に記載のマスク検査装置。 - 前記対物レンズは、前記マスクの下側に配置されている請求項2に記載のマスク検査装置。
- 前記対物レンズは、前記液体を供給する吐出口を有し、
前記吐出口は、スキャン方向の上流側に設けられている請求項4に記載のマスク検査装置。 - 前記吐出口は、少なくともスキャン方向の上流側及び下流側に設けられ、
前記対物レンズは、前記スキャン方向に対して垂直な方向に前記液体を排出する切欠部を備える請求項5に記載のマスク検査装置。 - 前記対物レンズは、前記吐出口を囲むように設けられ、前記液体を吸引する吸引口を有する請求項5に記載のマスク検査装置。
- 前記対物レンズは、前記吸引口を囲むように設けられ、気体を吐出する気体吐出口を有する請求項7に記載のマスク検査装置。
- 前記液体を溜める容器をさらに備え、
前記マスクのパターン面と反対側の面が前記液体と接するように、前記マスクが前記容器内に配置されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のマスク検査装置。 - 前記パターン面が上側に設けられ、かつ前記対物レンズが前記容器の下側に配置された状態で、前記容器内における前記マスクのパターン面までの高さを測定する測定部をさらに備える請求項9に記載のマスク検査装置。
- 前記対物レンズは、軸対称な反射屈折型である請求項1乃至10のいずれかに記載のマスク検査装置。
- 前記マスクがペリクル付きのマスクであることを有する請求項1乃至11のいずれかに記載のマスク検査装置。
- 前記マスクは、インプリントマスクである請求項1乃至11のいずれかに記載のマスク検査装置。
- 前記マスクを保持する保持部材を有し、
前記対物レンズのボディー上端面に、前記保持部材に対応した段差部が形成されている請求項4乃至8のいずれかに記載のマスク検査装置。 - 前記段差部は、前記対物レンズのボディーの上端面に向かい合うように形成されている請求項14に記載のマスク検査装置。
- 前記段差部は、前記対物レンズのボディーの上端面において、周囲を取り囲むように形成されている請求項14に記載のマスク検査装置。
- 前記マスクの検査中のマスクのスキャン方向を前記マスクの最大パターン領域の長手方向に平行にすることを特徴とする請求項14乃至16のいずれか1項に記載のマスク検査装置。
- 前記マスクと前記対物レンズとが相対的に移動する際に、前記対物レンズの光軸方向に関する向きが、前記移動方向によって変化できるように、前記対物レンズが回転可能に保持されている請求項1乃至17のいずれかに記載のマスク検査装置。
- 前記マスクの4辺のうち、少なくとも2辺に近接するように、前記マスクのマスク基板面と略同じ高さになるように配置された平面板を備える請求項3に記載のマスク検査装置。
- 前記対物レンズは、前記最端レンズを囲むように設けられた複数の吐出口を有し、
前記対物レンズが前記マスクに対して相対的に停止した際に、前記複数の吐出口から前記液体を供給する請求項1乃至4のいずれかに記載のマスク検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006350157A JP5177736B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-12-26 | マスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006298199 | 2006-11-01 | ||
JP2006298199 | 2006-11-01 | ||
JP2006350157A JP5177736B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-12-26 | マスク検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008134214A true JP2008134214A (ja) | 2008-06-12 |
JP5177736B2 JP5177736B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=39559155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006350157A Expired - Fee Related JP5177736B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-12-26 | マスク検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5177736B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009264739A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Nec Corp | 光学式外観検査装置及び光学式外観検査方法 |
JP2010078400A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | テンプレート検査方法および欠陥検査装置 |
JP2012203317A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2013254769A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびマスク |
KR101374787B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2014-04-17 | (주)뮤텍코리아 | 레이저 빔 형상 검사장치 |
JP2014085217A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Nuflare Technology Inc | 焦点位置検出装置、検査装置、焦点位置検出方法および検査方法 |
JP2014145938A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 反射型マスクの検査装置、露光装置、反射型マスクを検査する方法及び露光方法 |
JP2014146709A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 反射型マスクの検査装置、露光装置、反射型マスク、反射型マスクを検査する方法及び露光方法 |
JP2015225015A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 株式会社レイテックス | 欠陥判定装置及び欠陥判定方法 |
US9746430B2 (en) | 2014-12-01 | 2017-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical inspecting apparatus |
JP2018077148A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | 検査方法 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04340242A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-11-26 | Hitachi Ltd | 顕微鏡 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH11251225A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Nikon Corp | 結像系、該結像系を備えた露光装置、前記結像系の使用方法、及び前記露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
JPH11287631A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-19 | Lintec Corp | 観測装置 |
JP2002162655A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sony Corp | 光学装置 |
JP2003084426A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Sony Corp | マスク検査装置およびマスク検査方法 |
JP2004020404A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Ltd | 半導体デバイスの計測または観察方法およびその装置 |
JP2004125411A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 試料面の高さ位置調整方法 |
JP2005517217A (ja) * | 2002-02-06 | 2005-06-09 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 複数検出器顕微鏡検査システム |
JP2005156516A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
WO2005076077A2 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Mask inspection apparatus and method |
JP2005268759A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 光学部品及び露光装置 |
WO2006005703A1 (de) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung zur inspektion eines mikroskopischen bauteils |
JP2006093721A (ja) * | 2005-10-04 | 2006-04-06 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
WO2006106851A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
2006
- 2006-12-26 JP JP2006350157A patent/JP5177736B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04340242A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-11-26 | Hitachi Ltd | 顕微鏡 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH11251225A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Nikon Corp | 結像系、該結像系を備えた露光装置、前記結像系の使用方法、及び前記露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
JPH11287631A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-19 | Lintec Corp | 観測装置 |
JP2002162655A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sony Corp | 光学装置 |
JP2003084426A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Sony Corp | マスク検査装置およびマスク検査方法 |
JP2005517217A (ja) * | 2002-02-06 | 2005-06-09 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 複数検出器顕微鏡検査システム |
JP2004020404A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Ltd | 半導体デバイスの計測または観察方法およびその装置 |
JP2004125411A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 試料面の高さ位置調整方法 |
JP2005156516A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
WO2005076077A2 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Mask inspection apparatus and method |
JP2005268759A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 光学部品及び露光装置 |
WO2006005703A1 (de) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung zur inspektion eines mikroskopischen bauteils |
WO2006106851A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2006093721A (ja) * | 2005-10-04 | 2006-04-06 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009264739A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Nec Corp | 光学式外観検査装置及び光学式外観検査方法 |
JP2010078400A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | テンプレート検査方法および欠陥検査装置 |
JP4679620B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | テンプレート検査方法および欠陥検査装置 |
US8227267B2 (en) | 2008-09-25 | 2012-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Template inspection method and manufacturing method for semiconductor device |
JP2012203317A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
KR101374787B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2014-04-17 | (주)뮤텍코리아 | 레이저 빔 형상 검사장치 |
JP2013254769A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびマスク |
US9298080B2 (en) | 2012-06-05 | 2016-03-29 | Renesas Electronics Corporation | Mask for performing pattern exposure using reflected light |
JP2014085217A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Nuflare Technology Inc | 焦点位置検出装置、検査装置、焦点位置検出方法および検査方法 |
US9557277B2 (en) | 2012-10-23 | 2017-01-31 | Nuflare Technology, Inc. | Inspection apparatus and inspection method |
JP2014145938A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 反射型マスクの検査装置、露光装置、反射型マスクを検査する方法及び露光方法 |
JP2014146709A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 反射型マスクの検査装置、露光装置、反射型マスク、反射型マスクを検査する方法及び露光方法 |
JP2015225015A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 株式会社レイテックス | 欠陥判定装置及び欠陥判定方法 |
US9746430B2 (en) | 2014-12-01 | 2017-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical inspecting apparatus |
JP2018077148A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | 検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5177736B2 (ja) | 2013-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5177736B2 (ja) | マスク検査装置 | |
US7796343B2 (en) | Photomask inspection apparatus | |
JP5723670B2 (ja) | 光学システム、検査システムおよび製造方法 | |
US9588421B2 (en) | Pellicle inspection apparatus | |
TWI413870B (zh) | Detection device, moving body device, pattern forming device and pattern forming method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method | |
TWI550357B (zh) | A inspection method, an inspection apparatus, an exposure management method, an exposure system, and a semiconductor element | |
JP4513299B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
TWI557513B (zh) | 疊對測量裝置及使用該疊對測量裝置之微影裝置及器件製造方法 | |
CN101655463B (zh) | 物体表面上的颗粒检测 | |
WO2007136052A1 (ja) | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP2013506149A (ja) | 時間差レチクル検査 | |
JP5008012B2 (ja) | 検査装置、及び検査方法 | |
WO2011030930A1 (en) | Catadioptric System, Aberration Measuring Apparatus, Method of Adjusting Optical System, Exposure Apparatus, and Device Manufacturing Method | |
JP2008300775A (ja) | クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP5112385B2 (ja) | 任意パターンを有するパターニングデバイス上のパーティクル検出 | |
KR20230044214A (ko) | 입자 검사 시스템의 처리량 개선을 위한 이중 스캐닝 광학 기계식 구성체 | |
JP2013044578A (ja) | 基板検査方法及び装置 | |
WO2015161949A1 (en) | Compact two-sided reticle inspection system | |
JP2010139593A (ja) | Euvマスク検査装置 | |
JP2009003172A (ja) | マスク検査装置、マスク検査方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2017187547A (ja) | Euvマスク検査装置、及びフォーカス調整方法 | |
JP5024842B1 (ja) | 検査装置、及び検査方法 | |
JP2007288039A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法、液体処理装置 | |
JP4985812B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JPH11260709A (ja) | 露光装置および該露光装置に用いられるマスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091104 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5177736 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |