JP2013254769A - 半導体装置の製造方法およびマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、反射型マスクであるEUVマスクMSK1の表面PS1で反射されたEUV光を用いて、基板上に形成されたレジスト膜をパターン露光する露光工程を含む。この露光工程では、EUVマスクMSK1は、裏面PS2が洗浄され、洗浄された裏面PS2がマスクステージに接触した状態で保持されている。また、EUVマスクMSK1は、側面SS1の撥水性が、表面PS1の撥水性よりも高くなっている。この露光工程後、パターン露光されたレジスト膜を現像することで、レジストパターンを形成する。
【選択図】図3
Description
一実施の形態である半導体装置の製造工程について、図面を参照しながら説明する。本実施の形態1の半導体装置の製造工程は、半導体基板(以下「ウェハ」とも称する。)の主面上に形成されたレジスト膜を、EUV光を露光光として用いてパターン露光する露光工程を含む。
初めに、実施の形態1の半導体装置の製造工程に含まれる露光工程を行うための露光装置について説明する。この露光装置は、半導体基板の主面上に形成されたレジスト膜を、EUV光を露光光として用いてパターン露光する露光装置である。
次に、本実施の形態1におけるEUVマスクの概要および構成を、図2〜図4を参照しながら説明する。図2は、実施の形態1のEUVマスクの表面を模式的に示す平面図である。図3は、実施の形態1のEUVマスクの一部を示す要部断面図である。図4は、接触角の測定方法と接触角について説明するための図である。
図5〜図7は、実施の形態1のEUVマスクの変形例の一部を示す要部断面図である。図5は、マスク基体(マスク用基板)MSから吸収体パターンABS(吸収体膜AF)に亘り、側面SS1の撥水化処理が施されている変形例である。図6は、マスク基体(マスク用基板)MSからキャッピング層CAPまでは、側面SS1の撥水化処理が施されているが、吸収体パターンABS(吸収体膜AF)は側面の撥水化処理が施されていない変形例である。図7は、マスク基体(マスク用基板)MS4の材料自体が、撥水性を有する変形例である。なお、図5〜図7のEUVマスクのうち図3のEUVマスクの部材と同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
続いて、EUVマスクの裏面を洗浄するマスク裏面洗浄工程について説明する。図8は、実施の形態1のマスク裏面洗浄工程を行うための洗浄装置の構成を模式的に示す断面図である。図9および図10は、実施の形態1のマスク裏面洗浄工程を行うための洗浄装置の構成を模式的に示す平面図である。図8は、図9のA−A線に沿った断面図であり、図10のB−B線に沿った断面図でもある。なお、図10では、図9において、撥水性プレート14を外した状態を図示している。
続いて、上記したマスク裏面洗浄工程が含まれており、露光装置1(図1参照)を用いてウェハを露光する露光工程について、図11を参照しながら説明する。図11は、実施の形態1の露光工程の一部を示すフロー図である。
続いて、上記した露光工程を含む半導体装置の製造工程について、図12〜図16を参照しながら説明する。図12〜図16は、実施の形態1の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
図17は、比較例のEUVマスクの一部を示す要部断面図である。図18〜図20は、比較例のEUVマスクにおいて、裏面に異物が付着したときに露光用パターンの位置ずれが発生することを説明するための断面図である。図21は、EUVマスクを洗浄する際に、異物がさらに付着することを説明するための断面図である。
OPD0=θ・Δz (1)
により表される。
IPD0=t・φ (2)
により表される。
本実施の形態1では、図3に示したように、EUVマスクMSK1の側面SS1には、撥水性を有する側面表面部(側面部)REP1が形成されている。また、側面表面部(側面部)REP1が形成されていることで、側面SS1の撥水性が、裏面(第2主面)PS2の撥水性よりも高い。
次に、実施の形態2の半導体装置の製造工程について説明する。前述した実施の形態1では、EUVマスクを用いた露光工程を含む半導体装置の製造工程について説明した。それに対して、実施の形態2では、実施の形態1で説明したEUVマスクを用いた露光工程を含む半導体装置の製造工程を、NANDゲート回路の製造工程に適用した例について説明する。
次に、実施の形態3の半導体装置の製造工程について説明する。前述した実施の形態1では、EUVマスクを用いた露光工程を含む半導体装置の製造工程について説明した。それに対して、実施の形態3では、実施の形態1で説明したEUVマスクを用いた露光工程を含む半導体装置の製造工程を、複数製品、複数ロットの半導体集積回路装置の製造工程に適用した例について説明する。
1a 露光機構部
2 EUV光源
2a 露光光
2b 反射光
3 反射型照明光学系
4 マスクステージ(保持部)
4a 静電チャック
4b 下面(表面)
5 縮小投影光学系
6 ウェハステージ
10 洗浄装置
11 スピナー
12 マスク押さえピン
13 駆動装置
14 撥水性プレート
14a 上面
15 落下防止爪
16 ブラシ
17 洗浄液(リンス液)
17a 洗浄液
17b 表面
18 異物
19 貯留槽
21 ウェハ
21a 主面
22 被加工膜(被エッチング膜)
22a パターン
23 レジスト膜(フォトレジスト膜)
23a レジストパターン
101a〜101c 透過領域
101d〜101f 反射領域
102a〜102c 吸収領域
102d〜102f 吸収領域
110 単位セル
111n n+型拡散層
111p p+型拡散層
112 導電膜
112A ゲート電極
113 金属プラグ
114A〜114C 配線
115、119、120 絶縁膜
116 窒化シリコン膜
117 レジスト膜(フォトレジスト膜)
117a〜117f レジストパターン
118 溝
120A ゲート絶縁膜
121a〜121c 層間絶縁膜
122 第2層配線
ABS 吸収体パターン
AF 吸収体膜
BUF バッファ層
CAP キャッピング層
CF 導電膜
CNT コンタクトホール
DRP 液滴
F 出力
I1、I2 入力
M1〜M6 マスク
M21〜M29、MSK1〜MSK4 EUVマスク
MA1〜MA4 アライメントマークエリア
MDE デバイスパターンエリア、
ML 多層反射膜(反射膜)
MS、MS4 マスク基体(マスク用基板)
ND 2入力NANDゲート回路
NW n型ウェル領域
PER ペリクル
PS1 パターン面(表面、第1主面)
PS2 裏面(第2主面)
PW p型ウェル領域
Qn nチャネル型MISFET
Qp pチャネル型MISFET
REP1〜REP4 側面表面部
S 半導体基板
SG 素子分離溝
SPC スペース部(開口部)
SS1 側面
VIA スルーホール
W ウェハ
Claims (13)
- (a)表面と、前記表面とは反対側の裏面と、前記表面と前記裏面との間に配置された側面と、前記表面に形成された露光用パターンと、を有し、前記裏面が洗浄されたマスクを用意する工程、
(b)前記マスクを保持する保持部と前記裏面とが接触した状態で、前記保持部により前記マスクを保持する工程、
(c)基板の主面に形成された被エッチング膜上にレジスト膜を形成する工程、
(d)前記保持部により保持されている前記マスクの前記表面に露光光を照射し、照射された露光光が前記表面で反射された反射光を用いて、前記レジスト膜をパターン露光する工程、
(e)パターン露光された前記レジスト膜を現像することで、前記露光用パターンが転写されたレジストパターンを形成する工程、
(f)前記レジストパターンをエッチング用マスクとして用いて、前記被エッチング膜をエッチングする工程、
を有し、
前記マスクの前記側面の撥水性が、前記マスクの前記表面の撥水性よりも高い、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程において、前記表面と、前記裏面と、前記側面と、前記露光用パターンと、前記裏面に形成された導電膜と、を有し、前記裏面および前記導電膜が洗浄された前記マスクを用意し、
前記(b)工程において、前記保持部と前記裏面とが接触した状態で、前記保持部が前記導電膜を静電吸着することで、前記保持部により前記マスクを保持する、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程において、前記表面と、前記裏面と、前記側面と、前記表面に形成され前記露光光を反射する反射膜、および、前記反射膜上に形成され前記露光光を吸収する吸収体パターンを含む前記露光用パターンと、前記側面に形成された側面部と、を有し、前記裏面が洗浄された前記マスクを用意し、
前記側面部の撥水性は、前記表面の撥水性よりも高い、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程において、前記表面と、前記裏面と、前記側面と、前記露光用パターンと、を有する前記マスクを、前記裏面が上向きの状態で回転させ、前記裏面に洗浄液を供給するとともに、前記裏面をブラシにより洗浄することで、前記裏面が洗浄された前記マスクを用意する工程、
を含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記側面の水に対する接触角が70度以上である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記側面がフッ素化されている、半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記露光光は、極端紫外光である、半導体装置の製造方法。 - 表面と、前記表面とは反対側の裏面と、前記表面と前記裏面との間に配置された側面と、前記表面に形成された露光用パターンと、を有し、前記表面に照射された露光光が前記表面で反射された反射光を用いてパターン露光を行うためのマスクであって、
前記側面の撥水性が、前記表面の撥水性よりも高い、マスク。 - 請求項8記載のマスクであって、
前記裏面に形成された導電膜を有し、
前記マスクを保持する保持部と前記裏面とが接触した状態で、前記保持部が前記導電膜を静電吸着することで、前記保持部により保持される、マスク。 - 請求項8記載のマスクであって、
前記側面に形成された側面部を有し、
前記露光用パターンは、前記表面に形成され前記露光光を反射する反射膜、および、前記反射膜上に形成され前記露光光を吸収する吸収体パターンを含み、
前記側面部の撥水性は、前記表面の撥水性よりも高い、マスク。 - 請求項8記載のマスクであって、
前記側面の水に対する接触角が70度以上である、マスク。 - 請求項8記載のマスクであって、
前記側面がフッ素化されている、マスク。 - 請求項8記載のマスクであって、
前記露光光は、極端紫外光である、マスク。
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