JP2009264739A - 光学式外観検査装置及び光学式外観検査方法 - Google Patents

光学式外観検査装置及び光学式外観検査方法 Download PDF

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Abstract

【課題】高解像度を維持又は向上させつつ、十分な焦点深度を確保することのできる光学式外観検査装置及び光学式外観検査方法を提供する。
【解決手段】被検査体9に検査光4を照射する検査光照射部と、該検査光照射部から照射された検査光4に対して被検査体9を位置決めする位置決め部8と、被検査体9に反射した検査光4の反射光と被検査体9を透過した検査光4の透過光とのうち少なくとも一方を受光する受光部と、該受光部で受光した前記反射光と前記透過光とのうち少なくとも一方に基づいて画像処理を行う画像処理部とを備えた光学式外観検査装置において、内部に被検査体9を収容すると共に液体Wが充填されて、被検査体9に向かう検査光4を屈折させる液浸収容部a5を備えることを特徴とする。
【選択図】図2

Description

本発明は、微細構造を有するマスク原盤等、特に、液晶や半導体集積回路等の回路を転写する際に用いられるレクチルに付着した異物や製造上の欠陥を検査するのに好適な光学式外観検査装置及び光学式外観検査方法に関するものである。
近年、半導体素子の高集積化が進んでおり、半導体素子の回路原版となるレクチルの回路パターンも微細化が進んでいる。これに伴って、レクチルに付着した異物や製造上の欠陥を検査する光学式の検査装置も高解像度(高分解能)のものが必要となっている。
従来の技術では、一般に光学式の検査装置の解像度(分解能)が、検査光の光源の波長数に反比例すると共に被検査対象に最も近接する対物レンズの開口数(以下、NA)に比例して向上することから、光源を短波長化したり、開口数を大きくしたりして高解像度化を図っていた。例えば、下記特許文献1に開示される高精度パターンの外観検査装置では、光源の波長を比較的短波長である363.8nmとしたUV光を用いて高解像度化を図り、欠陥検出の精度を向上させている。
特開平10−185531号公報
ところで、上記特許文献1のように光源を短波長化するよりも、対物レンズを高NA化するほうが比較的に簡単であるが、高NA化したものでは焦点深度が小さくなる。例えば、NAが0.8を超えると焦点深度は0.1μm〜0.3μmと非常に小さくなってしまい、合焦点(ピント)位置を制御することが大変難しくなってしまうという問題があった。そして、このように高NA化した検査装置によってレチクルの検査を行うと、焦点制御に誤差が発生し、異物や欠陥を正常に検出できないという問題があった。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、高解像度を維持又は向上させつつ、十分な焦点深度を確保することのできる光学式外観検査装置及び光学式外観検査方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用している。
光学式外観検査装置に係る第一の解決手段として、被検査体に検査光を照射する検査光照射部と、該検査光照射部から照射された前記検査光に対して前記被検査体を位置決めする位置決め部と、前記被検査体に反射した前記検査光の反射光と前記被検査体を透過した前記検査光の透過光とのうち少なくとも一方を受光する受光部と、該受光部で受光した前記反射光と前記透過光とのうち少なくとも一方に基づいて画像処理を行う画像処理部とを備えた光学式外観検査装置において、内部に前記被検査体を収容すると共に液体が充填されて、前記被検査体に向かう検査光を屈折させる液浸収容部を備える、という手段を採用する。
これにより、被検査体に向かう検査光が液体で屈折して被検査体に照射される。
また、光学式外観検査装置に係る第二の解決手段として、上記光学式外観検査装置に係る第一の解決手段において、前記液浸収容部は、前記検査光を入光させる透明窓を備える、という手段を採用する。
これにより、透明窓から検査光を取り込んで被検査体に検査光を照射することができる。
また、光学式外観検査装置に係る第三の解決手段として、上記光学式外観検査装置に係る第一又は第二の解決手段において、前記液浸収容部は、脱着可能な容器である、という手段を採用する。
これにより、液浸収容部を検査光照射部や位置決め部から別離することができる。
また、光学式外観検査装置に係る第四の解決手段として、上記光学式外観検査装置に係る第一から第三のうちいずれかの解決手段において、内部に液体が充填されると共に前記検査光照射部と前記液浸照射部との間に配されて、前記液浸収容部に入射する前記検査光を予備的に屈折させる液体充填部を備える、という手段を採用する。
これにより、被検査体に向かう検査光が複数回屈折する。
また、光学式外観検査方法に係る第一の解決手段として、予め被検査体を液体中に配置し、前記液体の液面から前記液体中の前記被検査体に検査光を照射して、前記被検査体に反射した前記検査光の反射光と前記被検査体を透過した前記検査光の透過光とのうち少なくとも一方を受光した後に、受光した前記反射光と前記透過光とのうち少なくとも一方に基づき画像処理を行って、前記被検査体の外観を検査する、という手段を採用する。
本発明によれば、被検査体に向かう検査光が液体で屈折して被検査体に照射されるので、空気の屈折率を1として液体の屈折率をnとすると、入射光と光軸とがなす入射角が一定の場合にNAがn倍となり解像度を1/nに改善し、また、解像度を一定とした場合に入射角が1/nとなり焦点深度がn倍となる。従って、解像度を維持又は向上させつつ、十分な焦点深度を確保することが可能となる。
また、液浸収容部が、前記検査光を入光させる透明窓を備えるものでは、透明窓から検査光を取り込んで被検査体に検査光を照射するので、検査光照射部に液体を接触させないで液浸収容部を構成することができ、検査光照射部の汚染を防止することが可能となる。
また、液浸収容部が脱着可能な容器であるものでは、液浸収容部を検査光照射部や位置決め部から別離することができるので、液体に流れが生じず屈折率の乱れを防ぐことができると共に装置構成を簡素なものとし、同時に、メンテナンス性を向上させることができる。
また、液体充填部を備えるものでは、被検査体に向かう検査光が複数回屈折するので、液浸収容部とは異なる屈折率の液体を液体充填部に充填して液体レンズ設計の自由度を向上させることができると共に検査光照射部の汚染を防止することができる。
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係るレチクル検査装置(光学式外観検査装置)Aの概略構成図である。図1に示すように、レチクル検査装置Aは、検査光照射部a1と、位置決め部a2と、受光部a3と、画像検査部a4と、液浸収容部a5とを備えている。
検査光照射部a1は、検査光をレチクル(被検査体)に照射するものであり、レーザ発振器1と、スキャン光学系3と、伝播光学系5と、対物レンズ7とから概略構成されている。
レーザ発振器1は、レーザ光2の光源であり、解像度向上のために例えば波長266nmの遠紫外光が用いられる。
スキャン光学系3は、レーザ発振器1から射出されたレーザ光2を走査するものであり、例えば、音響光学素子(AOD)やガルバノミラー、ポリゴンミラーなどが用いられる。
伝播光学系5は、スキャン光学系3が走査した走査光(検査光)4を伝搬するものであり、本実施形態においては、遠紫外光を透過するのに最適な合成石英製のレンズを用いている。
対物レンズ7は、伝播光学系5を介した走査光4をより小さいスポットに集光するためのものであり、本実施形態においてはNA0.8のものを用いている。なお、対物レンズ7は、走査光4を十分に集光するためにNA0.8以上のものを用いるのが良い。
位置決め部a2は、検査光照射部a1から照射された走査光4に対してレチクル9を位置決めするものであり、具体的にはステージ8からなる。このステージ8は、対物レンズ7に対してレチクル9を移動させてレチクル9の所定の部位にレーザ光が照射されるようになっている。
受光部a3は、ハーフミラー6と、コレクターレンズ10と、第一光電変換素子11と、第二光電変換素子13とから概略構成されている。
ハーフミラー6は、伝播光学系5と対物レンズ7との間に配されて、検査光照射部a1から照射された走査光4のうちレチクル9に反射された走査反射光4bを取り出すものである。なお、ハーフミラー6の代わりに、偏光ビームスプリッターを用いてもよいが、この場合は直線偏光のレーザ光を波長板等で偏光操作して分離効率を上げる構成が好ましい。
コレクターレンズ10は、レチクル9を透過した走査透過光4aを集めるものであり、対物レンズ7と同様に高NAのものを用いている。
第一光電変換素子11と第二光電変換素子13は、それぞれ走査透過光4aと走査反射光4bとに係る光強度を検出し、この光強度に応じた電気信号11´,13´を画像検査部a4に供給するものである。第一光電変換素子11と第二光電変換素子13は微弱光を検出可能で応答性が速いものが好ましく、例えば、フォトダイオードなどが用いられる。
このように、レチクル検査装置Aは、検査光照射部a1と位置決め部a2と受光部a3とから構成されるスキャナ光学系20を備えている。
画像検査部a4は、受光部a3から供給される電気信号11´,13´を画像処理し、回路パターン電子データと比較する画像処理装置(画像処理部)14と、回路パターン電子データ15´を蓄えて、これを画像処理装置14に供給するデータベース15と、検査結果の表示及び各種操作を行うユーザーインターフェース16とから構成されている。
図2は、液浸収容部a5及びその周辺を示した図である。
液浸収容部a5は、内部がレチクル9の収容空間100Sとなったカセット状の液浸カセット100と、収容空間100Sに封入された真水Wとからなる。すなわち、レチクル9は、真水Wに浸された状態で液浸カセット100に固定収容されている。
液浸カセット100は、走査光4を透過するウインドウ101を備えており、検査光照射部a1から照射された走査光4を液浸カセット100の収容空間100Sに入光させることが可能となっている。
この液浸カセット100は、検査光照射部a1や位置決め部a2から独立しており、ステージ8から脱着することができるようになっている。そして、図2に示すように、液浸カセット100がステージ8に位置決めされることで、レチクル9がレーザ光2に対して同時に位置決めされるようになっている。
続いて、上記構成を有するレチクル検査装置Aの動作について、図1から図2を参照して説明する。以下の説明では、レチクル検査装置Aの概略的な動作を説明した後に、レチクル検査装置Aの特徴的な部分について詳述する。
まず、レチクル検査装置Aの概略的な動作について説明する。
図1に示すように、レーザ発振器1により射出されたレーザ光2は、スキャン光学系3に走査されて走査光4となる。この走査光4は、伝播光学系5によって所望のビーム径、走査幅に変換されて、ハーフミラー(もしくは偏光ビームスプリッター)6を透過する。その後、対物レンズ7によって液浸カセット100に内蔵されたレチクル9上に集光かつ走査される。
レチクル9を透過した走査透過光4aは、コレクターレンズ10で集光されて第一光電変換素子11に入射する。この第一光電変換素子11は、入射した走査透過光4aの光強度に応じて電気信号11´を画像処理装置14に供給する。一方、走査反射光4bは、ハーフミラー6で分離されて、第一光電変換素子11と同様に第二光電変換素子13で処理されて電気信号13´を画像処理装置14に供給する。
画像処理装置14は、供給された電気信号11´,13´を画像処理して検査画像とした上でこの検査画像のレチクル9の回路パターンと、データベース15から送られた回路パターンデータ15´とを比較して欠陥の検出を行う(Die−DB検査)。なお、実画像同士を比較した検査(Die−Die検査)も可能である。
次に、レチクル検査装置Aの特徴的な部分について説明する。図3は、従来のレチクル検査装置Bにおけるレチクル9及びその周辺の示した図である。
従来では、図3に示すように、対物レンズ7によって角度θで集光された走査光4が空気中に保持されたレチクル9に照射されていた。これに対し、レチクル検査装置Aでは、図2に示すように、レチクル9は液浸カセット100によって液浸されているため、対物レンズ7によって同じ角度θで集光された走査光4が屈折して角度θ‘(<θ)でレチクル9に照射される。
一般に、対物レンズのNAと媒質の屈折率nとの関係は、次の関係式(1)で表される。
NA=n×sinθ…(1)
ここで、関係式(1)におけるθは、入射光(走査光)が光軸Pとなす角度である。
また、解像度εと対物レンズのNAと検査光の波長λとの関係は、次の関係式(2)で表される。
ε=k×λ/NA…(2)
ここで、関係式(2)におけるkは、光学系によって決まる定数である。
上記関係式(1)より、角度θが一定の場合には、媒質の屈折率nが空気の屈折率n=1より大きくなるとNAがn倍となり、上記関係式(2)により、波長λが一定の場合には、NAが大きくなると解像度εが向上する(より小さいものが見える。)。つまり、関係式(2)より、解像度εが1/n倍に改善する。
また、上記関係式(1)より、NAが一定の場合には、屈折率nが大きくなると角度θは約1/nに小さくなり、上記関係式(2)により、波長λ及び解像度εが一定の場合には、NAが一定となる。つまり、角度θが1/nに小さくなると焦点深度はn倍大きくなる。
このように、液浸を用いれば高解像度を維持して焦点深度拡大の効果が得られる。
すなわち、図2に示すように、レチクル検査装置Aでは、対物レンズ7とウインドウ101との間は空気となっており(n=1)、ウインドウ101とレチクル9との間は水(n>1)となっており、全反射の臨界角によってNA<1の上限は従来の完全空気中(図3参照)と変わらないため解像度εは変わらない。つまり、レチクル検査装置Aでは、焦点深度を拡大することができる。なお、ウインドウ101を考慮しても、ウインドウ101の屈折率は真水Wと同様にn>1なので同様の結果となる。
また、レチクル9のみを液浸カセット100に封入してステージ8から脱着可能な構造としているため、新たに液浸専用の装置システムを構築する必要がなく、ウインドウ101以降の液浸部分で生じる光学収差のみ補正する光学系を準備すれば既存装置を容易に液浸対応とすることができる。
また、液浸カセット100は、レチクル検査装置Aから取り外してメンテナンスができるので、運用性・保守性も向上する。
さらに、スキャナ方式のようにステージ8が絶えず動いて撮像しても、真水Wに流れが生じないので、屈折率の乱れを防止して光学特性が変化、解像度の悪化、画像ムラが発生することを防止することができる。
また、対物レンズ7と真水Wが接触しないので対物レンズ7が汚染されることを防止することができる。
なお、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
図4は、レチクル検査装置Aの変形例A´を示した図である。なお、レチクル検査装置Aと同様の構成のものは、同一の符号を付している。
図4に示すように、変形例A´は、対物レンズ7とウインドウ101との間に液体媒質で満たした液体充填部200を設け、その内部に対物レンズ7を配置している。この場合は、ウインドウ101で液体媒質が二分割されているため、対物レンズ7の汚染回避や二つの液体を異なる屈折率とする設計が可能となって、レンズ設計に自由度が生まれる利点を有する。但し、対物レンズ7を含めた装置全体を液浸対応とする必要がある。
また、上述した実施の形態では、レチクルの異物・製造上の欠陥検査するためのレチクル検査装置に本発明を適用したが、その他にも、微細な構造を有するMEMS部品、電子デバイス等の光学式検査装置に適用してもよい。
また、上述した実施の形態では、液浸収容部a5に封入した液体に真水Wを用いたが他の液体を用いてもよい。
また、上述した実施の形態では、ステージ8を絶えず動く構成のものとしたが、ステッパのようにステップ送り方式としてもよい。
また、上述した実施の形態では、受光部a3を第一光電変換素子11と第二光電変換素子13とを用いて構成したが、一方のみで構成してもよい。すなわち、製造上の欠陥のみを検査する場合には走査反射光4bのみから検査画像を取得すればよいことが多く、また、異物の付着を検査する場合には、走査透過光4aからのみ検査画像を取得すればよいことが多いからである。
本発明の実施の形態に係るレチクル検査装置Aの概略構成図である。 本発明の実施の形態に係る液浸収容部a5及びその周辺を示した図である。 従来のレチクル検査装置Bにおけるレチクル9及びその周辺を示した図である。 本発明の実施の形態に係るレチクル検査装置Aの変形例A´を示した図である。
符号の説明
4…走査光(検査光)
4a…走査透過光(透過光)
4b…走査反射光(反射光)
9…レチクル(被検査体)
14…画像処理装置(画像処理部)
100…液浸カセット(容器)
101…ウインドウ(透明窓)
200…液体充填部
A…レチクル検査装置(光学式外観検査装置)
a1…検査光照射部
a2…位置決め部
a3…受光部
a5…液浸収容部
W…真水(液体)

Claims (5)

  1. 被検査体に検査光を照射する検査光照射部と、
    該検査光照射部から照射された前記検査光に対して前記被検査体を位置決めする位置決め部と、
    前記被検査体に反射した前記検査光の反射光と前記被検査体を透過した前記検査光の透過光とのうち少なくとも一方を受光する受光部と、
    該受光部で受光した前記反射光と前記透過光とのうち少なくとも一方に基づいて画像処理を行う画像処理部とを備えた光学式外観検査装置において、
    内部に前記被検査体を収容すると共に液体が充填されて、前記被検査体に向かう検査光を屈折させる液浸収容部を備えることを特徴とする光学式外観検査装置。
  2. 前記液浸収容部は、前記検査光を入光させる透明窓を備えることを特徴とする請求項1に記載の光学式外観検査装置。
  3. 前記液浸収容部は、脱着可能な容器であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光学式外観検査装置。
  4. 内部に液体が充填されると共に前記検査光照射部と前記液浸照射部との間に配されて、前記液浸収容部に入射する前記検査光を予備的に屈折させる液体充填部を備えることを特徴とする請求項1から3のうちいずれか一項に記載の光学式外観検査装置。
  5. 予め被検査体を液体中に配置し、前記液体の液面から前記液体中の前記被検査体に検査光を照射して、前記被検査体に反射した前記検査光の反射光と前記被検査体を透過した前記検査光の透過光とのうち少なくとも一方を受光した後に、受光した前記反射光と前記透過光とのうち少なくとも一方に基づき画像処理を行って、前記被検査体の外観を検査することを特徴とする光学式外観検査方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX364984B (es) * 2015-04-10 2019-04-11 Quim Tech S A De C V Dispositivo para observacion de obleas y sus conexiones en el fondo de las capsulas de diodos emisores de luz a traves de sus cupulas transparentes.
JP6616368B2 (ja) * 2017-09-14 2019-12-04 ファナック株式会社 レーザ加工前に光学系の汚染レベルに応じて加工条件を補正するレーザ加工装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04363648A (ja) * 1991-01-29 1992-12-16 Hoya Corp 光学部材評価装置
JPH1039222A (ja) * 1996-07-23 1998-02-13 Nikon Corp 顕微鏡
JP2005083800A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP2005195878A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Olympus Corp 対物レンズ、光分析装置、光分析装置の運転方法および顕微鏡
JP2005331521A (ja) * 2005-06-09 2005-12-02 Hoya Corp プレス成形用ガラス素材の品質保証方法、ガラス成形品の製造方法、ガラス成形品の品質保証方法、光学素子の製造方法、およびガラス塊サンプルの内部品質検査装置
JP2008096252A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Nec Electronics Corp 近接場検査方法及び装置
JP2008134214A (ja) * 2006-11-01 2008-06-12 Lasertec Corp マスク検査装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3879989A (en) * 1966-08-03 1975-04-29 Battle Dev Corp Ultrasonic holography
US3585847A (en) * 1968-05-20 1971-06-22 Holotron Corp Ultrasonic imaging techniques and mammograph equipment
US3586444A (en) * 1970-01-30 1971-06-22 American Optical Corp Striaescope for inspecting a transparent object submerged in a liquid having the same index of refraction
US3983529A (en) * 1975-03-28 1976-09-28 Holosonics, Inc. Detector for use in acoustic holography
US4379408A (en) * 1981-01-12 1983-04-12 Raj Technology Partnership Liquid crystal technique for examining internal structures
DE3802535A1 (de) * 1987-05-21 1989-02-23 Sattler Hans Eberhard Vorrichtung zur betrachtung insbesondere von rohedelsteinen in einer immersionsfluessigkeit
US5521036A (en) * 1992-07-27 1996-05-28 Nikon Corporation Positioning method and apparatus
US5445011A (en) * 1993-09-21 1995-08-29 Ghislain; Lucien P. Scanning force microscope using an optical trap
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP2984635B2 (ja) 1996-10-23 1999-11-29 日本電気株式会社 高精度パターンの外観の検査方法および装置
US6407385B1 (en) * 1998-12-18 2002-06-18 Nikon Corporation Methods and apparatus for removing particulate foreign matter from the surface of a sample
US6449049B1 (en) * 2000-03-31 2002-09-10 Nanyang Technological University Profiling of aspheric surfaces using liquid crystal compensatory interferometry
JP4041854B2 (ja) * 2002-04-05 2008-02-06 レーザーテック株式会社 撮像装置及びフォトマスクの欠陥検査装置
US20040263959A1 (en) * 2003-06-30 2004-12-30 Dixon Arthur E. Scanning beam optical imaging system for macroscopic imaging of an object
TW201738932A (zh) * 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
US7796343B2 (en) * 2007-12-26 2010-09-14 Lasertec Corporation Photomask inspection apparatus

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04363648A (ja) * 1991-01-29 1992-12-16 Hoya Corp 光学部材評価装置
JPH1039222A (ja) * 1996-07-23 1998-02-13 Nikon Corp 顕微鏡
JP2005083800A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP2005195878A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Olympus Corp 対物レンズ、光分析装置、光分析装置の運転方法および顕微鏡
JP2005331521A (ja) * 2005-06-09 2005-12-02 Hoya Corp プレス成形用ガラス素材の品質保証方法、ガラス成形品の製造方法、ガラス成形品の品質保証方法、光学素子の製造方法、およびガラス塊サンプルの内部品質検査装置
JP2008096252A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Nec Electronics Corp 近接場検査方法及び装置
JP2008134214A (ja) * 2006-11-01 2008-06-12 Lasertec Corp マスク検査装置

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