JP2010175655A - マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用フォトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス基板内部の表面近傍を含む全ての領域の微小な内部欠陥を確実に検出して欠陥のない製品を製造可能にする。
【解決手段】主表面である表・裏面と４つの端面との６面を有する薄板状をなしたマスクブランク用ガラス基板の前記いずれかの端面から波長が２００ｎｍ以下の波長の光である検査光を前記ガラス基板内に導入し、前記検査光によって前記ガラス基板の内部欠陥から発生される蛍光を検出し、前記検出した蛍光に基づき前記ガラス基板の前記内部欠陥を検出する際に、前記端面から入射する検査光を、前記ガラス基板の表・裏面に対して２．０°〜４．０°傾くようにしたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法に関する。

近年、半導体デバイスの微細化に伴って、光リソグラフィー技術において露光光として、例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（露光波長１９３ｎｍ）等の短波長の光が用いられるようになってきた。また、光リソグラフィー技術において使用される露光用フォトマスク及びこの露光用フォトマスクを製造するためのマスクブランクの技術分野においても、上述の短波長の露光光に対して光を遮断できる遮光膜や、位相を変化させる位相シフト膜の開発が急速に行われ、様々な膜材料が提案されている。

ところで、上記マスクブランク用ガラス基板や、このマスクブランク用ガラス基板を製造するための合成石英ガラス基板の内部には、異物や気泡などの欠陥が存在しないことが要求されている。特許文献１には、ガラス基板内に、波長が２００ｎｍ以下の波長の検査光を導入したときにガラス基板の内部欠陥から発生される蛍光を検出してガラス基板に存在する内部欠陥（異物や気泡など）を検出する欠陥検出方法が開示されている。

特開２００７−８６０５０号公報

ところが、上述の欠陥検出方法によって内部欠陥が存在しないと判定されたガラス基板であっても、特に表裏面の近傍付近に微小な欠陥が残っている場合のあることが判明した。本願発明者がその原因を究明した結果、以下のことが判明した。

図６は従来のマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程の説明図であり、図７は図６におけるガラス基板１０の斜視図である。図６、図７において、符号１０は検査対象たるガラス基板であり、このガラス基板１０は、２つの主表面１１，１２と、４つの端面１３，１４，１５，１６とを有する。２つの主表面１１，１２と、４つの端面１３，１４，１５，１６とが交差する角部には、面取り面１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂが形成されている。

検査光Ｌは、図中左方から端面１３に対して垂直に照射されてガラス基板１０の内部に導入される。検査光Ｌは、ガラス基板１０の厚さｔｇより少し大きい幅 （上下幅）ｔ_Ｌ
を有し、かつ実質的にはほぼ平行な光である。それゆえ、検査光Ｌは、実際には、端面１３と、面取り面１３ａ，１３ｂとを通じて内部に導入されることになる。なお、検査光Ｌの横幅（表・裏面に平行な方向の幅）も上記上下幅ｔ_Ｌと略同等程度の幅を有する。したがって、ガラス基板を表・裏面に平行な方向に移動することによって検査光をガラス基板全体に導入してガラス基板全体を検査するようにしている。

ここで、検査光Ｌは端面１３からはほぼ垂直に入射されるが、面取り面１３ａ，１３ｂを通じて内部に導入される光は、これら面取り面に対して４５°前後の角度で入射し、ガラス基板１０内の領域Ｓ１，Ｓ２を通過することになる。このため、面取り面１３ａ，１
３ｂから入射する際に、これらの面で屈折と反射が起こり、これらの面から入射して領域Ｓ１，Ｓ２を通過する検査光の強度が、端面１３から垂直に入射して他の領域を通過する検査光の強度に比較してかなり弱くなると考えられる。その結果、領域Ｓ１，Ｓ２内にある欠陥Ｋａ，Ｋｂ等に照射される検査光の強度が十分でなくなり、微小な内部欠陥から発生する蛍光も十分でなくなると考えられる。

本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、その目的は、マスクブランク用ガラス基板の製造の際に、マスクブランク用ガラス基板の主表面近傍の微小な内部欠陥をも洩れなく検出可能とし、実質的に全ての領域の内部欠陥を良好に検出して欠陥のない製品を得ることができるマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用フォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するための手段は以下の通りである。
（１）２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
一端面から波長２００ｎｍ以下の実質的に平行光の検査光を前記ガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、一端面から検査光を一方の主表面側に傾斜させてガラス基板内に導入し、さらに前記一端面と対向する端面から検査光を前記一方の主表面と対向する主表面側に傾斜させてガラス基板内に導入することで、前記検査光によって前記ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないガラス基板を選定することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
（２）前記ガラス基板が、前記２つの主表面と前記４つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されていることを特徴とする（１）に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
（３）前記欠陥検査工程は、前記の一端面および一端面に対向する端面からの検査光の導入に加えて、前記検査光をいずれの主表面に対しても傾斜させずにいずれかの端面からガラス基板内に導入して前記内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査することを特徴とする（１）または（２）のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
（４）前記ガラス基板に導入される検査光は、所定の発散角度を有する発散光であることを特徴とする（１）または（２）のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
（５）前記検査光は、凹レンズまたは凹面鏡により、発散光にして端面から前記ガラス基板内に導入されるものであることを特徴とする（４）に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
（６）前記凹レンズは、端面の前に配置されたシリンドリカルレンズであることを特徴とする（５）に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
（７）前記凹面鏡は、端面の前に配置されたシリンドリカル凹面鏡であることを特徴とする（５）に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
（８）（１）から（７）のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（９）（８）に記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記パターン形成用の薄膜に露光用の微細パターンを形成する工程を有することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法。
（１０）２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
一端面から波長２００ｎｍ以下の実質的に平行光の検査光を前記ガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程と
を有するマスクブランクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、検査光を一方の主表面側に傾斜させて一端面からガラス基板内に導入し、さらに検査光を前記一方の主表面と対向する主表面側に傾斜させて前記一端面と対向する端面からガラス基板内に導入することで、前記検査光によって前記ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないマスクブランクを選定することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（１１）２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜に露光用の微細パターンを形成する微細パターン形成工程と、
一端面から波長２００ｎｍ以下の実質的に平行光の検査光を前記ガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程と
を有する露光用フォトマスクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、検査光を一方の主表面側に傾斜させて一端面からガラス基板内に導入し、さらに検査光を前記一方の主表面と対向する主表面側に傾斜させて前記一端面と対向する端面からガラス基板内に導入することで前記検査光によって前記ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されない露光用フォトマスクを選定することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法。

上述の手段によれば、前記検査工程は、実質的に平行光である検査光を、ガラス基板の一端面から一方の主表面側に傾斜させてガラス基板内に導入し、さらに前記一端面と対向する端面から検査光を前記一方の主表面と対向する主表面側に傾斜させてガラス基板内に導入することにより、検査光をガラス基板表面近傍を含む所定領域まで確実に到達させることが容易になり、マスクブランク用ガラス基板の主表面近傍の微小な内部欠陥をも洩れなく検出することが容易になり、欠陥のない製品を容易に得ることが可能になる。
また、検査対象のガラス基板の形状によっては、一端面側からと、対向する端面側からの両方の検査光がともに及ばない領域が生じる場合があるが、さらにいずれの主表面に対しても傾斜させずにいずれかの端面から検査光を導入することで、検査すべき所定領域全体に確実に到達させることができる。また、検査光を所定の発散角度を有する発散光として、一端面側からと対向する端面側からの両方から検査光を導入することによっても、検査すべき所定領域全体に確実に到達させることができる。

本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法における欠陥検査工程に関する説明図である。 図１のＡ部拡大図である。 本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法における欠陥検査工程を実施するための装置構成を示す図である。 欠陥検出の説明図である。 本発明の実施の形態２にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法における欠陥検査工程に関する説明図である。 従来のマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法の説明図である。 図６におけるガラス基板１０の斜視図である。

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法における内部欠陥検査工程に関する説明図、図２は図１のＡ部拡大図、図３は本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法における内部欠陥検査工程を実施するための装置構成を示す図、図４は欠陥検出の説明図である。以下、これらの図面を参照にしながら本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および露光用フォトマスクの製造方法を説明する。なお、本実施の形態１の内部欠陥検査工程における検査対象であるマスクブランク用ガラス基板は、上述の従来のマスクブランク用ガラス基板の検査方法の対象であるマスクブランク用ガラス基板と同じものであるので、同一の部分には同一の符号を付して説明する。

実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、（１）内部欠陥検査の対象となるマスクブランク用ガラス基板の研削工程、（２）マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程、（３）マスクブランク用ガラス基板の研磨工程からなる。また、実施の形態１にかかるマスクブランクの製造方法は、前記の（１）〜（３）の工程で製造したマスクブランク用ガラス基板に対して、（４）マスクブランクの製造工程を行う。さらに、実施の形態１にかかる露光用フォトマスクの製造方法は、（４）の工程で製造したマスクブランクに対して、（５）露光用フォトマスクの製造工程を行う。上記工程のうち、本実施の形態の最大の特徴は、（２）マスクブランク用ガラス基板の内部欠陥の検査工程で用いるマスクブランク用ガラス基板の内部欠陥の検査方法にあり、他の工程は、概ね公知の工程を用いるので、以下では、公知の工程の説明は必要最小限にし、マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法を中心に説明する。なお、（２）マスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程は、（３）マスクブランク用ガラス基板の研磨工程後のガラス基板や、（４）マスクブランクの製造工程後のマスクブランクや、（５）露光用フォトマスクの製造工程後の露光用フォトマスクに対して行っても内部欠陥検査の精度には実質的な差はない。ただ、（３）のマスクブランク用ガラス基板の研磨工程や（４）マスクブランクの製造工程及び、（５）露光用フォトマスクの製造工程を先に行ってからであると、内部欠陥のある不合格品となるものも含めたすべてのガラス基板に対して研磨や薄膜の成膜を行うため、大きな無駄が生じるので、（３）の研磨工程前に行うことが好ましい。なお、より確実に内部欠陥を発見することに重点を置く場合には、ガラス基板の研磨工程が完了しているマスクブランク用ガラス基板や、そのガラス基板にパターン形成用薄膜が形成されたマスクブランクや、露光用フォトマスクで内部欠陥検査工程を行うとよい。

（１）内部欠陥検査の対象となるマスクブランク用ガラス基板の研削工程
公知の方法（例えば、特開平８−３１７２３号公報、特開２００３−８１６５４号公報等参照）により作成された合成石英ガラスインゴットから、約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ×約６．８５ｍｍの板状体を切り出して合成石英のガラス基板を得る。このガラス基板は、対向する２つの主表面と、この両主表面に直交する４つの端面と有する。

上記ガラス基板の主表面と端面とが交差する角部に面取り加工を施した後、検査光を導入する端面に鏡面研磨を施して、検査光をガラス基板内部に導入できるようにしてマスクブランク用ガラス基板１０を得る。このガラス基板１０は、図６、図７に示されるマスクブランク用ガラス基板と同じものであり、２つの主表面１１，１２、４つの端面１３，１４，１５，１６、８つの面取り面１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂを有する。ここで、検査光を導入する端面（一端面）１３およびそれに対向する端面１４の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は約０．０３μｍ以下とする。なお、マスクブランクの研磨工程で４つの端面全てに鏡面研磨を施すので、この研削工程の段階で、その他の端面１４，１５，１６に対して鏡面研磨を施してもよい。こうして得られたマスクブランク用ガラス基板１０は次の工程である内部欠陥の検査工程に供給される。

（２）マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程
この工程では、上述のようにして得られたマスクブランク用ガラス基板１０を以下説明する欠陥検査方法によってその内部欠陥の有無を検査する工程である。以下、この工程で用いるマスクブランク用ガラス基板の検査方法を説明する。なお、ここでは、検査光を端面１３側から主表面１１側に傾斜させて入射させ、検査光を端面１４側から主表面１２側に傾斜させて入射させるだけでは、所定領域全体に検査光が到達しない場合について説明するものとし、所定領域全体に検査光を行き渡らせるために、さらに端面１３側から主表面１１，１２に対して傾斜させずに検査光を入射させることとする。図１は、本実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造法における内部欠陥検査工程の説明図であり、その原理を説明する図である。図１において、まず、発散角度２ｍｒａｄの実質的に平行光である検査光Ｌを、ガラス基板１０の端面１３からガラス基板１０内に導入し、そのときに欠陥から発生される蛍光を検出する。

すなわち、検査光Ｌが主表面１１側に当たる方向に主表面１１に対して傾斜角θｇだけ傾斜させて入射させる。このとき、ガラス基板１０内に導入される検査光Ｌのうち、端面１３と面取り面１３ａ，１３ｂとが交差する角部を通過してガラス基板内に導入された光線をＬ１，Ｌ２とすると、このうち光線Ｌ１が、所定領域の主表面１１側の境界面Ｅと、所定領域の端面１３側の境界面Ｂとの交線Ｂｅ上、あるいはそれよりも端面１３側になるように、かつ、光線Ｌ２が、端面１３と面取り面１３ａとが交差する角部と端面１４と面取り面１４ａとが交差する角部とを通る境界面Ｈと所定領域の端面１４側の境界面Ｄとの交線Ｄｈ上、あるいはそれよりも端面１４側になるように、傾斜角θｇを設定する必要がある。光線Ｌ１，Ｌ２がこれらの条件を満たさないと、例え、端面１３側（いずれの端面側でも同じ）から主表面１１，１２に対して傾斜させずに検査光を入射させても、全ての所定領域に検査光を行き渡らせることができないので、確実な内部欠陥の検査が保証できない。なお、検査光Ｌは、端面１３からガラス基板１０内に導入されるときに、空気とガラス基板１０との屈折率差で光線の角度が所定量だけ変わる。検査光Ｌの傾斜角θｇは、ガラス基板１０に入射する前の検査光の傾斜角であり、ガラス基板１０に導入される際に光線Ｌ１，Ｌ２の角度が変わることを考慮して設定されるものである。

次に、検査光Ｌを、ガラス基板１０の端面１４からガラス基板１０内に導入し、そのときに欠陥から発生される蛍光を検出する。
すなわち、検査光Ｌが主表面１２側に当たる方向に主表面１２に対して傾斜角θｇだけ傾斜させて入射させる。このとき、ガラス基板１０内に導入される検査光Ｌのうち、端面１４と面取り面１４ａ，１４ｂとが交差する角部を通過してガラス基板内に導入された光線をＬ３，Ｌ４とすると、このうち光線Ｌ４が、所定領域の主表面１２側の境界面Ｆと、所定領域の端面１４側の境界面Ｄとの交線Ｄｆ上、あるいはそれよりも端面１４側になるように、かつ、光線Ｌ３が、端面１３と面取り面１３ｂとが交差する角部と端面１４と面取り面１４ｂとが交差する角部とを通る境界面Ｊと所定領域の端面１３側の境界面Ｂとの交線Ｂｊ上、あるいはそれよりも端面１３側になるように、傾斜角θｇを設定する必要がある。光線Ｌ３，Ｌ４がこれらの条件を満たさないと、例え、端面１３側（いずれの端面側でも同じ）から主表面１１，１２に対して傾斜させずに検査光を入射させても、全ての所定領域に検査光を行き渡らせることができないので、確実な内部欠陥の検査が保証できない。

さらに、検査光Ｌを、ガラス基板１０のいずれかの端面（図１では端面１３）からガラス基板１０内に導入し、そのときに欠陥から発生される欠陥光を検出する。すなわち、検査光Ｌを主表面１１，１２に対して傾斜させずに入射させる。このとき、ガラス基板１０内に導入される検査光Ｌのうち、端面１３と面取り面１３ａ，１３ｂとが交差する角部を通過してガラス基板１０内に導入された光線をＬ５，Ｌ６とすると、光線Ｌ５は境界面Ｈ
上を通り、光線Ｌ６は境界面Ｊ上を通ることになり、この検査光Ｌは、ガラス基板１０内の境界面Ｈと境界面Ｊとに挟まれる領域全体に到達することになる。このような方法をとることにより、ガラス基板１０内の境界面Ｂ，Ｄ，Ｅ，Ｆに囲まれる所定領域全体に検査光を行き渡させることができる。

ここで、所定領域のマスクブランク用ガラス基板で厚さ方向（主表面１１と主表面１２との間の方向）の範囲は、必ずしも厚さ方向の全領域に検査光が到達しなければならないわけではない。これは、研削工程終了後に、欠陥検査工程を行う場合においては、その後の研磨工程で、主表面１１，１２が研磨されることで両側から厚さ方向に所定量のガラスが削り取られる（図２の１１ａ部分）ため、削り取られる領域に内部欠陥があっても、完成したマスクブランク用ガラス基板では、その内部欠陥は除去されているからである。ただし、パターン形成用の薄膜が形成される側の主表面とその反対側の主表面で研磨される量が若干異なることや、両主表面が完全なフラット形状ではないこと等を考慮して、厚さ方向の検査光が到達する領域には多少の余裕を持たせた方がよい（主表面１１側の研磨工程後に露出する面であり、多少の余裕を持たせた仮想主表面が境界面Ｅであり、主表面１２側の研磨工程後に露出する面であり、多少の余裕を持たせた仮想主表面が境界面Ｆである。）。例えば、約１５２ｍｍ×１５２ｍｍの大きさの主表面（面取り部分含んだ大きさ）のマスクブランク用ガラス基板の場合、板厚（厚さ方向の厚さ）は、研削工程終了後の板厚６．８５ｍｍから６．３５ｍｍを目標に研磨される。前記の余裕を勘案すると、厚さ方向の基板中心を基準に最低限６．４ｍｍの厚さの領域に検査光が到達すればよいということになる。すなわち、研削工程終了後のガラス基板において、厚さ方向の基板中心を基準に６．４ｍｍよりも外側の部分については、後の研磨工程で除去されるので、検査すべき所定領域から外れても問題がないということになる。

一方、所定領域の主表面側の範囲は、マスクブランク用ガラス基板を用いてマスクブランクを製造し、そのマスクブランクを基に露光用フォトマスクを作製するときに、薄膜に転写パターンが形成される領域について最低限カバーできればよい。なぜなら、このマスクブランク用ガラス基板を基に露光用フォトマスクを作製し、これを露光装置のフォトマスクステージに設置して、転写対象物（ウェハ等）へのパターン転写を行った場合、転写パターンが形成される領域の外側の主表面１１，１２の領域の露光光は、薄膜で遮られるため、その領域に内部欠陥が存在しても、転写対象物に対して悪影響を与えないからである。

例えば、前記の約１５２ｍｍ×１５２ｍｍの大きさの主表面のマスクブランク用ガラス基板の場合、転写パターンが形成される領域は、マスクブランクの中心を基準に１３２ｍｍ×１３２ｍｍの内側の領域とすることが一般的である。この場合、最低限、端面１３に平行であって、マスクブランクの中心から端面１３に向かって６６ｍｍの距離に、所定領域の境界面Ｂが、端面１４に平行であって、マスクブランクの中心から端面１４に向かって６６ｍｍの距離に、所定領域の境界面Ｄがそれぞれ設定されていればよい。なお、露光用フォトマスクは、露光装置のフォトマスクステージで、露光光の光源側に薄膜が形成されない側の主表面が向く形で設置される。このため、所定領域の外側の領域においてもガラス基板１０の内部まで露光光が照射されるため、内部欠陥があるとそこから蛍光が発生する。内部欠陥が所定領域の境界面Ｂ，Ｄ付近にあった場合、そこから発する蛍光が転写対象物へのパターン転写に悪影響を与えることがあり得る。このようなことを考慮する場合、所定領域をマスクブランクの中心を基準に１４２ｍｍ×１４２ｍｍの内側の領域と、余裕をもって設定すると好ましい。さらに余裕を持たせるならば、所定領域を例えば１４６ｍｍ×１４６ｍｍの内側の領域とするとより好ましい。

以上のことを勘案すると、約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍのマスクブランク用ガラス基板を製造する場合、内部欠陥検査工程で検査すべき所定領域は、最低限で、基
板中心を基準に１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍのガラス基板内部とすればよい。また、より確実な内部欠陥検査が要求される場合においては、所定領域を基板中心を基準に１４２ｍｍ×１４２ｍｍ×６．４５ｍｍのガラス基板内部とすると好ましい。これにより、検査光Ｌをガラス基板１０内の転写パターンが形成される領域に行き渡らせることができ、そのときに発生する欠陥光を検出することにより、比較的簡単に、漏れのない欠陥検出ができる。

上述の実施の形態において、上記傾き角θcは、具体的には、以下の通りとなる。
・検査光；ＡｒＦエキシマレーザー光（露光波長：１９３ｎｍ）
・ガラス基板１０の材質；合成石英ガラス
・屈折率：１．５２（露光波長：１９３ｎｍにおいて）
・ガラス基板１０の寸法
縦・横：約１５２×１５２ｍｍ、
厚さｔｇ：６．４ｍｍ（研磨工程後の目標厚さ６．３５ｍｍ＋誤差範囲）
面取り量ｍ（図２参照）；０．６ｍｍ
・所定領域：１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍ（基板中心を基準として）
・検査光の傾斜角度θｇ：２．４°

前記のようにマスクブランク用ガラス基板の完成時（研磨工程終了後）の縦横寸法が約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ、面取り量ｍが０．６ｍｍの場合、最低限検査光を到達させるべき所定領域を１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍとすると、傾斜角度θｇは、２．４°であればよい。また、同じ基板寸法であり、検査光を到達させるべき所定領域を１４２ｍｍ×１４２ｍｍ×６．４５ｍｍとすると、傾斜角度θｇは、４．８°であればよい。

次に、図３を参照しながら、上述の実施の形態１にかかる欠陥検査工程を実施するための装置構成を説明し、本発明の実施の形態１にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法における欠陥検査工程をより詳しく説明する。図３において、符号２０は、ガラス基板の欠陥検査装置である。このガラス基板の欠陥検査装置２０は、検査光Ｌを発生してガラス基板に照射するためのレーザー装置２１と、ガラス基板１０を載せてＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向にそれぞれ移動させるとともにその位置情報を送出するＸＹＺステージ２２と、ガラス基板１０で発生した欠陥光を検出するＣＣＤカメラ２３と、ＣＣＤカメラ２３からの画像情報やＸＹＺステージ２２からの位置情報等を入力して所定の処理をするコンピュータ２７とを有する。

レーザー装置２１は、ＸＹＺステージ２２に載せられたガラス基板１０の端面１３の側に設けられている。なお、点線で示したように、端面１３に対向する端面１４の側にもう１台設けてもよい。レーザー装置２１から射出された検査光Ｌは、端面１３及び端面１４を通じてガラス基板１０内に導入されるようになっている。レーザー装置２１から射出される検査光は、ビーム形状が７．０ｍｍ×４．０ｍｍ、パワーが６ｍＪ、周波数が４００Ｈｚのパルス状のＡｒＦエキシマレーザー光（波長：１９３ｎｍ）である。

ＸＹＺステージ２２は、ガラス基板１０を載置してこれをＸＹＺ方向に移動でき、さらにガラス基板１０を傾斜させることもできるようになっており、ガラス基板１０を所望の位置に移動および傾斜させ、その位置情報をコンピュータ２７に送出するものである。すなわち、検査光Ｌをガラス基板１０の主表面１１，１２に対して傾斜角度θｇ°傾斜させるには、ガラス基板１０側を傾斜させることで実現できる。なお、レーザー装置２１を、検査光Ｌをガラス基板１０の主表面１１，１２に対して傾斜させることができるような構成としてもよい。本欠陥検査を行う場合には、検査開始の位置にガラス基板１０を設置し、ガラス基板１０を検査光Ｌが主表面１１側に当たるように、前記の条件を満たす傾斜角
度θｇだけ傾斜させ、次に、レーザー装置２１によって、ガラス基板１０内に検査光Ｌを導入し、そのときの蛍光Ｌｋｃ，Ｌｋｄの像をＣＣＤカメラ２３によって撮像し、その画像情報及び上記位置情報をコンピュータ２７に送って蓄積する。次に、ＸＹＺステージ２２を駆動してガラス基板１０を、検査光Ｌの幅分だけＹ方向に移動させ、同様に、検査光Ｌを照射し、そのときの蛍光Ｌｋｃ，Ｌｋｄの像をＣＣＤカメラ２３によって撮像し、その画像情報を並びに位置情報をコンピュータ２７に送る。この動作を繰り返すことにより、端面１３の一方の端から他方の端までの全ての領域から検査光Ｌを導入する。

次に、ＸＹＺステージ２２上でガラス基板１０を、端面１４がレーザー装置２１側に向くように移動させ、検査光Ｌが主表面１２側に当たるように、前記条件を満たす傾斜角度θｇだけ傾斜させる。そして、端面１３から導入した場合と同様の操作を繰り返し、端面１４の一方の端から他方の端までの全ての領域から検査光Ｌを導入する。最後に、ＸＹＺステージ２２上でガラス基板１０を、端面１３がレーザー装置２１側に向くように移動させ、検査光が主表面１１，１２に対して略平行であり、傾斜しないようにし、同様の操作を繰り返し、端面１３の一方の端から他方の端まで全ての領域から検査光Ｌを導入する。これらの一連の工程により、ガラス基板１０内の全ての領域に検査光Ｌを照射し、ガラス基板１０内の全ての領域の蛍光の画像を蓄積する。なお、端面１３側から主表面１１側に傾斜させた検査光を導入して蛍光の画像蓄積の工程が終了後、端面１４側からの検査光の導入の事前のセッティングについて、ＸＹＺステージ２２は全く移動させず、ロボットハンド等で、ガラス基板１０を反転（主表面１２を表面にし、かつ端面１４がレーザー装置２１側に向くようにガラス基板１０自体を回転させる）させるようにすると、位置調整や傾斜角度調整の手間がかからず好ましい。

ＣＣＤカメラ２３は、表裏面のうちの一方の面である主表面１１の側（図の上方、ただし、前記のガラス基板１０を反転させた場合は、主表面１２の側になる。）に配置され、ガラス基板１０から発せられる光の情報に基づいた画像をつくる。すなわち、ガラス基板１０の内部欠陥から発生される蛍光Ｌｋｃ，Ｌｋｄを検知し、その蛍光による像を撮影し、その画像情報をコンピュータ２７に送る。なお、この実施の形態１では、ＣＣＤカメラ２３として、いわゆる白黒カメラを用いた。

コンピュータ２７は、ＣＣＤカメラ２３からの画像を入力して、ガラス基板１０のＹ方向の各位置毎に画像処理し、このガラス基板１０のＹ方向の各位置について、ＣＣＤカメラ２３が受光する光Ｌｋｃ，Ｌｋｄ，Ｌｇの光量（強度）を、ガラス基板１０のＸ方向位置との関係で解析する。つまり、コンピュータ２７は、光Ｌｋｃ，Ｌｋｄ，Ｌｇの光量が所定閾値以上の局所的な光量を有する場合に、その所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｃ，Ｌｋｄを内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄが発したと判断して、この内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄの位置（ガラス基板１０におけるＸ方向及びＹ方向の位置）と共に、内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄが発する局所的な光量の光Ｌｋｃ，Ｌｋｄの形状などから内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄの種類（局所脈理、内容物、異質物）を特定して検出する。

例えば、ガラス基板１０に内部欠陥Ｋｃとして局所脈理または内容物が存在する場合には、レーザー照射装置２１からのＡｒＦエキシマレーザー光がガラス基板１０に導入されることによって、上記局所脈理または内容物が図５（Ａ）に示すように、所定閾値（１０００counts）以上の局所的な光量の光Ｌｋｃを発し、合成石英ガラス基板４の局所脈理または内容物以外の領域が光Ｌｇを発する。コンピュータ２７は、ＣＣＤカメラ２３が受光した光Ｌｋｃ及びＬｇを画像処理して解析することで、所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｃの形状から内部欠陥Ｋｃを局所脈理または異質物と判断し、且つその所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｃが発する位置に局所脈理または内容物が存在するとして、その局所脈理または内容物をその位置と共に検出する。ここで、図４（Ａ）の場合、横軸はガラス基板１０のＸ方向位置を、縦軸は光Ｌｋｃ及びＬｇの光量（強度）をそれぞれ示す。

また、ガラス基板１０に内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄとして異質物が存在する場合には、レーザー照射装置２１からＡｒＦエキシマレーザー光がガラス基板１０に導入されることによって、上記異質物が図４（Ｂ）に示すように、所定の範囲（例えば２０〜５０ｍｍ）に所定閾値（１０００counts）以上の局所的な光量の光Ｌｋｄを発し、合成石英ガラス基板４の異質物以外の領域が光Ｌｇを発する。コンピュータ２７は、ＣＣＤカメラ２３が受光した光Ｌｋｄ及びＬｇを画像処理して解析することで、所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｄの形状から内部欠陥Ｋｄを異質物と判断し、且つその所定閾値以上の局所的な光量の光Ｌｋｄが発生する位置に当該異質物が存在するとして、この異質物をその位置と共に検出する。ここで、図３（Ｂ）の場合も、横軸はガラス基板１０のＸ方向位置を、縦軸は検出された光量（強度）をそれぞれ示す。

上記ガラス基板の欠陥検査装置２０によって内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄが検出されないガラス基板１０に対し、その主表面１１、１２を所望の表面粗さになるように鏡面・精密研磨し、洗浄処理を実施してマスクブランク用ガラス基板１０を得る。このときの主表面１１、１２の表面粗さは、自乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）で０．２ｎｍ以下が好ましい。

（３）マスクブランクの製造方法
次に、上述のようにして得たマスクブランク用ガラス基板１０の主表面１１上にマスクパターン形成用の薄膜（ハーフトーン膜）を公知のスパッタリング装置、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置等を用いて形成し、マスクブランクとしてのハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得る。

（４）露光用マスクの製造方法
次に、上記マスクブランク（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）のハーフトーン膜に、公知のパターン形成方法によってパターンを形成して露光用マスクとしてのハートーン位相シフトマスクを得る。なお、このハーフトーン膜に用いられる材料としては、モリブデン、タンタル、タングステン、ジルコニウム等の遷移金属とシリコンとからなる遷移金属シリサイドを酸化、窒化、酸窒化させたものを主成分とする材料が挙げられる。また、ハーフトーン膜を、主として露光光に対する透過率を調整する透過率調整層と、主として膜中を透過する露光光に対して位相差を調整する位相調整層との２層以上の積層構造としてもよい。

（５）露光用フォトマスクの製造工程（製造方法）
次に、上記マスクブランク（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）のハーフトーン膜に、公知のパターン形成方法によってパターンを形成して露光用フォトマスクとしてのハートーン位相シフトマスクを得る。すなわち、上記ハーフトーン膜の表面にレジストを塗布した後、加熱処理してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に所定のパターンを描画・現像処理し、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンをマスクにして、ハーフトーン膜をドライエッチングしてハーフトーン膜パターンを形成し、レジストパターンを除去して、ガラス基板１０上にハーフトーン膜パターンが形成された露光用フォトマスクを得る。

上記実施の形態１によれば、欠陥検査工程において、検査光Ｌを端面１３から主表面１１側に当たる方向に、主表面１１に対して傾斜角θｇだけ傾斜させて導入して蛍光の有無を検査し、次に検査光Ｌを端面１４から主表面１２側に当たる方向に、主表面１２に対して傾斜角θｇだけ傾斜させて導入して蛍光の有無を検査し、さらに検査光Ｌをいずれかの端面から主表面１１，１２に対して傾斜させずに導入して蛍光の有無を検査することにより、面取り面がある場合でも、検査光をガラス基板内部の表面近傍まで確実に到達させることを可能にし、確実な欠陥検出を可能にして効率的な検査を可能にしている。

なお、この実施の形態１の検査対象のガラス基板１０のサイズの場合、検査光を３回導入しなければならなかったが、ガラス基板のサイズによっては、検査光Ｌを端面１３から主表面１１側に傾斜させて導入し、検査光Ｌを端面１４から主表面１２側に傾斜させて導入するだけで、所定領域全体に検査光が行き渡る場合においては、主表面１１，１２に対して傾斜させない３回目の検査光Ｌの導入は必ずしも必要ではない。２回の検査光の導入でもよい場合の条件としては、端面１３からの主表面１１側に傾斜させた検査光の導入時、光線Ｌ２が端面１４と面取り面１４ａとが交差する角部上か、それよりも端面１４側を通過すること、および、端面１４からの主表面１２側に傾斜させた検査光の導入時、光線Ｌ３が端面１３と面取り面１３ｂとが交差する角部上か、それよりも端面１３側を通過することの２つの条件を満たすことである。

なお、上記実施の形態１では、欠陥検査工程において、内部欠陥Ｋｃ，Ｋｄが発する光Ｌｋｃ，Ｌｋｄ，Ｌｇを受光するＣＣＤカメラ２３を、主表面１１の側に配置した例を示したが、これは、ＡｒＦエキシマレーザー光を導入する端面１３，１４以外の端面の側に配置してもよい。また、検査光が導入可能な程度に研磨されていれば、端面１５と端面１６からＡｒＦエキシマレーザー光を導入する配置としてもよい。

また、上記実施の形態では、露光光源がＡｒＦエキシマレーザーの場合を述べたが、波長が２００ｎｍ以下、好ましくは波長が１００ｎｍ〜２００ｎｍの光であればよく、Ｆ２エキシマレーザーであってもよい。また、ＡｒＦエキシマレーザーやＦ２エキシマレーザーと同じ波長を得るために、重水（Ｄ２）ランプ等の光源から光を分光させて中心波長がＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーと同じ光を用いても構わない。

また、上記実施の形態においては、ＣＣＤカメラ２３をカラーカメラとして、ガラス基板１０の内部欠陥及びこの内部欠陥以外の領域が発する、波長が２００ｎｍ以上の露光波長の光よりも長い波長の光を受光して撮影し、コンピュータ２７は、このＣＣＤカメラ２３の画像を赤、緑、青の色別に画像処理し、この色別に画像処理した光の強度（光量）分布から内部欠陥１６を検出してもよい。この場合、コンピュータ２７は、色別に画像処理した光の色や波長等の情報から内部欠陥を検出してもよい。また、内部欠陥の検出は、マスクブランク用ガラス基板の製造工程の最終段階で実施してもよい。

更に、上記実施の形態では、ガラス基板１０の内部欠陥及びこの内部欠陥以外の領域が発する、露光波長の光よりも長い波長の光をＣＣＤカメラ２３が受光するものを述べたが、これらの光を分光器が受光して、内部欠陥の分光特性（波長及び強度）や、光１５及び１７の強度（光量）分布を測定して、内部欠陥を検出してもよい。

また、上記実施の形態では、マスクブランク用ガラス基板上にハーフトーン膜を形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの場合を述べたが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板１０上にハーフトーン膜と、このハーフトーン膜上に遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクや、マスクブランク用ガラス基板７上に遮光膜が形成された、いわゆるバイナリー型のマスクブランクであっても構わない。この場合の遮光膜の構造としては、基板側から遮光層、表面反射防止層の２層積層構造や、さらにそれに基板と遮光層の間に裏面反射防止層を加えた３層積層構造などが挙げられる。遮光膜に用いられる材料としては、クロムを主成分とする材料がまず挙げられ、裏面反射防止層、遮光層、表面反射防止層に必要とされる特性を満たすように、これを主成分に適度に酸化、窒化、炭化等させた材料を、それぞれ用いるようにするとよい。また、クロム以外の遮光膜に適用可能な材料としては、たとえば、モリブデン、タングステン、ジルコニウム等の遷移金属とシリコンとからなる遷移金属シリサイドが挙げられ、クロムの場合と同様、これを主成分に適度に酸化、窒化、炭化等させた材料を使用するとよい。こ
のほかにも、タンタルを主成分として、適度に酸化、窒化、炭化等させた材料を用いて、２層積層構造あるいは３層積層構造の遮光膜を形成してもよい。尚、これらのハーフトーン型位相シフトマスクブランク、マスクブランクの遮光膜上にレジスト膜を形成していてもよい。

（実施の形態２）
実施の形態１では、検査対象のガラス基板１０のサイズによっては、検査光を、検査光Ｌを端面１３から主表面１１側に傾斜させて導入、検査光Ｌを端面１４から主表面１２側に傾斜させて導入、検査光Ｌをいずれかの端面から主表面１１，１２に対して傾斜させずに導入と、ガラス基板１０内に３回導入しなければならなかったが、この実施の形態２では、検査光源の略平行な検査光を凹レンズで発散光としてから、ガラス基板１０内に導入させることによって、検査対象のガラス基板１０のサイズによらずに、検査光Ｌをいずれかの端面から主表面１１，１２に対して傾斜させずに導入することを行わず、２回の検査光の導入で所定領域全体に検査光を行き渡らせることができるようになっている。

この実施の形態２は、図５に示すように、端面１３（端面１４）の手前に凹レンズ２８を設置し、検査光Ｌを発散角度θｃの発散光にし、かつ主表面１１（主表面１２）に対して傾斜角度θｇだけ傾斜させ、ガラス基板１０内に導入するようになっている。この場合の傾斜角度θｇは、凹レンズ２８の中心を通り、光線の角度が変化していない光線Ｌ９（光線Ｌ１２）の主表面１１（主表面１２）に対する角度である。また、発散角度θｃとは、端面１３（端面１４）と面取り面１３ａ，１３ｂ（面取り面１４ａ，１４ｂ）とが交差する各角部を通過してガラス基板１０内に導入される光線Ｌ７，Ｌ８（光線Ｌ１０，Ｌ１１）のガラス基板１０内に導入される前であって、実質的に平行光の検査光Ｌが凹レンズ２８によって発散光とされた後の状態において、光線Ｌ７，Ｌ８（光線Ｌ１０，Ｌ１１）の延長線同士が交わる点において、これらの延長線がなす角度θｃのことをいう。検査光の光線Ｌ７，Ｌ８（光線Ｌ１０，Ｌ１１）は、端面１３（端面１４）からガラス基板１０内に導入されるときに、空気とガラス基板１０との屈折率差で光線の角度が変わるため、ガラス基板１０内の光線Ｌ７，Ｌ８（光線Ｌ１０，Ｌ１１）の延長線がなす角度はθｃと同じではない。

この傾斜角度θｇと発散角度θｃは、以下のすべての条件を満たすようにそれぞれ設定される。すなわち、端面１３からガラス基板１０内に導入された検査光Ｌについては、光線Ｌ５が、境界面Ｅと境界面Ｂとの交線Ｂｅ上かあるいはそれよりも端面１３側を通り、かつ、光線Ｌ６が、端面１４と面取り面１４ａとが交差する角部、あるいはそれよりも端面１４側を通らなければならない。それに加え、端面１４からガラス基板１０内に導入された検査光Ｌについては、光線Ｌ９が、境界面Ｆと境界面Ｄとの交線Ｄｆ上、あるいはそれよりも端面１４側を通り、かつ、光線Ｌ８が、端面１３と面取り面１３ｂとが交差する角部、あるいはそれよりも端面１３側を通らなければならない。

例えば、マスクブランク用ガラス基板の完成時（研磨工程終了後）の縦横寸法が約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ、面取り量ｍが０．６ｍｍの場合、最低限検査光を到達させるべき所定領域を１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍとすると、発散角度θｃの半分の角度と傾斜角度θｇとの和が２．４°以上であればよく、発散角度θｃを０．８°、傾斜角度を２．０°とするとよい。

これらの条件を満たすことができる発散角度θｃを有する検査光Ｌを主表面１１側に傾斜角度θｇだけ傾斜させて端面１３から導入して、蛍光の有無を検査し、さらに、同じく発散角度θｃを有する検査光Ｌを主表面１２側に傾斜角度θｇだけ傾斜させて端面１４から導入して、蛍光の有無を検査することで、検査光を所定領域である１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍの全体に行き渡らせることができ、所定領域内のすべてに対して内部欠
陥の検査を行うことができる。

なお、本願発明では、凹レンズ２８は検査光源からの実質的に平行な検査光を発散光とするために必要とするものであるので、球面の凹レンズであってもその機能を満たす。しかし、本願発明で必要とされるのは、基板の厚さ方向への検査光の発散であり、主表面に平行な方向への検査光の発散は必ずしも必要ではない。逆に発散させることによる検査光の光強度の減少を考慮すると、むしろ主表面に平行な方向への発散は最低限にすることが好ましい。これらのことを考慮すると、凹レンズ２８には、シリンドリカルレンズを用いて、主として、基板の厚さ方向へだけ発散させることが望ましい。また、本願発明では、概ね平行な検査光を発散光とできればどのような手段を用いてもよく、凹面鏡を用いてもよい。この凹面鏡の場合においても、シリンドリカル凹面鏡を用いて、主として、基板の厚さ方向へだけ発散させることが望ましい。この他のマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および露光用フォトマスクの製造方法に関する事項については、実施の形態１の場合と同様である。

（実施の形態３）
この実施の形態３は、ガラス基板の内部欠陥を検査する工程である欠陥検査工程を（３）マスクブランク用ガラス基板の研磨工程の前に行わず、（４）マスクブランクの製造工程後に行う点で、実施の形態１とは異なる。

（４）マスクブランクの製造工程で製造されたマスクブランクに対して、（２）マスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程と同様の方法で、ガラス基板の内部欠陥の検査を行った。マスクブランクのガラス基板の大きさは、縦横寸法が約１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ、面取り量ｍが０．６ｍｍを目標に製造されているが、誤差を加味して最低限検査光を到達させるべき所定領域を１３２ｍｍ×１３２ｍｍ×６．４ｍｍとすると、検査光の傾斜角度θｇは２．４°であればよい。

この実施の形態によれば、実施の形態１の場合と同様の効果を得ることができる。また、蛍光が基板主表面１１と薄膜との界面で反射することから、蛍光の有無をより識別しやすいという効果も得られる。なお、マスクブランクのガラス基板１０内への検査光の導入方法として、実施の形態２に示したように、検査光Ｌを凹レンズ２８等を用いて発散角度θｃを有する発散光にして、端面１３側と端面１４側からそれぞれガラス基板１０の内部に導入するようにしてもよい。このときの発散角度θｃおよび傾斜角度θｇは、実施の形態２の場合と同様とすればよい。

（５）露光用フォトマスクの製造工程で製造された露光用フォトマスクに対して、マスクブランクに対して行った場合と同様の内部欠陥検査を行ってもよい。また、検査光を照射することで内部欠陥から発生する蛍光は、検査光の照射強度や内部欠陥の種類や構造によって、発生する蛍光の光量が大きく変化するので、より確実な内部欠陥排除が必要であれば、未研磨のガラス基板の段階、研磨して出来上がったマスクブランク用ガラス基板の段階、マスクブランクの段階、露光用フォトマスクの段階のうち、いずれか複数の段階や、全ての段階で内部欠陥検査を行ってもよい。

本発明は、超ＬＳＩ等の製造の際に、超微細パターンの転写用マスクとして用いられる露光用フォトマスク、この露光用フォトマスクの材料として用いられるマスクブランク及びそのマスクブランクの材料として用いられるマスクブランク用ガラス基板の製造に利用することができる。

１０・・・マスクブランク用ガラス基板
１１，１２・・・主表面（表裏面）
１３，１４，１５，１６・・・端面
１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂ・・・面取り面
２０・・・ガラス基板の欠陥検査装置
２１・・・レーザー装置
２２・・・ＸＹＺステージ
２３・・・ＣＣＤカメラ
２７ ・・・コンピュータ
２８・・・シリンドリカルレンズ

Claims (11)

1. ２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
   一端面から波長２００ｎｍ以下の実質的に平行光の検査光を前記ガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
   前記欠陥検査工程は、一端面から検査光を一方の主表面側に傾斜させてガラス基板内に導入し、さらに前記一端面と対向する端面から検査光を前記一方の主表面と対向する主表面側に傾斜させてガラス基板内に導入することで、前記検査光によって前記ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
   蛍光が検出されないガラス基板を選定することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
2. 前記ガラス基板が、前記２つの主表面と前記４つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
3. 前記欠陥検査工程は、前記の一端面および一端面に対向する端面からの検査光の導入に加えて、さらに検査光をいずれの主表面に対しても傾斜させずにいずれかの端面からガラス基板内に導入して前記内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
4. 前記ガラス基板に導入される検査光は、所定の発散角度を有する発散光であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
5. 前記検査光は、凹レンズまたは凹面鏡により、発散光にして端面から前記ガラス基板内に導入されるものであることを特徴とする請求項４に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
6. 前記凹レンズは、端面の前に配置されたシリンドリカルレンズであることを特徴とする請求項５に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
7. 前記凹面鏡は、端面の前に配置されたシリンドリカル凹面鏡であることを特徴とする請求項５に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
8. 請求項１から７のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とするマスクブランクの製造方法。
9. 請求項８に記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記パターン形成用の薄膜に露光用の微細パターンを形成する工程を有することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法。
10. ２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
    前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
    一端面から波長２００ｎｍ以下の実質的に平行光の検査光を前記ガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程と
    を有するマスクブランクの製造方法であって、
    前記欠陥検査工程は、検査光を一方の主表面側に傾斜させて一端面からガラス基板内に導入し、さらに検査光を前記一方の主表面と対向する主表面側に傾斜させて前記一端面と対向する端面からガラス基板内に導入することで、前記検査光によって前記ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
    蛍光が検出されないマスクブランクを選定することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
11. ２つの主表面と４つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
    前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
    前記薄膜に露光用の微細パターンを形成する微細パターン形成工程と、
    一端面から波長２００ｎｍ以下の実質的に平行光の検査光を前記ガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程と
    を有する露光用フォトマスクの製造方法であって、
    前記欠陥検査工程は、検査光を一方の主表面側に傾斜させて一端面からガラス基板内に導入し、さらに検査光を前記一方の主表面と対向する主表面側に傾斜させて前記一端面と対向する端面からガラス基板内に導入することで前記検査光によって前記ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
    蛍光が検出されない露光用フォトマスクを選定することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法。

Images