JP2015211484A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- ＡＢ１−ＸＣＸＯ３（０≦Ｘ≦０．３）からなるペロブスカイト構造を持つ固体電解質の両側に電極が配置される固体電解質−電極複合体の製造方法であって、
１３０℃以上５００℃以下の温度条件かつ水素ガスの存在する雰囲気で、前記ペロブスカイト構造におけるＢサイトの金属が還元されるように前記両側の電極間に電圧を印加し、前記両側の電極の少なくとも一方と前記固体電解質との間に前記Ｂサイトの金属由来の層を析出させる、製造方法。 - 前記電圧の印加を、水素ガスの分圧が１０Ｐａ以上１００ｋＰａ以下の雰囲気において実施する請求項１に記載の製造方法。
- 前記両側の電極の少なくとも一方が水素を吸蔵可能である、請求項１又は請求項２に記載の製造方法。
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| JP2014089841A JP6156246B2 (ja) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 固体電解質−電極複合体の製造方法 |
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| JP6156246B2 JP6156246B2 (ja) | 2017-07-05 |
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