JP2015204351A5 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

Claims (4)

  1. 基板上に感光膜を形成する第１の工程と、
    露光光を遮蔽する第１の階調、露光光を透過する第２の階調及び露光光を所定の割合で透過する第３の階調を有するフォトマスクを用いて前記感光膜を露光する第２の工程と、
    露光された前記感光膜を現像し、前記第１の階調で露光された感光膜の厚みを、前記第３の階調で露光された感光膜の厚みよりも厚く形成する第３の工程と、
    現像された前記感光膜をマスクとして前記基板上に第１の不純物を注入する第４の工程と、
    前記第４の工程後に、前記第１の階調で露光された感光膜の一部を除去して厚みを薄くすると共に、前記第３の階調で露光された感光膜を除去する第５の工程と、
    前記厚みを薄くした感光膜をマスクとして前記基板上に第２の不純物を注入する第６の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記現像液は、新液であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記現像液は、スリットノズルを用いて前記基板上に塗布されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記現像液は、パドル現象またはスピン現象を用いて前記基板上に塗布されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
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