JP2015203863A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. オンチップレンズと、
   前記オンチップレンズ上に形成された平坦化層と、
   前記平坦化層よりも上層に設けられ、下記化学式（Ａ）で表されるシアニン色素を含有する赤外光吸収層と、
   を有する撮像素子。
   
   

   

   
   （ここで、Ｒ_１及びＲ_２は、鎖状若しくは環状のアルキル基、前記アルキル基中の１又は２以上の水素原子が、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルカノイルオキシ基、アミノ基、チオール基及びメルカプト基のうち少なくとも１種の官能基で置換されたもの、前記アルキル基の末端若しくはインドリン環から炭素数が２個以上離れた位置にビニル基、アクリル基、カルボニル基、カルボキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトリル基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、ベンゾイルオキシ基及びシアノ基のうち少なくとも１種の反応性基が導入されたもの、フェニル基又はベンジル基であり、同一でも異なっていてもよい。また、Ｘ⁻は、アニオンを表す。）
2. 前記シアニン色素は、前記化学式（Ａ）におけるＲ_１及びＲ_２のいずれか一方又は両方が、炭素数が１〜１６の直鎖状アルキル基、前記アルキル基の末端にシロキサン、アルコキシシラン、アクリル若しくはエポキシ構造を導入したもの、ポリエーテル基、ベンジル基又はフェニル基である請求項１に記載の撮像素子。
3. 前記シアニン色素は、６００〜１２００ｎｍに極大吸収波長を有し、４００〜６００ｎｍの範囲の吸収極大波長におけるモル吸光係数と、６００〜１２００ｎｍの範囲の吸収極大波長におけるモル吸光係数との比が、０．１以下である請求項１又は２に記載の撮像素子。
4. 前記赤外光吸収層は、前記シアニン色素と、バインダー樹脂とを含有する樹脂組成物により形成されている請求項１から３のいずれか一項に記載の撮像素子。
5. 前記バインダー樹脂は、４００〜６００ｎｍに吸収極大波長を有しない熱硬化型又は光硬化型樹脂である請求項４に記載の撮像素子。
6. 前記バインダー樹脂は、シロキサン結合を主骨格とする樹脂である請求項４又は５に記載の撮像素子。
7. 前記赤外光吸収層は、更に、前記シアニン色素とは吸収極大波長が異なる１又は２種以上の色素を含有する請求項１から６のいずれか一項に記載の撮像素子。
8. 前記赤外光吸収層は、前記シアニン色素を含有する第１吸収層と、前記シアニン色素とは吸収極大波長が異なる色素を含有する第２吸収層とが積層されて構成されている請求項１から６のいずれか一項に記載の撮像素子。
9. 前記赤外光吸収層は、厚さが０．５〜２００μｍである請求項１から８のいずれか一項に記載の撮像素子。
10. 前記オンチップレンズは高屈折率材料により形成されており、前記平坦化層は前記オンチップレンズよりも屈折率が低い低屈折率材料で形成されている請求項１から９のいずれか一項に記載の撮像素子。
11. 前記シアニン色素は、前記化学式（Ａ）におけるＸ⁻が、テトラフルオロアンチモン酸イオン、ビス(ハロゲノアルキルスルホニル)イミドイオン、テトラキス（ハロゲノアルキル）ホウ酸イオン及びビス（ジカルボキシレート）ホウ酸イオンから選択される少なくとも１種のアニオンである請求項１から１０のいずれか一項に記載の撮像素子。
12. 前記赤外光吸収層の上に保護層が設けられている請求項１から１１のいずれか一項に記載の撮像素子。
13. 高屈折率材料からなる第１反射層と、前記第１反射層よりも低屈折率材料からなる第２反射層とが交互に積層されたバンドパス層を備える請求項１から１２のいずれか一項に記載の撮像素子。
14. 最上層に光反射防止層が設けられている請求項１から１３のいずれか一項に記載の撮像素子。
15. 前記オンチップレンズと光電変換層との間にカラーフィルタ層が設けられている請求項１から１４のいずれか一項に記載の撮像素子。
16. 前記カラーフィルタ層は、６００〜１２００ｎｍに極大吸収波長を有する請求項１５に記載の撮像素子。
17. 前記赤外光吸収層を支持する支持基板を有する請求項１から１５のいずれか一項に記載の撮像素子。
18. 前記平坦化層上に接着層が設けられている請求項１から１６のいずれか一項に記載の撮像素子。
19. 請求項１から１８のいずれか一項に記載の撮像素子を備える撮像装置。
20. 前記撮像素子の光電変換層に入射光を集光する撮像光学系を備え、
    前記撮像光学系の中又は前記撮像素子と前記撮像光学系との間に、赤外光を吸収又は反射する赤外光カットフィルタが設けられている請求項１９に記載の撮像装置。