JP2015128127A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- 高屈折率材料からなるオンチップレンズと、
前記オンチップレンズ上に平坦に形成され、低屈折率材料からなる低屈折率層と、
赤外吸収色素と、シロキサン骨格のみからなる合成樹脂またはシロキサン骨格部分及び酸素部分の反応活性が低い部分骨格からなる合成樹脂であるバインダー樹脂とを含む赤外吸収材料からなり、前記低屈折率層よりも上層に積層された赤外吸収層と
を具備する撮像素子。 - 請求項１に記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収材料は、加熱黄変温度が１８０℃以上である
撮像素子。 - 請求項１又は２に記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収色素は、極大吸収波長が６００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下であり、モル吸光係数が１０００Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ以上である
撮像素子。 - 請求項１から３のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収色素は、過塩素酸イオンよりサイズもしくは式量が大きくまたは酸化されにくいアニオン部分を有し、またはアンモニウムイオンよりサイズもしくは式量が大きくまたは酸化されにくいカチオン部分を有する
撮像素子。 - 請求項１から４のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収層上に積層され、酸素及び水分を遮蔽するもしくは物理的なダメージを抑制する保護層
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１から５のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記低屈折率層よりも上層に積層され、高屈折率材料と低屈折率材料の多層膜からなるバンドパス層
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１から６のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
最上層として積層され、上層側及び下層側から入射する光の反射を防止する反射防止層
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１から７のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記オンチップレンズよりも下層に積層されたカラーフィルタ層
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１から８のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収層を支持する支持基板
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１から９のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記低屈折率層上に積層された、接着性材料からなる接着層
をさらに具備する撮像素子。 - 高屈折率材料からなるオンチップレンズと、
前記オンチップレンズ上に平坦に形成され、低屈折率材料からなる低屈折率層と、
短径１ｎｍ以上かつ長径５０ｎｍ以下の微粒子状である赤外吸収色素を含む赤外吸収材料からなり、前記低屈折率層よりも上層に積層された赤外吸収層と
を具備する撮像素子。 - 請求項１１に記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収材料は、少なくともバインダー樹脂もしくは添加剤のうちいずれか一方を含む
撮像素子。 - 請求項１１又は１２に記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収色素は、極大吸収波長が６００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下であり、モル吸光係数が１０００Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ以上である
撮像素子。 - 請求項１１から１３のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収色素は、過塩素酸イオンよりもサイズもしくは式量が大きくまたは酸化されにくいアニオン部分を有し、またはアンモニウムイオンよりもサイズもしくは式量が大きくまたは酸化されにくいカチオン部分を有する
撮像素子。 - 請求項１１から１４のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収層上に積層され、酸素及び水分を遮蔽するもしくは物理的なダメージを抑制する保護層
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１１から１５のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記低屈折率層よりも上層に積層され、高屈折率材料と低屈折率材料の多層膜からなるバンドパス層
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１１から１６のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
最上層として積層され、上層側及び下層側から入射する光の反射を防止する反射防止層
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１１から１７のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記オンチップレンズよりも下層に積層されたカラーフィルタ層
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１１から１８のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記赤外吸収層を支持する支持基板
をさらに具備する撮像素子。 - 請求項１１から１９のうちいずれか一つに記載の撮像素子であって、
前記低屈折率層上に積層された、接着性材料からなる接着層
をさらに具備する撮像素子。
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