JP2017076684A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 基板に形成された光電変換部、
   光電変換部の光入射側に配設され、ライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子、及び、
   ワイヤグリッド偏光素子の上に形成された保護層、
   を備えており、
   ワイヤグリッド偏光素子のスペース部は空隙である撮像素子。
2. ワイヤグリッド偏光素子と保護層との間には第２保護層が形成されており、
   保護層を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２保護層を構成する材料の屈折率をｎ₂としたとき、
   ｎ₁＞ｎ₂
   を満足する請求項１に記載の撮像素子。
3. 保護層は、ＳｉＮから成り、第２保護層は、ＳｉＯ₂又はＳｉＯＮから成る請求項２に記載の撮像素子。
4. 少なくとも、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部に面したライン部の側面には第３保護層が形成されている請求項１に記載の撮像素子。
5. ワイヤグリッド偏光素子を取り囲むフレーム部を更に備えており、
   フレーム部と、ワイヤグリッド偏光素子のライン部とは連結されており、
   フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造を有する請求項１に記載の撮像素子。
6. 基板の一方の面には光電変換部を駆動する駆動回路が形成されており、
   基板の他方の面に光電変換部が形成されており、
   撮像素子の縁部には、基板の一方の面から他方の面に亙り、更に、ワイヤグリッド偏光素子の下方まで延びる、絶縁材料又は遮光材料が埋め込まれた溝部が形成されている請求項１に記載の撮像素子。
7. ワイヤグリッド偏光素子のライン部は、光電変換部側から、第１導電材料から成る光反射層、絶縁層、及び、第２導電材料から成る光吸収層が積層された積層構造体から構成されている請求項１に記載の撮像素子。
8. 光反射層の延在部は基板又は光電変換部と電気的に接続されている請求項７に記載の撮像素子。
9. 光反射層の頂面全面に絶縁層が形成されており、絶縁層の頂面全面に光吸収層が形成されている請求項７に記載の撮像素子。
10. 光電変換部、
    光電変換部の光入射側に配設され、ライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子、及び、
    ワイヤグリッド偏光素子を取り囲むフレーム部、
    を備えており、
    フレーム部と、ワイヤグリッド偏光素子のライン部とは連結されており、
    フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造を有する撮像素子。
11. ワイヤグリッド偏光素子のライン部は、光電変換部側から、第１導電材料から成る光反射層、絶縁層、及び、第２導電材料から成る光吸収層が積層された積層構造体から構成されている請求項１０に記載の撮像素子。
12. 光反射層の延在部は基板又は光電変換部と電気的に接続されている請求項１１に記載の撮像素子。
13. 光反射層の頂面全面に絶縁層が形成されており、絶縁層の頂面全面に光吸収層が形成されている請求項１１に記載の撮像素子。
14. 基板の一方の面には光電変換部を駆動する駆動回路が形成されており、
    基板の他方の面に光電変換部が形成されており、
    撮像素子の縁部には、基板の一方の面から他方の面に亙り、更に、ワイヤグリッド偏光素子の下方まで延びる、絶縁材料又は遮光材料が埋め込まれた溝部が形成されている請求項１０に記載の撮像素子。
15. 基板に形成された光電変換部、
    光電変換部の光入射側に配設され、ライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子、及び、
    ワイヤグリッド偏光素子の上に形成された保護層、
    を備えた撮像素子を、複数、撮像領域に有する撮像装置であって、
    ワイヤグリッド偏光素子のスペース部は空隙である撮像装置。
16. 光電変換部、
    光電変換部の光入射側に配設され、ライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子、及び、
    ワイヤグリッド偏光素子を取り囲むフレーム部、
    を備えた撮像素子を、複数、撮像領域に有する撮像装置であって、
    フレーム部と、ワイヤグリッド偏光素子のライン部とは連結されており、
    フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造を有する撮像装置。