JP2015196826A - 研磨組成物、及び該研磨組成物を用いた基板の研磨方法 - Google Patents
研磨組成物、及び該研磨組成物を用いた基板の研磨方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
また、炭化珪素基板は、耐熱性、耐電圧性に優れることから、電気自動車、ハイブリッド自動車、太陽光発電、情報機器、家電等に使用される高効率なパワー半導体デバイス用の基板材料として実用化が進められている。
例えば、サファイア基板は、CZ法等により製造された単結晶インゴットから、所望の結晶面が得られるように薄くスライスして得られる。スライスして得られたサファイア基板は、両面研磨機を用いて、例えば、炭化珪素質砥粒(GC砥粒とよぶ)を含むスラリーで両面研磨され、平坦化される。GC砥粒による研磨後のサファイア基板上には、研磨キズ、加工変質層等が残っているため、通常は、これらを除去するために、さらなる研磨処理が施される。
この研磨処理には、ラッピング工程やポリッシング工程がある。ラッピング工程では、砥粒を混ぜたスラリーを定盤に滴下し、サファイア基板と定盤とを回転させながら荷重をかけることでサファイア基板の表面を鏡面研磨する。
ポリッシング工程は、サファイア基板をLED向けのGaNエピタキシャル層を成長させる基板として用いる場合、さらに表面品質を向上させるために行われる。ポリッシング工程では、コロイダルシリカ等の砥粒を含むスラリーでさらに研磨される。これにより、表面粗さを一層小さくすることができる。
このような研磨処理の一例として、水性媒体としての多価アルコールに、遊離砥粒としてダイヤモンドを混合したスラリーでサファイア基板を研磨する方法が提案されている(特許文献1参照)。また、研磨剤としてコロイダルシリカを使用したスラリーに塩化合物を添加することで、研磨剤の分散性を高めて、サファイア基板の研磨レートを向上させる技術が提案されている(特許文献2参照)。
そこで、本発明は、サファイア基板のような高硬度及び高脆性材料において、研磨レートを向上できる研磨組成物、及び該研磨組成物を用いた基板の研磨方法を提供することを課題とする。
すなわち、本発明は、
[1](A)ダイヤモンドを含む砥粒と、(B)塩化水素及び臭化水素から選ばれる少なくとも1つのアルカリ金属塩と、(D)分散媒体と、が配合されてなり、該(B)成分が研磨組成物全量基準で0.05質量%以上10質量%以下であり、該(D)分散媒体中の水が研磨組成物全量基準で2.0質量%以上40質量%以下である研磨組成物、
[2]さらに、(C)高分子化合物が研磨組成物全量に対して、0.05質量%以上5質量%以下、配合されてなる前記[1]に記載の研磨組成物、
[3]前記(C)高分子化合物が、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸の塩、ポリスルホン酸、及びポリスルホン酸の塩から選ばれる少なくとも1種である前記[1]又は[2]に記載の研磨組成物、
[4]前記(D)分散媒体が、エチレングリコール、ジエチレングリコール、及びプロピレングリコールから選択される1種単独又は2以上と、水とからなる混合物である前記[1]〜[3]のいずれかに記載の研磨組成物、
[5]サファイア、炭化珪素、窒化ガリウム、窒化アルミニウムから選ばれる少なくとも1つの材料からなる基板を[1]〜[4]のいずれかに記載の研磨組成物を用いて研磨する基板の研磨方法、
[6]前記基板がサファイアであり、発光ダイオード用である前記[5]に記載の基板の研磨方法、
を提供する。
本発明の実施形態に係る研磨組成物は、(A)ダイヤモンドを含む砥粒と、(B)塩化水素及び臭化水素から選ばれる少なくとも1つのアルカリ金属塩と、(D)分散媒体と、が配合されてなり、該(B)成分が研磨組成物全量基準で0.05質量%以上10質量%以下であり、該(D)分散媒体中の水が研磨組成物全量基準で2.0質量%以上40質量%以下である。
本実施形態に係る研磨組成物は、高硬度及び高脆性材料からなる基板の研磨に使用される。高硬度及び高脆性材料としては、サファイア、炭化珪素、窒化ガリウム、窒化アルミニウムから選ばれる少なくとも1つが挙げられる。
砥粒として使用できるダイヤモンドは、特に限定されるものではない。例えば、天然ダイヤモンド及び人工ダイヤモンドが好適に使用できる。人工ダイヤモンドの製造方法は、特に限定されない。人工ダイヤモンドは、単結晶ダイヤモンドでも多結晶ダイヤモンドでもよい。また、単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドを混合して使用することもできる。
本実施形態に係る研磨組成物に使用可能なダイヤモンドの平均粒径(メジアン径、質量基準、D50)は、0.5μm以上10μm以下であることが好ましく、より好ましくは1μm以上8μm以下であり、さらに好ましくは、2μm以上6μm以下である。
ダイヤモンドの平均粒径が0.5μm以上であれば、十分な研磨レートが得られ、10μm以下であれば、被研磨基板の表面にスクラッチが発生することがない。
なお、本実施形態で規定するダイヤモンドの平均粒径は、レーザー回析散乱法により測定されるものである。
(A)ダイヤモンドを含む砥粒の含有量は、研磨組成物全量に対して、0.03質量%以上3質量%以下であることが好ましく、より好ましくは0.06質量%以上1.5質量%以下、さらに好ましくは0.09質量%以上1.0質量%以下である。
(A)ダイヤモンドを含む砥粒の含有量が研磨組成物全量に対して、0.03質量%以上であれば、十分な研磨レートが得られる。また、(A)ダイヤモンドを含む砥粒の含有量は、3質量%以下であれば、費用対効果が良好であるとともに、砥粒粒子の凝集によるスクラッチの発生が抑えられる。
なお、(A)成分の砥粒には、上記ダイヤモンドのほかに、GC砥粒、アルミナ、立方晶窒化ホウ素(CBN)等が挙げられる。(A)成分の砥粒には、研磨用途に使用可能なものが含まれていてもよい。研磨レートを良好にする観点から、これらの他の砥粒の合計は、(A)成分中の30質量%以下とすることが好ましい。
(B)成分は、塩化水素及び臭化水素から選ばれる少なくとも1つとアルカリ金属との塩である。すなわち、塩化水素及び臭化水素から選ばれる少なくとも1つとアルカリ金属との塩が、研磨組成物全量基準で0.05質量%以上10質量%以下含まれる。これらは、研磨レートを向上させるための添加剤として働く。アルカリ金属のなかでも、ナトリウム又はカリウムが好ましい。より好ましくはカリウムである。すなわち、(B)成分として好ましい塩は、臭化カリウム、塩化カリウム、塩化ナトリウムが好ましく、最も好ましくは臭化カリウムである。
(B)成分の含有量は、研磨組成物全量に対して、より好ましくは0.1質量%以上10質量%以下であり、さらに好ましくは0.5質量%以上5質量%以下である。
(B)成分の含有量が、研磨組成物全量に対して、0.05質量%未満では、十分な研磨レート加速の効果が得られにくい。10質量%を超えて添加しても、研磨レート加速の効果は得られにくく、また溶解度の点から、塩が析出しやすくなり、研磨組成物の安定性が低下する。
(D)分散媒体としては、水溶性有機溶媒が好ましい。(D)分散媒体は、水を含み、その含有量は、研磨組成物全量基準で2.0質量%以上40質量%以下、より好ましくは30質量%以下、最も好ましくは20質量%以下である。(D)分散媒体に含まれる水の含有量が、研磨組成物全量基準で40質量%を超えると研磨レートが低下する。2.0質量%未満であると、(C)高分子化合物の(D)分散媒体中への溶解性が低下する。(D)分散媒体に含有することが可能な水は、研磨組成物への異物の混入をさけるためフィルターにより濾過した水が好ましい。より好ましくは、純水である。
(D)分散媒体に用いられる水溶性有機溶媒のなかでも、引火性や環境負荷の観点からグリコール類が好ましい。本実施形態に係る研磨組成物に使用可能なグリコール類の具体例としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラプロピレングルコール、ポリプロピレングリコール等が挙げられる。これらは単独若しくは2種以上を任意の割合で混合して使用してもよい。
これらのうち、グリコール類は、エチレングリコール、ジエチレングリコール、及びプロピレングリコールから選択される1種単独又は2以上からなる混合物であることが好ましく、グリコール類として最も好ましくは、エチレングリコールである。
すなわち、(D)分散媒体は、エチレングリコール、ジエチレングリコール、及びプロピレングリコールから選択される1種単独又は2以上と、水とからなる混合物であることが好ましい。
(D)分散媒体の含有量は、研磨組成物全量に対して、60質量%以上が好ましい。より好ましくは70質量%以上、さらに好ましくは80質量%以上であり、99.95質量%未満であることが好ましい。
研磨組成物の粘度が低下すると、被研磨基板と定盤との摩擦力が低下し研磨レートが低下する。これに対して、分散媒体の含有量が60質量%以上であれば、研磨剤が定盤上で滞留せず、安定した分散状態を維持することができる十分な粘度が得られ、研磨レートを高めることができる。
研磨組成物を作製する際には、(A)ダイヤモンドを含む砥粒を水に分散させたものと水溶性有機溶媒とを混合し、所定の砥粒濃度になるように調製してもよい。
本実施形態に係る研磨組成物は、(A)成分及び(B)成分のほかに、(C)成分として高分子化合物が配合されていてもよい。(C)高分子化合物は、(B)成分と併用することによって、研磨レートを向上させるための添加剤として働くことができる。
(C)高分子化合物は、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸の塩、ポリスルホン酸、及びポリスルホン酸の塩から選ばれる少なくとも1種が好ましい。また、ポリカルボン酸としては、ポリマレイン酸、及びポリアクリル酸が挙げられる。
(C)高分子化合物として、より好ましくは、ポリアクリル酸及びポリマレイン酸、又はこれらを含む共重合体、である。ポリカルボン酸の重量平均分子量に、特に限定はなく、異なる分子量分布のもの同士を混合して使用してもよい。
(C)成分の含有量は、研磨組成物全量に対して、0.05質量%以上5質量%以下が好ましく、より好ましくは0.1質量%以上1質量%以下であり、さらに好ましくは0.2質量%以上0.7質量%以下である。(C)成分の含有量が、研磨組成物全量に対して、0.05質量%以上であれば、研磨レートの向上効果が得られる。また、(C)成分の含有量を増加しても研磨レートの向上効果が頭打ちになる。このことから、費用対効果を考慮すると、5質量%以下であることが好ましい。
本実施形態に係る研磨組成物には、上記以外の添加剤が含有されていてもよい。例えば、pHを調整するための(E)pH調整剤が含有されていてもよい。輸送上の安全性及び規制の面から腐食性物質にならないように、pHの設定は、pH12未満が望ましい。
(E)pH調整剤としては、公知の酸性物質及び塩基性物質を用いることができる。酸性物質としては、例えば、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸などの無機酸が使用できる。このうち、塩酸、硫酸が好ましい。塩基性物質としては、アンモニア水、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが使用できる。このうち水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが好ましい。
(E)pH調整剤として酸性水溶液又は塩基性水溶液を使用する場合には、(D)分散媒体中の水が研磨組成物全量基準で2.0質量%以上40質量%以下であるように調整されれば問題ない。
その他の添加剤としては、研磨組成物中での微生物の増殖を抑えるための殺菌剤、潤滑性をよくするための潤滑剤、粘度を上げるための増粘剤なども、本発明の効果を阻害しない範囲で加えてもよい。
本発明の実施形態に係る研磨組成物は、例えば、下記の方法で製造できる。すなわち、(D)分散媒体に、(B)成分を添加し、(B)成分が(D)分散媒体中に完全に溶解するまで撹拌を行う。次に、(B)成分が完全に溶解された分散媒体に(A)成分を加え、(A)成分を均一に分散させる。分散処理には、マグネティックスターラー、スリーワンモーター、超音波ホモジナイザー等を使用することができる。
研磨組成物に(C)成分が配合される場合には、(D)分散媒体をビーカー又はタンクに入れて撹拌しながら、(C)成分を添加する。(C)成分が均一に混合されるまでに時間を要する場合には、(C)成分と(D)分散媒体の一部とを均一に混合した後に、残りの(D)分散媒体に混ぜてもよい。あるいは、(D)分散媒体中への(C)成分の分散を助けるために、マグネティックスターラー、スリーワンモーター等を用いて撹拌してもよい。(D)分散媒体と(C)成分とが均一に混合された後に、(B)成分を添加し、(B)成分が(D)分散媒体中に完全に溶解するまで撹拌を行う。(D)分散媒体と(C)成分とが均一に混合されて、さらに(B)成分が完全に溶解された(D)分散媒体中に、最後に(A)成分を加えて、(D)分散媒体中に(A)成分を均一に分散させる。
なお、研磨組成物を製造するに際しては、研磨組成物中に不純物が混入しないように、いわゆるクリーンルームや、フィルターにより空気中の浮遊物を除去した空気で陽圧にした環境下で行われることが好ましい。
(C)成分を含む場合には、輸送及び保管の段階で、例えば、(B)成分、(C)成分、及び(D)成分が混合された混合液と、(A)成分(粉体)の2つのキットに分けられていてもよい。この場合には、研磨処理の直前に2つのキットを混合して、研磨機に供給して使用する。なお、(A)成分のダイヤモンドを含む砥粒は、一定量の水又は分散媒体の一部に分散させた砥粒分散液になっていてもよい。
(A)成分が砥粒分散液として用意されている場合には、研磨処理の際に、砥粒分散液と、(B)成分及び(C)成分が混合された混合液とを混合して研磨機に供給することができる。また、砥粒分散液と、混合液とを別々に研磨定盤上に供給してもよい。この場合には、砥粒分散液と混合液とを別途供給することに対応するための構成として、修正リングを具備していることが望ましい。
本発明の実施形態に係る研磨組成物は、片面及び両面研磨機において、高硬度及び高脆性材料からなる基板の研磨に用いることができる。
この研磨組成物を用いた基板の研磨方法に適用される研磨装置の一例としては、金属或いは金属を含む樹脂定盤を固定した回転テーブルと、基板を保持する基板保持部(例えば、セラミックス製プレート)と、基板保持部に保持された基板を定盤の研磨面に所定の研磨荷重で押し付けるとともに保持された基板を回転する機構を有した加圧部とを備えた研磨装置が使用できる。
この研磨装置では、前記樹脂定盤に、研磨組成物を供給しながら、基板保持部に保持された基板を所定の研磨荷重で定盤に押し付けて研磨する。
研磨条件としては、研磨荷重を100〜500g/cm2に設定し、樹脂定盤及び基板保持部の回転数を30〜120rpmに設定し、研磨組成物の供給量を0.1〜5ml/minに設定する。これにより、高い研磨レートが得られる。
樹脂定盤を構成する金属としては、鉄、錫、銅などが挙げられる。また、樹脂定盤を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、メラミン樹脂などが挙げられる。
本発明の実施形態に係る研磨組成物は、高硬度及び高脆性材料からなる基板の研磨に好適に用いられる。高硬度及び高脆性材料としては、サファイア、炭化珪素、窒化ガリウム、及び窒化アルミニウムから選ばれる少なくとも1つの材料が挙げられる。
本発明の実施形態に係る研磨組成物は、発光ダイオード用のサファイア基板、パワー半導体デバイス用のSiC基板、AlN基板等の鏡面研磨工程の研磨剤に適し、なかでも、発光ダイオード用のサファイア基板の研磨に用いて好適である。
[研磨試験]
研磨組成物を用いてサファイア基板の研磨試験を行った。研磨試験の条件は下記に示す。
<研磨条件>
研磨機:SLM−140(不二越機械工業株式会社製)
研磨荷重:450g/cm2
定盤回転数:121pm
加圧部回転数:81rpm
修正リング回転数:121rpm
スラリー供給量:1ml/min
定盤:直径400mm、エポキシ樹脂銅製定盤
加工時間:20min
<基板>
4インチサファイア基板、厚み約700μm(GC両面ラップ仕上げ)
<研磨レート>
ダイヤルゲージを用いて、研磨試験に用いた供試基板の厚みを測定し、下記の計算式により研磨レートを算出した。
研磨レート(μm/min)={(研磨前のサファイア基板厚み(μm))−(研磨後のサファイア基板厚み(μm))}/(研磨時間(min))
<pH>
ダイヤモンドを含む砥粒以外の成分が全て添加されたスラリーのpHを、pHメーター(堀場製作所 D−13)を用いて、測定温度22℃にて測定した。
<粘度>
ダイヤモンドを含む砥粒以外の成分が全て添加されたスラリーの粘度を、粘度計(ビスコメイトVM−100A−L(山一電機株式会社製))を用いて、測定温度22℃にて測定した。
<表面粗さ>
触針式の表面段差計P−12(KLA―TENCOR社製)を用いて、研磨後のサファイア基板の粗さRaを測定した。測定の範囲は500μm、面内9点の測定を行って平均値を示した。
第1表から第6表に示す配合処方により、研磨組成物を調製した。
単結晶ダイヤモンドは、平均粒径(メジアン径、重量基準)D50=3.61μmの鄭州磨料社製のグレードQPD2(2−5)を用いた。
多結晶ダイヤモンドは、平均粒径(メジアン径、重量基準)D50=3.65μmのBeijin Grish社製のグレードPCD G3.5を用いた。
水溶性有機溶媒として、エチレングリコール(山一化学株式会社製)、工業用プロピレングリコール(株式会社ADEKA)、ジエチレングリコール(和光純薬株式会社製)を用いた。水溶性有機溶媒は、研磨組成物全体が100質量%となるように残部を埋めるように配合した。(C)成分としては、第1表〜第6表に記載の高分子化合物A〜Fを用いた。
1)高分子化合物A:カルボン酸型界面活性剤(花王株式会社製、ポイズ530)
2)水溶性有機溶媒A:エチレングリコール
3)高分子化合物B:ポリアクリル酸(和光純薬株式会社製、Mw=25000)
4)高分子化合物C:ポリアクリル酸(和光純薬株式会社製、Mw=5000)
5)高分子化合物D:ポリアクリル酸(和光純薬株式会社製、Mw=250000)
6)pH調整剤A:KOH
7)高分子化合物E:ポリスルホン酸(東亜合成株式会社製、A6012)
8)高分子化合物F:ポリマレイン酸(日油株式会社製、ノンポールPMA−50W)
9)水溶性有機溶媒B:プロピレングリコール
10)水溶性有機溶媒C:ジエチレングリコール
11)水溶性有機溶媒D:グリセリン
12)pH調整剤B:NaOH
実施例9では、単結晶ダイヤモンドの代わりに多結晶ダイヤモンドを用いた。これによれば、多結晶ダイヤモンドを用いると、より一層高い研磨レートを実現できることが判った。
実施例10〜14によれば、臭化カリウムとポリアクリル酸を含むスラリーはpH6.5からpH10.4の弱酸性からアルカリ性の広い範囲にわたって、高い研磨レートが得られることが判る。
実施例15、16によれば、ポリアクリル酸の重量平均分子量5000から250000の範囲で、高い研磨レートが得られることが判る。
比較例5、6では無機酸の代わりに有機酸とカリウムの塩を用いた。1塩基のカルボン酸である酢酸の塩及び2塩基のカルボン酸であるシュウ酸の塩では、研磨レートの向上効果は確認できなかった。
実施例22では主溶媒をプロピレングリコール、実施例23では主溶媒をジエチレングリコールに変更した。これらの結果より、主溶媒をエチレングリコールからプロピレングリコール、ジエチレングリコールに変えた場合でも、高い研磨レートが得られることが判る。
実施例24〜27では、(D)分散媒体中の水を研磨組成物全量基準で10質量%から40質量%まで増量した。比較例7では(D)分散媒体中の水を研磨組成物全量基準で50質量%まで増量した。これらの結果から、(D)分散媒体中の水が研磨組成物全量基準で40質量%以下であれば、高い研磨レートを維持できるが、40質量%を超えると研磨レートが低下することが判った。
以上の結果から、アルカリ金属と無機酸の塩、及び高分子化合物はその塩を併用することで、これらを含まない又はアルカリ金属と無機酸の塩しか含まない研磨組成物と比べて、高い研磨レートが達成できる研磨組成物が得られることが判った。
Claims (6)
- (A)ダイヤモンドを含む砥粒と、
(B)塩化水素及び臭化水素から選ばれる少なくとも1つのアルカリ金属塩と、
(D)分散媒体と、が配合されてなり、
該(B)成分が研磨組成物全量基準で0.05質量%以上10質量%以下であり、該(D)分散媒体中の水が研磨組成物全量基準で2.0質量%以上40質量%以下である研磨組成物。 - さらに、(C)高分子化合物が研磨組成物全量に対して、0.05質量%以上5質量%以下、配合されてなる請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記(C)高分子化合物が、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸の塩、ポリスルホン酸、及びポリスルホン酸の塩から選ばれる少なくとも1種である請求項1又は2に記載の研磨組成物。
- 前記(D)分散媒体が、エチレングリコール、ジエチレングリコール、及びプロピレングリコールから選択される1種単独又は2以上と、水とからなる混合物である請求項1〜3のいずれかに記載の研磨組成物。
- サファイア、炭化珪素、窒化ガリウム、及び窒化アルミニウムから選ばれる少なくとも1つの材料からなる基板を請求項1〜4のいずれかに記載の研磨組成物を用いて研磨する基板の研磨方法。
- 前記基板がサファイアであり、発光ダイオード用である請求項5に記載の基板の研磨方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015203081A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170136577A (ko) * | 2015-04-13 | 2017-12-11 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 개선된 사파이어 제거 속도 및 표면 거칠기를 갖는 다이아몬드-기반 슬러리 |
KR20200061472A (ko) | 2018-11-23 | 2020-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57188890A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Method of finishing surface of intermetallic compound semiconductor material |
JPH04101765A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-03 | Nikko Kyodo Co Ltd | CdTe結晶研磨用の鏡面加工剤およびCdTe結晶の鏡面加工方法 |
JP2002086350A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-26 | Noritake Diamond Ind Co Ltd | 電気泳動研磨用研磨液および研磨加工方法 |
JP2003017445A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2008531319A (ja) * | 2005-03-04 | 2008-08-14 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | サファイア表面を研磨するための組成物および方法 |
JP2011040427A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 研磨剤組成物 |
JP2011241109A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Yokkaichi Chem Co Ltd | ガラスエッチング組成物、ガラスポリッシング加工用組成物及びガラスポリッシング加工方法 |
JP2012502812A (ja) * | 2008-09-16 | 2012-02-02 | ダイヤモンド イノベイションズ インコーポレーテッド | 特有の形態を有する砥粒 |
WO2013002281A1 (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | 三洋化成工業株式会社 | 研磨液用中和塩、電子材料用研磨液、研磨方法及び電子材料の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06101456B2 (ja) * | 1986-06-10 | 1994-12-12 | 株式会社ジャパンエナジー | CdTeウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
US5695384A (en) * | 1994-12-07 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Chemical-mechanical polishing salt slurry |
US6395194B1 (en) * | 1998-12-18 | 2002-05-28 | Intersurface Dynamics Inc. | Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same |
US20040025442A1 (en) * | 2000-12-15 | 2004-02-12 | Katsura Ito | Composition for texturing process |
JP2005288576A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Noritake Co Ltd | ポリッシング加工用ルブリカント及びそれからなるポリッシング加工用スラリー |
CN101724345A (zh) * | 2008-10-23 | 2010-06-09 | 冯云志 | 金属表面抛光膏 |
CN101604666B (zh) * | 2009-06-19 | 2011-05-11 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 蓝宝石衬底及抛光方法与应用 |
CN101993661B (zh) * | 2009-08-10 | 2013-07-24 | 重庆川仪自动化股份有限公司 | 用于加工蓝宝石表面曲率半径的研磨液及制备方法 |
CN102212333B (zh) * | 2011-04-19 | 2013-06-26 | 浙江露笑光电有限公司 | 蓝宝石衬底片精磨研磨液及其配制方法 |
CN102250582B (zh) * | 2011-05-19 | 2013-10-30 | 北京保利世达科技有限公司 | 一种窄分布亚微米尺寸的多晶金刚石磨料的制备方法 |
CN102643613B (zh) * | 2012-03-31 | 2014-03-12 | 常州同泰光电有限公司 | 一种用于蓝宝石衬底的研磨液及其制备方法 |
KR101955391B1 (ko) * | 2012-07-16 | 2019-03-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 구리막, 실리콘막 및 실리콘산화막 연마 슬러리 조성물 및 연마 방법 |
CN102775916B (zh) * | 2012-07-16 | 2015-01-07 | 芜湖海森材料科技有限公司 | 一种提高蓝宝石表面质量的抛光组合物 |
KR102105844B1 (ko) * | 2012-08-24 | 2020-04-29 | 에코랍 유에스에이 인코퍼레이티드 | 사파이어 표면 폴리싱 방법 |
CN103013345B (zh) * | 2012-12-21 | 2015-02-18 | 清华大学 | 油性金刚石研磨液及其制备方法 |
-
2014
- 2014-04-03 JP JP2014077121A patent/JP6408236B2/ja active Active
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57188890A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Method of finishing surface of intermetallic compound semiconductor material |
JPH04101765A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-03 | Nikko Kyodo Co Ltd | CdTe結晶研磨用の鏡面加工剤およびCdTe結晶の鏡面加工方法 |
JP2002086350A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-26 | Noritake Diamond Ind Co Ltd | 電気泳動研磨用研磨液および研磨加工方法 |
JP2003017445A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2008531319A (ja) * | 2005-03-04 | 2008-08-14 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | サファイア表面を研磨するための組成物および方法 |
JP2012502812A (ja) * | 2008-09-16 | 2012-02-02 | ダイヤモンド イノベイションズ インコーポレーテッド | 特有の形態を有する砥粒 |
JP2011040427A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 研磨剤組成物 |
JP2011241109A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Yokkaichi Chem Co Ltd | ガラスエッチング組成物、ガラスポリッシング加工用組成物及びガラスポリッシング加工方法 |
WO2013002281A1 (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | 三洋化成工業株式会社 | 研磨液用中和塩、電子材料用研磨液、研磨方法及び電子材料の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015203081A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
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