JPH06101456B2 - ＣｄＴｅウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 - Google Patents
ＣｄＴｅウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法Info
- Publication number
- JPH06101456B2 JPH06101456B2 JP61132619A JP13261986A JPH06101456B2 JP H06101456 B2 JPH06101456 B2 JP H06101456B2 JP 61132619 A JP61132619 A JP 61132619A JP 13261986 A JP13261986 A JP 13261986A JP H06101456 B2 JPH06101456 B2 JP H06101456B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- mirror
- sodium
- cdte
- cloth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、CdTeウェーハの鏡面研磨液並びに鏡面研磨方
法に関するものであり、特には光検出デバイス等におい
て基板として使用されるCdTeウェーハの鏡面研磨液工程
において用いられる鏡面研磨液並びに鏡面研磨方法に関
する。
法に関するものであり、特には光検出デバイス等におい
て基板として使用されるCdTeウェーハの鏡面研磨液工程
において用いられる鏡面研磨液並びに鏡面研磨方法に関
する。
本発明の鏡面研磨液の使用により、表面うねりが小さく
またヘイズ等の発生も少ない優れた鏡面を有するCdTeウ
ェーハ基板が得られ、これを基礎として作製された各種
デバイス等の高品質化を保証する。
またヘイズ等の発生も少ない優れた鏡面を有するCdTeウ
ェーハ基板が得られ、これを基礎として作製された各種
デバイス等の高品質化を保証する。
（発明の背景） CdTeはHgCdTe/CdTe等の形態で光検出デバイス等に使用
されている。上記材料は例えばエピタキシャル成長技術
によりCdTe基板上に結晶成長せめられる。
されている。上記材料は例えばエピタキシャル成長技術
によりCdTe基板上に結晶成長せめられる。
CdTe基板は、垂直ブリッジマン法その他の方法によって
得たCdTe単結晶を薄く切断し、それをラッピングした
後、エッチング、ポリシング等の段階を経由して最終的
に最終ポリシングを行って仕上げられる。最終ポリシン
グはウェーハの表面を鏡面に仕上げる工程であり、鏡面
エッチング法と鏡面研磨法とがある。鏡面エッチング法
は、エッチング液の中にメカニカルポリシュしたウェー
ハを入れ、エッチング液の化学作用のみで鏡面を得る方
法であるが、一般にうねりが大きく（約1000Å/200μ
ｍ）、平坦な鏡面は得られ難い。これに対し、鏡面研磨
法は、回転する円形定盤に研磨布を貼付け、この表面に
化学的作用を有する研磨液を滴下しながら、接着板に接
着したCdTeウェーハを研磨布に押圧しつつ研磨布に対し
て回転を行わせて、化学的及び機械的作用によって研磨
を行うものである。鏡面研磨法の方が鏡面エッチング法
に較べて平坦な表面を創出しやすい。鏡面研磨法におい
て滴下される研磨液を鏡面研磨液と呼ぶ。
得たCdTe単結晶を薄く切断し、それをラッピングした
後、エッチング、ポリシング等の段階を経由して最終的
に最終ポリシングを行って仕上げられる。最終ポリシン
グはウェーハの表面を鏡面に仕上げる工程であり、鏡面
エッチング法と鏡面研磨法とがある。鏡面エッチング法
は、エッチング液の中にメカニカルポリシュしたウェー
ハを入れ、エッチング液の化学作用のみで鏡面を得る方
法であるが、一般にうねりが大きく（約1000Å/200μ
ｍ）、平坦な鏡面は得られ難い。これに対し、鏡面研磨
法は、回転する円形定盤に研磨布を貼付け、この表面に
化学的作用を有する研磨液を滴下しながら、接着板に接
着したCdTeウェーハを研磨布に押圧しつつ研磨布に対し
て回転を行わせて、化学的及び機械的作用によって研磨
を行うものである。鏡面研磨法の方が鏡面エッチング法
に較べて平坦な表面を創出しやすい。鏡面研磨法におい
て滴下される研磨液を鏡面研磨液と呼ぶ。
鏡面の仕上り度は、後工程でそこにエピタキシャル成長
等により層が成長されるからきわめて重要である。平坦
度に優れた即ちうねりの小さなまたヘイズ、ピット等の
表面異常の少ない鏡面の形成が所望される。
等により層が成長されるからきわめて重要である。平坦
度に優れた即ちうねりの小さなまたヘイズ、ピット等の
表面異常の少ない鏡面の形成が所望される。
（従来技術とその問題点） 従来、CdTeウェーハの鏡面研磨液としては、臭素とメタ
ノールとの混合液或いは臭素とメタノールとエチレング
リコールとの混合液が用いられてきた。
ノールとの混合液或いは臭素とメタノールとエチレング
リコールとの混合液が用いられてきた。
しかしながら、上記方法により鏡面研磨したCdTeウェー
ハを詳細に調べてみると、表面うねりが80〜200Å/200
μｍとまだ大きく（オレンジピール状）、しかもピッ
ト、ヘイズ等の表面異常の発生が多いことが認められ
た。これでは、エピタキシャル成長等に適したCdTe基板
鏡面としては水準不足であり、もっと表面うねりの小さ
な且つ表面異常の少ない鏡面が要望される。
ハを詳細に調べてみると、表面うねりが80〜200Å/200
μｍとまだ大きく（オレンジピール状）、しかもピッ
ト、ヘイズ等の表面異常の発生が多いことが認められ
た。これでは、エピタキシャル成長等に適したCdTe基板
鏡面としては水準不足であり、もっと表面うねりの小さ
な且つ表面異常の少ない鏡面が要望される。
特開昭58−182867号は、透明電極付きガラス基板上にCd
S膜及びCdTe膜を積層した後、硝酸及び重クロム酸カリ
ウムを水で希釈したエッチング液を用いてこれらCdS膜
及びCdTe膜を所定の形状に順次エッチングし、この上に
電極を形成する光電変換装置の製造方法を開示する。こ
こでは、硝酸及び重クロム酸カリウムの水溶液は鏡面研
磨液ではなく、エッチング（食刻液）として用いられて
いる。この水溶液が鏡面研磨液として使用の可能性を有
していることは事実であるが、６価クロムを含み、利用
に際してはその散逸・汚染の防止に甚大な労力と費用を
有する現状に鑑み、重クロム酸カリウム系は本発明の対
象とするところではない。
S膜及びCdTe膜を積層した後、硝酸及び重クロム酸カリ
ウムを水で希釈したエッチング液を用いてこれらCdS膜
及びCdTe膜を所定の形状に順次エッチングし、この上に
電極を形成する光電変換装置の製造方法を開示する。こ
こでは、硝酸及び重クロム酸カリウムの水溶液は鏡面研
磨液ではなく、エッチング（食刻液）として用いられて
いる。この水溶液が鏡面研磨液として使用の可能性を有
していることは事実であるが、６価クロムを含み、利用
に際してはその散逸・汚染の防止に甚大な労力と費用を
有する現状に鑑み、重クロム酸カリウム系は本発明の対
象とするところではない。
特開昭50−99466号は、アルカリ金属若しくはアルカリ
土類金属ハイポハライトと等モル量のアルカリ金属炭酸
塩を含む鏡面研磨液を記載し、実施例では0.4モル量の
次亜臭素酸ナトリウムと等モルの炭酸ナトリウムの水溶
液を開示する。この研磨液が良質の鏡面研磨面を創出す
るのは事実であるが、その研磨効果は安定せず、ヘイズ
の防止効果も充分ではない。
土類金属ハイポハライトと等モル量のアルカリ金属炭酸
塩を含む鏡面研磨液を記載し、実施例では0.4モル量の
次亜臭素酸ナトリウムと等モルの炭酸ナトリウムの水溶
液を開示する。この研磨液が良質の鏡面研磨面を創出す
るのは事実であるが、その研磨効果は安定せず、ヘイズ
の防止効果も充分ではない。
（発明の概要） 本発明者等は、研磨効果が安定しそしてヘイズの防止効
果も充分である鏡面研磨液を開発するべく検討を重ね
た。その結果、次亜塩素酸ナトリウムと炭酸水素ナトリ
ウムと塩化ナトリウムとの水溶液から成る鏡面研磨液が
うねりの小さな且つ表面異常の少ない鏡面の創出に効果
的であるとの結論に至った。
果も充分である鏡面研磨液を開発するべく検討を重ね
た。その結果、次亜塩素酸ナトリウムと炭酸水素ナトリ
ウムと塩化ナトリウムとの水溶液から成る鏡面研磨液が
うねりの小さな且つ表面異常の少ない鏡面の創出に効果
的であるとの結論に至った。
この知見に基づいて、本発明は、次亜塩素酸ナトリウ
ム、炭酸水素ナトリウム及び塩化ナトリウムを水に溶解
した混合液において、前記の各溶質をそれぞれの割合を 次亜塩素酸ナトリウム:0.1〜5wt％（活性塩素濃度とし
て） 炭酸水素ナトリウム:0.1〜8wt％ 塩化ナトリウム:0.1〜20wt％ の範囲で混合したことを特徴とするCdTeウェーハの鏡面
研磨液を提供するものであり、またこの鏡面研磨液を使
用して研磨布付き回転研磨盤により鏡面研磨を行うこと
を特徴とするCdTeウェーハの鏡面研磨方法をも提供する
ものである。これにより、表面うねりがはるかに小さく
しかもヘイズ、ピット等の表面欠陥の低減した鏡面が得
られる。
ム、炭酸水素ナトリウム及び塩化ナトリウムを水に溶解
した混合液において、前記の各溶質をそれぞれの割合を 次亜塩素酸ナトリウム:0.1〜5wt％（活性塩素濃度とし
て） 炭酸水素ナトリウム:0.1〜8wt％ 塩化ナトリウム:0.1〜20wt％ の範囲で混合したことを特徴とするCdTeウェーハの鏡面
研磨液を提供するものであり、またこの鏡面研磨液を使
用して研磨布付き回転研磨盤により鏡面研磨を行うこと
を特徴とするCdTeウェーハの鏡面研磨方法をも提供する
ものである。これにより、表面うねりがはるかに小さく
しかもヘイズ、ピット等の表面欠陥の低減した鏡面が得
られる。
（発明の具体的説明） CdTe単結晶は、垂直ブリッジマン法等により得られるCd
Te単結晶から薄く切断されたCdTeウェーハは、例えばラ
ッピング、エッチング及び少くとも一回のポリシングを
経由した後、最終ポリシングとしての鏡面研磨を施され
る。
Te単結晶から薄く切断されたCdTeウェーハは、例えばラ
ッピング、エッチング及び少くとも一回のポリシングを
経由した後、最終ポリシングとしての鏡面研磨を施され
る。
鏡面研磨は、前述したように、接着板にワックス等の接
着剤によりウェーハを貼着し、これを研磨布を貼付けた
回転自在の円形定盤に所定の負荷の下で押圧しつつ、円
形定盤を回転しながら研磨を行う。ウェーハを貼着した
接着板は、自在継手によって懸吊支持されており、自在
に自転を行う。研磨液が研磨布に滴下され、研磨液はウ
ェーハと研磨布との間に保持され、研磨液層を形成す
る。こうして、研磨液による化学的作用と研磨布による
機械的作用とによって鏡面研磨がもたらされる。こうし
た装置は、特公昭48−25817号に例示されている。
着剤によりウェーハを貼着し、これを研磨布を貼付けた
回転自在の円形定盤に所定の負荷の下で押圧しつつ、円
形定盤を回転しながら研磨を行う。ウェーハを貼着した
接着板は、自在継手によって懸吊支持されており、自在
に自転を行う。研磨液が研磨布に滴下され、研磨液はウ
ェーハと研磨布との間に保持され、研磨液層を形成す
る。こうして、研磨液による化学的作用と研磨布による
機械的作用とによって鏡面研磨がもたらされる。こうし
た装置は、特公昭48−25817号に例示されている。
本発明に従えば、CdTeウェーハの鏡面研磨液として、次
亜塩素酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム及び塩化ナト
リウムを水に溶解した混合液において、前記の各溶質の
それぞれの割合を 次亜塩素酸ナトリウム:0.1〜5wt％（活性塩素濃度とし
て） 炭酸水素ナトリウム:0.1〜8wt％ 塩化ナトリウム:0.1〜20wt％ の範囲で混合した水溶液が使用される。
亜塩素酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム及び塩化ナト
リウムを水に溶解した混合液において、前記の各溶質の
それぞれの割合を 次亜塩素酸ナトリウム:0.1〜5wt％（活性塩素濃度とし
て） 炭酸水素ナトリウム:0.1〜8wt％ 塩化ナトリウム:0.1〜20wt％ の範囲で混合した水溶液が使用される。
上記混合液の調製においては、混合液中の次亜塩素酸ナ
トリウムの含有量は、予め次亜塩素酸ナトリウムを水に
溶解した濃厚溶液を準備し、その濃厚溶液中の活性塩素
濃度を秤定したのち、混合液中の活性塩素濃度が所定の
値となるように、その他の溶質と共に水にて希釈され
る。
トリウムの含有量は、予め次亜塩素酸ナトリウムを水に
溶解した濃厚溶液を準備し、その濃厚溶液中の活性塩素
濃度を秤定したのち、混合液中の活性塩素濃度が所定の
値となるように、その他の溶質と共に水にて希釈され
る。
次亜塩素酸ナトリウム並びに炭酸水素ナトリウムを含有
する混合液に塩化ナトリウムを添加することにより、よ
り安定した研磨効果を発揮する。特に、その安定した研
磨効果は、ヘイズの防止に対して有効であり、実質ヘイ
ズの無い鏡面の創出をより容易にする。そのためには、
上記の通りの組成範囲が必要である。
する混合液に塩化ナトリウムを添加することにより、よ
り安定した研磨効果を発揮する。特に、その安定した研
磨効果は、ヘイズの防止に対して有効であり、実質ヘイ
ズの無い鏡面の創出をより容易にする。そのためには、
上記の通りの組成範囲が必要である。
回転研磨盤を使用しての研磨条件は一般に次の通りであ
る： 研磨機の定盤径:300〜600mmφ 定盤回転数:20〜60rpm 加工圧:20〜150g/cm2 研磨時間:30〜120min 研磨液流量:0.5/hr以上 研磨布の種類：発泡ポリウレタン系軟質クロス なお、研磨布は発泡ポリウレタンの軟質クロスであるた
め、上記の化学的作用を有する混合液をその多孔性の空
隙に含浸する機能を持つ。
る： 研磨機の定盤径:300〜600mmφ 定盤回転数:20〜60rpm 加工圧:20〜150g/cm2 研磨時間:30〜120min 研磨液流量:0.5/hr以上 研磨布の種類：発泡ポリウレタン系軟質クロス なお、研磨布は発泡ポリウレタンの軟質クロスであるた
め、上記の化学的作用を有する混合液をその多孔性の空
隙に含浸する機能を持つ。
鏡面研磨されたCdTeウェーハは、対象とするデバィス或
いは素子に応じて更に処理される。例えば、CdTe上にエ
ピタキシャル成長を行わせる為には、研磨時に付着した
接着用のワックスを除去する為に有機洗浄される。有機
洗浄は、例えばトリクレン、アセトン及びメタノールを
用いてこれらに１〜数分間順次浸漬することにより行う
のが好ましい。
いは素子に応じて更に処理される。例えば、CdTe上にエ
ピタキシャル成長を行わせる為には、研磨時に付着した
接着用のワックスを除去する為に有機洗浄される。有機
洗浄は、例えばトリクレン、アセトン及びメタノールを
用いてこれらに１〜数分間順次浸漬することにより行う
のが好ましい。
本明細書において表面うねりは、表面断面輸郭曲線にお
いて200μｍの基準長さをその曲線における幾つかの部
分に設定し、その各々における最大粗さ（Rmax）を測定
し、そしてそれらの平均値として表したものである。
いて200μｍの基準長さをその曲線における幾つかの部
分に設定し、その各々における最大粗さ（Rmax）を測定
し、そしてそれらの平均値として表したものである。
（実施例） 次の割合で各成分を混合して得られる鏡面研磨液を用意
した： 次亜塩素酸ナトリウム水溶液（活性塩素濃度5w％）１ 炭酸水素ナトリウム 200g 水 ４ 塩化ナトリウム 80g 上記の溶液の調製に用いる活性塩素濃度5wt％の次亜塩
素酸ナトリウム水溶液は、予め次亜塩素酸ナトリウムを
水に溶解した濃厚溶液を準備し、その濃厚溶液中の活性
塩素濃度を秤定した後、活性塩素濃度が上記の値となる
ように、前記の秤定済の次亜塩素酸ナトリウム濃厚溶液
を水にて希釈して得た。
した： 次亜塩素酸ナトリウム水溶液（活性塩素濃度5w％）１ 炭酸水素ナトリウム 200g 水 ４ 塩化ナトリウム 80g 上記の溶液の調製に用いる活性塩素濃度5wt％の次亜塩
素酸ナトリウム水溶液は、予め次亜塩素酸ナトリウムを
水に溶解した濃厚溶液を準備し、その濃厚溶液中の活性
塩素濃度を秤定した後、活性塩素濃度が上記の値となる
ように、前記の秤定済の次亜塩素酸ナトリウム濃厚溶液
を水にて希釈して得た。
厚さ0.5mmのCdTe単結晶ウェーハを、ラッピング等の予
備処理後、研磨布付き回転研磨盤において、上記研磨液
を用いて鏡面研磨を行った。
備処理後、研磨布付き回転研磨盤において、上記研磨液
を用いて鏡面研磨を行った。
研磨条件は次の通りとした： 研磨機の定盤径:300mmφ 定盤回転数:40rpm 加工圧:80g/cm2 研磨時間:60min 研磨流量:2/hr 研磨布の種類：発泡ポリウレタン系軟質クロス 得られた鏡面は、表面うねりが20Å/200μｍと小さく、
しかもヘイズ、ピット等の少ない良質のものであった。
しかもヘイズ、ピット等の少ない良質のものであった。
上記の実施例の次亜塩素酸ナトリウム水溶液、炭酸水素
ナトリウム、塩化ナトリウムと水を混合て得られる混合
液に対し、塩化ナトリウムのみを除き、同じ量の次亜塩
素酸ナトリウム水溶液、炭酸水素ナトリウムと水を混合
して得られる混合液も、ほぼ匹敵し得る鏡面研磨効果を
奏し得るが、前者の塩化ナトリウムを添加した混合液
は、研磨効果は安定し、特にヘイズの防止に有効な点で
優っている。
ナトリウム、塩化ナトリウムと水を混合て得られる混合
液に対し、塩化ナトリウムのみを除き、同じ量の次亜塩
素酸ナトリウム水溶液、炭酸水素ナトリウムと水を混合
して得られる混合液も、ほぼ匹敵し得る鏡面研磨効果を
奏し得るが、前者の塩化ナトリウムを添加した混合液
は、研磨効果は安定し、特にヘイズの防止に有効な点で
優っている。
（比較例） 先に従来技術として示したものの代表的研磨液として
（ｉ）0.05〜1vol％臭素−残メタノール及び（ii）0.5
〜1vol％臭素−50vol％エチレングリコール−残メタノ
ールを使用して実施例１と同一条件で鏡面研磨を行っ
た。（１）ではうねりが200Å/200μｍと非常に大きく
また（ii）でも80Å/200μｍの大きなうねりが見出され
た。ピット、ヘイズ等の表面欠陥も多く、エピタキシャ
ル成長を行わせる基板としては水準不足であった。
（ｉ）0.05〜1vol％臭素−残メタノール及び（ii）0.5
〜1vol％臭素−50vol％エチレングリコール−残メタノ
ールを使用して実施例１と同一条件で鏡面研磨を行っ
た。（１）ではうねりが200Å/200μｍと非常に大きく
また（ii）でも80Å/200μｍの大きなうねりが見出され
た。ピット、ヘイズ等の表面欠陥も多く、エピタキシャ
ル成長を行わせる基板としては水準不足であった。
（発明の効果） 表面うねりが従来の100〜200Å/200μｍから20Å/200μ
ｍへと減少し、且つヘイズ、ピット等の表面欠陥の少な
い、エピタキシャル成長に適したCdTeウェーハを得るこ
とができる。本発明研磨液は特に、安定した研磨効果並
びにヘイズの防止に対してする有効性において優れてい
る。更に、本発明の提供する鏡面研磨液を用い、研磨布
付き回転研磨盤により鏡面研磨を行うことを特徴とする
CdTeウェーハの鏡面研磨方法により、エピタキシャル成
長に適する水準の鏡面仕上り度を達成でき、それによ
り、鏡面研磨CdTeウェーハの製造の歩留りの向上が図れ
る。
ｍへと減少し、且つヘイズ、ピット等の表面欠陥の少な
い、エピタキシャル成長に適したCdTeウェーハを得るこ
とができる。本発明研磨液は特に、安定した研磨効果並
びにヘイズの防止に対してする有効性において優れてい
る。更に、本発明の提供する鏡面研磨液を用い、研磨布
付き回転研磨盤により鏡面研磨を行うことを特徴とする
CdTeウェーハの鏡面研磨方法により、エピタキシャル成
長に適する水準の鏡面仕上り度を達成でき、それによ
り、鏡面研磨CdTeウェーハの製造の歩留りの向上が図れ
る。
Claims (3)
- 【請求項１】次亜塩素酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウ
ム及び塩化ナトリウムを水に溶解した混合液において、
前記の各溶質をそれぞれの割合を 次亜塩素酸ナトリウム:0.1〜5wt％（活性塩素濃度とし
て） 炭酸水素ナトリウム:0.1〜8wt％ 塩化ナトリウム:0.1〜20wt％ の範囲で混合したことを特徴とするCdTeウェーハの鏡面
研磨液。 - 【請求項２】次亜塩素酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウ
ム及び塩化ナトリウムを水に溶解した混合液において、
前記の各溶質をそれぞれの割合を 次亜塩素酸ナトリウム:0.1〜5wt％（活性塩素濃度とし
て） 炭酸水素ナトリウム:0.1〜8wt％ 塩化ナトリウム:0.1〜20wt％ の範囲で混合した鏡面研磨液を用い、研磨布付き回転研
磨盤により鏡面研磨を行うことを特徴とするCdTeウェー
ハの鏡面研磨方法。 - 【請求項３】研磨条件が 研磨機の定盤径:300〜600mmφ 定盤回転数:20〜60rpm 加工圧:20〜150g/cm2 研磨時間:30〜120min 研磨液流量:0.5/hr以上 研磨布の種類：発泡ポリウレタン系軟質クロス である特許請求の範囲第２項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132619A JPH06101456B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | ＣｄＴｅウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132619A JPH06101456B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | ＣｄＴｅウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290135A JPS62290135A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH06101456B2 true JPH06101456B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=15085562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61132619A Expired - Lifetime JPH06101456B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | ＣｄＴｅウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101456B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0659620B2 (ja) * | 1987-04-02 | 1994-08-10 | 上村工業株式会社 | ポリツシングコンパウンド |
| JP4300546B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2009-07-22 | 貞雄 二橋 | 金属加工用水および金属加工用組成物 |
| JP5234963B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-07-10 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | エピタキシャル成長用半導体基板の製造方法 |
| EP2369041B1 (en) * | 2009-09-30 | 2014-12-03 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Cdte semiconductor substrate for epitaxial growth and substrate container |
| JP6408236B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2018-10-17 | 昭和電工株式会社 | 研磨組成物、及び該研磨組成物を用いた基板の研磨方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3869323A (en) * | 1973-12-28 | 1975-03-04 | Ibm | Method of polishing zinc selenide |
| US3869324A (en) * | 1973-12-28 | 1975-03-04 | Ibm | Method of polishing cadmium telluride |
| JPS58182867A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61132619A patent/JPH06101456B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62290135A (ja) | 1987-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4600469A (en) | Method for polishing detector material | |
| US4057939A (en) | Silicon wafer polishing | |
| CA1044580A (en) | Process for chemical-mechanical polishing of iii-v semiconductor materials | |
| JP2894153B2 (ja) | シリコンウエーハの製造方法、およびその装置 | |
| US3342652A (en) | Chemical polishing of a semi-conductor substrate | |
| KR20000017512A (ko) | 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물 | |
| JPH09270400A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2002222780A (ja) | シリコンウェハの表面ポリッシング法 | |
| KR20000062540A (ko) | 개량 평탄성을 가진 반도체 웨이퍼 및 그의 제조방법 | |
| WO2006028017A1 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| US20130224954A1 (en) | Silicon carbide single crystal substrate | |
| US3869324A (en) | Method of polishing cadmium telluride | |
| US3738882A (en) | Method for polishing semiconductor gallium arsenide planar surfaces | |
| JPH06101456B2 (ja) | ＣｄＴｅウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 | |
| US3869323A (en) | Method of polishing zinc selenide | |
| JPH02220838A (ja) | 積層体、並びに該積層体を用いた被研磨部材の保持材及び研磨布 | |
| US7645702B2 (en) | Manufacturing method of silicon wafer | |
| US3775201A (en) | Method for polishing semiconductor gallium phosphide planar surfaces | |
| JPH06101457B2 (ja) | ＧａＡｓウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 | |
| JPH05154760A (ja) | シリコンウエーハの研磨用組成物及び研磨方法 | |
| JPH0727881B2 (ja) | ＩｎＰウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 | |
| JPH03131025A (ja) | ＣｄＴｅウエハーの鏡面研磨液及びそれを用いる鏡面研磨方法 | |
| US4108716A (en) | Polishing of CdS crystals | |
| JP2012011511A (ja) | ガラス基板の研磨装置及びガラス基板の研磨方法及びガラス基板の製造方法 | |
| JP2893717B2 (ja) | 半導体ウェハーの加工方法 |