JP2015195699A - 駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この駆動装置は、パワースイッチング素子のオン動作を行うオン側回路と、パワースイッチング素子のオフ動作を行うオフ側回路と、パワースイッチング素子の温度を検出する温度検出部と、を備えている。オン側回路およびオフ側回路の少なくとも一方の回路は、ゲート電流を供給あるいは引く抜くための、少なくとも2つの電流経路と、電流経路を切り替えることによりゲート電流を切り替えるスイッチ回路と、を有し、該スイッチ回路は、ゲート電流の切り替え時において、温度検出部により検出されたパワースイッチング素子の温度に基づいて、ゲート電流を過渡的に変化させる。
【選択図】図4
Description
最初に、図1を参照して、本実施形態に係る駆動装置について説明する。
上記例では、スイッチ回路SW1のみがオンの状態から、スイッチ回路SW1をオフすることによりIGBT200のゲート電流を切り替える例について示した。換言すれば、ゲート電流の切り替え段数が2段である例について示した。しかしながら、この例に限定されない。すなわち、ゲート電流の切り替え段数は3段以上でもよい。
上記した実施形態では、オフ側回路120において、IGBT200の温度に基づく制御を可能にした例について示したが、これはオン側回路110についても適用することができる。
第1実施形態では、メインMOSトランジスタ(Tr10〜Tr15)が6つ形成されており、ゲート電荷を引き抜く電流経路が6つの場合であって、ゲート電流の切り替え段数が2段(変形例では3段以上)の例に示した。
センス電流制御回路SCは、オペアンプ111,121と基準抵抗112,122および参照電源113,123とにより構成される回路に限定されない。
第4実施形態におけるセンス電流制御回路SCの、センスMOSトランジスタTr20およびメインMOSトランジスタ(Tr10〜Tr15)へ供給するゲート電流を高精度に制御するために、図10に示すように、Vds調整回路163を採用することができる。
センスMOSトランジスタTr20およびメインMOSトランジスタ(Tr10〜Tr15)の閾値電圧や電荷の移動度は一般に温度特性を有しているので、温度の変化とともにIGBT200のゲート電圧が変化する虞がある。本変形例では、これを抑制するため、センス電流制御回路SCとして、第4実施形態および変形例2に示した参照電源162に適切な温度特性を持たせた構成を採用している。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
110・・・オン側回路
120・・・オフ側回路
130・・・dV/dt検出回路
140・・・遅延回路
200・・・パワースイッチング素子(IGBT)
Tr10〜Tr15,Tr50〜Tr55・・・メインMOSトランジスタ
Tr20,Tr60・・・センスMOSトランジスタ
SW1〜SW10(SW)・・・スイッチ回路
Claims (10)
- パワースイッチング素子(200)のオンオフを制御する駆動装置であって、
前記パワースイッチング素子のオン動作を行うオン側回路(110)と、前記パワースイッチング素子のオフ動作を行うオフ側回路(120)と、前記パワースイッチング素子の温度を検出する温度検出部(D)と、を備え、
前記オン側回路および前記オフ側回路の少なくとも一方の回路は、前記パワースイッチング素子のゲート電流を供給あるいは引き抜くための電流経路と、
前記ゲート電流を切り替えるスイッチ回路(SW1〜SW5,SW6〜SW10)と、を有し、
該スイッチ回路は、前記ゲート電流の切り替え時において、前記温度検出部により検出された前記パワースイッチング素子の温度に基づいて、前記ゲート電流を過渡的に変化させることを特徴とする駆動装置。 - 前記電流経路は、少なくとも2つ存在し、
前記ゲート電流は、前記スイッチ回路によって前記電流経路が切り替わることによって変化することを特徴とする請求項1に記載の駆動装置。 - 前記オフ側回路は、
出力トランジスタとして前記電流経路を形成する複数のメインMOSトランジスタ(Tr10〜Tr15)と、
前記メインMOSトランジスタとゲートが共通で、前記メインMOSトランジスタに対してカレントミラーを構成することによって、前記メインMOSトランジスタのドレイン電流を規定するセンスMOSトランジスタ(Tr20)と、
前記センスMOSトランジスタのドレイン電流を一定に制御するセンス電流制御回路(SC)と、を有し、
さらに、前記スイッチ回路は、前記メインMOSトランジスタのゲートに接続され、前記メインMOSトランジスタのオンオフを制御することにより前記パワースイッチング素子における前記ゲート電流を切り替えるように構成され、
該スイッチ回路は、前記ゲート電流の切り替え時において、前記パワースイッチング素子の温度に基づいて前記メインMOSトランジスタのオン抵抗を制御し、前記ゲート電流を過渡的に変化させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の駆動装置。 - 前記センス電流制御回路は、
参照電位(Vref)を発生させる参照電源(123)と、
前記センスMOSトランジスタに直列接続された基準抵抗(122)と、
前記基準抵抗と前記センスMOSトランジスタとの間の電位が前記参照電位に近づくように前記センスMOSトランジスタのゲートに出力を発生させるオペアンプ(121)と、を有して、
前記センスMOSトランジスタのドレイン電流として前記基準抵抗の抵抗値と前記参照電位とによって決まる電流を流すように構成されることを特徴とする請求項3に記載の駆動装置。 - 前記センス電流制御回路は、
前記センスMOSトランジスタのゲートに出力を発生させるオペアンプ(161)と、
所定の電流を前記オペアンプの一方の入力端子に供給する電流源(P2)と、
前記オペアンプに対して前記電流源と並列接続された感温素子(164)と、を有して、
温度に依存する前記感温素子の電圧降下に基づいて、前記センスMOSトランジスタのドレイン電流を変化させるように構成されることを特徴とする請求項3に記載の駆動装置。 - 前記メインMOSトランジスタは少なくとも3つ以上接続されて、前記ゲート電流が段階的に低下するとともに、
前記ゲート電流の切り替え時において、前記ゲート電流を過渡的に変化させることを特徴とする請求項3〜5のいずれか1項に記載の駆動装置。 - 前記オン側回路は、
出力トランジスタとして前記電流経路を形成する複数のメインMOSトランジスタ(Tr50〜Tr55)と、
前記メインMOSトランジスタとゲートが共通で、前記メインMOSトランジスタに対してカレントミラーを構成することによって、前記メインMOSトランジスタのドレイン電流を規定するセンスMOSトランジスタ(Tr60)と、
前記センスMOSトランジスタのドレイン電流を一定に制御するセンス電流制御回路(SC)と、を有し、
さらに、前記スイッチ回路は、前記メインMOSトランジスタのゲートに接続され、前記メインMOSトランジスタのオンオフを制御することにより前記パワースイッチング素子における前記ゲート電流を切り替えるように構成され、
該スイッチ回路は、前記ゲート電流の切り替え時において、前記パワースイッチング素子の温度に基づいて前記メインMOSトランジスタのオン抵抗を制御し、前記ゲート電流を過渡的に変化させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の駆動装置。 - 前記センス電流制御回路は、
参照電位(Vref)を発生させる参照電源(113)と、
前記センスMOSトランジスタに直列接続された基準抵抗(112)と、
前記基準抵抗と前記センスMOSトランジスタとの間の電位が前記参照電位に近づくように前記センスMOSトランジスタのゲートに出力を発生させるオペアンプ(111)と、を有して、
前記センスMOSトランジスタのドレイン電流として前記基準抵抗の抵抗値と前記参照電位とによって決まる電流を流すように構成されることを特徴とする請求項7に記載の駆動装置。 - 前記センス電流制御回路は、
前記センスMOSトランジスタのゲートに出力を発生させるオペアンプ(161)と、
所定の電流を前記オペアンプの一方の入力端子に供給する電流源(P3)と、
前記オペアンプに対して前記電流源と並列接続された感温素子(164)と、を有して、
温度に依存する前記感温素子の電圧降下に基づいて、前記センスMOSトランジスタのドレイン電流を変化させるように構成されることを特徴とする請求項7に記載の駆動装置。 - 前記メインMOSトランジスタは少なくとも3つ以上接続されて、前記ゲート電流が段階的に低下するとともに、
前記ゲート電流の切り替え時において、前記ゲート電流を過渡的に変化させることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の駆動装置。
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