JP2015185821A - 薄膜形成装置の立ち上げ方法、及び、薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置の立ち上げ方法、及び、薄膜形成装置 Download PDFInfo
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に関する。
被処理体を収容する反応室を構成する石英チューブを交換した薄膜形成装置の立ち上げ方法であって、
前記石英チューブがセットされた薄膜形成装置の反応管内にオゾンを用いたサイクルパージを実施するオゾンサイクルパージ工程と、
前記オゾンサイクルパージ工程後に、前記被処理体に薄膜を形成する条件で、前記反応室内に成膜用ガスを供給するプリコーティング工程と、
を備える、ことを特徴とする。
前記反応室内にオゾンを供給するオゾンフロー工程と、
前記オゾンが供給された反応室内のガスを排気する排気工程と、
前記ガスが排気された反応室内に窒素ガスを供給してパージするパージ工程と、を、少なくとも、複数回繰り返す。
前記反応室内のガスを排気する第1排気工程と、
前記ガスが排気された反応室内に窒素ガスを供給してパージする第1パージ工程と、
前記反応室内にオゾンを供給するオゾンフロー工程と、
前記オゾンが供給された反応室内のガスを排気する第2排気工程と、
前記ガスが排気された反応室内に窒素ガスを供給してパージする第2パージ工程と、を、少なくとも、複数回繰り返す。
前記窒素ガスは、High−k膜の成膜用ガスを構成する窒素含有ガスを含むことが好ましい。
被処理体が収容された反応室を構成する石英チューブを交換した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内にオゾンを供給するオゾン供給手段と、
前記反応室内のガスを排気する排気手段と、
前記反応室内に成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記オゾン供給手段及び前記排気手段を制御して、前記反応室内にオゾンを用いたサイクルパージを実施した後、前記成膜用ガス供給手段を制御して、前記被処理体に薄膜を形成する条件で、前記反応室内に成膜用ガスを供給し、前記被処理体に薄膜を形成することを特徴とする。
さらに、反応管2の下端近傍の側面には、反応管2(外管2b)内に希釈ガス及びパージガスとしての窒素(N2)を供給する窒素ガス供給管10が挿通されている。
圧力計123は、反応管2内及び排気管内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
真空ポンプ127は、排気管に接続され、反応管2内のガスを排気する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
2a 内管
2b 外管
3 排気部
4 排気口
5 蓋体
6 ウエハボート
7 昇温用ヒータ
8 処理ガス供給管
9 オゾン供給管
10 窒素ガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (5)
- 被処理体を収容する反応室を構成する石英チューブを交換した薄膜形成装置の立ち上げ方法であって、
前記石英チューブがセットされた薄膜形成装置の反応管内にオゾンを用いたサイクルパージを実施するオゾンサイクルパージ工程と、
前記オゾンサイクルパージ工程後に、前記被処理体に薄膜を形成する条件で、前記反応室内に成膜用ガスを供給するプリコーティング工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置の立ち上げ方法。 - 前記オゾンサイクルパージ工程では、
前記反応室内にオゾンを供給するオゾンフロー工程と、
前記オゾンが供給された反応室内のガスを排気する排気工程と、
前記ガスが排気された反応室内に窒素ガスを供給してパージするパージ工程と、を、少なくとも、複数回繰り返す、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の立ち上げ方法。 - 前記オゾンサイクルパージ工程では、
前記反応室内のガスを排気する第1排気工程と、
前記ガスが排気された反応室内に窒素ガスを供給してパージする第1パージ工程と、
前記反応室内にオゾンを供給するオゾンフロー工程と、
前記オゾンが供給された反応室内のガスを排気する第2排気工程と、
前記ガスが排気された反応室内に窒素ガスを供給してパージする第2パージ工程と、を、少なくとも、複数回繰り返す、ことを特徴とする請求項2に記載の薄膜形成装置の立ち上げ方法。 - 前記薄膜はHigh−k膜であり、
前記窒素ガスは、High−k膜の成膜用ガスを構成する窒素含有ガスを含む、ことを特徴とする請求項2または3に記載の薄膜形成装置の立ち上げ方法。 - 被処理体が収容された反応室を構成する石英チューブを交換した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内にオゾンを供給するオゾン供給手段と、
前記反応室内のガスを排気する排気手段と、
前記反応室内に成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記オゾン供給手段及び前記排気手段を制御して、前記反応室内にオゾンを用いたサイクルパージを実施した後、前記成膜用ガス供給手段を制御して、前記被処理体に薄膜を形成する条件で、前記反応室内に成膜用ガスを供給し、前記被処理体に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成装置。
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