JP2015181169A - 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 - Google Patents

発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 Download PDF

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Abstract

【課題】色純度の良い青色発光を示し、長寿命な有機化合物を提供する。【解決手段】下記の構造を有する蛍光性の有機化合物。(Ar1およびAr2は、アリール基、R1〜R8は、水素、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、ハロアルキル基、もしくはアリール基を表す。X1およびX2は、それぞれ独立に、置換または無置換のベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラニル基を表す。)【選択図】なし

Description

本発明の一態様は、蛍光発光を呈する新規の有機化合物に関する。また、蛍光発光を呈
する新規の有機化合物を用いた発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置に関する
エレクトロルミネッセンス(EL:Electro Luminescence)を利
用した発光素子は、次世代ディスプレイ技術として大きな期待が寄せられており、近年で
は様々な研究開発が行われている。なお、発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発
光性の物質を含む層を挟んだものである。そして、この素子に電圧を印加することにより
、励起状態となった発光性の物質からの発光が得られる。
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高
く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として
好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できること
も大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
また、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状の発光を容易に
得ることができる。よって、面状の発光を利用した大面積の素子を形成することができる
。このことは、白熱電球やLEDに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光
源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
発光素子は、発光性の物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別で
きるが、発光性の物質に有機化合物を用いる場合、発光素子に電圧を印加することにより
、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電
流が流れる。そして、それらキャリア(電子および正孔)が再結合することにより、発光
性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。なお
、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可
能であり、一重項励起状態(S)からの発光が蛍光、三重項励起状態(T)からの発
光が燐光と呼ばれている。なお、発光素子を作製する上で、これらの発光性の物質がその
特性に大きく影響を与えている。
また、高効率な発光素子を得るために、発光素子に含まれる発光層において、発光効率の
高い新たな蛍光材料を用いる方法が報告されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2005−75868号公報
上述した特許文献1において報告されているように優れた特性を有する新規な蛍光材料
の開発が進んでいるが、さらに特性の良好な新規材料の開発が望まれている。
そこで、本発明の一態様では、色純度の良い青色発光を示し、長寿命な蛍光性の有機化
合物を新規物質として提供する。また、色純度の良い青色発光を示し、長寿命な発光素子
、発光装置、電子機器、または照明装置を提供する。
本発明の一態様は、ピレン骨格の1位と6位にそれぞれベンゾナフトフラニルアミンが
結合した構造を有する青色の蛍光性の有機化合物である。従って、本発明の一態様は、下
記一般式(G1)で表される有機化合物である。
但し、式中、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換または無置換の環を形成す
る炭素数が6〜13のアリール基を表し、R〜Rは、それぞれ独立に、水素、置換ま
たは無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のアルコキシ
基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、もしくは
置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。XおよびXは、それぞれ独
立に、置換または無置換のベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラニル基を表す。
なお、上記構成において、上記一般式(G1)における窒素原子は、それぞれ独立に、
前記ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラニル基の6位または8位と結合することが好
ましい。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式(G2)で表される有機化合物である。
但し、式中、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換または無置換の環を形成す
る炭素数が6〜13のアリール基を表し、R〜R17およびR19〜R27は、それぞ
れ独立に、水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭
素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハ
ロアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式(G3)で表される有機化合物である。
但し、式中、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換または無置換の環を形成す
る炭素数が6〜13のアリール基を表し、R〜R、R10〜R18およびR20〜R
28は、それぞれ独立に、水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換ま
たは無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭
素数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基
を表す。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式(G4)で表される有機化合物である。
但し、式中、R〜RおよびR29〜R38は、それぞれ独立に、水素、置換または
無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、
シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換
または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式(G5)で表される有機化合物である。
但し、式中、R〜RおよびR29〜R38は、それぞれ独立に、水素、置換または
無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、
シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換
または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。
また、本発明の別の一態様は、下記構造式(100)で表される有機化合物である。
また、本発明の別の一態様は、下記構造式(101)で表される有機化合物である。
また、本発明の別の一態様は、上記一般式(G1)〜(G5)で表される有機化合物の
合成方法及び、上記一般式(G1)〜(G5)を合成に用いる新規な有機化合物、8−ハ
ロゲン化ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランである。なお、8−ハロゲン化ベンゾ
[b]ナフト[1,2−d]フランのハロゲンは、塩素、臭素、ヨウ素であることが好ま
しい。
また、本発明の別の一態様は、上記一般式(G1)〜(G5)で表される有機化合物を
含む発光素子、及び発光素子を有する発光装置である。
なお、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する照
明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示
デバイス、または光源(照明装置含む)を指す。また、発光装置にコネクター、例えばF
PC(Flexible printed circuit)もしくはTCP(Tape
Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリン
ト配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG(Chip On Glas
s)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むもの
とする。
本発明の一態様は、色純度の良い青色発光(発光ピーク波長:450nm付近)を示し
、高効率、かつ長寿命な蛍光性の有機化合物を新規物質として提供することができる。な
お、本発明の一態様である有機化合物を用いることにより、色純度の良い青色発光を示す
発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置を提供することができる。また、消費電
力が低く、長寿命な発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置を提供することがで
きる。
発光素子の構造について説明する図。 発光素子の構造について説明する図。 発光装置について説明する図。 電子機器について説明する図。 照明器具について説明する図。 構造式(100)に示す有機化合物のH NMRチャート。 構造式(100)に示す有機化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。 構造式(101)に示す有機化合物のH NMRチャート。 構造式(101)に示す有機化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。 8−ハロゲン化ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランのH NMRチャート。 発光素子について説明する図。 発光素子1の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子1の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子1の電圧−電流特性を示す図。 発光素子1の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子1の発光スペクトルを示す図。 発光素子1の信頼性を示す図。 発光素子2および比較発光素子3の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子2および比較発光素子3の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子2および比較発光素子3の電圧−電流特性を示す図。 発光素子2および比較発光素子3の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子2および比較発光素子3の発光スペクトルを示す図。 発光素子2および比較発光素子3の信頼性を示す図。 構造式(100)に示す有機化合物のLC−MS測定結果を示す図。 構造式(101)に示す有機化合物のLC−MS測定結果を示す図。 構造式(138)に示す有機化合物のH NMRチャート。 構造式(138)に示す有機化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。 発光素子4の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子4の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子4の電圧−電流特性を示す図。 発光素子4の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子4の発光スペクトルを示す図。 発光素子4の信頼性を示す図。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様である新規の有機化合物について説明する。
本発明の一態様である有機化合物は、ピレン骨格の1位と6位にそれぞれベンゾナフト
フラニルアミンが結合した構造を有し、青色発光を呈する蛍光性の有機化合物である。な
お、本実施の形態で説明する、有機化合物の一態様は、下記一般式(G1)で表される有
機化合物である。
一般式(G1)において、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換または無置換
の環を形成する炭素数が6〜13のアリール基を表し、R〜Rは、それぞれ独立に、
水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6
のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル
基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。XおよびX
、それぞれ独立に、置換または無置換のベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラニル基を
表す。
また、一般式(G1)で表される有機化合物のうち、下記一般式(G2)で表される有
機化合物が好ましい。
一般式(G2)において、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換または無置換
の環を形成する炭素数が6〜13のアリール基を表し、R〜R17およびR19〜R
は、それぞれ独立に、水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換また
は無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素
数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を
表す。
また、一般式(G1)で表される有機化合物のうち、下記一般式(G3)で表される有
機化合物が好ましい。なお、下記一般式(G3)で表される有機化合物は、発光波長が短
波長化するため好ましい。
一般式(G3)において、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換または無置換
の環を形成する炭素数が6〜13のアリール基を表し、R〜R、R10〜R18およ
びR20〜R28は、それぞれ独立に、水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキ
ル基、置換または無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換また
は無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10
のアリール基を表す。一般式(G3)において、R18およびR28が置換または無置換
のフェニル基である物質は、発光波長が短波長な物質となるため好ましい。また、R18
およびR28が置換または無置換のフェニル基である物質を用いた発光素子は、発光スペ
クトルの半値幅が短い、発光効率が良い、信頼性が良いため好ましい。立体構造的な歪を
避けるためには、より好ましくはR18およびR28が無置換のフェニル基の場合である
が、R18およびR28が置換基を有するフェニル基の場合、該置換基としては炭素数1
〜6のアルキル基やフェニル基が好ましい。
また、一般式(G2)で表される有機化合物のうち、下記一般式(G4)で表される有
機化合物がより好ましい。
一般式(G4)において、R〜RおよびR29〜R38は、それぞれ独立に、水素
、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のア
ルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、
もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。
また、一般式(G3)で表される有機化合物のうち、下記一般式(G5)で表される有
機化合物がより好ましい。なお、下記一般式(G5)で表される有機化合物は、発光波長
が短波長化するためより好ましい。
一般式(G5)において、R〜RおよびR29〜R38は、それぞれ独立に、水素
、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のア
ルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、
もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。
なお、一般式(G1)から一般式(G3)における、置換または無置換の環を形成する
炭素数が6〜13のアリール基の具体例および一般式(G4)から一般式(G5)におけ
る、置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基の具体例としては、フェニル基、1
−ナフチル基、2−ナフチル基、オルト−トリル基、メタ−トリル基、パラ−トリル基、
オルト−ビフェニル基、メタ−ビフェニル基、パラ−ビフェニル基、9,9−ジメチル−
9H−フルオレン−2−イル基、9,9−ジフェニル−9H−フルオレン−2−イル基、
9H−フルオレン−2−イル基、パラ−tert−ブチルフェニル基、メシチル基等が挙
げられる。
また、一般式(G1)から一般式(G5)において、置換または無置換の炭素数1〜6
のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基
、n−ブチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル
基、イソペンチル基、sec−ペンチル基、tert−ペンチル基、ネオペンチル基、n
−ヘキシル基、イソヘキシル基、sec−ヘキシル基、tert−ヘキシル基、ネオヘキ
シル基、シクロヘキシル基、3−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、2−エチル
ブチル基、1,2−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基等が挙げられる。
また、一般式(G1)から一般式(G5)において、置換または無置換の炭素数1〜6
のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル
基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、
n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペ
ンチロキシ基、イソペンチロキシ基、sec−ペンチロキシ基、tert−ペンチロキシ
基、ネオペンチロキシ基、n−ヘキシロキシ基、イソヘキシロキシ基、sec−ヘキシロ
キシ基、tert−ヘキシロキシ基、ネオヘキシロキシ基、シクロヘキシロキシ基、3−
メチルペンチロキシ基、2−メチルペンチロキシ基、2−エチルブトキシ基、1,2−ジ
メチルブトキシ基、2,3−ジメチルブトキシ基、シアノ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
なお、本発明の一態様である有機化合物は、ピレン骨格の1位と6位にそれぞれベンゾ
ナフトフラニルアミンが結合した構造を有する。このように、ピレン骨格の1位と6位に
それぞれベンゾナフトフラニルアミンが結合した構造とすることにより、ピレン骨格から
ベンゾナフトフラニルアミンにかけて有効共役長を拡張させることができる。なお、有効
共役長を拡張させることにより、最適な発光ピーク波長への制御が可能となる。したがっ
て、本発明の一態様では、色純度の良い青色発光を示す有機化合物を得ることができる。
特に、ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラニル基の8位がアミン骨格と結合したベン
ゾナフトフラニルアミンの場合、青色の色純度をより高めることができる。
また、本発明の一態様である有機化合物のように、ピレン骨格の1位と6位にそれぞれ
ベンゾナフトフラニルアミンが結合した構造を有する場合、ベンゾナフトフラニル基によ
りアミン骨格が安定となり、信頼性の向上も期待される。したがって本発明の一態様では
、高効率、かつ長寿命な有機化合物を得ることができる。
次に、上述した本発明の一態様である有機化合物(一般式(G1)〜(G5))の具体
的な構造式を示す。(下記構造式(100)〜(137)。)ただし、本発明はこれらに
限定されることはない。
なお、上述した本発明の一態様である有機化合物の合成方法としては、種々の反応を適
用することができる。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式(G1)
で表される本発明の一態様の有機化合物を合成することができる。
次に、上記一般式(G1)で表される有機化合物の合成方法の一例について説明する。
≪一般式(G1)で表される有機化合物の合成法≫
一般式(G1)で表される有機化合物は、下記合成スキーム(A−1)及び(A−2)
のように合成することができる。すなわち、合成スキーム(A−1)に示すようにピレン
化合物(化合物1)と、アリールアミン(化合物2)及びアリールアミン(化合物3)を
カップリングすることにより、ピレン化合物(化合物4)を得た後、合成スキーム(A−
2)に示すようにピレン化合物(化合物4)とハロゲン化アリール(化合物5)及びハロ
ゲン化アリール(化合物6)をカップリングすることにより、本発明の一態様である有機
化合物(G1)を得ることができる。
合成スキーム(A−1)及び(A−2)において、Ar及びArは、それぞれ独立
に、置換または無置換の環を形成する炭素数が6〜13のアリール基を表し、X〜X
は、それぞれ独立に、ハロゲン、トリフルオロメタンスルホン酸基、ボロン酸基、有機ホ
ウ素基、ハロゲン化マグネシウム基、錫、又は有機錫基等を表し、R乃至Rはそれぞ
れ独立に水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素
数1〜6のアルコキシ基、又はシアノ基、又はハロゲン、又は置換または無置換の炭素数
1〜6のハロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表し
、XおよびXは、それぞれ独立に、置換または無置換のベンゾ[b]ナフト[1,2
−d]フラニル基を表す。なお、合成スキーム(A−1)及び(A−2)において、化合
物2及び化合物3(Ar及びAr)は同一であることが好ましく、また、化合物5と
化合物6(X及びX、並びにX及びX)は同一であることが好ましい。
合成スキーム(A−1)及び(A−2)において、パラジウム触媒を用いたブッフバル
ト・ハートウィッグ反応を行う場合、X〜Xはハロゲン又はトリフラート基を表し、
ハロゲンとしては、ヨウ素又は臭素又は塩素が好ましい。上記反応では、ビス(ジベンジ
リデンアセトン)パラジウム(0)、酢酸パラジウム(II)等のパラジウム化合物と、
トリ(tert−ブチル)ホスフィン、トリ(n−ヘキシル)ホスフィン、トリシクロヘ
キシルホスフィン、ジ(1−アダマンチル)−n−ブチルホスフィン、2−ジシクロヘキ
シルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル等の配位子を用いることができる。
また、上記反応では、ナトリウム tert−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム
、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等を用いることができる。また、上記反応
では、溶媒として、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
を用いることができる。ただし、上記反応で用いることができる試薬類は、上記の試薬類
に限られるものではない。
また、合成スキーム(A−1)及び(A−2)において行う反応は、ブッフバルト・ハ
ートウィッグ反応に限られるものではなく、有機錫化合物を用いた右田・小杉・スティル
カップリング反応、グリニヤール試薬を用いたカップリング反応、銅、又は銅化合物を用
いたウルマン反応等を用いることもできる。
また、本発明の一態様である有機化合物(G1)の合成方法は、合成スキーム(A−1
)及び(A−2)に限られるものではなく、ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラン化
合物と、アミン化合物(化合物2又は化合物3)をカップリングして、ベンゾ[b]ナフ
ト[1,2−d]フラン化合物のアミン体とし、ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラ
ン化合物のアミン体とピレン化合物(化合物1)をカップリングすることにより得ること
もできる。
以上、本発明の一態様である有機化合物の合成方法の一例について説明したが、本発明
はこれに限定されることはなく、他の合成方法を用いることもできる。
上記、本発明の一態様である有機化合物は、色純度の良い青色発光を示し、NTSC(
National Television Standards Committee)
で定められた青色の色度(すなわち、(x,y)=(0.14,0.08))付近の青色
発光を得ることができる。また、本発明の一態様である有機化合物は、長寿命な材料であ
る。さらに、本発明の一態様である有機化合物は、蛍光を示すため、発光材料や発光素子
の発光物質として利用することができる。
したがって、本発明の一態様である有機化合物を用いることにより、色純度が良く青色
発光を示す、長寿命な発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置を実現することが
できる。さらに、本発明の一態様である有機化合物を用いることにより、発光効率の高い
発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置を実現することができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様として実施の形態1で示した有機化合物を発光層に
用いた発光素子について図1を用いて説明する。
本実施の形態に示す発光素子は、図1に示すように一対の電極(第1の電極(陽極)1
01と第2の電極(陰極)103)間に発光層113を含むEL層102が挟まれており
、EL層102は、発光層113の他に、正孔(または、ホール)注入層111、正孔(
または、ホール)輸送層112、電子輸送層114、電子注入層115、電荷発生層(E
)116などを含んで形成される。
このような発光素子に対して電圧を印加することにより、第1の電極101側から注入
された正孔と第2の電極103側から注入された電子とが、発光層113において再結合
し、発光性の物質を励起状態にする。そして、励起状態にある発光性の物質が基底状態に
戻る際に発光する。
なお、EL層102における正孔注入層111は、正孔輸送性の高い物質とアクセプタ
ー性物質を含む層であり、アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が
引き抜かれることにより正孔(ホール)が発生する。従って、正孔注入層111から正孔
輸送層112を介して発光層113に正孔が注入される。
また、電荷発生層(E)116は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む
層である。アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれるた
め、引き抜かれた電子が、電子注入性を有する電子注入層115から電子輸送層114を
介して発光層113に注入される。
以下に本実施の形態に示す発光素子を作製する上での具体例について説明する。
第1の電極(陽極)101および第2の電極(陰極)103には、金属、合金、電気伝
導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジ
ウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素
を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛(Indium Zi
nc Oxide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金(A
u)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブ
デン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、チタ
ン(Ti)の他、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(L
i)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびカルシウム(Ca)、ストロンチウム
(Sr)等のアルカリ土類金属、マグネシウム(Mg)、およびこれらを含む合金(Mg
Ag、AlLi)、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およ
びこれらを含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。なお、第1の電極(陽
極)101および第2の電極(陰極)103は、例えばスパッタリング法や蒸着法(真空
蒸着法を含む)等により形成することができる。
また、正孔注入層111、正孔輸送層112、および電荷発生層(E)116には、正
孔輸送性の高い物質を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質の具体例としては、
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NP
Bまたはα−NPD)やN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル
−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4,4’,4’’
−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、4,4’
,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA
)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ト
リフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−
ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの
芳香族アミン化合物、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニ
ルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−
(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバ
ゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカ
ルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)
等が挙げられる。その他、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP
)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCP
B)、9−[4−(10−フェニル−9−アントラセニル)フェニル]−9H−カルバゾ
ール(略称:CzPA)等のカルバゾール誘導体、等が挙げられる。なお、ここに述べた
物質は、主に10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よ
りも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
その他、正孔輸送性の高い物質としては、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:P
VK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4
−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ
}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−
ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD
)などの高分子化合物を用いることもできる。
また、正孔注入層111および電荷発生層(E)116には、アクセプター性物質を用
いることが好ましい。アクセプター性物質の具体例としては、遷移金属酸化物や元素周期
表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、
酸化モリブデンが特に好ましい。
発光層113は、発光物質を含む層である。なお、発光層313は、発光物質のみで構
成されていても、ホスト材料中に発光中心物質(ゲスト材料)が分散された状態で構成さ
れていても良い。ただし、発光層113にホスト材料とゲスト材料とが含まれる場合には
、ゲスト材料よりも三重項励起エネルギーの大きいホスト材料を用いることが好ましい。
発光層313において、発光物質、および発光中心物質として用いることが可能な材料
には、特に限定は無く、これらの物質が発する光は、蛍光であっても燐光であっても良い
。したがって、本発明の一態様である有機化合物を発光層313に用いることができる。
その他にも、上記発光物質および発光中心物質としては、例えば、以下のような蛍光や燐
光を発する物質が挙げられる。
蛍光を発する物質としては、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)
フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S
)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル
)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−
4’−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)トリフェニルアミン(略称:2YGA
PPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニ
ル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、ペリレン、2,5,8,
11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン(略称:TBP)、4−(10−フェニル−
9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニ
ルアミン(略称:PCBAPA)、N,N’’−(2−tert−ブチルアントラセン−
9,10−ジイルジ−4,1−フェニレン)ビス[N,N’,N’−トリフェニル−1,
4−フェニレンジアミン](略称:DPABPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(
9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン
(略称:2PCAPPA)、N−[4−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェ
ニル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPA
PPA)、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’−オクタフェニル
ジベンゾ[g,p]クリセン−2,7,10,15−テトラアミン(略称:DBC1)、
クマリン30、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−
9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,
1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバ
ゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9,10−ジフェニル−2−ア
ントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2D
PAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリ
ル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAB
PhA)、9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−N−[4−(9H−カ
ルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2
YGABPhA)、N,N,9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略称:DPh
APhA)、クマリン545T、N,N’−ジフェニルキナクリドン、(略称:DPQd
)、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−4−イル)−6,11−ジフェ
ニルテトラセン(略称:BPT)、2−(2−{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル
]エテニル}−6−メチル−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:
DCM1)、2−{2−メチル−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5
H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}
プロパンジニトリル(略称:DCM2)、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチル
フェニル)テトラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフ
ェニル−N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−
a]フルオランテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)、{2−イソプロ
ピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1
H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリ
デン}プロパンジニトリル(略称:DCJTI)、{2−tert−ブチル−6−[2−
(1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ
[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジ
ニトリル(略称:DCJTB)、2−(2,6−ビス{2−[4−(ジメチルアミノ)フ
ェニル]エテニル}−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:Bis
DCM)、2−{2,6−ビス[2−(8−メトキシ−1,1,7,7−テトラメチル−
2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エ
テニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:BisDCJTM
)などが挙げられる。
燐光を発する物質としては、ビス[2−(3’,5’−ビストリフルオロメチルフェニ
ル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CF
ppy)(pic))、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−
N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIracac)、ト
リス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy))、ビ
ス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir
(ppy)(acac))、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)
テルビウム(III)(略称:Tb(acac)(Phen))、ビス(ベンゾ[h]
キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)(a
cac))、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウ
ム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo)(acac))、ビス{2
−[4’−(パーフルオロフェニル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(
III)アセチルアセトナート(略称:Ir(p−PF−ph)(acac))、ビス
(2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナ
ート(略称:Ir(bt)(acac))、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]
チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称
:Ir(btp)(acac))、ビス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’
イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(piq)(acac))、
(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]
イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)(acac))、(アセチルアセトナ
ト)ビス(3,5−ジメチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:
[Ir(mppr−Me)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(5−イソ
プロピル−3−メチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir
(mppr−iPr)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−
トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)(acac
))、ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イリジウ
ム(III)(略称:[Ir(tppr)(dpm)])、(アセチルアセトナト)ビ
ス(6−tert−ブチル−4−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:
[Ir(tBuppm)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(4,6−ジ
フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(dppm)(acac
)])、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポ
ルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−
プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(D
BM)(Phen))、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロア
セトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)
(Phen))などが挙げられる。
さらに、発光物質としては、三重項励起エネルギーを発光に変え、熱活性化遅延蛍光を
示す熱活性化遅延蛍光(TADF)材料を用いることもできる。なお、TADF材料にお
ける遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光
をいう。その寿命は、10−6秒以上、好ましくは10−3秒以上である。TADF材料
として、具体的には、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エ
オシン等が挙げられる。また、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd
)、スズ(Sn)、白金(Pt)、インジウム(In)、もしくはパラジウム(Pd)等
を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、
プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体(SnF2(Proto IX))、メソポルフィ
リン−フッ化スズ錯体(SnF2(Meso IX))、ヘマトポルフィリン−フッ化ス
ズ錯体(SnF2(Hemato IX))、コプロポルフィリンテトラメチルエステル
−フッ化スズ錯体(SnF2(Copro III−4Me))、オクタエチルポルフィ
リン−フッ化スズ錯体(SnF2(OEP))、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体(
SnF2(Etio I))、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体(PtCl2O
EP)等が挙げられる。さらに、2−(ビフェニル−4−イル)−4,6−ビス(12−
フェニルインドロ[2,3−a]カルバゾール−11−イル)−1,3,5−トリアジン
(PIC−TRZ)等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複
素環化合物を用いることもできる。
また、上記で燐光を発する物質として挙げられた有機金属イリジウム錯体を分散状態に
するために用いる物質(すなわちホスト材料)としては、例えば、2,3−ビス(4−ジ
フェニルアミノフェニル)キノキサリン(略称:TPAQn)、NPBのようなアリール
アミン骨格を有する化合物の他、CBP、4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9
−イル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)等のカルバゾール誘導体や、ビス[2−
(2−ヒドロキシフェニル)ピリジナト]亜鉛(略称:Znpp)、ビス[2−(2−
ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス(2
−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAl
q)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)等の金属錯体が好ま
しい。また、PVKのような高分子化合物を用いることもできる。
電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層114には、
Alq、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq
、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、
BAlq、Zn(BOX)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト
]亜鉛(略称:Zn(BTZ))などの金属錯体を用いることができる。また、2−(
4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−te
rt−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリ
アゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチル
フェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtT
AZ)、バソフェナントロリン(略称:Bphen)、バソキュプロイン(略称:BCP
)、4,4’−ビス(5−メチルベンゾオキサゾール−2−イル)スチルベン(略称:B
zOs)などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ(2,5−ピリジン
ジイル)(略称:PPy)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)
−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオ
クチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイ
ル)](略称:PF−BPy)のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べ
た物質は、主に10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔
よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層114として用い
てもよい。
また、電子輸送層114は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積
層したものとしてもよい。
電子注入層115は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層115には、
フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF
、リチウム酸化物(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれ
らの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム(ErF)のような希土類
金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層114を構成する物質を用
いることもできる。
あるいは、電子注入層115に、有機化合物と電子供与体(ドナー)とを混合してなる
複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子
が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物とし
ては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述
した電子輸送層114を構成する物質(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることが
できる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具
体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウ
ム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、ア
ルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸
化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用
いることもできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用い
ることもできる。
なお、上述した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層11
4、電子注入層115、電荷発生層(E)116は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含
む)、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
上述した発光素子は、第1の電極101および第2の電極103との間に生じた電位差
により電流が流れ、EL層102において正孔と電子とが再結合することにより発光する
。そして、この発光は、第1の電極101および第2の電極103のいずれか一方または
両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極101および第2の電極103の
いずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。
以上により説明した発光素子は、本発明の一態様である有機化合物をその一部に用いて
形成することにより、色純度の良い青色の蛍光発光が得られると共に、長寿命な発光素子
を実現することができる。
なお、本実施の形態で示した発光素子は、本発明の一態様である有機化合物を適用して
作製される発光素子の一例である。また、上記発光素子を備えた発光装置の構成としては
、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装置の他、別の実施
の形態で説明する上記とは別の構造を有する発光素子を備えたマイクロキャビティー構造
の発光装置などを作製することができ、これらは、いずれも本発明に含まれるものとする
なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、トランジスタ(FET)の
構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のFETを適宜用いることが
できる。また、FET基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のFET
からなるものでもよいし、N型のFETまたはP型のFETのいずれか一方のみからなる
ものであってもよい。さらに、FETに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定
されない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導
体材料としては、IV族(ケイ素、ガリウム等)半導体、化合物半導体(酸化物半導体を
含む)の他、有機半導体等を用いることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用い
ることができるものとする。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様として、電荷発生層を挟んでEL層を複数有する構
造の発光素子(以下、タンデム型発光素子という)について説明する。
本実施の形態に示す発光素子は、図2(A)に示すように一対の電極(第1の電極20
1および第2の電極204)間に、複数のEL層(第1のEL層202(1)、第2のE
L層202(2))を有するタンデム型発光素子である。
本実施の形態において、第1の電極201は、陽極として機能する電極であり、第2の
電極204は陰極として機能する電極である。なお、第1の電極201および第2の電極
204は、実施の形態2と同様な構成を用いることができる。また、複数のEL層(第1
のEL層202(1)、第2のEL層202(2))は、実施の形態2で示したEL層と
同様な構成であっても良いが、いずれかが同様の構成であっても良い。すなわち、第1の
EL層202(1)と第2のEL層202(2)は、同じ構成であっても異なる構成であ
ってもよく、その構成は実施の形態2と同様なものを適用することができる。
また、複数のEL層(第1のEL層202(1)、第2のEL層202(2))の間に
は、電荷発生層(I)205が設けられている。電荷発生層(I)205は、第1の電極
201と第2の電極204に電圧を印加したときに、一方のEL層に電子を注入し、他方
のEL層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第1の電極201に
第2の電極204よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層(I)20
5から第1のEL層202(1)に電子が注入され、第2のEL層202(2)に正孔が
注入される。
なお、電荷発生層(I)205は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性
を有する(具体的には、電荷発生層(I)205に対する可視光の透過率が、40%以上
)ことが好ましい。また、電荷発生層(I)205は、第1の電極201や第2の電極2
04よりも低い導電率であっても機能する。
電荷発生層(I)205は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体(アクセプター
)が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体(ドナー)が
添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔
輸送性の高い有機化合物としては、例えば、NPBやTPD、TDATA、MTDATA
、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニル
アミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン化合物等を用いることができ
る。ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質であ
る。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いて
も構わない。
また、電子受容体としては、7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラ
フルオロキノジメタン(略称:F−TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる。
また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族
に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ
、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化
レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安
定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において
、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Alq、Almq、BeBq、B
Alqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることが
できる。また、この他、Zn(BOX)、Zn(BTZ)などのオキサゾール系、チ
アゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外に
も、PBDやOXD−7、TAZ、Bphen、BCPなども用いることができる。ここ
に述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお
、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わな
い。
また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属ま
たは元素周期表における第2、第13族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いる
ことができる。具体的には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg
)、カルシウム(Ca)、イッテルビウム(Yb)、インジウム(In)、酸化リチウム
、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機
化合物を電子供与体として用いてもよい。
なお、上述した材料を用いて電荷発生層(I)205を形成することにより、EL層が
積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
本実施の形態では、EL層を2層有する発光素子について説明したが、図2(B)に示
すように、n層(ただし、nは、3以上)のEL層(202(1)〜202(n))を積
層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光
素子のように、一対の電極間に複数のEL層を有する場合、EL層とEL層との間にそれ
ぞれ電荷発生層(I)(205(1)〜205(n−1))を配置することで、電流密度
を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿
命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下
を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費
電力が低い発光装置を実現することができる。
また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所
望の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第
1のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光
素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合す
ると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色の光と、発光する物
質から得られた光とを混合すると、白色発光を得ることができる。
また、3つのEL層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1のEL層の
発光色が赤色であり、第2のEL層の発光色が緑色であり、第3のEL層の発光色が青色
である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様である有機化合物を発光層に用いた発光素子を有す
る発光装置について説明する。
また、上記発光装置は、パッシブマトリクス型の発光装置でもアクティブマトリクス型
の発光装置でもよい。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した
発光素子を適用することが可能である。
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図3を用いて説明する
なお、図3(A)は発光装置を示す上面図であり、図3(B)は図3(A)を鎖線A−
A’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は
、素子基板301上に設けられた画素部302と、駆動回路部(ソース線駆動回路)30
3と、駆動回路部(ゲート線駆動回路)304a及び304bと、を有する。画素部30
2、駆動回路部303、及び駆動回路部304a及び304bは、シール材305によっ
て、素子基板301と封止基板306との間に封止されている。
また、素子基板301上には、駆動回路部303、及び駆動回路部304a及び304
bに外部からの信号(例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット
信号等)や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線307が設けられ
る。ここでは、外部入力端子としてFPC(フレキシブルプリントサーキット)308を
設ける例を示している。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCには
プリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置に
は、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含
むものとする。
次に、断面構造について図3(B)を用いて説明する。素子基板301上には駆動回路
部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部303
と、画素部302が示されている。
駆動回路部303には、nチャネル型FET309とpチャネル型FET310とを組
み合わせたCMOS回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路
は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路を適用することができる。
また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ず
しもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
また、画素部302はスイッチング用FET311と、電流制御用FET312と電流
制御用FET312の配線(ソース電極又はドレイン電極)に電気的に接続された第1の
電極(陽極)313とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極(陽極)3
13の端部を覆って絶縁物314が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル
樹脂を用いることにより形成する。
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物314の上端
部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁
物314の材料として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれかを使
用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリ
コン等、の両者を使用することができる。
第1の電極(陽極)313上には、EL層315及び第2の電極(陰極)316が積層
形成されている。EL層315は、少なくとも発光層が設けられており、発光層には、本
発明の一態様である有機化合物が含まれている。また、EL層315には、発光層の他に
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を適宜設けることがで
きる。
なお、第1の電極(陽極)313、EL層315及び第2の電極(陰極)316との積
層構造で、発光素子317が形成されている。第1の電極(陽極)313、EL層315
及び第2の電極(陰極)316に用いる材料としては、実施の形態2に示す材料を用いる
ことができる。また、ここでは図示しないが、第2の電極(陰極)316は外部入力端子
であるFPC308に電気的に接続されている。
また、図3(B)に示す断面図では発光素子317を1つのみ図示しているが、画素部
302において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部3
02には、3種類(R、G、B)の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、
フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合
わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
さらに、シール材305で封止基板306を素子基板301と貼り合わせることにより
、素子基板301、封止基板306、およびシール材305で囲まれた空間318に発光
素子317が備えられた構造になっている。なお、空間318には、不活性気体(窒素や
アルゴン等)が充填される場合の他、シール材305で充填される構成も含むものとする
なお、シール材305にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。ま
た、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また
、封止基板306に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiber−
Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエ
ステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。なお、シール
材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から素子基板301及び封止基
板306はガラス基板であることが好ましい。
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用
いることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用して作製された発光装置を用
いて完成させた様々な電子機器の一例について、図4を用いて説明する。
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビ
ジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデ
オカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、
携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙
げられる。これらの電子機器の具体例を図4に示す。
図4(A)は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置7100は、
筐体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示
することが可能であり、発光装置を表示部7103に用いることができる。また、ここで
は、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。
テレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリ
モコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キ
ー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作
機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置7100は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(
送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
図4(B)はコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キ
ーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む
。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部7203に用いることにより作製するこ
とができる。
図4(C)は、スマートウオッチであり、筐体7302、表示パネル7304、操作ボ
タン7311、7312、接続端子7313、バンド7321、留め金7322、等を有
する。
ベゼル部分を兼ねる筐体7302に搭載された表示パネル7304は、非矩形状の表示
領域を有している。表示パネル7304は、時刻を表すアイコン7305、その他のアイ
コン7306等を表示することができる。
なお、図4(C)に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例え
ば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッチパ
ネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア(プログ
ラム)によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピ
ュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信
を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示
する機能、等を有することができる。
また、筐体7302の内部に、スピーカ、センサ(力、変位、位置、速度、加速度、角
速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、
電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含む
もの)、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光装置
をその表示パネル7304に用いることにより作製することができる。
図4(D)は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401
に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、ス
ピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、発光
装置を表示部7402に用いることにより作製される。
図4(D)に示す携帯電話機7400は、表示部7402を指などで触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は
、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする
表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表
示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好
ましい。
また、携帯電話機7400内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサ
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、
表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操
作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表
示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7
402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器を得ることがで
きる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能
である。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
(実施の形態6)
本実施の形態では、本発明の一態様である有機化合物を含む発光装置を適用した照明装
置の一例について、図5を用いて説明する。
図5は、発光装置を室内の照明装置8001として用いた例である。なお、発光装置は
大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を
有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置8002を形成することも
できる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザイ
ンの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる
。さらに、室内の壁面に大型の照明装置8003を備えても良い。
また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照
明装置8004とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いること
により、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装
置は本発明の一態様に含まれるものとする。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
≪合成例1≫
本実施例では、実施の形態1において構造式(100)で示した、本発明の一態様であ
る有機化合物、N,N’−(ピレン−1,6−ジイル)ビス[(N−フェニルベンゾ[b
]ナフト[1,2−d]フラン)−6−アミン](略称:1,6BnfAPrn)の合成
方法について説明する。なお、1,6BnfAPrnの構造を以下に示す。
<ステップ1:6−ヨードベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランの合成>
500mL三口フラスコに、12g(55mmol)のベンゾ[b]ナフト[1,2−
d]フランと、220mLのテトラヒドロフランを加えて系内を窒素置換した後、この溶
液を−80℃に冷却した。この溶液に同温度にて40mL(64mmol)のn−ブチル
リチウム(1.6mol/L、n−ヘキサン溶液)をシリンジにより滴下して加えた。滴
下後、この溶液を室温で1時間攪拌した。
攪拌後、この溶液を−80℃に冷却してから、ヨウ素17g(66mmol)をテトラ
ヒドロフラン60mLに溶かした溶液を、同温度にて滴下ロートから滴下して加え、滴下
終了後、この溶液を室温に戻しながら17時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物にチオ
硫酸ナトリウム水溶液を加え、1時間攪拌した。攪拌後、この混合物の有機層を飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液と水で洗浄した後、有機層に硫酸マグネシウムを加えた。この混合
物を自然濾過して得られた濾液を濃縮したところ固体を得た。
得られた固体をトルエン/ヘキサンにて再結晶を行なったところ、淡褐色固体を得た。
得られた固体にエタノールを加えて超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収したとこ
ろ、目的の淡黄色粉末を11g(31mmol)、収率56%で得た。ステップ1の合成
スキームを下記(a−1)に示す。
<ステップ2:N,N’−(ピレン−1,6−ジイル)ビス[(N−フェニルベンゾ[b
]ナフト[1,2−d]フラン)−6−アミン](略称:1,6BnfAPrn)の合成

300mL三口フラスコに、1.2g(3.3mmol)の1,6−ジブロモピレンと
、1.5g(15mmol)のナトリウムtert−ブトキシドと、80mg(0.14
mmol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を加え、フラスコ内を窒
素置換した。この混合物に15mLのトルエンと、0.6mLのアニリンと、0.5mL
のトリ(tert−ブチル)ホスフィン(10%ヘキサン溶液)を加えた。
この混合物を80℃で5時間攪拌した後、得られた混合物に2.3g(6.6mmol
)の6−ヨードベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランと、0.50g(5.1mmo
l)のナトリウムtert−ブトキシドと、0.5mLのトリ(tert−ブチル)ホス
フィン(10%ヘキサン溶液)と、80mg(0.14mmol)のビス(ジベンジリデ
ンアセトン)パラジウム(0)を加えた。この混合物を80℃で17時間攪拌した。所定
時間経過後、得られた混合物をセライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531
−16855)を通してろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体、エタノールとトル
エンで洗浄したところ、目的物の黄色固体1.2g(1.5mmol)を収率46%で得
た。
得られた黄色固体1.3gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製は圧力1.0×10−2Pa以下で黄色固体を340℃で加熱して行った。昇華精製後
、黄色固体を0.62g、51%の回収率で得た。ステップ2の合成スキームを下記(a
−2)に示す。
なお、上記ステップ2で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法(H NMR)による
分析結果を下記に示す。また、H NMRチャートを図6に示す。この結果から、本合
成例1において、上述の構造式(100)で表される本発明の一態様である有機化合物1
,6BnfAPrnが得られたことがわかった。
H NMR(CDCl,500MHz):δ=6.94(d、J=7.5Hz、4
H)、6.99(t、J=7.5Hz、2H)、7.20(t、J=7.8Hz、4H)
、7.41−7.50(m、10H)、7.61(t、J=7.5Hz、2H)、7.6
8(d、J=8.0Hz、2H)、7.90(d、J=9.5Hz、2H)、7.95(
d、J=8.5Hz、2H)、8.09(d、J=8.0Hz、2H)、8.30(d、
J=9.0Hz、2H)、8.43(d、J=7.0Hz、2H)、8.60(d、J=
8.0Hz、2H).
次に、1,6BnfAPrnのトルエン溶液の紫外可視吸収スペクトル(以下、単に「
吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、
紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、トルエン溶液を石英セル
に入れ、室温で測定を行った。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計((株)浜
松ホトニクス製 FS920)を用い、トルエン溶液を石英セルに入れ、室温で測定を行
った。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図7(A)に示す。横軸
は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)および発光強度(任意単位)を表す。また
、図7(A)において2本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、
太い実線は発光スペクトルを示している。図7(A)に示す吸収スペクトルはトルエン溶
液を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、トルエンのみを石英セルに入れて測
定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示している。
図7(A)に示す通り、本発明の一態様である有機化合物1,6BnfAPrnは、4
59nmに発光ピークを有しており、トルエン溶液からは青色の発光が観測された。
また、1,6BnfAPrnの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図7(B)
に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550
型)を用いた。石英基板に蒸着してサンプルを作製し、測定を行った。吸収スペクトルに
ついては石英のみの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図7(B)
において、横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。
次に、本実施例で得られた1,6BnfAPrnを液体クロマトグラフ質量分析(Li
quid Chromatography Mass Spectrometry,略称
:LC−MS分析)によって分析した。
LC−MS分析は、LC(液体クロマトグラフィー)分離をサーモフィッシャーサイエ
ンティフィック社製UltiMate3000により、MS分析(質量分析)をサーモフ
ィッシャーサイエンティフィック社製Q Exactiveにより行った。LC分離で用
いたカラムはAcquity UPLC BEH C8 (2.1×100mm 1.7
μm)、カラム温度は40℃とした。移動相は移動相Aをアセトニトリル、移動相Bを0
.1%ギ酸水溶液とした。また、サンプルは任意の濃度の1,6BnfAPrnをトルエ
ンに溶解し、アセトニトリルで希釈して調整し、注入量は10.0μLとした。
MS分析では、エレクトロスプレーイオン化法(ElectroSpray Ioni
zation、略称:ESI)によるイオン化を行い、Targeted−MS法によ
り測定を行なった。イオンソースの設定は、シースガス流量を50、Auxガス流量を1
0、Sweepガス流量を0、スプレー電圧を3.5kV、キャピラリー温度を350℃
、Sレンズ電圧を55.0、HESIヒーター温度を350℃に設定した。分解能は70
000、AGCターゲットは3e6、質量範囲はm/z=112−1690とし、検出は
ポジティブモードで行った。
以上の条件でイオン化されたm/z=817.28250±10ppmの成分を衝突室
(コリジョンセル)内でアルゴンガスと衝突させてプロダクトイオンに解離させ、MSM
S測定を行なった。アルゴンを衝突させる際のエネルギーNCE(Normalized
Collision Energy)は50とし、生成したイオンをフーリエ変換質量
分析計(FT MS)で検出した結果を図24に示す。
図24の結果から、構造式(100)で表される本発明の一態様である有機化合物、1
,6BnfAPrnは、m/z=218付近、m/z=202付近にプロダクトイオンが
検出されることがわかった。なお、図24に示す結果は、1,6BnfAPrnに由来す
る特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる1,6BnfAPrnを
同定する上での重要なデータであるといえる。
なお、m/z=218付近のプロダクトイオンは、構造式(100)の化合物における
ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランに由来するカチオンと推定され、本発明の一態
様である1,6BnfAPrnの部分構造を示唆するものである。また、m/z=202
付近のプロダクトイオンは、ピレンに由来するカチオンと推定され、本発明の一態様であ
る有機化合物1,6BnfAPrnの部分構造を示唆するものである。
≪合成例2≫
本実施例では、実施の形態1において構造式(101)で示した、本発明の一態様であ
る有機化合物、N,N’−(ピレン−1,6−ジイル)ビス[(N−フェニルベンゾ[b
]ナフト[1,2−d]フラン)−8−アミン](略称:1,6BnfAPrn−02)
の合成方法について説明する。なお、1,6BnfAPrn−02の構造を以下に示す。
<ステップ1:N,N’−(ピレン−1,6−ジイル)ビス[(N−フェニルベンゾ[b
]ナフト[1,2−d]フラン)−8−アミン](略称:1,6BnfAPrn−02)
の合成>
50mL三口フラスコに0.71g(2.0mmol)の1,6−ジブロモピレンと、
1.0g(0.10mmol)のナトリウムtert−ブトキシドと、50mg(0.0
87mmol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を加え、フラスコ内
を窒素置換した。この混合物に10mLのトルエンと、0.4mLのアニリンと、0.3
mLのトリ(tert−ブチル)ホスフィン(10%ヘキサン溶液)を加えた。この混合
物を80℃で3時間攪拌した。
所定時間経過後、得られた混合物に1.0g(4.0mmol)の8−クロロベンゾ[
b]ナフト[1,2−d]フランと、0.18g(0.44mmol)の2−ジシクロヘ
キシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(略称:S−Phos)と、50
mg(0.087mmol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を加え
た。この混合物を80℃で10時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物をセライ
ト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)を通してろ過した。得
られたろ液を濃縮して得た固体をトルエン/エタノールにて再結晶を行ったところ、褐色
固体を得た。
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製を行った。展開溶媒には
、トルエン:ヘキサン=1:3混合溶媒を用いた。得られたフラクションを濃縮して得た
固体を、トルエンにより再結晶を行ったところ、目的物の黄色固体を1.3g(1.6m
mol)、収率82%で得た。
得られた黄色固体1.3gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製は、アルゴン流量10mL/min、圧力2.6Paの条件で黄色固体を350℃で加
熱して行った。昇華精製後、黄色固体を0.78g、回収率58%で得た。ステップ1の
合成スキームを下記(b−1)に示す。
なお、上記ステップ1で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法(H NMR)による
分析結果を下記に示す。また、H NMRチャートを図8に示す。この結果から、本合
成例2において、上述の構造式(101)で表される本発明の一態様である有機化合物1
,6BnfAPrn−02が得られたことがわかった。
H NMR(CDCl、500MHz):δ=6.90(d、J=8.0Hz、4
H)、6.95(t、J=7.2Hz、2H)、7.19(t、J=8.0Hz、6H)
、7.33(t、J=8.0Hz、2H)、7.54(d、J=8.0Hz、2H)、7
.57(d、J=9.0Hz、2H)、7.73(t、J=7.2Hz、2H)、7.8
6(d、J=9.0Hz、2H)、7.91(d、J=9.0Hz、2H)、7.96(
d、J=8.5Hz、2H)、8.01(d、J=9.0Hz、2H)、8.10(d、
J=8.5Hz、2H)、8.17(d、J=8.0Hz、2H)、8.29(d、J=
9.5Hz、2H)、8.64(d、J=8.5Hz、2H).
次に、1,6BnfAPrn−02のトルエン溶液の紫外可視吸収スペクトル(以下、
単に「吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定
には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、トルエン溶液を石
英セルに入れ、室温で測定を行った。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計((
株)浜松ホトニクス製 FS920)を用い、トルエン溶液を石英セルに入れ、室温で測
定を行った。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図9(A)に示す
。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図9(A)において2本の
実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを
示している。図9(A)に示す吸収スペクトルは、トルエン溶液を石英セルに入れて測定
した吸収スペクトルから、トルエンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差
し引いた結果を示している。
図9(A)に示す通り、本発明の一態様である有機化合物1,6BnfAPrn−02
は、453nmに発光ピークを有しており、トルエン溶液からは青色の発光が観測された
また、1,6BnfAPrn−02の薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図9
(B)に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V
550型)を用いた。石英基板に蒸着してサンプルを作製し、測定を行った。吸収スペク
トルについては石英のみの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図9
(B)において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。
次に、本実施例で得られた1,6BnfAPrn−02を液体クロマトグラフ質量分析
(Liquid Chromatography Mass Spectrometry
,略称:LC−MS分析)によって分析した。
LC−MS分析は、LC(液体クロマトグラフィー)分離をサーモフィッシャーサイエ
ンティフィック社製UltiMate3000により、MS分析(質量分析)をサーモフ
ィッシャーサイエンティフィック社製Q Exactiveにより行った。LC分離で用
いたカラムはAcquity UPLC BEH C8 (2.1×100mm 1.7
μm)、カラム温度は40℃とした。移動相は移動相Aをアセトニトリル、移動相Bを0
.1%ギ酸水溶液とした。また、サンプルは任意の濃度の、1,6BnfAPrn−02
をトルエンに溶解し、アセトニトリルで希釈して調整し、注入量は10.0μLとした。
MS分析では、エレクトロスプレーイオン化法(ElectroSpray Ioni
zation、略称:ESI)によるイオン化を行い、Targeted−MS法によ
り測定を行なった。イオンソースの設定は、シースガス流量を50、Auxガス流量を1
0、Sweepガス流量を0、スプレー電圧を3.5kV、キャピラリー温度を350℃
、Sレンズ電圧を55.0、HESIヒーター温度を350℃に設定した。分解能は70
000、AGCターゲットは3e6、質量範囲はm/z=112−1690とし、検出は
ポジティブモードで行った。
以上の条件でイオン化されたm/z=817.28250±10ppmの成分を衝突室
(コリジョンセル)内でアルゴンガスと衝突させてプロダクトイオンに解離させ、MSM
S測定を行なった。アルゴンを衝突させる際のエネルギーNCE(Normalized
Collision Energy)は50とし、生成したイオンをフーリエ変換質量
分析計(FT MS)で検出した結果を図25に示す。
図25の結果から、構造式(101)で表される本発明の一態様である有機化合物、1
,6BnfAPrn−02は、m/z=218付近、m/z=202付近にプロダクトイ
オンが検出されることがわかった。なお、図25に示す結果は、1,6BnfAPrn−
02に由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる1,6Bn
fAPrn−02を同定する上での重要なデータであるといえる。
なお、m/z=218付近のプロダクトイオンは、構造式(101)の化合物における
ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランに由来するカチオンと推定され、本発明の一態
様である1,6BnfAPrn−02の部分構造を示唆するものである。また、m/z=
202付近のプロダクトイオンは、ピレンに由来するカチオンと推定され、本発明の一態
様である有機化合物1,6BnfAPrn−02の部分構造を示唆するものである。
≪合成例3≫
本実施例では、実施例2で用いた有機化合物、8−クロロベンゾ[b]ナフト[1,2
−d]フラン(略称:8−ClBnf)の合成方法について説明する。なお、8−クロロ
ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランの構造を以下に示す。
<ステップ1:3−クロロ−2−フルオロベンゼンボロン酸の合成>
500mL三口フラスコに、16g(72mmol)の1−ブロモ−3−クロロ−2−
フルオロベンゼンを入れ、系内を窒素置換した後、200mLのテトラヒドロフランを加
え、この溶液を窒素気流下にて−80℃にした。この溶液へ、48mL(76mmol)
のn−BuLi(1.6mol/Lヘキサン溶液)をシリンジで滴下し、滴下後同温度で
1.5時間攪拌した。
攪拌後、この混合物に9.0mL(80mmol)のホウ酸トリメチルを加え、この混
合物を室温に戻しながら約19時間攪拌した。攪拌後、得られた溶液に約100mLの1
mol/L塩酸を加えて攪拌した。この混合物の有機層を水で洗浄し、水層をトルエンで
2回抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。得られた有
機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、この混合物を自然濾過した。得られた濾液を濃縮
したところ目的物の淡黄色固体を4.5g、収率35%で得た。ステップ1の合成スキー
ムを下記(c−1)に示す。
<ステップ2:1−(3−クロロ−2−フルオロフェニル)−2−ナフトールの合成>
200mL三口フラスコに、5.8g(26mmol)の1−ブロモ−2−ナフトール
と、4.5g(26mmol)の3−クロロ−2−フルオロベンゼンボロン酸と、0.4
0g(1.3mol)のトリ(オルトートリル)ホスフィンを入れ、フラスコ内を窒素置
換した。この混合物へ150mLのトルエンと50mLのエタノールと、21mLの炭酸
カリウム水溶液(2.0mol/L)を加えた。系内を減圧しながら混合物を攪拌するこ
とにより混合物を脱気し、脱気後に系内を窒素置換した。この混合物に58mg(0.2
6mmol)の酢酸パラジウム(II)を加えてから、混合物を窒素気流下にて90℃で
7時間撹拌した。
攪拌後、混合物の有機層を水で洗浄後、水層をトルエンで抽出した。抽出溶液と有機層
を合わせて、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。得られた
混合物を自然濾過して得たろ液を濃縮し、褐色液体を得た。得られた液体をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(展開溶媒はトルエン:ヘキサン=9:1)にて精製したところ
、目的物の褐色液体を3.1g、収率44%で得た。ステップ2の合成スキームを下記(
c−2)に示す。
<ステップ3:8−クロロベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランの合成>
300mLのナスフラスコに、3.1g(11mmol)の1−(3−クロロ−2−フ
ルオロフェニル)−2−ナフトールと、70mLのN−メチル−2−ピロリドンと、4.
2g(31mmol)の炭酸カリウムを入れ、この混合物を空気下、150℃で7時間撹
拌した。撹拌後、得られた混合物に約50mLの水と、約50mLの塩酸(1.0mol
/L)を加えた。
得られた溶液に約100mLの酢酸エチルを加えてから、水層を酢酸エチルで3回抽出
した。抽出液と有機層を合わせて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と、飽和塩化ナトリウ
ム水溶液にて洗浄後、硫酸マグネシウムを加えた。この混合物を自然濾過して得られたろ
液を濃縮したところ、目的物の淡褐色固体を2.9g、収率99%以上で得た。ステップ
3の合成スキームを下記(c−3)に示す。
なお、上記ステップ3で得られた淡褐色固体の核磁気共鳴分光法(H NMR)によ
る分析結果を下記に示す。また、H NMRチャートを図10に示す。この結果から、
本合成例3において合成方法を示した有機化合物、8−クロロベンゾ[b]ナフト[1,
2−d]フランが得られたことがわかった。
1H NMR(CDCl,500MHz):δ=7.42(t、J=4.7Hz、1
H)、7.51(d、J=4.5Hz、1H)、7.58(t、J=4.5Hz、1H)
、7.75(t、J=4.5Hz、1H)、7.85(d、J=5.4Hz、1H)、7
.98(d、J=5.1Hz、1H)、8.05(d、J=4.8Hz、1H)、8.3
0(d、J=4.2Hz、1H)、8.59(d、J=4.8Hz、1H).
本実施例では、本発明の一態様である有機化合物、1,6BnfAPrn(構造式(1
00))を発光層に用いた発光素子1を作製し、発光スペクトルの測定を行った。なお、
発光素子1の作製については、図11を用いて説明する。また、本実施例で用いる材料の
化学式を以下に示す。
≪発光素子1の作製≫
まず、ガラス製の基板900上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をス
パッタリング法により成膜し、陽極として機能する第1の電極901を形成した。なお、
その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
次に、基板900上に発光素子1を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄
し、200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
その後、10−4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸
着装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板900を3
0分程度放冷した。
次に、第1の電極901が形成された面が下方となるように、基板900を真空蒸着装
置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、EL層902
を構成する正孔注入層911、正孔輸送層912、発光層913、電子輸送層914、電
子注入層915が順次形成される場合について説明する。
真空蒸着装置内を10−4Paに減圧した後、9−フェニル−3−[4−(10−フェ
ニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)と酸化モ
リブデンとを、PCzPA:酸化モリブデン=4:2(質量比)となるように共蒸着する
ことにより、第1の電極901上に正孔注入層911を形成した。膜厚は50nmとした
。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸
着法である。
次に、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9
H−カルバゾール(略称:PCzPA)を10nm蒸着することにより、正孔輸送層91
2を形成した。
次に、正孔輸送層912上に発光層913を形成した。CzPA、1,6BnfAPr
nを、CzPA:1,6BnfAPrn=1:0.01(質量比)となるように共蒸着し
た。なお、膜厚は、25nmの膜厚とした。
次に、発光層913上にCzPAを10nm蒸着した後、バソフェナントロリン(略称
:Bphen)を15nm蒸着することにより、電子輸送層914を形成した。さらに電
子輸送層914上に、フッ化リチウムを1nm蒸着することにより、電子注入層915を
形成した。
最後に、電子注入層915上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着し、
陰極となる第2の電極903形成し、発光素子1を得た。なお、上述した蒸着過程におい
て、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子1の素子構造を表1に示す。
また、作製した発光素子1は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス
内において封止した(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にUV処理及び80℃にて
1時間熱処理)。
≪発光素子1の動作特性≫
作製した発光素子1の動作特性について測定した。なお、測定は室温(25℃に保たれ
た雰囲気)で行った。
まず、発光素子1の電圧−輝度特性を図12に示す。なお、図12において、縦軸は、
輝度(cd/m)、横軸は、電圧(V)を示す。また、発光素子1の輝度−電流効率特
性を図13に示す。なお、図13において、縦軸は、電流効率(cd/A)、横軸は、輝
度(cd/m)を示す。また、発光素子1の電圧−電流特性を図14に示す。なお、図
14において、縦軸は、電流(mA)、横軸は、電圧(V)を示す。また、発光素子1の
電流密度−輝度特性を図15に示す。なお、図15において、縦軸は、輝度(cd/m
)、横軸は、電流密度(mA/cm)を示す。
図13より、本発明の一態様である有機化合物、1,6BnfAPrnを用いた発光素
子1は、高効率な素子であることがわかった。また、730cd/m付近における発光
素子1の主な初期特性値を以下の表2に示す。
上記結果から、本実施例で作製した発光素子1は、色純度の良い青色発光を示すことが
分かる。また、高い電流効率を示していることが分かる。
また、発光素子1に25mA/cmの電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図16に示す。図16に示す通り、発光素子1の発光スペクトルは457nm付近にピ
ークを有しており、本発明の一態様である有機化合物1,6BnfAPrnの発光に由来
していることが示唆される。
また、発光素子1についての信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図17に示す。
図17において、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示し、横軸は
素子の駆動時間(h)を示す。なお、信頼性試験は、初期輝度を5000cd/mに設
定し、電流密度一定の条件で発光素子1を駆動させた。その結果、発光素子1の39時間
後の輝度は、初期輝度のおよそ81%を保っており、長寿命な発光素子であることが分か
った。
したがって、本発明の一態様である有機化合物を発光素子に用いることにより、長寿命
な発光素子が得られることがわかった。
本実施例では、本発明の一態様である有機化合物、1,6BnfAPrn−02(構造
式(101))を発光層に用いた発光素子2を作製し、発光スペクトルの測定を行った。
また、発光素子2の1,6BnfAPrn−02の代わりにN,N’−(ピレン−1,6
−ジイル)ビス[(N−フェニルジベンゾフラン)−4−アミン](略称:1,6FrA
Prn−II)を用いた比較発光素子3を同様の方法で作製し、発光素子2との比較を行
った。なお、発光素子2および比較発光素子3の作製については、図11を用いて説明す
る。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
≪発光素子2および比較発光素子3の作製≫
まず、ガラス製の基板900上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をス
パッタリング法により成膜し、陽極として機能する第1の電極901を形成した。なお、
その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
次に、基板900上に発光素子2および比較発光素子3を形成するための前処理として
、基板表面を水で洗浄し、200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行っ
た。
その後、10−4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸
着装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板900を3
0分程度放冷した。
次に、第1の電極901が形成された面が下方となるように、基板900を真空蒸着装
置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、EL層902
を構成する正孔注入層911、正孔輸送層912、発光層913、電子輸送層914、電
子注入層915が順次形成される場合について説明する。
真空蒸着装置内を10−4Paに減圧した後、9−フェニル−3−[4−(10−フェ
ニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)と酸化モ
リブデンとを、PCzPA:酸化モリブデン=4:2(質量比)となるように共蒸着する
ことにより、第1の電極901上に正孔注入層911を形成した。膜厚は50nmとした
。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸
着法である。
次に、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9
H−カルバゾール(略称:PCzPA)を10nm蒸着することにより、正孔輸送層91
2を形成した。
次に、正孔輸送層912上に発光層913を形成した。発光素子2の場合には、CzP
A、1,6BnfAPrn−02を、CzPA:1,6BnfAPrn−02=1:0.
01(質量比)となるように共蒸着した。なお、膜厚は、25nmの膜厚とした。また、
比較発光素子3の場合には、CzPA、1,6FrAPrn−IIを、CzPA:1,6
FrAPrn−II=1:0.03(質量比)となるように共蒸着した。なお、膜厚は、
25nmの膜厚とした。
次に、発光層913上にCzPAを10nm蒸着した後、バソフェナントロリン(略称
:Bphen)を15nm蒸着することにより、電子輸送層914を形成した。さらに電
子輸送層914上に、フッ化リチウムを1nm蒸着することにより、電子注入層915を
形成した。
最後に、電子注入層915上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着し、
陰極となる第2の電極903形成し、発光素子2および比較発光素子3を得た。なお、上
述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子2および比較発光素子3の素子構造を表3に示す。
また、作製した発光素子2および比較発光素子3は、大気に曝されないように窒素雰囲
気のグローブボックス内において封止した(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にU
V処理及び80℃にて1時間熱処理)。
≪発光素子2および比較発光素子3の動作特性≫
作製した発光素子2および比較発光素子3の動作特性について測定した。なお、測定は
室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
まず、発光素子2および比較発光素子3の電圧−輝度特性を図18に示す。なお、図1
8において、縦軸は、輝度(cd/m)、横軸は、電圧(V)を示す。また、発光素子
2および比較発光素子3の輝度−電流効率特性を図19に示す。なお、図19において、
縦軸は、電流効率(cd/A)、横軸は、輝度(cd/m)を示す。また、発光素子2
および比較発光素子3の電圧−電流特性を図20に示す。なお、図20において、縦軸は
、電流(mA)、横軸は、電圧(V)を示す。また、発光素子2および比較発光素子3の
電流密度−輝度特性を図21に示す。なお、図21において、縦軸は、輝度(cd/m
)、横軸は、電流密度(mA/cm)を示す。
図19より、本発明の一態様である有機化合物、1,6BnfAPrn−02を用いた
発光素子2は、1000cd/m付近において、比較発光素子3に比べて高効率な素子
であることがわかった。また、発光素子2および比較発光素子3の主な初期特性値を以下
の表4に示す。
上記結果から、本実施例で作製した発光素子2は、比較発光素子3と比べて、同程度の
色純度を示す青色発光であるにもかかわらず、高い電流効率を示していることが分かる。
また、発光素子2および比較発光素子3に25mA/cmの電流密度で電流を流した
際の発光スペクトルを、図22に示す。図22に示す通り、発光素子2および比較発光素
子3の発光スペクトルは、いずれも452nm付近にピークを有しており、本発明の一態
様である有機化合物、1,6BnfAPrn−02および比較のために用いた有機化合物
、1,6FrAPrn−IIの発光に由来していることが示唆される。
また、発光素子2および比較発光素子3についての信頼性試験を行った。信頼性試験の
結果を図23に示す。図23において、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度
(%)を示し、横軸は素子の駆動時間(h)を示す。なお、信頼性試験は、初期輝度を5
000cd/mに設定し、電流密度一定の条件で発光素子2および比較発光素子3を駆
動させた。その結果、発光素子2の100時間後の輝度は、初期輝度のおよそ65%を保
っていた。すなわち、100時間後の輝度が、初期輝度のおよそ56%である比較発光素
子3に比べて発光素子2は、長寿命な発光素子であるという結果が得られた。従って、本
発明の一態様である有機化合物を用いた発光素子2は、色純度が良いだけでなく、比較発
光素子3と比べて、より長寿命な発光素子を提供できることが示唆された。このことから
、1,6−ジアミノピレンにベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランが結合した構造を
有する本発明の一態様である有機化合物、1,6BnfAPrn−02を用いることで、
1,6−ジアミノピレンにジベンゾフランが結合した構造を有する比較のために用いた有
機化合物、1,6FrAPrn−IIを用いる場合に比べて、色純度の良い青色発光を示
し、かつ、長寿命な発光素子を提供できることが示された。
したがって、本発明の一態様である有機化合物を発光素子に用いることにより、高効率
であり、かつ長寿命な発光素子が得られることがわかった。
≪合成例4≫
本実施例では、実施の形態1において構造式(138)で示した、本発明の一態様であ
る有機化合物、N,N’−(ピレン−1,6−ジイル)ビス[(6,N−ジフェニルベン
ゾ[b]ナフト[1,2−d]フラン)−8−アミン](略称:1,6BnfAPrn−
03)の合成方法について説明する。なお、1,6BnfAPrn−03の構造を以下に
示す。
<ステップ1:6−ヨードベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランの合成>
500mL三口フラスコに、8.5g(39mmol)のベンゾ[b]ナフト[1,2
−d]フランを加え、フラスコ内を窒素置換した後、195mLのテトラヒドロフラン(
THF)を加えた。この溶液を−75℃に冷却してから、この溶液に25mL(40mm
ol)のn−ブチルリチウム(1.59mol/L n−ヘキサン溶液)を滴下して加え
た。滴下後、得られた溶液を室温で1時間攪拌した。
所定時間経過後、この溶液を−75℃に冷却してから、ヨウ素10g(40mmol)を
THF40mLに溶かした溶液を滴下して加えた。滴下後、得られた溶液を室温に戻しな
がら17時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え
、1時間攪拌した後、この混合物の有機層を水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムによ
り乾燥した。乾燥後、この混合物を自然濾過し、得られた溶液をセライト(和光純薬工業
株式会社、カタログ番号:531−16855)、フロリジール(和光純薬工業株式会社
、カタログ番号:540−00135)を通して吸引濾過した。得られた濾液を濃縮して
得た固体を、トルエンにて再結晶を行ったところ、目的の白色粉末を収量6.0g(18
mmol)、収率45%で得た。ステップ1の合成スキームを下記(d−1)に示す。
<ステップ2:.6−フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランの合成>
200mL三口フラスコに、6.0g(18mmol)の6−ヨードベンゾ[b]ナフ
ト[1,2−d]フランと、2.4g(19mmol)のフェニルボロン酸と、70mL
のトルエンと、20mLのエタノールと、22mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol
/L)を入れた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後フラスコ
内を窒素下としてから、480mg(0.42mmol)のテトラキス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウム(0)を加えた。この混合物を窒素気流下、90℃で12時間攪拌
した。
所定時間経過後、この混合物に水を加え、水層をトルエンにより抽出した。得られた抽
出液と有機層を合わせて、水で洗浄後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を
自然濾過し、得られた濾液を濃縮して得た固体を、トルエンに溶かした。得られた溶液を
セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、フロリジール
(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、アルミナを通して吸引
濾過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエンにより再結晶を行ったところ、
目的の白色固体を収量4.9g(17mmol)、収率93%で得た。ステップ2の合成
スキームを下記(d−2)に示す。
<ステップ3:8−ヨード−6−フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランの合
成>
300mL三口フラスコに、4.9g(17mmol)の6−フェニルベンゾ[b]ナ
フト[1,2−d]を加え、フラスコ内を窒素置換した後、87mLのテトラヒドロフラ
ン(THF)を加えた。この溶液を−75℃に冷却してから、この溶液に11mL(18
mmol)のn−ブチルリチウム(1.59mol/L n−ヘキサン溶液)を滴下して
加えた。滴下後、得られた溶液を室温で1時間攪拌した。所定時間経過後、この溶液を−
75℃に冷却してから、ヨウ素4.6g(18mmol)をTHF18mLに溶かした溶
液を滴下して加えた。
得られた溶液を室温に戻しながら17時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物にチ
オ硫酸ナトリウム水溶液を加え、1時間攪拌した後、この混合物の有機層を水で洗浄し、
有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過して得られたろ液をセ
ライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)、フロリジール(
和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135)、アルミナを通して吸引濾
過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエンにより再結晶を行ったところ、目
的の白色固体を収量3.7g(8.8mmol)、収率53%で得た。ステップ3の合成
スキームを下記(d−3)に示す。
<ステップ4:1,6BnfAPrn−03の合成>
100mL三口フラスコに、0.71g(2.0mmol)の1,6−ジブロモピレン
と、1.0g(10.4mmol)のナトリウムtert−ブトキシドと、トルエン10
mLと、0.36mL(4.0mmol)のアニリンと、0.3mLのトリ(tert−
ブチル)ホスフィンの10wt%ヘキサン溶液を加え、フラスコ内を窒素置換した。この
混合物に50mg(85μmol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)
を加え、80℃で2時間攪拌した。
所定時間経過後、得られた混合物に、1.7g(4.0mmol)の8−ヨード−6−
フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランと、180mg(0.44mmol)
の2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’、6’−ジメトキシビフェニル(略称S−Ph
os)と、50mg(85μmol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0
)を加え、この混合物を100℃で15時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物
をセライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855)を通してろ過
した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、エタノールで洗浄し、トルエンにて再結晶を
行ったところ、目的の黄色固体を1.38g(1.4mmol)、収率71%で得た。
得られた黄色固体1.37mg(1.4mmol)をトレインサブリメーション法によ
り昇華精製した。昇華精製は、アルゴン流量10mL/min、圧力2.3Paの条件で
黄色固体を370℃で加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を0.68g(0.70m
mol)、50%の回収率で得た。ステップ4の合成スキームを下記(d−4)に示す。
なお、上記ステップ4で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法(H NMR)による
分析結果を下記に示す。また、H NMRチャートを図26(A)(B)に示す。なお
、図26(B)は、図26(A)に対して横軸(δ)を6.7(ppm)から8.8(p
pm)の範囲とした拡大図である。この結果から、本合成例4において合成方法を示した
有機化合物、1,6BnfAPrn−03が得られたことがわかった。
H NMR(ジクロロメタン−d2、500MHz):δ=6.88(t、J=7.
7Hz、4H)、7.03−7.06(m、6H)、7.11(t、J=7.5Hz、2
H)、7.13(d、J=8.0Hz、2H)、7.28−7.32(m、8H)、7.
37(t、J=8.0Hz、2H)、7.59(t、J=7.2Hz、2H)、7.75
(t、J=7.7Hz、2H)、7.84(d、J=9.0Hz、2H)、7.88(d
、J=8.0Hz、2H)、8.01(s、2H)、8.07(d、J=8.0Hz、4
H)、8.14(d、J=9.0Hz、2H)、8.21(d、J=8.0Hz、2H)
、8.69(d、J=8.5Hz、2H).
次に、1,6BnfAPrn−03のトルエン溶液の紫外可視吸収スペクトル(以下、
単に「吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定
には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、トルエン溶液を石
英セルに入れ、室温で測定を行った。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計((
株)浜松ホトニクス製 FS920)を用い、トルエン溶液を石英セルに入れ、室温で測
定を行った。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図27(A)に示
す。横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)および発光強度(任意単位)を表
す。また、図27(A)において2本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクト
ルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。図27(A)に示す吸収スペクトル
はトルエン溶液を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、トルエンのみを石英セ
ルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示している。
図27(A)に示す通り、本発明の一態様である有機化合物1,6BnfAPrn−0
3は、464nmに発光ピークを有しており、トルエン溶液からは青色の発光が観測され
た。
また、1,6BnfAPrn−03の薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図2
7(B)に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、
V550型)を用いた。石英基板に蒸着してサンプルを作製し、測定を行った。吸収スペ
クトルについては石英のみの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図
27(B)において、横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。
本実施例では、本発明の一態様である有機化合物、1,6BnfAPrn−03(構造
式(138))を発光層に用いた発光素子4を作製し、発光スペクトルの測定を行った。
なお、発光素子4の作製については、図11を用いて説明する。また、本実施例で用いる
材料の化学式を以下に示す。
≪発光素子4の作製≫
まず、ガラス製の基板900上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をス
パッタリング法により成膜し、陽極として機能する第1の電極901を形成した。なお、
その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
次に、基板900上に発光素子4を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄
し、200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。
その後、10−4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸
着装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板900を3
0分程度放冷した。
次に、第1の電極901が形成された面が下方となるように、基板900を真空蒸着装
置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、EL層902
を構成する正孔注入層911、正孔輸送層912、発光層913、電子輸送層914、電
子注入層915が順次形成される場合について説明する。
真空蒸着装置内を10−4Paに減圧した後、9−フェニル−3−[4−(10−フェ
ニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)と酸化モ
リブデンとを、PCzPA:酸化モリブデン=4:2(質量比)となるように共蒸着する
ことにより、第1の電極901上に正孔注入層911を形成した。膜厚は50nmとした
。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸
着法である。
次に、PCzPAを10nm蒸着することにより、正孔輸送層912を形成した。
次に、正孔輸送層912上に発光層913を形成した。発光素子4の場合には、7−[
4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−7H−ジベンゾ[c,g]カルバ
ゾール(略称:cgDBCzPA)、1,6BnfAPrn−03を、cgDBCzPA
:1,6BnfAPrn−03=1:0.01(質量比)となるように共蒸着した。なお
、膜厚は、25nmの膜厚とした。
次に、発光層913上にcgDBCzPAを10nm蒸着した後、バソフェナントロリ
ン(略称:Bphen)を15nm蒸着することにより、電子輸送層914を形成した。
さらに電子輸送層914上に、フッ化リチウムを1nm蒸着することにより、電子注入層
915を形成した。
最後に、電子注入層915上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着し、
陰極となる第2の電極903形成し、発光素子4を得た。なお、上述した蒸着過程におい
て、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子4の素子構造を表5に示す。
また、作製した発光素子4は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス
内において封止した(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にUV処理及び80℃にて
1時間熱処理)。
≪発光素子4の動作特性≫
作製した発光素子4の動作特性について測定した。なお、測定は室温(25℃に保たれ
た雰囲気)で行った。
まず、発光素子4の電圧−輝度特性を図28に示す。なお、図28において、縦軸は、
輝度(cd/m)、横軸は、電圧(V)を示す。また、発光素子4の輝度−電流効率特
性を図29に示す。なお、図29において、縦軸は、電流効率(cd/A)、横軸は、輝
度(cd/m)を示す。また、発光素子4の電圧−電流特性を図30に示す。なお、図
30において、縦軸は、電流(mA)、横軸は、電圧(V)を示す。また、発光素子4の
電流密度−輝度特性を図31に示す。なお、図31において、縦軸は、輝度(cd/m
)、横軸は、電流密度(mA/cm)を示す。
図29より、本発明の一態様である有機化合物、1,6BnfAPrn−03を用いた
発光素子4は、高効率な素子であることがわかった。また、発光素子4の主な初期特性値
を以下の表6に示す。
上記結果から、本実施例で作製した発光素子4は、高い電流効率を示していることが分
かる。
また、発光素子4に25mA/cmの電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図32に示す。図32に示す通り、発光素子4の発光スペクトルは、454nm付近に
ピークを有しており、本発明の一態様である有機化合物、1,6BnfAPrn−03の
発光に由来していることが示唆される。
また、発光素子4についての信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図33に示す。
図33において、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示し、横軸は
素子の駆動時間(h)を示す。なお、信頼性試験は、初期輝度を5000cd/mに設
定し、電流密度一定の条件で発光素子4を駆動させた。その結果、発光素子4の100時
間後の輝度は、初期輝度のおよそ88%を保っていた。従って、本発明の一態様である有
機化合物を用いた発光素子4は、色純度が良いだけでなく、長寿命な発光素子をであるこ
とが示唆された。このことから、1,6−ジアミノピレンにベンゾ[b]ナフト[1,2
−d]フランが結合した構造を有する本発明の一態様である有機化合物、1,6BnfA
Prn−03を用いることで、色純度の良い青色発光を示し、かつ、長寿命な発光素子を
提供できることが示された。
したがって、本発明の一態様である有機化合物を発光素子に用いることにより、高効率
であり、かつ長寿命な発光素子が得られることがわかった。また、1,6BnfAPrn
−03はベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランの6位がフェニル基で置換されている
ため、非常に色純度が高く、高効率で信頼性の良い素子が得られた。このことから、本発
明の物質のうちベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランの6位が置換または無置換のフ
ェニル基、特に無置換のフェニル基で置換された構造が好ましいことが明らかとなった。
101 第1の電極
102 EL層
103 第2の電極
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
116 電荷発生層
201 第1の電極
202(1) 第1のEL層
202(2) 第2のEL層
202(n−1) 第(n−1)のEL層
202(n) 第(n)のEL層
204 第2の電極
205 電荷発生層(I)
205(1) 第1の電荷発生層(I)
205(2) 第2の電荷発生層(I)
205(n−2) 第(n−2)の電荷発生層(I)
205(n−1) 第(n−1)の電荷発生層(I)
301 素子基板
302 画素部
303 駆動回路部(ソース線駆動回路)
304a、304b 駆動回路部(ゲート線駆動回路)
305 シール材
306 封止基板
307 配線
308 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
309 nチャネル型FET
310 pチャネル型FET
311 スイッチング用FET
312 電流制御用FET
313 第1の電極(陽極)
314 絶縁物
315 EL層
316 第2の電極(陰極)
317 発光素子
318 空間
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7302 筐体
7304 表示パネル
7305 アイコン
7306 アイコン
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
900 基板
901 第1の電極
902 EL層
903 第2の電極
911 正孔注入層
912 正孔輸送層
913 発光層
914 電子輸送層
915 電子注入層
8001 照明装置
8002 照明装置
8003 照明装置
8004 照明装置

Claims (11)

  1. 一対の電極間に、式(G1)で表される有機化合物を有する発光素子。

    (式中、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換または無置換の環を形成する炭素数が6〜13のアリール基を表し、R〜Rは、それぞれ独立に、水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。XおよびXは、それぞれ独立に、置換または無置換のベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラニル基を表す。)
  2. 請求項1において、
    式(G1)における窒素原子は、それぞれ独立に、前記ベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラニル基の6位または8位と結合する発光素子。
  3. 一対の電極間に、式(G2)で表される有機化合物を有する発光素子。

    (式中、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換または無置換の環を形成する炭素数が6〜13のアリール基を表し、R〜R17およびR19〜R27は、それぞれ独立に、水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
  4. 一対の電極間に、式(G3)で表される有機化合物を有する発光素子。

    (式中、ArおよびArは、それぞれ独立に、置換または無置換の環を形成する炭素数が6〜13のアリール基を表し、R〜R、R10〜R18およびR20〜R28は、それぞれ独立に、水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
  5. 一対の電極間に、式(G4)で表される有機化合物を有する発光素子。

    (式中、R〜RおよびR29〜R38は、それぞれ独立に、水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
  6. 一対の電極間に、式(G5)で表される有機化合物を有する発光素子。

    (式中、R〜RおよびR29〜R38は、それぞれ独立に、水素、置換または無置換の炭素数1〜6のアルキル基、置換または無置換の炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基、ハロゲン、置換または無置換の炭素数1〜6のハロアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
  7. 一対の電極間に、式(100)で表される有機化合物を有する発光素子。
  8. 一対の電極間に、式(101)で表される有機化合物を有する発光素子。
  9. 請求項1乃至請求項8のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
  10. 請求項9に記載の発光装置を有する電子機器。
  11. 請求項9に記載の発光装置を有する照明装置。
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