JP2015142030A - 電子素子搭載用基板及び電子装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 196
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 27
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Abstract
Description
基板および電子装置に関するものである。
図1を参照して本発明の第1の実施形態における電子装置21、及び電子素子搭載用基板1について説明する。本実施形態における電子装置21は、電子素子搭載用基板1と電子素子10とを備えている。
有している。凹部2aの開口と開口部4aとは連結している。
ことができる。結果として、蓋体13と枠体4の上面との密着力が向上し、枠体4の内部空間の封止性を向上させることができる。
。この場合には、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって基板2を形成する第1基部2b及び第2基部2c並びに枠体4を形成できる。
る。この分断においては、電子素子搭載用基板1の外縁となる箇所に沿って多数個取り基板に分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って破断させて分割する方法、またはスライシング法等により電子素子搭載用基板1の外縁となる箇所に沿って切断する方法等を用いることができる。なお、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り基板用のセラミックグリーンシート積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によりセラミックグリーンシート積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。
次に、本発明の第2の実施形態による電子素子搭載用基板1および電子装置21について、図2を参照しつつ説明する。
との接合部近傍に、クラック又は割れが発生することを、より低減させることができる。
次に、本発明の第3の実施形態による電子素子搭載用基板1および電子装置21について、図3を参照しつつ説明する。
電子部品、又はフレキシブル基板を接続端子8に接続させる際に、第1支持部6aに当てないようにスムーズに段差部5内に配置させることができる。また、段差部5の接続端子8にワイヤボンディングを接続させる際に、キャピラリを第1支持部6aに当てないようにスムーズに段差部5内に配置させることができる。よって、作業効率が向上する。
次に、本発明の第4の実施形態による電子素子搭載用基板1および電子装置21について、図4を参照しつつ説明する。
膨張・熱収縮の差を小さくすることができ、枠体4の側壁の変形をより効果的に抑制することができる。これによって、電子素子10の作動が繰り返されたとしても、枠体4、又は枠体4と基板2との接合箇所近辺のクラック又は割れの発生をより低減させることができる。
次に、本発明の第5の実施形態による電子素子搭載用基板1および電子装置21について、図5を参照しつつ説明する。
次に、本発明の第6の実施形態による電子素子搭載用基板1および電子装置21につい
て、図6を参照しつつ説明する。
2・・・・基板
2a・・・凹部
2b・・・第1基部
2c・・・第2基部
2d・・・金属平板
3・・・・電子素子接続用パッド
4・・・・枠体
4a・・・開口部
5・・・・段差部
6・・・・支持部
6a・・・第1支持部
6b・・・第2支持部
7・・・・貫通孔
8・・・・接続端子
9・・・・貫通孔
10・・・電子素子
11・・・電子素子搭載部
12・・・接続部材
13・・・蓋体
14・・・接合部材
15・・・切り欠き
21・・・電子装置
Claims (10)
- 電子素子搭載部を有する基板と、
該基板の上面に接合された枠体と、を有しており、
上面視において、前記枠体の外縁の少なくとも一部は、前記基板の外縁より内側に位置しており、
前記枠体の側面と前記基板の上面とによって段差部が設けられており、
該段差部において、前記枠体は、前記基板の外縁に向かって突出する第1支持部を有しており、
該第1支持部は、前記枠体および前記基板と一体化している
電子素子搭載用基板。 - 前記第1支持部は、前記段差部の中央部に設けられている
請求項1記載の電子素子搭載用基板。 - 前記段差部の両端部にさらに第1支持部が設けられている
請求項2記載の電子素子搭載用基板。 - 前記第1支持部の幅は、前記基板に近づくほど広くなっている
請求項1乃至請求項3のいずれか記載の電子素子搭載用基板。 - 上面視において、前記第1支持部の側面と、前記枠体の側面との間の角部が曲線である
請求項1乃至請求項4のいずれか記載の電子素子搭載用基板。 - 前記枠体は、前記基板の中央部に向かって突出する第2支持部を有しており、
該第2支持部は、前記枠体および前記基板と一体化している
請求項1乃至請求項5のいずれか記載の電子素子搭載用基板。 - 前記段差部における、前記基板の前記上面に、接続端子が設けられている
請求項1乃至請求項6のいずれか記載の電子素子搭載用基板。 - 前記基板の上面において、隣り合う第1支持部の間に、切り欠きが設けられている
請求項1乃至請求項7のいずれか記載の電子素子搭載用基板。 - 前記切り欠きは複数設けられており、前記切り欠き同士の深さが異なっている
請求項8記載の電子素子搭載用基板。 - 請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の電子素子搭載用基板と、
前記基板の前記電子素子搭載部に搭載された電子素子と、
を有する電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014014439A JP6272052B2 (ja) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 電子素子搭載用基板及び電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014014439A JP6272052B2 (ja) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 電子素子搭載用基板及び電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015142030A true JP2015142030A (ja) | 2015-08-03 |
JP6272052B2 JP6272052B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=53772201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014014439A Active JP6272052B2 (ja) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 電子素子搭載用基板及び電子装置 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP6272052B2 (ja) |
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- 2014-01-29 JP JP2014014439A patent/JP6272052B2/ja active Active
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