JP2015140469A - Ag−Sbめっき膜を有する電子部品、Ag−Sbめっき液及び前記電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、高光沢でかつ、光の反射率が高く、熱処理により光沢度の低下が見られない電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】銅素材又は銅めっき膜上に、直接、又は下地Niめっき膜を介してAg−Sb合金めっき膜を有し、前記Ag−Sb合金めっき膜は、Sb品位が0.1〜2.0質量%、膜厚が0.1〜10μmであることを特徴とする電子部品。前記Ag−Sb合金めっき膜は、反射率が89%以上でかつ、光沢度が1.8以上でかつ、熱処理(200℃×1hr.)による光沢度低下が、熱処理前の光沢度の20%以下となる。
【選択図】なし
【解決手段】銅素材又は銅めっき膜上に、直接、又は下地Niめっき膜を介してAg−Sb合金めっき膜を有し、前記Ag−Sb合金めっき膜は、Sb品位が0.1〜2.0質量%、膜厚が0.1〜10μmであることを特徴とする電子部品。前記Ag−Sb合金めっき膜は、反射率が89%以上でかつ、光沢度が1.8以上でかつ、熱処理(200℃×1hr.)による光沢度低下が、熱処理前の光沢度の20%以下となる。
【選択図】なし
Description
本発明は、高い光反射率と光沢度を有するAg−Sbめっき膜を有する電子部品、前記Ag−Sbめっき膜を形成するためのAg−Sbめっき液、及び前記電子部品の製造方法に関する。
銀膜は高い光反射率(以下、反射率と略記)を有することからダウンライト照明用の反射板やLED(Lighting Emitting Diode、発光ダイオード)パッケージの反射面に広く用いられている。LEDパッケージでは、LEDへの入力電流が所定の光出力が得られるまで高められるため、取り出せる光出力は、反射面の反射率に大きく依存し、反射率が低いと入力電流を高くしなければならず、LEDの寿命に大きく影響する。このため、住宅照明や自動車用ヘッドライト等の主照明に適用される高出力LEDパッケージでは、反射面の反射率と分光特性が製品性能を左右する極めて重要な要素となり、特に、可能な限り高い反射率が要求される。具体的には、銀膜は、近紫外光を含む可視光の全波長領域(370〜700nm)において高い反射率を有することが必要であるとされ、特許文献1のように反射率を高める方法が提案されている。
しかし、特許文献1記載の方法では、無電解めっき処理により銀膜が製造されているために、通常用いられる膜厚200nmを形成する場合でも10〜30分程度の時間を要し、生産性が極めて低い。また、めっき処理に用いられる浴の寿命が短いためにランニングコストが高くなるなどの問題があった。
しかし、特許文献1記載の方法では、無電解めっき処理により銀膜が製造されているために、通常用いられる膜厚200nmを形成する場合でも10〜30分程度の時間を要し、生産性が極めて低い。また、めっき処理に用いられる浴の寿命が短いためにランニングコストが高くなるなどの問題があった。
また、LED用の光反射部としては、光沢度が高いことも望まれている。光沢度が高いと、正反射し、光の方向性を揃え、光度が高くなる。
従来、電解銀めっき液には、銀源としてシアン化物を用い、光沢剤として、As,Tl,SeおよびTeの化合物を添加した電解銀めっき液が知られている(特許文献2)。
Seを添加することで、表面の析出物を微細化し、粒径も小さくでき、平坦性を向上させて、光沢を高めることができるが、加熱による銀の再結晶により、光沢度が低下することが知られている。また、Seは毒性があり、好ましくない。
従来、電解銀めっき液には、銀源としてシアン化物を用い、光沢剤として、As,Tl,SeおよびTeの化合物を添加した電解銀めっき液が知られている(特許文献2)。
Seを添加することで、表面の析出物を微細化し、粒径も小さくでき、平坦性を向上させて、光沢を高めることができるが、加熱による銀の再結晶により、光沢度が低下することが知られている。また、Seは毒性があり、好ましくない。
更に、特許文献3には、特定の光沢度を有する半導体装置用リードフレーム用基体が開示されている。そして、前記基体上にAg−Sb合金からなる反射層を有し、波長450nmにおける反射率が92%である光半導体装置用リードフレームが開示されている。
基体の表面の光沢度を高くすることにより、反射層の厚さを薄くしても反射率が高い光反射特性を有する半導体装置用リードフレームとなる。前記Ag−Sb合金からなる反射層は、常法のAg−Sbめっき浴を用いて形成されており、めっき浴にC4H4KOSbを10g/L添加している。
従来、Agめっき材の製造方法において、Agめっき材の硬度を高めるために、Sbを添加する方法が採用されてきた。しかし、Agめっき材の光沢を高くするために、Sbが利用されたことはなかった。特許文献3においても、基体の光沢度について記載されているが、反射層の光沢度については何ら記載が無い。Agめっき材にSbを添加することと、光沢を高くすることの関係については何ら開示されていない。
基体の表面の光沢度を高くすることにより、反射層の厚さを薄くしても反射率が高い光反射特性を有する半導体装置用リードフレームとなる。前記Ag−Sb合金からなる反射層は、常法のAg−Sbめっき浴を用いて形成されており、めっき浴にC4H4KOSbを10g/L添加している。
従来、Agめっき材の製造方法において、Agめっき材の硬度を高めるために、Sbを添加する方法が採用されてきた。しかし、Agめっき材の光沢を高くするために、Sbが利用されたことはなかった。特許文献3においても、基体の光沢度について記載されているが、反射層の光沢度については何ら記載が無い。Agめっき材にSbを添加することと、光沢を高くすることの関係については何ら開示されていない。
本発明は、高光沢でかつ、光の反射率が高く、熱処理により光沢度の低下が見られない電子部品を提供することを目的とする。
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、特定量のSbを含有するAg−Sbめっき膜が、高光沢で、かつ光の反射率も高く、熱処理により光沢度の低下が見られないことを見い出し、本発明に至った。
即ち、本発明は以下のとおりである。
(1)銅素材又は銅めっき膜上に、直接、又は下地Niめっき膜を介してAg−Sb合金めっき膜を有し、前記Ag−Sb合金めっき膜は、Sb品位が0.1〜2.0質量%、膜厚が0.1〜10μmであることを特徴とする電子部品。
(2)前記Ag−Sb合金めっき膜の反射率が89%以上でかつ、光沢度が1.8以上でかつ、熱処理(200℃×1hr.)による光沢度低下が、熱処理前の光沢度の20%以下であることを特徴とする前記(1)に記載の電子部品。
(3)前記電子部品がLED用リードフレームもしくはLED用プリント配線板であることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の電子部品。
(4)前記(1)〜(3)のいずれか一項に記載の電子部品のAg−Sb合金めっき膜を形成するAg−Sb合金めっき液であって、少なくとも銀イオン濃度10〜100g/L、Sbイオン濃度0.1〜1.5g/L、シアンイオン濃度20〜90g/Lであり、水酸基を有する塩基を5〜100g/L含有することを特徴とするAg−Sb合金めっき液。
(5)銅素材、又は銅めっき膜上に、直接もしくは下地Niめっき膜を介して、前記(4)に記載のAg−Sb合金めっき液を用いて、Ag−Sb合金めっき膜を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
即ち、本発明は以下のとおりである。
(1)銅素材又は銅めっき膜上に、直接、又は下地Niめっき膜を介してAg−Sb合金めっき膜を有し、前記Ag−Sb合金めっき膜は、Sb品位が0.1〜2.0質量%、膜厚が0.1〜10μmであることを特徴とする電子部品。
(2)前記Ag−Sb合金めっき膜の反射率が89%以上でかつ、光沢度が1.8以上でかつ、熱処理(200℃×1hr.)による光沢度低下が、熱処理前の光沢度の20%以下であることを特徴とする前記(1)に記載の電子部品。
(3)前記電子部品がLED用リードフレームもしくはLED用プリント配線板であることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の電子部品。
(4)前記(1)〜(3)のいずれか一項に記載の電子部品のAg−Sb合金めっき膜を形成するAg−Sb合金めっき液であって、少なくとも銀イオン濃度10〜100g/L、Sbイオン濃度0.1〜1.5g/L、シアンイオン濃度20〜90g/Lであり、水酸基を有する塩基を5〜100g/L含有することを特徴とするAg−Sb合金めっき液。
(5)銅素材、又は銅めっき膜上に、直接もしくは下地Niめっき膜を介して、前記(4)に記載のAg−Sb合金めっき液を用いて、Ag−Sb合金めっき膜を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
本発明の電子部品は、高光沢でかつ、光の反射率が高く、熱処理による光沢度の低下が抑制される。具体的には、光の反射率が89%以上であり、熱処理後の光沢度の低下が、熱処理前の光沢度の20%以下である。
本発明の電子部品は、銅素材又は銅めっき膜上に、直接、又は下地Niめっき膜を介してAg−Sb合金めっき膜を有し、前記Ag−Sb合金めっき膜は、Sb品位が0.1〜2.0質量%、膜厚が0.1〜10μmである。
前記Ag−Sb合金めっき膜は、Sb品位が0.1〜2.0質量%であることが必要である。
Sb品位が0.1質量%未満であると、熱処理により光沢度が下がり、Sb品位が2.0質量%を超えると、反射率が低下する。
上記Ag−Sb合金めっき膜のSb品位は、ICP−AESで銀とSbの定量分析を行い算出することができる。
Sb品位が0.1質量%未満であると、熱処理により光沢度が下がり、Sb品位が2.0質量%を超えると、反射率が低下する。
上記Ag−Sb合金めっき膜のSb品位は、ICP−AESで銀とSbの定量分析を行い算出することができる。
Ag−Sb合金めっき膜は、膜厚が0.1〜10μmである。前記膜厚が0.1〜10μmであると、反射率及び光沢度に優れた電子部品を得ることができる。
前記膜厚が0.1μm未満であると、下地の反射率が影響し、反射率及び光沢度が高くならない。また、前記膜厚が10μmを超えると製造コストが高くなり、好ましくない。
上記めっき膜の膜厚は、蛍光X線膜厚計により測定することができる。
前記膜厚が0.1μm未満であると、下地の反射率が影響し、反射率及び光沢度が高くならない。また、前記膜厚が10μmを超えると製造コストが高くなり、好ましくない。
上記めっき膜の膜厚は、蛍光X線膜厚計により測定することができる。
前記銅素材としては、銅もしくは銅合金が挙げられる。銅合金としては、銅を主成分とし、Ni,Si,Fe,Zn,Sn,Mg,P,Cr,Mn,Zr,Ti,Sb等の元素の1種または2種以上を含有する合金、例えばCu−Fe−Zn−P系銅合金等を挙げることができる。尚、前記銅を主成分とする銅合金とは、銅を50質量%以上含有する銅合金を言う。
銅素材は、例えば、LED用リードフレーム、LED用プリント配線板に用いられる一般的な銅素材で良く、特別な表面処理は必要としない。即ち、表面粗さRaが0.04〜0.1μm程度の市販の条材を用いることができる。
銅素材は、例えば、LED用リードフレーム、LED用プリント配線板に用いられる一般的な銅素材で良く、特別な表面処理は必要としない。即ち、表面粗さRaが0.04〜0.1μm程度の市販の条材を用いることができる。
また、前記銅めっき膜は、従来公知の銅めっき液を用いて、公知の方法によって形成されるもので良い。基材上に形成された銅めっき膜や、めっきにより製造された銅箔等が挙げられる。前記めっき膜が形成される基材としては、鉄系合金、セラミック基板等が挙げられる。
銅めっき膜の厚さは0.1〜10μmが好ましい。
銅めっき膜の厚さは0.1〜10μmが好ましい。
前記下地Niめっき膜は、従来公知のNiめっき液を用いて、公知の方法により形成することができるが、下地Niめっき層を形成するめっき液としては、スルファミン浴が好ましい。
下地Niめっき膜を設けることにより、銅素材又は銅めっき膜の銅成分がAg−Sb合金めっき層に拡散するのを抑制することができ、好ましい。
下地Niめっき膜の厚さは、0.1〜10μmが好ましい。
下地Niめっき膜を設けることにより、銅素材又は銅めっき膜の銅成分がAg−Sb合金めっき層に拡散するのを抑制することができ、好ましい。
下地Niめっき膜の厚さは、0.1〜10μmが好ましい。
前記Ag−Sb合金めっき膜は、反射率が89%以上でかつ、光沢度が1.8以上でかつ、熱処理(200℃×1hr.)による光沢度低下が、熱処理前の光沢度の20%以下であることが好ましい。
Ag−Sb合金めっき膜が上記の特性を有することにより、該Ag−Sb合金めっき膜を有する本発明の電子部品は、高い光反射率及び高い光沢度が要求されるLED用リードフレーム、及びLED用プリント配線板として好ましく用いることができる。
尚、上記光の反射率は、紫外可視分光光度計(UV−2450島津製作所製)で測定した、波長450nmおける反射率(%)である。
具体的には、紫外可視分光光度計(UV−2450、島津製作所製)において、基準物質を硫酸バリウム試験片とした時の全反射率を波長300nm〜800nmにかけて連続測定を実施した。このうち、可視光域である波長450nmにおける全反射率(%)を求めた。
また、上記光沢度は、微小面分光色差計(VSS−400日本電色製)で測定した。本発明において、光沢度は、試料面に対し投光側90度(垂直)、受光側45度の光学条件で測定した反射濃度値(2−logR(R=波長570nmの光の反射率)から算出)である。
Ag−Sb合金めっき膜が上記の特性を有することにより、該Ag−Sb合金めっき膜を有する本発明の電子部品は、高い光反射率及び高い光沢度が要求されるLED用リードフレーム、及びLED用プリント配線板として好ましく用いることができる。
尚、上記光の反射率は、紫外可視分光光度計(UV−2450島津製作所製)で測定した、波長450nmおける反射率(%)である。
具体的には、紫外可視分光光度計(UV−2450、島津製作所製)において、基準物質を硫酸バリウム試験片とした時の全反射率を波長300nm〜800nmにかけて連続測定を実施した。このうち、可視光域である波長450nmにおける全反射率(%)を求めた。
また、上記光沢度は、微小面分光色差計(VSS−400日本電色製)で測定した。本発明において、光沢度は、試料面に対し投光側90度(垂直)、受光側45度の光学条件で測定した反射濃度値(2−logR(R=波長570nmの光の反射率)から算出)である。
前記Ag−Sb合金めっき膜は、少なくとも銀イオン濃度10〜100g/L、Sbイオン濃度0.1〜1.5g/L、シアンイオン濃度20〜90g/Lであり、水酸基を有する塩基を5〜100g/L含有するめっき液を用いて形成することができる。
Sbを添加したAgめっき液に、水酸基を有する塩基を5〜100g/L添加すると、Ag−Sb合金めっき膜の反射率が下がらないという結果を得た。水酸基を有する塩基の濃度が5g/L未満であると、Ag−Sb合金めっき膜のSb品位が高くなり、2.0質量%を超える場合があり、反射率が低下することがある。水酸基を有する塩基の濃度が100g/Lを超えると、Ag−Sb合金めっき膜のSb品位が0.1質量%未満となる場合があり、光沢度が低下することがある。
また、銀イオン濃度は10〜100g/Lであることが好ましい。銀イオン濃度が10g/L未満であるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が高くなり、2.0質量%を超える場合があり、反射率が低下することがある。銀イオン濃度が100g/Lを超えるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が0.1質量%未満となる場合があり、光沢度が低下することがある。
Sbイオン濃度は0.1〜1.5g/Lであることが好ましい。Sbイオン濃度が0.1g/L未満であるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が0.1質量%未満となる場合があり、光沢度が低下することがある。Sbイオン濃度が1.5g/Lを超えるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が高くなり、2.0質量%を超える場合があり、反射率が低下することがある。
シアンイオン濃度は20〜90g/Lであることが好ましい。シアンイオン濃度が20g/L未満であるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が0.1質量%未満となる場合があり、光沢度が低下することがある。シアンイオン濃度が90g/Lを超えるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が高くなり、2.0質量%を超える場合があり、反射率が低下することがある。
Sb品位が0.1〜2.0質量%であるAg−Sbめっき膜を得るには、上記各成分のバランスが重要である。
Sbを添加したAgめっき液に、水酸基を有する塩基を5〜100g/L添加すると、Ag−Sb合金めっき膜の反射率が下がらないという結果を得た。水酸基を有する塩基の濃度が5g/L未満であると、Ag−Sb合金めっき膜のSb品位が高くなり、2.0質量%を超える場合があり、反射率が低下することがある。水酸基を有する塩基の濃度が100g/Lを超えると、Ag−Sb合金めっき膜のSb品位が0.1質量%未満となる場合があり、光沢度が低下することがある。
また、銀イオン濃度は10〜100g/Lであることが好ましい。銀イオン濃度が10g/L未満であるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が高くなり、2.0質量%を超える場合があり、反射率が低下することがある。銀イオン濃度が100g/Lを超えるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が0.1質量%未満となる場合があり、光沢度が低下することがある。
Sbイオン濃度は0.1〜1.5g/Lであることが好ましい。Sbイオン濃度が0.1g/L未満であるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が0.1質量%未満となる場合があり、光沢度が低下することがある。Sbイオン濃度が1.5g/Lを超えるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が高くなり、2.0質量%を超える場合があり、反射率が低下することがある。
シアンイオン濃度は20〜90g/Lであることが好ましい。シアンイオン濃度が20g/L未満であるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が0.1質量%未満となる場合があり、光沢度が低下することがある。シアンイオン濃度が90g/Lを超えるとAg−Sb合金めっき膜のSb品位が高くなり、2.0質量%を超える場合があり、反射率が低下することがある。
Sb品位が0.1〜2.0質量%であるAg−Sbめっき膜を得るには、上記各成分のバランスが重要である。
Ag−Sb合金めっき液に用いられる、銀イオン源となる銀化合物としては、シアン化銀カリウム、塩化銀、臭化銀、フッ化銀、硝酸銀、スルファミン酸銀、シアン化銀などを用いることが出来る。水に対する安定性の点からは、シアン化銀カリウムが好ましい。
また、Sbイオン源となるSb化合物としては、三酸化二アンチモン、酒石酸アンチモニルカリウム、硫化アンチモン、三塩化アンチモン等が挙げられる。
シアンイオン源となるシアン化合物としては、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム等が挙げられる。銀イオン源となる銀化合物としてシアン化銀、シアン化銀カリウム等を用いた場合、これらもシアンイオン源となる。
水酸基を有する塩基としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア水等が挙げられる。
また、Sbイオン源となるSb化合物としては、三酸化二アンチモン、酒石酸アンチモニルカリウム、硫化アンチモン、三塩化アンチモン等が挙げられる。
シアンイオン源となるシアン化合物としては、シアン化カリウム、シアン化ナトリウム等が挙げられる。銀イオン源となる銀化合物としてシアン化銀、シアン化銀カリウム等を用いた場合、これらもシアンイオン源となる。
水酸基を有する塩基としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア水等が挙げられる。
本発明におけるAg−Sb合金めっき膜は、前記Ag−Sb合金めっき液を用いためっきにより得ることができる。めっきを行う際は、電流密度1A/dm2以上で電気めっきし、インジウム−銀合金めっき皮膜を析出させることが好ましく、さらに好ましくは2〜20A/dm2の範囲で行うのがより好ましい。1A/dm2未満の電流密度ではSbと銀を共析させることが困難であり、20A/dm2以上の条件でめっきを行うとヤケなどにより反射率、光沢度が低下する恐れがある。また、めっき浴温度は10〜40℃、電解時間は5秒〜20分が好ましい。
前記Ag−Sb合金めっきの前にAgストライクめっきを行ってもよい。Agストライクめっきを行うことにより、Ag−Sb合金めっき膜の密着性が良くなる。
本発明の電子部品は、銅素材、又は銅めっき膜上に、直接もしくは下地Niめっき膜を介して、前記Ag−Sb合金めっき液を用いて、Ag−Sb合金めっき膜を形成することにより製造することができる。
以下、実施例を挙げて、本発明を更に詳細に説明する。
実施例1〜16、比較例1〜10
銅−鉄系合金(C194,25mm×20mm×0.2mmt)に、銀ストライクめっきを0.05μm行った後、実施例1〜13、または比較例1〜10のAg−Sb合金めっき浴によるAg−Sb合金めっきを行なっためっき基板を実施例1〜13、比較例1〜10の供試材とした。
なお、Ag−Sb合金めっきは、電流密度8A/dm2、浴温度20℃、強撹拌の条件で、陽極に銀を用いて行った。
また、銅−鉄系合金(C194,25mm×20mm×0.2mmt)に、スルファミン酸浴によるニッケルめっきを3μm、銀ストライクめっきを0.05μm行った後、実施例14のAg−Sb合金めっき浴によるAg−Sb合金めっきを2μm行なっためっき基板を実施例14の供試材とした。
鉄系合金(SPCC,25mm×20mm×0.2mmt)に、シアン銅浴による銅めっきを2μm、銀ストライクめっきを0.05μm行った後、実施例1と同じAg−Sb合金めっき浴によるAg−Sb合金めっきを行なっためっき基板を実施例15の供試材とした。
セラミック基板に、無電解銅めっきでパターンを形成した後、シアン銅浴による銅めっきを2μm、銀ストライクめっきを0.05μm行った後、実施例1と同じAg−Sb合金めっき浴によるAg−Sb合金めっきを行なっためっき基板を実施例16の供試材とした。
実施例1〜16、比較例1〜10
銅−鉄系合金(C194,25mm×20mm×0.2mmt)に、銀ストライクめっきを0.05μm行った後、実施例1〜13、または比較例1〜10のAg−Sb合金めっき浴によるAg−Sb合金めっきを行なっためっき基板を実施例1〜13、比較例1〜10の供試材とした。
なお、Ag−Sb合金めっきは、電流密度8A/dm2、浴温度20℃、強撹拌の条件で、陽極に銀を用いて行った。
また、銅−鉄系合金(C194,25mm×20mm×0.2mmt)に、スルファミン酸浴によるニッケルめっきを3μm、銀ストライクめっきを0.05μm行った後、実施例14のAg−Sb合金めっき浴によるAg−Sb合金めっきを2μm行なっためっき基板を実施例14の供試材とした。
鉄系合金(SPCC,25mm×20mm×0.2mmt)に、シアン銅浴による銅めっきを2μm、銀ストライクめっきを0.05μm行った後、実施例1と同じAg−Sb合金めっき浴によるAg−Sb合金めっきを行なっためっき基板を実施例15の供試材とした。
セラミック基板に、無電解銅めっきでパターンを形成した後、シアン銅浴による銅めっきを2μm、銀ストライクめっきを0.05μm行った後、実施例1と同じAg−Sb合金めっき浴によるAg−Sb合金めっきを行なっためっき基板を実施例16の供試材とした。
上記供試材の被膜中のSb品位は、ICP−AESで銀とSbの定量分析を行い算出した。
上記供試材の450nmの光の反射率を紫外可視分光光度計(UV−2450島津製作所製)で測定した。
上記供試材の光沢度を微小面分光色差計(VSS−400日本電色製)で測定した。
上記供試材を、ホットプレートを用い大気中で200℃×1hr.の熱処理を行った後、光沢度を微小面分光色差計(VSS−400日本電色製)で測定した。
結果を表に示す。
上記供試材の450nmの光の反射率を紫外可視分光光度計(UV−2450島津製作所製)で測定した。
上記供試材の光沢度を微小面分光色差計(VSS−400日本電色製)で測定した。
上記供試材を、ホットプレートを用い大気中で200℃×1hr.の熱処理を行った後、光沢度を微小面分光色差計(VSS−400日本電色製)で測定した。
結果を表に示す。
Claims (5)
- 銅素材又は銅めっき膜上に、直接、又は下地Niめっき膜を介してAg−Sb合金めっき膜を有し、前記Ag−Sb合金めっき膜は、Sb品位が0.1〜2.0質量%、膜厚が0.1〜10μmであることを特徴とする電子部品。
- 前記Ag−Sb合金めっき膜の反射率が89%以上でかつ、光沢度が1.8以上でかつ、熱処理(200℃×1hr.)による光沢度低下が、熱処理前の光沢度の20%以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記電子部品がLED用リードフレームもしくはLED用プリント配線板であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品のAg−Sb合金めっき膜を形成するAg−Sb合金めっき液であって、少なくとも銀イオン濃度10〜100g/L、Sbイオン濃度0.1〜1.5g/L、シアンイオン濃度20〜90g/Lであり、水酸基を有する塩基を5〜100g/L含有することを特徴とするAg−Sb合金めっき液。
- 銅素材、又は銅めっき膜上に、直接もしくは下地Niめっき膜を介して、請求項4に記載のAg−Sb合金めっき液を用いて、Ag−Sb合金めっき膜を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
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