JP2015126080A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1は、トレンチ30の底面に接触する第1金属部14a、トレンチ30の側面に接触する第2金属部14b、及び第1金属部14aと第2金属部14bに囲まれている第3金属部14cを備えている。第1金属部14aとp型のベース領域26が、オーミック接触している。第2金属部14bとn型のソース領域28が、オーミック接触している。第3金属部14cの材料の熱膨張係数が、第2金属部14bの材料の熱膨張係数以下である。
【選択図】図1
Description
14:ソース電極
14a:第1金属部
14b:第2金属部
14c:第3金属部
14d:第4金属部
17:絶縁ゲート
20:半導体層
22:ドレイン領域
24:ドリフト領域
26:ベース領域
28:ソース領域
30:トレンチ
Claims (5)
- コンタクト用のトレンチが表層部に形成されている半導体層と、
前記トレンチに充填されており、前記トレンチの底面に接触する第1金属部と、
前記トレンチに充填されており、前記トレンチの側面に接触する第2金属部と、
前記トレンチに充填されており、前記第1金属部と前記第2金属部に囲まれている第3金属部と、を備えており、
前記半導体層は、
前記トレンチの底面に露出して設けられている第1導電型の第1半導体領域と、
前記トレンチの側面に露出して設けられている第2導電型の第2半導体領域と、を有しており、
前記第1金属部と前記第1半導体領域が、オーミック接触しており、
前記第2金属部と前記第2半導体領域が、オーミック接触しており、
前記第3金属部の材料の熱膨張係数が、前記第2金属部の材料の熱膨張係数以下である半導体装置。 - 前記第3金属部の材料の熱膨張係数が、前記第2金属部の材料の熱膨張係数よりも小さい請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体層の材料が、炭化珪素である請求項1又は2のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体領域がn型であり、
前記第2金属部の材料が、ニッケルを含む金属である請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第3金属部の材料が、タングステン、モリブテン又はタンタルを含む金属である請求項4に記載の半導体装置。
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