JP2015119168A - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents

基板液処理装置及び基板液処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015119168A
JP2015119168A JP2014205113A JP2014205113A JP2015119168A JP 2015119168 A JP2015119168 A JP 2015119168A JP 2014205113 A JP2014205113 A JP 2014205113A JP 2014205113 A JP2014205113 A JP 2014205113A JP 2015119168 A JP2015119168 A JP 2015119168A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
concentration
processing
processing liquid
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014205113A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015119168A5 (ja
JP6352143B2 (ja
Inventor
木 康 弘 高
Yasuhiro Takagi
木 康 弘 高
宮 洋 司 小
Yoji Komiya
宮 洋 司 小
國 力 信
Riki Nobukuni
國 力 信
竹 圭 吾 佐
Keigo Satake
竹 圭 吾 佐
本 篤 史 穴
Atsushi Anamoto
本 篤 史 穴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2014205113A priority Critical patent/JP6352143B2/ja
Priority to TW103138346A priority patent/TWI579037B/zh
Priority to KR1020140154346A priority patent/KR102289796B1/ko
Priority to US14/536,989 priority patent/US10162371B2/en
Priority to CN201910418261.8A priority patent/CN110197803B/zh
Priority to CN201410641579.XA priority patent/CN104637841B/zh
Publication of JP2015119168A publication Critical patent/JP2015119168A/ja
Publication of JP2015119168A5 publication Critical patent/JP2015119168A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6352143B2 publication Critical patent/JP6352143B2/ja
Priority to US16/188,525 priority patent/US10591935B2/en
Priority to KR1020210037157A priority patent/KR102339333B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00Control of flow ratio
    • G05D11/02Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/135Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
    • G05D11/138Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture by sensing the concentration of the mixture, e.g. measuring pH value
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Accessories For Mixers (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

【課題】精確な濃度の処理液を基板に供給する。
【解決手段】基板液処理装置は、タンク102と、循環ライン104と、分岐ライン112を介して循環ラインに接続され、循環ラインを流れる処理液を用いて基板に液処理を施す処理部16と、少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を制御された混合比で混合して処理液を生成する処理液生成機構(206A,206B,208)と、循環ラインを流れる処理液の濃度及び処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定する濃度測定装置212(または212’)と、測定された処理液の濃度に基づいて処理液生成機構を制御する制御装置4と、を備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、複数の原料液を所定の比率で混合した処理液を用いて基板に所定の液処理を施す基板液処理装置における処理液の濃度調節技術に関するものである。
半導体装置の製造工程には、基板に処理液を供給することにより実行される洗浄、エッチング等の液処理が含まれる。このような液処理を行うために、例えば、特許文献1に記載されたような、複数の液処理ユニットを備えた液処理システムが用いられる。
特許文献1に記載された液処理システムは、処理液を貯留するタンクと、タンクに接続された循環ラインと、タンク内に貯留された処理液を循環ラインに循環させるポンプとを有している。循環ラインには複数の液処理ユニットがそれぞれ分岐ラインを介して接続されており、液処理ユニットは循環ライン内を循環している処理液を用いて基板に所定の液処理を施す。
液処理に用いられる処理液は、複数種類の原料液をそれぞれ独立した原料液供給ラインから所定量ずつタンクに供給し、これらをタンク内で混合することにより調整される。このようにタンク内混合により処理液を調整すると、タンク内で原料液同士が十分に混ざり合う前にタンクから流出し、不適当な濃度の処理液が液処理ユニットに供給されてしまうことがある。
また、各原料液供給ラインにはそれぞれ液体フローコントローラ(LFC)が設けられ、それぞれのLFCの設定流量及び供給時間により原料液がタンクへ供給されている。処理液の濃度を低濃度でかつ狭い許容範囲内で制御しなければならない場合には、それぞれのLFCの設定流量及び供給時間による供給量管理では不十分な場合もある。
特開2009−172459号公報
本発明は、精確な濃度の処理液を基板に供給することができる技術を提供することを目的としている。
本発明の好適な一実施形態において、少なくとも2種類の原料液を混合してなる処理液を貯留するタンクと、処理液が前記タンクから出て前記タンクに戻るように流れる循環ラインと、前記タンク内の処理液を用いて基板に液処理を施す処理部と、前記少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を制御された混合比で混合して処理液を生成する処理液生成機構と、前記処理液生成機構で生成された処理液を前記タンクに供給する処理液供給ラインと、前記循環ラインを流れる処理液の濃度及び前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定する濃度測定装置と、前記濃度測定装置により測定された処理液の濃度に基づいて、この処理液の濃度が予め定められた範囲内の濃度となるように前記処理液生成機構を制御する制御装置とを備えた基板液処理装置が提供される。
本発明の他の好適な一実施形態において、少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を混合して処理液を生成する処理液生成機構と、前記処理液生成機構により生成された処理液を用いて基板に液処理を施す液処理部と、前記処理液生成機構で生成された処理液を、前記液処理部または前記液処理部に接続された供給目的場所に供給する処理液供給ラインと、 前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定する濃度測定装置と、 前記処理液生成機構で混合される原料液の混合比を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記濃度測定装置により測定された瞬時濃度の積算平均値を逐次算出するとともに当該積算平均値を監視し、前記積算平均値が目標濃度に関する予め定められた許容範囲内に収まるように前記処理液生成機構を制御する、基板液処理装置が提供される。
本発明のさらに他の好適な一実施形態において、少なくとも2種類の原料液を混合してなる処理液を貯留するタンクと、処理液が前記タンクから出て前記タンクに戻るように流れる循環ラインと、前記循環ラインを流れる処理液を用いて基板に液処理を施す処理部と、を備えた基板液処理装置を用いる基板液処理方法において、前記循環ラインを流れる処理液の濃度を測定することと、測定された処理液の前記濃度に基づいて、前記循環ライン及び前記タンク内に存在する処理液の濃度を所望の範囲内の濃度とするために前記タンクに追加すべき処理液の濃度及び量を求めることと、求められた前記濃度及び前記量の処理液をタンクに供給することと、を備え、前記濃度及び前記量の処理液をタンクに供給することは、前記少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を処理液生成機構により混合して、処理液供給ラインを介して前記タンクに送ることと、前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定することと、測定された濃度に基づき、前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度が求められた前記濃度となるように前記処理液生成機構における原料液の混合比を調節することと、を有している、基板液処理方法が提供される。
本発明のさらに他の好適な一実施形態において、少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を混合して処理液を生成する処理液生成機構と、前記処理液生成機構により生成された処理液を用いて基板に液処理を施す液処理部と、前記処理液生成機構で生成された処理液を、前記液処理部または前記液処理部に接続された供給目的場所に供給する処理液供給ラインと、前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定する濃度測定装置と、を備えた基板液処理を用いる基板液処理方法において、前記処理液生成機構で混合される原料液の混合比を制御しながら処理液を生成し、生成した処理液を前記処理液供給ラインに流すことと、前記濃度測定装置により前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定することと、前記濃度測定装置により測定された瞬時濃度の積算平均値を逐次算出するとともに当該積算平均値を監視することと、監視している前記積算平均値が前記目標濃度に関する予め定められた許容範囲内に収まった処理液を前記液処理部または前記供給目的場所に流すことと、を備え、前記原料液の混合比の制御は、前記積算平均値が目標濃度に関する予め定められた許容範囲内に収まるように前記処理液生成機構を制御することにより行われる、基板液処理方法が提供される。
上記の本発明の好適な実施形態によれば、精確な濃度の処理液を基板に供給することができる。
液処理装置の全体構成を概略的に示す回路図。 図1に示す液処理装置における薬液濃度管理に関連する構成について詳細に示した回路図。 図2の代替実施形態を示す回路図。 液流れ方向の濃度分布について説明するための図。 液流れ方向の濃度分布により濃度計の検出値が変動する様子を示すグラフ。 タンクへの処理液の供給可否判断手順について説明するためのグラフ。 タンクへの処理液の供給可否判断の手順及び当該判断に基づくタンクへの処理液の供給について説明するためのフローチャート。 積算平均算出の切り替えについて説明するチャート。 混合弁の下流側にインラインミキサを設けた変形実施形態について説明する図。 タンクを有しない液処理装置の全体構成を示す回路図。
以下に図面を参照して発明の実施形態について説明する。
図1に示すように、液処理装置は、基板に対して液処理を行う複数の処理ユニット(液処理ユニット)16と、処理ユニット16に処理液を供給する処理流体供給源70を有している。
処理流体供給源70は、処理液を貯留するタンク102と、タンク102から出てタンク102に戻る循環ライン104とを有している。循環ライン104にはポンプ106が設けられている。ポンプ106は、タンク102から出て循環ライン104を通りタンク102に戻る循環流を形成する。ポンプ106の下流側において循環ライン104には、処理液に含まれるパーティクル等の汚染物質を除去するフィルタ108が設けられている。必要に応じて、循環ライン104に補機類(例えばヒータ等)をさらに設けてもよい。
循環ライン104に設定された接続領域110に、1つまたは複数の分岐ライン112が接続されている。各分岐ライン112は、循環ライン104を流れる処理液を対応する処理ユニット16に供給する。各分岐ライン112には、必要に応じて、流量制御弁等の流量調整機構、フィルタ等を設けることができる。
液処理装置は、タンク102に、処理液または処理液構成成分を補充するタンク液補充部116を有している。タンク102には、タンク102内の処理液を廃棄するためのドレン部118が設けられている。
図2に示すように、液処理装置は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、液処理装置において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって液処理装置の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
次に、図1に示したタンク液補充部116及びそれに関連する構成要素について、それらを詳細に示した図2を参照して説明する。図2では簡略化されているが、循環ライン104には図1と同様に接続領域110が設定され、そこに1つまたは複数の分岐ライン112が接続され、各分岐ライン112に液処理ユニット16が接続されている。なお、図2において、符号109は、循環ライン104を循環している処理液を加熱するためのヒータである。
タンク液補充部116は、薬液供給源202Aから供給された第1原料液としての薬液(本例ではフッ酸(HF))が流れる薬液ライン204Aと、希釈液供給源202Bから薬液を希釈するための第2原料液としての希釈液(本例では純水(DIW))が流れる希釈液ライン204Bとを有する。
薬液ライン204A及び希釈液ライン204Bにはそれぞれ、定圧弁(減圧弁)206A,206Bが介設されている。
定圧弁206A,206Bの下流側において、薬液ライン204A及び希釈液ライン204Bは混合弁208に接続されている。混合弁208は、その内部に、2つの開閉機能付き可変絞り弁208A,208Bを一体化したものに相当する構成を有している。薬液ライン204A及び希釈液ライン204Bを流れる液体は、所定開度に調節された可変絞り弁208A,208Bにより流量がそれぞれ制限され、その後、合流する。これにより、薬液と希釈液とを所定の比率で混合した処理液が生成される。すなわち、薬液ライン204A及び希釈液ライン204Bに設けられた定圧弁206A,206B及び混合弁208は、処理液生成機構を構成する。
定圧弁206A,206Bは、一次側圧力の変動に関わらず、二次側圧力を指定された一定圧力に維持するよう減圧制御を行う機能を有している。薬液供給源202A及び希釈液供給源202Bから供給される薬液は、通常は圧力変動を有している。このため精確な薬液と希釈液との混合比を得るためには、定圧弁206A,206Bの使用が好ましい。
本実施形態で使用している定圧弁206A,206Bは、パイロットポートに導入される加圧空気の圧力(パイロット圧)を変化させることにより、二次側圧力の設定値を変化させることができる形式のものである。パイロット圧の調節は、電空レギュレータ(EPR)209A,209Bにより行われる。
本実施形態では、混合弁208に内蔵された可変絞り弁208A,208Bの開度調節機能は初期設定のみに利用し、運転中は可変絞り弁208A,208Bは固定絞りとして用いている。薬液及び希釈液の流量調節は、定圧弁206A,206Bの二次側圧力調節機能を用いて行う。定圧弁206A,206Bの二次側圧力すなわち固定絞りとしての可変絞り弁208A,208Bの一次側圧力を変化させることにより、薬液ライン204A及び希釈液ライン204Bを流れる液体の流量を調節することができる。可変絞り弁208A,208Bは、流量調整よりも圧損バランス調整等の目的で用いられる。
更に詳細に述べると、本実施形態では、薬液ライン202Aにある定圧弁206Aの設定二次側圧力は一定として、希釈液ライン202Bにある定圧弁206Bの設定二次側圧力を変化させることにより濃度調整を行っている。このように、相対的に小流量の薬液の流量を調整するよりも相対的に大流量の希釈液の流量を調整した方が、濃度を精密に調整することができるため好ましい。
混合弁208には、混合弁208で調整された処理液をタンク102に供給するための処理液供給ライン210が接続されている。
処理液供給ライン210には、処理液供給ライン210を流れる処理液の濃度(処理液中に含まれる薬液の濃度)を測定する濃度計212が付設されている。計測対象とする薬液の種類、あるいは必要とされる精度に応じて、任意の形式の濃度計212、例えば、導電率に基づいて濃度測定を行うもの、超音波伝播速度に基づいて濃度測定を行うものなど、を用いることができる。
濃度計212の検出信号は濃度コントローラ214に入力される。濃度コントローラ214は、制御装置4の一部であってもよい。濃度コントローラ214は、濃度計212からの検出信号に応じて、電空レギュレータ209Bから定圧弁206Bに送られるパイロット圧を調節することにより定圧弁206Bの二次側圧力を調節して、希釈液ライン204Bを流れる希釈液(DIW)の流量を変化させ、これにより混合弁208から流出する処理液の濃度が所望の濃度となるようにフィードバック制御を行う。なお、本実施形態では、前述したように、大流量の希釈液の流量だけを調整することによって処理液の濃度を調整しているので、電空レギュレータ209Aから定圧弁206Bに送られるパイロット圧は一定に維持される。
処理液供給ライン210から、予備捨て用のドレンライン216が分岐し、ドレンライン118に合流している。ドレンライン216には開閉弁216Vが介設されている。ドレンライン216の分岐ポイントよりも下流側において、処理液ライン210にも開閉弁210Vが介設されている。
循環ライン104から、濃度計測のために処理液を取り出す取出ライン220が分岐し、混合弁208と濃度計212との間の合流ポイントにおいて処理液供給ライン210に合流されている。取出ライン220には開閉弁220Vが介設されている。
タンク102には、タンク102内の処理液の液位を検出する液位計120が付設されている。
次に、上記の液処理装置の運用方法について説明する。以下の説明における各構成要素の動作は、制御装置4の制御の元で行われる。濃度コントローラ214は制御装置4により制御され、また、濃度コントローラ214が把握している濃度情報は制御装置4に伝達される。
まず、タンク液補充部116により所望の濃度の処理液をタンク102に供給する基本的な手順について説明する。
所望の濃度の処理液を得るのに適した混合弁208の可変絞り208A,208Bの開度は試験運転により求められており、そのような開度に可変絞り208A,208Bの開度が予めセットされている。また、同様に、所望の濃度の処理液を得るのに適した定圧弁206A,206Bのパイロット圧も試験運転により求められており、その値は濃度コントローラ214に制御基準値としてメモリされている。
まず、定圧弁206A,206Bのパイロットポートに所定のパイロット圧を与え、ドレンライン216の開閉弁216Vを開き、処理液供給ライン210の開閉弁210Vを閉じた状態にする。また、混合弁208の可変絞り208A,208Bを所定開度の開状態とする。なお、取出ライン220の開閉弁220Vは閉状態である。
すると、薬液ライン204A及び希釈液ライン204Bからそれぞれ混合弁208に所定の流量で薬液及び希釈液が流入し、当該流量比に対応する混合比で薬液及び希釈液が混合弁208内で混合され、処理液供給ライン210に流出し、ドレンライン216に流出する。すなわち、最初は、調整した処理液をタンク102に供給するのではなく廃棄する予備捨て操作を行う。通常、薬液及び希釈液の流量が安定するまである程度の時間が必要なため、このような予備捨て操作を行うことが好ましい。
予備捨て操作中、濃度計212により処理液の濃度が監視され、処理液の濃度が所望の濃度となるように濃度コントローラ214が前述したフィードバック制御を行う。濃度計212により測定される濃度が許容範囲内で安定したら、ドレンライン216の開閉弁216Vを閉じ、処理液供給ライン210Vを開き、タンク102内に処理液を供給する。
処理液供給ライン210からタンク102内に処理液が供給されている間も、 処理液供給ライン210に処理液を流している間は、濃度計212により濃度が継続的に監視される。濃度コントローラ214は、処理液の濃度が目標値よりも高い(低い)場合には、電空レギュレータ209Bから定圧弁206Bに供給されるパイロット圧を変化させ、希釈液の流量を増加(減少)させ、これによりタンク102内に供給される処理液の濃度が許容範囲内に維持されるようにする。
この制御は、設定値SV(目標濃度)に対する測定値PV(濃度計212の検出値)の偏差に基づいて操作量MV(パイロット圧力すなわち定圧弁206Aの開度)を修正するというフィードバック制御により行わる。すなわち、この制御には流量検出というステップが介在していないので、高価な高精度の流量検出器あるいは流量検出器内蔵型の流量調整器(液体フローコントローラのようなもの)が必要ない。
ところで、通常、濃度計212は、処理液供給ライン210を流れる処理液の濃度を、所定のサンプリング周期(例えば0.1〜0.2ms程度)で測定している。以下、本明細書において、各サンプリング時点での処理液濃度を「瞬時濃度」と呼ぶこともある。上記の予備捨て操作中における濃度計212により処理液の濃度監視は、各サンプリング時点での瞬時濃度値と許容濃度範囲との比較に基づいて行うことができる。また、各サンプリング時点での瞬時濃度値を測定値PVとし、濃度目標値を設定値SVとしてフィードバック制御を行うことができる。
なお、濃度計212により測定される瞬時濃度は、時間経過とともに所定の範囲内である程度振動するので(その理由は後述する)、過度に敏感な監視及び制御を避けて装置の動作を安定させるため、個々の瞬時濃度値に代えて瞬時濃度の移動平均値に基づき上記の監視及びフィードバック制御を行ってもよい。
タンク液補充部116から空のタンク102(液処理装置の設置直後、タンク内の処理液の全交換時等)に処理液を供給する場合には、以下の手順が実行される。
前述した基本的手順に従い、予備捨て操作が所定時間行われた後、所定の濃度に調整された処理液が、処理液供給ライン210からタンク102内に処理液が供給される。このとき、ドレンライン118の開閉弁118V及び取出ライン220の開閉弁220Vはともに閉状態である。
タンク102内にある程度の量の処理液が貯まったら、タンク102内の処理液の液位が所定高さになるまでの間タンク102内への処理液の供給を継続しつつ、ポンプ106を動作させて循環ライン104内で処理液を循環させる。
タンク102内に所定量の処理液が貯まったら、処理ユニット16で基板の処理を開始する。すなわち、タンク102内に貯留した処理液を循環ライン104に循環させている状態で、必要に応じて(処理スケジュールに応じて)、分岐ライン112に設けた図示しない開閉弁、流量調整弁等を操作し、循環ライン104から分岐ライン112を介して処理ユニット16に処理液を送る。この処理液を用いて処理ユニット16内で基板に所定の処理が施される。
なお、処理液の全交換を行う場合に、タンクに処理液を貯める前にタンク及び循環ラインを含む循環系をフラッシング液(例えば純水)により洗浄してもよい。この場合、フラッシング液が循環系に残り処理液による共洗いでも完全に除去されないという懸念があるならば、処理の開始前に後述の濃度監視の手順に従って循環系内にある処理液の濃度を確認し、異常があったならば後述の濃度補正の手順に従って処理液の濃度補正を行ってもよい。
タンク102内の処理液は、処理ユニット16で行われる液処理により消費されることにより、時間経過とともに量が減る。そのため、処理液が所定量減ったら、タンク液補充部116よりタンク102内に処理液を補充する。処理液を補充している間も液処理は継続している。また、タンク102及び循環ライン104からなる循環系に含まれる処理液は、溶媒(希釈液)の蒸発、分解等により時間とともに濃度が変化する。例えば処理液が高温のDHF(希フッ酸)の場合には、DHF中のHF濃度は時間の経過とともに徐々に低下してゆくことがある。
このため、処理液の補充を行う際に、タンク102及び循環ライン104からなる循環系に含まれる処理液の濃度補正が行われる。例えば、測定された処理液の濃度が目標値より低かったならば、目標値よりも高濃度の処理液をタンク102に補充することにより、循環系に存在する処理液の濃度を目標値に近づけるようにする。
濃度補正を行うタイミングは、装置の運転状況、処理液が経時変化しやすいものであるか否か、「処理許容濃度範囲(後述)」の広さ等を総合的に勘案して定めればよいが、例えば以下のように設定することができる。
(1)液位計120により検出されるタンク102内の液位が或る閾値まで低下したときに、処理液の補充を行い、このときに、濃度補正を行う(定期的な濃度補正)。
(2)常時または定期的に(あるいは装置の長期停止の後等の濃度変化の懸念があるときに)循環系内の処理液の濃度を監視し、濃度が「補正基準濃度範囲(後述)」を外れたときに、濃度補正を行う(監視に基づく濃度補正)。
なお、「補正基準濃度範囲」は以下のように定義される。「補正基準濃度範囲」を設定する前提として「処理許容濃度範囲」がある。「処理許容濃度範囲」とは、当該範囲を外れた濃度の処理液により基板の処理を行った場合に許容できない問題が生じうるような範囲を意味する。なお、「処理許容濃度範囲」を外れた場合には、液処理装置は即時非常停止される。「補正開始濃度範囲」は、「処理許容濃度範囲」よりも狭い濃度範囲であり、当該範囲を外れた状態である程度の時間液処理装置の運転を継続しても容易に「処理許容濃度範囲」を外れることが無いような安全マージンを有して設定される。なお、濃度の「目標値」とは例えば、「補正開始濃度範囲」の中央値である。
上記(1)の場合においても、処理液の補充前に少なくとも1回は循環系内の処理液の濃度を監視する必要がある。補充する処理液の量及び濃度を決定するためである。
循環系内の処理液濃度の監視を行う際には、ポンプ106を動作させたままで、開閉機能を用いて混合弁208の可変絞り弁208A,208Bを閉状態とし、取出ライン220の開閉弁220Vを開き、処理液供給ライン210の開閉弁210Vを開く。なお、ドレンライン216の開閉弁216は閉じておく。すると、循環ライン104の接続領域110よりもやや上流を流れる処理液の一部が、取出ライン220を通って、処理液供給ライン210に流入し、タンク102に流れるようになる。従って、処理液供給ライン210に付設した濃度計212により循環ライン104を流れる処理液の濃度を計測することができる。
上記の「(1)定期的な濃度補正」の場合には、タンク102内の液位が或る閾値まで低下したときに処理液の補充を行うので、処理液の補充を開始する時点における循環系内に存在する処理液の総量は既知であり、従ってタンク102内の処理液の液位を通常上限高さにするために補充すべき処理液量はわかる。従って、補充前に循環系内に存在する処理液の濃度がわかっていれば、補充後に循環系内に存在する処理液の濃度を目標値にするために必要となる補充する処理液の濃度は計算により容易に求めることができる。このような計算は、制御部4により行うことができる。補充すべき濃度がわかれば、上記の基本的手順に基づいて、その濃度の処理液をタンク液補充部116からタンク102に供給すればよい。
上記の「(2)監視に基づく濃度補正」の場合には、ドレンライン118の開閉弁118Vを開き、液位計120によりタンク102の処理液の液位をモニタしながら、液位が所定高さになるまでタンク102内の処理液を排液する。その後は、「(1)定期的な濃度補正」と同様の手順を実行すればよい。
上記実施形態によれば、タンク102に所定濃度に調整された処理液が供給されるので、タンク102から循環ライン104に流出する処理液の濃度が安定し、プロセスの安定性を向上させることができる。タンク102に複数種の原料液を別々に供給すると、これらの原料液がタンク102内で十分に混ざり合う前に循環ライン104に流出し、それが処理ユニットで基板に供給されてしまう可能性がありうるが、上記実施形態ではそのようなことはない。
また、上記実施形態によれば、処理液濃度の制御は、処理液供給ライン201に付設された濃度計212の検出値に基づく弁開度(定圧弁206Bの開度)のフィードバック制御により行われるので、原料液の混合液である処理液の濃度を原料液の流量制御により間接的に制御する場合と比較して、処理液濃度をより素早く、かつより精確に制御することができる。また、濃度計212の検出値に基づいてLFC(液体フローコントローラ)を制御する場合に必要となる、濃度から必要流量の演算といった面倒な計算を省略することができる。
上記実施形態によれば、タンク液補充部116からタンク102に供給される処理液の濃度と、循環ライン104を流れる処理液の濃度の両方が、共通の1つの濃度計212からなる濃度測定装置により測定できるようになっているため、高価な濃度計の数を削減することができ、液処理装置のコストを低減することができる。
しかしながら、濃度測定装置を2つの濃度計から構成してもよい。具体的には、例えば図3に示すように、循環ライン104を流れる処理液の濃度を測定するための濃度計212’を、タンク液補充部116からタンク102に供給される処理液の濃度を測定するための濃度計212と別個に設けてもよい。図3に示す代替実施形態においては、取出ライン220’が循環ライン104から分岐してタンク102内まで延びており、この取出ライン220’に濃度計212’が付設されている。なお、取出ライン220’を設けることなく循環ライン104に濃度計212’を直接取り付けることも可能である。なお、図3において、図2に示した部材と同一の部材には同一の参照符号が付けられている。
図3に示す代替実施形態によれば、循環ライン104内を流れる処理液の濃度とタンク液補充部116から供給される処理液の濃度とを同時に測定することが可能であるため、処理液の濃度変動に対して迅速に対処することが可能となり、また、精確な濃度制御が可能となる。
次に、濃度計212を用いて、処理液供給ライン210からタンク102内に供給される(あるいはドレンライン216に廃棄される)処理液の濃度を監視し、かつ制御する方法の他の好適な実施形態について以下に詳細に説明する。
図4に混合弁208内の薬液ライン204Aと希釈液ライン204Bとの合流部分の構成の一例を示す。この例では、希釈液であるDIWの直線的な流れに対して、この流れと概ね直角な方向に薬液であるHFを注入している。液体(DIW及びHF)はいずれもポンプにより送られているため、液流れには不可避的にいくらかの圧力変動が生じる。すなわち、液の流速を定点観測すると、圧力変動と連動して液の流速が(微視的に見ると)変動していることになる。このため、図4に模式的に示すような液流れ方向の薬液濃度分布(ハッチング部分が濃い)が生じる。なお、実際にはDIW及びHFの両方に上記の圧力変動があるので、実際の薬液濃度分布はさらに複雑である。
濃度計212は処理液供給ライン210を流れる処理液の濃度を、所定のサンプリング周期(例えば0.1〜0.2ms程度)で測定している。上記の液流れ方向の薬液濃度分布に起因して、濃度計212の測定値は、例えば図5のグラフに示されるように激しく振動する。図5のグラフにおいて、縦軸は処理液(HF+DIW)中のHF濃度であり、横軸は時間経過である。ここでは、HF濃度の目標値は0.0023%であり、この目標値が、グラフ中において実線の水平線で示される。また、HF濃度の目標値に対する変動の許容範囲は0.2%であり、この許容範囲は2本の破線の水平線で示される。
図5のグラフに示したような濃度計212の測定値の振動は、処理液供給ライン210を流れる処理液のタンク102への供給可否を判断(濃度監視)する上で、障害となる。また、混合比のフィードバック制御も不安定となる。前述したように検出値の変動は不可避の圧力変動により生じているので、濃度計212の測定値が安定して許容範囲内に収まることはないからである。前述した実施形態では、濃度監視及びフィードバック制御を瞬時濃度値または瞬時濃度値の移動平均に基づいて行うこととした。しかしながら、濃度目標値に対して処理液をより精確な濃度で基板に供給する場合には、瞬時濃度値の移動平均を用いた監視及び制御では十分ではなく、更なる改善の余地があった。
本実施形態では、微視的な濃度の変動は処理結果に何ら悪影響を及ぼすものではないことに着目して、処理液の濃度の平均値(ここでは後述するように積算平均値)に基づいて、混合比のフィードバック制御を行うとともに、処理液のタンク102への供給可否を判断することとしている。以下に、判断手順及び当該判断に基づく処理液の供給について図6のグラフ及び図7のフローチャートを参照して説明する。
図6のグラフにおいて、縦軸は処理液(HF+DIW)中のHF濃度であり、横軸は時間経過である。高さ方向中央にある水平な実線CTが濃度目標値であり、これは図5の実線の水平線に対応する。2本の水平な一点鎖線CS1,CS2で挟まれた領域が、積算濃度監視開始基準範囲(プラスマイナス1%)である2本の水平な破線CA1,CA2で挟まれた領域が、濃度許容範囲(タンク102に流すことが許されている処理液の濃度範囲)(プラスマイナス0.2%)であり、これは図5の破線の水平線に対応する。なお、図6では、濃度計212により検出される濃度の変動波形が単純な鋸型であるが、これは図面の簡略化のためであり、実際の濃度変化は図5に示したようなものである。
先にも説明したように、まず、薬液ライン204A及び希釈液ライン204Bからそれぞれ混合弁208に濃度コントローラ214により制御された流量で薬液及び希釈液が流入し、当該流量比に対応する混合比で薬液及び希釈液が混合弁208内で混合され、処理液(混合液)の生成が開始される。処理液の生成の開始直後から、生成された処理液(希釈薬液)をドレンライン216に流出させる予備捨て操作が行われる。この予備捨て操作の開始時点が、図6のグラフにおける時点T0に対応し、図7のフローチャートにおけるステップS1の開始時点に対応する。すなわち、時点T0から瞬時濃度(濃度計212により測定された処理液の濃度の個々の生データ)の監視が開始される(ステップS1)。
図6の例では、予備捨て操作開始時点における希釈薬液(HF+DIW=DHF)すなわち処理液の濃度が目標値CTより高くなっている(もちろん低い場合もありうる)。この条件下で濃度コントローラ214による濃度制御が開始されると、希釈液ライン204Bを流れる希釈液の流量が増加してゆき、その結果、希釈薬液の濃度が、目標値CTに近づいてゆく。このときも、前述した理由により、濃度計212により検出される瞬時濃度値は、激しく振動している。
瞬時濃度値が水平線C1H(第1上限値に対応),C1L(第1下限値に対応)で挟まれた積算平均監視開始基準範囲に収まったら(図6の時点T1、図7のステップS2のYes)、瞬時濃度の積算平均の演算処理及積算平均値の監視が開始される(図6の時点T1、図7のステップS3)。例えば、連続する複数個(例えば10個程度)の瞬時濃度値(データ)が積算平均監視開始基準範囲内にあることをもって、あるいは瞬時濃度値が積算平均監視開始基準範囲内に一旦入った後に所定時間の間、積算平均監視開始基準範囲を外れなかったことをもってして、「瞬時濃度が積算平均監視開始基準範囲に収まった」ものと判断することができる。図6のグラフの例では、時点T1において、連続する3つの瞬時濃度値(データ)が積算平均監視開始基準範囲内に収まっている。
この明細書において用語「積算平均」とは、平均値算出のために最初に(すなわちここでは時点T1に)取得したデータXから最後に取得したデータXnまでの全てのデータの相加平均((X+X+・・・X)/n)を意味している。従って、時間的に後から算出されたものほど、より多くのデータの平均値となる。上記の点において、「積算平均」は、平均算出の対象となるデータの数が常に同じであり、かつ、平均算出の対象となるデータ取得期間が徐々に時間的に遅い側にシフトしてゆく「移動平均」とは異なる。
積算平均値の算出及び算出結果に基づく処理液の供給制御のため、制御装置4は、濃度計212から送られてくる瞬時濃度データを蓄積するメモリを有している。
濃度制御が正常に行われていれば、積算平均値は目標値に収束してゆく。積算平均値が2本の水平な破線CA1,CA2で挟まれた濃度許容範囲内に収まったら(図6の時点T2、図7のステップS4のYes)、制御装置4は、開閉弁216Vを閉じ、開閉弁210Vを開く。これにより、処理液(希釈薬液)の予備捨てが終了し、処理液供給ライン210からタンク102内への処理液(希釈薬液)の供給が開始される(図7のステップS5)。例えば連続する複数個(n)(例えば10個程度)の積算平均値が濃度許容範囲内にあることをもってして、あるいは、積算平均値が濃度許容範囲内に一旦入った後に所定時間(t)積算平均許容範囲から外れないことをもってして、「積算平均値が濃度許容範囲内に収まった」ものと判断することができる。
タンク102内への処理液の供給が開始されると同時に(時点T2)、制御装置4は、新しい積算平均値の算出を開始する。ここで図8を参照して、新しい積算平均値の算出方法について説明する。図8において、時点T2では100番目の瞬時濃度データが取得され、時点T2における(古い)積算平均値は(X+X+・・・X100)/100である。新しい積算平均値を式(X100+X101+・・・X)/(N−100+1)により算出することも可能ではあるが、このようにすると、時点T2の直後の短時間に得られる新しい積算平均値が激しく振動する可能性が高く、これを判断基準として用いることは、判断の安定性上好ましくない。
そこで、本実施形態では、新しい積算平均値の算定を、時点T2から所定時間だけ遡った時点T2’に取得された瞬時濃度データ、ここでは瞬時濃度データX96を、新しい積算平均値を算出するための最初の瞬時濃度データとする。すなわち、新しい積算平均値は式(X96+X97+・・・X)/(N−100+5)に基づいて算出する。すなわち、制御装置4は、時点T2の後に算出される積算平均値の算出に用いられる瞬時濃度のデータから、時点T2より前に取得された瞬時濃度のデータの一部(時点T1から、時点T2’の直前の時点までに取得したデータ)を除外して引き続き積算平均を計算している、ものと見なすこともできる。なお、時点T2’においては、連続する複数個(上記nよりも少ない適当な数、例えば5個程度)の積算平均値がすでに濃度許容範囲内にあること、あるいは、積算平均値が濃度許容範囲内に一旦入った後に所定時間(上記tより小さい適当な時間)濃度許容範囲から外れていないことが望ましい。
時点T2の後、制御装置4は、新しい積算平均値を継続的に監視し、積算平均値が上述した積算平均許容範囲を外れたら(図7のステップS6のYes)直ちに、開閉弁216Vを開き開閉弁210Vを閉じる。これにより、タンク102内への処理液の供給が停止され、再びドレンライン216への処理液の予備捨てが行われるようになる(図7のステップS9)。
この再度の予備捨ての開始後、ステップS1に戻ってもよい。このとき、ステップS2の判断がNoの状態が続くか、あるいはステップS4の判断がNoの状態が続くのであれば、いずれかの構成機器に異常があるものと推定されるため、制御装置4は予め設定された時間を経過した後にアラームを発生させる。
図7のステップS6の判断がNoとなっている状態が維持されているのであれば、必要な量の処理液がタンク102に貯留されるまで、タンク102への処理液の供給が継続される(図7のステップS7,S8)。
また、瞬時濃度値が水平線C1H(第1上限値に対応),C1L(第1下限値に対応)で挟まれた積算平均監視開始基準範囲に収まったら(図6の時点T1、図7のステップS2のYesに対応)、収まった時点から予め定められた時間(例えば1秒)が経過した後に、混合比のフィードバック制御における測定値PVが、濃度の積算平均値に切り替えられ、フィードバック制御が目標濃度値(設定値SV)に対する瞬時濃度値の積算平均値の偏差に基づいて行われるようになる。切替前におけるフィードバック制御における測定値PVとしては、例えば瞬時濃度値の移動平均を用いることができる(設定値SVは同じく目標濃度値でよい)。このようにすることにより、安定した制御を行うことができる。また、タンク102内への処理液の供給が開始されると同時に(時点T2)、フィードバック制御における測定値PVが、上述したものと同じ新しい積算平均値に切り替えられる。
上述のように積算平均を用いて処理液の濃度の制御及び監視を行うことにより、装置の濃度制御の不安定さを回避しつつ、タンク102により精確な濃度の処理液を供給することができる。実際のところ、発明者の試験によれば、タンク102に供給された後に循環ライン104を流れて十分に均質化された後の処理液の濃度を測定したところ、処理液の濃度許容範囲内に入っていた。瞬時濃度値またはその移動平均に基づき混合比の制御及びタンク102への処理液の供給開始の可否を判断することも可能である。しかしながら、処理液供給の可否判断に比較的複雑なロジックを用いることが必要となり、また、判断に長い時間がかかる場合もある。また、制御が不安定となり処理液の濃度が許容範囲内で安定するまでに非常に時間がかかる場合もある。判断及び濃度の安定までに長時間を要すると、液処理装置の稼働効率が低下し、また、予備捨てで捨てられる処理液の量が増えるので経済的ではない。これに対して、積算平均を用いることにより、判断を非常に単純なロジックに基づいて行うことができ、タンク102への処理液の供給開始の可否の判断を短時間で行うことができる。したがって、基板に精確な濃度の処理液を短時間で供給することができる。
次に、タンク102及び循環ライン104を含む循環系内にある処理液を全て入れ替えに際して、タンク102に処理液を貯める前にタンク及び循環ラインを含む循環系をフラッシング液(例えば純水)により洗浄した後に、タンク102に処理液を供給する好適な実施形態について説明する。この場合、ある程度の量のフラッシング液が循環系に不可避的に残留するため、精確な濃度の処理液がタンク102に貯留されるようにすることは一般的に困難である。
この実施形態では、1回でタンク102に処理液を満液状態となるまで供給するのではなく、少なくとも2回に分けてタンク102に処理液を供給する。1回目には、タンク102の定格容量の概ね半分の量の処理液を供給する。タンク102への処理液の供給量は、液位計120の検出値に基づいて制御する。図2には詳細に記載していないが、液位計120は、例えば、複数の液位センサ(図示せず)、例えば下限液位LL、低液位L、高液位H、上限液位HHをそれぞれ検出する4つの液位センサを備えて構成されている。高液位Hというのは、タンク102の定格容量の処理液がタンク102内にあるときの液位であり、低液位Lというのは、処理液の消費により当該低液位Lよりも液位が低くなった場合に処理液の補充が求められる液位である。この実施形態では、第1回目の処理液供給により、タンク102に低液位Lまで処理液を供給し、第2回目の処理液供給により高液位Lまで処理液を供給するものとする。
第1回目の処理液供給にあたって、まず、タンク102に貯留すべき処理液の目標濃度を濃度コントローラ214の制御目標値としてセットする。この制御目標値としての濃度は、タンク102に貯留すべき処理液の目標濃度と完全に等しくてもよいが、フラッシングの後に循環系に残留しているフラッシング液(ここでは希釈液と同じ純水)の量を考慮してタンク102に貯留すべき処理液の濃度よりもやや高い濃度に設定してもよい。この状態で、図7のフローチャートに記載したステップS1〜S8の手順を実行する。ステップS5でタンク102に処理液の供給を開始した後、タンク102内にある程度の処理液が溜まったら(例えば下限液位LLを超えたら)、ポンプ106を動作させ、循環ライン104内に処理液を循環させる。ステップS7における「処理液を必要量タンクに供給した?」は、「タンク102内の処理液の液位が低液位Lとなった?」と読み替えればよい。
ステップS1の予備捨て操作を行う際に、希釈液ライン204Bに希釈液を流し始めてから所定の遅れ時間の経過後に、薬液ライン204Aに薬液を流し始めることが好ましい。遅れ時間の間に、例えば濃度計212の健全性確認を行うことができる。
第1回目の処理液供給のステップS8が終了したら、開閉機能を利用して可変絞り弁208A,208Bを閉じ、開閉弁220Vを開き、取出ライン220を介して循環ライン104内を流れている処理液を処理液供給ライン210に流し、濃度計212によりタンク102及び循環ライン104を含む循環系内にある処理液の濃度を測定する(図2の構成が採用されている場合)。測定終了後、適当なタイミングで、開閉機能を利用して可変絞り弁208A,208Bを開き、開閉弁220Vを閉じる。
濃度測定結果に基づいて、第2回目の処理液供給のための濃度コントローラ214の制御目標値を決定する。すなわち、測定された濃度がタンク102に貯留すべき処理液の目標濃度よりも低い(高い)のであれば、当該目標濃度よりも高い(低い)濃度を濃度コントローラ214の制御目標値をとしてセットする。濃度目標値の設定は、現時点で循環系に存在している処理液の量と、第2回目の処理液供給により供給される処理液の比率が既知であるので、容易に算出することができる。この制御目標値の演算は、制御装置4に格納された演算プログラムにより実行することができる。
図7のフローチャートに記載したステップS1〜S8の手順を再び実行する。遅くともステップS5の開始時点では循環ライン104内に処理液が循環していることが好ましい。ステップS7における「処理液を必要量タンクに供給した?」は、「タンク102内の処理液の液位が高液位Lとなった?」と読み替えればよい。
第2回目の処理液供給が終了したら、第1回目の処理液供給後と同様にして、濃度計212によりタンク102及び循環ライン104を含む循環系内にある処理液の濃度を測定する。測定された濃度が目標濃度に対する許容範囲内に入っていれば、タンク102への処理液の供給操作が完了する。その後、任意の時期に、処理液を処理ユニット16に供給して基板の処理を行うことができる。
例えば、フラッシングの後に循環系に残留しているフラッシング液の量が予想よりかなり多く、このため、第1回目の処理液供給後に測定された循環系内の処理液の濃度が、目標濃度より大幅に低い場合が考えられる。この場合、第2回目の処理液供給において供給する処理液の濃度(制御目標値)を大幅に高くし、2回目の処理液供給後における循環系内の処理液の濃度を目標濃度に対する許容範囲内に入れることも考えられる。
しかしながら、目標濃度から大きく外れた処理液を生成しようとすることは、濃度制御精度の観点から好ましくない。従って、制御目標値の許容範囲(上限値及び下限値)を設け、第2回目(3回目以降も)の処理液供給時における濃度コントローラ214の制御目標値を許容範囲内で設定する。そうすると、第2回目の処理液供給が終了した後においてもなお、循環系内にある処理液の濃度目標濃度に対する許容範囲内に入らないこともある。
この場合、第2回目の処理液供給の完了後に、開閉弁118Vを開き、タンク102から所定量の処理液を排出し(例えばタンク102内の液位が低液位Lになるまで排出する)、その後、第3回目の処理液供給を行う。
第2回目の処理液供給後の循環系内の処理液の濃度測定を行った後、第2回目と同様にして第3回目の処理液供給のための濃度コントローラ214の制御目標値を決定し、図7のフローチャートに記載したステップS1〜S8の手順を再び実行する。液処理装置の運転効率を向上させる観点から、ステップS5までの手順を、第2回目の処理液供給後のタンク102からの処理液の排出と並行して行うことが好ましい。なお、第3回目の処理液供給が終了した後においてもなお、循環系内にある処理液の濃度目標濃度に対する許容範囲内に入らないときには、第3回目と同様の手順により、第4回目あるいはさらにそれ以降の処理液供給を行ってもよい。
図2及び図3に示す実施形態において、図9に示すように、混合弁208の下流側に、(詳細には薬液ライン204A及び希釈液ライン204Bの合流点と処理液供給ライン210への濃度計212の接続点との間の位置に、少なくとも1つのインラインミキサ241,242を設けることが好ましい。少なくとも1つのインラインミキサは、(通常の)スタティックミキサ241と、時間差式ミキサ242との組み合わせとすることができる。好ましくはスタティックミキサ241が上流側に設けられ、時間分割式ミキサ242は下流側に設けられる。ここで「時間差式ミキサ」という用語は、ミキサ内に流入してきた流体を流路長の異なる複数の流路に分岐させて流してその後再び合流させる形式のものを意味する。「(通常の)スタティックミキサ」という用語は、上記の「時間差式ミキサ」の構成を有していないもので、ミキサ内に流入してきた流体を分割、転換、反転させる形式のものを意味する。スタティックミキサは管断面方向の濃度均一性に優れた混合を実現しやすい傾向にあり、時間分割式ミキサは管軸線方向の濃度均一性に優れた混合を実現しやすい傾向にある。このような長所を有するミキサを組み合わせることにより、管断面方向及び管軸線方向の濃度均一性の高い希釈薬液を生成することができる。このようなインラインミキサを設けることにより、図5及び図6に示したような濃度計212の検出値の振動が緩和され、処理液の供給可否の判断をより速い時点で行うことができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。
上記の実施形態では、タンク液供給部116が、循環ライン104を介して処理ユニット16に接続されたタンク102に処理液を供給している(すなわち処理液生成機構(206A,206B,208)が生成した処理液の供給目的場所がタンク102である)が、これには限定されない。例えば、図10に示すように、タンク液供給部116と同一構成の処理液供給部116’が、タンクを介さずに処理ユニット16に処理液を供給してもよい。図10の実施形態では、処理液供給ライン210の接続領域110’に分岐ライン112を介して一つまたは複数の処理ユニット16が接続されている。処理液供給部116’による処理液の供給手順は、タンク液供給部116による処理液の供給手順と同じである。すなわち、例えば図7のフローチャートに記載された手順が実行され、ステップS4における判断結果がYesとなったら、開閉弁216Vを閉じて開閉弁210Vを開くことにより、ドレンライン216を介した予備捨て操作を終了して処理ユニット16への処理液の供給を開始する。これらの複数の処理ユニット16に順次基板を投入し、基板に処理液を供給するときには、各処理ユニット16の処理スケジュールに応じて、開閉弁112Vを開くことにより対応する処理ユニット16に処理液を供給する。この場合、例えば、接続領域110’内の圧力の安定化のため、接続領域110’より下流側の処理液供給ライン210の末端部分210’にリリーフ弁300を設けてもよい。予備捨て操作は、接続領域110’より下流側の処理液供給ライン210の末端部分210’を介して行ってもよいが(この場合、図10に示したリリーフ弁300は設けないか、末端部分210’から分岐するドレンラインを設ける)、本実施形態のように供給目的場所よりも上流側にあるドレンライン216を介して行うことにより、予備捨てする処理液の量を減らすことができ、短時間で基板に処理液を供給することができる。
また例えば、濃度計212が設けられている位置よりも上流側に設けられるデバイス(すなわち処理液生成機構を構成するデバイス)は、図2及び図3に示した定圧弁と可変絞り弁の組合せに限定されるものではなく、濃度計212の検出値に基づいて所望の精度で濃度調節を行うことができるものであれば、任意である。例えば、定圧弁と可変絞り弁の組合せに代えて、LFC等の流量制御器を設けてもよい。
また例えば、定圧弁と可変絞り弁の組合せにおいて、定圧弁の設定を固定して(二次側圧力を変化させない)、可変絞り弁の開度調節により、混合部に流れ込む原料液の流れを制御してもよい。
また例えば、大流量の原料液(DIW)の流れを調節することに代えて、小流量の原料液(HF)の流れを調節することにより、処理液の濃度を調節してもよい。
上記の実施形態において、処理ユニット16で処理される基板は、半導体ウエハ、LCD用のガラス基板、セラミック基板等、半導体装置製造の技術分野で用いられる任意の基板とすることができる。
4 制御装置
16 液処理部(処理ユニット)
102 タンク
104 循環ライン
112 分岐ライン
206A,206B 定圧弁(処理液生成機構)
208 混合弁(処理液生成機構)
210 処理液供給ライン
210V,216V 切替機構
212 濃度測定装置
212,212’ 濃度測定装置(第1濃度測定部、第2濃度測定部)
216 ドレンライン

Claims (14)

  1. 少なくとも2種類の原料液を混合してなる処理液を貯留するタンクと、
    処理液が前記タンクから出て前記タンクに戻るように流れる循環ラインと、
    前記タンク内の処理液を用いて基板に液処理を施す液処理部と、
    前記少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を混合して処理液を生成する処理液生成機構と、
    前記処理液生成機構で生成された処理液を前記タンクに供給する処理液供給ラインと、
    前記循環ラインを流れる処理液の濃度及び前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定する濃度測定装置と、
    前記濃度測定装置により測定された処理液の濃度に基づいて、この処理液の濃度が予め定められた範囲内の濃度になるように前記処理液生成機構を制御する制御装置と
    を備えた基板液処理装置。
  2. 前記制御装置は、前記濃度測定装置により測定された前記循環ラインを流れる処理液の濃度に基づいて、この処理液の濃度を予め定められた範囲内の濃度とするために必要な濃度及び量の処理液が前記処理液供給ラインを介して前記タンクに供給されるように前記処理液生成機構を制御する、請求項1記載の基板液処理装置。
  3. 前記制御装置は、前記濃度測定装置により測定された前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度に基づいて、この処理液の濃度を予め定められた範囲内の濃度にするために必要な濃度及び量の処理液が、前記処理液供給ラインを介して前記タンクに供給されるように、前記処理液生成機構を制御する、請求項1または2記載の基板液処理装置。
  4. 前記制御装置は、処理液が前記処理液生成機構から前記処理液供給ラインを介して前記タンクに供給されているときに、前記濃度測定装置により測定された前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度に基づいて、前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度が前記予め定められた範囲内の濃度となるように、前記処理液生成機構における原料液の混合比を制御する、請求項1から3のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  5. 前記循環ラインを流れる処理液を取り出して前記処理液供給ラインに送る濃度計測用の取出ラインをさらに備え、前記濃度測定装置は、前記処理液供給ラインに設けられており、前記処理液生成機構により生成された処理液の濃度と、前記循環ラインから前記取出ラインを介して前記処理液供給ラインに送られた処理液の濃度の両方を測定することが可能である、請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  6. 前記濃度測定装置は前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定し、
    前記制御装置は、前記処理液生成機構により処理液の生成が開始された後、前記濃度測定装置により測定された瞬時濃度の積算平均値を算出するとともに当該積算平均値を監視し、さらに前記積算平均値が予め定められた許容範囲内に収まるように処理液生成機構を制御することを特徴とする、請求項1から5のうちいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  7. 前記処理液供給ラインから分岐する、前記処理液供給ラインから処理液を排出するためのドレンラインと、
    前記処理液生成機構で生成された処理液が前記ドレンラインに流れるようにする第1状態と、前記処理液生成機構で生成された処理液が前記タンクに供給されるようにする第2状態との間で切り替えを行うことができる切替機構と、
    をさらに備え、
    前記制御装置は、前記積算平均値が予め定められた許容範囲内のときは、前記切替機構を第2状態とし、前記積算平均値が予め定められた許容範囲から外れたときは、前記切替機構を前記第1状態とするように制御することを特徴とする、請求項1から6のうちいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  8. 前記濃度測定装置は、前記循環ラインを流れる処理液の濃度を測定する第1濃度測定部と、前記処理液供給ラインに設けられ前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定する第2濃度測定部からなる、請求項7記載の基板液処理装置。
  9. 少なくとも2種類の原料液を混合してなる処理液を貯留するタンクと、処理液が前記タンクから出て前記タンクに戻るように流れる循環ラインと、前記循環ラインを流れる処理液を用いて基板に液処理を施す処理部と、を備えた基板液処理装置を用いる基板液処理方法において、
    前記循環ラインを流れる処理液の濃度を測定することと、
    測定された処理液の前記濃度に基づいて、前記循環ライン及び前記タンク内に存在する処理液の濃度を所望の範囲内の濃度とするために前記タンクに追加すべき処理液の濃度及び量を求めることと、
    求められた前記濃度及び前記量の処理液をタンクに供給することと、
    を備え、
    前記濃度及び前記量の処理液をタンクに供給することは、前記少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を処理液生成機構により混合して、処理液供給ラインを介して前記タンクに送ることと、前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定することと、測定された濃度に基づき、前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度が求められた前記濃度となるように前記処理液生成機構における原料液の混合比を調節することと、を有している、基板液処理方法。
  10. 少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を混合して処理液を生成する処理液生成機構と、
    前記処理液生成機構により生成された処理液を用いて基板に液処理を施す液処理部と、
    前記処理液生成機構で生成された処理液を、前記液処理部または前記液処理部に接続された供給目的場所に供給する処理液供給ラインと、
    前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定する濃度測定装置と、
    前記処理液生成機構で混合される原料液の混合比を制御する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記濃度測定装置により測定された瞬時濃度の積算平均値を逐次算出するとともに当該積算平均値を監視し、前記積算平均値が目標濃度に関する予め定められた許容範囲内に収まるように前記処理液生成機構を制御することを特徴とする、基板液処理装置。
  11. 前記処理液供給ライン上の分岐点において前記処理液供給ラインから分岐すする、前記処理液供給ラインから処理液を排出するためのドレンラインと、
    前記処理液生成機構で生成された処理液が前記ドレンラインに流れるようにする第1状態と、前記処理液生成機構で生成された処理液が前記液処理部または前記供給目的場所に供給されるようにする第2状態との間で切り替えを行うことができる切替機構と、
    をさらに備え、
    前記制御装置は、前記積算平均値が前記予め定められた許容範囲内のときは、前記切替機構を第2状態とし、前記積算平均値が前記予め定められた許容範囲から外れたときは、前記切替機構を前記第1状態とするように制御することを特徴とする、請求項10記載の基板液処理装置。
  12. 前記制御装置は、切替機構が前記第1状態から前記第2状態に切り替えられた時に、その後に算出される積算平均値の算出に用いられる瞬時濃度のデータから、切替機構が前記第1状態から前記第2状態に切り替えられる前に取得された瞬時濃度のデータの一部を除外する、請求項10または11記載の基板液処理装置。
  13. 前記供給目的場所が、前記液処理部に循環ラインを介して接続された処理液を貯留するためのタンクである、請求項10から12のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  14. 少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を混合して処理液を生成する処理液生成機構と、前記処理液生成機構により生成された処理液を用いて基板に液処理を施す液処理部と、前記処理液生成機構で生成された処理液を、前記液処理部または前記液処理部に接続された供給目的場所に供給する処理液供給ラインと、前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定する濃度測定装置と、を備えた基板液処理を用いる基板液処理方法において、
    前記処理液生成機構で混合される原料液の混合比を制御しながら処理液を生成し、生成した処理液を前記処理液供給ラインに流すことと、
    前記濃度測定装置により前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定することと、
    前記濃度測定装置により測定された瞬時濃度の積算平均値を逐次算出するとともに当該積算平均値を監視することと、
    監視している前記積算平均値が前記目標濃度に関する予め定められた許容範囲内に収まった処理液を前記液処理部または前記供給目的場所に流すことと、
    を備え、
    前記原料液の混合比の制御は、前記積算平均値が目標濃度に関する予め定められた許容範囲内に収まるように前記処理液生成機構を制御することにより行われる、基板液処理方法。
JP2014205113A 2013-11-13 2014-10-03 基板液処理装置及び基板液処理方法 Active JP6352143B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014205113A JP6352143B2 (ja) 2013-11-13 2014-10-03 基板液処理装置及び基板液処理方法
TW103138346A TWI579037B (zh) 2013-11-13 2014-11-05 Substrate liquid processing device and substrate liquid treatment method
KR1020140154346A KR102289796B1 (ko) 2013-11-13 2014-11-07 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
US14/536,989 US10162371B2 (en) 2013-11-13 2014-11-10 Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
CN201910418261.8A CN110197803B (zh) 2013-11-13 2014-11-13 基板液处理装置和基板液处理方法
CN201410641579.XA CN104637841B (zh) 2013-11-13 2014-11-13 基板液处理装置和基板液处理方法
US16/188,525 US10591935B2 (en) 2013-11-13 2018-11-13 Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
KR1020210037157A KR102339333B1 (ko) 2013-11-13 2021-03-23 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013235304 2013-11-13
JP2013235304 2013-11-13
JP2014205113A JP6352143B2 (ja) 2013-11-13 2014-10-03 基板液処理装置及び基板液処理方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018108830A Division JP6657306B2 (ja) 2013-11-13 2018-06-06 基板液処理装置及び基板液処理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015119168A true JP2015119168A (ja) 2015-06-25
JP2015119168A5 JP2015119168A5 (ja) 2017-03-23
JP6352143B2 JP6352143B2 (ja) 2018-07-04

Family

ID=53043703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014205113A Active JP6352143B2 (ja) 2013-11-13 2014-10-03 基板液処理装置及び基板液処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10162371B2 (ja)
JP (1) JP6352143B2 (ja)
KR (2) KR102289796B1 (ja)
CN (2) CN104637841B (ja)
TW (1) TWI579037B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019169521A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 オルガノ株式会社 希釈液製造方法および希釈液製造装置
WO2020166136A1 (ja) * 2019-02-14 2020-08-20 株式会社Screenホールディングス 基板乾燥方法および基板処理装置
JP2020175338A (ja) * 2019-04-19 2020-10-29 株式会社荏原製作所 機能水濃度制御システム、及び機能水濃度制御方法
JP2020198357A (ja) * 2019-05-31 2020-12-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JPWO2021002367A1 (ja) * 2019-07-03 2021-01-07
JP2021009988A (ja) * 2019-06-28 2021-01-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3183391B1 (en) * 2014-08-19 2020-02-12 Russell, Atlas James System and method for producing asphalt mix
JP2018110186A (ja) * 2017-01-04 2018-07-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP7004144B2 (ja) * 2017-10-25 2022-01-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102087773B1 (ko) * 2018-07-13 2020-04-23 씨앤지하이테크 주식회사 액체 혼합 공급장치
JP7101083B2 (ja) * 2018-08-23 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
CN110875212B (zh) * 2018-08-31 2022-07-01 辛耘企业股份有限公司 基板处理装置
KR102221258B1 (ko) 2018-09-27 2021-03-02 세메스 주식회사 약액 토출 장치
CN110112085A (zh) * 2019-05-23 2019-08-09 德淮半导体有限公司 一种液体浓度控制装置
TWI741635B (zh) * 2019-06-28 2021-10-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
CN110828338B (zh) * 2019-09-30 2022-08-09 长江存储科技有限责任公司 浓度的调节方法及调节系统
CN110808218B (zh) * 2019-10-23 2022-07-08 长江存储科技有限责任公司 一种处理液供应装置的控制方法及处理液供应装置
JP2022099107A (ja) * 2020-12-22 2022-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、及び基板処理装置
CN114247684B (zh) * 2021-12-17 2023-04-14 北京北方华创微电子装备有限公司 供液系统和半导体清洗系统
KR102612978B1 (ko) * 2022-08-02 2023-12-13 나가세 엔지니어링 서비스 코리아(주) 혼합 시스템

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003158111A (ja) * 2001-11-19 2003-05-30 Kaijo Corp 半導体処理装置の薬液濃度制御装置
JP2010232520A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2013071034A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Sunstar Inc 液体混合装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2815270A (en) * 1945-07-11 1957-12-03 Aerojet General Co Fuel
JP3537975B2 (ja) 1996-11-22 2004-06-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7344297B2 (en) 1998-04-16 2008-03-18 Air Liquide Electronics U.S. Lp Method and apparatus for asynchronous blending and supply of chemical solutions
JP3819668B2 (ja) * 2000-03-29 2006-09-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP3789297B2 (ja) * 2000-11-17 2006-06-21 リオン株式会社 研磨液の供給装置
TWI298423B (en) 2001-02-06 2008-07-01 Nagase & Co Ltd Developer producing equipment and method
JP3610044B2 (ja) 2001-02-06 2005-01-12 株式会社平間理化研究所 現像液製造装置及び現像液製造方法
CN100359642C (zh) * 2003-04-24 2008-01-02 株式会社海上 半导体处理装置的药液浓度控制装置
JP2007049022A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及びその装置
US8235580B2 (en) 2006-10-12 2012-08-07 Air Liquide Electronics U.S. Lp Reclaim function for semiconductor processing systems
US8770198B2 (en) * 2006-12-21 2014-07-08 Resmed Limited Connector
JP5126478B2 (ja) * 2007-03-28 2013-01-23 栗田工業株式会社 洗浄液製造方法および洗浄液供給装置ならびに洗浄システム
US20090014158A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Honeywell International Inc. Nano shower for chip-scale cooling
JP5043696B2 (ja) * 2008-01-21 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 処理液混合装置、基板処理装置および処理液混合方法並びに記憶媒体
EP2311552B1 (en) 2008-08-07 2016-09-07 Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. Fluid mixer and use of the fluid mixer
JP5474666B2 (ja) 2009-07-31 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体
DE102009054652A1 (de) 2009-12-15 2011-06-16 Hilti Aktiengesellschaft Statischer Mischer
JP5858770B2 (ja) * 2011-12-19 2016-02-10 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理システム
JP2013187401A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR20150086318A (ko) 2012-11-16 2015-07-27 인테그리스 - 제탈론 솔루션즈, 인크. 혼합 농도 제어
US9042197B2 (en) * 2013-07-23 2015-05-26 Western Digital Technologies, Inc. Power fail protection and recovery using low power states in a data storage device/system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003158111A (ja) * 2001-11-19 2003-05-30 Kaijo Corp 半導体処理装置の薬液濃度制御装置
JP2010232520A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2013071034A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Sunstar Inc 液体混合装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019169521A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 オルガノ株式会社 希釈液製造方法および希釈液製造装置
JP7049875B2 (ja) 2018-03-22 2022-04-07 オルガノ株式会社 希釈液製造方法および希釈液製造装置
WO2020166136A1 (ja) * 2019-02-14 2020-08-20 株式会社Screenホールディングス 基板乾燥方法および基板処理装置
JP2020136355A (ja) * 2019-02-14 2020-08-31 株式会社Screenホールディングス 基板乾燥方法および基板処理装置
JP7265879B2 (ja) 2019-02-14 2023-04-27 株式会社Screenホールディングス 基板乾燥方法および基板処理装置
JP2020175338A (ja) * 2019-04-19 2020-10-29 株式会社荏原製作所 機能水濃度制御システム、及び機能水濃度制御方法
JP7264729B2 (ja) 2019-05-31 2023-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2020198357A (ja) * 2019-05-31 2020-12-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7393210B2 (ja) 2019-06-28 2023-12-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2021009988A (ja) * 2019-06-28 2021-01-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
WO2021002367A1 (ja) * 2019-07-03 2021-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び処理液調製方法
JP7203975B2 (ja) 2019-07-03 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び処理液調製方法
JPWO2021002367A1 (ja) * 2019-07-03 2021-01-07

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210037641A (ko) 2021-04-06
CN104637841A (zh) 2015-05-20
CN110197803B (zh) 2023-07-28
TWI579037B (zh) 2017-04-21
CN110197803A (zh) 2019-09-03
US20150131403A1 (en) 2015-05-14
KR20150055561A (ko) 2015-05-21
US10591935B2 (en) 2020-03-17
US20190079544A1 (en) 2019-03-14
US10162371B2 (en) 2018-12-25
KR102289796B1 (ko) 2021-08-12
TW201531331A (zh) 2015-08-16
KR102339333B1 (ko) 2021-12-13
CN104637841B (zh) 2019-06-11
JP6352143B2 (ja) 2018-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6352143B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
KR101751626B1 (ko) 유량 조정 기구, 희석 약액 공급 기구, 액처리 장치 및 그 운용 방법
JP5448521B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
JP6074338B2 (ja) 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体
US10067514B2 (en) Substrate processing apparatus and liquid mixing method
CN110660708B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
TW202138128A (zh) 隨選之化學品管道調和與供應
JP6657306B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP2003158111A (ja) 半導体処理装置の薬液濃度制御装置
KR20230042644A (ko) 기판 처리 장치, 이상 검출 방법 및 이상 검출 프로그램
JP5780810B2 (ja) 液体管理システム
JP6545841B2 (ja) 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法
JP5791939B2 (ja) 液体管理システム
JP2020087985A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6121349B2 (ja) 希釈薬液供給装置、基板液処理装置及び流量制御方法
JP7203975B2 (ja) 基板処理システム及び処理液調製方法
JP2021009974A (ja) 液処理装置および流量検出部の校正方法
JP2001340736A (ja) 混合装置
KR20230093419A (ko) 웨이퍼 세정수 공급 시스템 및 웨이퍼 세정수의 공급 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170215

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180420

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6352143

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250