JP2015119168A - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板液処理装置は、タンク102と、循環ライン104と、分岐ライン112を介して循環ラインに接続され、循環ラインを流れる処理液を用いて基板に液処理を施す処理部16と、少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を制御された混合比で混合して処理液を生成する処理液生成機構(206A,206B,208)と、循環ラインを流れる処理液の濃度及び処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定する濃度測定装置212(または212’)と、測定された処理液の濃度に基づいて処理液生成機構を制御する制御装置4と、を備える。
【選択図】図2
Description
(1)液位計120により検出されるタンク102内の液位が或る閾値まで低下したときに、処理液の補充を行い、このときに、濃度補正を行う(定期的な濃度補正)。
(2)常時または定期的に(あるいは装置の長期停止の後等の濃度変化の懸念があるときに)循環系内の処理液の濃度を監視し、濃度が「補正基準濃度範囲(後述)」を外れたときに、濃度補正を行う(監視に基づく濃度補正)。
16 液処理部(処理ユニット)
102 タンク
104 循環ライン
112 分岐ライン
206A,206B 定圧弁(処理液生成機構)
208 混合弁(処理液生成機構)
210 処理液供給ライン
210V,216V 切替機構
212 濃度測定装置
212,212’ 濃度測定装置(第1濃度測定部、第2濃度測定部)
216 ドレンライン
Claims (14)
- 少なくとも2種類の原料液を混合してなる処理液を貯留するタンクと、
処理液が前記タンクから出て前記タンクに戻るように流れる循環ラインと、
前記タンク内の処理液を用いて基板に液処理を施す液処理部と、
前記少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を混合して処理液を生成する処理液生成機構と、
前記処理液生成機構で生成された処理液を前記タンクに供給する処理液供給ラインと、
前記循環ラインを流れる処理液の濃度及び前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定する濃度測定装置と、
前記濃度測定装置により測定された処理液の濃度に基づいて、この処理液の濃度が予め定められた範囲内の濃度になるように前記処理液生成機構を制御する制御装置と
を備えた基板液処理装置。 - 前記制御装置は、前記濃度測定装置により測定された前記循環ラインを流れる処理液の濃度に基づいて、この処理液の濃度を予め定められた範囲内の濃度とするために必要な濃度及び量の処理液が前記処理液供給ラインを介して前記タンクに供給されるように前記処理液生成機構を制御する、請求項1記載の基板液処理装置。
- 前記制御装置は、前記濃度測定装置により測定された前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度に基づいて、この処理液の濃度を予め定められた範囲内の濃度にするために必要な濃度及び量の処理液が、前記処理液供給ラインを介して前記タンクに供給されるように、前記処理液生成機構を制御する、請求項1または2記載の基板液処理装置。
- 前記制御装置は、処理液が前記処理液生成機構から前記処理液供給ラインを介して前記タンクに供給されているときに、前記濃度測定装置により測定された前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度に基づいて、前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度が前記予め定められた範囲内の濃度となるように、前記処理液生成機構における原料液の混合比を制御する、請求項1から3のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 前記循環ラインを流れる処理液を取り出して前記処理液供給ラインに送る濃度計測用の取出ラインをさらに備え、前記濃度測定装置は、前記処理液供給ラインに設けられており、前記処理液生成機構により生成された処理液の濃度と、前記循環ラインから前記取出ラインを介して前記処理液供給ラインに送られた処理液の濃度の両方を測定することが可能である、請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 前記濃度測定装置は前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定し、
前記制御装置は、前記処理液生成機構により処理液の生成が開始された後、前記濃度測定装置により測定された瞬時濃度の積算平均値を算出するとともに当該積算平均値を監視し、さらに前記積算平均値が予め定められた許容範囲内に収まるように処理液生成機構を制御することを特徴とする、請求項1から5のうちいずれか一項に記載の基板液処理装置。 - 前記処理液供給ラインから分岐する、前記処理液供給ラインから処理液を排出するためのドレンラインと、
前記処理液生成機構で生成された処理液が前記ドレンラインに流れるようにする第1状態と、前記処理液生成機構で生成された処理液が前記タンクに供給されるようにする第2状態との間で切り替えを行うことができる切替機構と、
をさらに備え、
前記制御装置は、前記積算平均値が予め定められた許容範囲内のときは、前記切替機構を第2状態とし、前記積算平均値が予め定められた許容範囲から外れたときは、前記切替機構を前記第1状態とするように制御することを特徴とする、請求項1から6のうちいずれか一項に記載の基板液処理装置。 - 前記濃度測定装置は、前記循環ラインを流れる処理液の濃度を測定する第1濃度測定部と、前記処理液供給ラインに設けられ前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定する第2濃度測定部からなる、請求項7記載の基板液処理装置。
- 少なくとも2種類の原料液を混合してなる処理液を貯留するタンクと、処理液が前記タンクから出て前記タンクに戻るように流れる循環ラインと、前記循環ラインを流れる処理液を用いて基板に液処理を施す処理部と、を備えた基板液処理装置を用いる基板液処理方法において、
前記循環ラインを流れる処理液の濃度を測定することと、
測定された処理液の前記濃度に基づいて、前記循環ライン及び前記タンク内に存在する処理液の濃度を所望の範囲内の濃度とするために前記タンクに追加すべき処理液の濃度及び量を求めることと、
求められた前記濃度及び前記量の処理液をタンクに供給することと、
を備え、
前記濃度及び前記量の処理液をタンクに供給することは、前記少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を処理液生成機構により混合して、処理液供給ラインを介して前記タンクに送ることと、前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度を測定することと、測定された濃度に基づき、前記処理液供給ラインを流れる処理液の濃度が求められた前記濃度となるように前記処理液生成機構における原料液の混合比を調節することと、を有している、基板液処理方法。 - 少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を混合して処理液を生成する処理液生成機構と、
前記処理液生成機構により生成された処理液を用いて基板に液処理を施す液処理部と、
前記処理液生成機構で生成された処理液を、前記液処理部または前記液処理部に接続された供給目的場所に供給する処理液供給ラインと、
前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定する濃度測定装置と、
前記処理液生成機構で混合される原料液の混合比を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記濃度測定装置により測定された瞬時濃度の積算平均値を逐次算出するとともに当該積算平均値を監視し、前記積算平均値が目標濃度に関する予め定められた許容範囲内に収まるように前記処理液生成機構を制御することを特徴とする、基板液処理装置。 - 前記処理液供給ライン上の分岐点において前記処理液供給ラインから分岐すする、前記処理液供給ラインから処理液を排出するためのドレンラインと、
前記処理液生成機構で生成された処理液が前記ドレンラインに流れるようにする第1状態と、前記処理液生成機構で生成された処理液が前記液処理部または前記供給目的場所に供給されるようにする第2状態との間で切り替えを行うことができる切替機構と、
をさらに備え、
前記制御装置は、前記積算平均値が前記予め定められた許容範囲内のときは、前記切替機構を第2状態とし、前記積算平均値が前記予め定められた許容範囲から外れたときは、前記切替機構を前記第1状態とするように制御することを特徴とする、請求項10記載の基板液処理装置。 - 前記制御装置は、切替機構が前記第1状態から前記第2状態に切り替えられた時に、その後に算出される積算平均値の算出に用いられる瞬時濃度のデータから、切替機構が前記第1状態から前記第2状態に切り替えられる前に取得された瞬時濃度のデータの一部を除外する、請求項10または11記載の基板液処理装置。
- 前記供給目的場所が、前記液処理部に循環ラインを介して接続された処理液を貯留するためのタンクである、請求項10から12のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 少なくとも2種類の原料液のそれぞれの供給源から供給される原料液を混合して処理液を生成する処理液生成機構と、前記処理液生成機構により生成された処理液を用いて基板に液処理を施す液処理部と、前記処理液生成機構で生成された処理液を、前記液処理部または前記液処理部に接続された供給目的場所に供給する処理液供給ラインと、前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定する濃度測定装置と、を備えた基板液処理を用いる基板液処理方法において、
前記処理液生成機構で混合される原料液の混合比を制御しながら処理液を生成し、生成した処理液を前記処理液供給ラインに流すことと、
前記濃度測定装置により前記処理液供給ラインを流れる処理液の瞬時濃度を測定することと、
前記濃度測定装置により測定された瞬時濃度の積算平均値を逐次算出するとともに当該積算平均値を監視することと、
監視している前記積算平均値が前記目標濃度に関する予め定められた許容範囲内に収まった処理液を前記液処理部または前記供給目的場所に流すことと、
を備え、
前記原料液の混合比の制御は、前記積算平均値が目標濃度に関する予め定められた許容範囲内に収まるように前記処理液生成機構を制御することにより行われる、基板液処理方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2019169521A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | オルガノ株式会社 | 希釈液製造方法および希釈液製造装置 |
WO2020166136A1 (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
JP2020175338A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 株式会社荏原製作所 | 機能水濃度制御システム、及び機能水濃度制御方法 |
JP2020198357A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2021002367A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び処理液調製方法 |
JP2021009988A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016028623A1 (en) * | 2014-08-19 | 2016-02-25 | Russell Atlas James | System, method and apparatus for recycling asphalt shingles and producing asphalt mix |
JP2018110186A (ja) * | 2017-01-04 | 2018-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP7004144B2 (ja) * | 2017-10-25 | 2022-01-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102087773B1 (ko) * | 2018-07-13 | 2020-04-23 | 씨앤지하이테크 주식회사 | 액체 혼합 공급장치 |
JP7101083B2 (ja) * | 2018-08-23 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
CN110875212B (zh) * | 2018-08-31 | 2022-07-01 | 辛耘企业股份有限公司 | 基板处理装置 |
KR102221258B1 (ko) | 2018-09-27 | 2021-03-02 | 세메스 주식회사 | 약액 토출 장치 |
CN110112085A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-08-09 | 德淮半导体有限公司 | 一种液体浓度控制装置 |
TWI741635B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-10-01 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
CN110828338B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-08-09 | 长江存储科技有限责任公司 | 浓度的调节方法及调节系统 |
CN110808218B (zh) * | 2019-10-23 | 2022-07-08 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种处理液供应装置的控制方法及处理液供应装置 |
JP7504018B2 (ja) * | 2020-12-22 | 2024-06-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
CN114247684B (zh) * | 2021-12-17 | 2023-04-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 供液系统和半导体清洗系统 |
KR102612978B1 (ko) * | 2022-08-02 | 2023-12-13 | 나가세 엔지니어링 서비스 코리아(주) | 혼합 시스템 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003158111A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Kaijo Corp | 半導体処理装置の薬液濃度制御装置 |
JP2010232520A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置および処理液供給方法 |
JP2013071034A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Sunstar Inc | 液体混合装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2815270A (en) * | 1945-07-11 | 1957-12-03 | Aerojet General Co | Fuel |
JP3537975B2 (ja) | 1996-11-22 | 2004-06-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7344297B2 (en) | 1998-04-16 | 2008-03-18 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Method and apparatus for asynchronous blending and supply of chemical solutions |
JP3819668B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2006-09-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP3789297B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2006-06-21 | リオン株式会社 | 研磨液の供給装置 |
TWI298423B (en) | 2001-02-06 | 2008-07-01 | Nagase & Co Ltd | Developer producing equipment and method |
JP3610044B2 (ja) | 2001-02-06 | 2005-01-12 | 株式会社平間理化研究所 | 現像液製造装置及び現像液製造方法 |
CN100359642C (zh) * | 2003-04-24 | 2008-01-02 | 株式会社海上 | 半导体处理装置的药液浓度控制装置 |
JP2007049022A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
US8770198B2 (en) * | 2006-12-21 | 2014-07-08 | Resmed Limited | Connector |
JP5126478B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-01-23 | 栗田工業株式会社 | 洗浄液製造方法および洗浄液供給装置ならびに洗浄システム |
US20090014158A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Honeywell International Inc. | Nano shower for chip-scale cooling |
WO2009069090A2 (en) | 2007-11-27 | 2009-06-04 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Improved reclaim function for semiconductor processing systems |
JP5043696B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液混合装置、基板処理装置および処理液混合方法並びに記憶媒体 |
US9259694B2 (en) | 2008-08-07 | 2016-02-16 | Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. | Fluid mixer and apparatus using fluid mixer |
JP5474666B2 (ja) | 2009-07-31 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体 |
DE102009054652A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Hilti Aktiengesellschaft | Statischer Mischer |
JP5858770B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-02-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理システム |
JP2013187401A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN105008035B (zh) | 2012-11-16 | 2018-10-26 | 恩特葛瑞斯-捷特隆解决方案公司 | 控制混合浓度 |
US9042197B2 (en) * | 2013-07-23 | 2015-05-26 | Western Digital Technologies, Inc. | Power fail protection and recovery using low power states in a data storage device/system |
-
2014
- 2014-10-03 JP JP2014205113A patent/JP6352143B2/ja active Active
- 2014-11-05 TW TW103138346A patent/TWI579037B/zh active
- 2014-11-07 KR KR1020140154346A patent/KR102289796B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-10 US US14/536,989 patent/US10162371B2/en active Active
- 2014-11-13 CN CN201410641579.XA patent/CN104637841B/zh active Active
- 2014-11-13 CN CN201910418261.8A patent/CN110197803B/zh active Active
-
2018
- 2018-11-13 US US16/188,525 patent/US10591935B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-23 KR KR1020210037157A patent/KR102339333B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003158111A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Kaijo Corp | 半導体処理装置の薬液濃度制御装置 |
JP2010232520A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置および処理液供給方法 |
JP2013071034A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Sunstar Inc | 液体混合装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019169521A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | オルガノ株式会社 | 希釈液製造方法および希釈液製造装置 |
JP7049875B2 (ja) | 2018-03-22 | 2022-04-07 | オルガノ株式会社 | 希釈液製造方法および希釈液製造装置 |
WO2020166136A1 (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
JP2020136355A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
JP7265879B2 (ja) | 2019-02-14 | 2023-04-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
JP2020175338A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 株式会社荏原製作所 | 機能水濃度制御システム、及び機能水濃度制御方法 |
JP7264729B2 (ja) | 2019-05-31 | 2023-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2020198357A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7393210B2 (ja) | 2019-06-28 | 2023-12-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2021009988A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JPWO2021002367A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | ||
JP7203975B2 (ja) | 2019-07-03 | 2023-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び処理液調製方法 |
WO2021002367A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び処理液調製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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