JP2015088520A5 - - Google Patents

Description

本実験試料については、上記の全ての膜を成膜したのち、熱処理を行った。
磁化固定層１２のＣｏＦｅＢ合金の組成は、ＣｏＦｅ８０％（Ｃｏ３０％−Ｆｅ７０％）−Ｂ２０％（いずれもａｔ％）とした。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜から成る中間層１３は、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて成膜し、その他の膜はＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。

以上のような磁気抵抗効果型磁気ヘッドの上に積層形成されたインダクティブ型磁気ヘッドは、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２によって構成される磁気コアと、当該磁気コアを巻回するように形成された薄膜コイル１３３とを備えている。
上層コア１３２は、第２の磁気シールド１２７と共に閉磁路を形成して、このインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアとなるものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等のような軟磁性材からなる。ここで、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２は、それらの前端部が磁気記録媒体対向面に露呈し、且つ、それらの後端部において第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２が互いに接するように形成されている。ここで、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２の前端部は、磁気記録媒体対向面において、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２が所定の間隙ｇをもって離間するように形成されている。
すなわち、この複合型磁気ヘッド１００において、第２の磁気シールド１２７は、磁気抵抗効果素子１２６の上層側を磁気的にシールドするだけでなく、インダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねており、第２の磁気シールド１２７と上層コア１３２によってインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアが構成されている。そして間隙が、インダクティブ型磁気ヘッドの記録用磁気ギャップとなる。

また、第２の磁気シールド１２７上には、絶縁層１２３に埋設された薄膜コイル１３３が形成されている。ここで、薄膜コイル１３３は、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２からなる磁気コアを巻回するように形成されている。図示していないが、この薄膜コイル１３３の両端部は、外部に露呈するようになされ、薄膜コイル１３３の両端に形成された端子が、このインダクティブ型磁気ヘッドの外部接続用端子となる。すなわち、磁気記録媒体への磁気信号の記録時には、これらの外部接続用端子から薄膜コイル１３３に記録電流が供給されることとなる。

Claims (10)

1. 膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
   前記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
   前記記憶層と前記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
   を有する層構造を備え、
   前記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記憶が行われるとともに、
   前記磁化固定層が少なくとも２層の強磁性層と、非磁性層とから成る積層フェリ構造を有しており、
   前記磁化固定層における磁性材料として、ＰｔとＣｏとを用いた合金又は積層構造であってＹを含む磁性材料が用いられている
   記憶素子。
2. 前記磁化固定層内において前記中間層とは接しない磁性材料として、ＰｔとＣｏとを用いた合金又は積層構造とされ且つＹを含むが磁性材料が用いられている
   請求項１に記載の記憶素子。
3. 前記Ｙ元素の添加量が１２ａｔ％以下である
   請求項２に記載の記憶素子。
4. 前記Ｙ元素の添加量が１ａｔ％以上１０ａｔ％以下である
   請求項２又は請求項３に記載の記憶素子。
5. 前記磁化固定層内における、前記中間層と接する磁性材料がＣｏＦｅＢ磁性層で構成されている
   請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の記憶素子。
6. 膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
   前記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
   前記記憶層と前記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
   を有する層構造を備え、
   前記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記憶が行われるとともに、
   前記磁化固定層における磁性材料として、ＰｔとＣｏとを用いた合金又は積層構造であってＹを含む磁性材料が用いられている
   記憶素子。
7. 前記Ｙ元素の添加量が１２ａｔ％以下である
   請求項６に記載の記憶素子。
8. 前記Ｙ元素の添加量が１ａｔ％以上１０ａｔ％以下である
   請求項６又は請求項７に記載の記憶素子。
9. 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、
   互いに交差する２種類の配線とを備え、
   前記記憶素子は、
   膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
   前記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
   前記記憶層と前記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
   を有する層構造を備え、
   前記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記憶が行われるとともに、
   前記磁化固定層が少なくとも２層の強磁性層と、非磁性層とから成る積層フェリ構造を有しており、
   前記磁化固定層における磁性材料として、ＰｔとＣｏとを用いた合金又は積層構造であってＹを含む磁性材料が用いられており、
   前記２種類の配線の間に前記記憶素子が配置され、
   前記２種類の配線を通じて、前記記憶素子に上記積層方向の電流が流れ、スピン偏極した電子が注入される
   記憶装置。
10. 膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
    前記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
    前記記憶層と前記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
    を有する層構造を備え、
    前記層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化するとともに、
    前記磁化固定層が少なくとも２層の強磁性層と、非磁性層とから成る積層フェリ構造を有しており、
    前記磁化固定層における磁性材料として、ＰｔとＣｏとを用いた合金又は積層構造であってＹを含む磁性材料が用いられている
    磁気ヘッド。