JP2015084386A - 電子デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】水分の侵入を防ぐ事により貫通電極が腐食する事を防止するとともに、ベース基板への応力緩和を可能とする電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の電子デバイスは、複数の貫通電極が形成される絶縁性のベース基板と、前記貫通電極と電気的に接続し、前記ベース基板の一方の表面に実装される電子素子と、前記電子素子を収容し前記ベース基板の前記一方の表面に接合される蓋体と、前記ベース基板の他方の表面に露出する前記貫通電極の端面から前記端面の周囲の前記他方の表面まで覆う外部電極と、を備え、前記外部電極は、前記端面から前記端面の周囲の前記他方の表面まで覆う導電膜と、前記導電膜の表面に電解メッキ法により形成される第１の電解メッキ膜と、前記第１の電解メッキ膜の表面に電解メッキ法により形成される第２の電解メッキ膜とを有し、前記第２の電解メッキ膜は、スズ又はスズ合金で形成されることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、パッケージに電子素子を収容する電子デバイスに関する。
従来から、携帯電話や携帯情報端末機には表面実装型の電子デバイスが多く用いられている。このうち、水晶振動子やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）、ジャイロ、加速度センサ等は、パッケージの内部に中空のキャビティが形成され、このキャビティに水晶振動子やＭＥＭＳ等の電子素子が封入されている。パッケージとしてガラス材料が用いられる。例えばベース基板に電子素子が実装され、その上にガラス蓋が陽極接合により接合されて電子素子が密封される。ガラスどうしの陽極接合は気密性が高く、しかも安価であるという利点がある（特許文献１）。
図６は、この種の電子デバイスの断面図である（特許文献１の図１）。電子デバイス１０１は、ベース１１０と、ベース１１０に搭載される電子部品１４０と、電子部品１４０を収納してベース１１０に接合されるキャップ１５０を備える。ベース１１０には板厚方向に貫通する貫通電極１２１と、貫通電極１２１に電気的に接続される第一の金属膜１２２と、貫通電極１２１と電子部品１４０とを電気的に接続する回路パターン１３０及び第二の金属膜１２３が形成される。第一の金属膜１２２の外部には金属膜からなる外部電極１６０が形成される。
ここで、貫通電極１２１は鉄−ニッケル系合金が使用される。第一の金属膜１２２として無電解メッキ法により形成される金が使用される。また、貫通電極１２１とベース１１０との間には図示しない低融点ガラスが使用され、熱溶着により気密性を向上させている。
特開２０１１−１５５５０６号公報
この種の電子デバイスでは、貫通電極１２１として鉄−ニッケル系合金を使用し、貫通電極１２１の酸化防止用の第一の金属膜１２２として金薄膜を使用している。更に、外部電極１６０は多くは導電ペースト等の導電接着剤により形成している。銀ペースト等の導電接着剤により外部電極１６０を形成すると、導電ペーストの耐湿性が十分でないことより水分を完全に遮蔽することが難しい。鉄−ニッケル系合金と金とはイオン化傾向の差が大きいので、貫通電極１２１と第一の金属膜１２２の間に水分等が付着すると、電池効果により貫通電極１２１が腐食し、導電性が低下する原因となる。また、貫通電極１２１とベース１１０との間に低融点ガラスを使用し、貫通電極１２１の端面に無電解メッキ法により第一の金属膜１２２の金薄膜を形成している。低融点ガラスには無電解メッキ法による金薄膜が形成し難いので、貫通電極１２１と第一の金属膜１２２との間の境界部が露出し、腐食が進行しやすい。
本発明の電子デバイスは、複数の貫通電極が形成される絶縁性のベース基板と、前記貫通電極と電気的に接続し、前記ベース基板の一方の表面に実装される電子素子と、前記電子素子を収容し前記ベース基板の前記一方の表面に接合される蓋体と、前記ベース基板の他方の表面に露出する前記貫通電極の端面から前記端面の周囲の前記他方の表面まで覆う外部電極と、を備え、前記外部電極は、前記端面から前記端面の周囲の前記他方の表面まで覆う導電膜と、前記導電膜の表面に電解メッキ法により形成される第１の電解メッキ膜と、前記第１の電解メッキ膜の表面に電解メッキ法により形成される第２の電解メッキ膜とを有し、前記第２の電解メッキ膜は、スズ又はスズ合金で形成されることを特徴とする。
また、前記第１の電解メッキ膜はニッケル膜又は銅膜で形成されてもよい。
また、前記貫通電極は鉄−ニッケル系合金で形成されてもよい。
また、前記導電膜の側面は露出していてもよい。
また、前記第１の電解メッキ膜は１μｍ〜３μｍの厚さで形成してもよい。
また、前記第２の電解メッキ膜は１０μｍ〜３０μｍの厚さで形成してもよい。
本発明により貫通電極と絶縁性のベース基板との間への水分滲入を遮断することができ、腐食を防止する事ができる。また外部電極に金を使用しないため、電池効果による腐食防止をすることができる。
また、第２の電解メッキ膜が柔軟性を有するスズ又はスズ合金で形成されるため、貫通電極の腐食防止を可能にするとともに、ベース基板に発生する応力を緩和することができる。また、外部部品に実装する際、はんだ付けを容易に行うことができる。
本発明に係る電子デバイスの断面模式図である。 本発明に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。 本発明に係る電子デバイスの製造工程の説明図である。 本発明に係る電子デバイスの製造工程の説明図である。 本発明に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。 従来公知の電子デバイスの断面図である。
図１は、本発明に係る電子デバイス１の断面模式図である。電子デバイス１は、ベース基板２と、その上に接合される蓋体６と、内部に収容される電子素子５とを備える。ベース基板２は、絶縁性を有し、一方の表面ＵＳから他方の表面ＬＳに貫通する複数の貫通電極３を有する。ベース基板２の一方の表面ＵＳには貫通電極３の端面を覆うように配線電極８が形成され、配線電極８の上に金属バンプ１０を介して電子素子５が実装される。蓋体６は、中央に窪みを有し、この窪みに電子素子５を収容してベース基板２の一方の表面ＵＳに接合材９を介して接合される。電子デバイス１は、更に、ベース基板２の他方の表面ＬＳに露出する貫通電極３の端面から、その端面の周囲の他方の表面ＬＳまで覆う外部電極１３を有する。外部電極１３は、その端面からその端面の周囲の他方の表面まで覆う導電膜４と、導電膜４の表面に電解メッキ法により形成される電解メッキ法により形成される第１の電解メッキ膜１１と、第１の電解メッキ膜１１の表面に電解メッキ法により形成される第２の電解メッキ膜１２により積層される積層構造を有する。
このように、ベース基板２に形成される貫通電極３の他方の表面ＬＳに露出する端面と、その周囲近傍の他方の表面ＬＳとは、導電膜４により完全に覆われ、更に導電膜４の上面及び側面を含む表面が第１の電解メッキ膜１１及び第２の電解メッキ膜１２により覆われる。そのため貫通電極３が水分等に接触せず、腐食が防止される。
ベース基板２は、ガラス、セラミックス、プラスチック、ガラスエポキシ樹脂等を使用することができる。電子素子５は、圧電振動片、ＭＥＭＳ、加速度センサ、発光素子、受光素子、その他の半導体素子を使用することができる。
貫通電極３は、コバール、インバー、パーマロイ、４２アロイ、ステンレス鋼等の鉄−ニッケル系合金、その他の金属材料を使用することができる。
第１の電解メッキ膜１１は、ニッケル膜、銅膜、その他の金属膜を使用することができる。第１の電解メッキ膜１１は、第２の電解メッキ膜１２の下地メッキとして使用される。また、第１の電解メッキ膜１１は、１μｍ〜３μｍの厚さで形成されることが好ましい。第１の電解メッキ膜１１の厚さが１μｍ以上であれば、下地として確実に使用できる。また、第１の電解メッキ膜１１の厚さが３μｍ以下であれば、ベース基板２への応力等による割れを確実に抑制することができる。
第２の電解メッキ膜１２はスズまたはスズ合金の金属膜を使用する。この構成により、貫通電極３の腐食防止を可能にする。さらに、第２の電解メッキ膜１２が柔軟性を有するスズ又はスズ合金で形成されるため、第１の電解メッキ膜１１のみで形成した場合に比べ、ベース基板に発生する応力を緩和することができる。また、外部部品に実装する際、はんだ付けを容易に行うことができる。また、第２の電解メッキ膜１２は、１０μｍ〜３０μｍの厚さで形成されることが好ましい。第２の電解メッキ膜１２の厚さが１０μｍ以上であれば、貫通電極３の露出を確実に防ぐことができる。また、第２の電解メッキ膜１２の厚さが３０μｍ以下であれば、ベース基板２への応力緩和の効果を確実に得ることができる。
導電膜４は、電界メッキの下地膜として使用する。また、導電膜４は、チタン膜、ニッケル膜や銅膜などの金属膜を使用することができる。導電膜４として金属膜を使用する場合に、貫通電極３の端面及びベース基板２に対して密着性の良い材料を選定する。また、導電膜４の上部に形成する金属膜に対してイオン化傾向差の小さい材料を選定するのが望ましい。また、導電膜４は、０．０５μｍ〜０．５μｍの厚さに堆積することが好ましい。導電膜４の厚さが０．０５μｍ以上であれば、導電膜４が電解メッキ時に溶解してはがれてしまうことを防ぐことができる。また、導電膜４の厚さが０．５μｍ以上では形成方法によっては難しい可能性がある。
なお、導電膜４は、さらに、貫通電極３の端面に無電解めっき若しくは電解めっき等により形成された金属膜、または貫通電極３の端面及びその端面の周囲に蒸着若しくはスパッタで形成された金属膜で構成される第１の導電膜と、第１層上に形成されるチタン膜、ニッケル膜又は銅膜で構成される第２の導電膜とを有してもよい。第１の導電膜は、金、ニッケル、銅、チタン、クロム等で形成される。
図２は、本発明に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。図３及び図４は、本発明に係る電子デバイスの製造方法における各工程の説明図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
図２に示すように、本発明の電子デバイスの製造方法は、貫通電極形成工程Ｓ１と、電子素子実装工程Ｓ２と、蓋体設置工程Ｓ３と、導電膜形成工程Ｓ４と、電極パターン形成工程Ｓ５と、電解メッキ膜形成工程Ｓ６とを備える。貫通電極形成工程Ｓ１では、絶縁性のベース基板に板厚方向に貫通電極を形成する。電子素子実装工程Ｓ２では、ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する。蓋体設置工程Ｓ３では、電子素子を収容する蓋体をベース基板に接合する。導電膜形成工程Ｓ４は、ベース基板の他方の表面と、当該他方の表面に露出する貫通電極の端面に導電膜を形成する。電極パターン形成工程Ｓ５は、貫通電極の端面と端面の周囲に形成された導電膜により電極パターンを形成する部分以外の導電膜をレジスト等でマスクする。電解メッキ膜形成工程Ｓ６では、電極パターンにおける導電膜の表面に電解メッキ法により第１の電解メッキ膜１１及び第２の電解メッキ膜１２を堆積して外部電極を形成する。すなわち、本実施例の外部電極形成工程は，導電膜形成工程Ｓ４、電極パターン形成工程Ｓ５、電界メッキ膜形成工程Ｓ６で構成する。また、外部電極形成後にマスクしたレジスト等及び電極パターン以外の導電膜を酸やアルカリ溶液を使用するウェットエッチング法や反応性ガスを使用するドライエッチング法で除去する。
なお、本発明の製造方法は、上記貫通電極形成工程Ｓ１の後であり電子素子実装工程Ｓ２の前に、ベース基板の他方の表面に導電膜形成工程Ｓ４により導電膜を形成し、次に電極パターン形成工程Ｓ５、次に電解メッキ膜形成工程Ｓ６を実施し、次に電子素子実装工程Ｓ２においてベース基板の一方の表面に電子素子を実装し、最後に、蓋体設置工程Ｓ３を実施してもよい。また、蓋体設置工程Ｓ３の後であり、導電膜形成工程Ｓ４の前に、ベース基板２の他方の表面を研削又は研磨して貫通電極の端面とベース基板の他方の表面を面一に形成すると共に端面に形成される酸化膜を除去する研削工程を付加することができる。
これにより、導電膜と貫通電極の間の導電性が低下するのを防止することができる。以下、具体的に説明する。
図３（ａ）は、貫通電極形成工程Ｓ１において、絶縁性のベース基板２に貫通電極３を形成した状態を表す断面模式図である。ベース基板２として、例えばガラス基板、プラスチック基板、ガラスエポキシ樹脂基板等の絶縁性基板を使用することができる。貫通電極３としては、コバール、インバー、パーマロイ、４２アロイ、ステンレス鋼等の鉄−ニッケル系合金、その他の金属材料を使用することができる。ベース基板２としてガラス基板を使用し、貫通電極３としてコバールを使用すれば、熱膨張係数が近似し、信頼性の高いパッケージを構成することができる。以下、ベース基板２としてガラス基板を使用し、貫通電極３として鉄−ニッケル系合金を使用する例について説明する。
ガラスからなるベース基板２を軟化又は溶融し、型成形により貫通孔を形成する。貫通孔に鉄−ニッケル系合金の線材を充填し、加熱・軟化させて線材とガラスとを溶着する。ガラスを冷却後に両面を研磨して平坦化し、貫通電極３の端面Ｍを露出させて酸化膜を除去するとともに、端面Ｍとベース基板２の表面とを面一に形成する。平坦化されたベース基板２は、例えば、厚さが０．２ｍｍ〜１ｍｍである。なお、ベース基板２の貫通孔は、サンドブラスト法やエッチング法により形成することもできる。
図３（ｂ）は、電子素子実装工程Ｓ２において、ベース基板２に電子素子５を実装した状態を表す断面模式図である。一方の表面ＵＳに蒸着法やスパッタリング法等により金属膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により金属膜のパターニングを行って配線電極８を形成する。配線電極８は、蒸着法やスパッタリング法の他に印刷法により形成してもよい。次に、金属バンプ１０を介して電子素子５をベース基板２に表面実装により設置する。表面実装に代えて、電子素子５をベース基板２の表面に接着剤等により接着し、ワイヤーボンディングにより配線電極８と電子素子５とを電気的に接続してもよい。
図３（ｃ）は、蓋体設置工程Ｓ３において、ベース基板２の一方の表面ＵＳに蓋体６を接合した状態を表す断面模式図である。蓋体６としてベース基板２と同じ材料、例えばガラス材料を使用することができる。蓋体６は中央に窪みを備え、窪みの上端面には予め接合材９を形成しておく。接合材９として、例えば、蒸着法やスパッタリング法等によりアルミニウム膜、クロム膜、シリコン膜等の導電性膜、又はこれらの複合層を形成する。そして、中央の窪みに電子素子５を収容してベース基板２と蓋体６を陽極接合により接合する。接合の際に周囲を真空にすれば、電子素子５が収容されるパッケージ内部を真空にすることができる。例えば、電子素子５として水晶振動片を使用する場合に、パッケージ内部を真空に維持すれば、水晶振動片の物理的な振動に対する空気抵抗を無くすことができる。なお、ベース基板２と蓋体６との間は、陽極接合の他に用途に応じて金属間接合や接着剤によって接合することもできる。
図３（ｄ）は、導電膜形成工程Ｓ４において、ベース基板２の他方の表面ＬＳに導電膜４を形成した状態を表す断面模式図である。ベース基板２の他方の表面ＬＳを研磨又は洗浄して端面Ｍの酸化膜を除去する。次に、他方の表面ＬＳに蒸着法やスパッタリング法により金属で形成する導電膜４を堆積する。本実施例においては、導電膜４は、０．０５μｍ〜０．５μｍの厚さに堆積する。導電膜４は複数の貫通電極３の端面Ｍに跨って他方の表面ＬＳ全面に堆積される。導電膜４としてチタン膜の他、ニッケル膜や銅膜などの金属膜を使用することができる。導電膜４として金属膜を使用する場合に、端面Ｍ及びベース基板２に対して密着性の良い材料を選定する。また、導電膜４の上部に形成する金属膜に対してイオン化傾向差の小さい材料を選定するのが望ましい。
なお、導電膜４を形成する前に、貫通電極の端面に無電解めっきや端面の周囲に蒸着やスパッタ、電解めっき等により金属膜を形成させてもよい。処理として主な金属としては金、ニッケル、銅、チタン、クロム等があげられる。
また、導電膜を他方の表面ＬＳ全面に形成することで、複数の電子デバイスに対して一括で電界メッキを行うことができる。
図４（ｅ）は、電極パターン形成工程Ｓ５において、貫通電極の端面とその周囲の導電膜により電極パターンを形成する部分以外の導電膜をレジスト等でマスクした状態を示す断面模式図である。導電膜４の電極パターン形成部以外の表面にレジストからなる感光性樹脂膜を塗布又は貼り付けて設置し、露光・現像を行って、電解めっきを形成する導電膜４の領域以外にマスクを形成する。感光性樹脂膜からマスクを形成することに代えて、印刷法によりマスクを形成してもよい。
図４（ｆ）は、電解メッキ膜形成工程Ｓ６において、導電膜４の表面に第１の電解メッキ膜１１を堆積した状態を表す断面模式図である。導電膜４の表面に電解メッキ法により第１の電解メッキ膜１１１を堆積して外部電極１３を形成する。第１の電解メッキ膜１１は、他方の表面ＬＳを電解メッキ液に浸して導電膜４が他方の表面ＬＳ側に露出する露出面を覆うように形成する。第１の電解メッキ膜１１は、厚さを１μｍ〜３μｍとする。また、第１の電解メッキ膜１１として、ニッケル膜の他に銅膜、その他の金属膜を形成することができる。その後で第２の電解メッキ膜１２を形成する。第２の電解メッキ膜１２は、厚さを１０μｍ〜３０μｍとする。第２の電解メッキ膜１２として、スズメッキまたはスズ合金の金属膜を形成する。
図４（ｇ）は、電解メッキ膜形成工程Ｓ６において、電解めっきを形成後に、レジストを除去するとともに、外部電極のパターン以外の金属膜を酸やアルカリ溶液を使用するウェットエッチング法や反応性ガスを使用するドライエッチング法により除去した状態を示す。これにより外部電極を形成する。
本実施例の製造方法においては、導電膜４の側面は露出している。また、第１の電界メッキ膜１及び第２の電界メッキ膜２の側面も露出している。
図５は、本発明に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。電子素子ＭＥＭＳを実装した電子デバイスを製造する具体例である。なお、本実施形態は、多数の窪みが形成されるガラスウエハーと、多数の電子素子が実装されるガラスウエハーとを重ね合わせて接合し、多数の電子デバイス１を同時に形成する製造方法である。同一の工程には同一の符号を付している。
ベース基板に実装する電子素子はＭＥＭＳなどの素子である。蓋体形成工程Ｓ２０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハーを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ２１においてガラスウエハーを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、窪み形成工程Ｓ２２において、各電子デバイスが形成される領域の中央部に加熱プレスの型成形により窪みを形成する。次に、研磨工程Ｓ２３において、窪みの周囲の上端面を平坦な鏡面に研磨加工する。次に、接合材堆積工程Ｓ２４において、窪みを形成した表面にスパッタリング法又は蒸着法により、例えばアルミニウムからなる接合材を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで堆積する。次に、パターン形成工程Ｓ２５において、フォトリソグラフィ及びエッチング法により、窪み周囲の上端面以外の表面から接合材を除去する。このようにしてガラスウエハーからなる蓋体を形成する。
電子素子作成工程Ｓ３０を説明する。電子素子は、シリコン基板などにフォトリソグラフィ及びエッチング法あるいはダイシングにより外形形状に加工する。
ベース基板形成工程Ｓ４０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハーを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ４１においてガラスウエハーを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、貫通電極形成工程Ｓ１において、加熱プレスの型成形により、或いは表面にマスクを設置後にエッチング処理あるいはサンドブラストにより研削してガラスウエハーの板厚方向に貫通孔を形成する。次に、この貫通孔に鉄−ニッケル系合金からなる貫通電極を埋め込む。次に、研削工程Ｓ４２において、貫通電極の両端部及びガラスウエハーの両面を研磨して平坦化し、貫通電極の端面を露出させてベース基板を形成する。次に、配線電極形成工程Ｓ４３において、スパッタリング法あるいは蒸着法によりベース基板の一方の表面に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチング法によりパターニングして配線電極を形成する。
次に、電子素子実装工程Ｓ２において、電子素子をベース基板の一方の表面に実装する。実装の際に、ベース基板の配線電極に導電性接着剤又は金属バンプを設置し、その上に電子素子の電極を接合してベース基板上に電子素子を固定する。これにより、貫通電極と電子素子とを電気的に接続する。このように多数の電子素子が実装されるガラスウエハーからなるベース基板を形成する。
次に、重ね合わせ工程Ｓ１１において、蓋体の各窪みに電子素子が収容されるように蓋体をベース基板の上に載置し、上下方向から押圧する。次に、蓋体設置工程Ｓ３において、ベース基板及び蓋体を２００℃以上の温度に加熱し、蓋体の接合材を陽極にベース基板を陰極にして数百Ｖの電圧を印加し、接合材を介してベース基板と蓋体とを接合する。接合の際には周囲を真空に保持する。
次に、導電膜形成工程Ｓ４において、ベース基板の他方の表面に蒸着法又はスパッタリング法によりニッケルからなる導電膜を堆積する。次に、電極パターン形成工程Ｓ５により、感光性樹脂膜を用いて電極パターンを形成する導電膜にレジストフィルム等を貼り付け露光・現像を行い、電解めっきを形成する導電膜４の領域以外にマスクを形成する。なお、印刷法によりマスクを形成してもよい。その後、マスクを除去して貫通電極の端面とその周囲の表面に導電膜による電極パターンを形成する。
次に、電解メッキ膜形成工程Ｓ６において、導電膜の表面に電解メッキ法により第１の電解メッキ膜１１及び第２の電解メッキ膜１２を堆積して外部電極を形成する。
めっきを形成後にレジスト除去及びパターン以外のスパッタや蒸着膜形成した金属膜を酸やアルカリ溶液をしようするウェットエッチングや反応性ガスを使用するドライエッチング法により除去する。
次に、切断工程Ｓ１２において、接合体の表面にスクライブ線を設け、切断刃を押し当てて割断する、あるいはダイシングブレードやダイシングソーを用いて分割し、個々の電子デバイス１を得る。次に、電気特性検査工程Ｓ１３において、電子デバイス１の共振周波数や共振抵抗値等を測定して検査する。
なお、電子デバイスの製造方法は、本実施例に限らず、種々の方法を採用することができる。
１ 電子デバイス
２ ベース基板
３ 貫通電極
４ 導電膜
５ 電子素子
６ 蓋体
８ 配線電極
９ 接合材
１０ 金属バンプ
１１ 第１の電解メッキ膜
１２ 第２の電解メッキ膜
１３ 外部電極
１５ 電極パターン
１６ パターンマスク（外部電極反転パターン）
ＵＳ 一方の表面
ＬＳ 他方の表面

Claims (6)

  1. 複数の貫通電極が形成される絶縁性のベース基板と、
    前記貫通電極と電気的に接続し、前記ベース基板の一方の表面に実装される電子素子と、
    前記電子素子を収容し前記ベース基板の前記一方の表面に接合される蓋体と、
    前記ベース基板の他方の表面に露出する前記貫通電極の端面から前記端面の周囲の前記他方の表面まで覆う外部電極と、を備え、
    前記外部電極は、前記端面から前記端面の周囲の前記他方の表面まで覆う導電膜と、前記導電膜の表面に電解メッキ法により形成される第１の電解メッキ膜と、前記第１の電解メッキ膜の表面に電解メッキ法により形成される第２の電解メッキ膜とを有し、
    前記第２の電解メッキ膜は、スズ又はスズ合金で形成されることを特徴とする電子デバイス。
  2. 前記第１の電解メッキ膜はニッケル膜又は銅膜で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
  3. 前記貫通電極は鉄−ニッケル系合金で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
  4. 前記導電膜の側面は露出していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  5. 前記第１の電解メッキ膜は１μｍ〜３μｍの厚さである請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  6. 前記第２の電解メッキ膜は１０μｍ〜３０μｍの厚さである請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイス。
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