JP2015082810A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015082810A5
JP2015082810A5 JP2013221195A JP2013221195A JP2015082810A5 JP 2015082810 A5 JP2015082810 A5 JP 2015082810A5 JP 2013221195 A JP2013221195 A JP 2013221195A JP 2013221195 A JP2013221195 A JP 2013221195A JP 2015082810 A5 JP2015082810 A5 JP 2015082810A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
output signal
power supply
potential
switching element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013221195A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015082810A (ja
JP6065808B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2013221195A external-priority patent/JP6065808B2/ja
Priority to JP2013221195A priority Critical patent/JP6065808B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to US14/293,326 priority patent/US9685862B2/en
Priority to DE201410217267 priority patent/DE102014217267A1/de
Priority to CN201410504762.5A priority patent/CN104578719B/zh
Publication of JP2015082810A publication Critical patent/JP2015082810A/ja
Publication of JP2015082810A5 publication Critical patent/JP2015082810A5/ja
Publication of JP6065808B2 publication Critical patent/JP6065808B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US15/493,840 priority patent/US9800130B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (16)

  1. 電源電位と基準電位の間に直列に接続された第１及び第２の抵抗を有し、前記第１及び第２の抵抗の接続点の電位を出力する抵抗分圧回路と、
    一端が前記電源電位に接続された第３の抵抗と、前記第３の抵抗の他端と前記基準電位の間に接続されたコンデンサとを有し、前記第３の抵抗と前記コンデンサの接続点の電位を出力する過渡応答検出回路と、
    前記抵抗分圧回路の出力信号と前記過渡応答検出回路の出力信号をＡＮＤ演算するＡＮＤ回路と、
    前記ＡＮＤ回路の出力信号によりスイッチングが制御される出力回路とを備えることを特徴とする半導体装置。
  2. 電源電位と基準電位の間に直列に接続された第１及び第２の抵抗を有し、前記第１及び第２の抵抗の接続点の電位を出力する抵抗分圧回路と、
    一端が前記電源電位に接続された第３の抵抗と、前記第３の抵抗の他端と前記基準電位の間に接続されたコンデンサとを有し、前記第３の抵抗と前記コンデンサの接続点の電位を出力する過渡応答検出回路と、
    前記抵抗分圧回路の出力信号を反転する第１のインバータと、
    前記過渡応答検出回路の出力信号を反転する第２のインバータと、
    前記第１のインバータの出力信号をリセット端子で入力し、前記第２のインバータの出力信号をセット端子で入力するフリップフロップ回路と、
    前記第１のインバータの出力信号と前記フリップフロップ回路の出力信号をＮＯＲ演算するＮＯＲ回路と、
    前記ＮＯＲ回路の出力信号によりスイッチングが制御される出力回路とを備えることを特徴とする半導体装置。
  3. 前記ＮＯＲ回路は、前記第１のインバータの出力信号と前記フリップフロップ回路の出力信号と前記第２のインバータの出力信号をＮＯＲ演算することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  4. 前記フリップフロップ回路の出力信号を遅延させる遅延回路と、
    前記遅延回路の出力信号と前記第１のインバータの出力信号をＯＲ演算して前記フリップフロップ回路の前記リセット端子に入力させるＯＲ回路とを更に備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  5. 前記コンデンサは高耐圧ＭＯＳ素子により構成されることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置。
  6. トーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子及びローサイドスイッチング素子と、
    前記ハイサイドスイッチング素子を制御するハイサイド制御回路と、
    前記ローサイドスイッチング素子を制御するローサイド制御回路と、
    前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子の接続点の電位を前記基準電位とし、前記出力回路の出力電圧を前記ハイサイド制御回路に電力供給する請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置とを備えることを特徴とする半導体モジュール。
  7. 前記半導体装置と前記ハイサイド制御回路の間に接続されたダイオードを更に備えることを特徴とする請求項６に記載の半導体モジュール。
  8. 前記ハイサイド制御回路に電力供給するブートストラップ回路を更に備えることを特徴とする請求項７に記載の半導体モジュール。
  9. ＡＣ電源から整流回路でＤＣ変換した電圧を入力し、絶縁された第１及び第２の絶縁電源を構成する電源回路を更に備え、
    前記第１の絶縁電源が前記ブートストラップ回路のコンデンサを充電し、
    前記第２の絶縁電源が前記半導体装置に前記電源電位を供給することを特徴とする請求項８に記載の半導体モジュール。
  10. 前記電源回路は、ＰＮ間電圧を降圧して絶縁する第４の抵抗を有することを特徴とする請求項９に記載の半導体モジュール。
  11. 前記電源回路はフォワード方式であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体モジュール。
  12. 前記電源回路はフライバック方式であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体モジュール。
  13. 前記ハイサイド制御回路及び前記ローサイド制御回路を１チップのＩＣで構成することを特徴とする請求項６〜１２の何れか１項に記載の半導体モジュール。
  14. 前記ハイサイド制御回路、前記ローサイド制御回路、前記半導体装置、前記ブートストラップ回路、及び前記ダイオードを１チップのＩＣで構成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体モジュール。
  15. 前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子の半導体の一部又は全てがＳｉＣ又はＧａＮであることを特徴とする請求項６〜１４の何れか１項に記載の半導体モジュール。
  16. 前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子は逆並列ダイオード機能を持つＲＣ−ＩＧＢＴであることを特徴とする請求項６〜１５の何れか１項に記載の半導体モジュール。
JP2013221195A 2013-10-24 2013-10-24 半導体装置及び半導体モジュール Active JP6065808B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013221195A JP6065808B2 (ja) 2013-10-24 2013-10-24 半導体装置及び半導体モジュール
US14/293,326 US9685862B2 (en) 2013-10-24 2014-06-02 Semiconductor device and semiconductor module
DE201410217267 DE102014217267A1 (de) 2013-10-24 2014-08-29 Halbleitervorrichtung und Halbleitermodul
CN201410504762.5A CN104578719B (zh) 2013-10-24 2014-09-26 半导体装置以及半导体模块
US15/493,840 US9800130B2 (en) 2013-10-24 2017-04-21 Semiconductor device and semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013221195A JP6065808B2 (ja) 2013-10-24 2013-10-24 半導体装置及び半導体モジュール

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015082810A JP2015082810A (ja) 2015-04-27
JP2015082810A5 true JP2015082810A5 (ja) 2016-03-03
JP6065808B2 JP6065808B2 (ja) 2017-01-25

Family

ID=52811968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013221195A Active JP6065808B2 (ja) 2013-10-24 2013-10-24 半導体装置及び半導体モジュール

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9685862B2 (ja)
JP (1) JP6065808B2 (ja)
CN (1) CN104578719B (ja)
DE (1) DE102014217267A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9525411B2 (en) * 2014-11-13 2016-12-20 Analog Devices, Inc. Power supply circuits for gate drivers
JP6370279B2 (ja) * 2015-09-09 2018-08-08 三菱電機株式会社 ブートストラップ補償回路およびパワーモジュール
JP6519713B2 (ja) * 2016-08-09 2019-05-29 富士電機株式会社 電力変換装置
WO2019145040A1 (en) * 2018-01-25 2019-08-01 Renesas Electronics Corporation Controlling a high-side switching element using a bootstrap capacitor
CN109768727B (zh) * 2019-03-19 2020-10-30 广东美的制冷设备有限公司 功率器件及电器
CN110620493A (zh) * 2019-10-25 2019-12-27 南京埃斯顿自动化股份有限公司 一种高位补能型自举电路及其控制方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573614A (en) * 1968-04-26 1971-04-06 Us Army Transient voltage indicating, measuring, and counting circuit
JPS6013390B2 (ja) * 1978-09-04 1985-04-06 株式会社日立製作所 電力変換装置の制御装置
CA1282464C (en) * 1985-10-23 1991-04-02 Masanori Ienaka Phase-locked oscillator
JPS62286311A (ja) * 1986-06-05 1987-12-12 Hiriosu Kk パルス処理回路
JPH04177911A (ja) * 1990-11-09 1992-06-25 Nec Corp 波形補正回路
US5148051A (en) 1990-12-14 1992-09-15 Dallas Semiconductor Corporation Power up circuit
JPH08293769A (ja) * 1995-04-24 1996-11-05 Nec Corp 半導体集積回路
US5557579A (en) * 1995-06-26 1996-09-17 Micron Technology, Inc. Power-up circuit responsive to supply voltage transients with signal delay
JPH09186570A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Fujitsu Ltd 差動型電流スイッチ回路及びこれを用いたｄ／ａ変換回路並びに過渡応答低減方法
US6100814A (en) * 1996-05-07 2000-08-08 Lear Automotive Dearborn, Inc. Remote control wake up detector system
US6670109B2 (en) * 2001-08-29 2003-12-30 Micron Technology, Inc. Photolithographic methods of using a single reticle to form overlapping patterns
US6850401B2 (en) * 2002-05-28 2005-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. DC-DC converter
JP4113491B2 (ja) 2003-12-15 2008-07-09 三菱電機株式会社 半導体装置
US7081741B2 (en) * 2004-06-15 2006-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multi-output power supply and electronic device using them
JP2006018774A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Seiko Instruments Inc ボルテージレギュレータ
JP2006178539A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Freescale Semiconductor Inc 過電流保護回路及び直流電源装置
JP4504222B2 (ja) * 2005-02-21 2010-07-14 矢崎総業株式会社 過電流検出装置
JP4701763B2 (ja) * 2005-03-15 2011-06-15 サンケン電気株式会社 直流変換装置
CN101079571B (zh) * 2006-05-23 2010-05-12 崇贸科技股份有限公司 用于功率转换器的预测电感器的放电时间的方法和装置
EP1919082B1 (en) * 2006-10-30 2009-12-02 Infineon Technologies Austria AG Circuit arrangement and methods for driving a high-side semiconductor switch
DE102007027505B3 (de) * 2007-06-11 2009-01-08 Minebea Co., Ltd. Ansteuerschaltkreis für einen High-Side-Halbleiterschalter zum Schalten einer Versorgungsspannung
US7705579B1 (en) * 2008-01-14 2010-04-27 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for faster unloading of transient response in a synchronous buck switching regulator
US8242762B2 (en) * 2008-05-12 2012-08-14 Cosmic Circuits Private Limited Transient recovery circuit for switching devices
JP4686579B2 (ja) * 2008-07-30 2011-05-25 株式会社日立製作所 電源装置
JP5283078B2 (ja) * 2009-01-13 2013-09-04 セイコーインスツル株式会社 検出回路及びセンサ装置
US8829872B1 (en) * 2009-07-15 2014-09-09 Infineon Technologies Austria Ag Systems and methods for dropping and/or adding phases in multiphase regulators
JP5573454B2 (ja) * 2009-11-26 2014-08-20 富士電機株式会社 力率改善型スイッチング電源装置
JP5359918B2 (ja) * 2010-02-16 2013-12-04 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5499877B2 (ja) 2010-04-23 2014-05-21 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US20120063045A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Intersil Americas Inc. Detecting and selectively ignoring power supply transients
JP2011142815A (ja) * 2011-04-18 2011-07-21 Toshiba Corp コンバータの制御回路
JP5678917B2 (ja) 2012-04-18 2015-03-04 トヨタ自動車株式会社 摺動部材とその製造方法
JP6024188B2 (ja) * 2012-05-07 2016-11-09 富士電機株式会社 電源装置の制御回路
US9899913B2 (en) * 2014-01-10 2018-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Dual-mode switching D.C.-to-D.C. converter and method of controlling the same
JP6439409B2 (ja) * 2014-11-27 2018-12-19 富士電機株式会社 スイッチング電源装置
US9685863B2 (en) * 2014-12-31 2017-06-20 Texas Instruments Incorporated Fast mode transitions in a power converter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015082810A5 (ja)
JP6402591B2 (ja) 半導体装置
JP2017529046A5 (ja)
JP2015116077A5 (ja)
JP2016208080A5 (ja)
JP6065808B2 (ja) 半導体装置及び半導体モジュール
TWI528701B (zh) 具有相位自我檢測的多相式升壓轉換器及其檢測電路
TWI242928B (en) Electronic circuit using normally-on junction field effect transistor
TW201300792A (zh) 電源檢測電路及具有該電源檢測電路之電源電路
JP5619673B2 (ja) スイッチング回路及び半導体モジュール
CN105811949A (zh) 双向晶闸管触发节流电路及其触发电路
JP2016052198A5 (ja)
Ren et al. Analysis of series SiC MOSFETs stack using a single standard gate driver
TWI547083B (zh) 電源轉換器的控制電路及相關方法
JP2014107872A5 (ja)
US9762118B2 (en) Lossless snubber circuit and operation method thereof
TW201619730A (zh) 電源電路及應用該電源電路的電子裝置
RU2016119940A (ru) Схема защиты для полупроводникового переключающего элемента и устройство преобразования мощности
TW201611484A (zh) 多相電源電路
WO2017088566A1 (zh) 一种无刷直流电机的保护电路和控制装置
JP2018152974A (ja) フォワード方式の双方向ｄｃ−ｄｃコンバータ
US9755498B2 (en) Semiconductor device, and inverter, converter and power conversion device employing the same
JP2016127363A (ja) 信号出力回路
US20190253049A1 (en) Power supply control apparatus
JP2017117763A (ja) タイマ装置