JP2015056483A - 窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造 - Google Patents

窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造 Download PDF

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Abstract

【課題】窒化物半導体混晶の高速成長と結晶性の両立を図る。
【解決手段】Al元素および/またはその化合物とIn元素および/またはその化合物を含むIII族原料と、窒素元素および/またはその化合物を含む窒素原料とを基板100上に供給することで、少なくとも一層以上の窒化物半導体混晶膜102を気相成長させる窒化物半導体混晶の製造方法であって、少なくとも一層以上の窒化物半導体混晶膜102の成長過程において、III族原料と窒素原料とを混合させてから基板100に到達させるまでの時間が0.05秒以下である。
【選択図】図2

Description

本発明は、窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造に関するものである。
従来より、GaN層とヘテロ接合を形成する際に、AlNとInNとの混晶であるAlInN層をGaN層上に積層成長させる方法が広く知られている。AlInNはIn組成を0.18程度とすることで、GaNと略格子整合する。よって、成膜時に転位等の結晶欠陥が混入しにくくなり、結晶性の高いヘテロ接合構造が得られる。特許文献1には、GaN層とAlInN層を交互に積層したGaN/AlInNヘテロ接合構造が示されている。そして、AlInN層は約140nm/hと成長速度を遅くすることで、更なる高品質化を図っている。
特開2011−501398号公報
しかしながら、AlInN層の成長速度を低下させると、成膜に多大な時間が必要となり、製造コストの増大が避けられないという問題点があった。
本発明は、上記従来の実情に鑑みてなされたものであって、AlとInを含む窒化物半導体混晶の高速成長と高品質化の実現を目的としている。
第1の発明の窒化物半導体混晶の製造方法は、
Al元素および/またはその化合物とIn元素および/またはその化合物を含むIII族原料と、窒素元素および/またはその化合物を含む窒素原料とを基板上に供給することで、少なくとも一層以上の窒化物半導体混晶膜を気相成長させる窒化物半導体混晶の製造方法であって、
少なくとも一層以上の前記窒化物半導体混晶膜の成長過程において、前記III族原料と前記窒素原料とを混合させてから前記基板に到達させるまでの時間が0.05秒以下であることを特徴とする。
第2の発明の窒化物半導体多層構造は、
第1の発明の窒化物半導体混晶の製造方法によって作製されたAlInN層と、GaN層とを具備することを特徴とする。
第1の発明によれば、AlとInを含む窒化物半導体混晶の高速成長と高品質化を実現できる。また、高速成長の実現に伴って、窒化物半導体混晶の製造工数及びコストを大幅に削減することが可能となる。
第2の発明によれば、AlInN層とGaN層を具備する高品質な窒化物半導体多層構造が得られ、電子デバイスや発光デバイス用途に有用である。
実施例1に係るAlInN結晶を示す断面図である。 実施例1に係るAlInN結晶作製時における成長速度と原料到達時間との関係を示す図である。 実施例1に係るAlInN結晶の表面SEM像を示す図である。(a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれサンプル1〜4の表面SEM像を示す。 実施例1に係るAlInN結晶の表面AFM像を示す図である。(a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれサンプル1〜4の表面AFM像を示す。 実施例1に係るAlInN結晶のX線回折パターンを示すグラフである。(a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれサンプル1〜4のX線回折パターンを示す。 実施例1に係る青紫色面発光レーザを示す断面図である。
本発明における好ましい実施の形態を説明する。
第1の発明の窒化物半導体混晶の製造方法は、
前記III族原料と前記窒素原料とを混合させてから前記基板に到達させるまでの時間が0.02秒以下であることが好ましい。
この構成によれば、より高速成長が実現されるので、原料利用効率が向上し、製造コストが一層低減できる。
第2の発明の窒化物半導体多層構造は、
前記AlInN層のIn組成は0.15〜0.20であることが好ましい。
この構成によれば、GaN層と略格子整合するので、その上層において転位等の結晶欠陥が混入しにくくなる。よって、更に高品質な窒化物半導体多層構造が得られ、電子デバイスや発光デバイス用途に一層有用である。
次に、第1の発明の窒化物半導体混晶の製造方法と、第2の発明の窒化物半導体多層構造を具体化した実施例1について、図面を参照しつつ説明する。
<実施例1>
図1に示される構造のAlInN結晶(窒化物半導体混晶)のサンプル1〜4を以下の手順で作製した。AlInN結晶はGaN基板100と、アンドープGaN下地層101と、AlInN層(窒化物半導体混晶膜)102とを備えている。GaN基板100には、サファイア基板上に低温堆積バッファ層を介してGaN層を成膜したサファイア上GaN基板を用いた。また、GaN基板100上への各窒化物半導体層の成膜にはMOCVD(有機金属気相成長)法を用いた。
AlInN結晶の作製工程について説明する。まず、表面をGa面としたGaN基板100を、MOCVD装置の反応炉内にセットした。その後、反応炉内に水素とアンモニアを流しながら昇温することで、GaN基板100表面のサーマルクリーニングを行った。次に、基板温度を1050℃に昇温し、キャリアガスである水素と、原料であるTMGa(トリメチルガリウム)とアンモニアとを反応炉内に供給することで、GaN基板100上に+c軸に配向した高品質なアンドープGaN下地層101を約500nm成長させた。
更に、基板温度を780℃まで降温し、キャリアガスである窒素と、原料であるTMAl(トリメチルアルミニウム)とTMIn(トリメチルインジウム)と、アンモニアとを流し、アンドープ下地GaN層101上にAlInN層102を約50nm成長させた。AlInN層102におけるIn組成は0.15〜0.20とした。この時、表1に示されるように、サンプル1〜4において、原料供給ノズルからGaN基板100までの距離と、成長圧力と、ガス流速との条件振りを行った。そして、これらの3パラメータから算出される原料到達時間を0.02秒から0.13秒まで4水準で変化させて成膜を行った。原料到達時間は、III族原料と窒素原料とを混合した時間を起点とし、それらがGaN基板100上にまで到達する時間で定義され、以下に示される数式1に基づいて算出される。
サンプル1の成膜条件は、表1に示すように、基板100までの距離が6cmであり、成長圧力が100mbarであり、ガス流速(ガス流速とは反応炉内に供給されるすべてのガスの大気圧時の流速を指す)が34cm/秒であり、これらから算出される原料到達時間は0.02秒である。サンプル2の成膜条件は、表1に示すように、基板100までの距離が6cmであり、成長圧力が200mbarであり、ガス流速が34cm/秒であり、これらから算出される原料到達時間は0.05秒である。サンプル3の成膜条件は、表1に示すように、基板100までの距離が6cmであり、成長圧力が400mbarであり、ガス流速が34cm/秒であり、これらから算出される原料到達時間は0.07秒である。サンプル4の成膜条件は、表1に示すように、基板までの距離が10.5cmであり、成長圧力が150mbarであり、ガス流速が12cm/秒であり、これらから算出される原料到達時間は0.13秒である。
次に、原料到達時間を0.05秒以下として作製したサンプル1、2と、原料到達時間を0.4秒より長い時間として作製した比較例のサンプル3、4の評価結果を示す。
図2には、サンプル1〜4のAlInN層102の成長速度と原料到達時間の関係について示してある。図2からわかるように、原料到達時間を0.05秒以下としたサンプル1、2については原料供給効率が上昇し、成長速度が250nm/h以上と高速成長が実現できていることがわかる(白塗のマーカー)。原料到達時間を0.02秒以下としたサンプル2については更に原料供給効率が上昇し、成長速度が300nm/hとなっている。また、後述するように、サンプル1、2はAlInN層102における表面平坦性も良好であった。原料到達時間をそれぞれ0.07秒、0.13秒としたサンプル3、4については成長速度が200nm/h程度であり、サンプル1、2に比べて成長速度が低下した(黒塗のマーカー)。また、後述するように、AlInN層における表面平坦性がサンプル1、2に比べて悪化していた。
図3(a)〜(d)に、サンプル1〜4のAlInN結晶の走査型電子顕微鏡による表面像(表面SEM像)をそれぞれ示す。原料到達時間が0.05秒より長いサンプル3、4については、図3(c)、(d)に示すように、AlInN層102の表面全体に微小な凹凸が確認され、表面平坦性が悪化していることが確認される。一方で、原料到達時間が0.05秒以下のサンプル1、2については、図3(a)、(b)に示すように、AlInN層102の表面には凹凸が略確認されず、表面平坦性が良好であり、高速成長させているにも関わらず高品質なAlInN結晶が得られていることがわかる。
更に微視的な表面平坦性を観察する為に、サンプル1〜4のAlInN結晶の原子間力顕微鏡による表面像(表面AFM像)を取得した(図4)。原料到達時間が0.05秒より長いサンプル3、4については、図4(c)、(d)に示すように、AlInN層102の表面には、表面SEM像同様に、微小な凹凸が確認され、表面平坦性が悪化していることがわかる。一方で、原料到達時間が0.05秒以下のサンプル1、2については、図4(a)、(b)に示すように、AlInN層102の表面には原子層ステップが確認される。よって、二次元的な層成長が実現され、それに伴って、表面平坦性が向上していることがわかる。
次に、サンプル1〜4のAlInN結晶の結晶性をより詳しく評価すべく、X線回折測定(XRD:2θ/ωスキャン)を行った。図5に示されるグラフは、横軸が回転角度(2θ/ω)であり、縦軸がX線回折強度である。また、各強度曲線は、その形状の違いが明瞭にわかるように、ゼロ点を変更してプロットしてある。サンプル1〜4はいずれにおいても下地のアンドープGaN下地層101の(0002)に起因する強いピークが観測される。そして、その高角度側において、矢印で示されるAlInN層102の(0002)に起因するピークが観測される。AlInN層102の(0002)に起因するピークについては、原料到達時間が0.05秒以下のサンプル1、2の半値幅が一番狭くなっている。更に、サンプル1、2についてはアンドープGaN下地層101とAlInN層102の積層に起因する干渉フリンジが確認される。よって、原料到達時間が0.05秒以下のサンプル1、2のAlInN結晶は良好な結晶性が得られていることがX線回折測定結果からも明らかである。
図6に示される構造の青紫色面発光レーザ(窒化物半導体多層構造)を以下の手順で作製した。基板にはAlInN結晶と同様のGaN基板100を用いた。また、GaN基板100上への各窒化物半導体層の成膜にはMOCVD法を用いた。
青紫色面発光レーザの作製工程について説明する。まず、表面をGa面としたGaN基板100を、MOCVD装置の反応炉内にセットした(窒化物半導体層を積層させたGaN基板100を以下ではウエハと称する)。その後、反応炉内に水素とアンモニアを流しながら昇温することで、GaN基板100表面のサーマルクリーニングを行った。次に、基板温度を1050℃に昇温し、キャリアガスである水素と、原料であるTMGaとアンモニアとを流すことで、GaN基板100上に高品質なアンドープGaN下地層103を約500nm成長させた。
次に、アンドープGaN下地層103上に、約410nmを反射中心波長とする窒化物半導体多層膜反射鏡層104を以下に示すように形成する。まず、基板温度を780℃とし、キャリアガスである窒素と、原料であるTMAlとTMInと、アンモニアを反応炉内に供給することで、アンドープGaN下地層103上にAlInN層102を約50nm形成した。この時、上述の原料到達時間は0.02秒とし、AlInN層102の成長速度は約300nm/hとした。AlInN層102におけるIn組成はGaNと格子整合する0.15〜0.20とした。そして、基板温度を780℃に維持し、キャリアガスである窒素と、原料であるTMGaとアンモニアを反応炉内に供給することで、AlInN層102上にGaN層201を約40nm形成した。このAlInN層102とGaN層201を交互に40ペア積層させて、窒化物半導体多層膜反射鏡層104をアンドープGaN下地層103上に形成した。
次に、七波長共振器構造を積層形成すべく、窒化物半導体多層膜反射鏡104上に約1000nmのn型GaN層105を成長させた。n型不純物原料ガスにはSiH4(シラン)を用いた。n型GaN層105中には、n型不純物であるSiを1×1019cm-3の濃度でドーピングした。その後、n型GaN層105上に、約3nmのGaInN量子井戸層301と、約6nmのGaNバリア層302を1ペアとし、2.5ペア形成することで、GaInN三重量子井戸活性層106を積層成長させた。GaInN量子井戸層301におけるIn組成は約0.10とすることで405〜410nmの波長で発光する。その後、GaInN三重量子井戸活性層106(GaInN量子井戸層301)上に、図示しないアンドープGaNバリア層とp型AlGaN電子ブロック層と、p型GaN層107をそれぞれ約10nm、約20nm、約90nm成長させた。p型不純物原料ガスにはCP2Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた。p型GaN層107中には、p型不純物であるMgを2×1019cm-3の濃度でドーピングした。最後に、p型GaN層107上に、p型GaNコンタクト層108を約10nm成長させた。p型GaNコンタクト層108中には、p型不純物であるMgを2×1020cm-3の濃度でドーピングした。これにより、図6に示すように、トータルの膜厚が約2.3μmの七波長共振器が窒化物半導体多層膜反射鏡104上に形成される。
次に、電流注入を行う為のp側、n側電極を以下に示すように形成する。まず、周知のフォトリソグラフィ及びドライエッチングプロセスにより、ウエハに50μm径のメサを形成した。この時、メサ以外の部分は、n型GaN層105の表面が露出するまでドライエッチングを行った。続いて、ドライエッチング後のウエハ上に、蒸着又はスパッタリングにより、SiO膜109を約20nm堆積させた。その際、リフトオフにより、SiO2膜109の中央部に10μm径の開口部と、上記メサの外側に図示しないリング状開口部を形成した。これにより、10μm径の開口部からはp型GaNコンタクト層108が露出し、リング状開口部からはn型GaN層105が露出する。次に、開口部より露出しているp型GaNコンタクト層108上に、電流狭窄を兼ねるp側コンタクト電極として、ITO透明電極tCを約20nm成長させた。そして、図示はしないが、ITO透明電極tCの外周部に接触する外周部と、ワイヤボンディングの為のパッド部を有するTi/Al/Ti/Au電極を形成することでp側電極を形成した。一方で、図示はしないが、リング状開口部より露出しているn型GaN層105上に、n側電極として、Ti/Al/Ti/Au電極を形成した。このp側、n側電極を形成することで、七波長共振器に対して電流注入が可能となる。
最後に、ITO透明電極tC上に、約410nmを反射中心波長とする8ペアのSiO層401/ZrO層402の誘電体多層膜反射鏡層110を積層すれば、図6に示すように一対の多層膜反射鏡104、110の間に七波長共振器を有する青紫色窒化物半導体面発光レーザが完成する。
次に本実施例の作用について説明する。
原料到達時間が短いと成長速度が速いにも関わらず、良好なAlInN結晶が得られる理由は次の通りである。AlGaNの成膜において、原料であるTMAlとアンモニアが反応する際に、AlGaNの成長を阻害する中間生成物が形成されることが広く知られている。本発明のAlInN結晶の作製においても同様にTMAlとアンモニアによってAlInNの成長に寄与しない寄生反応によって中間生成物が発生していることが想定される。よって、原料を混合してから、基板にまで到達させる時間を短くすることで、寄生反応が発生しにくくなり、それに伴って中間生成物の発生が抑制されていると考えられる。
更に、中間生成物の発生が少ないので、中間生成物がGaN基板100表面上へ到達することも抑制される。その結果、中間生成物によって基板表面の原料原子のマイグレーションが妨害されるという事態を十分に抑制でき、それに伴って表面平坦性の劣化や結晶性の悪化が大幅に抑制されると考えられる。原料到達時間が短いと、図4に示されるようなAlInN層102の表面に原子層のステップフローが確認されることからそれが裏付けられる。また、図5に示されるAlInN層102の(0002)に起因するX線回折ピークの半値幅が、原料到達時間が0.05秒以下である場合に狭いことからも裏付けられる。
次に、本実施例の効果について説明する。
本実施例によれば、MOCVD法により、GaN基板100上にAlInN層102を成膜する際に、III族原料であるTMAlとTMInと窒素原料であるアンモニアとを混合させてからGaN基板100に到達させるまで時間(原料到達時間)を0.05秒以下とした。これにより、III族元素原料と窒素原料との寄生反応による中間生成物の発生が抑制されて基板への原料供給効率が向上し、良好な結晶性を有するAlInN結晶を高速に成長させることが可能となる。また、高速成長の実現に伴って、AlInN結晶の製造コストを大幅に低減することが可能となる。
また、原料到達時間を0.02秒以下とすることで、更に原料供給効率が向上し、製造コストを一層削減できる。
また、上述の作製方法を青紫色面発光レーザの作製に適用することで、AlInN層102/GaN層201を40ペア積層することで作製される反射鏡構造を短時間で形成することが可能となる。これにより、デバイスの性能を劣化させることなく、製造工数やコストを大幅に削減することが可能となる。
AlInN層102におけるIn組成を0.15〜0.20とすることにより、GaN層201と略格子整合するので、反射鏡構造より上層において結晶性が劣化を抑制することが可能となる。よって、デバイス特性の向上を一層図ることが可能となる。
本実施例によれば、AlとInを含む窒化物半導体混晶の高品質化と高速成長の両立を図ることが可能となる。
<他の実施例>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施例1に限定されるものではなく、例えば次のような実施例も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記実施例1では、基板にサファイア上GaN基板を用いたが、これに限らず、GaN自立基板や、SiC上GaN基板や、ZnO上GaN基板、AlN基板等を用いても良い。
(2)上記実施例1では、窒化物半導体混晶膜にAlInN層を用いたが、これに限らず、AlとInを含んでいればよく、例えばAlGaInN層、AlInBN層、AlGaInBN層等であっても良い。
(3)上記実施例1では、窒化物半導体混晶膜をMOCVD法により成膜したが、これに限らず、HVPE法やMBE法、スパッタリング法等で成膜しても良い。
(4)上記実施例では、AlInN層のIn組成を0.15〜0.20としたが、これに限らず、0.15未満乃至0.20より大きくても良い。
(5)上記実施例1では、窒化物半導体多層構造として、青紫色面発光レーザを例示したが、これに限らず、他の発光デバイスやGaN/AlInNヘテロ接合構造を用いたHEMTなどの電子デバイスであっても良い。
(6)上記実施例1では、III族原料にTMAlとTMInを用いたが、これに限らず、TEAl(トリエチルアルミニウム)やTEIn(トリエチルインジウム)等を用いても良い。
(7)上記実施例1では、窒素原料にアンモニアを用いたが、これに限らず、窒素元素やその他の窒素化合物であっても良い。
(8)上記実施例1では、窒化物半導体混晶膜はアンドープ層としたが、これに限らず、n型不純物やp型不純物がドーピングされていても良い。
(9)上記実施例1では、窒化物半導体混晶膜を+c軸方向に配向させて成膜したが、これに限らず、a軸方向やm軸方向に配向させて成膜しても良い。
100…GaN基板(基板)
102…AlInN層(窒化物半導体混晶膜)
201…GaN層

Claims (4)

  1. Al元素および/またはその化合物とIn元素および/またはその化合物を含むIII族原料と、窒素元素および/またはその化合物を含む窒素原料とを基板上に供給することで、少なくとも一層以上の窒化物半導体混晶膜を気相成長させる窒化物半導体混晶の製造方法であって、
    少なくとも一層以上の前記窒化物半導体混晶膜の成長過程において、前記III族原料と前記窒素原料とを混合させてから前記基板に到達させるまでの時間が0.05秒以下であることを特徴とする窒化物半導体混晶の製造方法。
  2. 前記III族原料と前記窒素原料とを混合させてから前記基板に到達させるまでの時間が0.02秒以下であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体混晶の製造方法。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の窒化物半導体混晶の製造方法によって作製されたAlInN層と、GaN層とを具備することを特徴とする窒化物半導体多層構造。
  4. 前記AlInN層のIn組成は0.15〜0.20であることを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体多層構造。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018014444A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 学校法人 名城大学 半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子の製造方法
WO2018159531A1 (ja) 2017-02-28 2018-09-07 国立大学法人大阪大学 AlInN膜および2次元フォトニック結晶共振器とこれらの製造方法ならびに半導体発光素子
JP2021048427A (ja) * 2021-01-04 2021-03-25 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子
US11469304B2 (en) 2020-01-27 2022-10-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04164895A (ja) * 1990-10-25 1992-06-10 Nichia Chem Ind Ltd 半導体結晶膜の成長方法
JPH06244110A (ja) * 1992-07-10 1994-09-02 Nec Corp 気相成長装置
JPH07297476A (ja) * 1994-04-21 1995-11-10 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置
JPH0855800A (ja) * 1994-06-09 1996-02-27 Sony Corp プラズマ発生装置
JPH11103134A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2000091701A (ja) * 1998-09-04 2000-03-31 Hewlett Packard Co <Hp> 反射鏡、半導体レーザ、反射鏡の形成方法および半導体レーザの製造方法
JP2005268495A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 National Institute Of Information & Communication Technology 窒化インジウムアルミニウム半導体の結晶成長方法
JP2010027868A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Toshiba Corp 気相成長装置及び気相成長方法
JP2013074045A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04164895A (ja) * 1990-10-25 1992-06-10 Nichia Chem Ind Ltd 半導体結晶膜の成長方法
JPH06244110A (ja) * 1992-07-10 1994-09-02 Nec Corp 気相成長装置
JPH07297476A (ja) * 1994-04-21 1995-11-10 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置
JPH0855800A (ja) * 1994-06-09 1996-02-27 Sony Corp プラズマ発生装置
JPH11103134A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2000091701A (ja) * 1998-09-04 2000-03-31 Hewlett Packard Co <Hp> 反射鏡、半導体レーザ、反射鏡の形成方法および半導体レーザの製造方法
JP2005268495A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 National Institute Of Information & Communication Technology 窒化インジウムアルミニウム半導体の結晶成長方法
JP2010027868A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Toshiba Corp 気相成長装置及び気相成長方法
JP2013074045A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018014444A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 学校法人 名城大学 半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子の製造方法
WO2018159531A1 (ja) 2017-02-28 2018-09-07 国立大学法人大阪大学 AlInN膜および2次元フォトニック結晶共振器とこれらの製造方法ならびに半導体発光素子
US11075322B2 (en) 2017-02-28 2021-07-27 Osaka University AlInN film, two-dimensional photonic crystal resonator, method for manufacturing these, and semiconductor light-emitting element
US11469304B2 (en) 2020-01-27 2022-10-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device
US11757006B2 (en) 2020-01-27 2023-09-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device
JP2021048427A (ja) * 2021-01-04 2021-03-25 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子
JP7081000B2 (ja) 2021-01-04 2022-06-06 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子

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