JP2015041062A - 4層構成の反射防止膜及びそれを有する光学素子 - Google Patents
4層構成の反射防止膜及びそれを有する光学素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015041062A JP2015041062A JP2013173437A JP2013173437A JP2015041062A JP 2015041062 A JP2015041062 A JP 2015041062A JP 2013173437 A JP2013173437 A JP 2013173437A JP 2013173437 A JP2013173437 A JP 2013173437A JP 2015041062 A JP2015041062 A JP 2015041062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- substrate
- optical element
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 142
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 118
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 98
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 26
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 24
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004965 Silica aerogel Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 399
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 44
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 16
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 15
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 13
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- -1 alcohol amines Chemical class 0.000 description 7
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 5
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJGMBLNIHDZDGS-UHFFFAOYSA-N N-Ethylaniline Chemical compound CCNC1=CC=CC=C1 OJGMBLNIHDZDGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGWJKDPTLUDSJT-UHFFFAOYSA-N diethyl dimethyl silicate Chemical compound CCO[Si](OC)(OC)OCC VGWJKDPTLUDSJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- BPMFZUMJYQTVII-UHFFFAOYSA-N guanidinoacetic acid Chemical compound NC(=N)NCC(O)=O BPMFZUMJYQTVII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBYIEMCWKLROFO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropanoic acid;pyridine Chemical compound CC(O)C(O)=O.C1=CC=NC=C1 XBYIEMCWKLROFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005690 GdF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methylaniline Chemical compound CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HITZGLBEZMKWBW-UHFFFAOYSA-N ac1n8rtr Chemical group C1CC2OC2CC1CC[Si](O1)(O2)O[Si](O3)(C4CCCC4)O[Si](O4)(C5CCCC5)O[Si]1(C1CCCC1)O[Si](O1)(C5CCCC5)O[Si]2(C2CCCC2)O[Si]3(C2CCCC2)O[Si]41C1CCCC1 HITZGLBEZMKWBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- VZTDIZULWFCMLS-UHFFFAOYSA-N ammonium formate Chemical compound [NH4+].[O-]C=O VZTDIZULWFCMLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHNXEVRKFKHMRL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanium;acetate Chemical compound CNC.CC(O)=O QHNXEVRKFKHMRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- BAONHUZQTANSBI-UHFFFAOYSA-N formic acid;methanamine Chemical compound [NH3+]C.[O-]C=O BAONHUZQTANSBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910001389 inorganic alkali salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- FHSWXOCOMAVQKE-UHFFFAOYSA-N phenylazanium;acetate Chemical compound CC([O-])=O.[NH3+]C1=CC=CC=C1 FHSWXOCOMAVQKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
Description
前記基板の屈折率が1.6〜1.9、
前記第1層の屈折率が1.37〜1.57、
前記第2層の屈折率が1.75〜2.5、
前記第3層の屈折率が1.37〜1.57、及び
前記第4層の屈折率が1.18〜1.32の範囲にあり、
前記第4層がシリカエアロゲルからなる4層構成の反射防止膜であって、
前記第1層〜第3層がAl2O3を含有しない層であることを特徴とする。
前記基板の屈折率が1.6〜1.9、
前記第1層の屈折率が1.75〜2.5、
前記第2層の屈折率が1.37〜1.57、
前記第3層の屈折率が1.75〜2.5、及び
前記第4層の屈折率が1.18〜1.32の範囲にあり、
前記第4層がシリカエアロゲルからなる4層構成の反射防止膜であって、
前記第1層〜第3層がAl2O3を含有しない層であることを特徴とする。
波長550 nmの光において、
前記基板の屈折率が1.6〜1.9、
前記第1層の屈折率が1.37〜1.57、
前記第2層の屈折率が1.75〜2.5、
前記第3層の屈折率が1.37〜1.57、及び
前記第4層の屈折率が1.18〜1.32の範囲にあり、
前記第4層がシリカエアロゲルからなる4層構成の反射防止膜を有し、
前記第1層〜第3層がAl2O3を含有しない層であることを特徴とする。
波長550 nmの光において、
前記基板の屈折率が1.6〜1.9、
前記第1層の屈折率が1.75〜2.5、
前記第2層の屈折率が1.37〜1.57、
前記第3層の屈折率が1.75〜2.5、及び
前記第4層の屈折率が1.18〜1.32の範囲にあり、
前記第4層がシリカエアロゲルからなる4層構成の反射防止膜を有し、
前記第1層〜第3層がAl2O3を含有しない層であることを特徴とする。
D1(θt) = D10 × (cosθt)α ・・・(1)
D2(θt) = D20 × (cosθt)β ・・・(2)
D3(θt) = D30 × (cosθt)γ ・・・(3)
(ただしD10、D20及びD30は、それぞれ前記レンズ基板の中心部における前記第1層、第2層及び第3層の光学膜厚を示し、α、β及びγは、それぞれ独立に0〜1の範囲の数値である。) により表されるのが好ましい。
(1)層構成
図1は、基板2と、前記基板2上に第1層3a、第2層3b、第4層3d及び第4層3dを順に設けてなる4層構成の反射防止膜3とからなる光学素子1を示す。前記反射防止膜3は、波長550 nmの光において屈折率が1.6〜1.9にある前記基板2に対して、以下の2種類の構成を有するのが好ましい。
反射防止膜3の第一の構成は、波長550 nmの光において、前記第1層3aの屈折率が1.37〜1.57、前記第2層3bの屈折率が1.75〜2.5、前記第3層3cの屈折率が1.37〜1.57、及び前記第4層3dの屈折率が1.18〜1.32の範囲にある。第1層〜第3層の屈折率をこのような構成とすることにより、Al2O3(屈折率1.64)を使用しなくても屈折率が1.6〜1.9にある前記基板2に対して優れた反射防止性を発揮することが可能になる。
反射防止膜3の第二の構成は、波長550 nmの光において、前記第1層3aの屈折率が1.75〜2.5、前記第2層3bの屈折率が1.37〜1.57、前記第3層3cの屈折率が1.75〜2.5、及び前記第4層3dの屈折率が1.18〜1.32の範囲にある。第1層〜第3層の屈折率をこのような構成とすることにより、Al2O3(屈折率1.64)を使用しなくても屈折率が1.6〜1.9にある前記基板2に対して優れた反射防止性を発揮することが可能になる。
本発明の反射防止膜は、波長550 nmの光において、1.6〜1.9の範囲に屈折率を有する基板に適用することができる。このような範囲に屈折率を有する基板を用いた場合、可視光の波長帯域において良好な反射防止性能を有する光学素子を得ることができる。基板の材料としては、BaSF2(屈折率:1.6684)、SF5(屈折率:1.6771)、LaF2(屈折率:1.7475)、LaSF09(屈折率:1.8197)、LaSF01(屈折率:1.7897)、LaSF016(屈折率:1.7758)、LAK7(屈折率:1.654)、LAK14(屈折率:1.6995)等の光学ガラスが挙げられる。基板の形状は、平板であっても、レンズ状であっても良い。
図2は、レンズ有効径Dとレンズ曲率半径Rとの比D/Rが0.1≦D/R≦2であるレンズ基板21と、前記レンズ基板21上に第1層31a、第2層31b、第4層31d及び第4層31dを順に設けてなる反射防止膜31とからなる光学素子11を示す。前記反射防止膜31は、波長550 nmの光において屈折率が1.6〜1.9にある前記レンズ基板21に対して、以下の2種類の構成を有するのが好ましい。
(i)第一の構成
反射防止膜31の第一の構成は、波長550 nmの光において、前記第1層31aの屈折率が1.37〜1.57、前記第2層31bの屈折率が1.75〜2.5、前記第3層31cの屈折率が1.37〜1.57、及び前記第4層31dの屈折率が1.18〜1.32の範囲にある。第1層〜第3層の屈折率をこのような構成とすることにより、Al2O3(屈折率1.64)を使用しなくても屈折率が1.6〜1.9にある前記基板2に対して優れた反射防止性を発揮することが可能になる。
D1(θt)= D10 × (cosθt)α ・・・(1)
D2(θt)= D20 × (cosθt)β ・・・(2)
D3(θt) = D30 × (cosθt)γ ・・・(3)
(ただしD10、D20及びD30は、それぞれ前記レンズ基板の中心部における前記第1層、第2層及び第3層の光学膜厚を示し、α、β及びγは、それぞれ独立に0〜1の範囲の数値である。) により表されるのが好ましい。α、β及びγは、さらに好ましくはそれぞれ独立に0.5〜0.95の範囲であり、最も好ましくはそれぞれ独立に0.6〜0.9の範囲である。
反射防止膜31の第一の構成は、波長550 nmの光において、前記第1層31aの屈折率が1.75〜2.5、前記第2層31bの屈折率が1.37〜1.57、前記第3層31dの屈折率が1.75〜2.5、及び前記第4層31dの屈折率が1.18〜1.32の範囲にある。第1層〜第3層の屈折率をこのような構成とすることにより、Al2O3(屈折率1.64)を使用しなくても屈折率が1.6〜1.9にある前記基板2に対して優れた反射防止性を発揮することが可能になる。
レンズ基板は、レンズ有効径Dとレンズ曲率半径Rとの比D/Rが0.1≦D/R≦2である。レンズ有効径Dは、図5に示すように、光学素子として使用したときに有効に使用できる最大径であり、曲率半径Rはレンズ曲面を球に近似したときの半径である。比D/Rが0.1〜2の範囲にあるレンズ基板を用いた場合、本発明の効果がより発揮される。またレンズ基板の最大基板傾斜角が30〜65°、好ましくは30〜60°の範囲にあるときに、本発明の効果がより発揮される。
本発明の光学素子は、400〜700 nmの可視光帯域において、最大反射率が6 %以下の反射防止特性を有する。本発明の光学部品は、テレビカメラ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、車載カメラ、顕微鏡、望遠鏡等の光学機器に搭載されるレンズ、プリズム、回折素子等に好適である。特に反射防止膜を最大基板傾斜角が30°以上のレンズ基板に形成してなる光学素子は、レンズ周辺部においても良好な反射防止特性を有するため、超広角レンズ、光ディスクのピックアップレンズ等に好適である。
(1) 第1層、第2層及び第3層の形成方法
反射防止膜の第1層、第2層及び第3層は、乾式プロセスで形成する。乾式プロセスとしては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、熱CVD、プラズマCVD、光CVD等の化学蒸着法等が挙げられる。必要に応じてこれらの方法を組み合わせて用いても良い。特に製造コスト、加工精度の面において真空蒸着法が好ましい。
反射防止膜の第4層は、ゾル−ゲル法により形成するのが好ましい。ゾル-ゲル法によってシリカエアロゲルからなる超低屈折率膜を形成することにより、真空蒸着で汎用的に用いられる低屈折率材料のMgF2(n=1.39)より低い屈折率を得ることができ、これまでに実現が困難であった広帯域でかつ広角(広い入射角範囲)の超低反射率の反射防止膜を得ることができる。
(a) アルコキシシラン
第一の酸性ゾル用のアルコキシシランはテトラアルコキシシランのモノマー又はオリゴマー(縮重合物)が好ましい。4官能のアルコキシシランを用いた場合、比較的大きな粒径を有するコロイド状シリカ粒子のゾルを得ることができる。テトラアルコキシシランは、Si(OR)4[Rは炭素数1〜5のアルキル基(メチル、エチル、プロピル、ブチル等)、又は炭素数1〜4のアシル基(アセチル等)]により表されるものが好ましい。テトラアルコキシシランの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジエトキシジメトキシシラン等が挙げられる。中でもテトラメトキシシラン及びテトラエトキシシランが好ましい。本発明の効果を阻害しない範囲で、テトラアルコキシシランに少量の3官能以下のアルコキシシランを配合しても良い。
アルコキシシランに有機溶媒、塩基性触媒及び水を添加することにより、加水分解及び縮重合が進行する。有機溶媒としては、メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、ブタノール等のアルコールが好ましく、メタノール又はエタノールがより好ましい。塩基性触媒としては、アンモニア、アミン、NaOH又はKOHが好ましい。好ましいアミンは、アルコールアミン又はアルキルアミン(メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、n-ブチルアミン、n-プロピルアミン等)である。
得られたアルカリ性ゾルに酸性触媒、並びに必要に応じて水及び有機溶媒を添加し、酸性状態で加水分解及び縮重合をさらに進行させる。酸性触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸、酢酸等が挙げられる。有機溶媒は上記と同じものを使用できる。第一の酸性ゾルにおいて酸性触媒/塩基性触媒のモル比は1.1〜10が好ましく、1.5〜5がより好ましく、2〜4が最も好ましい。酸性触媒/塩基性触媒のモル比が1.1未満であると、酸性触媒による重合が十分に進行しない。一方10を超えると触媒効果は飽和する。有機溶媒/アルコキシシランのモル比及び水/アルコキシシランのモル比は上記と同じで良い。酸性触媒を含有するゾルは10〜90℃で約15分〜24時間静置又はゆっくり撹拌して熟成するのが好ましい。熟成により加水分解及び縮重合が進行し、第一の酸性ゾルが生成する。
(a) アルコキシシラン
第二の酸性ゾル用のアルコキシシランはSi(OR1)x(R2)4-x[xは2〜4の整数である。]により表される2〜4官能のものでよい。R1は炭素数1〜5のアルキル基(メチル、エチル、プロピル、ブチル等)、又は炭素数1〜4のアシル基(アセチル等)が好ましい。R2は炭素数1〜10の有機基が好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、デシル、フェニル、ビニル、アリル等の炭化水素基、及びγ-クロロプロピル、CF3CH2-、CF3CH2CH2-、C2F5CH2CH2-、C3F7CH2CH2CH2-、CF3OCH2CH2CH2-、C2F5OCH2CH2CH2-、C3F7OCH2CH2CH2-、(CF3)2CHOCH2CH2CH2-、C4F9CH2OCH2CH2CH2-、3-(パーフルオロシクロヘキシルオキシ)プロピル、H(CF2)4CH2OCH2CH2CH2-、H(CF2)4CH2CH2CH2-、γ-グリシドキシプロピル、γ-メルカプトプロピル、3,4-エポキシシクロヘキシルエチル、γ-メタクリロイルオキシプロピル等の置換炭化水素基が挙げられる。
アルコキシシランのモノマー又はオリゴマー(縮重合物)に有機溶媒、酸性触媒及び水を添加することにより、加水分解及び縮重合が進行する。有機溶媒及び酸性触媒は第一の酸性ゾルを調製する工程で説明したものと同じものを使用できる。酸性触媒/アルコキシシランのモル比は、1×10-4〜1が好ましく、1×10-4〜3×10-2がより好ましく、3×10-4〜1×10-2が最も好ましい。有機溶媒/アルコキシシランのモル比及び水/アルコキシシランのモル比は、第一の酸性ゾルを調製する工程で説明した比と同様で良い。
第一の酸性ゾル及び第二の酸性ゾルを混合し、1〜30℃で約1分〜6時間ゆっくり撹拌するのが好ましい。必要に応じて混合物を80℃以下で加熱しても良い。第一の酸性ゾルと第二の酸性ゾルとの固形分質量比は5〜90であるのが好ましく、5〜80であるのがより好ましい。固形分質量比が5未満又は90超であると、シリカエアロゲル膜の耐擦傷性が低下する。
(a) 塗布
混合ゾルを第1層及び第2層を形成したレンズ基板の表面に塗布する。塗布方法としては、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法、印刷法等が挙げられる。レンズのような三次元構造物に塗布する場合、スピンコート法又はディッピング法が好ましく、特にスピンコート法が好ましい。得られるゲルの物理膜厚は、例えばスピンコート法における基板回転速度の調整、混合ゾルの濃度の調整等により制御することができる。スピンコート法における基板の回転速度は1,000〜15,000 rpm程度が好ましい。
塗布膜の乾燥条件は基板の耐熱性に応じて適宜選択する。縮重合反応を促進するために、水の沸点未満の温度で15分〜24時間熱処理した後、100〜200℃の温度で15分〜24時間熱処理しても良い。熱処理することによりシリカエアロゲル膜は高い耐擦傷性を発揮する。
シリカエアロゲル膜をアルカリで処理することにより耐擦傷性がより向上する。アルカリ処理は、アルカリ溶液を塗布、又はアンモニア雰囲気中に放置することにより行うのが好ましい。アルカリ溶液の溶媒はアルカリに応じて適宜選択でき、水、アルコール等が好ましい。アルカリ溶液の濃度は、1×10-4〜20Nが好ましく、1×10-3〜15Nがより好ましい。
アルカリ処理後のシリカエアロゲル膜は、必要に応じて洗浄する。洗浄は、水及び/又はアルコールに浸漬する方法、シャワーする方法、又はこれらの組合せにより行うのが好ましい。浸漬しながら超音波処理してもよい。洗浄の温度は1〜40℃が好ましく、時間は0.2〜15分が好ましい。シリカエアロゲル膜1 cm2当たり0.01〜1,000 mLの水及び/又はアルコールで洗浄するのが好ましい。洗浄後のシリカエアロゲル膜は、50〜200℃の温度で15分〜24時間乾燥するのが好ましい。アルコールとしてはメタノール、エタノール、イソプロピルアルコールが好ましい。
塗布後、アルカリ処理後、又は洗浄後のシリカエアロゲル膜に、高湿度条件下で湿度処理を施す。湿度処理により、未反応のアルコキシシランの加水分解、及びシラノール基の縮重合反応が進行すると考えられ、シリカエアロゲル膜の機械的強度が向上するとともに、成膜後の時間経過による屈折率の変動が抑制される。
LaSF010ガラス平板(屈折率:1.839)の表面に、SiO2からなる第1層(屈折率:1.469)、Ta2O5+Y2O3+Pr6O11からなる第2層(屈折率:2.055)、SiO2からなる第3層(屈折率:1.469)及びシリカエアロゲルからなる第4層(屈折率:1.250)を、表1に示す光学膜厚となるように形成し、試料a〜gを作製した。試料a〜gは、図2に示すような最大基板傾斜角が大きいレンズ基板に、第1層、第2層及び第3層をその膜厚がレンズ基板の中心部から周辺部に行くに従って薄くなるように形成し、第4層を一定の膜厚で形成してなる光学素子の各基板傾斜角における反射防止性能を評価するための試料であり、それぞれ前記レンズ基板の基板傾斜角0°、10°、20°、30°、40°、50°及び60°の各部分に相当する厚みで第1層、第2層、第3層及び第4層をガラス平板上に形成したものである。
D1(θt) = D10 × (cosθt)α ・・・(1)
D2(θt) = D20 × (cosθt)β ・・・(2)
D3(θt) = D30 × (cosθt)γ ・・・(3)
(ただしD10。D20は及びD30は、それぞれ基板傾斜角0°における第1層、第2層及び第3層の光学膜厚であり、α、β及びγは全て0.7である。) で求めた値である。
(1)第1層、第2層及び第3層の形成
LaSF010ガラス平板の表面に、SiO2からなる第1層、Ta2O5+Y2O3+Pr6O11からなる第2層、及びSiO2からなる第3層を、表1に示す光学膜厚となるように、図16に示す装置を用いて電子ビーム式の真空蒸着法により形成した。
(i)第一の酸性ゾルの調製
テトラエトキシシラン17.05 gとメタノール69.13 gとを混合した後、アンモニア水溶液(3 N)3.88 gを加えて室温で15時間撹拌し、アルカリ性ゾルを調製した。このアルカリ性ゾル40.01 gに、メタノール2.50 gと塩酸(12 N)1.71 gとを添加して室温で30分間撹拌し、第一の酸性ゾル(固形分:4.94質量%)を調製した。
室温でテトラエトキシシラン30 mlと、エタノール30 mlと、水2.4 mlとを混合した後、塩酸(1 N) 0.1 mlを加え、60℃ で90分間撹拌し、第二の酸性ゾル(固形分:14.8質量%)を調製した。
第一の酸性ゾルと第二の酸性ゾルとの固形分質量比が67.1となるように、第一の酸性ゾルの全量に第二の酸性ゾル0.22 gを添加し、室温で5分間攪拌して混合ゾルを調製した。
先に形成した第1層、第2層及び第3層の上に、得られた混合ゾルをスピンコート法により塗布し、80℃で0.5時間乾燥した後、180℃で0.5時間焼成した。冷却した基板上に0.1 Nの水酸化ナトリウム水溶液をスピンコートで塗布し、120℃で0.5時間乾燥した。
LaSF010ガラス平板(屈折率:1.839)の表面に、Al2O3からなる第1層(屈折率:1.640)、SiO2からなる第2層(屈折率:1.469)及びシリカエアロゲルからなる第3層(屈折率:1.250)を、表2に示す光学膜厚となるように形成し、試料a〜gを作製した。なお第1層及び第2層は、実施例1の第1層〜第3層と同様に真空蒸着法により形成し、第3層は実施例1の第4層と同様にゾル-ゲル方により形成した。これらの試料は、第1層、第2層、第3層の順に徐々に屈折率が低くなるように設計された従来の反射防止膜によって構成されたものである。
表3に示すように、7層構成の反射防止膜を有する光学素子を作製した。
LaSF010ガラス平板(屈折率:1.839)の表面に、表3に示すように、第1層〜第6層の順に、図16に示す装置を用いて電子ビーム式の真空蒸着法により形成した。蒸着は初期真空度1.2×10-5Torr 及び基板温度230℃の条件で行った。
第7層のシリカエアロゲル層は、光学膜厚を表3に示すように変更した以外実施例1の第3層と同様にして形成した。
実施例2に対して、反射防止膜の最上層(第7層)をシリカエアロゲル層の代わりに、真空蒸着法により作製したMgF2層に変更して光学素子を作製した。第7層は、他の層と同様、試料a〜gにかけて薄くなっている。
実施例1及び比較例1で得られた各試料a、d及びf(それぞれ基板傾斜角度0°、30°及び50°)を60℃及び90%RHの条件下で48時間保存して加速環境試験を行った。加速環境試験後の分光反射特性を前述と同様にして測定し、試験前のものと比較した。結果を図14(実施例1)及び図15(比較例1)に示す。
2・・・基板
21・・・レンズ基板
3,31・・・反射防止膜
3a,31a・・・第1層
3b,31b・・・第2層
3c,31c・・・第3層
3d,31d・・・第4層
100・・・基板
130・・・電子ビーム式真空蒸着装置
131・・・真空チャンバ
132・・・回転ラック
133・・・蒸着源
134・・・回転軸
135・・・真空ポンプ接続口
136・・・ルツボ
137・・・蒸着材
138・・・電子ビーム照射器
139・・・ヒーター
140・・・真空ポンプ
Claims (13)
- 基板上に、第1層〜第4層が順に形成されてなり、
波長550 nmの光において、
前記基板の屈折率が1.6〜1.9、
前記第1層の屈折率が1.37〜1.57、
前記第2層の屈折率が1.75〜2.5、
前記第3層の屈折率が1.37〜1.57、及び
前記第4層の屈折率が1.18〜1.32の範囲にあり、
前記第4層がシリカエアロゲルからなる4層構成の反射防止膜であって、
前記第1層〜第3層がAl2O3を含有しない層であることを特徴とする反射防止膜。 - 基板上に、第1層〜第4層が順に形成されてなり、
波長550 nmの光において、
前記基板の屈折率が1.6〜1.9、
前記第1層の屈折率が1.75〜2.5、
前記第2層の屈折率が1.37〜1.57、
前記第3層の屈折率が1.75〜2.5、及び
前記第4層の屈折率が1.18〜1.32の範囲にあり、
前記第4層がシリカエアロゲルからなる4層構成の反射防止膜であって、
前記第1層〜第3層がAl2O3を含有しない層であることを特徴とする反射防止膜。 - 請求項1又は2に記載の反射防止膜において、前記第4層が湿式プロセスで成膜したものであることを特徴とする反射防止膜。
- 請求項3に記載の反射防止膜において、前記湿式プロセスがゾル-ゲル法を含むことを特徴とする反射防止膜。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の反射防止膜において、前記第1層〜第3層が乾式プロセスで成膜したものであることを特徴とする反射防止膜。
- レンズ有効径Dとレンズ曲率半径Rとの比D/Rが0.1≦D/R≦2であるレンズ基板上に、第1層〜第4層が順に形成されてなり、
波長550 nmの光において、
前記基板の屈折率が1.6〜1.9、
前記第1層の屈折率が1.37〜1.57、
前記第2層の屈折率が1.75〜2.5、
前記第3層の屈折率が1.37〜1.57、及び
前記第4層の屈折率が1.18〜1.32の範囲にあり、
前記第4層がシリカエアロゲルからなる4層構成の反射防止膜を有する光学素子であって、
前記第1層〜第3層がAl2O3を含有しない層であることを特徴とする光学素子。 - レンズ有効径Dとレンズ曲率半径Rとの比D/Rが0.1≦D/R≦2であるレンズ基板上に、第1層〜第4層が順に形成されてなり、
波長550 nmの光において、
前記基板の屈折率が1.6〜1.9、
前記第1層の屈折率が1.75〜2.5、
前記第2層の屈折率が1.37〜1.57、
前記第3層の屈折率が1.75〜2.5、及び
前記第4層の屈折率が1.18〜1.32の範囲にあり、
前記第4層がシリカエアロゲルからなる4層構成の反射防止膜を有する光学素子であって、
前記第1層〜第3層がAl2O3を含有しない層であることを特徴とする光学素子。 - 請求項6又は7に記載の光学素子において、前記第4層が湿式プロセスで成膜したものであることを特徴とする光学素子。
- 請求項8に記載の光学素子において、前記湿式プロセスがゾル-ゲル法を含むことを特徴とする光学素子。
- 請求項6〜9のいずれかに記載の光学素子において、前記第1層〜第3層が乾式プロセスで成膜したものであることを特徴とする光学素子。
- 請求項6〜10のいずれかに記載の光学素子において、前記レンズ基板の基板傾斜角の最大値が30〜60°の間にあることを特徴とする光学素子。
- 請求項6〜11のいずれかに記載の光学素子において、前記レンズ基板の任意の基板傾斜角θtにおける第1層の光学膜厚D1(θt)、第2層の光学膜厚D2(θt)及び第3層の光学膜厚D3(θt)が、それぞれ下記式(1)、式(2)及び式(3):
D1(θt) = D10 × (cosθt)α ・・・(1)
D2(θt) = D20 × (cosθt)β ・・・(2)
D3(θt) = D30 × (cosθt)γ ・・・(3)
(ただしD10、D20及びD30は、それぞれ前記レンズ基板の中心部における前記第1層、第2層及び第3層の光学膜厚を示し、α、β及びγは、それぞれ独立に0〜1の範囲の数値である。) により表されることを特徴とする光学素子。 - 請求項6〜12のいずれかに記載の光学素子において、前記第4層の膜厚が、前記レンズ基板の基板傾斜角によらず一定、又はレンズ基板中心部より周辺部が厚いことを特徴とする光学素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013173437A JP6379456B2 (ja) | 2013-08-23 | 2013-08-23 | 光学素子 |
US14/453,193 US9581733B2 (en) | 2013-08-23 | 2014-08-06 | Anti-reflection coating and optical member comprising same |
US15/413,565 US10782452B2 (en) | 2013-08-23 | 2017-01-24 | Anti-reflection coating and optical member comprising same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013173437A JP6379456B2 (ja) | 2013-08-23 | 2013-08-23 | 光学素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015041062A true JP2015041062A (ja) | 2015-03-02 |
JP6379456B2 JP6379456B2 (ja) | 2018-08-29 |
Family
ID=52695239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013173437A Active JP6379456B2 (ja) | 2013-08-23 | 2013-08-23 | 光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6379456B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017058429A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | リコーイメージング株式会社 | 反射防止膜の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000275402A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-10-06 | Asahi Optical Co Ltd | 反射防止膜を有する光学素子 |
JP2005195625A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Pentax Corp | 反射防止膜及び反射防止膜を有する光学素子 |
JP2009245502A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Epson Toyocom Corp | 対物レンズ及びピックアップ装置 |
JP2011257597A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Olympus Corp | 反射防止膜、反射防止積層体及び光学機器、並びに、反射防止膜の製造方法 |
JP2012018286A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Hoya Corp | 3層構成の反射防止膜を有する光学部材 |
JP2012215790A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Tamron Co Ltd | 反射防止膜及び光学素子 |
-
2013
- 2013-08-23 JP JP2013173437A patent/JP6379456B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000275402A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-10-06 | Asahi Optical Co Ltd | 反射防止膜を有する光学素子 |
JP2005195625A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Pentax Corp | 反射防止膜及び反射防止膜を有する光学素子 |
JP2009245502A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Epson Toyocom Corp | 対物レンズ及びピックアップ装置 |
JP2011257597A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Olympus Corp | 反射防止膜、反射防止積層体及び光学機器、並びに、反射防止膜の製造方法 |
JP2012018286A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Hoya Corp | 3層構成の反射防止膜を有する光学部材 |
JP2012215790A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Tamron Co Ltd | 反射防止膜及び光学素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017058429A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | リコーイメージング株式会社 | 反射防止膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6379456B2 (ja) | 2018-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10782452B2 (en) | Anti-reflection coating and optical member comprising same | |
JP5640504B2 (ja) | 3層構成の反射防止膜を有する光学部材 | |
JP5313587B2 (ja) | 反射防止膜及びこれを有する光学部品、交換レンズ及び撮像装置 | |
JP6314627B2 (ja) | 反射防止膜、及びそれを有する光学部品 | |
US8231966B2 (en) | Anti-reflection coating and its production method | |
US8586144B2 (en) | Method for forming anti-reflection coating and optical element | |
JP5091043B2 (ja) | 反射防止膜及びこれを有する光学部品、交換レンズ及び撮像装置 | |
JP5266019B2 (ja) | 反射防止膜、その形成方法、光学素子、交換レンズ及び撮像装置 | |
JP5243065B2 (ja) | 反射防止膜及び光学素子 | |
JP5614214B2 (ja) | 反射防止膜及び反射防止膜を有する光学部材 | |
JP2006215542A (ja) | 反射防止膜及びこれを有する撮像系光学素子 | |
JP2009230121A (ja) | 反射防止膜、光学部品、交換レンズ及び撮像装置 | |
JP5313750B2 (ja) | 反射防止膜及びこれを有する光学部品、交換レンズ及び撮像装置 | |
JP2016080857A (ja) | 反射防止膜、それを用いた光学部材、及び光学機器 | |
JP5375204B2 (ja) | 反射防止膜の製造方法、並びに反射防止膜及び光学素子 | |
JP2010250069A (ja) | 反射防止膜、及びこれを有する光学素子 | |
JP5347145B2 (ja) | 反射防止膜及びこれを有する光学部品、並びに前記光学部品を有する交換レンズ及び撮像装置 | |
JP6672657B2 (ja) | 反射防止膜の製造方法 | |
JP2013217977A (ja) | 反射防止膜及び光学素子 | |
EP3373048B1 (en) | Optical member, image pickup apparatus, and method for manufacturing optical member | |
JP6877866B2 (ja) | 反射防止膜を有する光学部材及びその反射防止膜の製造方法 | |
JP6379456B2 (ja) | 光学素子 | |
US10459123B2 (en) | Optical member, image pickup apparatus, and method for manufacturing optical member | |
JP6372069B2 (ja) | 三層構成の反射防止膜及びそれを有する光学素子 | |
JP2005202240A (ja) | 多孔質反射防止膜を有する光学素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160630 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180703 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180716 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6379456 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |