JP2015036999A - 不揮発性半導体記憶装置、メモリコントローラ、及びメモリシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】不良領域を管理する不揮発性半導体記憶装置、メモリコントローラ、及びメモリシステムを提供すること。【解決手段】半導体層上に積層された複数メモリセルを含むブロックユニットを複数備えたメモリセルアレイ(MAT、Plane)と、前記ブロックユニット毎に設けられ、前記ブロックユニットが不良(C level)か否か(E level)の情報を保持する第1フラグ領域と、読み出し動作または書き込み動作において前記ブロックユニットごとに前記情報を読み出し、前記情報が前記不良(C level)を示す場合、前記不良を示す情報に対応する前記ブロックユニットへのアクセスを禁止する制御部(memory controller)とを具備する。【選択図】図2B
Description
実施形態は、不良領域を管理可能な不揮発性半導体記憶装置、メモリコントローラ、及びメモリシステムに関する。
近年、メモリセルを積層した積層型の半導体メモリ(BiCS:Bit Cost Scalable Flash Memory)が開発されている。このBiCSは、低コストで大容量な半導体メモリを実現することが出来る。
本実施形態は、不良領域を管理可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置によれば、半導体層上に積層された複数のメモリセルを含むブロックユニットを複数備えたメモリセルアレイと、前記ブロックユニット毎に設けられ、前記ブロックユニットが不良か否かの情報を保持する第1フラグ領域と、読み出し動作または書き込み動作において、前記ブロックユニットごとに前記情報を読み出し、前記情報が前記不良を示す場合、前記不良を示す情報に対応する前記ブロックユニットへのアクセスを禁止する制御部とを具備する。
以下、本実施形態につき図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、(1)製造時、(2)出荷後の両者において、複数メモリセルによって構成される集合体(例えば、後述するXferで囲まれた領域=一例としてブロックユニットBU0)の不良情報を、管理するものである。
具体的に時系列で説明すると、
(1)製造時では、出荷前に集合体の状態を事前に把握し、これを上記集合体の両端に配置されたフラグ領域に当該集合体の状態(不良か否かを示す情報)を保持させ、
(2)出荷後では、上記フラグ領域に加えて、集合体内、すなわちユーザメモリ領域に、このユーザメモリ領域をリフレッシュする必要があるか否かを判断するためのモニタ領域を設ける。換言すれば、書き込みデータと一緒に不良か否かを示す情報をユーザメモリ領域内のモニタ領域に書き込み、フラグ領域およびモニタ領域に保持された情報の状態をチェックすることで集合体を管理するものである。
(1)製造時では、出荷前に集合体の状態を事前に把握し、これを上記集合体の両端に配置されたフラグ領域に当該集合体の状態(不良か否かを示す情報)を保持させ、
(2)出荷後では、上記フラグ領域に加えて、集合体内、すなわちユーザメモリ領域に、このユーザメモリ領域をリフレッシュする必要があるか否かを判断するためのモニタ領域を設ける。換言すれば、書き込みデータと一緒に不良か否かを示す情報をユーザメモリ領域内のモニタ領域に書き込み、フラグ領域およびモニタ領域に保持された情報の状態をチェックすることで集合体を管理するものである。
更に(2)出荷後において上記モニタ領域を設けず、ユーザメモリ領域に格納された書き込みデータの状態をチェックすることで集合体を管理してもよい。
なお、以下説明する不揮発性半導体記憶装置10は、メモリコントローラ20(制御回路)によって制御され、実際はこの不揮発性半導体記憶装置10及びメモリコントローラ20の組で構成される。以下、この構成を第1メモリシステムと呼ぶ。第1メモリシステムの一例として、SDTMカードやSSDなどが挙げられる。
また、この第1メモリシステムは、図示せぬ外部のホスト機器と接続可能とされ、この第1メモリシステムとホスト機器とで第2メモリシステムを構成する。半導体装置はこのホスト機器による制御に従って動作する。
[第1の実施形態]
図1を用いて第1の実施形態について説明する。図1は第1の実施形態に係る第1メモリシステムの全体を示した概念図である。
メモリコントローラ20は、以下説明する不揮発性半導体記憶装置10を制御する。例えば、書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作などを不揮発性半導体記憶装置10に対して実行する。またこの書き込み動作、読み出し動作などでメモリコントローラ20は不揮発性半導体記憶装置10とデータの授受を行う。
図1を用いて第1の実施形態について説明する。図1は第1の実施形態に係る第1メモリシステムの全体を示した概念図である。
メモリコントローラ20は、以下説明する不揮発性半導体記憶装置10を制御する。例えば、書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作などを不揮発性半導体記憶装置10に対して実行する。またこの書き込み動作、読み出し動作などでメモリコントローラ20は不揮発性半導体記憶装置10とデータの授受を行う。
不揮発性半導体記憶装置10は、メモリセルアレイ1(図中、Cell Array)、ロウデコーダ2(図中、R/D)、センスアンプ3(図中、S/A+Cache, キャッシュ含む)、電圧発生回路4(図中、Voltage generator)、ステートマシン5(図中、FSM+ P/F)、及びレジスタ6(図中、Register)を備える。
1.<構成>
1.1<メモリセルアレイ1>
図1に示すように、メモリセルアレイ1は、例えばプレーンP0乃至プレーンP3(図1中、Plane0、Plane1、Plane2、及びPlane3と表記)を備える。これらプレーンP0乃至プレーンP3は半導体層上に順次積層された複数のメモリセルMCを備える。これら複数のメモリセルMCによってメモリストリングMSが構成される。詳細については後述するがメモリストリングMSは電気的にビット線BL、及びソース線CELSRCと接続される。
1.1<メモリセルアレイ1>
図1に示すように、メモリセルアレイ1は、例えばプレーンP0乃至プレーンP3(図1中、Plane0、Plane1、Plane2、及びPlane3と表記)を備える。これらプレーンP0乃至プレーンP3は半導体層上に順次積層された複数のメモリセルMCを備える。これら複数のメモリセルMCによってメモリストリングMSが構成される。詳細については後述するがメモリストリングMSは電気的にビット線BL、及びソース線CELSRCと接続される。
また一例としてプレーンP0乃至プレーンP3を挙げるが、メモリセルアレイ1が保持するプレーンPの数に限りはない。なお、プレーンP0乃至プレーンP3を区別しない場合には、単にプレーンPと述べる。
次に図2A、及び図2Bを用いてプレーンPの詳細について説明する。なお、理解を助けるため、プレーンPを制御する周辺機器の一部を併せて記載する。
次に図2A、及び図2Bを用いてプレーンPの詳細について説明する。なお、理解を助けるため、プレーンPを制御する周辺機器の一部を併せて記載する。
1.1.1<平面図>
図2A及び図2Bは共に平面図である。具体的には、図2AはプレーンP0の概念を示した平面図であって、図2BはプレーンP0内のブロックBLK0に着目した平面図である。
図2A及び図2Bは共に平面図である。具体的には、図2AはプレーンP0の概念を示した平面図であって、図2BはプレーンP0内のブロックBLK0に着目した平面図である。
図2Aに示すように、Plane0はブロックBLK0〜ブロックBLKnを含む。ブロックBLK0〜ブロックBLKnは構成が同一であることから、以下ではブロックBLK0に着目して説明する。
図2Bに示すように、ブロックBLK0はブロックユニットBU0〜BU3を備える。ブロックユニットBU0〜BU3の各々は、複数のサブブロックSB(図中、sub−BLK SBと表記)、サブブロックSB0及びサブブロックSBnの両端に配置されたフラグ領域FA、並びにXfer_S及びXfer_Dを含む。
サブブロックSBの各々には、第1方向に延びるビット線BLが配置され、第2方向に延びる複数のワード線WLが配置される。ビット線BLには電気的に例えば12個のメモリストリングMSが接続される。この12個のメモリストリングMSが集まってサブブロックSBが形成される。
ブロックユニットBU内におけるメモリストリングMSのうち同一のメモリセルMCは共通のワード線WLに接続されている。なお、メモリストリングMSの構造の詳細については後述する。なお、メモリストリングMSの数は12個に限られなく、その数は増減して良い。
例えばメモリストリングMSがメモリセルMC0〜MC7を含む場合、メモリセルMC0〜MC3のそれぞれに接続されるワード線WL0〜WL3と、メモリセルMC4〜MC7のそれぞれに接続されるワード線WL4〜WL7と、は櫛歯状に配置される。
またデータが一括して読み出される単位をページと呼ぶ。例えば図2Bで説明すると、ページとは各メモリセルに1ビットのデータが保持される場合に、同一ワード線WLに接続されたメモリセルMCを第2方向に沿って形成される集合体(以下、ストリングユニット)を指す。
データを読み出す場合には、フラグ領域FAも含むページ単位でデータを読み出すが、ユーザのデータを書き込む場合には、ページ単位ではなく、ページから両端のフラグ領域FAに含まれる複数ビットを除いた第1の単位でデータを書き込む。
またXfer_S及びXfer_Dはスイッチ回路(MOSトランジスタ)を含む。これらスイッチ回路の各々は、ワード線WLに接続される。つまり、Xfer_Sは、櫛歯状に配置されるワード線WLのうち、例えばワード線WL0〜WL3と接続し、Xfer_Dは残りのワード線WL4〜WL7に接続される。スイッチ回路がオンとなると、Xfer_S及びXfer_Dは電圧発生回路4から供給された所定の電圧をこれらワード線WLに転送する。
フラグ領域FA(図中、Flag areaと表記)は、当該フラグ領域FAに対応するブロックユニットBUが不良か否かについての情報(以下、不良情報)を保持する。このフラグ領域FAは上記サブブロックSBと同一構造であり、メモリストリングMSの集合体で構成される。すなわち、不良情報は、メモリストリングMSを構成するメモリセルMCが保持している。
またこのフラグ領域FAが保持する不良情報は、不揮発性半導体記憶装置10が出荷される前に書き込まれ、出荷後でも不変な値である。すなわち不良情報は、サブブロックSBが保持し且つ必要に応じて消去してもよいユーザデータとは異なり、消去されてはいけないデータである。このため後述するステートマシン5は、不良情報を消去しないよう、データの消去時に所定の制御をする必要がある。
以下、図2B及び図3を用いてフラグ領域FA及びユーザメモリ領域におけるメモリセルMCの閾値分布を説明する。
1.1.1.1<閾値分布>
図3は、メモリセルMC(フラグ領域FA、ユーザメモリ領域)の閾値分布を示した概念図である。横軸に閾値電圧をとり、縦軸にメモリセルMCの数を示したグラフである。
図3は、メモリセルMC(フラグ領域FA、ユーザメモリ領域)の閾値分布を示した概念図である。横軸に閾値電圧をとり、縦軸にメモリセルMCの数を示したグラフである。
図示するように、メモリセルMCは例えば4値のデータ(2ビットデータ)を保持できる。
すなわち、図3にも示すようにユーザメモリ領域におけるメモリセルMCは、閾値電圧Vthの低い順に“E”レベル(“11”)、“A”レベル(“10”)、“B”レベル(“01”)、及び“C”レベル(“00”)のいずれかデータを保持できる。この閾値電圧Vthに伴う保持データは、電荷蓄積層に電荷を注入することによって変動する。
メモリセルMCにおける“11”データの閾値電圧Vth1は消去状態を示し、0<Vth1<V_ARの関係とされる。つまり、本実施形態においてメモリセルMCの消去状態は正側に位置する。メモリセルの消去状態は正側に限られず、例えばVth1<0であってもよい。
また、“10”データの閾値電圧Vth2はV_AR<Vth2<V_BRの関係とされる。“01”データの閾値電圧Vth3は、V_BR<Vth3<V_CRの関係とされる。
更に“00”データの閾値電圧Vth4は、V_CR<Vth4の関係とされる。このようにメモリセルMCは、閾値に応じて“11”〜“00”データいずれかの2ビットデータを保持可能とされている。
これに対し、図2Bに示すようにブロックユニットBUにおけるフラグ領域FAの閾値分布は後述する“C”または“E”レベルのいずれかである。
例えば、ブロックユニットBUが不良であると、このブロックユニットBUのフラグ領域FAにおける全メモリセルMCの閾値分布は上記“C”状態に設定される。
メモリセルMCが不良、及びそれ以外の理由(例えばワード線WL断線)でブロックBLKが不良の場合、そのようなブロックユニットBUに対して読み出しを行うと、フラグ領域FAのデータがデータ“C”として読み出される。したがって、フラグ領域FA自体に不良があった場合でも、ブロックユニットBUが不良と検出されるよう、フラグ領域FA自体に不良がないフラグ領域FAにも“C”データを設定する。このようにフラグ領域FAはメモリセルMCの不良と統一性を持たせるため“C”データを保持させる。なお、上記メモリセルMCは4値以上のデータを保持可能とされても良い。
また例えばブロックユニットBUが不良でなければフラグ領域FAにおける全メモリセルMCの閾値分布は消去状態、すなわち“E”である。
1.1.2<断面図>
次に、図4を用いて上記図2Bの4−4´に沿ったサブブロックSB0の断面図を示す。サブブロックSB0は12個のメモリストリングMS、すなわちメモリストリングMS0〜MS11を備えるが、ここでは一例としてメモリストリングMS0〜MS6を示す。
次に、図4を用いて上記図2Bの4−4´に沿ったサブブロックSB0の断面図を示す。サブブロックSB0は12個のメモリストリングMS、すなわちメモリストリングMS0〜MS11を備えるが、ここでは一例としてメモリストリングMS0〜MS6を示す。
<1.1.2.1>メモリストリングMS0〜MS5について
図4に示すように断面方向に沿ってメモリストリングMS0〜MS5(太枠)が設けられる。
図4に示すように断面方向に沿ってメモリストリングMS0〜MS5(太枠)が設けられる。
各々のメモリストリングMSは、半導体層BG上であって、第1方向及び第2方向にそれぞれ直交する第3方向に向かって柱状の半導体層SC11〜SC22が形成される。以下、半導体層SC11〜SC22を区別しない場合には単に半導体層SCと呼ぶ。
次いで、第1方向に沿って互いに隣接する半導体層SC同士が半導体層BG内に設けられる結合部JPを介して結合される。例えば、半導体層SC11とSC12とが半導体層BG内の結合部JP0を介して結合される。このような構成を以てU字形状のメモリストリングMS0が形成される。
その他、半導体層SC13とSC14との組、…、半導体層SC21とSC22との組についても同様の構成であるため、説明を省略する。
また各々のメモリストリングMS内には第3方向に沿って形成されたポリシリコン層が複数設けられる。一部のポリシリコン層はワード線WLとして機能し、他のポリシリコン層は選択信号線SGS、SGDとして機能する。
選択信号線SGS、SGDは、ワード線WLを挟むような位置に設けられる。すなわち図4に示すようにワード線WLの数を4本とすると、半導体層BG上に下からワード線WL3、WL2、WL1、WL0、及び選択信号線SGSの順で各々が絶縁膜を介在して積層され、同様に半導体層BG上に下からワード線WL4、WL5、WL6、WL7、及び選択信号線SGDの順で各々が絶縁膜を介在して積層されている。
従って、半導体層SCとこれら選択信号線SGS、SGD、及びワード線WLとの交点に、選択トランジスタST1、メモリセルMC7、メモリセルMC6、…、メモリセルMC1、メモリセルMC0、及び選択トランジスタST2が設けられる。
なお、これら選択信号線SGS、SGDは、メモリストリングMSの選択・非選択を制御する選択信号線SGS、SGDとして機能する。
<1.1.2.2>ビット線BL、ソース線SLについて
選択信号線SGD及びSGDを貫通する半導体層SC11及び半導体層SC14、半導体層SC15及び半導体層SC18、並びに半導体層SC19及びSC22の一端はそれぞれビット線BL0で共通接続される。
選択信号線SGD及びSGDを貫通する半導体層SC11及び半導体層SC14、半導体層SC15及び半導体層SC18、並びに半導体層SC19及びSC22の一端はそれぞれビット線BL0で共通接続される。
また選択信号線SGS及び選択信号線SGSをそれぞれ貫通した半導体層SC12及びSC13、半導体層SC16及びSC17、並びに半導体層SC20の一端のそれぞれはソース線SLに接続される。つまり、例えば隣接する半導体層SC11、SC12と半導体層SC13、SC14とが、このソース線SLで共通接続される。
<1.1.2.3>ビット線BL1〜BLm−1について
以上では、ビット線BL0に着目したが、ビット線BL1〜BLm−1についても同様の構成である。
以上では、ビット線BL0に着目したが、ビット線BL1〜BLm−1についても同様の構成である。
すなわち、ビット線BLi(i:自然数、1≦i≦m−1)に接続される半導体層SCを半導体層SCi1〜SC(i+1 0)とする。この場合、上述した選択信号線SGS、ワード線WL0〜7、及び選択信号線SGDがこれら半導体層SCi1〜SC(i+1 0)を貫通することで、各ビット線BLiに対応するように複数のメモリストリングMSが形成される。
なお、ビット線BLiに対応する各々のメモリストリングMSにおいても、隣接する半導体層SCi1、SCi2と半導体層SCi3、SCi4とが、ソース線SLで共通接続される。
ここで、各メモリストリングMSがメモリセルMC0〜MC7、並びに選択トランジスタST1、及びST2によって構成されている場合を一例に説明したが、メモリセルMCの数に限りはない。つまり、メモリセルMCは16個でも、32個でもよい。以下、必要に応じてメモリセルMCの数をs個(s:自然数)とする場合がある。
このようにプレーンP0は、データを電気的に記憶するメモリセルMCを3次元マトリクス状に配列することで構成される。すなわち、メモリセルMCは、積層方向に配列されるとともに、積層方向に直交する水平方向にもマトリクス状に配列される。このように積層方向に並ぶ複数個のメモリセルMCは直列接続され、直列接続された複数のメモリセルMCによってメモリストリングMSを構成する。
1.2<ロウデコーダ2>
再度図1に戻り不揮発性半導体記憶装置10の構成の説明をする。ロウデコーダ2は、メモリセルアレイ1内のワード線WLを選択する。具体的には、ロウデコーダ2はメモリコントローラ20が出力したブロックアドレスBA、ロウアドレスRA、及びストリングアドレスSAに従ってXfer_S及びXfer_Dを制御する。このXfer_S及びXfer_Dはスイッチとしての機能を有し、選択したワード線WLに所望の電圧を転送する。なお、ワード線WLに転送する上記電圧は、電圧発生回路4から供給される。
再度図1に戻り不揮発性半導体記憶装置10の構成の説明をする。ロウデコーダ2は、メモリセルアレイ1内のワード線WLを選択する。具体的には、ロウデコーダ2はメモリコントローラ20が出力したブロックアドレスBA、ロウアドレスRA、及びストリングアドレスSAに従ってXfer_S及びXfer_Dを制御する。このXfer_S及びXfer_Dはスイッチとしての機能を有し、選択したワード線WLに所望の電圧を転送する。なお、ワード線WLに転送する上記電圧は、電圧発生回路4から供給される。
1.3<センスアンプ3>
センスアンプ3は、メモリコントローラ20が出力したカラムアドレスCAに従ってビット線BLを選択し、選択したビット線BLに接続されたメモリセルMCの保持データを読み出す。また、選択されたビット線BLに接続されたメモリセルMCにデータを書き込む。
センスアンプ3は、メモリコントローラ20が出力したカラムアドレスCAに従ってビット線BLを選択し、選択したビット線BLに接続されたメモリセルMCの保持データを読み出す。また、選択されたビット線BLに接続されたメモリセルMCにデータを書き込む。
この読み出しまたは書き込みの際、センスアンプ3は上記選択したビット線BLに所望の電圧(例えば、内部電圧VDD(=1.8V)、VSS(=0V)など)を転送する。なお、ビット線BLに転送する上記電圧VDDは電圧発生回路4から供給される。
またセンスアンプ3は、レジスタ6を介してメモリコントローラ20と書き込みデータ及び読み出しデータの入出力を行う。
更にセンスアンプ3は読み出しデータをこれらキャッシュ回路に一時保持・演算し、その演算結果を図示せぬXDLに転送する。これは、データ書き込み後のベリファイ動作であっても同様である。
1.4<電圧発生回路4>
電圧発生回路4は、外部から供給される電圧VDDに基づき、書き込み電圧、読み出し電圧、及び消去電圧などを発生し、次いで生成したこれら電圧をロウデコーダ2へと供給する。
電圧発生回路4は、外部から供給される電圧VDDに基づき、書き込み電圧、読み出し電圧、及び消去電圧などを発生し、次いで生成したこれら電圧をロウデコーダ2へと供給する。
なお電圧発生回路4が発生する電圧の詳細は、各動作の説明にて必要に応じて述べる。
1.5<ステートマシン5>
ステートマシン5は、不揮発性半導体記憶装置10全体の動作を制御する。具体的には、メモリコントローラ20からのコマンドに基づいて、データの書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作時における動作シーケンスを実行する。
ステートマシン5は、不揮発性半導体記憶装置10全体の動作を制御する。具体的には、メモリコントローラ20からのコマンドに基づいて、データの書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作時における動作シーケンスを実行する。
ステートマシン5はこのシーケンスを実行するために、不揮発性半導体記憶装置10内に含まれる各回路ブロックの動作を制御する。例えば、電圧制御回路4に対し、所定の電圧を生成するよう制御し、またロウデコーダ2を制御する。またビット線BLに対しても同様である。
更に、ステートマシン5は、ブロックユニットBUの不良に関する情報を管理し、この管理情報をレジスタ6へと供給する。
具体的には、フラグ領域FAにおけるメモリセルMCの不良情報や、ユーザメモリ領域内に設けられたメモリセルMCの不良情報に基づき、ステートマシン5はどのブロックユニットBUが不良なのか、又はどのブロックユニットBUをリフレッシュする必要があるのかといった管理データをレジスタ6に保持させる。
また、ステートマシン5はブロックBLKの不良に関する情報を管理しても良い。この場合の不良とは、例えばワード線WLの断線や後述する穴経オープンなどといった救済不可能な情報を管理する。すなわち、ステートマシン5はこのようなブロックBLKをバッドブロックとして管理する。
なお、不揮発性半導体記憶装置10が受信するコマンドは図示せぬホスト(Host)からであっても良い。
また、ステートマシン5は、ブロックBLK、ブロックユニットBUの不良に関する情報を管理しているが、この場合に限られず、例えばサブブロックSBの不良に関する情報を管理し、この管理情報をレジスタ6へと供給してもよい。
1.6<レジスタ6>
レジスタ6は、ブロックBLKの不良情報を保持し、これら情報をステートマシン5、及びメモリコントローラ20へと供給する。以下実施形態ではブロックユニットBUを用いて説明を進める。
レジスタ6は、ブロックBLKの不良情報を保持し、これら情報をステートマシン5、及びメモリコントローラ20へと供給する。以下実施形態ではブロックユニットBUを用いて説明を進める。
2.不良ブロックユニットBU
次に図5(a)、及び図5(b)を用いて不良ブロックユニットBUについて説明する。上述したがブロックユニットBUが不良であるとそのブロックユニットBU内のフラグ領域FAは“C”データを保持する。ステートマシン5はフラグ領域FAから読み出したデータに基づきブロックユニットBUが不良か否かを判断するが、ステートマシン5が不良ブロックユニットBUと判断する一例を以下2パターン示す。
・(ケースA):ワード線WLオープン(図5(a)に該当)
・(ケースB):穴経オープン(図5(b)に該当)
またここでは示さないが、上記以外にメモリホール同士のショートなどの場合も不良ブロックユニットBUと判断する。
次に図5(a)、及び図5(b)を用いて不良ブロックユニットBUについて説明する。上述したがブロックユニットBUが不良であるとそのブロックユニットBU内のフラグ領域FAは“C”データを保持する。ステートマシン5はフラグ領域FAから読み出したデータに基づきブロックユニットBUが不良か否かを判断するが、ステートマシン5が不良ブロックユニットBUと判断する一例を以下2パターン示す。
・(ケースA):ワード線WLオープン(図5(a)に該当)
・(ケースB):穴経オープン(図5(b)に該当)
またここでは示さないが、上記以外にメモリホール同士のショートなどの場合も不良ブロックユニットBUと判断する。
2.1<図5(a)のケース>
図5(a)は、図2Bで示したブロックユニットBUを拡大した平面図である。例えばケースAの場合、図5(a)に示すようにエリアAにワード線WLのオープン不良が生じている。
図5(a)は、図2Bで示したブロックユニットBUを拡大した平面図である。例えばケースAの場合、図5(a)に示すようにエリアAにワード線WLのオープン不良が生じている。
Xfer_S、またはXfer_Dから離れた側のワード線WLに電圧が掛からず正常なデータ読み出しが出来ないため、この場合Xfer_S及びXfer_Dで囲まれたブロックユニットBUが不良領域となる。
なお、図5(a)ではXfer_S、Xfer_Dの両者に接続されるワード線WLが断線した状態だが、ステートマシン5は、例えばXfer_Sに接続されるワード線WLの一方だけが断線した場合であっても、図5(a)に示す範囲で不良ブロックユニットBUと判断する。
2.2<図5(b)のケース>
図5(b)は、上記図4を拡大した断面図である。例えばケースBの場合、図5(b)に示すようにエリアBに穴経オープンが生じている。
図5(b)は、上記図4を拡大した断面図である。例えばケースBの場合、図5(b)に示すようにエリアBに穴経オープンが生じている。
この場合もビット線BLからの電流Iがソース線SLへと流れ込まないため、読み出しが出来ず、このブロックユニットBUは不良領域となる。すなわち、この場合であっても図5(a)で示した範囲が、不良領域となる。
3.読み出し動作
次に図6(a)、図6(b)を用いて第1メモリシステムの読み出し動作について説明する。すなわち、図6(a)、図6(b)は読み出し動作の際のステートマシン5及びメモリコントローラ20の動作を示したフローチャートである。
次に図6(a)、図6(b)を用いて第1メモリシステムの読み出し動作について説明する。すなわち、図6(a)、図6(b)は読み出し動作の際のステートマシン5及びメモリコントローラ20の動作を示したフローチャートである。
なお、メモリコントローラ20は不揮発性半導体記憶装置10内のどのブロックユニットBUが不良なのかといった情報を保持していないものとする。すなわち、メモリコントローラ20は読み出し動作の度にフラグ領域FAの不良情報を判断するものとする。
3.1<メモリコントローラ20>
図6(a)に示すようにメモリコントローラ20は読み出しコマンド、ブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、ロウアドレスRA(以下、読み出し要求と呼ぶ)を不揮発性半導体記憶装置10に出力する。(ステップS0)。
図6(a)に示すようにメモリコントローラ20は読み出しコマンド、ブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、ロウアドレスRA(以下、読み出し要求と呼ぶ)を不揮発性半導体記憶装置10に出力する。(ステップS0)。
その後、不揮発性半導体記憶装置10からユーザデータ及び不良情報の両者を受信する(S1)。メモリコントローラ20は、受信した不良情報が不良(“C”データ)であると判断すると(S2、YES)、受信したユーザデータを破棄する(S3)。
これに対し、ステップS2において不良情報が正常であると(S2、NO)、不揮発性半導体記憶装置10から転送されたユーザデータを正常な読み出しデータとして判断する(S4)。
3.2<ステートマシン5>
図6(b)に示すようにステートマシン5は、メモリコントローラ20から読み出し要求があると(S6)、アドレスに応じページ単位でデータ(ユーザデータ、不良情報)を読み出す(S7)。
図6(b)に示すようにステートマシン5は、メモリコントローラ20から読み出し要求があると(S6)、アドレスに応じページ単位でデータ(ユーザデータ、不良情報)を読み出す(S7)。
なお、読み出し動作に係るビット線BL、ワード線WLへの電圧印加の詳細については周知であるため、説明を省略する。
その後、ステートマシン5はステップS7で読み出したユーザデータ及び不良情報の両者をセンスアンプ3内のキャッシュ回路(XDL)に保持させる(S8)。
次いで、ステートマシン5はキャッシュ回路(XDL)内のユーザデータ及び不良情報の両者をレジスタ6に一時保持させ(S9)、その後メモリコントローラ20に出力する(S10)。
また、ステートマシン5が不良情報をメモリコントローラ20に出力するのは読み出し動作に限らない。例えばどのブロックユニットBUが不良かを知るためのコマンドを取り込んだ場合、フラグ領域FAから不良情報を読み出し、これをメモリコントローラ20に出力する動作であっても良い。
この場合、メモリコントローラ20は読み出し動作、又は書き込み動作をする前にどのブロックユニットBUが不良かを管理してできていることから、無駄な読み出し動作、書き込み動作を生じさせることがなくなる。
4.書き込み動作
次に図7(a)、図7(b)を用いて第1メモリシステムに係る書き込み動作、及び書き込みベリファイ動作について説明する。図7(a)、図7(b)は書き込み動作、及び書き込みベリファイ動作を示すフローチャートである。
4.1<メモリコントローラ20>
図7(a)に示すようにメモリコントローラ20は書き込みコマンド、書き込みデータ、ブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、及びロウアドレスRA(以下、書き込み要求)を不揮発性半導体記憶装置10に出力する(S10)。
次に図7(a)、図7(b)を用いて第1メモリシステムに係る書き込み動作、及び書き込みベリファイ動作について説明する。図7(a)、図7(b)は書き込み動作、及び書き込みベリファイ動作を示すフローチャートである。
4.1<メモリコントローラ20>
図7(a)に示すようにメモリコントローラ20は書き込みコマンド、書き込みデータ、ブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、及びロウアドレスRA(以下、書き込み要求)を不揮発性半導体記憶装置10に出力する(S10)。
次いで、不揮発性半導体記憶装置10から受信したフラグ領域FAのベリファイ結果を確認する(S11)。ベリファイ結果が不良(フラグ領域FAは“C”データを保持)を示す場合(S12、YES)、メモリコントローラ20は、不良情報を収集する(S13)。
その後、ステップS10で不揮発性半導体記憶装置10に出力した書き込みデータを保持し、当該書き込みデータは次回の書き込み動作時に再度書き込む(S14)。
これに対し、ベリファイ結果が不良を示していなければ(フラグ領域FAは“E”データを保持、S12、NO)、ステップS10で転送した書き込みデータは正常に書き込まれたと判断し、書き込み動作を終了する。
4.2<ステートマシン5>
次いで図7(b)に示すようにステートマシン5は、上記メモリコントローラ20から書き込み要求を受信すると(S15)、該当するメモリセルMCに対しベリファイ動作を実行する。具体的には、フラグ領域FAにおけるメモリセルMCについて書き込みベリファイ(読み出し電圧は電圧V_AV)を実行する。
次いで図7(b)に示すようにステートマシン5は、上記メモリコントローラ20から書き込み要求を受信すると(S15)、該当するメモリセルMCに対しベリファイ動作を実行する。具体的には、フラグ領域FAにおけるメモリセルMCについて書き込みベリファイ(読み出し電圧は電圧V_AV)を実行する。
その結果、ベリファイ結果が不良を示す(フラグ領域FAは“C”データを保持)のであれば(S16、YES)、ステートマシン5はメモリコントローラ20から受信した書き込みデータを破棄し、またベリファイ結果が優良であれば(フラグ領域FAが“E”データを保持)、当該フラグ領域FAのブロックユニットBUにデータを書き込む(S17)。
次いで、ステートマシン5はステップS16で読み出したベリファイ結果をレジスタ6に転送し、その後、当該レジスタ6が格納するベリファイ結果をメモリコントローラ20に出力する(S18)。
これに対し、ステートマシン5はステップS15におけるベリファイ結果が不良でない(フラグ領域FAは“E”データを保持)と判断すると(S16、NO)、ステートマシン5は当該データを書き込む(S19)。
なお、ステップS16においてステートマシン5は書き込みデータを破棄せず、アドレスとは異なる他のブロックBLKにデータを書き込んでもよい。
なお、書き込みベリファイ動作、及び書き込み動作に係るビット線BL、ワード線WLへの電圧印加の詳細については周知であるため、説明を省略する。
4.消去動作
次に図8を用いて第1メモリシステムに係る消去動作について説明する。図8は消去動作を示したフローチャートである。
図8に示すように、メモリコントローラ20から消去コマンド及び消去する対象のブロックアドレスBAを受信したら(S20、YES)、ステートマシン5はこのブロックアドレスBAに基づいて所定のブロックBLKを構成するメモリセルMCの保持データを消去する(S21)。
次に図8を用いて第1メモリシステムに係る消去動作について説明する。図8は消去動作を示したフローチャートである。
図8に示すように、メモリコントローラ20から消去コマンド及び消去する対象のブロックアドレスBAを受信したら(S20、YES)、ステートマシン5はこのブロックアドレスBAに基づいて所定のブロックBLKを構成するメモリセルMCの保持データを消去する(S21)。
この際、フラグ領域FAが保持する不良情報を消去しないよう、ステートマシン5はビット線BLの電位を制御する必要がある。
なお、消去単位はブロックBLKでも良いし、ブロックユニットBUであっても良い。ブロックユニットBU単位で消去する場合、ステートマシン5はホストからブロックアドレスBA、カラムアドレスCAを受信する必要がある。
4.1<電圧印加方法>
次に図9(a)及び図9(b)を用いて消去動作時に電圧発生回路4が発生する消去電圧、及び電圧印加方法について説明する。
次に図9(a)及び図9(b)を用いて消去動作時に電圧発生回路4が発生する消去電圧、及び電圧印加方法について説明する。
図9(a)は図4の拡大図であり消去動作時の電圧印加を示した概念図である。また図9(b)はフラグ領域FAにおけるメモリストリングMSを拡大した断面図であり、消去動作時の電圧発生を示した概念図である。
まず、ステートマシン5からの制御を受け電圧発生回路4が発生する電圧について説明する。
4.1.1<消去電圧>
ステートマシン5は消去コマンドを受信すると、電圧発生回路4に電圧VERA_BL(例えば20V、または12V)、電圧VERA_SL(例えば20V)、電圧VERA_SGD(例えば12V)、電圧VERA_SGS(例えば20V)、及び電圧VERA_WL(例えば0.5V)を発生させ、これら電圧をブロックユニットBU内のワード線WL、ビット線BL、並びに選択トランジスタST1及びST2のゲートに供給させる。
ステートマシン5は消去コマンドを受信すると、電圧発生回路4に電圧VERA_BL(例えば20V、または12V)、電圧VERA_SL(例えば20V)、電圧VERA_SGD(例えば12V)、電圧VERA_SGS(例えば20V)、及び電圧VERA_WL(例えば0.5V)を発生させ、これら電圧をブロックユニットBU内のワード線WL、ビット線BL、並びに選択トランジスタST1及びST2のゲートに供給させる。
4.1.1<図9(a):ユーザメモリ領域について>
すると図9(a)に示すようにビット線BL(20V)と選択トランジスタST1のゲート(12V)との間でGIDLが発生し、半導体層SCの電位が20V程度に達するまでホールがソース線SL方向に流れる。このため、発生したホールは半導体層SC内に蓄積され、電位が上昇する。すなわち、半導体層SCの電位が上昇する。
すると図9(a)に示すようにビット線BL(20V)と選択トランジスタST1のゲート(12V)との間でGIDLが発生し、半導体層SCの電位が20V程度に達するまでホールがソース線SL方向に流れる。このため、発生したホールは半導体層SC内に蓄積され、電位が上昇する。すなわち、半導体層SCの電位が上昇する。
これに対し、ワード線WLには電圧0.5V程度が印加されている。したがってワード線WLと半導体層SCとの電位差によってメモリセルMC(電荷蓄積層)内の電子が半導体層SCに吐き出される。これによってデータの消去が実行される。
ここではユーザメモリ領域における消去動作について説明した。この消去動作をフラグ領域FAについても同様に行うと不良情報が消えてしまう。すなわち、図9(a)に示すようにビット線BLと選択トランジスタST1のゲートとの間でGIDLを発生させると不良情報が消えてしまう。そこでステートマシン5は以下図9(b)のような制御を行う。
4.1.2<図9(b)フラグ領域FAについて>
図9(b)に示すように、ビット線BL以外の電位は上記ブロックユニットBU内のユーザメモリ領域に印加される電圧と同じ電圧値である。
図9(b)に示すように、ビット線BL以外の電位は上記ブロックユニットBU内のユーザメモリ領域に印加される電圧と同じ電圧値である。
ここで、フラグ領域FA内のビット線BLには選択トランジスタST1のゲートに印加される電圧VERA_SGDと同じ値の電圧を印加する。すなわち、ビット線BLと選択トランジスタST1間で電位差を生じさせずGIDLの発生を抑制する。これにより、消去動作時であってもフラグ領域FAが保持する不良情報は消去されることを防止する。
以上のように第1の実施形態に係るメモリセルアレイ1の構造であると、ビット線BLに転送する電圧によって消去する/しないが制御出来る。このため、例えば半分のブロックBLK(半ページ)の消去が可能となる。このように半ページでのデータ管理が可能であればよりフレキシビリティの高い使い方ができる。
<第1の実施形態に係る効果>
第1の実施形態に係る第1メモリシステムであると、(1)の効果を得ることが出来る。
(1)救済効率を向上させることが出来る。
今までは上記ワード線WLのオープン不良に限らず半導体層SCのオープン不良であっても1ブロックBLKが不良と判断していた。
第1の実施形態に係る第1メモリシステムであると、(1)の効果を得ることが出来る。
(1)救済効率を向上させることが出来る。
今までは上記ワード線WLのオープン不良に限らず半導体層SCのオープン不良であっても1ブロックBLKが不良と判断していた。
これに対し、第1の実施形態ではブロックBLKを複数のブロックユニットBUに分け、ブロックユニットBU単位(Xfer_S、Xfer_Dで区切られた単位)にフラグ領域FAを配置している。
そしてこのフラグ領域FAはブロックBLKのサイズからすると大きな回路面積の増加とはならない。つまり、回路面積を増加させることなく、救済効率を向上することが出来る。
このように、ブロックBLKを複数に分割することで、今までは救済できなかった領域も救済することが出来る。
具体的には第1の実施形態に係る第1メモリシステムあるとブロックBLK内に設けた複数のブロックユニットBU毎にフラグ領域FAを配置しているため、ステートマシン5が管理する1つずつの領域が小さくなる。したがって、ブロックBLK0内の例えばブロックユニットBU0が不良と判断されたとしても、他のブロックユニットBU1〜BU3が優良な領域でればこれら領域は救済することが出来る。
なお一例として4つのブロックユニットBUに分けたが、より多くのブロックユニットBUで構成させることも出来る。
<変形例>
次に図10、図11(a)、及び図11(b)を用いて第1実施形態に係る変形例について説明する。変形例は、フラグ領域FAが他のブロックユニットBUの不良情報をも保持する点で上記実施形態と異なる。変形例に係る構成によると、あるブロックユニットBUが不良であることの信頼性を、不良の無い他のブロックユニットBUに配置されるフラグ領域FAの不良情報で確認するものである。
次に図10、図11(a)、及び図11(b)を用いて第1実施形態に係る変形例について説明する。変形例は、フラグ領域FAが他のブロックユニットBUの不良情報をも保持する点で上記実施形態と異なる。変形例に係る構成によると、あるブロックユニットBUが不良であることの信頼性を、不良の無い他のブロックユニットBUに配置されるフラグ領域FAの不良情報で確認するものである。
1.構成
図10に変形例に係るブロックBLK0の平面図を示す。図示するようにブロックBLK0を構成する各々のブロックユニットBU0〜BU3の両端にはフラグ領域FA0〜FA3が配置される。
図10に変形例に係るブロックBLK0の平面図を示す。図示するようにブロックBLK0を構成する各々のブロックユニットBU0〜BU3の両端にはフラグ領域FA0〜FA3が配置される。
これらフラグ領域FA0〜FA3には、ブロックユニットBU0〜BU3に対応した不良情報が保持される。例えばブロックユニットBU1に着目すれば、ブロックユニットBU1内にフラグ領域FA0〜FA3が配置される。すなわち、ブロックユニットBU1に対応する不良情報を保持するフラグ領域FA1だけでなく、ブロックユニットBU1内に他のブロックユニットBU0、BU2、BU3に対応する不良情報をもフラグ領域FA0〜FA3で保持する。
以下では、ブロックユニットBU3を不良領域(フラグ領域FA=“C”、図10中、“不良領域”と記載)、その他BU0、BU1、及びBU2を優良な領域(フラグ領域FA=“E”)として話を進める。
2.読み出し動作
次に上記図10、並びに図11(a)及び図11(b)を用いて読み出し動作について説明する。
次に上記図10、並びに図11(a)及び図11(b)を用いて読み出し動作について説明する。
図11(a)はメモリコントローラ20の動作を示したフローチャートであり、図11(b)はステートマシン5がメモリコントローラ20からの読み出しコマンドを受信した際の動作を示したフローチャートである。
なお、メモリコントローラ20からブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、カラムアドレスCA、及びロウアドレスRAを受信すると、ステートマシン5は読み出し対象とされたメモリセルMCの保持データに加え、この読み出し対象とされるメモリセルMCを含むブロックBLK内に設けられた全フラグ領域FAの不良情報を読み出すものとする。
以下読み出し動作では、他のフラグ領域FAが不良領域か否かについて、自身の不良領域が“C”ではないフラグ領域FAの中で、他のフラグ領域FAが不良領域か否かを多数決で決定する方法を採用する。
以下、読み出し対象をブロックユニットBU3内のメモリセルMC(以下、メモリセルMCread)とする。
2.1<メモリコントローラ20>
次に図11(a)を用いてステートマシン5からフラグ領域FA0〜FA3の不良情報を受信した後のメモリコントローラ20の動作について説明する。なお、一例に図10のケースを用いる。すなわち、メモリコントローラ20はステートマシン5に対して読み出し要求を発行した後(S30)、このステートマシン5から読み出しデータ、及び不良情報を受信する(S31)。
次に図11(a)を用いてステートマシン5からフラグ領域FA0〜FA3の不良情報を受信した後のメモリコントローラ20の動作について説明する。なお、一例に図10のケースを用いる。すなわち、メモリコントローラ20はステートマシン5に対して読み出し要求を発行した後(S30)、このステートマシン5から読み出しデータ、及び不良情報を受信する(S31)。
次いでメモリコントローラ20は、ブロックユニットBU_Nのフラグ領域FA_N(N:0以上の整数)のメモリセルMCの保持データをチェックする(S32)。
ステップS32の結果、ブロックユニットBU_Nのフラグ領域FA_Nに設けられたメモリセルMCの保持データが“E”レベル(すなわち、優良)でなければ(S33、NO)、当該ブロックユニットBU_Nを不良領域と判定する(S34)。
次いで、メモリコントローラ20は全てのブロックユニットBUについてチェックしたかを確認する(S35)。図10に従えば、ブロックユニットBU_0〜BU_3まですべてチェックしていれば(S35、YES)、フラグ領域FAに設けられたメモリセルMCの保持データが“E”レベルと判断されたブロックユニットBU_Nに配置されるフラグ領域FA_M(M:0以上の整数)が不良領域か否かをチェックする(S36)。
当該フラグ領域FA_Mに設けられたメモリセルMCの保持データが“E”レベルでなければ、すなわち“C”レベルであれば(S37、YES)、当該フラグ領域FA_Mに対応するブロックユニットBU_Nを不良領域と判定する(S38)。
図10に従えば、ブロックユニットBU0〜BU2のいずれかに設けられたフラグ領域FA3の保持データに基づいて、メモリコントローラ20はブロックユニットBU3が不良領域と判定する。
その後、メモリコントローラ20が全てのブロックユニットBU_Nについてチェックしていれば(S39、YES)、メモリコントローラ20は不良領域と判定したブロックユニットBU_Nに関しての読み出しデータを破棄する(S40)。
なお、ステップS35において全てのブロックユニットBUについてチェックしてなければ(S35、NO)、メモリコントローラ20はNに+1をカウントして、次のブロックユニットBUについてステップS32の動作に以降する(S41)。
またステップS39において全てのブロックユニットBUについてチェックしてなければ(S35、NO)、メモリコントローラ20はMに+1をカウントして、次のブロックユニットBUについてステップS36の動作に以降する(S42)。
なお、上記フローチャートではブロックユニットBU0〜BU2内のうち1つでもフラグ領域FA3について“C”が有れば、ブロックユニットBU3を不良領域と判断したが、これに限られない。
他の判定方法として、多数決によって判定する手法がある。以下、具体的に説明する。
図10に従って具体的に説明すると、メモリコントローラ20は、ブロックユニットBU0、BU1、及びBU2内のフラグ領域FA3の不良情報の多数決をとる。つまり多数決によって、フラグ領域FA3が不良領域であれば、メモリコントローラ20は対応するブロックユニットBU3を判定しても良い。
また、メモリコントローラ20はブロックユニットBU3に配置されたフラグ領域FA3の不良情報について、Xfer_SまたはXfer_Dフラグ領域FA3のいずれか一方にでも“C”を示せば、ブロックユニットBU3は不良ではないかと判断し、上記ステップS37の動作を実行する。
2.2<ステートマシン5>
図11(b)に示すようにメモリコントローラ20によって読み出し動作が要求されると、ステートマシン5は上記第1実施形態で説明したステップS6〜ステップS10までの動作を実行する(ステップS6〜ステップS10)。なお、ステップS10で出力される不良情報とは、図10におけるブロックユニットBU0〜ブロックユニットBU3のそれぞれに配置されたフラグ領域FA0〜FA3の不良情報である。
図11(b)に示すようにメモリコントローラ20によって読み出し動作が要求されると、ステートマシン5は上記第1実施形態で説明したステップS6〜ステップS10までの動作を実行する(ステップS6〜ステップS10)。なお、ステップS10で出力される不良情報とは、図10におけるブロックユニットBU0〜ブロックユニットBU3のそれぞれに配置されたフラグ領域FA0〜FA3の不良情報である。
3.書き込み動作
3.1<メモリコントローラ20>
次に図12(a)を用いてメモリコントローラ20の動作についてフローチャートを用いて説明する。
メモリコントローラ20は、ステートマシン5に書き込み要求を行う(S60)。具体的には書き込みコマンド、書き込みデータ等を出力する。その後、ステートマシン5からブロックユニットBU0〜BU3の各々のフラグ領域FA0〜FA3の不良情報を受信すると(S61)、これら全フラグ領域FA0〜FA3の不良情報をチェックし、書き込み対象としたブロックユニットBU3が不良領域か否かを判定する(S62)。
3.1<メモリコントローラ20>
次に図12(a)を用いてメモリコントローラ20の動作についてフローチャートを用いて説明する。
メモリコントローラ20は、ステートマシン5に書き込み要求を行う(S60)。具体的には書き込みコマンド、書き込みデータ等を出力する。その後、ステートマシン5からブロックユニットBU0〜BU3の各々のフラグ領域FA0〜FA3の不良情報を受信すると(S61)、これら全フラグ領域FA0〜FA3の不良情報をチェックし、書き込み対象としたブロックユニットBU3が不良領域か否かを判定する(S62)。
判定方法は上記読み出し方法で説明した多数決を採用しても良いし、それ以外の方法であっても良い。
判定方法の結果、メモリコントローラ20は、ブロックユニットBU3が不良領域であると判断すると(S62、YES)、ブロックユニットBU3への書き込みを停止し、以後このブロックユニットBU3へのアクセスを行わない。
その後、メモリコントローラ20は一度不揮発性半導体記憶装置10に転送した書き込みデータを自身のデータ格納領域に保持させ、例えば次回以降の書き込み動作において書き込む(S63)。
またメモリコントローラ20がブロックユニットBU3は優良なブロックBLKであると判断すると(S62、NO)、次の書き込み動作に以降する。
3.2<ステートマシン5>
次に図12(b)を用いて、ステートマシン5の書き込み動作について説明する。
メモリコントローラ20から書き込み要求を受信すると(S15)、ステートマシン5はメモリコントローラ20から受信した各アドレスに従ってデータを書き込む。次いで、書き込んだデータに対して書き込みベリファイを実行する(S74)。
次に図12(b)を用いて、ステートマシン5の書き込み動作について説明する。
メモリコントローラ20から書き込み要求を受信すると(S15)、ステートマシン5はメモリコントローラ20から受信した各アドレスに従ってデータを書き込む。次いで、書き込んだデータに対して書き込みベリファイを実行する(S74)。
その後、メモリコントローラ20はステップS2〜S4を実行する。なお、ステップS4で出力される不良情報とは、図10におけるブロックユニットBU0〜ブロックユニットBU3のそれぞれに配置されたフラグ領域FA0〜FA3の不良情報である。
<変形例に係る効果>
変形例に係る第1メモリシステムであると(1)の効果に加え、(2)の効果を得ることが出来る。
(2)不良情報の信頼性を向上出来る。
すなわち、変形例に係る第1メモリシステムあると、各々のブロックユニットBUにそのブロックユニットBUの不良情報を保持するフラグ領域FAを備えるだけでなく、他のブロックユニットBUの不良情報を保持するフラグ領域FAを備える。
変形例に係る第1メモリシステムであると(1)の効果に加え、(2)の効果を得ることが出来る。
(2)不良情報の信頼性を向上出来る。
すなわち、変形例に係る第1メモリシステムあると、各々のブロックユニットBUにそのブロックユニットBUの不良情報を保持するフラグ領域FAを備えるだけでなく、他のブロックユニットBUの不良情報を保持するフラグ領域FAを備える。
このため、本当にブロックユニットBUが不良領域なのか否かという判断を、優良なブロックユニットBUに委ねることが出来る。
これはいずれかのブロックユニットBUが優良なブロックユニットBUであれば、対応するフラグ領域FAの不良情報の誤りが少ないといった傾向に鑑みたものである。
このように変形例ではブロックユニットBUに対応するフラグ領域FAの不良情報をチェックしつつ、他のブロックユニットBUに対応するフラグ領域FAの不良情報によっても不良か否かの確認が出来るため、不良情報の信頼性を向上することが出来る。
[第2実施形態]
次に図13〜図16を用いて第2の実施形態に係る第1メモリシステムについて説明する。第2の実施形態に係る第1メモリシステムは、上述した(2)出荷後における不良管理(その1)である。
次に図13〜図16を用いて第2の実施形態に係る第1メモリシステムについて説明する。第2の実施形態に係る第1メモリシステムは、上述した(2)出荷後における不良管理(その1)である。
上述したが第2実施形態以降では、上記第1実施形態のフラグ領域FA0〜FA3に加えて、更にモニタ領域を備える。このモニタ領域とはフラグ領域FAとは異なる機能を有する。具体的に説明すると、モニタ領域はブロックユニットBUのデータリフレッシュタイミングを知るための機能を有する。
以下、第2実施形態以降において、ブロックBLKの不良情報を保持する領域をモニタ領域、そのモニタ領域に設けられるメモリセルMCをモニタセルMCmoni、このモニタセルMCmoniから読み出したデータをモニタデータMDと呼ぶ。
1.モニタ領域の概念図(その1)
図13(a)、図13(b)にモニタ領域(プレーンP0の斜線部分)の概念図を示す。図13(a)はプレーンP0の平面図であり、図13(b)は図13(a)の拡大図である。
図13(a)、図13(b)にモニタ領域(プレーンP0の斜線部分)の概念図を示す。図13(a)はプレーンP0の平面図であり、図13(b)は図13(a)の拡大図である。
図13(a)に示すように、第2実施形態におけるモニタ領域は例えばブロックBLK0〜ブロックBLKnを貫通するように設けられる。具体的にはモニタ領域は、例えばあるサブブロックSB内に設けられ且つ複数ビット線BLに接続される複数のメモリストリングMSによって構成される。
図13(b)にビット線BL(i−1)、ビット線BLi、ビット線BL(i+1)、及びこれらに接続されたメモリストリングMSの回路図を示す。
第2実施形態に係るモニタセルMCmoniは、これらビット線BL(i−1)、ビット線BLi、及びビット線BL(i+1)に接続されたメモリストリングMSを構成する全メモリセルMCである。なお、以下説明する書き込み動作では、メモリセルMCの耐性を監視するためメモリセルMCmoniの閾値分布を“C”(“00”)レベルで書き込むこととする。
すなわち、あるページ方向でみるとどのブロックBLKが選択された場合であっても必ず3つのメモリセルMCmoniからモニタデータMDが読み出される。
なお、ここではビット線BL(i−1)、ビット線BLi、及びビット線BL(i+1)の3本のビット線BLを一例に挙げたがビット線BLの本数に限りはない。すなわち、対応するブロックユニットBUに書き込まれたデータをリフレッシュするタイミングの精度を向上させたい場合にはモニタセルMCmoniの数を増加させればよい。
またなお、不良を示すモニタセルMCmoniの分布に応じてブロックBLK0〜BLKn(プレーンP0)の各々を不良領域と判断しても良いし、あるブロックBLKu(u:自然数、0≦u≦n)を不良領域としても良い。
2.不良セルの判断について
図14にメモリセルMCmoniの閾値分布を示す。この閾値分布を用いて、ステートマシン5による不良領域の判断について説明する。上述したが、メモリセルMCmoniの閾値分布を“C”(“00”)とする。
図14にメモリセルMCmoniの閾値分布を示す。この閾値分布を用いて、ステートマシン5による不良領域の判断について説明する。上述したが、メモリセルMCmoniの閾値分布を“C”(“00”)とする。
図14に示すように縦軸にモリセルMCの数を取り横軸に電圧を取った時、モニタセルMCmoniの閾値分布の下裾の電圧を電圧VCG_CVとする。
図14に示すようにモニタセルMCmoniのデータ保持能力が低下すると(点線の分布=>実線の分布へ遷移)閾値分布が電圧VCG_CVを下回る。
後述するが、あるブロックBLKmまたはブロックBLK0〜BLKnにおいて閾値分布のうち電圧VCG_CVを下回るセル(領域B)が例えば半数以上存在すると、これらブロックBLKmまたはブロックBLK0〜BLKnが不良領域である可能性が高くなる。ステートマシン5はこの領域BのモニタセルMCmoniの数をカウントし、当該ブロックBLK0〜BLKn(またはブロックBLKm)が不良領域であることをメモリコントローラ20に伝える。
3.書き込み動作(その1)
次に図15(a)〜図15(c)を用いて第2の実施形態に係る書き込み動作を説明する。図15(a)、図15(b)に第1メモリシステムに係る書き込み動作を示し、図15(c)にデータ書き込みの概念図を示す。なおここでは、ブロックBLK0のストリングMS0を構成するワード線WL0〜WL7に書き込み動作を実行するものとする。
3.1<メモリコントローラ20>
図15(a)に示すようにメモリコントローラ20は不揮発性半導体記憶装置10に対し書き込み要求を行う(S80−1)。
次に図15(a)〜図15(c)を用いて第2の実施形態に係る書き込み動作を説明する。図15(a)、図15(b)に第1メモリシステムに係る書き込み動作を示し、図15(c)にデータ書き込みの概念図を示す。なおここでは、ブロックBLK0のストリングMS0を構成するワード線WL0〜WL7に書き込み動作を実行するものとする。
3.1<メモリコントローラ20>
図15(a)に示すようにメモリコントローラ20は不揮発性半導体記憶装置10に対し書き込み要求を行う(S80−1)。
3.2<ステートマシン5>
図15(b)に示すようにステートマシン5は、メモリコントローラ20から書き込み要求を受けると(S80、YES)、ホストから出力されたブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、ロウアドレスRA、及びカラムアドレスCAに従って所定の書き込み動作を実行する(S81)。
図15(b)に示すようにステートマシン5は、メモリコントローラ20から書き込み要求を受けると(S80、YES)、ホストから出力されたブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、ロウアドレスRA、及びカラムアドレスCAに従って所定の書き込み動作を実行する(S81)。
具体的には、図15(c)に示すようにモニタ領域のメモリセルMCには“C”レベルのデータを書き込み、モニタ領域以外であれば、そのメモリセルMCには通常のデータを書き込む。
4.読み出し動作(その1)
次に図16(a)、及び図16(b)を用いて第1メモリシステムの読み出し動作について説明する。以下読み出し動作は、ベリファイ電圧V_AV、電圧V_BV、及び電圧V_CVで読み出し動作を行い、閾値が“C”レベルから位置する落ちしているモニタセルMCmoniの数をカウントするものである。
次に図16(a)、及び図16(b)を用いて第1メモリシステムの読み出し動作について説明する。以下読み出し動作は、ベリファイ電圧V_AV、電圧V_BV、及び電圧V_CVで読み出し動作を行い、閾値が“C”レベルから位置する落ちしているモニタセルMCmoniの数をカウントするものである。
4.1<メモリコントローラ20>
図16(a)に示すように、メモリコントローラ20は不揮発性半導体記憶装置10に対して読み出し要求を行う(S90−1)。
図16(a)に示すように、メモリコントローラ20は不揮発性半導体記憶装置10に対して読み出し要求を行う(S90−1)。
4.2<ステートマシン5>
図16(b)に示すように、メモリコントローラ20から読み出し要求があると(S90)、ステートマシン5はブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、カラムアドレスCA、及びロウアドレスRAに従ってページ単位でデータ読み出しを実行する(S91)。
図16(b)に示すように、メモリコントローラ20から読み出し要求があると(S90)、ステートマシン5はブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、カラムアドレスCA、及びロウアドレスRAに従ってページ単位でデータ読み出しを実行する(S91)。
次いで、あるページで見たとき、モニタ領域において電圧VCG_CVよりも高いモニタセルMCmoniの数がクライテリア以上、例えば半分以上であるかカウントする(S92)。カウントの結果、図14で示すエリアAよりも高い閾値に位置するモニタセルMCmoniが(モニタセルMCmoniの)全体の半分以上であれば(S92、YES)、ブロックBLK(またはブロックユニットBU)は優良と判断し、必要に応じて読み出し動作を続ける。
これに対し、カウントした結果図14に示すエリアBよりも閾値が下に位置するモニタセルMCmoniが(モニタセルMCmoniの)全体の半分以上であれば(S92、NO)、ステートマシン5はブロックBLK(またはブロックユニットBU)をリフレッシュする必要があると判断し、この領域のデータを他の優良はブロックBLK0〜ブロックBLKm(またはブロックユニットBU)へと移動させる(S94)。
なお、第2実施形態の消去動作によって、モニタ領域以外のメモリセルMCの保持データだけでなく、モニタ領域におけるメモリセルMCの保持データについても消去される。
<第2の実施形態に係る効果>
第2の実施形態に係る第1メモリシステムあると、(3)の効果を得ることが出来る。
(3)高い確率でユーザメモリ領域のデータ保持能力を確認することが出来る。
すなわち、第2の実施形態に係る第1メモリシステムあると、ユーザメモリ領域にモニタセルMCmoniを配置している。
第2の実施形態に係る第1メモリシステムあると、(3)の効果を得ることが出来る。
(3)高い確率でユーザメモリ領域のデータ保持能力を確認することが出来る。
すなわち、第2の実施形態に係る第1メモリシステムあると、ユーザメモリ領域にモニタセルMCmoniを配置している。
このためモニタセルMCmoniは、実際の書き込みデータと同様な温度条件、書き込み、消去によって掛かる負荷などを与えることが出来る。従って、モニタセルMCmoniであっても、実際の書き込みデータに近い状態でブロックBLK(またはブロックユニットBU)のリフレッシュが必要か否かを確認することが出来る。
[第3の実施形態]
次に図17(a)〜図17(c)を用いて第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置10について説明する。第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置10は、上述した(2)出荷後における不良管理(その2)である。
次に図17(a)〜図17(c)を用いて第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置10について説明する。第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置10は、上述した(2)出荷後における不良管理(その2)である。
1.モニタ領域の概念図(その2)
図17(a)〜図17(c)にモニタ領域(プレーンP0の斜線部分)の概念図を示す。図17(a)はプレーンP0の平面図であり、図17(b)は図17(a)の拡大図、及び図17(c)は図17(b)において太枠で示した領域の回路図である。
図17(a)〜図17(c)にモニタ領域(プレーンP0の斜線部分)の概念図を示す。図17(a)はプレーンP0の平面図であり、図17(b)は図17(a)の拡大図、及び図17(c)は図17(b)において太枠で示した領域の回路図である。
図17(a)に示すように、本実施形態におけるモニタ領域はブロックBLK0〜ブロックBLKnのそれぞれに設けられ、具体的には各々のブロックBLKを構成する複数ブロックユニットBUを跨ぐように配置される。換言すれば、ページ方向に向かってモニタ領域が形成される。
図17(b)にブロックBLKuに着目した平面図を示す。上記第1の実施形態でも説明したがブロックBLKu内はブロックユニットBU0〜BU3を含む。これらブロックユニットBU0〜BU3の各々を構成するメモリストリングMSのうち、メモリストリングMS0内のメモリセルMC0をモニタ領域とする。
具体的には図17(c)に示すようにワード線WL0に接続され、且つページ方向に形成されるメモリセルMC0がモニタセルMCmoniである。
なお、本実施形態においてもモニタセルMCmoniには“C”レベル(“00”)の閾値分布を書き込む。
2.書き込み動作(その2)
次に図18(a)及び図18(b)を用いて本実施形態に係る第1メモリシステムの書き込み動作について説明する。
次に図18(a)及び図18(b)を用いて本実施形態に係る第1メモリシステムの書き込み動作について説明する。
2.1<メモリコントローラ20>
図18(a)に示すように、ステップS70の動作を実行する。第3の実施形態においてステップS70ではメモリコントローラ20がステートマシン5に対し、ブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、及びカラムアドレスCA、並びにデータを出力する。
図18(a)に示すように、ステップS70の動作を実行する。第3の実施形態においてステップS70ではメモリコントローラ20がステートマシン5に対し、ブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、及びカラムアドレスCA、並びにデータを出力する。
この際、メモリコントローラ20は、ストリングアドレスSA及びロウアドレスRAがメモリストリングMS0及びワード線WL0を示す場合、対応するデータとして“00”(Cレベル)データを転送する。
これに対し、ストリングアドレスSA及びロウアドレスRAがメモリストリングMS0及びワード線WL0以外を示す場合、メモリコントローラ20は対応するデータとして通常データを転送する。
2.2<ステートマシン>
図18(b)に示すように、メモリコントローラ20から書き込み要求があると、ステップS80、及びS81の動作を実行する。
図18(b)に示すように、メモリコントローラ20から書き込み要求があると、ステップS80、及びS81の動作を実行する。
具体的には、メモリコントローラ20から転送されたアドレス及びデータに基づきメモリストリングMS0及びワード線WL0に対応するメモリセルMCには“00”データを書き込み、それ以外のメモリセルMCには通常データを書き込む。
3.読み出し動作及び書き込みベリファイ動作
本実施形態における書き込み動作も、上記第2の実施形態における「読み出し動作及び書き込みベリファイ動作(その1)」と同一であるため説明を省略する。
本実施形態における書き込み動作も、上記第2の実施形態における「読み出し動作及び書き込みベリファイ動作(その1)」と同一であるため説明を省略する。
<第3の実施形態に係る効果>
第3実施形態に係る第1メモリシステムあると、上記(3)の効果を得ることが出来、(3)については更にその効果を上げることが出来る。
すなわち、第3の実施形態であると、ページ方向にモニタ領域を配置する。このため、例え、各メモリストリングMS0に1つのモニタセルMCmoniだけであっても高い精度でブロックBLKの不良状態を確認することが出来る。
第3実施形態に係る第1メモリシステムあると、上記(3)の効果を得ることが出来、(3)については更にその効果を上げることが出来る。
すなわち、第3の実施形態であると、ページ方向にモニタ領域を配置する。このため、例え、各メモリストリングMS0に1つのモニタセルMCmoniだけであっても高い精度でブロックBLKの不良状態を確認することが出来る。
これは、ブロックBLKを貫通するビット線BLの本数が多いためモニタセルMCmoniを多く設けることができるからである。
なお、モニタセルMCmoniをメモリストリングMS0のワード線WL0とした理由は、書き込み動作及び読み出し動作においてデータの読み、書きのいずれも最初のアクセスは各ブロックBLKのメモリストリングMS0、且つワード線WL0であるからである。つまり、最初のデータを読み出しさえすれば、当該ブロックBLKがリフレッシュする必要があるか否かをすぐさま確認することが出来る。
なお、第3の実施形態では、メモリコントローラ20の制御に従ってステートマシン5がメモリストリングMS0、且つワード線WL0のメモリセルMCに“00”データを書き込んでいたが、これに限られない。
つまり、“00”データの書き込みは、各ブロックユニットBUにおいて最初にアクセスするメモリストリングMS、且つワード線WLのアドレスに対応するメモリセルMCでよく、メモリストリングMS0且つワード線WL0のメモリセルMCに限られない。
<第2変形例>
次に図19(a)〜図19(h)を用いて第3の実施形態の変形例(以下、第2変形例)に係る第1メモリシステムについて説明する。第2変形例に係る第1メモリシステムは、フラグ領域FA、及びモニタセルMCmoniを設けず、実際の書き込みデータを用いてブロックBLK(またはブロックユニットBU)をリフレッシュする必要かあるか否かを把握するものである。
次に図19(a)〜図19(h)を用いて第3の実施形態の変形例(以下、第2変形例)に係る第1メモリシステムについて説明する。第2変形例に係る第1メモリシステムは、フラグ領域FA、及びモニタセルMCmoniを設けず、実際の書き込みデータを用いてブロックBLK(またはブロックユニットBU)をリフレッシュする必要かあるか否かを把握するものである。
具体的には、フラグ領域FA、及びモニタセルMCmoniを設けず、ユーザデータ(“00”)における保持能力の低下したメモリセルMCの数をカウントし、カウント値に応じてブロックBLK(又はブロックユニットBU0〜BU3のいずれか)を不良領域と判定する点で、上記第2の実施形態と異なる。
不良状態を把握する具体的手法として電圧VCG_CVで読み出したユーザデータと電圧VCG_CV−α(<電圧VCG_CV)で読み出したユーザデータとのXOR演算結果が、例えば“1”であるメモリセルMCの数をカウントし、結果が規定値以上であった場合にブロックBLK(又はブロックユニットBU0〜BU3)はリフレッシュする必要がある領域と判定する。
1.読み出しデータと期待値とを用いた演算の概念図
図19(a)〜図19(g)を用いて読み出しデータと期待値とを用いた演算について説明する。
図19(a)〜図19(g)を用いて読み出しデータと期待値とを用いた演算について説明する。
以下では、図3においてメモリセルMCの閾値電圧が“C”レベルに位置する場合、メモリセルMCから“1”データが読み出されるものとし、それ以外、すなわち“E”レベル〜“B”レベルに位置するメモリセルMCから“0”データが読み出されるものとする。
図19(a)はビット線BLに読み出されたデータを示した概念図であり、図19(b)はビット線BL毎に所定のベリファイ電圧(ここでは、電圧VCGR_CV、及び電圧VCGR_CV)で読み出した結果(“1”、又は“0”:図中、C1及びC2と記載)、並びにこのC1とC2とのXOR演算結果を示した表である。
更に図19(c)〜図19(g)はビット線BL0〜BL3、BL(m−1)、及びBLmから読み出されたデータの閾値分布を示す。
図19(a)に示すようにブロックBLKu、メモリストリングMS0、及びワード線WL0を読み出し対象とする。この時、ビット線BL0〜BLmには“1”または“0”のいずれかデータが読み出されるものとする。
図19(b)に示すように、縦軸にセンスアンプ3が電圧VCG_CVで読み出したデータ(以下、データC1)、センスアンプ3が電圧VCG_CV−αで読み出したデータ(以下、データC2)、並びにデータC1及びデータC2でXOR演算した結果(Error)を取り、横軸にビット線BLを取る。なお、演算結果はセンスアンプ3内のXDL(レジスタ6とデータのやりとりをするキャッシュ回路)に格納される。
図19(b)、並びに図19(c)、(d)、及び(f)に示すような閾値電圧を有するメモリセルMCは、電圧VCG_CV、及び電圧VCG_CV−αのいずれで読み出し動作を行ってもデータC1、及びC2は“0”である。従って、データC1及びC2のXOR演算結果は“0”となる。
また、図19(e)に示すような閾値電圧を有するメモリセルMCは、電圧VCG_CV、及び電圧VCG_CV−αのいずれで読み出し動作を行うといずれもデータC1及びC2は“1”である。従って、データC1及びC2のXOR演算結果は“0”となる。
これに対し、図19(g)に示すような閾値電圧を有するメモリセルMCは電圧VCG_CV−αで読み出すと“1”(データC2)であるが、電圧VCG_CVで読み出すと“0”(データC1)となる。従ってデータC1及びC2のXOR演算結果は“1”となる。
なお、この演算結果は、“0”、“1”いずれにしてもXDLに格納され、その後レジスタ6に転送された後、ステートマシン5によってホストへと出力される。
2.読み出し動作
次に図20(a)、及び図20(b)を用いて読み出し動作時の第1メモリシステムの動作について説明する。
2.1<メモリコントローラ20>
メモリコントローラ20はステートマシン5に読み出し要求を行う(S110)。その後、ステートマシン5から読み出しデータを受信する(S117)。
次に図20(a)、及び図20(b)を用いて読み出し動作時の第1メモリシステムの動作について説明する。
2.1<メモリコントローラ20>
メモリコントローラ20はステートマシン5に読み出し要求を行う(S110)。その後、ステートマシン5から読み出しデータを受信する(S117)。
2.2<ステートマシン5>
ステートマシン5はホストから読み出し要求があると、受信したブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、カラムアドレスCA、及びロウアドレスRAに従って所定のメモリセルMCを読み出す(S111)。
ステートマシン5はホストから読み出し要求があると、受信したブロックアドレスBA、ストリングアドレスSA、カラムアドレスCA、及びロウアドレスRAに従って所定のメモリセルMCを読み出す(S111)。
その後、ステートマシン5は読み出しデータを、XDLを介してレジスタ6に転送させ(S112)、レジスタ6内の“1”データをカウントする(S113)。
カウントの結果、カウント値が所定の値以下であれば(S114、NO)、ステートマシン5はメモリコントローラ20に読み出しデータを出力する(S115)。
これに対しカウント値が所定の値以上であれば(S114、YES)、ステートマシン5は対象のブロックBLK(またはブロックユニットBU)はリフレッシュする必要がある以後と判断する(S116)。
具体的には、当該ブロックBLK(またはブロックユニットBU)のデータを他の領域に転送した後、当該ブロックBLK(またはブロックユニットBU)をリフレッシュする。次いでステップS115の動作を実行する。
なお、ここでは“C”レベルに閾値電圧を有するメモリセルMCに着目したが、着目するメモリセルMCはこれに限られない。つまり、“C”レベルのメモリセルMCに対するXOR演算結果に加え、例えばそれよりも下の閾値電圧を有する(例えば“A”レベル)のメモリセルMCに対するXOR演算結果を用いて不良管理を行ってもよい。
この場合、ステートマシン5の不良管理に対する自由度が高くなる。すなわち、“C”レベル、または“A”いずれかの閾値電圧を有するメモリセルMCの演算結果を利用して不良管理を行っても良いし、両方の演算結果を用いて不良管理を行っても良い。
なお、図19(d)に示すような“A”レベルのメモリセルMCに対する具体的な演算方法は、読み出し電圧VCG_AV、及び電圧VCG_AV−αを用意し、それぞれの電圧で読み出した値につきXOR演算する。
また“A”レベルのメモリセルMCを用いるのには、以下3つの理由がある。
・1つ目に、図19(e)のようになかなか閾値落ちしないメモリセルMCが有る中、図19(d)、及び(f)に示すような“A”レベル及び“B”レベルのメモリセルMCの方が閾値落ちし易い場合がある。
・1つ目に、図19(e)のようになかなか閾値落ちしないメモリセルMCが有る中、図19(d)、及び(f)に示すような“A”レベル及び“B”レベルのメモリセルMCの方が閾値落ちし易い場合がある。
・2つ目に、ブロックBLK毎でメモリセルMCの劣化に偏りが生じる場合がある。
・3つ目に、上記ステップS113において不良と判断するための値に起因し(S114に示す“所定の値”が大き過ぎる場合など)、いつまで経っても不良と判断されない場合がある。
このようなことから、複数の閾値電圧を有するメモリセルMCを用いて不良管理をしても良い。
[第2の変形例に係る効果]
第2の変形例に係る第1メモリシステムあっても上記(3)及び(4)の効果を得ることが出来、(3)にあっては更に効率を上げることが出来る。
すなわち、第2の変形例であってもユーザメモリ領域内の実際の書き込みデータを用いている。このため、上記第3の実施形態と同様の効果を得ることが出来る。
第2の変形例に係る第1メモリシステムあっても上記(3)及び(4)の効果を得ることが出来、(3)にあっては更に効率を上げることが出来る。
すなわち、第2の変形例であってもユーザメモリ領域内の実際の書き込みデータを用いている。このため、上記第3の実施形態と同様の効果を得ることが出来る。
(3)の効果については更に効率よくブロックBLKの不良状態を把握することが出来る。これは1つ(“C”レベル)のデータを保持するメモリセルMCで不良状態を把握するだけでなく、それ以外のデータ(例えば“A”レベル)を保持するメモリセルMCの保持能力を確認しているからである。
例えば“A”レベルを保持するメモリセルMCも加えてモニタセルの対象とするのには上記挙げた3つの理由がある。このように複数のメモリセルMCをモニタセルの対象とすることで、細かくブロックBLKの不良状態を把握出来る。
<第3の変形例>
次に第3実施形態の変形例(以下、第3の変形例)に係る第1メモリシステムについて説明する。第3の変形例に係る第1メモリシステムは、第2の実施形態及び第2変形例におけるメモリセルMCの閾値を4値から2値(“E”レベルと“C”レベル)にした点で異なる。すなわち、1ビット(“0”又は“1”データ)のいずれかをメモリセルMCは保持する。
次に第3実施形態の変形例(以下、第3の変形例)に係る第1メモリシステムについて説明する。第3の変形例に係る第1メモリシステムは、第2の実施形態及び第2変形例におけるメモリセルMCの閾値を4値から2値(“E”レベルと“C”レベル)にした点で異なる。すなわち、1ビット(“0”又は“1”データ)のいずれかをメモリセルMCは保持する。
第1メモリシステムが保持可能なデータ数は減ってしまうが、“C”レベルのメモリセルMCの数は増えるため、不良管理を行う上でサンプル数は上昇する。
<第3の変形例に係る効果>
第3の変形例に係る第1メモリシステムあっても、上記(3)、及び(4)の効果に加え(5)の効果を得ることが出来る。
(5)サンプル数を増加させることが出来る。
第3の変形例に係る第1メモリシステムであると、ユーザメモリ領域内のメモリセルMCの保持データは2値となってしまうが、上記第3の実施形態と異なりどのブロックBLKのデータを読み出しても半分の確率で“C”レベルを読み出すことが出来る。
第3の変形例に係る第1メモリシステムあっても、上記(3)、及び(4)の効果に加え(5)の効果を得ることが出来る。
(5)サンプル数を増加させることが出来る。
第3の変形例に係る第1メモリシステムであると、ユーザメモリ領域内のメモリセルMCの保持データは2値となってしまうが、上記第3の実施形態と異なりどのブロックBLKのデータを読み出しても半分の確率で“C”レベルを読み出すことが出来る。
つまり、データの偏りがなく、均一なブロックBLKの不良管理をすることが出来る。
[第4の実施形態]
次に図21、及び図22を用いて第4の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置10について説明する。第4の実施形態では、特性の悪いメモリセルMCや、書き込み時において電界の影響を受け易いメモリセルMCには2値(“E”レベルまたは“C”レベルのいずれか)で書き込み動作を行うものである。
以下、メモリストリングMSの断面図を上層、中層、及び下層エリアに分けて説明する。
次に図21、及び図22を用いて第4の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置10について説明する。第4の実施形態では、特性の悪いメモリセルMCや、書き込み時において電界の影響を受け易いメモリセルMCには2値(“E”レベルまたは“C”レベルのいずれか)で書き込み動作を行うものである。
以下、メモリストリングMSの断面図を上層、中層、及び下層エリアに分けて説明する。
1.断面図(その1)
図21にメモリストリングMSの断面図(その1)を示す。図21に示すようにメモリストリングMSを構成し、半導体層BGの法線方向に向かって設けられる半導体層SCは、上層エリアから下層エリアのメモリセルMCに行くに従い、その幅が小さくなる傾向がある。
図21にメモリストリングMSの断面図(その1)を示す。図21に示すようにメモリストリングMSを構成し、半導体層BGの法線方向に向かって設けられる半導体層SCは、上層エリアから下層エリアのメモリセルMCに行くに従い、その幅が小さくなる傾向がある。
具体的にはメモリセルMC0を貫通する半導体層SCの幅はw1、メモリセルMCtを貫通する半導体層SCの幅はw2(<w1)とされる。
同様に、メモリセルMClを貫通する半導体層SCの幅はw3、そしてメモリセルMC(t+1)を貫通する半導体層SCの幅はw4(<w3)である。
これは製造時において半導体層SCの穴開けを一括で行うため、このように下層に向かうと半導体層SCの幅が小さくなる傾向がある。
2.断面図(その2)
図22にメモリストリングMSの断面図(その2)を示す。図21と異なり、図22では、半導体層SC用の穴開け処理を2度加工している点で異なる。つまり、まず下層エリアのメモリストリングMSを形成し、次いでこの下層エリアのメモリストリングMS上に上層エリアのメモリストリングMSを積層する。
図22にメモリストリングMSの断面図(その2)を示す。図21と異なり、図22では、半導体層SC用の穴開け処理を2度加工している点で異なる。つまり、まず下層エリアのメモリストリングMSを形成し、次いでこの下層エリアのメモリストリングMS上に上層エリアのメモリストリングMSを積層する。
具体的には、まずワード線WLとして機能するポリシリコンを積層し、次いで半導体層SC用の穴開け処理した後、半導体層SCを埋め込む。この工程によって下層エリアのメモリストリングMSを形成する。その後同様のプロセスを上層エリアでも行う。これにより図22に示すメモリストリングMSを構成する。
このように半導体層SC用の穴開け処理を2度行うため、中層エリアに位置するメモリセルMCを貫通する半導体層SCの幅が図21と異なる。具体的には、上層エリアのメモリセルMCsの幅はw5に対し下層エリアのメモリセルMC(s+1)の幅はw6(>w5)である。またメモリセルMCjの幅はw8に対し、メモリセルMC(j+1)の幅はw7(>w8)である。
3.データ書き込み方法
次に図21、及び図22を用いて2値でデータ書き込みするメモリセルMCと4値でデータ書き込みするメモリセルMCを説明する。
次に図21、及び図22を用いて2値でデータ書き込みするメモリセルMCと4値でデータ書き込みするメモリセルMCを説明する。
図21、及び図22において太枠で囲ったメモリセルMCについては2値でデータ書き込みを行う。
また、図21、及び図22においてそれ以外のメモリセルMCには4値でデータ書き込みを行う。
<第4の実施形態に係る効果>
第4の実施形態に係る第1メモリシステムであると、下記(6)の効果を得ることが出来る。
(6)動作信頼性を向上することが出来る。
すなわち、第4の実施形態に係る第1メモリシステムであると、半導体層SCが形成される穴の加工方法によって変化するメモリセルMCの特性に応じて適切な電圧印加をすることが出来る。
第4の実施形態に係る第1メモリシステムであると、下記(6)の効果を得ることが出来る。
(6)動作信頼性を向上することが出来る。
すなわち、第4の実施形態に係る第1メモリシステムであると、半導体層SCが形成される穴の加工方法によって変化するメモリセルMCの特性に応じて適切な電圧印加をすることが出来る。
つまり、半導体層SCの直径が大きなメモリセルMCには電界が掛かりにくく、他のメモリセルMCと比べて、上手くデータの書き込み、読み出し、及び消去が出来ないといった問題がある。
これに対して、半導体層SCの直径が小さなメモリセルMCには電界が掛かり過ぎてしまい、例えばデータ書き込みの際、オーバープログラムに至ってしまうことがある。
このような問題点を解決するため、経の大きなメモリセルMC、及び経の小さなメモリセルMCには“2”値でデータ書き込みをする。
このため、2値であれば4値に比してデータ書き込み、読み出し、消去等が容易に出来、またたとえオーバープログラムとなってしまっても、保持するデータは“0”又は“1”の2値であるためデータとしては問題ない。
なお、上記第1の実施形態〜第4の実施形態においてメモリコントローラ20がデータの授受や、ブロックBLKの不良管理、コマンド発行等行っていたが、この機能を図示せぬホストが保持していてもよい。すなわち、ステートマシン5はホストとの間で上記第1〜第4の実施形態に係る動作を実行することも出来る。
本実施形態では、以下の態様を含む。
[付記1]
半導体層上に積層された複数のメモリセルを含むブロックユニットを複数備えたメモリセルアレイ(MAT、Plane)と、
前記ブロックユニット毎に設けられ、前記ブロックユニットが不良(C level)か否か(E level)の情報を保持する第1フラグ領域と、
読み出し動作または書き込み動作において、前記ブロックユニットごとに前記情報を読み出し(write動作時はwrite verify, read動作時は通常読み出し)、前記情報が前記不良(C level)を示す場合、前記不良を示す情報に対応する前記ブロックユニットへのアクセスを禁止する制御部(memory controller)と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
[付記1]
半導体層上に積層された複数のメモリセルを含むブロックユニットを複数備えたメモリセルアレイ(MAT、Plane)と、
前記ブロックユニット毎に設けられ、前記ブロックユニットが不良(C level)か否か(E level)の情報を保持する第1フラグ領域と、
読み出し動作または書き込み動作において、前記ブロックユニットごとに前記情報を読み出し(write動作時はwrite verify, read動作時は通常読み出し)、前記情報が前記不良(C level)を示す場合、前記不良を示す情報に対応する前記ブロックユニットへのアクセスを禁止する制御部(memory controller)と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
[付記2]
前記第1フラグ領域は、他の前記ブロックユニットについての前記不良か否かを示す前記情報を更に保持し、
前記制御部(memory controller)は、前記不良ではないと判断された前記ブロックユニットに対応する前記第1フラグ領域が保持する前記情報に基づいて、前記他の前記ブロックユニットが前記不良か否を判断する
ことを特徴とする付記1記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記第1フラグ領域は、他の前記ブロックユニットについての前記不良か否かを示す前記情報を更に保持し、
前記制御部(memory controller)は、前記不良ではないと判断された前記ブロックユニットに対応する前記第1フラグ領域が保持する前記情報に基づいて、前記他の前記ブロックユニットが前記不良か否を判断する
ことを特徴とする付記1記載の不揮発性半導体記憶装置。
[付記3]
前記ブロックユニット及び前記第1フラグ領域は、各々が複数の前記メモリセル及び選択トランジスタを含み、且つ前記各々がソース線及びビット線に接続された複数メモリストリングによって構成され、
前記データの消去時において、前記制御部は前記ソース線に第1電圧(20V)、前記選択トランジスタ(ここではSGDとする)のゲートに前記第1電圧(20V)よりも小さな第2電圧(12V)を印加しつつ、
前記制御部は、前記データの消去を行う前記ブロックユニットに対応する前記ビット線には前記第1電圧(20V)、前記データの消去を行わない前記第1フラグ領域に対応する前記ビット線には前記第2電圧(12V)以下の電圧をそれぞれ印加する
ことを特徴とする付記2記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記ブロックユニット及び前記第1フラグ領域は、各々が複数の前記メモリセル及び選択トランジスタを含み、且つ前記各々がソース線及びビット線に接続された複数メモリストリングによって構成され、
前記データの消去時において、前記制御部は前記ソース線に第1電圧(20V)、前記選択トランジスタ(ここではSGDとする)のゲートに前記第1電圧(20V)よりも小さな第2電圧(12V)を印加しつつ、
前記制御部は、前記データの消去を行う前記ブロックユニットに対応する前記ビット線には前記第1電圧(20V)、前記データの消去を行わない前記第1フラグ領域に対応する前記ビット線には前記第2電圧(12V)以下の電圧をそれぞれ印加する
ことを特徴とする付記2記載の不揮発性半導体記憶装置。
[付記4]
前記第1フラグ領域(Flag)は、前記ブロックユニットの両端に配置され、
前記第1フラグ領域のいずれか一方が前記不良を示す場合、前記制御部はこの第1フラグ領域に対応する前記ブロックユニットを前記不良と判断する
ことを特徴とする付記3記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記第1フラグ領域(Flag)は、前記ブロックユニットの両端に配置され、
前記第1フラグ領域のいずれか一方が前記不良を示す場合、前記制御部はこの第1フラグ領域に対応する前記ブロックユニットを前記不良と判断する
ことを特徴とする付記3記載の不揮発性半導体記憶装置。
[付記5]
前記ブロックユニットにはm本(m:自然数)の前記ビット線が貫通し、
複数の前記メモリストリングのうちn本(n:自然数、(n<m))のビット線に接続され且つ前記ブロックユニットの前記情報を保持するストリングユニットを含み、
前記ストリングユニットから読み出された前記データの変化に応じて、前記制御部は前記ブロックユニットをリフレッシュが必要と判断する
ことを特徴とする付記1記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記ブロックユニットにはm本(m:自然数)の前記ビット線が貫通し、
複数の前記メモリストリングのうちn本(n:自然数、(n<m))のビット線に接続され且つ前記ブロックユニットの前記情報を保持するストリングユニットを含み、
前記ストリングユニットから読み出された前記データの変化に応じて、前記制御部は前記ブロックユニットをリフレッシュが必要と判断する
ことを特徴とする付記1記載の不揮発性半導体記憶装置。
[付記6]》
複数の前記ブロックユニットによってブロックが構成され、このブロックにはl(l:自然数、(l>m))本の前記ビット線が貫通し、
前記ブロックの各々は、前記ブロックを構成する前記ブロックユニット間を貫通するワード線によって共通接続された前記メモリセルの集合体を含み、
前記l本のビット線から読み出され、前記集合体が保持する前記ブロックの前記不良情報の変化に応じて、前記制御部は前記ブロックをリフレッシュする必要があると判断する
ことを特徴とする付記1記載の不揮発性半導体記憶装置。
複数の前記ブロックユニットによってブロックが構成され、このブロックにはl(l:自然数、(l>m))本の前記ビット線が貫通し、
前記ブロックの各々は、前記ブロックを構成する前記ブロックユニット間を貫通するワード線によって共通接続された前記メモリセルの集合体を含み、
前記l本のビット線から読み出され、前記集合体が保持する前記ブロックの前記不良情報の変化に応じて、前記制御部は前記ブロックをリフレッシュする必要があると判断する
ことを特徴とする付記1記載の不揮発性半導体記憶装置。
[付記7]
前記集合体は、前記ブロックユニット間を貫通する前記ワード線に接続され、且つ前記ソース線に隣接する複数の前記メモリセルによって構成される
ことを特徴とする付記6記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記集合体は、前記ブロックユニット間を貫通する前記ワード線に接続され、且つ前記ソース線に隣接する複数の前記メモリセルによって構成される
ことを特徴とする付記6記載の不揮発性半導体記憶装置。
[付記8]
前記情報を保持する前記メモリセルは、一番高い閾値分布を有する
ことを特徴とする付記5または付記7記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記情報を保持する前記メモリセルは、一番高い閾値分布を有する
ことを特徴とする付記5または付記7記載の不揮発性半導体記憶装置。
[付記9]
前記メモリストリングは、前記半導体層上に前記積層され互いに隣接する複数の前記メモリセルが前記半導体層内に設けられた結合部を介して構成され、
前記制御部は、前記選択トランジスタに隣接し、且つ最上層に設けられたメモリセル、及び前記結合部に隣接し、且つ最下層に設けられたメモリセルに前記データとして前記2値の値を保持させる
ことを特徴とする付記8記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記メモリストリングは、前記半導体層上に前記積層され互いに隣接する複数の前記メモリセルが前記半導体層内に設けられた結合部を介して構成され、
前記制御部は、前記選択トランジスタに隣接し、且つ最上層に設けられたメモリセル、及び前記結合部に隣接し、且つ最下層に設けられたメモリセルに前記データとして前記2値の値を保持させる
ことを特徴とする付記8記載の不揮発性半導体記憶装置。
[付記10]
付記1乃至付記9のいずれか一項記載の不揮発性半導体記憶装置を制御するメモリコントローラであって、
前記メモリコントローラは、読み出し要求をした後、前記不揮発性半導体記憶装置から前記情報及び前記読み出しデータを受信すると、
前記情報が不良か否かを判断し、
前記情報が前記不良であった場合、前記メモリコントローラは前記読み出しデータを破棄し、
前記情報が前記不良でない場合、前記メモリコントローラは前記読み出しデータを正常な値として判断する
ことを特徴とするメモリコントローラ。
付記1乃至付記9のいずれか一項記載の不揮発性半導体記憶装置を制御するメモリコントローラであって、
前記メモリコントローラは、読み出し要求をした後、前記不揮発性半導体記憶装置から前記情報及び前記読み出しデータを受信すると、
前記情報が不良か否かを判断し、
前記情報が前記不良であった場合、前記メモリコントローラは前記読み出しデータを破棄し、
前記情報が前記不良でない場合、前記メモリコントローラは前記読み出しデータを正常な値として判断する
ことを特徴とするメモリコントローラ。
[付記11]
付記1乃至付記9のいずれか一項記載の不揮発性半導体記憶装置を制御するメモリコントローラであって、
前記メモリコントローラは、書き込み要求をした後、前記不揮発性半導体記憶装置から前記情報を受信すると、
前記情報が不良か否か判断し、
前記情報が不良であった場合、前記メモリコントローラは前記書き込み要求において前記不揮発性半導体記憶装置に転送した書き込みデータを次の書き込み時において前記不揮発性半導体記憶装置に転送し、
前記情報が不良でない場合、前記メモリコントローラは前記書き込み要求が正常に行われたものと判断する
ことを特徴とするメモリコントローラ。
付記1乃至付記9のいずれか一項記載の不揮発性半導体記憶装置を制御するメモリコントローラであって、
前記メモリコントローラは、書き込み要求をした後、前記不揮発性半導体記憶装置から前記情報を受信すると、
前記情報が不良か否か判断し、
前記情報が不良であった場合、前記メモリコントローラは前記書き込み要求において前記不揮発性半導体記憶装置に転送した書き込みデータを次の書き込み時において前記不揮発性半導体記憶装置に転送し、
前記情報が不良でない場合、前記メモリコントローラは前記書き込み要求が正常に行われたものと判断する
ことを特徴とするメモリコントローラ。
[付記12]
付記5乃至付記9のいずれか一項記載の不揮発性半導体記憶装置を制御するメモリコントローラであって、
前記第1フラグ領域は前記ブロックユニット毎の前記情報を保持し、
前記メモリコントローラは、読み出し要求の後に前記情報によって読み出し対象とする前記ブロックユニットが前記不良であることを受信すると、
前記ブロックユニットと異なる優良な他のブロックユニットに対応する前記フラグ領域を参照し、前記ブロックユニットが不良か否かを多数決で判断する
ことを特徴とするメモリコントローラ。
付記5乃至付記9のいずれか一項記載の不揮発性半導体記憶装置を制御するメモリコントローラであって、
前記第1フラグ領域は前記ブロックユニット毎の前記情報を保持し、
前記メモリコントローラは、読み出し要求の後に前記情報によって読み出し対象とする前記ブロックユニットが前記不良であることを受信すると、
前記ブロックユニットと異なる優良な他のブロックユニットに対応する前記フラグ領域を参照し、前記ブロックユニットが不良か否かを多数決で判断する
ことを特徴とするメモリコントローラ。
[付記13]
付記1乃至9いずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置と、
付記10又は付記11記載のコントローラと
を具備するメモリシステム。
付記1乃至9いずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置と、
付記10又は付記11記載のコントローラと
を具備するメモリシステム。
[付記14]
付記1乃至9いずれか一項記載の不揮発性半導体記憶装置と、
付記11又は付記12記載のコントローラと
を具備するメモリシステム。
付記1乃至9いずれか一項記載の不揮発性半導体記憶装置と、
付記11又は付記12記載のコントローラと
を具備するメモリシステム。
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
10…Plane、20…周辺回路、11…MAT、MS…メモリストリング、Col…カラムデコーダ、SC…半導体層、MS…メモリストリング、SGS、SGD…選択信号線、WL…ワード線、BL…ビット線、BG…半導体基板、CC、CU、C1…コンタクトプラグ
Claims (7)
- 半導体層上に積層された複数のメモリセルを含むブロックユニットを複数備えたメモリセルアレイと、
前記ブロックユニット毎に設けられ、前記ブロックユニットが不良か否かの情報を保持する第1フラグ領域と、
読み出し動作または書き込み動作において、前記ブロックユニットごとに前記情報を読み出し、前記情報が前記不良を示す場合、前記不良を示す情報に対応する前記ブロックユニットへのアクセスを禁止する制御部と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1フラグ領域は、他の前記ブロックユニットについての前記不良か否かを示す前記情報を更に保持し、
前記制御部は、前記不良ではないと判断された前記ブロックユニットに対応する前記第1フラグ領域が保持する前記情報に基づいて、前記他の前記ブロックユニットが前記不良か否を判断する
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ブロックユニット及び前記第1フラグ領域は、各々が複数の前記メモリセル及び選択トランジスタを含み、且つ前記各々がソース線及びビット線に接続された複数メモリストリングによって構成され、
前記データの消去時において、前記制御部は前記ソース線に第1電圧、前記選択トランジスタのゲートに前記第1電圧よりも小さな第2電圧を印加しつつ、
前記制御部は、前記データの消去を行う前記ブロックユニットに対応する前記ビット線には前記第1電圧、前記データの消去を行わない前記第1フラグ領域に対応する前記ビット線には前記第2電圧以下の電圧をそれぞれ印加する
ことを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ブロックユニットにはm本(m:自然数)の前記ビット線が貫通し、
複数の前記メモリストリングのうちn本(n:自然数、(n<m))のビット線に接続され且つ前記ブロックユニットの前記情報を保持するストリングユニットを含み、
前記ストリングユニットから読み出された前記データの変化に応じて、前記制御部は前記ブロックユニットをリフレッシュが必要と判断する
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 複数の前記ブロックユニットによってブロックが構成され、このブロックにはl(l:自然数、(l>m))本の前記ビット線が貫通し、
前記ブロックの各々は、前記ブロックを構成する前記ブロックユニット間を貫通するワード線によって共通接続された前記メモリセルの集合体を含み、
前記l本のビット線から読み出され、前記集合体が保持する前記ブロックの前記不良情報の変化に応じて、前記制御部は前記ブロックをリフレッシュする必要があると判断する
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項記載の不揮発性半導体記憶装置を制御するメモリコントローラであって、
前記メモリコントローラは、読み出し要求をした後、前記不揮発性半導体記憶装置から前記情報及び前記読み出しデータを受信すると、
前記情報が不良であることを示しているか否かを判断し、
前記情報が前記不良であった場合、前記メモリコントローラは前記読み出しデータを破棄し、
前記情報が前記不良でない場合、前記メモリコントローラは前記読み出しデータを正常な値として判断する
ことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1乃至5いずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置と、
請求項6記載のコントローラと
を具備するメモリシステム。
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