JP2017045288A - メモリシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一実施形態のメモリシステムは、ホスト機器からチップセレクト信号/CSを受信可能な第1ピン(Pin1)と、チップセレクト信号が受信された直後に受信された信号をコマンドとして認識するインターフェース回路(210,220)と、メモリセルアレイ(110)と、キャンセル制御回路(441)とを備える。メモリセルアレイは、バッドブロックを示す第1バッドブロック管理情報が予め第1領域に書き込まれている。キャンセル制御回路は、第1バッドブロック管理情報に基づいて、コマンドがバッドブロックに対する消去又は書き込み動作を命令する第1禁止コマンドの場合に、第1禁止コマンドをキャンセルする。
【選択図】図17
Description
各実施形態に係るメモリシステムに共通する事項を説明する。
0.1.1 メモリシステムの全体構成について
まず、各実施形態に係るメモリシステムの大まかな全体構成について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、各実施形態に係るメモリシステムの外観図であり、特に上面から見た様子を示し、図2は図1における2−2線に沿った断面図である。
この場合でも、ピン構成はSPIに準拠している。
次に、コントローラ200の構成の詳細につき、引き続き図6を用いて説明する。図示するようにコントローラ200は、ホスト入出力回路210、ホストインターフェース回路220、NANDインターフェース回路230、NAND入出力回路240、シーケンサ(ステートマシン)250、データバッファ260、270、ステータスレジスタ280、アドレスレジスタ290、及び周辺回路600を備えている。
次に、NAND型フラッシュメモリ100の構成について、図7を用いて説明する。図7は、NAND型フラッシュメモリ100のブロック図である。
次に、各実施形態に係るメモリシステムにおけるデータの読み出し動作、書き込み動作、及び消去動作につき、SPIバス及びNANDバスで送受信される信号に着目して、以下簡単に説明する。
まず、読み出し動作について説明する。読み出し動作は、大まかには以下の3ステップを含む。すなわち、
(1)NAND型フラッシュメモリからのデータ読み出し:本動作により、NAND型フラッシュメモリ100からコントローラ200にデータが読み出される。
(2)特徴テーブル読み出し(Get featureと呼ぶことがある):本動作により、メモリシステム1がビジー状態であるかレディ状態であるか、すなわち上記(1)の動作が完了したか否かが判定される。
(3)コントローラ200からのデータ読み出し:本動作により、(1)でコントローラ200に読み出されたデータがホスト機器500に読み出される。
次に書き込み動作について説明する。書き込み動作は、大まかには以下の3ステップを含む。すなわち、
(1)ホスト機器500からコントローラ200へのデータ転送。
(2)転送したデータのNAND型フラッシュメモリ100への書き込み。
(3)特徴テーブル読み出し(Get feature):本動作により、NAND型フラッシュメモリ100への書き込みがパスしたかフェイルしたかが判定される。
次に消去動作について説明する。消去動作は、大まかには以下の2ステップを含む。すなわち、
(1)ホスト機器500からコントローラ200への消去命令。
(2)特徴テーブル読み出し(Get feature):本動作により、NAND型フラッシュメモリ100への消去動作がパスしたかフェイルしたかが判定される。
1.1 NAND型フラッシュメモリ100の構成について
始めに、第1実施形態に係るNAND型フラッシュメモリ100の構成について、図17乃至図19を用いて説明する。図17は、第1実施形態に係るメモリシステム及びその周辺構成を示す模式図であり、図18及び図19はそれぞれ図17に示すメモリセルアレイ及びNAND型フラッシュメモリの構成を説明するための模式図である。図17乃至図19に関し、前述した図面と略同一部分には同一符号を付してその詳しい説明を省略し、ここでは異なる部分について主に述べる。なお、以下の各実施形態も同様にして重複した説明を省略する。
コントローラ200の構成は、図6に示した通りである。
次に、本実施形態に係るメモリシステムにおける禁止コマンドのキャンセル動作について図22乃至図25のフローチャートを用いて説明する。このキャンセル動作は、大まかには図22に示す如き、3つのステップST10〜ST30を含む。
本実施形態によれば、バッドブロックに対する消去及び書き込み動作をキャンセルできる。本効果につき、以下、図26に示すようなメモリシステムを比較例に挙げて説明する。
次に、第2実施形態に係るメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第1実施形態において、後天性のバッドブロック(経年劣化により使用不能となったブロック)が生じた場合にも、禁止コマンドをキャンセルできるようにしたものである。以下では、第1実施形態と異なる点についてのみ説明する。
メモリセルアレイ110は、図17及び図18に示した構成に比べ、図27及び図28に示すように、後天性のバッドブロックを示す第2バッドブロック管理情報(以下、第2BB管理情報)が書き込まれる専用ブロック(第2領域)を含んでいる。なお、第1BB管理情報が書き込まれる第1領域及び第2BB管理情報が書き込まれる第2領域は、メモリセルアレイ110内の互いに異なるブロックに形成されている。但し、これに限らず、第1領域及び第2領域は、メモリセルアレイ110内の互いに同一のブロックに形成されていてもよい。換言すると、第1BB管理情報及び第2BB管理情報は、メモリセルアレイ110内の互いに同一のブロックに書き込まれてもよい。この場合、第2BB管理情報は、例えば図18に示した専用ブロックBLK内の第1BB管理情報のフラグ情報をグッドブロックの値からバッドブロックの値に更新することにより、書き込んでもよい。
コントローラ200の構成は、図6に示した通りである。
次に、本実施形態に係るメモリシステムにおける禁止コマンドのキャンセル動作について図29乃至図32のフローチャートを用いて説明する。このキャンセル動作は、大まかには前述したステップST20,ST30に代えて、図29に破線で示す如き、3つのステップST40〜ST60を含む。すなわち、本実施形態は、前述したステップST10が実行された後、以下の3つのステップST40〜ST60が実行される。
本実施形態によれば、第1の実施形態の効果に加え、後天性のバッドブロックに対しても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、本実施形態では、誤って後天性のバッドブロックに対して禁止コマンドを発行した場合でも、メモリシステム1が禁止コマンドをキャンセルするので、後天性のバッドブロックに対する消去動作及び書き込み動作をそれぞれ阻止することができる。また同様に、本実施形態によれば、ホスト機器500側でバッドブロック情報をリードする必要がなくなるので、システム・パフォーマンスの向上を期待できる。
次に、第3実施形態に係るメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第1実施形態又は第2実施形態において、BBテーブル411及びBBアクセス制御回路441をNAND型フラッシュメモリ100側に代えて、コントローラ200側に配置したものである。以下では、第1実施形態及び第2実施形態と異なる点についてのみ説明する。
NAND型フラッシュメモリ100の構成は、図7に示した通りであり、BBテーブル411及びBBアクセス制御回路441が省略されている。
コントローラ200は、図33又は図34に示すように、BBテーブル411及びBBアクセス制御回路441を備えている。具体的には、コントローラ200は、図6に示した構成において、例えば、BBテーブル411をステータスレジスタ280等に保持し、シーケンサ250がBBアクセス制御回路441の機能を有している。
次に、本実施形態に係るメモリシステムにおける禁止コマンドのキャンセル動作について説明する。本実施形態では、前述したBBアクセス制御回路441の動作をコントローラ200内のシーケンサ250が実行する。すなわち、シーケンサ250は、例えば、前述した禁止コマンドのキャンセルステップST30又はST60を実行する。
本実施形態によれば、前述したBBテーブル411及びBBアクセス制御回路441をコントローラ200側に配置した構成により、第1実施形態及び第2実施形態の効果に加え、より一層、パフォーマンスの向上を期待することができる。
次に、第4実施形態に係るメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第1乃至第3実施形態の各々において、BBテーブル411内のテーブルデータ(先天性/後天性)をホスト機器500側で読み出せるようレジスタを追加したものである。以下、本実施形態は、第2実施形態の変形例とした場合を例に挙げて述べるが、これに限らず、第1実施形態又は第3実施形態の変形例としても実施できる。
NAND型フラッシュメモリ100の構成は、図27に示した通りである。
コントローラ200は、図6に示した構成に比べ、図35に示すように、BBテーブル411から読み出されたテーブルデータを保持可能なBBテーブルレジスタ281を更に備えている。
次に、本実施形態に係るメモリシステムにおける動作について説明する。本実施形態では、前述したステップST53の後、コントローラ200では、インターフェース回路210,220が、ホスト機器500から第1読み出しコマンドを受信すると、BBテーブル411から読み出されたテーブルデータをBBテーブルレジスタ281に保持させる。
本実施形態によれば、ホスト機器500が各ブロックの先頭ページのBB情報をブロック毎に読み出す構成とは異なり、BB管理情報が記述されたテーブルデータをホスト機器500側に通知できるので、ホスト機器500側のリード回数を削減できる。また、ホスト機器500は、送信されたテーブルデータに基づき、バッドブロックへの禁止コマンドの発行を抑制できる。これに加え、本実施形態によれば、第1乃至第3実施形態のうち、適用した実施形態の効果を得ることができる。
次に、第5実施形態に係るメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第1乃至第4実施形態の各々において、ホスト機器500から先天性のバッドブロックに対する禁止コマンドが発行された場合に、エラーを示すステータスデータを返さず、次のグッドブロックに対してコマンドの処理を実行するものである。以下、本実施形態は、第1実施形態の変形例とした場合を例に挙げて述べるが、これに限らず、第2実施形態、第3実施形態、又は第4実施形態の変形例としても実施できる。
NAND型フラッシュメモリ100は、図17及び図19に示した構成に比べ、図36及び図37に示すように、バッドブロックに対して第1禁止コマンドが命令する動作をグッドブロックに対して実行させるためのアドレス変換回路442を更に備えている。
コントローラ200の構成は、図6に示した通りである。
次に、本実施形態に係るメモリシステムにおける禁止コマンドのキャンセル動作について図38のフローチャートを用いて説明する。このキャンセル動作は、図38に破線で示すように、前述したステップST31〜ST34の処理の後、ステップST36,ST37を実行するものである。
本実施形態によれば、第1の実施形態の効果に加え、第1禁止コマンドがキャンセルされた後、別のグッドブロックに対して再度コマンドを発行せずに、グッドブロックに対する消去又は書き込み動作を実行することができる。
以上のように、上記実施形態に係るメモリシステムは、ホスト機器からチップセレクト信号(/CS in FIG4)を受信可能な第1ピン(Pin No.1 in FIG4)と、ホスト機器へ第1信号(SO in FIG4)を出力可能な第2ピン(Pin No.2 in FIG4)と、ホスト機器から第2信号(SI in FIG4)を受信可能な第3ピン(Pin No.5 in FIG4)と、ホスト機器からクロック(SCK in FIG4)を受信可能な第4ピン(Pin No.6 in FIG4)と、インターフェース回路(210,220 in FIG6)と、メモリセルアレイ(110 in FIG7, 17,18)と、キャンセル制御回路(441 in FIG17,19)とを具備する。インターフェース回路は、アサートされたチップセレクト信号が受信された直後に第3ピンで受信された第2信号をコマンドとして認識する。メモリセルアレイは、データを保持可能なメモリセルを有する複数のブロックを含み、前記複数のブロックのうちのバッドブロックを示す第1バッドブロック管理情報が予め第1領域に書き込まれている。キャンセル制御回路は、第1バッドブロック管理情報に基づいて、コマンドがバッドブロックに対する消去又は書き込み動作を命令する第1禁止コマンドの場合に、第1禁止コマンドをキャンセルする。
Claims (13)
- ホスト機器からチップセレクト信号を受信可能な第1ピンと、
前記ホスト機器へ第1信号を出力可能な第2ピンと、
前記ホスト機器から第2信号を受信可能な第3ピンと、
前記ホスト機器からクロックを受信可能な第4ピンと、
アサートされた前記チップセレクト信号が受信された直後に前記第3ピンで受信された前記第2信号をコマンドとして認識するインターフェース回路と、
データを保持可能なメモリセルを有する複数のブロックを含み、前記複数のブロックのうちのバッドブロックを示す第1バッドブロック管理情報が予め第1領域に書き込まれたメモリセルアレイと、
前記第1バッドブロック管理情報に基づいて、前記コマンドがバッドブロックに対する消去又は書き込み動作を命令する第1禁止コマンドの場合に、前記第1禁止コマンドをキャンセルするキャンセル制御回路と、
を具備することを特徴とするメモリシステム。 - 前記第1バッドブロック管理情報は、出荷時に存在する先天性のバッドブロックを示す情報であることを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記第1バッドブロック管理情報が記述されたテーブルデータを含むバッドブロックテーブルを更に備え、
前記キャンセル制御回路は、前記テーブルデータに基づいて、前記第1禁止コマンドをキャンセルすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のメモリシステム。 - 前記第1禁止コマンドがキャンセルされると、前記第1禁止コマンドが対象とするバッドブロックを示す論理アドレスを、前記バッドブロックとは異なるグッドブロックを示す物理アドレスに変換するアドレス変換回路と、
前記物理アドレスが示すグッドブロックに対する前記消去又は書き込み動作を実行する制御回路と
を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のメモリシステム。 - 前記メモリセルアレイは、後天性のバッドブロックを示す第2バッドブロック管理情報が書き込まれる第2領域を含んでおり、
前記キャンセル制御回路は、前記第2バッドブロック管理情報に基づいて、前記コマンドが後天性のバッドブロックに対する消去又は書き込み動作を命令する第2禁止コマンドの場合に、前記第2禁止コマンドをキャンセルすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のメモリシステム。 - 前記第1バッドブロック管理情報と前記第2バッドブロック管理情報とが記述されたテーブルデータを含むバッドブロックテーブルを更に備え、
前記キャンセル制御回路は、前記テーブルデータに基づいて、前記第1禁止コマンド及び前記第2禁止コマンドを個別にキャンセルすることを特徴とする請求項5に記載のメモリシステム。 - 前記バッドブロックテーブルから読み出されたテーブルデータを保持可能なバッドブロックテーブルレジスタを更に備え、
前記インターフェース回路は、前記ホスト機器から第1読み出しコマンドを受信すると、前記バッドブロックテーブルから読み出されたテーブルデータを前記バッドブロックテーブルレジスタに保持させ、
前記第1読み出しコマンドと異なる第2読み出しコマンドを受信すると、前記テーブルデータを前記ホスト機器に出力することを特徴とする請求項3又は請求項6に記載のメモリシステム。 - 前記第1領域及び前記第2領域は、前記メモリセルアレイ内の互いに異なるブロックに形成されていることを特徴とする請求項5に記載のメモリシステム。
- 前記第1領域及び前記第2領域は、前記メモリセルアレイ内の同一のブロックに形成されていることを特徴とする請求項5に記載のメモリシステム。
- 前記インターフェース回路は、前記クロックに同期して前記第2信号を受信し、前記チップセレクト信号がアサートされた後の最初のクロックに同期して受信した前記第2信号を前記コマンドと認識する
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記インターフェース回路は、SPI(Serial Peripheral Interface)に準拠したバスにより前記ホスト機器と接続可能である
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記インターフェース回路は第1半導体チップに実装され、
前記メモリセルアレイ及び前記キャンセル制御回路は、前記第1半導体チップとは異なる第2半導体チップに実装される
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記インターフェース回路、前記メモリセルアレイ、及び前記キャンセル制御回路は、同一の半導体チップに実装される
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
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