JP2015032765A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100を示す平面図である。半導体装置100は、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の電圧駆動型の半導体スイッチ素子が搭載されたパワー半導体モジュールである。
なお、図6のように、フレーム1のうちめっき4が設けられている領域の端には、突起7が形成されてもよい。すなわち、実施の形態1の変形例1に係る半導体装置100に含まれるフレーム1のうちめっき4が設けられている領域の端には、突起7が形成されている。突起7は、めっき4の厚みより大きい高さを有する。突起7は、接合処理が行われる際のはんだ3の少なくとも一部の流動を止めるように設けられる。
なお、図7のように、フレーム1の主面1a側には、凹部30が形成されてもよい。凹部30は、フレーム1において、前述のはんだ濡れ広がり領域全体に対し、主面1a側からコイニングを実施することにより形成される。凹部30の形成に伴い、段差31が形成される。
なお、図8のように、フレーム1の主面1aのうちめっき4が設けられている領域の外周部には、凹凸部9が形成されてもよい。凹凸部9は、凹凸を有する領域である。
なお、図9のように、フレーム1の主面1aのうちめっき4が設けられている領域の外周部には、ソルダーレジスト10が塗布されてもよい。ソルダーレジスト10とは、はんだ3の流動を抑制する材料である。
なお、図10のように、フレーム1のうちめっき4が設けられている領域の端には、溝11が形成されてもよい。
Claims (6)
- はんだを介して半導体チップが接合対象とされる領域である接合領域を有するフレームを備え、
前記フレームのうち前記接合領域の外周部上には、該接合領域に前記はんだを介して前記半導体チップを接合する接合処理が行われる際の該はんだの流動を制御するめっきが設けられる
半導体装置。 - 前記フレームのうち前記めっきが設けられている領域の端には、前記めっきの厚みより大きい高さを有する突起が形成されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記フレームのうち前記めっきが設けられている領域の端には、前記めっきの厚みより大きい高さを有する段差が形成されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記フレームのうち前記めっきが設けられている領域の外周部には、梨地加工により生成された凹凸部が形成されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記フレームのうち前記めっきが設けられている領域の外周部には、ソルダーレジストが塗布されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記フレームのうち前記めっきが設けられている領域の端には、溝が形成されている
請求項1に記載の半導体装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017208433A (ja) * | 2016-05-18 | 2017-11-24 | Shプレシジョン株式会社 | リードフレームの製造方法、およびリードフレーム |
JP2019041108A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
WO2019167254A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN110476235A (zh) * | 2017-03-27 | 2019-11-19 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法 |
WO2019219536A1 (de) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | Robert Bosch Gmbh | Kontaktanordnung, elektronikbaugruppe umfassend die kontaktanordnung und verfahren zur ausbildung der kontaktanordnung |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0823002A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001298033A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2001358278A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2002368018A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004119944A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Toyota Industries Corp | 半導体モジュールおよび実装基板 |
JP2006303216A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2009218280A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2013
- 2013-08-06 JP JP2013162926A patent/JP2015032765A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0823002A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001298033A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2001358278A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2002368018A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004119944A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Toyota Industries Corp | 半導体モジュールおよび実装基板 |
JP2006303216A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Denso Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2009218280A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017208433A (ja) * | 2016-05-18 | 2017-11-24 | Shプレシジョン株式会社 | リードフレームの製造方法、およびリードフレーム |
CN110476235A (zh) * | 2017-03-27 | 2019-11-19 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法 |
JP2019041108A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
JP7207904B2 (ja) | 2017-08-25 | 2023-01-18 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
WO2019167254A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6619120B1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-12-11 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2019219536A1 (de) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | Robert Bosch Gmbh | Kontaktanordnung, elektronikbaugruppe umfassend die kontaktanordnung und verfahren zur ausbildung der kontaktanordnung |
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