JP2009170702A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 熱疲労寿命を向上させることができる半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】 矩形板形状の半導体素子3の広い側の面と基板体2をはんだ4で接合した半導体モジュール1において、半導体素子3の四隅部と重なる基板体位置に、はんだ4の厚さを基板体2の接合面より大きくする隅溝部21を設け、隅溝部21は、一部を半導体素子3の四隅部と重なるようにし、半導体素子3の外周側の基板位置のはんだ4の厚さを基板体2の接合面より大きくした。
【選択図】 図1
【解決手段】 矩形板形状の半導体素子3の広い側の面と基板体2をはんだ4で接合した半導体モジュール1において、半導体素子3の四隅部と重なる基板体位置に、はんだ4の厚さを基板体2の接合面より大きくする隅溝部21を設け、隅溝部21は、一部を半導体素子3の四隅部と重なるようにし、半導体素子3の外周側の基板位置のはんだ4の厚さを基板体2の接合面より大きくした。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体素子と基板をはんだで接合する半導体モジュールの技術分野に属する。
従来では、両面放熱型の半導体装置において、金属板と半導体素子との間にブロック体を介在させ、ブロック体とはんだ付けを行う金属板ではんだが設置される領域の外周に環状の溝を設け、溝の内側に濡れ性が大きい部材を設けて、溝内のはんだがブロック体の端面を濡れ広がるのを抑制している(例えば、特許文献1参照。)。
特開2007−103909号公報(第2−13頁、全図)
しかしながら、従来にあっては、冷熱サイクルに対する対策が充分なものではなかった。
本発明は、上記問題点に着目してなされたもので、その目的とするところは、熱疲労寿命を向上させることができる半導体モジュールを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明では、矩形板形状の半導体素子の広い側の面と基板体をはんだで接合した半導体モジュールにおいて、前記半導体素子の四隅部と重なる前記基板体位置に、前記はんだの厚さを前記基板体の接合面より大きくする隅溝部を設けた、ことを特徴とする。
よって、本発明にあっては、半導体モジュールの熱疲労寿命を向上させることができる。
以下、本発明の半導体モジュールを実現する実施の形態を、請求項1,2,3,6に係る発明に対応する実施例1と、請求項1,2,3,4に係る発明に対応する実施例2及び実施例3と、請求項1,2,3,4,5に係る発明に対応する実施例3とに基づいて説明する。
まず、構成を説明する。
図1は実施例1の半導体モジュールの平面図である。図2は図1のA−A断面図である。図3は図1のB−B断面図である。
実施例1の半導体モジュール1は、基板体2に半導体素子3をはんだ4で接合したものである。
基板体2は、いわゆるリードフレーム材料の金属部材であり、半導体素子3をはんだ付けにより固定する面を上面とすると、この上面に隅溝部21と中央溝部22を備えている。なお、隅溝部21と中央溝部22は、基板体2にプレス加工を施すことにより形成する。
隅溝部21は、図1、図2に示すように、半導体素子3の4隅に一部が重なり、他の部分が露出する配置で、矩形形状に設ける。さらに、半導体素子3の四隅に重なる辺を延長して、形成される矩形領域に中央溝部22を設ける。
図1は実施例1の半導体モジュールの平面図である。図2は図1のA−A断面図である。図3は図1のB−B断面図である。
実施例1の半導体モジュール1は、基板体2に半導体素子3をはんだ4で接合したものである。
基板体2は、いわゆるリードフレーム材料の金属部材であり、半導体素子3をはんだ付けにより固定する面を上面とすると、この上面に隅溝部21と中央溝部22を備えている。なお、隅溝部21と中央溝部22は、基板体2にプレス加工を施すことにより形成する。
隅溝部21は、図1、図2に示すように、半導体素子3の4隅に一部が重なり、他の部分が露出する配置で、矩形形状に設ける。さらに、半導体素子3の四隅に重なる辺を延長して、形成される矩形領域に中央溝部22を設ける。
そのため、中央溝部22は全体が、半導体素子3の中央部の下方位置となる。
このように、隅溝部21、中央溝部22は、基板体2の上面からの深さが深い凹部として設けられる(図2、図3参照)。
このように、隅溝部21、中央溝部22は、基板体2の上面からの深さが深い凹部として設けられる(図2、図3参照)。
半導体素子3は、所定の矩形板状にダイシングされたもので、例としてIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を挙げておく。
はんだ4は、はんだ付けによって基板体2に半導体素子3を固定するとともに、基板体2と半導体素子3を電気的に接続する。これにより基板体2は端子としての機能を備えることになる。
はんだ4は、はんだ付けによって基板体2に半導体素子3を固定するとともに、基板体2と半導体素子3を電気的に接続する。これにより基板体2は端子としての機能を備えることになる。
作用を説明する。
[ダイボンディングを良好にする作用]
実施例1の半導体モジュール1は、半導体素子3を矩形にダイシングした後に、基板体2に載置し、その後にダイボンディングした状態のものである。そのため、実施例1の半導体モジュール1に、その後、ワイヤボンディング等を行うものとする。なお、樹脂モールドするパッケージングは、行うものでも、行わないものであってもよい。
実施例1の半導体モジュール1では、基板体2と半導体素子3をはんだ4により接合した際に、はんだ4は隅溝部21、中央溝部22に多く流れ込む。さらに、基板体2の上面に比較して、隅溝部21、中央溝部22を深くしているため、はんだ4が厚く形成される。つまり、半導体素子3の四隅及び中央には、厚いはんだ4の層が形成されることになる。
[ダイボンディングを良好にする作用]
実施例1の半導体モジュール1は、半導体素子3を矩形にダイシングした後に、基板体2に載置し、その後にダイボンディングした状態のものである。そのため、実施例1の半導体モジュール1に、その後、ワイヤボンディング等を行うものとする。なお、樹脂モールドするパッケージングは、行うものでも、行わないものであってもよい。
実施例1の半導体モジュール1では、基板体2と半導体素子3をはんだ4により接合した際に、はんだ4は隅溝部21、中央溝部22に多く流れ込む。さらに、基板体2の上面に比較して、隅溝部21、中央溝部22を深くしているため、はんだ4が厚く形成される。つまり、半導体素子3の四隅及び中央には、厚いはんだ4の層が形成されることになる。
つまり、はんだ4が基板体2の上面において、半導体素子3の周囲から外周方向へ広がる場合に、その部分を隅溝部21で受けるようにして広がりを防止する。これにより、ダイボンディングが良好に行える。
また、半導体素子3の四隅の下方と一部が重なるように設けられた隅溝部21の間であって、中央溝部22の1辺に接する基板体2の上面は、半導体素子3の下方に位置する。そのため、基板体2の上面は四隅の間の四箇所において、半導体素子3の下方に位置し、はんだ4を介して半導体素子3を支持する。よって、隅溝部21を設けたことにより、半導体素子3の高さ方向の位置精度に影響するようなことはない。
また、半導体素子3の四隅の下方と一部が重なるように設けられた隅溝部21の間であって、中央溝部22の1辺に接する基板体2の上面は、半導体素子3の下方に位置する。そのため、基板体2の上面は四隅の間の四箇所において、半導体素子3の下方に位置し、はんだ4を介して半導体素子3を支持する。よって、隅溝部21を設けたことにより、半導体素子3の高さ方向の位置精度に影響するようなことはない。
[冷熱サイクルの耐性向上作用]
図4は実施例1の半導体モジュールの冷熱サイクルの状態の説明図である。
半導体モジュール1は、製品等に組み込まれて使用されるため、機器全体の起動から停止まで、比較的緩やかな熱環境変化において、不具合なく正常作動することを求められる。
このような環境温度変化は、比較的緩やかな熱変化であるため、冷熱サイクルと呼ばれる高温と低温を繰り返すモードが設定され、試験等が行われる。
図4は実施例1の半導体モジュールの冷熱サイクルの状態の説明図である。
半導体モジュール1は、製品等に組み込まれて使用されるため、機器全体の起動から停止まで、比較的緩やかな熱環境変化において、不具合なく正常作動することを求められる。
このような環境温度変化は、比較的緩やかな熱変化であるため、冷熱サイクルと呼ばれる高温と低温を繰り返すモードが設定され、試験等が行われる。
この冷熱サイクルでは、装置全体がほぼ均一に温度変化すると仮定でき、その場合の応力は、それぞれの部品の線膨張係数に依存する。半導体モジュールでは、シリコンの線膨張係数が、他の材料よりも小さいため半導体素子3に対して基板体2やアルミワイヤの伸縮が大きくなるため、持続的に大きなストレスが掛かる。
実施例1のような矩形の半導体素子3を基板体2にはんだ4で接合する構造の場合、辺の長さが最大になる対角線の応力が最大となる。これに対して、実施例1では、矩形の板状の半導体素子3の四隅の下方には、隅溝部21が位置し、はんだ4は厚い層が形成されている。そのため、対角線方向に対して、他の部分よりも応力を受ける面積が大きくなり許容応力としては大きくなる。よって、はんだ4の四隅に亀裂(クラック)が入ることを非常に抑制する。
実施例1のような矩形の半導体素子3を基板体2にはんだ4で接合する構造の場合、辺の長さが最大になる対角線の応力が最大となる。これに対して、実施例1では、矩形の板状の半導体素子3の四隅の下方には、隅溝部21が位置し、はんだ4は厚い層が形成されている。そのため、対角線方向に対して、他の部分よりも応力を受ける面積が大きくなり許容応力としては大きくなる。よって、はんだ4の四隅に亀裂(クラック)が入ることを非常に抑制する。
この隅溝部21がない場合には、対角線の応力が最大となるため、初めにはんだ4の四隅に亀裂(クラック)が入ってしまう。
そのため、実施例1の半導体モジュール1は、冷熱サイクルの耐性が向上する。よって、熱疲労寿命が延びることになる。
なお、図4には、この対角線方向を符号100で示す。
そのため、実施例1の半導体モジュール1は、冷熱サイクルの耐性が向上する。よって、熱疲労寿命が延びることになる。
なお、図4には、この対角線方向を符号100で示す。
[パワーサイクルの耐性向上作用]
図5は実施例1の半導体モジュール1のパワーサイクルの状態の説明図である。
パワーサイクルでは、モジュール全体の温度は少ないが、図5に示すように、ワイヤ接合部200での温度変化が頻繁に生じる動作を想定したものである。ワイヤボンディング等が後に行われる半導体モジュール1にあっては、重要な性能となる。
このパワーサイクルでは、半導体素子3の自身の動作による発熱が主であり、電流の経路と導体抵抗により熱分布が求められる。なお、厳密には、半導体内部のPNジャンクションの損失も含められる。従って、ワイヤボンディング等が後に行われる半導体モジュール1にあっては、ワイヤボンドの付け根付近を中心に過渡熱が分布し、はんだ4にかかる応力は、中心部が最大、つまり四隅の中心付近が大きくなる。
図5は実施例1の半導体モジュール1のパワーサイクルの状態の説明図である。
パワーサイクルでは、モジュール全体の温度は少ないが、図5に示すように、ワイヤ接合部200での温度変化が頻繁に生じる動作を想定したものである。ワイヤボンディング等が後に行われる半導体モジュール1にあっては、重要な性能となる。
このパワーサイクルでは、半導体素子3の自身の動作による発熱が主であり、電流の経路と導体抵抗により熱分布が求められる。なお、厳密には、半導体内部のPNジャンクションの損失も含められる。従って、ワイヤボンディング等が後に行われる半導体モジュール1にあっては、ワイヤボンドの付け根付近を中心に過渡熱が分布し、はんだ4にかかる応力は、中心部が最大、つまり四隅の中心付近が大きくなる。
これに対して実施例1では、矩形の板状の半導体素子3の中央の下方に中央溝部22が位置し、はんだ4は厚い層が形成されている。そのため、基板体2、半導体素子3、はんだ4の積層構造を上下方向とした場合の左右方向成分の応力に対しては、他の部分よりも応力を受ける面積が大きくなり、許容応力が大きくなる。
そのため、はんだ4の中央に最も大きく応力を受けるパワーサイクルに対しての耐性が向上し、熱疲労寿命が延びることになる。
そのため、はんだ4の中央に最も大きく応力を受けるパワーサイクルに対しての耐性が向上し、熱疲労寿命が延びることになる。
次に、効果を説明する。
実施例1の半導体モジュールにあっては、下記に列挙する効果を得ることができる。
実施例1の半導体モジュールにあっては、下記に列挙する効果を得ることができる。
(1)矩形板形状の半導体素子3の広い側の面と基板体2をはんだ4で接合した半導体モジュール1において、半導体素子3の四隅部と重なる基板体位置に、はんだ4の厚さを基板体2の接合面より大きくする隅溝部21を設けたため、冷熱サイクルで生じる対角線方向の応力を許容し、半導体モジュールの熱疲労寿命を向上させることができる。
(2)上記(1)において、隅溝部21は、一部を半導体素子3の四隅部と重なるようにし、半導体素子3の外周側の基板位置のはんだ4の厚さを基板体2の接合面より大きくしたため、半導体素子3の外周方向へ広がろうとするはんだ4を溝に溜めるようにして、不要なはんだ4の広がりを防止できる。
(3)上記(1)又は(2)において、半導体素子3の中央部と重なる基板体位置に、はんだ4の厚さを基板体2の接合面より大きくする中央溝部22を設けたため、パワーサイクルで生じる半導体素子3の中央の応力を許容し、半導体モジュールの熱疲労寿命を向上させることができる。
(6)上記(1)〜(3)において、基板体2は材質を金属とし、隅溝部21をプレスで形成したため、コストを抑制して隅溝部21や中央溝部22を形成することができる。
(6)上記(1)〜(3)において、基板体2は材質を金属とし、隅溝部21をプレスで形成したため、コストを抑制して隅溝部21や中央溝部22を形成することができる。
実施例2の半導体モジュールは、隅溝部23と中央溝部24を基板体2の接合面より深い位置で連通させた例である。
構成を説明する。
図6は実施例2の半導体モジュールの平面図である。
実施例2では、隅溝部23を半導体素子3の四隅に一部が重なり、他の部分が露出する配置、大きさで、矩形形状に設ける。さらに、半導体素子3の中央部に重なる矩形領域に中央溝部24を設ける。そしてさらに、中央溝部24の四隅がそれぞれ隅溝部23と重なる矩形の大きさにする。これにより、隅溝部23と中央溝部24は、半導体素子3の接合面より深い溝どうしが連通することになる。
なお、図6には、連通部分25を示す。
その他構成は、実施例1と同様であるので説明を省略する。
構成を説明する。
図6は実施例2の半導体モジュールの平面図である。
実施例2では、隅溝部23を半導体素子3の四隅に一部が重なり、他の部分が露出する配置、大きさで、矩形形状に設ける。さらに、半導体素子3の中央部に重なる矩形領域に中央溝部24を設ける。そしてさらに、中央溝部24の四隅がそれぞれ隅溝部23と重なる矩形の大きさにする。これにより、隅溝部23と中央溝部24は、半導体素子3の接合面より深い溝どうしが連通することになる。
なお、図6には、連通部分25を示す。
その他構成は、実施例1と同様であるので説明を省略する。
作用を説明する。
[ダイボンディングを良好にする作用]
実施例2の半導体モジュール1では、4箇所の隅溝部23と、中央溝部24が連通しているため(連通部分25)、はんだ4が基板体2の上面において、半導体素子3の周囲から外周方向へ広がる場合に、その部分を隅溝部23で受けるようにして広がりを防止する際、隅溝部23と中央溝部24の許容容量全体で受けることが可能となる。
つまり、他の溝部分が許容限界に対し余裕のある場合、均一化に向かう分、さらにはんだ4を受けることができる。これにより、不要なはんだ4の広がりをさらによく防止できることになる。よって良好なダイボンディングとなる。
[ダイボンディングを良好にする作用]
実施例2の半導体モジュール1では、4箇所の隅溝部23と、中央溝部24が連通しているため(連通部分25)、はんだ4が基板体2の上面において、半導体素子3の周囲から外周方向へ広がる場合に、その部分を隅溝部23で受けるようにして広がりを防止する際、隅溝部23と中央溝部24の許容容量全体で受けることが可能となる。
つまり、他の溝部分が許容限界に対し余裕のある場合、均一化に向かう分、さらにはんだ4を受けることができる。これにより、不要なはんだ4の広がりをさらによく防止できることになる。よって良好なダイボンディングとなる。
効果を説明する。実施例2の半導体モジュールでは、上記(1),(2),(3)に加えて以下の効果を有する。
(4)上記(3)において、隅溝部23と中央溝部24を基板体2の接合面より深い位置で連通させた連通部分25を設けたため、半導体素子3の外周方向へ広がろうとするはんだ4をより容量の大きな溝に溜めるようにして、不要なはんだ4の広がりを防止できる。
また、四箇所の隅溝部23と中央溝部24におけるはんだ4の偏在をなくし均一なはんだ4の広がりを促進できる。
その他作用効果は、実施例1と同様であるので説明を省略する。
(4)上記(3)において、隅溝部23と中央溝部24を基板体2の接合面より深い位置で連通させた連通部分25を設けたため、半導体素子3の外周方向へ広がろうとするはんだ4をより容量の大きな溝に溜めるようにして、不要なはんだ4の広がりを防止できる。
また、四箇所の隅溝部23と中央溝部24におけるはんだ4の偏在をなくし均一なはんだ4の広がりを促進できる。
その他作用効果は、実施例1と同様であるので説明を省略する。
実施例3の半導体モジュールは、隅溝部26と中央溝部27を基板体2の接合面より深い位置で連通させた例である。
構成を説明する。
図7は実施例3の半導体モジュールの平面図である。
実施例3の半導体モジュール1では、矩形の半導体素子3に対して、45度回転した矩形の中央溝部27が、半導体素子3の四隅に四辺を向けるように配置する。
そして、隅溝部26は、中央溝部27の四辺を外周方向へ延長し、半導体素子3の四隅と一部を重ねる大きさ形状となるように設ける。
つまり中央溝部27と隅溝部26の全体で十字形状を構成し、矩形の半導体素子3と相対的に45度回転させた配置にし、隅溝部26を形成する。
なお、図7には、連通部分28を示す。
その他構成は、実施例1と同様であるので説明を省略する。
構成を説明する。
図7は実施例3の半導体モジュールの平面図である。
実施例3の半導体モジュール1では、矩形の半導体素子3に対して、45度回転した矩形の中央溝部27が、半導体素子3の四隅に四辺を向けるように配置する。
そして、隅溝部26は、中央溝部27の四辺を外周方向へ延長し、半導体素子3の四隅と一部を重ねる大きさ形状となるように設ける。
つまり中央溝部27と隅溝部26の全体で十字形状を構成し、矩形の半導体素子3と相対的に45度回転させた配置にし、隅溝部26を形成する。
なお、図7には、連通部分28を示す。
その他構成は、実施例1と同様であるので説明を省略する。
作用を説明する。
[ダイボンディングを良好にする作用]
実施例3の半導体モジュール1では、4箇所の隅溝部26と、中央溝部27が、広く連通部分28で連通している。そのため、はんだ4が基板体2の上面において、半導体素子3の周囲から外周方向へ広がる場合に、その部分を隅溝部26で受けるようにして広がりを防止する際、隅溝部26と中央溝部27の許容容量全体で受けることが可能となる。隅溝部26と中央溝部27とは連通部分28で広い通路断面積で連通し、はんだ4の行き来を妨げないからである。
つまり、他の溝部分が許容限界に対し余裕のある場合、均一化に向かう分、さらにはんだ4を受けることができる。これにより、不要なはんだ4の広がりをさらによく防止できることになる。実施例3では、連通部分28を大きくすることにより、はんだ4の行き来の時間的な遅れが生じ難くなっている。そのため、さらに良好なダイボンディングとなる。
[ダイボンディングを良好にする作用]
実施例3の半導体モジュール1では、4箇所の隅溝部26と、中央溝部27が、広く連通部分28で連通している。そのため、はんだ4が基板体2の上面において、半導体素子3の周囲から外周方向へ広がる場合に、その部分を隅溝部26で受けるようにして広がりを防止する際、隅溝部26と中央溝部27の許容容量全体で受けることが可能となる。隅溝部26と中央溝部27とは連通部分28で広い通路断面積で連通し、はんだ4の行き来を妨げないからである。
つまり、他の溝部分が許容限界に対し余裕のある場合、均一化に向かう分、さらにはんだ4を受けることができる。これにより、不要なはんだ4の広がりをさらによく防止できることになる。実施例3では、連通部分28を大きくすることにより、はんだ4の行き来の時間的な遅れが生じ難くなっている。そのため、さらに良好なダイボンディングとなる。
効果を説明する。実施例3の半導体モジュールにあっては、上記(1),(2),(3)に加えて以下の効果を有する。
(4)´上記(3)において、隅溝部26と中央溝部27を基板体2の接合面より深い位置で連通させた連通部分28を設けたため、半導体素子3の外周方向へ広がろうとするはんだ4をより容量の大きな溝に溜めるようにして、不要なはんだ4の広がりを防止できる。
また、四箇所の隅溝部26と中央溝部27におけるはんだ4の偏在をなくし均一なはんだ4の広がりを促進できる。
その他作用効果は、実施例1と同様であるので説明を省略する。
(4)´上記(3)において、隅溝部26と中央溝部27を基板体2の接合面より深い位置で連通させた連通部分28を設けたため、半導体素子3の外周方向へ広がろうとするはんだ4をより容量の大きな溝に溜めるようにして、不要なはんだ4の広がりを防止できる。
また、四箇所の隅溝部26と中央溝部27におけるはんだ4の偏在をなくし均一なはんだ4の広がりを促進できる。
その他作用効果は、実施例1と同様であるので説明を省略する。
実施例4は、中央溝部24の一部の上面を基板体2の接合面と同じにする支持部分を備えた例である。
構成を説明する。
図8は実施例4の半導体モジュールの平面図である。
実施例4の半導体モジュール1では、中央溝部24のさらに中央位置に、上面高さを半導体素子3との接合面と同じにする支持部分241を設ける。言い換えると、中央溝部24の中央位置に、溝のない部分である支持部分241を設ける。形状は矩形とする。
その他構成は、実施例2と同様であるので説明を省略する。
構成を説明する。
図8は実施例4の半導体モジュールの平面図である。
実施例4の半導体モジュール1では、中央溝部24のさらに中央位置に、上面高さを半導体素子3との接合面と同じにする支持部分241を設ける。言い換えると、中央溝部24の中央位置に、溝のない部分である支持部分241を設ける。形状は矩形とする。
その他構成は、実施例2と同様であるので説明を省略する。
作用を説明する。
[支持強度を向上させる作用]
実施例4では、中央溝部24に支持部分241を設けているので、はんだ4を介して、基板体2の半導体素子3との接合面と同じ高さで支持を行う。
半導体素子3は、隅溝部23、中央溝部24においても、はんだ4を介して支持されていることになるが、より強固に支持している部分は、半導体素子3の高さ距離が短く、隅溝部23の間で、四辺の中央溝部24と重ならない部分となる。これに、この部分と同じ高さの中央の支持部分241を加えて支持することにより、より強度強く半導体素子3を支持する。
[支持強度を向上させる作用]
実施例4では、中央溝部24に支持部分241を設けているので、はんだ4を介して、基板体2の半導体素子3との接合面と同じ高さで支持を行う。
半導体素子3は、隅溝部23、中央溝部24においても、はんだ4を介して支持されていることになるが、より強固に支持している部分は、半導体素子3の高さ距離が短く、隅溝部23の間で、四辺の中央溝部24と重ならない部分となる。これに、この部分と同じ高さの中央の支持部分241を加えて支持することにより、より強度強く半導体素子3を支持する。
効果を説明する。
実施例4の半導体モジュール1にあっては、上記(1),(2),(3),(4)に加えて、次の効果を有する。
(5)中央溝部24は、一部の上面を基板体2の接合面と同じにする支持部分241を備えたため、ダイボンディングを良好にでき、熱疲労寿命を向上できつつ、半導体素子3を強度強く支持することができる。
また、半導体素子3のパワーサイクルでは、熱膨張により半導体素子3の中央部分が下方へ下がる応力を支持部分241で受けるようにし、且つ溝部によりはんだ4の厚さを設けるようにして、このような場合でも熱疲労寿命を向上できる。
実施例4の半導体モジュール1にあっては、上記(1),(2),(3),(4)に加えて、次の効果を有する。
(5)中央溝部24は、一部の上面を基板体2の接合面と同じにする支持部分241を備えたため、ダイボンディングを良好にでき、熱疲労寿命を向上できつつ、半導体素子3を強度強く支持することができる。
また、半導体素子3のパワーサイクルでは、熱膨張により半導体素子3の中央部分が下方へ下がる応力を支持部分241で受けるようにし、且つ溝部によりはんだ4の厚さを設けるようにして、このような場合でも熱疲労寿命を向上できる。
以上、本発明の半導体モジュールを実施例1〜実施例4に基づき説明してきたが、具体的な構成については、これらの実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲の各請求項に係る発明の要旨を逸脱しない限り、設計の変更や追加等は許容される。
例えば、実施例4では、中央溝部27の中央に矩形の支持部分を設けたが、中央でなくてもよく、矩形形状でなくてもよい。たとえば、L字状や円形等を設けてもよい。また、複数設けてもよい。
また、例えば、実施例1では、基板体2にプレス加工により隅溝部21や中央溝部22を形成したが、切削や押し出し等の他の加工により形成してもよい。
また、例えば、実施例1では、基板体2にプレス加工により隅溝部21や中央溝部22を形成したが、切削や押し出し等の他の加工により形成してもよい。
1 半導体モジュール
2 基板体
3 半導体素子
4 はんだ
21 隅溝部
22 中央溝部
23 隅溝部
24 中央溝部
241 支持部分
25 連通部分
26 隅溝部
27 中央溝部
28 連通部分
100 (対角線方向を示す)矢印
200 ワイヤ接合部
2 基板体
3 半導体素子
4 はんだ
21 隅溝部
22 中央溝部
23 隅溝部
24 中央溝部
241 支持部分
25 連通部分
26 隅溝部
27 中央溝部
28 連通部分
100 (対角線方向を示す)矢印
200 ワイヤ接合部
Claims (6)
- 矩形板形状の半導体素子の広い側の面と基板体をはんだで接合した半導体モジュールにおいて、
前記半導体素子の四隅部と重なる前記基板体位置に、前記はんだの厚さを前記基板体の接合面より大きくする隅溝部を設けた、
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、
前記隅溝部は、一部を前記半導体素子の四隅部と重なるようにし、前記半導体素子の外周側の前記基板位置の前記はんだの厚さを前記基板体の接合面より大きくした、
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体モジュールにおいて、
前記半導体素子の中央部と重なる前記基板体位置に、前記はんだの厚さを前記基板体の接合面より大きくする中央溝部を設けた、
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項3に記載の半導体モジュールにおいて、
前記隅溝部と前記中央溝部を前記基板体の接合面より深い位置で連通させた、
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項3又は請求項4に記載の半導体モジュールにおいて、
前記中央溝部は、
一部の上面を前記基板体の接合面と同じにする支持部分を備えた、
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、
前記基板体は材質を金属とし、前記隅溝部をプレスで形成した、
ことを特徴とする半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008007950A JP2009170702A (ja) | 2008-01-17 | 2008-01-17 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008007950A JP2009170702A (ja) | 2008-01-17 | 2008-01-17 | 半導体モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009170702A true JP2009170702A (ja) | 2009-07-30 |
Family
ID=40971549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008007950A Pending JP2009170702A (ja) | 2008-01-17 | 2008-01-17 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009170702A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013123016A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Denso Corp | 半導体装置 |
WO2014141399A1 (ja) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2015170605A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2022196232A1 (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 | ローム株式会社 | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-01-17 JP JP2008007950A patent/JP2009170702A/ja active Pending
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