JP2006166604A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電力変換装置50は、電気絶縁性を備える下面が放熱面として露出するパワー半導体モジュール30と、冷却液の入口11、冷却液の出口12、及び開口部13を備えた水路カバー10とを有し、前記開口部13が前記パワー半導体モジュール30の下面を覆い、前記水路カバー10と前記パワー半導体モジュール30の下面とが封止され、 入口11から出口12に流れる冷却液が前記放熱面に接触することを特徴とする
【選択図】図1
Description
冷却液の入口、冷却液の出口、及び開口部を備えた水路カバーとを有する電力変換装置である。そのような電力変換装置において、
前記開口部が前記パワー半導体モジュールの下面を覆い、前記水路カバーと前記パワー半導体モジュールの下面とが封止され、入口から出口に流れる冷却液が前記放熱面に接触することを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置50の断面図である。電力変換装置50は、パワー半導体モジュール30と水路カバー10とから構成される。
図4は、本発明の実施の形態2に係る電力変換装置50の断面図である。実施の形態2に係る電力変換装置は、実施の形態1に係る電力変換装置と略同一のものである。従って、同一部位には同一符号を付して説明を省略し、両者の差異を中心に説明する。
(1)シール材9として接着剤を用いる点、
(2)パワー半導体モジュール30と水路カバー10を(図5に示すような)水路カバー10の開口部13の縁に設けた3箇所の突起14で接触させている点、及び、
(3)水路カバー10の開口部13の縁の内側全周に突出部15を設けた点で、
実施の形態1に係る電力変換装置と異なる。
図8は、本発明の実施の形態3に係る電力変換装置50の断面図である。実施の形態3に係る電力変換装置50は、実施の形態2に係る電力変換装置50と略同一のものである。従って、同一部位には同一符号を付して説明を省略し、両者の差異を中心に説明する。
(1)水路カバー10を電気絶縁物としている点、
(2)冷却液が導電性の物質を含んでいる点、
(3)水路カバー10の開口部13の縁の接着剤(シール材)の塗布部位に、パワー半導体モジュール30を制御する制御回路20に接続している2つの電極16、17を設けている点、及び、
(4)接着剤(シール材9)として、パワー半導体モジュール30(特に金属層7)に対する接着力が、水路カバー10に対する接着力よりも強い接着剤を用いている点が、
実施の形態2に係る電力変換装置と異なる。
Claims (7)
- 下面の一部又は全部に内部と電気的に絶縁された放熱面が露出するパワー半導体モジュールと、
冷却液の入口、冷却液の出口、及び開口部を備えた水路カバーとを有する電力変換装置において、
前記開口部が前記パワー半導体モジュールの下面を覆い、前記水路カバーと前記パワー半導体モジュールの下面とが封止され、
入口から出口に流れる冷却液が前記放熱面に接触することを特徴とする電力変換装置。 - 前記パワー半導体モジュールの下面と前記水路カバーが前記開口部の縁の全周でシール材によりシールされ、
前記シール材が、前記パワー半導体モジュールの下面の周縁部から放熱面の領域までを密閉していることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記シール材が液状の接着剤を硬化させたものであることを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。
- 前記水路カバーの開口部の縁と前記パワー半導体モジュールの下面の一方または両方に、少なくとも3点で支持する突起が備わり、
前記パワー半導体モジュールと前記水路カバーの開口部の縁が前記突起を介して接することを特徴とする請求項3に記載の電力変換装置。 - 前記水路カバーの開口部の縁の内側全周に、前記パワー半導体モジュールの方向への突出部を設けたこと特徴とする請求項3または4に記載の電力変換装置。
- 前記水路カバーが電気絶縁物で形成され、
前記接着剤は前記パワー半導体モジュールに対する接着力が、前記水路カバーに対する接着力よりも強いものであり、
前記水路カバーの開口部の縁の前記接着剤との接着部に、第1の電極と、前記水路カバーの開口部の縁の前記接着剤との接着界面に剥離が生じるときに前記第1の電極よりも後の時期に冷却液と接触をする第2の電極とが、設けられ、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の電気抵抗がモニターされることを特徴とする請求項3〜5のうちのいずれか一つに記載の電力変換装置。 - 前記水路カバーが電気絶縁物で形成され、
前記接着剤は前記パワー半導体モジュールに対する接着力が、前記水路カバーに対する接着力よりも強いものであり、
前記水路カバーの内側の冷却液に常時接触する位置に金属部材が設けられ、
前記水路カバーの開口部の縁の前記接着剤との接着部に電極が設けられ、
前記金属部材と前記電極との間の電気抵抗がモニターされることを特徴とする請求項3〜5のうちのいずれか一つに記載の電力変換装置。
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Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008172017A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | T Rad Co Ltd | 液冷ヒートシンク |
JP2010027735A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Honda Motor Co Ltd | パワーモジュールのシール部構造 |
JP2011502459A (ja) * | 2007-10-31 | 2011-01-20 | ジョンソン コントロールズ テクノロジー カンパニー | 可変速ドライブ及びインダクタ用の冷却システム |
JP2011129620A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2012009734A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Denso Corp | 半導体モジュールの積層体及びその製造方法 |
WO2012120672A1 (ja) | 2011-03-10 | 2012-09-13 | トヨタ自動車株式会社 | 冷却器 |
WO2012172875A1 (ja) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | カルソニックカンセイ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014053649A (ja) * | 2008-12-09 | 2014-03-20 | Nippon Light Metal Co Ltd | 液冷ジャケット |
JP2014512678A (ja) * | 2011-03-29 | 2014-05-22 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電子モジュールおよびその製造方法 |
JP2014112591A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2015027259A (ja) * | 2014-11-07 | 2015-02-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP2015095957A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
DE102016118881A1 (de) | 2015-10-07 | 2017-04-13 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Elektrischer Kompressor |
JP2017158420A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
WO2017149972A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
WO2018185822A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体冷却装置、電力制御システムおよび走行体 |
JP2018182174A (ja) * | 2017-04-19 | 2018-11-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN112262525A (zh) * | 2018-07-03 | 2021-01-22 | 日产自动车株式会社 | 电力转换单元 |
KR20210147514A (ko) * | 2020-05-29 | 2021-12-07 | 효성중공업 주식회사 | 직접 접촉식 방열 장치 |
WO2023228417A1 (ja) * | 2022-05-27 | 2023-11-30 | 日立Astemo株式会社 | 半導体装置の放熱構造 |
-
2004
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Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008172017A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | T Rad Co Ltd | 液冷ヒートシンク |
JP2014150283A (ja) * | 2007-10-31 | 2014-08-21 | Johnson Controls Technology Co | 可変速ドライブ及びインダクタ用の冷却システム |
JP2011502459A (ja) * | 2007-10-31 | 2011-01-20 | ジョンソン コントロールズ テクノロジー カンパニー | 可変速ドライブ及びインダクタ用の冷却システム |
KR101762201B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2017-07-27 | 존슨 컨트롤스 테크놀러지 컴퍼니 | 전자 부품 냉각용 플라스틱 냉각기 |
JP2010027735A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Honda Motor Co Ltd | パワーモジュールのシール部構造 |
JP2014168100A (ja) * | 2008-12-09 | 2014-09-11 | Nippon Light Metal Co Ltd | 液冷ジャケット |
JP2014053649A (ja) * | 2008-12-09 | 2014-03-20 | Nippon Light Metal Co Ltd | 液冷ジャケット |
JP2011129620A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2012009734A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Denso Corp | 半導体モジュールの積層体及びその製造方法 |
WO2012120672A1 (ja) | 2011-03-10 | 2012-09-13 | トヨタ自動車株式会社 | 冷却器 |
US9072197B2 (en) | 2011-03-10 | 2015-06-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Cooling apparatus |
JP2014512678A (ja) * | 2011-03-29 | 2014-05-22 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電子モジュールおよびその製造方法 |
WO2012172875A1 (ja) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | カルソニックカンセイ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2013004765A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Calsonic Kansei Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9437522B2 (en) | 2011-06-17 | 2016-09-06 | Calsonic Kansei Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2014112591A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2015095957A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP2015027259A (ja) * | 2014-11-07 | 2015-02-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
KR101832218B1 (ko) | 2015-10-07 | 2018-02-26 | 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 | 전동 압축기 |
DE102016118881A1 (de) | 2015-10-07 | 2017-04-13 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Elektrischer Kompressor |
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WO2017149972A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
US10966348B2 (en) | 2017-04-04 | 2021-03-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor cooling device, power control system and travelling body including a semiconductor colling device with microbubble generator |
WO2018185822A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体冷却装置、電力制御システムおよび走行体 |
JPWO2018185822A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2019-06-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体冷却装置、電力制御システムおよび走行体 |
DE112017007390T5 (de) | 2017-04-04 | 2019-12-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterkühlvorrichtung, Leistungssteuerungssystem und sich bewegender Körper |
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