JP2015029144A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015029144A
JP2015029144A JP2014209887A JP2014209887A JP2015029144A JP 2015029144 A JP2015029144 A JP 2015029144A JP 2014209887 A JP2014209887 A JP 2014209887A JP 2014209887 A JP2014209887 A JP 2014209887A JP 2015029144 A JP2015029144 A JP 2015029144A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
photoelectric conversion
transistor
oxide semiconductor
conversion element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014209887A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5752308B2 (ja
Inventor
山崎　舜平
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
木村　肇
Hajime Kimura
肇 木村
良明 伊藤
Yoshiaki Ito
良明 伊藤
拓郎 王丸
Takuo Oumaru
拓郎 王丸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2014209887A priority Critical patent/JP5752308B2/ja
Publication of JP2015029144A publication Critical patent/JP2015029144A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5752308B2 publication Critical patent/JP5752308B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0312—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIVBIV compounds, e.g. SiC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/03685—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table including microcrystalline silicon, uc-Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/1812—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table including only AIVBIV alloys, e.g. SiGe
    • H01L31/1816—Special manufacturing methods for microcrystalline layers, e.g. uc-SiGe, uc-SiC
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30—Electrical components
    • H02S40/32—Electrical components comprising DC/AC inverter means associated with the PV module itself, e.g. AC modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02554—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02672—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using crystallisation enhancing elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

【課題】光電変換素子に光が達しない領域を抑制すること、発電効率が悪化するのを抑制
すること、及び電圧変換素子の作製コストを抑制することを課題とする。
【解決手段】透光性を有し、ｎ型半導体層、真性半導体層、及びｐ型半導体層を有する光
電変換素子と、当該光電変換素子と重畳し、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有する
電圧変換素子と、当該光電変換素子及び電圧変換素子を電気的に接続する導電素子とを有
する光電変換装置に関する。当該光電変換素子は太陽電池である。当該電圧変換素子は、
酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有するトランジスタを有する。当該電圧変換素子は
、ＤＣ−ＤＣコンバータである。
【選択図】図１

Description

開示される発明の一様態は、光電変換装置及びその作製方法に関する。
光起電力効果により、受けた光を直接電力に変換して出力する光電変換素子の一つとして
、太陽電池が挙げられる（特許文献１参照）。太陽電池は、従来の発電方式のように、途
中で熱エネルギーや運動エネルギーへのエネルギー変換の必要がない。
さらに太陽電池と、該太陽電池で発電した直流電力を変換するコンバータ回路を、太陽電
池の非受光面などに取り付けた光電変換装置が、小規模又は中規模の太陽光発電システム
や非常用電源として注目されている（特許文献２又は特許文献３）。
このようなコンバータ回路として、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ（直流−直流変換器）や
ＤＣ−ＡＣコンバータ（直流−交流変換器）等が挙げられる（特許文献４又は特許文献５
参照）。
しかしながら、コンバータ回路は、例えばパワーＭＯＳ、ＩＧＢＴ、ショットキーバリア
ダイオード等で構成されるため、コストが高い。また該コンバータ回路を有する光電変換
装置は、コンバータ回路の厚さが厚いため、薄型化できないという恐れがある（特許文献
２参照）。
さらに、該コンバータ回路は、温度上昇による電力変換効率の低下を抑えるために、放熱
構造を設ける必要がある（特許文献３参照）。そのため該コンバータ回路を有する光電変
換装置は、薄型化が難しい。
特開２０１０−１０６６７号公報 特開平９−６９６４７号公報 特開２００２−１４１５３９号公報 特開２００５−３１２１５８号公報 特開２００９−２００３７２号公報
上記問題を鑑み、開示される発明の一様態は、光電変換素子及びコンバータ回路の両方を
有する光電変換装置の薄型化を課題の一とする。
また開示される発明の一様態は、温度上昇による、コンバータ回路の変換効率低下の抑制
を課題の一とする。
また開示される発明の一様態は、コンバータ回路の作製コストを抑制することを課題の一
とする。
開示される発明の一様態において、光電変換素子の保護部材の一部であり、かつ透光性を
有する基板の一面に、透光性を有する酸化物半導体膜を用いたコンバータ回路を作製する
。
また開示される発明の一様態において、該コンバータ回路は、薄膜である酸化物半導体膜
を用いた薄膜回路で構成する。そのため、該コンバータ回路を有する光電変換装置の薄型
化が可能である。
また開示される発明の一様態において、上述のように該コンバータ回路を薄膜である酸化
物半導体膜を用いた薄膜回路で構成するため、コンバータ回路の作製コストを抑制するこ
とが可能である。
また開示される発明の一様態において、該酸化物半導体膜は、作動温度が上昇しても、特
性が安定である。そのため該酸化物半導体膜を有するコンバータ回路、及び該コンバータ
回路を有する光電変換装置も安定して動作する。
開示される発明の一様態は、少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された光
電変換素子と、当該光電変換素子を封入する保護部材と、当該保護部材の一面に形成され
た、当該光電変換素子の出力を昇圧又は降圧するコンバータ回路とを有し、当該コンバー
タ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されている
ことを特徴とする光電変換装置に関する。
開示される発明の一様態は、少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された光
電変換素子と、当該光電変換素子を封入する保護部材と、当該保護部材の一面に形成され
た、当該光電変換素子の出力を昇圧又は降圧するＤＣ−ＤＣコンバータとを有し、当該Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構
成されていることを特徴とする光電変換装置に関する。
開示される発明の一様態は、少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された太
陽電池と、当該太陽電池を封入する保護部材と、当該保護部材の一面に形成された、当該
太陽電池の出力を昇圧又は降圧するコンバータ回路とを有し、当該コンバータ回路は、チ
ャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されていることを特徴と
する光電変換装置に関する。
開示される発明の一様態は、少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された太
陽電池と、当該太陽電池を封入する保護部材と、当該保護部材の一面に形成された、当該
太陽電池の出力を昇圧又は降圧するＤＣ−ＤＣコンバータとを有し、当該ＤＣ−ＤＣコン
バータは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されている
ことを特徴とする光電変換装置に関する。
開示される発明の一様態において、当該コンバータ回路は、当該保護部材の内部に形成さ
れることを特徴とする。
開示される発明の一様態において、当該ＤＣ−ＤＣコンバータは、当該保護部材の内部の
空間に形成されることを特徴とする。
開示される発明の一様態において、当該保護部材のうち、当該光電変換素子の外光が入射
される側に配置される部材は透光性を有し、該透光性部材の表面に当該コンバータ回路が
形成されていることを特徴とする。
開示される発明の一様態において、当該保護部材のうち、当該光電変換素子の外光が入射
される側に配置される部材は透光性を有し、該透光性部材の表面に当該ＤＣ−ＤＣコンバ
ータが形成されていることを特徴とする。
開示される発明の一様態において、当該コンバータ回路は、コイル、ダイオード、及びコ
ンデンサを有することを特徴とする。
開示される発明の一様態において、当該ＤＣ−ＤＣコンバータは、コイル、ダイオード、
及びコンデンサを有することを特徴とする。
開示される発明の一様態において、当該トランジスタは、トップゲート型トランジスタで
あり、かつ当該酸化物半導体膜の上面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴
とする。
開示される発明の一様態において、当該トランジスタは、トップゲート型トランジスタで
あり、かつ当該酸化物半導体膜の下面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴
とする。
開示される発明の一様態において、当該トランジスタは、ボトムゲート型トランジスタで
あり、かつ当該酸化物半導体膜の上面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴
とする。
開示される発明の一様態において、当該トランジスタは、ボトムゲート型トランジスタで
あり、かつ当該酸化物半導体膜の下面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴
とする。
開示される発明の一様態により、透光性を有する基板に、酸化物半導体膜を有する薄膜回
路でコンバータ回路を作ることにより、光電変換装置の薄型化が可能となる。
また開示される発明の一様態により、酸化物半導体膜を有する薄膜回路でコンバータ回路
を作ることにより、該コンバータ回路及び該コンバータ回路を有する光電変換装置の作製
コストを抑制することが可能である。
また、開示される発明の一様態では、バンドギャップの大きい酸化物半導体膜で、コンバ
ータ回路のようなパワーデバイスを製作することにより、温度特性が安定化する。これに
より該コンバータ回路を有する光電変換装置の温度特性を、安定化させることが可能であ
る。
光電変換装置の断面図。 光電変換装置の上面図。 光電変換素子の作製工程を示す断面図。 コンバータ回路の回路図。 トランジスタの上面図及び断面図。 トランジスタの作製工程を示す断面図。 トランジスタの断面図。 電源回路の回路図。 光電変換装置を搭載した車両の一例及び太陽光発電モジュールを示す図。
以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し
、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書
に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限
定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機
能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
［実施の形態１］
本実施の形態では、光電変換素子及びコンバータ回路を有する光電変換装置について、図
１（Ａ）〜図１（Ｂ）、図２（Ａ）〜図２（Ｂ）、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）、図４（Ａ）
〜図４（Ｂ）、図５（Ａ）〜図５（Ｂ）、図６（Ａ）〜図６（Ｅ）、図７（Ａ）〜図７（
Ｃ）を用いて説明する。
本実施の形態の光電変換装置を、図１（Ａ）及び図２（Ａ）に示す。比較として、従来の
光電変換装置を、図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）に示す。
本実施の形態で記載される光電変換装置の断面図を、図１（Ａ）に示す。
図１（Ａ）に示される光電変換装置は、透光性を有する基板１０１上に、透光性を有する
導電膜１０２、透光性を有する導電膜に接して設けられた光電変換素子１０３、光電変換
素子１０３に接して設けられ、透光性を有する導電膜１０４を有している。また図１（Ａ
）に示される光電変換装置は、透光性を有する基板１１１上に、透光性を有する材料で形
成されたコンバータ回路１１２を有している。
基板１０１上に設けられた光電変換素子１０３と、透光性を有する基板１１１上に設けら
れたコンバータ回路１１２は、配線１２１によって電気的に接続されている。これにより
光電変換素子１０３で出力された直流電圧を、コンバータ回路１１２で変換することがで
きる。配線１２１としては、例えば、導電ペーストや異方性導電材料を用いればよい。
当該透光性を有する基板１０１、透光性を有する基板１１１、配線１２１は、光電変換素
子１０３を封入し、かつ、外部からの衝撃や異物が混入するのを防ぐ保護部材１１０とし
て機能する。
すなわち保護部材１１０は、透光性を有する部材である基板１０１、透光性を有する部材
である基板１１１、及び光電変換素子１０３及びコンバータ回路１１２を接続する配線１
２１を有している。また保護部材１１０は、その内部の空間に光電変換素子１０３が配置
される。すなわち保護部材１１０は、光電変換素子１０３を封入し、かつ、保護している
。
また、保護部材１１０は、その内部の空間にコンバータ回路１１２が配置されている。透
光性を有する基板１１１の一面に形成されているコンバータ回路１１２は、保護部材１１
０の一面に形成されていると言える。
当該コンバータ回路１１２は、保護部材の一面に形成されているため、外部からの衝撃や
異物の混入の影響を受けない。
本実施の形態のコンバータ回路１１２は透光性を有する材料で形成される。よって、コン
バータ回路１１２が形成され、かつ当該保護部材１１０の部材である基板１１１側から外
光が入射しても、光電変換素子１０３に光が到達する。
基板１１１側から入射した外光を効率よく使用することが可能なので、光電変換素子１０
３の発電効率が向上する。
また本実施の形態で記載される光電変換装置において、基板１０１側及び基板１１１側の
両方から光を入射させてもよい。基板１０１側及び基板１１１側の両方から外光が入射す
るので、入射する外光の量を大きくすることができる。
また光電変換素子１０３に接して設けられる導電膜１０４と、コンバータ回路１１２との
間には、接着層１２２が設けられている。接着層１２２は、絶縁性を有する樹脂等を用い
て形成すればよい。接着層１２２を導電膜１０４とコンバータ回路１１２との間に設ける
ことで、導電膜１０４とコンバータ回路１１２との距離を固定することができる。また接
着層１２２が絶縁性を有しているので、導電膜１０４とコンバータ回路１１２を絶縁する
ことができる。
図２（Ａ）は、図１（Ａ）に示す光電変換装置の上面図である。図２（Ａ）に示されるよ
うに、コンバータ回路１１２が透光性を有する材料で形成されているので、光電変換素子
１０３とコンバータ回路１１２とを重畳させて形成することが可能である。
ここで、「重畳」とは、平面図において互いに重なる領域を有することを言う。本明細書
の他の記載においても同様とする。本明細書では、断面図において、互いに重なる領域同
士の間に別の物質が存在している場合も、「重畳」という。
コンバータ回路が透光性を有さない材料で形成された場合の光電変換装置を、図１（Ｂ）
及び図２（Ｂ）に示す。図１（Ｂ）は光電変換装置の断面図、図２（Ｂ）は光電変換装置
の上面図である。なお図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）において、図１（Ａ）及び図２（Ａ）と
同じものは同じ符号で表している。
コンバータ回路を透光性を有さない材料で形成した場合、コンバータ回路が設けられてい
る基板側から光が照射されると、コンバータ回路が光を遮り、光電変換層に光が到達しな
い。
よって、図１（Ｂ）に示されるように、コンバータ回路１４２と光電変換層１３３とを、
重畳しないように形成する必要がある。コンバータ回路１４２と光電変換層１３３とを、
重畳しないように形成すると、光電変換層１３３の占める面積が減少する（図２（Ｂ）参
照）。光電変換層１３３が占める面積が減少するということは、受光面積が減少するとい
うことである。そのため光電変換層１３３の発電量が減少する。
本実施の形態の光電変換素子の作製方法を、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）を用いて説明する。
本実施の形態では、光電変換素子の一例として太陽電池について述べる。
まず、基板２０１を用意する。基板２０１は、上記の基板１０１に相当する。基板２０１
側から光電変換層２１１に光が入射することを想定して、基板２０１は太陽光に対して透
光性を有する材料を用いる。
透光性を有する基板２０１として、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、強化ガ
ラス、セラミックガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケー
ト酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガ
ラス基板、石英基板、セラミック基板を用いることができる。
透光性を有する基板２０１として、プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基
板（プラスチック基板）を用いる場合は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾
向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。
プラスチック基板として、ポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレ
ンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド系合成繊維、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（Ｐ
ＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミ
ド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ
酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。ポリエステルとして、例えば、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
まず、基板２０１上に、所定の形状に加工された導電膜２１０を形成する。導電膜２１０
を所定の形状に加工するには、基板２０１の全面に導電膜を形成した後、エッチングやレ
ーザ等で加工して形成してもよいし、最初から所定の形状に導電膜を形成してもよい。最
初から所定の形状に導電膜を形成する方法については後述する。
導電膜２１０は、基板２０１側から光が入射するので、太陽光に対して透光性を有する導
電材料を用いて形成する。
透光性を有する導電材料として、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、有機インジウ
ム、有機スズ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ））、ガリウム（Ｇａ）をドープしたＺｎＯ、酸化ス
ズ（ＳｎＯ２）、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むイ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム
錫酸化物などが好適である。
導電膜２１０は、４０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、好ましくは４００ｎｍ以上７００ｎｍ以
下の膜厚となるように形成する。また、導電膜２１０のシート抵抗は、２０Ω／□以上２
００Ω／□以下とすればよい。
本実施の形態では、厚さ１．１ｍｍのソーダガラスの基板２０１上に、膜厚１５０ｎｍの
酸化珪素膜と、表面に凹凸を有する膜厚約６００ｎｍの酸化スズ（ＳｎＯ２）を用いた導
電膜とを、順に積層した旭硝子社製の基板（商品名：Ａｓａｈｉ−Ｕ）を用いる。
そして、上記酸化スズを用いた導電膜を加工して、後に形成されるセル２０２間を電気的
に接続する導電膜２１０を形成する（図３（Ａ）参照）。
なお、上述のように、導電膜２１０は、導電膜をエッチングやレーザ等で加工する方法で
なく、最初から所定の形状に導電膜を形成する方法で形成してもよい。所定の形状を有す
る導電膜の形成方法としては、メタルマスクを用いた蒸着法、液滴吐出法などが挙げられ
る。なお液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出または噴出することで
所定の形状の導電膜を形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれ
る。
また、導電膜２１０の、光電変換層２１１側の面に凹凸を形成しておくことで、導電膜２
１０において光が屈折または乱反射する。このため、光電変換層２１１内における光の吸
収率を高め、変換効率を高めることができる。
次に、導電膜２１０上に、ｎ型半導体層２１３、真性半導体層２１４、ｐ型半導体層２１
５が順に積層された光電変換層２１１を形成する（図３（Ｂ）参照）。
ｎ型半導体層２１３、真性半導体層２１４、ｐ型半導体層２１５は、スパッタ法、ＬＰＣ
ＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により形成することができる。また、ｎ型半導体層２
１３、真性半導体層２１４、ｐ型半導体層２１５は、非晶質半導体、多結晶半導体、微結
晶半導体などを用いて形成することができる。
また、ｎ型半導体層２１３、真性半導体層２１４、ｐ型半導体層２１５は、その界面にゴ
ミなどが付着するのを防ぐため、あるいは酸化防止のために、大気に曝さずに連続して形
成することが望ましい。
または、ＳＯＩ法で形成された単結晶半導体薄膜を、ｎ型半導体層２１３、真性半導体層
２１４、ｐ型半導体層２１５として用いても良い。単結晶半導体薄膜を用いる場合、光電
変換層２１１内において、キャリアの移動を阻害する要因となる結晶欠陥が少ないので、
変換効率を高めることができる。
本実施の形態では、ｎ型半導体層２１３に珪素を有する微結晶半導体、真性半導体層２１
４に珪素を有する非晶質半導体、ｐ型半導体層２１５に炭化珪素を有する非晶質半導体を
用いる。
ｎ型半導体層２１３に用いる、珪素を有する微結晶半導体の形成方法について、以下に述
べる。
珪素を有する微結晶半導体は、周波数が数十ＭＨｚ乃至数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶ
Ｄ法、または周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ法により形成することが
できる。代表的には、シラン、ジシランなどの水素化シリコン、フッ化シリコンまたは塩
化シリコンを、水素で希釈して用いることで、微結晶半導体膜を形成することができる。
また、水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複
数種の希ガスで希釈してもよい。珪化水素などの珪素を含む化合物に対して、水素の流量
比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好ましくは１００
倍とする。
またｎ型を付与する不純物元素を、珪素を含む気体に加えることで、ｎ型の導電型を微結
晶半導体に与えることができる。このようなｎ型を付与する不純物として、例えば、リン
が挙げられる。ｎ型を付与する不純物としてリンを用いる場合、珪素を含む気体にホスフ
ィンを加えればよい。
本実施の形態では、モノシラン、水素、ホスフィンを、それぞれ５ｓｃｃｍ、９５０ｓｃ
ｃｍ、４０ｓｃｃｍの流量とし、反応圧力１３３Ｐａ、基板温度を２５０℃、高周波（１
３．５６ＭＨｚ）として、プラズマＣＶＤ法で、珪素を有する微結晶半導体である、膜厚
１０ｎｍのｎ型半導体層２１３を形成する。
また、真性半導体層２１４に用いる、珪素を有する非晶質半導体の形成方法について、以
下に述べる。
珪素を有する非晶質半導体は、上述した珪素を含む気体を、グロー放電分解することによ
り、得ることができる。
本実施の形態では、モノシラン、水素を、それぞれ２５ｓｃｃｍ、２５ｓｃｃｍの流量と
し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度を２５０℃、高周波（６０ＭＨｚ）として、プラズマＣ
ＶＤ法で、珪素を有する非晶質半導体である、膜厚６０ｎｍの真性半導体層２１４を形成
する。
また、ｐ型半導体層２１５に用いる、炭化珪素を有する非晶質半導体の形成方法について
、以下に述べる。
炭化珪素を有する非晶質半導体は、炭素を含む気体と珪素を含む気体とを、グロー放電分
解することにより得ることができる。炭素を含む気体としては、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６などが
挙げられる。珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が挙げられる。珪素を含む
気体を、水素、水素及びヘリウムで希釈して用いても良い。
また、ｐ型を付与する不純物元素を、炭素を含む気体と珪素を含む気体とに加えることで
、ｐ型の導電型を非晶質半導体に与えることができる。このようなｐ型を付与する不純物
元素として、例えば、ホウ素が挙げられる。ｐ型を付与する不純物元素としてホウ素を用
いる場合、炭素を含む気体と珪素を含む気体とに、ボラン、ジボラン、三フッ化ホウ素の
いずれか、あるいは、２つ以上を加えればよい。
本実施の形態では、メタン、モノシラン、水素、ジボランを、それぞれ１８ｓｃｃｍ、６
ｓｃｃｍ、１５０ｓｃｃｍ、４０ｓｃｃｍの流量とし、反応圧力６７Ｐａ、基板温度を２
５０℃、高周波（１３．５６ＭＨｚ）として、プラズマＣＶＤ法で、炭化珪素を有するｐ
型の非晶質半導体である、膜厚１０ｎｍのｐ型半導体層２１５を形成する。
なお、真性半導体層２１４を形成する前に、ｎ型半導体層２１３の表面に水素を用いてプ
ラズマ処理を施すことで、ｎ型半導体層２１３と真性半導体層２１４の界面における結晶
欠陥の数を減らし、変換効率を高めることができる。
本実施の形態では、水素の流量を１７５ｓｃｃｍとし、反応圧力６７Ｐａ、基板温度を２
５０℃、高周波（１３．５６ＭＨｚ）とし、ｎ型半導体層２１３の表面にプラズマ処理を
行う。上記プラズマ処理において、水素にアルゴンを加えても良い。アルゴンを加える場
合、その流量を、例えば６０ｓｃｃｍとすることができる。
また、光電変換層２１１に用いられる半導体の材料として、シリコン、炭化シリコンの他
、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、リン化インジウム、セレン化亜鉛、窒化ガリウム、シリ
コンゲルマニウムなどのような化合物半導体も用いることができる。
また、多結晶半導体を用いて光電変換層２１１を形成する場合、非晶質半導体膜または微
結晶半導体膜を、レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する
触媒元素を用いた熱結晶化法等を単独で、或いは複数組み合わせて実施することで、形成
することができる。また、多結晶半導体を、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
などを用いて、直接形成しても良い。
なお、本実施の形態では、光電変換層２１１として、ｎ型半導体層２１３、真性半導体層
２１４、ｐ型半導体層２１５が順に積層された例を示すが、積層の順番はｐ型半導体層、
真性半導体層、ｎ型半導体層の順でもよい。
ただし、ｐ型半導体層はｎ型半導体層よりも、光が入射される側に近くなるよう配置する
ことが望ましい。ホールのキャリアとしての寿命は、電子のキャリアとしての寿命の約半
分と短い。ｐｉｎ接合を有する光電変換層２１１に光が照射されると、真性半導体層内に
おいて多量の電子とホールが形成され、電子はｎ型半導体層側へ、ホールはｐ型半導体層
側へ移動し、起電力を得ることができる。
光の照射をｐ型半導体層側から行うと、電子とホールの形成が、真性半導体層内のｎ型半
導体層よりもｐ型半導体層に近い側において多く行われる。そのため、寿命が短いホール
がｐ型半導体層へ移動する距離を、短くすることができ、その結果、高い起電力を得るこ
とができる。
本実施の形態では、光はｐ型半導体層側及びｎ型半導体層側の両方から入射する。そのた
め、光電変換層２１１の積層の順番は、ｎ型半導体層、真性半導体層、ｐ型半導体層、あ
るいは、ｐ型半導体層、真性半導体層、ｎ型半導体層、のどちらでもよい。しかし、入射
する光の強度がより強い側にｐ型半導体層を設けると、より高い起電力を得ることができ
る。
なお、光電変換層２１１を形成する前に、導電膜２１０の表面における清浄度を向上させ
るため、ブラシ洗浄、具体的には、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）系の多孔質体などを
用いた洗浄を行い、異物を除去しておいても良い。また、フッ酸などを含む薬液を用いて
、表面を洗浄しておいてもよい。本実施の形態では、上記ＰＶＡ（ポリビニルアルコール
）系の多孔質体を用いて導電膜２１０の表面を洗浄した後、０．５％のフッ化水素水溶液
を用いて導電膜２１０の表面を洗浄する。
次いで、図３（Ｂ）に示すように、ｎ型半導体層２１３、真性半導体層２１４、ｐ型半導
体層２１５が順に積層された光電変換層２１１を、エッチング法やレーザ照射法等を用い
て、各セル毎に分離する。
切り離された複数の光電変換層２１１のそれぞれについて、各導電膜２１０が各ｎ型半導
体層２１３を介して電気的に接続されている。
次に、図３（Ｃ）に示すように、光電変換層２１１上に所定の形状を有する導電膜２１２
を形成する。
本実施の形態では、光電変換層２１１の上部からも光が入射する光電変換素子を例とする
。よって、導電膜２１２は、導電膜２１０と同様に、透光性を有する上記導電材料を用い
る。導電膜２１２は、４０ｎｍ乃至８００ｎｍ、好ましくは４００ｎｍ乃至７００ｎｍの
膜厚に形成する。また、導電膜２１２のシート抵抗は、２０Ω／□乃至２００Ω／□程度
とすれば良い。本実施の形態では、酸化スズを用いて、膜厚約６００ｎｍの導電膜２１２
を形成する。
なお、導電膜２１２にインジウム錫酸化物を用いる場合、非晶質半導体であるｐ型半導体
層２１５上に導電膜２１２を形成すると、ｐ型半導体層２１５中に存在する水素が、導電
膜２１２中のインジウム錫酸化物を還元してしまう。そのため、導電膜２１２の膜質が劣
化する恐れがある。
インジウム錫酸化物を導電膜２１２に用いる場合、インジウム錫酸化物が還元されるのを
防ぐために、インジウム錫酸化物を用いた導電膜上に、酸化スズを用いた導電膜、または
、酸化亜鉛と窒化アルミニウムとの混合材料を含む導電性材料を用いた導電膜を、数十ｎ
ｍの膜厚で積層したものを、導電膜２１２として用いることが好ましい。
なお、所定の形状を有する導電膜２１２は、光電変換層２１１上の全面に導電膜を形成し
た後、該全面に形成された導電膜を加工して、形成することができる。なお、導電膜２１
２は、全面に形成された導電膜をエッチングやレーザ等で所定の形状に加工する方法以外
にも、メタルマスクを用いた蒸着法、液滴吐出法などを用いて形成することができる。
導電膜２１２は、光電変換層２１１とｐ型半導体層２１５側において電気的に接続されて
いる。そして、１つの光電変換層２１１の、ｎ型半導体層２１３側において電気的に接続
されている導電膜２１０は、上記１つの光電変換層２１１とは異なる光電変換層２１１の
、ｐ型半導体層２１５側において電気的に接続されている導電膜２１２と、電気的に接続
されている。以上により切り離された各セルは、異なるセルと接続される。各セルが異な
るセルと直列に接続されていると、出力電圧を上昇させることが可能である。
以上により光電変換層２１１を有する光電変換素子を作製する。
次いで、本実施の形態のコンバータ回路の一例を、図４（Ａ）〜図４（Ｂ）を用いて説明
する。本実施の形態で説明されるコンバータ回路は、直流電圧を直流電圧に変換するＤＣ
−ＤＣコンバータである。
なお、本実施の形態のコンバータ回路は、以下で述べられる構成に限定されず、透光性を
有する材料で作製されたコンバータ回路であればどんな構成でもよい。
図４（Ａ）に示すコンバータ回路３０１は、トランジスタ３０２、コイル３０３、ダイオ
ード３０４、コンデンサ３０５を有する昇圧回路である。
コイル３０３の一方の端子は、光電変換素子３０７のｐ型半導体層側の電極に電気的に接
続されている。コイル３０３の他方の端子はトランジスタ３０２のソースあるいはドレイ
ンの一方と電気的に接続されている。トランジスタ３０２のソースあるいはドレインの一
方は、コイル３０３の他方の端子及びダイオード３０４の入力端子と電気的に接続されて
いる。トランジスタ３０２のソースあるいはドレインの他方は、光電変換素子３０７のｎ
型半導体層側の電極及びコンデンサ３０５の一方の端子と電気的に接続されている。コン
デンサ３０５の他方の端子は、ダイオード３０４の出力端子及び出力端子ＯＵＴに電気的
に接続されている。なお、光電変換素子３０７のｎ型半導体層側の電極、トランジスタ３
０２のソースあるいはドレインの他方、及びコンデンサ３０５の一方の端子は接地されて
いる。
なお、上記トランジスタのゲートとは、ゲート電極及びゲート配線の一部または全部のこ
とをいう。ゲート配線とは、少なくとも一つのトランジスタのゲート電極と、別の電極や
別の配線とを電気的に接続させるための配線のことをいう。
上記トランジスタのソースとは、ソース領域、ソース電極、及びソース配線の一部または
全部のことをいう。ソース領域とは、半導体層のうち、抵抗値がチャネル形成領域より低
い領域のことをいう。ソース電極とは、ソース領域に接続される部分の導電層のことをい
う。ソース配線とは、少なくとも一つのトランジスタのソース電極と、別の電極や別の配
線とを電気的に接続させるための配線のことをいう。
上記トランジスタのドレインとは、ドレイン領域、ドレイン電極、及びドレイン配線の一
部または全部のことをいう。ドレイン領域とは、半導体層のうち、抵抗値がチャネル形成
領域より低い領域のことをいう。ドレイン電極とは、ドレイン領域に接続される部分の導
電層のことをいう。ドレイン配線とは、少なくとも一つのトランジスタのドレイン電極と
、別の電極や別の配線とを電気的に接続させるための配線のことをいう。
また、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造や動作条件などによって
互いに入れ替わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難で
ある。そこで、本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）においては、ソース及
びドレインのいずれか一方をソース及びドレインの一方と表記し、他方をソース及びドレ
インの他方と表記する。
トランジスタ３０２はスイッチング素子として機能する。またトランジスタ３０２のゲー
トは、コンバータ回路３０１の制御回路に接続されている。コンバータ回路３０１の制御
回路からの信号により、トランジスタ３０２はオン状態あるいはオフ状態となる。
スイッチング素子であるトランジスタ３０２がオン状態のとき、コイル３０３に流れ込む
電流により、コイル３０３には励磁エネルギーが蓄えられる。
トランジスタ３０２がオフ状態になると、コイル３０３に蓄えられた励磁エネルギーが放
出される。コイル３０３から放出される励磁エネルギーに起因する電圧Ｖ２が、電圧Ｖ１
に上積みされる。これによりコンバータ回路３０１は昇圧回路として機能する。
スイッチング素子であるトランジスタ３０２がオン状態の時間をＴｏｎ、トランジスタ３
０２がオフ状態の時間をＴｏｆｆとする。出力電圧Ｖ２の値は、以下の（式１）で表され
る。
Ｖ２＝Ｖ１×（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）／Ｔｏｆｆ （式１）
トランジスタ３０２がオン状態の時間Ｔｏｎが長く、コイル３０３に蓄えたエネルギーが
大きいほど、大電力を取り出すことができる。
なお本実施の形態において、トランジスタ３０２またはトランジスタ３１２として例えば
電界効果トランジスタを用いることができる。
電界効果トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインを少なくとも有する。電界効果
トランジスタとしては、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴともいう）を用いることができ
る。また、電界効果トランジスタとしては、例えばトップゲート型、又はボトムゲート型
のトランジスタを用いることができる。また、電界効果トランジスタは、ｎ型の導電型に
することができる。
また、本実施の形態における電界効果トランジスタは、チャネル形成領域としての機能を
有する酸化物半導体膜を有するトランジスタである。なお、チャネル形成領域の水素濃度
は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。該水素濃度は、例
えば二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅ
ｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）による値である。またトランジスタのキャリア濃度は、１×１０１
４／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３以下とする。
また本実施の形態において、コイル３０３として、基板上にコイル状に形成した配線を用
いることができる。
また本実施の形態において、ダイオード３０４として、例えばショットキーバリアダイオ
ードを用いることができる。
また、本実施の形態において、コンデンサ３０５として、例えば第１の電極と、第２の電
極と、誘電体と、を有する構成のコンデンサを用いることができる。
図４（Ｂ）に示すコンバータ回路３１１は、トランジスタ３１２、コイル３１３、ダイオ
ード３１４、コンデンサ３１５を有する降圧回路である。
トランジスタ３１２のソースあるいはドレインの一方は、光電変換素子３１７のｐ型半導
体層側の電極に電気的に接続されている。トランジスタ３１２のソースあるいはドレイン
の他方は、ダイオード３１４の出力端子及びコイル３１３の一方の端子と電気的に接続さ
れている。ダイオード３１４の入力端子は、光電変換素子３１７のｎ型半導体層側の電極
及びコンデンサ３１５の一方の端子に電気的に接続されている。ダイオード３１４の出力
端子は、トランジスタ３１２のソースあるいはドレインの他方及びコイル３１３の一方の
端子と電気的に接続されている。コイル３１３の一方の端子は、トランジスタ３１２のソ
ースあるいはドレインの他方及びダイオード３１４の出力端子に電気的に接続されている
。コイル３１３の他方の端子は、コンデンサ３１５の他方の端子及び出力端子ＯＵＴに電
気的に接続されている。なお、光電変換素子３１７のｎ型半導体層側の電極、ダイオード
３１４の入力端子、及びコンデンサ３１５の一方の端子は接地されている。
トランジスタ３１２はスイッチング素子として機能する。またトランジスタ３１２のゲー
トは、コンバータ回路３１１の制御回路に接続されている。コンバータ回路３１１の制御
回路からの信号により、トランジスタ３１２はオン状態あるいはオフ状態となる。
スイッチング素子であるトランジスタ３１２がオン状態のとき、光電変換素子３１７のｐ
型半導体層側の電極から出力ＯＵＴに流れる降圧回路の電流により、コイル３１３には励
磁エネルギーが蓄えられる。
トランジスタ３１２がオフ状態になると、コイル３１３は電流を保とうとして起電力を発
生させ、ダイオード３１４をオン状態にする。ダイオード３１４を通じて電流が流れるこ
とによって、電圧がＶ２に低下する。電圧Ｖ１より電圧Ｖ２が低下するため、コンバータ
回路３１１は降圧回路として機能する。
なお本実施の形態において、トランジスタ３１２として例えば電界効果トランジスタを用
いることができる。
また本実施の形態において、コイル３１３として、基板上にコイル状に形成した配線を用
いることができる。
また本実施の形態において、ダイオード３１４として、例えばショットキーバリアダイオ
ードを用いることができる。
また、本実施の形態において、コンデンサ３１５として、例えば第１の電極と、第２の電
極と、誘電体とを有する構成のコンデンサを用いることができる。
上述のトランジスタ３０２あるいはトランジスタ３１２は、電界効果トランジスタであり
、チャネル形成領域に酸化物半導体膜を有するトランジスタである。チャネル形成領域に
酸化物半導体膜を有するトランジスタは、酸化物半導体膜が透光性を有するので好適であ
る。
上述のトランジスタ３０２あるいはトランジスタ３１２の例として、後述のトランジスタ
４１０を挙げる。トランジスタ４１０の構造及びその作製方法について、図５（Ａ）〜図
５（Ｂ）、図６（Ａ）〜図６（Ｅ）を用いて説明する。
まず、図５（Ａ）にトランジスタ４１０の平面、図５（Ｂ）にその断面構造の一例を示す
。図５（Ａ）はトップゲート構造のトランジスタ４１０の平面図であり、図５（Ｂ）は図
５（Ａ）の線Ａ−Ａ’における断面図である。
トランジスタ４１０は、基板４００上に、絶縁膜４０７、酸化物半導体膜４１２、ソース
電極及びドレイン電極の一方である電極４１６、ソース電極及びドレイン電極の他方であ
る電極４１７、ゲート絶縁膜４０２、及び、ゲート電極４１１を有し、電極４１６、電極
４１７にはそれぞれ配線層４１４、配線層４１５が接して設けられ、電気的に接続されて
いる。トランジスタ４１０は、ソース電極及びドレイン電極である電極４１６及び電極４
１７が、チャネル形成領域である酸化物半導体膜４１２の上面で接しているので、トップ
コンタクト型のトランジスタと言える。
酸化物半導体膜４１２はチャネル形成領域として機能する。また上述のように酸化物半導
体膜４１２は透光性を有する。酸化物半導体膜４１２が透光性を有すると、光電変換層２
１１に光が到達するので好適である。
なお、図５（Ａ）に示すトランジスタ４１０はシングルゲート構造のトランジスタを示し
ているが、本実施の形態はこの構成に限定されるものではなく、ゲート電極を複数有し、
チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。
トランジスタ４１０のチャネル形成領域としての機能を有する酸化物半導体膜は、高純度
の酸化物半導体膜であることが好適である。高純度の酸化物半導体膜を有するトランジス
タの特徴及びその利点にについて、以下に説明する。
高純度の酸化物半導体膜は、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性に悪影響を与
える不純物が極めて少ないレベルにまで低減されたものである。電気特性に悪影響を与え
る不純物の代表例としては、水素が挙げられる。
水素は、酸化物半導体膜中でキャリアの供与体（ドナー）となり得る不純物であり、酸化
物半導体膜中に水素が多量に含まれていると、酸化物半導体がｎ型化されてしまう。
このように水素が多量に含まれた酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、ノーマリーオ
ンとなってしまう。そして、トランジスタのオン・オフ比を十分にとることができない。
したがって、本明細書における「高純度の酸化物半導体」は、酸化物半導体膜における水
素が極力低減されているものであって、真性又は実質的に真性な半導体膜を指す。高純度
の酸化物半導体の一例としては、キャリア濃度が１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは
１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満、または６．０
×１０１０／ｃｍ３未満である酸化物半導体膜が挙げられる。
酸化物半導体膜に含まれる水素を徹底的に除去することにより得られる高純度の酸化物半
導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、シリコンをチャネル形成領域に用い
たトランジスタ等に比較して、オフ電流が非常に小さいという特徴を有している。
また、本実施の形態においては、高純度の酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、ｎチ
ャネル型のトランジスタであるものとして以下説明する。
なお、本明細書においてオフ電流（リーク電流ともいう）とは、ｎチャネル型のトランジ
スタでしきい値Ｖｔｈが正である場合、室温において−２０Ｖ以上−５Ｖ以下の範囲で任
意のゲート電圧を印加したときにトランジスタのソース−ドレイン間を流れる電流のこと
を指す。なお、室温は、１５度以上２５度以下とする。本明細書に開示する酸化物半導体
膜を用いたトランジスタは、室温において、チャネル幅（ｗ）あたりの電流値が１００ｚ
Ａ／μｍ以下、好ましくは１０ｚＡ／μｍ以下である。
なお、オフ電流とドレイン電圧との値が分かればオームの法則からトランジスタがオフ状
態のときの抵抗値（オフ抵抗Ｒ）を算出することができ、チャネル形成領域の断面積Ａと
チャネル長Ｌが分かればρ＝ＲＡ／Ｌの式（Ｒはオフ抵抗を表す）からオフ抵抗率ρを算
出することもできる。オフ抵抗率は１×１０９Ω・ｍ以上（または１×１０１０Ω・ｍ）
が好ましい。ここで、断面積Ａは、チャネル形成領域の膜厚をｄとし、チャネル幅をＷと
するとき、Ａ＝ｄＷから算出することができる。
また、酸化物半導体膜のエネルギーギャップは、２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上
、より好ましくは３ｅＶ以上である。
また、高純度の酸化物半導体膜を用いたトランジスタは温度特性が良好である。代表的に
は、−２５℃から１５０℃までの温度範囲におけるトランジスタの電流電圧特性において
、オン電流、オフ電流、電界効果移動度、Ｓ値、及びしきい値電圧の変動がほとんどなく
、温度による電流電圧特性の劣化がほとんど見られない。
次に、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのホットキャリア劣化について説明する。
ホットキャリア劣化とは、高速に加速された電子がチャネル中のドレイン近傍でゲート酸
化膜中に注入されて固定電荷となったり、高速に加速された電子がゲート絶縁膜界面にト
ラップ準位を形成することにより、しきい電圧の変動やゲートリーク等のトランジスタ特
性の劣化が生じることであり、ホットキャリア劣化の要因としては、チャネルホットエレ
クトロン注入（ＣＨＥ注入）とドレインアバランシェホットキャリア注入（ＤＡＨＣ注入
）がある。
シリコンはバンドギャップが１．１２ｅＶと小さいため、アバランシェ降伏によって雪崩
的に電子が発生しやすく、ゲート絶縁膜への障壁を越えられるほど高速に加速される電子
数が増加する。一方、本実施の形態で示す酸化物半導体膜は、バンドギャップが３．１５
ｅＶと広いため、アバランシェ降伏が生じにくく、シリコンと比べてホットキャリア劣化
の耐性が高い。
なお、高耐圧材料の一つであるシリコンカーバイドのバンドキャップと酸化物半導体のバ
ンドギャップは同等である。しかし、シリコンカーバイトよりも、酸化物半導体の方が移
動度が小さいため、電子が加速されにくい。また、ゲート絶縁膜である酸化膜との障壁が
、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、シリコンよりも、酸化物半導体の方が大きいため
、酸化膜に注入される電子が極めて少ない。酸化膜に注入される電子が極めて少ないため
、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、シリコンよりも、酸化物半導体の方がホットキャ
リア劣化が生じにくく、ドレイン耐圧が高いといえる。このため、チャネルとして機能す
る酸化物半導体と、ソース電極及びドレイン電極との間に、意図的に低濃度不純物領域を
形成する必要が無く、トランジスタ構造が極めて簡単になり、製造工程数を低減できる。
以上のように、酸化物半導体を用いたトランジスタはドレイン耐圧が高く、具体的には１
００Ｖ以上、好ましくは５００Ｖ、好ましくは１ｋＶ以上のドレイン耐圧を有することが
可能である。
上述の酸化物半導体は、可視光の透過率に優れた半導体である。そのため、このような透
光性を有する酸化物半導体膜をチャネル形成領域として有するトランジスタは、光電変換
素子と重畳して形成されていても、光電変換素子に可視光が到達するのを阻害しない。
次に、図６（Ａ）〜図６（Ｅ）を用いて、トランジスタ４１０を作製する工程について説
明する。
まず、基板４００を用意する。基板４００は上述の基板１１１に相当する。基板４００は
、基板４００側からトランジスタ４１０に光が入射することを想定して、基板４００は太
陽光に対して透光性を有している材料を用いる。
透光性を有する基板４００として、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、強化ガ
ラス、セラミックガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケー
ト酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガ
ラス基板、石英基板、セラミック基板を用いることができる。
透光性を有する基板４００として、プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基
板（プラスチック基板）を用いる場合は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾
向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。
プラスチック基板として、ポリエステル、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレ
ンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド系合成繊維、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（Ｐ
ＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミ
ド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ
酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。ポリエステルとして、例えば、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
基板４００上に下地膜となる絶縁膜４０７を形成する。
絶縁膜４０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、ま
たは酸化窒化アルミニウム膜などの酸化物絶縁膜を用いると好ましい。絶縁膜４０７の形
成方法としては、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等を用いることができるが、絶縁
膜４０７中に水素が多量に含まれないようにするためには、スパッタリング法で絶縁膜４
０７を成膜することが好ましい。
本実施の形態においては、絶縁膜４０７としてスパッタリング法により酸化シリコン膜を
形成する。具体的には、基板４００を処理室へ搬送した後、水素及び水分を除去し、かつ
高純度酸素を含むスパッタガスを導入し、シリコンまたはシリコン酸化物のターゲットを
用いて、基板４００上に絶縁膜４０７として酸化シリコン膜を成膜する。なお、成膜時の
基板４００は室温でもよいし、加熱されていてもよい。
成膜条件の具体例としては、ターゲットとして石英（好ましくは合成石英）を用い、基板
温度１０８℃、基板４００とターゲット間の距離（Ｔ−Ｓ間距離）を６０ｍｍ、圧力０．
４Ｐａ、高周波電源１．５ｋＷ、酸素及びアルゴン（酸素流量２５ｓｃｃｍ：アルゴン流
量２５ｓｃｃｍ＝１：１）雰囲気下でＲＦスパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜
する。膜厚は１００ｎｍとする。なお、ターゲットとして石英（好ましくは合成石英）に
代えてシリコンターゲットを用いることもできる。また、スパッタガスとして酸素及びア
ルゴンの混合ガスに代えて酸素ガスを用いてもよい。ここで、絶縁膜４０７を成膜する際
に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物の濃度がｐｐｍレ
ベル、好ましくはｐｐｂレベルまで低減された高純度ガスを用いる。
また、絶縁膜４０７の成膜時において、処理室内の残留水分を除去しつつ絶縁膜４０７を
成膜することにより、絶縁膜４０７に水素、水、水酸基又は水素化物などが含まれないよ
うにすることが好ましい。
処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いればよい。例えば、
クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることができる。
また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを組み合わせて使用すること
が好ましい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、水素原子や、水（Ｈ２Ｏ）等の
水素原子を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した絶縁膜４０７は、水素
原子が極力取り込まれにくく好ましい。
スパッタリング法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるＲＦスパッタリング法と、Ｄ
Ｃスパッタリング法があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスＤＣスパッタリン
グ法もある。ＲＦスパッタリング法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、ＤＣスパッ
タリング法は主に金属膜を成膜する場合に用いられる。
また、材料の異なるターゲットを複数設置可能な多元スパッタ装置もある。多元スパッタ
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタリング法を用いるスパッ
タ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるＥＣＲス
パッタリング法を用いるスパッタ装置を用いることができる。
また、スパッタリング法を用いる成膜方法としては、成膜中にターゲット物質とスパッタ
ガス成分とを化学反応させ、それらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタリング
法や、成膜中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタリング法もある。
また、絶縁膜４０７は単層構造に限定されず、積層構造でもよい。例えば、基板４００側
から窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニ
ウム膜などの窒化物絶縁膜と、上記酸化物絶縁膜との積層構造としてもよい。
例えば、基板上に高純度窒素を含むスパッタガスを導入し、シリコンターゲットを用いて
窒化シリコン膜を成膜し、その後、スパッタガスを高純度酸素ガスに切り替えて、酸化シ
リコン膜を成膜する。この場合においても、先に説明したのと同様に、処理室内の残留水
分を除去しつつ窒化シリコン膜や酸化シリコン膜を成膜することが好ましい。また、成膜
時に基板を加熱してもよい。
次に、絶縁膜４０７上に酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する。
酸化物半導体膜に水素、水酸基及び水分が極力含まれないようにするために、成膜の前処
理として、スパッタリング装置の予備加熱室で絶縁膜４０７が形成された基板４００を予
備加熱し、基板４００に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好まし
い。なお、予備加熱室に設ける排気手段は、水素原子や、水（Ｈ２Ｏ）等の水素原子を含
む化合物等を排気するためクライオポンプが好ましい。また、この予備加熱は、後に形成
するゲート絶縁膜４０２の成膜前の基板４００に対して行うことが好ましい。また、後に
形成する第１の電極４１６及び第２の電極４１７まで形成した基板４００に対しても同様
に行うことが好ましい。ただし、これらの予備加熱の処理は省略してもよい。
なお、酸化物半導体膜をスパッタリング法により成膜する前に、アルゴンガスを導入して
プラズマを発生させる逆スパッタを行い、絶縁膜４０７の表面に付着しているゴミを除去
することも好ましい。逆スパッタとは、アルゴン雰囲気下で基板に高周波電源を用いて電
圧を印加することによって基板近傍にプラズマを形成し、表面を改質する方法である。な
お、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素等を用いてもよい。
酸化物半導体膜のターゲットとしては、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物のターゲット
を用いることができる。上記ターゲットとして、例えば、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：Ｚｎ
Ｏ＝１：１：１（ｍｏｌ数比）、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２（ｍｏｌ
数比）、またはＩｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：４（ｍｏｌ数比）であるター
ゲットを用いることができる。また、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むターゲットの充填率は
９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上１００％未満である。充填率の高いター
ゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
なお、酸化物半導体膜の成膜の際は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲
気下、または希ガス及び酸素混合雰囲気下とすればよい。ここで、酸化物半導体膜を成膜
する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物の濃度がｐ
ｐｍレベル、好ましくはｐｐｂレベルまで低減された高純度ガスを用いる。
酸化物半導体膜は、減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、処理室内の残留水分
を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、金属酸化物をターゲット
として基板４００上に成膜する。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空
ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリ
メーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコ
ールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は
、例えば、水素原子、水（Ｈ２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子
を含む化合物も）等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる
不純物の濃度を低減できる。また、酸化物半導体膜成膜時に基板を室温状態のままとする
か、または４００℃未満の温度に加熱してもよい。
酸化物半導体膜の成膜条件の一例としては、基板温度を室温、基板とターゲットの間との
距離を１１０ｍｍ、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素及びアルゴン（
酸素流量１５ｓｃｃｍ：アルゴン流量３０ｓｃｃｍ＝１：２）雰囲気下の条件が挙げられ
る。なお、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一となる
ために好ましい。酸化物半導体膜の膜厚は、膜厚２ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすればよく
、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。なお、適用する酸化物半導体の材料により
適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選択すればよい。
以上では、酸化物半導体として、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化
物を用いる例を示したが、その他にも、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚ
ｎ−Ｏ系や、他の三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ
−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系や
、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、
Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系や、Ｉｎ−
Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系などの酸化物半導体を用いることができる。また、上記酸
化物半導体はＳｉを含んでいてもよい。また、これらの酸化物半導体は、非晶質であって
もよいし、結晶質であってもよい。または、非単結晶であってもよいし、単結晶であって
もよい。なお、本明細書において、三元系金属の酸化物とは、酸素（Ｏ）の他に３つの金
属元素を含む金属酸化物を指す。同様にして、四元系金属の酸化物とは、酸素（Ｏ）の他
に４つの金属元素を含む金属酸化物、二元系金属の酸化物とは、酸素（Ｏ）の他に２つの
金属元素を含む金属酸化物を指す。
また、酸化物半導体膜として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用
いることもできる。ここで、Ｍは、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一ま
たは複数の金属元素である。例えば、Ｍとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、ま
たはＧａ及びＣｏが挙げられる。
次に、酸化物半導体膜を第１のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体膜４１
２に加工する（図６（Ａ）参照。）。なお、島状の酸化物半導体膜４１２を形成するため
のレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェッ
ト法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
なお、酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよ
く、両方を用いてもよい。
ドライエッチングを行う場合、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈ
ｉｎｇ）法や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘導
結合型プラズマ）エッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングでき
るように、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加さ
れる電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節する。
ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例え
ば塩素（Ｃｌ２）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（
ＣＣｌ４）など）が好ましいが、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（
ＣＦ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）、三弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ
３）など）、臭化水素（ＨＢｒ）、酸素（Ｏ２）、またはこれらのガスにヘリウム（Ｈｅ
）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを添加したガス等を用いることもできる。
ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、ア
ンモニア過水（３１重量％過酸化水素水：２８重量％アンモニア水：水＝５：２：２）な
どを用いることができる。また、ＩＴＯ０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。エッチ
ングの条件（エッチング液、エッチング時間、温度等）については、酸化物半導体の材料
に合わせて適宜調節すればよい。
また、ウェットエッチングを行う場合、エッチング液はエッチングされた材料とともに洗
浄によって除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれ
る材料を再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体膜に含まれる材料
（例えば、インジウム等のレアメタル）を回収して再利用することにより、資源を有効活
用することができる。
本実施の形態では、エッチング液として燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液を用いたウェット
エッチング法により、酸化物半導体膜を島状の酸化物半導体膜４１２に加工する。
次に、酸化物半導体膜４１２に第１の加熱処理を行う。第１の加熱処理の温度は、４００
℃以上７５０℃以下、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱
処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体膜４１２に対して窒素雰囲気
下４５０℃において１時間の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体
膜４１２への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体膜４１２を得る。この第１の加熱処
理によって酸化物半導体膜４１２から水素、水、及び水酸基等を除去することができる。
なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱
輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ
Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ
Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎ
ｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライ
ドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧
水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置
である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体としては
、不活性ガス（代表的には、アルゴン等の希ガス）または窒素ガスを用いることができる
。
例えば、第１の加熱処理として、６５０℃〜７００℃の高温に加熱した不活性ガス中に基
板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中
から出すＧＲＴＡを行ってもよい。ＧＲＴＡを用いることにより、短時間での高温加熱処
理が可能となる。
第１の加熱処理の際の雰囲気には、水、水素などが含まれないようにすることが好ましい
。または、加熱処理装置の装置内に導入する窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等のガス
の純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上
、（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好まし
い。
なお、第１の加熱処理の条件、または酸化物半導体膜の材料によっては、第１の加熱処理
により島状の酸化物半導体膜４１２が結晶化し、微結晶化または多結晶化する場合もある
。例えば、結晶化率が８０％以上の微結晶の酸化物半導体膜となる場合もある。ただし、
第１の加熱処理を行っても島状の酸化物半導体膜４１２が結晶化せず、非晶質の酸化物半
導体膜となる場合もある。また、非晶質の酸化物半導体膜の中に微結晶部（粒径１ｎｍ以
上２０ｎｍ以下（代表的には２ｎｍ以上４ｎｍ以下））が混在する酸化物半導体膜となる
場合もある。
また、酸化物半導体膜に対する第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体膜に加工する前の
酸化物半導体膜に行ってもよい。この場合、第１の加熱処理後に、加熱処理装置から基板
を取り出し、第１のフォトリソグラフィ工程を行う。その他に、第１の加熱処理は、酸化
物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を積層した後、またはソース電極及びドレイ
ン電極上にゲート絶縁膜を形成した後、のいずれで行ってもよい。
第１の加熱処理においては、酸化物半導体膜中から水素、水、及び水酸基等の不純物を除
去することを主な目的としているが、この加熱処理の際に酸化物半導体膜中に酸素欠損が
生じてしまうおそれがある。このため、第１の加熱処理の後に、加酸化処理を行うことが
好ましい。加酸化処理の具体例としては、第１の加熱処理の後、連続して酸素雰囲気また
は窒素及び酸素を含む雰囲気（例えば、窒素と酸素の体積比が４：１）での加熱処理を行
う方法が挙げられる。
第１の加熱処理は、酸化物半導体膜に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する。
次に、絶縁膜４０７及び酸化物半導体膜４１２上に、導電膜を形成する。導電膜は、スパ
ッタリング法や真空蒸着法により形成すればよい。
該導電膜は透光性を有する導電膜を用いて形成する必要がある。なぜなら基板４００（基
板１１１に相当）側から入射した光が、該導電膜を透過して、光電変換層に入射するから
である。このような透光性を有する導電膜として、導電性を有する金属酸化物が挙げられ
る。導電性を有する金属酸化物膜としては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（
ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜
鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）または前記金属酸化物材料にシリコン若しくは酸化シリコ
ンを含ませたものを用いることができる。また、導電膜は、単層構造としてもよいし、２
層以上の積層構造としてもよい。
次に、第２のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的
にエッチングを行って第１の電極４１６及び第２の電極４１７を形成した後、レジストマ
スクを除去する（図６（Ｂ）参照。）。第１の電極４１６はソース電極及びドレイン電極
の一方として機能し、第２の電極４１７はソース電極及びドレイン電極の他方として機能
する。ここで、第１の電極４１６及び第２の電極４１７の端部がテーパとなるようにエッ
チングすると、上に積層するゲート絶縁膜の被覆性が向上するため好ましい。なお、第１
の電極４１６、第２の電極４１７を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で
形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用し
ないため、製造コストを低減できる。
また基板４００の大きさが大きければ、後述の工程で形成されるトランジスタが占める面
積を大きくできるいう点で好適である。トランジスタが占める面積が大きいと、チャネル
幅Ｗを広くすることが可能である。トランジスタのチャネル幅Ｗが広いと、電流能力を稼
ぐことが可能である。
次に、絶縁膜４０７、酸化物半導体膜４１２、第１の電極４１６、第２の電極４１７上に
ゲート絶縁膜４０２を形成する（図６（Ｃ）参照。）。
ゲート絶縁膜４０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて形成する。ま
たゲート絶縁膜４０２は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化
酸化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜を単層又は積層して形成することができる。
ゲート絶縁膜４０２を形成する際は、水素が含まれないようにすることが好ましい。この
ため、成膜時の雰囲気に水素を極力減らすことが可能なスパッタリング法でゲート絶縁膜
４０２を成膜することが好ましい。スパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜する場
合には、ターゲットとしてシリコンターゲット又は石英ターゲットを用い、スパッタガス
として酸素、または酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
また、ゲート絶縁膜４０２は、基板４００側から順に酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を
積層した構造とすることもできる。例えば、第１のゲート絶縁膜として膜厚５ｎｍ以上３
００ｎｍ以下の酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ（ｘ＞０））を形成し、第１のゲート絶縁膜上
に第２のゲート絶縁膜として膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の窒化シリコン膜（ＳｉＮ
ｙ（ｙ＞０））を積層して、膜厚１００ｎｍのゲート絶縁膜としてもよい。本実施の形態
では、圧力０．４Ｐａ、高周波電源１．５ｋＷ、酸素及びアルゴン（酸素流量２５ｓｃｃ
ｍ：アルゴン流量２５ｓｃｃｍ＝１：１）雰囲気下でＲＦスパッタリング法により膜厚１
００ｎｍの酸化シリコン膜を形成する。
次に、第３のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッチン
グを行ってゲート絶縁膜４０２の一部を除去することにより、第１の電極４１６及び第２
の電極４１７それぞれに達する開口４１８及び開口４１９を形成する（図６（Ｄ）参照。
）。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成する場合、フォトマスクを使用しな
いため、製造コストを低減できる。
次に、ゲート絶縁膜４０２、開口４１８、及び開口４１９上に導電膜を形成した後、第４
のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極４１１、配線層４１４、配線層４１５を形成
する。
ゲート電極４１１、配線層４１４、配線層４１５は、透光性を有する導電膜を用いて形成
する。
ゲート電極４１１、配線層４１４、配線層４１５は、それぞれ、透光性を有する導電膜を
用いて形成する必要がある。なぜなら基板４００（基板１１１に相当）側から入射した光
が、該導電膜を透過して、光電変換層に入射するからである。
当該透光性を有する導電膜として、導電性を有する金属酸化物膜が挙げられる。導電性を
有する金属酸化物としては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２
Ｏ３―ＺｎＯ）または前記金属酸化物材料にシリコン若しくは酸化シリコンを含ませたも
のを用いることができる。また、導電膜は、単層構造としてもよいし、２層以上の積層構
造としてもよい。
次に、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第２の加熱処理（好ましくは２０
０℃以上４００℃以下、例えば２５０℃以上３５０℃以下）を行う。本実施の形態では、
窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の第２の加熱処理を行う。なお、第２の加熱処理は、ト
ランジスタ４１０上に保護絶縁膜や平坦化絶縁膜を形成してから行ってもよい。
また、大気中、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下での加熱処理を更に
行ってもよい。この加熱処理は、一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から
、１００℃以上２００℃の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回繰
り返して行ってもよい。
以上の工程により、水素、水分、水素化物、水酸化物の濃度が低減された、高純度の酸化
物半導体膜４１２を有するトランジスタ４１０を形成することができる（図６（Ｅ）参照
）。
また、トランジスタ４１０上に保護絶縁膜や、平坦化のための平坦化絶縁膜を設けてもよ
い。保護絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化
酸化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜を単層又は積層して形成することができる。ま
た、平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、
エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に
、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳ
Ｇ（リンボロンガラス）等を用いることもできる。また、これらの材料で形成される絶縁
膜を複数積層させることで平坦化絶縁膜を形成してもよい。
ここで、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ
−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基（例えばア
ルキル基やアリール基）やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有し
ていても良い。
平坦化絶縁膜の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、ＳＯＧ法、
スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印
刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコータ、カーテンコータ、ナイフコー
ター等を用いることができる。
上述したように、酸化物半導体膜を成膜するに際し、反応雰囲気中の残留水分を除去する
ことで、酸化物半導体膜中の水素及び水素化物の濃度を低減することができる。
以上のようにして、トランジスタ４１０を構成する、チャネル形成領域である酸化物半導
体膜４１２、電極４１６、電極４１７、ゲート電極４１１、配線層４１４、配線層４１５
はそれぞれ、透光性を有している。そのためトランジスタ４１０は透光性を有し、光が光
電変換素子１０３に到達するのを阻害しない。
またトランジスタ４１０は、チャネル形成領域である酸化物半導体膜４１２を用いている
ので、チャネル形成領域が光を吸収しない。チャネル形成領域に珪素を用いたトランジス
タは、チャネル形成領域に含まれる珪素が光を吸収することにより、トランジスタが正し
く機能しない恐れがある。しかしながら、チャネル形成領域に酸化物半導体膜４１２を有
するトランジスタ４１０は、チャネル形成領域の酸化物半導体膜４１２が光を吸収しない
。チャネル形成領域の酸化物半導体膜４１２が光を吸収しないので、トランジスタ４１０
が正しく機能しない恐れがない。
次に図５に示すトランジスタと異なる構造の例、高純度の酸化物半導体を用いたトランジ
スタの構造の他の例を、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示す。
図７（Ａ）に示すトランジスタ４２０は、ボトムゲート型トランジスタである。トランジ
スタ４２０は、基板４００上に形成されたゲート電極４２１と、ゲート電極４２１上のゲ
ート絶縁膜４２２と、ゲート絶縁膜４２２上においてゲート電極４２１と重畳する酸化物
半導体膜４２３と、酸化物半導体膜４２３上においてゲート電極４２１と重畳するチャネ
ル保護膜４２４と、酸化物半導体膜４２３上に形成された導電膜４２５及び導電膜４２６
とを有する。さらに、トランジスタ４２０は、酸化物半導体膜４２３上に形成された絶縁
膜４２７を、その構成要素に含めても良い。トランジスタ４２０は、ソース電極及びドレ
イン電極である導電膜４２５及び導電膜４２６が、チャネル形成領域である酸化物半導体
膜４２３の上面で接しているので、トップコンタクト型のトランジスタと言える。
チャネル保護膜４２４を設けることによって、酸化物半導体膜４２３のチャネル形成領域
となる部分に対する、後の工程時におけるダメージ（エッチング時のプラズマやエッチン
グ剤による膜減りなど）を防ぐことができる。従ってトランジスタの信頼性を向上させる
ことができる。
チャネル保護膜４２４には、酸素を含む無機材料（酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪
素、酸化アルミニウム、または酸化窒化アルミニウムなど）を用いることができる。チャ
ネル保護膜４２４は、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法などの気相成長法やスパッタリング
法を用いて形成することができる。チャネル保護膜４２４は成膜後にエッチングにより形
状を加工する。ここでは、スパッタ法により酸化珪素膜を形成し、フォトリソグラフィに
よるマスクを用いてエッチング加工することでチャネル保護膜４２４を形成する。
また、酸化物半導体膜４２３に接してチャネル保護膜４２４を形成すると、酸化物半導体
膜４２３中のチャネル保護膜４２４と接する領域が高抵抗化し、高抵抗化酸化物半導体領
域となる。チャネル保護膜４２４の形成により、酸化物半導体膜４２３は、チャネル保護
膜４２４との界面近傍に高抵抗化酸化物半導体領域を有することができる。
なお、トランジスタ４２０は、絶縁膜４２７上に、バックゲート電極をさらに有していて
も良い。バックゲート電極は、酸化物半導体膜４２３のチャネル形成領域と重なるように
形成する。バックゲート電極は、電気的に絶縁しているフローティングの状態であっても
良いし、電位が与えられる状態であっても良い。後者の場合、バックゲート電極には、ゲ
ート電極４２１と同じ高さの電位が与えられていても良いし、グラウンドなどの固定電位
が与えられていても良い。バックゲート電極に与える電位の高さを制御することで、トラ
ンジスタ４２０の閾値電圧を制御することができる。
図７（Ｂ）に示すトランジスタ４３０は、ボトムゲート型トランジスタである。トランジ
スタ４３０は、基板４００上に形成されたゲート電極４３１と、ゲート電極４３１上のゲ
ート絶縁膜４３２と、ゲート絶縁膜４３２上の導電膜４３３及び導電膜４３４と、ゲート
電極４３１と重なっている酸化物半導体膜４３５とを有する。さらに、トランジスタ４３
０は、酸化物半導体膜４３５上に形成された絶縁膜４３７を、その構成要素に含めても良
い。トランジスタ４３０は、ソース電極及びドレイン電極である導電膜４３３及び導電膜
４３４が、チャネル形成領域である酸化物半導体膜４３５の下面で接しているので、ボト
ムコンタクト型のトランジスタと言える。
また、ボトムコンタクト型のトランジスタ４３０の場合、導電膜４３３及び導電膜４３４
の膜厚は、後に形成される酸化物半導体膜４３５が段切れを起こすのを防ぐために、薄く
するのが望ましい。具体的には、１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍ
とする。
なお、トランジスタ４３０は、絶縁膜４３７上に、バックゲート電極をさらに有していて
も良い。バックゲート電極は、酸化物半導体膜４３５のチャネル形成領域と重畳するよう
に形成する。バックゲート電極は、電気的に絶縁しているフローティングの状態であって
も良いし、電位が与えられる状態であっても良い。後者の場合、バックゲート電極には、
ゲート電極４３１と同じ高さの電位が与えられていても良いし、グラウンドなどの固定電
位が与えられていても良い。バックゲート電極に与える電位の高さを制御することで、ト
ランジスタ４３０の閾値電圧を制御することができる。
図７（Ｃ）に示すトランジスタ４４０は、トップゲート型トランジスタである。トランジ
スタ４４０は、基板４００上に形成された導電膜４４１及び導電膜４４２と、導電膜４４
１及び導電膜４４２と重なっている酸化物半導体膜４４３と、酸化物半導体膜４４３上の
ゲート絶縁膜４４４と、ゲート絶縁膜４４４上において酸化物半導体膜４４３と重なって
いるゲート電極４４５とを有する。さらに、トランジスタ４４０は、ゲート電極４４５上
に形成された絶縁膜４４７を、その構成要素に含めても良い。トランジスタ４４０は、ソ
ース電極及びドレイン電極である導電膜４４１及び導電膜４４２が、チャネル形成領域で
ある酸化物半導体膜４４３の下面で接しているので、ボトムコンタクト型のトランジスタ
と言える。
また、トップゲート型のトランジスタ４４０の場合、導電膜４４１及び導電膜４４２の膜
厚は、後に形成される酸化物半導体膜４４３が段切れを起こすのを防ぐために、薄くする
のが望ましい。具体的には、１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍとす
る。
なおコンバータ回路３０１のトランジスタ３０２又はコンバータ回路３１１のトランジス
タ３１２の構造は、トランジスタ４１０、トランジスタ４２０、トランジスタ４３０、ト
ランジスタ４４０の構造に限定されるものではない。トランジスタ３０２又はトランジス
タ３１２として、例えばパワーＭＯＳ（ＭＩＳ）ＦＥＴを用いると、より耐圧が高いので
好適である。
以上説明したように、透光性の材料でコンバータ回路１１２を作製すると、コンバータ回
路１１２が作製された領域にも光が透過する。コンバータ回路１１２が作製された領域に
も光が透過すると、光電変換素子１０３の受光面積が増える。光電変換素子１０３の受光
面積が増えると、出力電流が増大する。出力電流が増大すると、光電変換装置の発電効率
が向上する。
なお、本実施の形態では、コンバータ回路１１２が作製された領域から光電変換素子１０
３へ光を透過させたが、必要であれば光電変換素子１０３から光を入射させてもよい。光
電変換素子１０３から光を入射させると、光起電力が増大し、光電変換装置の発電効率が
向上する。
またコンバータ回路１１２を構成するトランジスタを、高価な単結晶シリコン基板の代わ
りに、より安価な酸化物半導体膜を用いて作製する。これにより、コンバータ回路のコス
トを抑制することが可能である。
本実施の形態により、透光性を有する基板に、酸化物半導体膜を有する薄膜回路で電力変
換素子を作ることにより、光電変換装置の薄型化が可能となる。
また本実施の形態により、酸化物半導体膜を有する薄膜回路で電力変換素子を作ることに
より、該電力変換素子及び該電力変換素子を有する光電変換装置の作製コストを抑制する
ことが可能である。
また、本実施の形態では、バンドギャップの大きい酸化物半導体膜で、コンバータ回路の
ようなパワーデバイスを製作することにより、温度特性が安定化する。これにより該コン
バータ回路を有する光電変換装置の温度特性を、安定化させることが可能である。
［実施の形態２］
本実施の形態では、実施の形態１で述べたコンバータ回路の回路構成の一例について、図
８を用いて説明する。
図８は電源回路６０１の構成例である。電源回路６０１は、コンバータ回路である電圧変
換回路６０２、及び電圧変換回路６０２の制御回路６０３を有している。電圧変換回路６
０２は、実施の形態１でも述べたＤＣ−ＤＣコンバータである。
電圧変換回路６０２は、トランジスタ６１１、コイル６１２、ダイオード６１３、及びコ
ンデンサ６１４を有している。制御回路６０３は、三角波発生回路６２１、デジタル制御
方式の回路６５０、パルス幅変調出力ドライバ６２３、抵抗６２４、及び抵抗６２５を有
している。また点線の矢印６２７は帰還回路のループを表している。抵抗６２４の出力電
圧である帰還電圧Ｖｆｂは、デジタル制御方式の回路６５０に入力される。
電圧変換回路６０２のトランジスタ６１１に、トランジスタ４１０、トランジスタ４２０
、トランジスタ４３０、又はトランジスタ４４０を用いると、トランジスタ６１１が透光
性を有するので好適である。さらにコイル６１２、ダイオード６１３、及びコンデンサ６
１４の材料として、透光性を有する材料を用いると好適である。コイル６１２、ダイオー
ド６１３、及びコンデンサ６１４の材料として、透光性を有する材料を用いると、電圧変
換回路６０２を構成する素子が全て透光性となる。電圧変換回路６０２を構成する素子が
全て透光性であると、実施の形態１で述べた光電変換素子に達する光を遮断しないので好
適である。
電圧変換回路６０２のトランジスタ６１１は、出力電圧が高いため、耐圧の高いトランジ
スタを用いると好適である。耐圧の高いトランジスタとしては、酸化物半導体膜をチャネ
ル形成領域に有するトランジスタが好適である。
デジタル制御方式の回路６５０は、コンパレータ６５１、デジタル演算処理回路６５２、
パルス幅変調出力ドライバ６５３、及びローパスフィルタ６５４（ローパスフィルタ：Ｌ
ｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ（ＬＰＦ））を有している。
デジタル制御方式の回路６５０の内、デジタル演算処理回路６５２及びパルス幅変調出力
ドライバ６５３はデジタル回路である。デジタル回路は、回路を流れる信号の基準に対す
る高低によって、１か０（ゼロ）かを判断するためである。デジタル回路は、１か０（ゼ
ロ）かを判断するため、デジタル回路を構成する素子の特性がばらついても、正しく処理
する事が可能である。
またデジタル制御方式の回路６５０は、占有面積の大きい受動素子（例えば、容量や抵抗
）の使用を抑制してるので、回路の占有面積を小さくすることが可能であるという点で好
適である。
コンパレータ６５１は、反転入力端子ＲＥＦから入力される参照電圧Ｖｒｅｆと、非反転
入力端子から入力される帰還電圧Ｖｆｂとを比較して、Ｈ（ハイレベル）かＬ（ローレベ
ル）、すなわち１か０（ゼロ）であるデジタル信号を出力する。
デジタル演算処理回路６５２は、デジタル平均化・積分器６５２ａ及びデジタルパルス幅
変調器６５２ｂを有している。またデジタル演算処理回路６５２には、外部からクロック
分割器６５５が接続され、クロック分割器６５５からのクロック信号が入力される。
デジタル演算処理回路６５２は、コンパレータ６５１から出力されたデジタル信号を、平
均化処理、積分化処理、及び、デジタルパルス幅変調処理を行う。デジタル演算処理回路
６５２中のデジタル平均化・積分器６５２ａが平均化処理及び積分化処理を行い、デジタ
ルパルス幅変調器６５２ｂがデジタルパルス幅変調処理を行う。
デジタル演算処理回路６５２では、まず、コンパレータ６５１から出力されたデジタル信
号（Ｈ（ハイレベル）またはＬ（ローレベル））をＮビット保持し、ＨとＬの回数を比較
し、多い方の信号を出力する。これによりデジタル信号の平均化が行われる。
平均化されたデジタル信号に応じて、Ｈであれば「−１」、Ｌであれば「＋１」を加えて
積算する。これにより、平均化されたデジタル信号が積分される。
積分されたデジタル信号に応じて、パルス幅変調の位相位置の設定を行う。これによりデ
ジタルパルス幅変調処理化が行われる。デジタルパルス幅変調処理化されたパルス幅変調
出力信号は、パルス幅変調出力ドライバ６５３に入力される。
三角波発生回路６２１は、パルス幅変調生成信号に必要な三角波Ｖｏｓｃを発生させる回
路である。
パルス幅変調出力ドライバ６２３の反転入力端子にはデジタル制御方式の回路６５０の出
力信号Ｖｅｒｒが入力され、非反転入力端子には三角波発生回路６２１が生成した三角波
Ｖｏｓｃが入力される。
パルス幅変調出力ドライバ６２３は、デジタル制御方式の回路６５０の出力信号Ｖｅｒｒ
と三角波Ｖｏｓｃを比較し、三角波Ｖｏｓｃの信号レベルがデジタル制御方式の回路６５
０の出力信号Ｖｅｒｒより大きい場合は、Ｈ（ハイレベル）をパルス幅変調信号としてト
ランジスタ６１１に出力する。一方、三角波Ｖｏｓｃの信号レベルがデジタル制御方式の
回路６５０の出力信号Ｖｅｒｒより小さい場合は、Ｌ（ローレベル）をパルス幅変調信号
としてトランジスタ６１１に出力する。
以上説明したように、透光性の材料で電圧変換回路６０２を作製すると、電圧変換回路６
０２が作製された領域にも光が透過する。電圧変換回路６０２が作製された領域にも光が
透過すると、実施の形態１で述べた光電変換素子の受光面積が増える。光電変換素子の受
光面積が増えると、出力電流が増大する。出力電流が増大すると、光電変換装置の発電効
率が向上する。
また電圧変換回路６０２を構成するトランジスタを、高価な単結晶シリコン基板の代わり
に、より安価な酸化物半導体膜を用いて作製する。これにより、電圧変換回路のコストを
抑制することが可能である。
［実施の形態３］
本実施の形態では、実施の形態１又は実施の形態２などにより得られる光電変換装置を用
いて、太陽光発電モジュールを得る。得られた太陽光発電モジュールを車両に搭載する例
について説明する。
本実施の形態の太陽光発電モジュールの例を図９（Ｃ）に示す。本実施の形態の太陽光発
電モジュールは、実施の形態１又は実施の形態２に示す光電変換装置を用いて作製される
。
図９（Ｃ）示される太陽光発電モジュール５０２８は、透光性の基板１０１上に、透光性
を有する導電膜１０２、透光性を有する導電膜１０２に接して設けられた光電変換素子１
０３、光電変換素子１０３に接して設けられ、透光性を有する導電膜１０４を有している
。また図９（Ｃ）に示される太陽光発電モジュール５０２８は、透光性を有する基板１１
１上に、透光性を有する材料で形成されたコンバータ回路１１２を有している。コンバー
タ回路１１２には、該太陽光発電モジュールと外部機器との電気的接続を担う配線１５１
が接続される。また１２１は配線、１２２は接着層を示す。なお図９（Ｃ）に示す太陽光
発電モジュール５０２８及び実施の形態１で述べられた図１（Ａ）に示す光電変換装置に
おいて、同じものは同じ符号で示している。
図９（Ａ）および図９（Ｂ）に、図９（Ｃ）で示した太陽光発電モジュール５０２８をル
ーフ部分に搭載した電動推進車両６０００（乗用自動車）の例を示す。太陽光発電モジュ
ール５０２８は、コンバータ６００２を介してバッテリーまたはキャパシタ６００４に接
続されている。すなわち、バッテリーまたはキャパシタ６００４は、太陽光発電モジュー
ル５０２８から供給される電力を用いて充電される。また、エンジン６００６の動作状況
をモニタ６００８で監視して、その状況に応じて充電及び放電を選択させる構成としても
良い。
太陽光発電モジュール５０２８は、熱によって光電変換効率が低下する傾向にある。この
ような光電変換効率の低下を抑制するために、太陽光発電モジュール５０２８内に冷却用
の液体などを循環させる構成としても良い。例えば、ラジエータ６０１０の冷却水を循環
ポンプ６０１２によって循環させる構成とすることができる。もちろん、冷却用の液体を
ラジエータ６０１０と共用することには限定されない。また、光電変換効率の低下が深刻
でない場合には、液体を循環させる構成は不要である。
本実施の形態により、透光性を有する基板に、酸化物半導体膜を有する薄膜回路で電力変
換素子を作ることにより、光電変換装置の薄型化が可能となる。
また本実施の形態により、酸化物半導体膜を有する薄膜回路で電力変換素子を作ることに
より、該電力変換素子及び該電力変換素子を有する光電変換装置の作製コストを抑制する
ことが可能である。
また、本実施の形態では、バンドギャップの大きい酸化物半導体膜で、コンバータ回路の
ようなパワーデバイスを製作することにより、温度特性が安定化する。これにより該コン
バータ回路を有する光電変換装置の温度特性を、安定化させることが可能である。
本実施の形態では、車両の限定された領域に光電変換素子及びコンバータ回路を積層した
光電変換装置、及び該光電変換装置を用いた太陽光発電モジュールを搭載することが可能
なので好適である。車両の限定された領域に該太陽光発電モジュールを搭載すると、光電
変換素子が生成した電圧を、効率よく車両の他の機器に用いることが可能である。
１０１ 基板
１０２ 導電膜
１０３ 光電変換素子
１０４ 導電膜
１０８ 基板温度
１１０ 保護部材
１１１ 基板
１１２ コンバータ回路
１２１ 配線
１２２ 接着層
１３３ 光電変換層
１４２ コンバータ回路
１５１ 配線
２０１ 基板
２０２ セル
２１０ 導電膜
２１１ 光電変換層
２１２ 導電膜
２１３ ｎ型半導体層
２１４ 真性半導体層
２１５ ｐ型半導体層
３０１ コンバータ回路
３０２ トランジスタ
３０３ コイル
３０４ ダイオード
３０５ コンデンサ
３０７ 光電変換素子
３１１ コンバータ回路
３１２ トランジスタ
３１３ コイル
３１４ ダイオード
３１５ コンデンサ
３１７ 光電変換素子
４００ 基板
４０２ ゲート絶縁膜
４０７ 絶縁膜
４１０ トランジスタ
４１１ ゲート電極
４１２ 酸化物半導体膜
４１４ 配線層
４１５ 配線層
４１６ 電極
４１７ 電極
４１８ 開口
４１９ 開口
４２０ トランジスタ
４２１ ゲート電極
４２２ ゲート絶縁膜
４２３ 酸化物半導体膜
４２４ チャネル保護膜
４２５ 導電膜
４２６ 導電膜
４２７ 絶縁膜
４３０ トランジスタ
４３１ ゲート電極
４３２ ゲート絶縁膜
４３３ 導電膜
４３４ 導電膜
４３５ 酸化物半導体膜
４３７ 絶縁膜
４４０ トランジスタ
４４１ 導電膜
４４２ 導電膜
４４３ 酸化物半導体膜
４４４ ゲート絶縁膜
４４５ ゲート電極
４４７ 絶縁膜
６０１ 電源回路
６０２ 電圧変換回路
６０３ 制御回路
６１１ トランジスタ
６１２ コイル
６１３ ダイオード
６１４ コンデンサ
６２１ 三角波発生回路
６２３ パルス幅変調出力ドライバ
６２４ 抵抗
６２５ 抵抗
６２７ 矢印
６５０ 回路
６５１ コンパレータ
６５２ デジタル演算処理回路
６５２ａ デジタル平均化・積分器
６５２ｂ デジタルパルス幅変調器
６５３ パルス幅変調出力ドライバ
６５４ ローパスフィルタ
６５５ クロック分割器
５０２８ 太陽光発電モジュール
６０００ 車両
６００２ コンバータ
６００４ キャパシタ
６００６ エンジン
６００８ モニタ
６０１０ ラジエータ
６０１２ 循環ポンプ

Claims (3)

  1. 光電変換素子と、
    前記光電変換素子上の接着層と、
    前記接着層上のコンバータ回路と、
    前記光電変換素子、前記接着層及び前記コンバータ回路の側面を覆う配線と、を有し、
    前記コンバータ回路は、コイルと、ダイオードと、コンデンサと、トランジスタと、を有し、
    前記配線は、前記光電変換素子と前記コンバータ回路とを電気的に接続し、
    前記光電変換素子と前記コンバータ回路とは、前記接着層を介して重畳する光電変換装置。
  2. 請求項１において、
    前記コンバータ回路は、前記光電変換素子の出力を昇圧又は降圧する機能を有する光電変換装置。
  3. 請求項１または２において、
    前記トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体である光電変換装置。
JP2014209887A 2010-04-23 2014-10-14 光電変換装置 Expired - Fee Related JP5752308B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014209887A JP5752308B2 (ja) 2010-04-23 2014-10-14 光電変換装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010100337 2010-04-23
JP2010100337 2010-04-23
JP2014209887A JP5752308B2 (ja) 2010-04-23 2014-10-14 光電変換装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011094863A Division JP5634320B2 (ja) 2010-04-23 2011-04-21 光電変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015029144A true JP2015029144A (ja) 2015-02-12
JP5752308B2 JP5752308B2 (ja) 2015-07-22

Family

ID=44814752

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011094863A Expired - Fee Related JP5634320B2 (ja) 2010-04-23 2011-04-21 光電変換装置
JP2014209887A Expired - Fee Related JP5752308B2 (ja) 2010-04-23 2014-10-14 光電変換装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011094863A Expired - Fee Related JP5634320B2 (ja) 2010-04-23 2011-04-21 光電変換装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9537043B2 (ja)
JP (2) JP5634320B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019009473A (ja) * 2015-03-24 2019-01-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セルの製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011156454A2 (en) * 2010-06-08 2011-12-15 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Crystallization of multi-layered amorphous films
FR2972294B1 (fr) * 2011-03-02 2013-04-26 Commissariat Energie Atomique Procede de gravure chimique selective
DE102011002236A1 (de) * 2011-04-21 2012-10-25 Dritte Patentportfolio Beteiligungsgesellschaft Mbh & Co.Kg Verfahren zur Herstellung einer polykristallinen Schicht
JP6023994B2 (ja) * 2011-08-15 2016-11-09 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
KR20220088814A (ko) 2012-01-25 2022-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6220597B2 (ja) * 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
DE112013006214T5 (de) 2012-12-25 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270765A (ja) * 2007-03-26 2008-11-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置及び当該光電変換装置を具備する電子機器

Family Cites Families (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58166680A (ja) 1982-03-29 1983-10-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JP3255657B2 (ja) 1991-05-31 2002-02-12 京セラ株式会社 車両用太陽電池装置
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
DE69635107D1 (de) 1995-08-03 2005-09-29 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
JPH0969647A (ja) 1995-08-30 1997-03-11 Kyocera Corp 太陽電池装置
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP2002108466A (ja) 2000-09-29 2002-04-10 Canon Inc 電力制御装置およびその制御方法、並びに、発電装置
JP2002141539A (ja) 2000-10-30 2002-05-17 Canon Inc 太陽電池モジュールおよびその製造方法、並びに、発電装置
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
JP2004111557A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Kyocera Corp 薄膜光電変換装置
JP4014152B2 (ja) 2002-10-09 2007-11-28 本田技研工業株式会社 電気車両用パワーコントロールユニット
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
JP2005312158A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Canon Inc 電力変換装置およびその制御方法、並びに、太陽光発電装置
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
AU2005302962B2 (en) 2004-11-10 2009-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7872259B2 (en) 2004-11-10 2011-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
US20060267769A1 (en) 2005-05-30 2006-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Terminal device and communication system
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
TW200816608A (en) * 2006-09-26 2008-04-01 Beyond Innovation Tech Co Ltd DC/DC converter
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
GB0707714D0 (en) * 2007-04-20 2007-05-30 Imp Innovations Ltd Improved oxide-based field-effect transistors
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5235348B2 (ja) * 2007-07-26 2013-07-10 富士フイルム株式会社 放射線撮像素子
KR20090040158A (ko) * 2007-10-19 2009-04-23 삼성전자주식회사 투명한 트랜지스터를 구비한 시모스 이미지 센서
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP2009200372A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Sharp Corp ソーラ発電ｌｅｄ照明装置
US20090293954A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric Conversion Device And Method For Manufacturing The Same
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
CN102165600B (zh) 2008-09-26 2013-09-25 株式会社半导体能源研究所 光电转换器件及其制造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5202395B2 (ja) 2009-03-09 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル、電子機器
US9260779B2 (en) 2009-05-21 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-transmitting conductive film, display device, electronic device, and manufacturing method of light-transmitting conductive film
WO2010140495A1 (en) 2009-06-05 2010-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same
WO2010140522A1 (en) 2009-06-05 2010-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2010140539A1 (en) 2009-06-05 2010-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same
US8772627B2 (en) 2009-08-07 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
US8658313B2 (en) 2009-09-30 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing electrode, and method for manufacturing power storage device and power generation and storage device having the electrode
KR101117700B1 (ko) * 2009-11-19 2012-02-24 삼성에스디아이 주식회사 광전변환소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270765A (ja) * 2007-03-26 2008-11-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置及び当該光電変換装置を具備する電子機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019009473A (ja) * 2015-03-24 2019-01-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5752308B2 (ja) 2015-07-22
US20110259420A1 (en) 2011-10-27
US9537043B2 (en) 2017-01-03
JP2011243969A (ja) 2011-12-01
JP5634320B2 (ja) 2014-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5752308B2 (ja) 光電変換装置
US9178419B2 (en) Power source circuit including transistor with oxide semiconductor
JP6145203B2 (ja) 半導体装置
JP5653193B2 (ja) 半導体装置及びその作製方法
JP5977328B2 (ja) 半導体装置
JP6008927B2 (ja) 電界効果型トランジスタ
JP5665477B2 (ja) 電界効果型トランジスタ
JP5856746B2 (ja) 半導体装置
US9224757B2 (en) DC-DC converter and manufacturing method thereof
JP5923193B2 (ja) 光電変換装置
JP5890124B2 (ja) 半導体装置
US9667148B2 (en) Photoelectric transducer device including a transistor including an oxide semiconductor layer

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150414

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150512

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150519

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5752308

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees