JP2015012111A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層1a、1bの表面に、体積抵抗率が100μΩ・cm以下の低抵抗材料から成り半田濡れ性に優れる主導体層3aと、体積抵抗率が10Ω・cm以上の高抵抗材料から成り半田濡れ性に劣る薄膜抵抗体層3bと、半田濡れ性に優れる被覆層3cとが電気的に直列に接続されるように順次積層された接続パッド3を具備して成る配線基板10であって、薄膜抵抗体層3bは、主導体層3aの露出する主面および側面を覆っているとともに、側面を覆う部分が被覆層3cから露出している。
【選択図】図2
Description
主導体層13aと電気的に直列に接続された抵抗体層13bによりダンピング抵抗が形成され、このダンピング抵抗により、配線導体の特性インピーダンスと半導体素子の特性インピーダンスとの相違に起因して発生するノイズが減衰されて半導体素子を正常に作動させることが可能になる。
その結果、主導体層に電気的に直列に接続された薄膜抵抗体層により形成されるダンピング抵抗を有効に作用させることで配線導体の特性インピーダンスと半導体素子の特性インピーダンスとの相違に起因して発生するノイズを減衰し、半導体素子を正常に作動させることができる配線基板を提供することができる。
このような低抵抗材料としては、例えば銅や銀、金、ニッケル、アルミニウム等が例示できるが、加工性や経済性等の観点から銅が好ましい。なお、主導体層3aを形成するには、主導体層3aが例えば銅から成る場合、配線導体2の形成と同じセミアディティブ法を採用することができる。
その結果、主導体層3aに電気的に直列に接続された薄膜抵抗体層3bにより形成されるダンピング抵抗を有効に作用させることで、配線導体2の特性インピーダンスと半導体素子Sの特性インピーダンスとの相違に起因して発生するノイズを減衰し、半導体素子Sを正常に作動させることができる配線基板10を提供することができる。
なお、半田濡れ性に劣る薄膜抵抗体層3bの主導体層3aの側面を覆う部分が、被覆層3cから露出しているため、半田バンプ6が被覆層3c以外へ流れ広がることを抑制できるため、隣接する半導体素子接続パッド3同士間のショートも防止できる。
あるいは、上層側の絶縁層1bに形成された配線導体2に接続される下層側の絶縁層1bやコア用絶縁層1a上に形成された接続パッドに、上述の半導体素子接続パッド3と同様の層構成によるダンピング抵抗を設けてもよい。
また、例えば上述した一例では、表層の絶縁層1b上にソルダーレジスト層を形成していない例を示したが、表層の絶縁層1b上にソルダーレジスト層を形成してもよい。
3 接続パッド
3a 主導体層
3b 薄膜抵抗体層
3c 被覆層
10 配線基板
Claims (2)
- 絶縁層の表面に、体積抵抗率が100μΩ・cm以下の低抵抗材料から成り半田濡れ性に優れる主導体層と、体積抵抗率が10Ω・cm以上の高抵抗材料から成り半田濡れ性に劣る薄膜抵抗体層と、半田濡れ性に優れる被覆層とが電気的に直列に接続されるように順次積層された接続パッドを具備して成る配線基板であって、前記薄膜抵抗体層は、前記主導体層の露出する主面および側面を覆っているとともに、前記側面を覆う部分が前記被覆層から露出していることを特徴とする配線基板。
- 前記主導体層が銅から成り、前記薄膜抵抗体層がゲルマニウムから成ることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
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