JP5150553B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品を搭載する配線基板に関し、特に、表面にメッキ層を形成した電極パッド群を備えた配線基板とその製造方法に関するものである。

従来から、半導体チップ等の電子部品を搭載可能な配線基板が広く用いられている。一般に、コア基板の上下に導体層及び絶縁層を交互に積層したビルドアップ層を配置し、一方の面に電極パッド群を設け、搭載された電子部品を電極パッド群に接続した配線基板の構造が知られている。電子部品の各パッドは、例えば、配線基板の各電極パッドの上部に形成した半田バンプに接合される。一般に、電極パッドの材料としては銅が用いられ、その表面に、半田との接合性が良好なニッケル、パラジウム、金のメッキ層を形成する構造が採用される。このような構造の電極パッドは、電子部品との接合に加えて、チップコンデンサ等のチップ部品との接合にも用いられる。

一方、上記の配線基板を各種電子機器に組み込む場合、電磁ノイズ（ＥＭＩ：Electro-magnetic interference）の発生を抑制することが求められる。配線基板におけるＥＭＩの対策としては、ノイズを遮蔽するシールド構造を形成することが有効である（例えば、特許文献１〜３参照）。このようなシールド構造の一例としては、金属材料からなるキャップ部材を、導電性接着剤を用いてビルドアップ層の表面に接合し、電極パッド群の一部を介して下層のグランド配線と接続することにより実現することができる。一般に、キャップ部材はサイズが大きいため、導電性接着剤による十分な接着強度を確保することが重要になる。

特開２００４−７１６２９号公報 特開２００４−２５９９９２号公報 特開２００６−２４５１２６号公報

上記のシールド構造を形成する場合、例えば、電子部品用の電極パッド群と同様のメッキ層に対し導電性接着剤を用いてキャップ部材を接合する構造も考えられる。しかしながら、一般的なエポキシ系の導電性接着剤は、パラジウムを含むメッキとの間で良好な接着性が得られないことが知られており、このようにメッキ層を用いる構造ではキャップ部材の接着強度が不十分になる恐れがある。一方、キャップ部材と接合される電極パッドのみメッキ層を変更し、例えば、ニッケル、金のメッキ層を表面に形成する構造にすれば、接着強度の確保は可能である。しかし、このような構造を採用すると、配線基板の同層において、パラジウムの有無に応じた２種類のメッキ層を形成する必要が生じる。これにより、２つのメッキマスクを用いた複雑な形成プロセスが要求され、配線基板の製造プロセスが複雑になって製造コストも上昇するという問題がある。

本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、製造プロセスを複雑にすることなく、電子部品が載置される配線基板にシールド構造を形成し、これにより電磁ノイズを確実に遮蔽して信頼性が高く、低コストの配線基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、コア基板と、前記コア基板の両面に絶縁層と導体層を交互に積層形成したビルドアップ層とを備え、前記ビルドアップ層の一方の面に電子部品を搭載可能な配線基板であって、前記ビルドアップ層の一方の面のうち前記電子部品の端子群と対向して電気的に接続可能な領域に配置され、少なくともパラジウムを含む第１メッキ層が表面に形成された第１電極パッド群と、前記ビルドアップ層の一方の面のうち前記第１電極パッド群の周囲の領域に配置され、前記第１メッキ層が表面に形成された第２電極パッド群と、前記第２電極パッド群の上部に接合され、パラジウムを含まない第２メッキ層が表面に形成された金属部材とを備え、前記金属部材の上部に、導電性接着剤を介して導電性材料からなるキャップ部材を接合可能に構成される。

本発明の配線基板によれば、ビルドアップ層の一方の面に、第１電極パッド群とその周囲の第２電極パッド群を設け、それぞれの表面に第１メッキ層を形成し、第１電極パッド群の上部に電子部品の各端子が接合され、第２電極パッド群の上部に金属部材が接合され、さらに金属部材の上部にキャップ部材が接合される。よって、金属部材とキャップ部材によって配線基板のシールド構造を形成しつつ、同じ層に配置される第１電極パッド群及び第２電極パッド群に共通の第１メッキ層を形成して製造プロセスを簡素化することができる。このとき、金属部材の表面には予め第２メッキ層が形成されるので、導電性接着材を介して接着されるキャップ部材の接合強度を十分に確保することができる。

前記第１メッキ層としては、例えば、ニッケル、パラジウム、金を用いて形成し、前記第２メッキ層は、ニッケル、金を用いて形成することができる。また、前記導電性接着剤の材料は、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。さらに、前記金属部材は、前記第２電極パッド群の上部に半田を介して接合することができる。

前記金属部材と前記キャップ部材とによりシールド構造を形成する場合は、前記第２電極パッド群を、前記ビルドアップ層のうちグランド電位が供給される所定の導体層と電気的に接続すればよい。この場合、前記金属部材は、前記ビルドアップ層の一方の面に前記電子部品を搭載した状態で前記電子部品を取り囲むリング状に形成してもよい。

また、上記課題を解決するために、本発明の配線基板の製造方法は、コア基板の両面に絶縁層と導体層を交互に積層してビルドアップ層を形成し、前記ビルドアップ層の一方の面に電子部品を搭載可能な配線基板に対し、前記ビルドアップ層の一方の面に電極パッド群を形成する工程と、前記電極パッド群の表面に、少なくともパラジウムを含む第１のメッキ層を形成する工程と、パラジウムを含まない第２メッキ層が表面に形成された金属部材を、前記電極パッド群のうち、前記電子部品の搭載領域の周囲の領域に配置された１又は複数の電極パッドの上部に接合する工程を含む製造方法を適用し、前記金属部材の上部には、導電性接着剤を介して導電性材料からなるキャップ部材を接合可能となっている。

前記電極パッド群を形成する際、その表面には、前記第１のメッキ層として、ニッケル、パラジウム、金の各メッキ層を順次形成し、前記金属部材の表面には、前記第２のメッキ層として、ニッケル、金の各メッキ層を順次形成することが望ましい。また、前記電子部品の周囲の領域に配置された１又は複数の電極パッドの上部に前記金属部材を接合する場合、それぞれ半田を載置してリフロー処理を施してもよい。

本発明によれば、電子部品を搭載した配線基板にシールド構造を形成するに際し、ビルドアップ層の一方の面の全ての電極パッドの表面に共通の第１メッキ層を形成し、かつキャップ部材の取り付けには、予め第２メッキ層を表面に形成した金属部材を介在させるので、異なるメッキ層を同じ層に施すことに伴う製造プロセスの複雑化を回避することができる。そして、金属部材の第２メッキ層はパラジウムを含まないため、導電性接着剤を介して金属部材に接合されるキャップ部材は十分な接着強度を確保することができる。このように、本発明の構造を採用することにより、良好な特性のシールド構造によりノイズを確実に抑制可能であって、簡素な製造プロセスにより低いコストで製造可能な配線基板を実現可能となる。

本実施形態の配線基板１０の概略の断面構造図である。 図１の配線基板１０の上面図の一例を示す図である。 電極パッド４０ｂに着目した場合の図２の配線基板１０の第１の変形例である。 電極パッド４０ｂに着目した場合の図２の配線基板１０の第２の変形例である。 配線基板１０の上部に、半導体チップ６０、複数のチップコンデンサ６１、リング部材６２をそれぞれ接合した状態の構造例を示す図である。 図５の状態の配線基板１０の上部に、キャップ部材６５を取り付けた場合の構造例を示す図である。 複数の部材片を組み合わせたリング部材６２の構造例を示す図である。 本実施形態の配線基板１０の製造方法を示す第１の構造図である。 本実施形態の配線基板１０の製造方法を示す第２の構造図である。 本実施形態の配線基板１０の製造方法を示す第３の構造図である。 本実施形態の配線基板１０の製造方法を示す第４の構造図である。

以下、本発明を適用した配線基板の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。

図１は、本実施形態の配線基板１０の概略の断面構造図である。図１においては、コア基板１１と、コア基板１１の上面側のビルドアップ層１６と、コア基板１１の下面側のビルドアップ層１７とを含む配線基板１０の模式的な断面構造を示している。本実施形態の配線基板１０の役割は、その上部に半導体チップ等の電子部品を搭載し、配線基板１０を経由して電子部品を外部回路と電気的に接続することである。

コア基板１１は、例えば、ガラス繊維を含んだエポキシ樹脂からなり、その両面には銅の導体層１４、１５が形成されている。コア基板１１の所定箇所には、貫通孔の内壁にスルーホール導体１２が形成されている。スルーホールの内部は、例えばガラスエポキシ等からなる穴埋材１３で埋められている。スルーホール導体１２及び穴埋材１３は上下に延伸され、コア基板１１を積層方向に貫通し、上部の導体層１４と下部の導体層１５を接続導通している。図１では、簡単のため１組のスルーホール導体１２及び穴埋材１３のみを示しているが、実際の配線基板１０には、多様な配線を接続するための多数のスルーホール導体１２及び穴埋材１３が設けられる。

一方のビルドアップ層１６は、コア基板１１の導体層１４の側の面に形成され、その上層に樹脂絶縁層２１と、導体層２２と、樹脂絶縁層２３が順に積層されている。他方のビルドアップ層１７は、コア基板１１の導体層１５の側の面に形成され、その下層に樹脂絶縁層２４と、導体層２５と、樹脂絶縁層２６が順に積層されている。上部の樹脂絶縁層２３の表面には複数の電極パッド４０ａ、４０ｂが形成されている。樹脂絶縁層２３はソルダーレジスト層１８により覆われ、各々の電極パッド４０ａ、４０ｂはソルダーレジスト層１８が開口される所定箇所に露出している。また、下部の樹脂絶縁層２６の表面には複数のＢＧＡ用パッド５０が形成されている。樹脂絶縁層２６はソルダーレジスト層１９により覆われ、各々のＢＧＡ用パッド５０はソルダーレジスト層１９が開口される所定箇所に露出している。なお、各電極パッド４０ａ、４０ｂの表面にはメッキ層４１が形成され、各ＢＧＡ用パッド５０の表面にはメッキ層５１が形成されている。

ビルドアップ層１６においては、樹脂絶縁層２１を貫通して導体層１４と導体層２２とを積層方向に接続導通する複数のビア導体３０が設けられるとともに、樹脂絶縁層２３を貫通して導体層２２と複数の電極パッド４０ａ、４０ｂとを積層方向に接続導通する複数のビア導体３１が設けられている。また、ビルドアップ層１７においては、樹脂絶縁層２４を貫通して導体層１５と導体層２５とを積層方向に接続導通する複数のビア導体３２が設けられるとともに、樹脂絶縁層２６を貫通して導体層２５と複数のＢＧＡ用パッド５０とを積層方向に接続導通する複数のビア導体３３が設けられている。

図１の配線基板１０においては、複数の電極パッド４０ａ、４０ｂの配置と役割に特徴がある。すなわち、中央付近に配置された電極パッド４０ａ（本発明の第１電極パッド群）は電子部品としての半導体チップを接合する役割があり、周囲に配置された電極パッド４０ｂ（本発明の第２電極パッド群）は後述の金属部材を接合する役割がある。電極パッド４０ａ、４０ｂのそれぞれの表面には、ニッケル、パラジウム、金を用いたメッキ層４１（本発明の第１メッキ層）が形成される。中央の電極パッド４０ａ及びそのメッキ層４１の上部には、半導体チップの複数のパッド（図１では不図示）に接合するための複数の半田バンプ４２が形成される。一方、周囲の電極パッド４０ｂ及びそのメッキ層４１の上部には、半田を介して金属部材が接合され、配線基板１０のシールド構造を形成するために用いられるが、詳細は後述する。

上記の複数の電極パッド４０ａ、４０ｂの配置を具体的に説明すべく、図２には、図１の配線基板１０の上面図の一例を示している。まず、配線基板１０の中央付近において、半導体チップと対向する領域Ｒ１には、１６個の電極パッド４０ａがアレイ状に配置されている。また、配線基板１０の４つのコーナー部には、４個の電極パッド４０ｂが配置されている。さらに、電極パッド４０ａ、４０ｂに加えて、領域Ｒ１の外側には、多数のチップコンデンサ用の電極パッド４３（図１では不図示）が配置されている。これらの電極パッド４０ａ、４０ｂ、４３は、いずれも表面に上記のメッキ層４１が形成されている。なお、図２では、１６個の電極パッド４０ａと４個の電極パッド４０ｂが示されているが、それぞれの個数及び配置は一例であって、図２に限られることなく電極パッド４０ａ、４０ｂの個数及び配置を多様に設計可能である。

図３及び図４は、電極パッド４０ｂに着目した場合の図２の配線基板１０の変形例を示している。すなわち、図２では４個の電極パッド４０ｂを各コーナー部に分離して配置しているが、図３の変形例に示すように、リング状に連続して形成された１個の電極パッド４０ｂを設けてもよい。また、図２では各々の電極パッド４０ｂが円形の形状を有する場合を示しているが、図４の変形例に示すように、各々の電極パッド４０ｂが四角形の形状を有していてもよい。

図５は、図２〜図４の配線基板１０の上部に、半導体チップ６０、複数のチップコンデンサ６１、リング部材６２（本発明の金属部材）をそれぞれ接合した状態の構造例を示している。図５（Ａ）は、この状態の配線基板１０の上面図を示し、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の配線基板１０の上部におけるａ−ａ’断面の構造を示す図である。なお、図５（Ａ）の構造は、図２〜図４の全てに対して共通であるが、図５（Ｂ）の構造は、図３のリング状の電極パッド４０ｂを設けた変形例に対応している。

半導体チップ６０は、図５（Ａ）に示すように、配線基板１０の領域Ｒ１（図２〜図４）に重なる位置に搭載されている。半導体チップ６０の下面には複数のパッド６０ａ（図５（Ｂ））が設けられており、各々のパッド６０ａが半田バンプ４２を介して下方に対向する電極パッド４０ａと電気的に接続されている。また、領域Ｒ１の周囲には、隣接する一対の電極パッド４３に１個ずつ、全部で１６個のチップコンデンサ６１が搭載されている。これらのチップコンデンサ６１は、各電極パッド４３の下層の配線構造を経由して半導体チップ６０の電源配線等に接続される。

一方、配線基板１０の外縁付近には、配線基板１０の外形に沿ってリング状に形成されたリング部材６２が配置されている。このリング部材６２は、図５（Ｂ）に示すように、四角形の断面形状を有し、その下端が下方に対向する電極パッド４０ｂと半田６４を介して接合されている。このリング部材６２の表面には、ニッケル、金を用いたメッキ層６３（本発明の第２メッキ層）が予め形成されている。なお、電極パッド４０ｂは、図３の構造に限られず、図２及び図４の構造であっても、図５に示すリング部材６２とその下方の断面構造は共通である。

図６は、図５の状態の配線基板１０の上部に、キャップ部材６５を取り付けた場合の構造例を示している。図６（Ａ）では、図５（Ａ）の配線基板１０の位置を点線で表しているが、キャップ部材６５が配線基板１０を全体的に覆うように配置されている。そして、図６（Ｂ）に示すように、キャップ部材６５の下面の一部が、導電性接着剤６６を介してリング部材６２の上端に接合されている。この導電性接着剤６６は、例えば、導電性のエポキシ樹脂又は低温半田（Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ａｇ等）からなる。また、キャップ部材６５は、その外縁部が下方に曲がって側面を形成し、配線基板１０の側面を取り囲む形状となっている。

図６において、リング部材６２及びキャップ部材６５は、一体的に配線基板１０のシールド構造を形成する。図６（Ｂ）の下層側から、電極パッド４０ｂ、メッキ層４１、半田６４、リング部材６２及びその表面のメッキ層６３、導電性接着剤６６、キャップ部材６５がそれぞれ電気的に接続されている。この場合、電極パッド４０ｂは、例えば、下方のビア導体３１を介して導体層２２のグランド配線に接続することができる。これにより、電極パッド４０ｂからキャップ部材６５までは全て導電性の材料で形成されることから、グランド電位に接続されるシールド構造を実現することができる。

なお、リング部材６２及びキャップ部材６５の材料は特に制約されないが、例えば、コバール、４２アロイ、アルミニウム、銅、銅合金などの金属材料、あるいは導電性のプラスチック材料等を用いることができる。また、リング部材６２及びキャップ部材６５を含むシールド構造は、上述のようにグランド電位に接続する場合に加え、電源電圧等の他の固定電位に接続してもよく、あるいは、固定電位に接続することなくフローティング状態に保ってもよい。ただし、高いシールド効果を得るには、シールド構造をグランド電位に接続することが望ましい。

ここで、既に述べたように、電極パッド４０ａ、４０ｂの表面のメッキ層４１は、ニッケル、パラジウム、金により形成され、リング部材６２の表面のメッキ層６３は、ニッケル、金により形成される。すなわち、メッキ層４１はパラジウムを含み、かつメッキ層６３はパラジウムを含まない点で相違している。電極パッド４０ａ、４０ｂの表面にメッキ層４１を形成するのは、銅と半田を接合する際、その間にニッケル、パラジウム、金のメッキが介在すると良好な接合性が得られるためである。これに対し、リング部材６２の表面には腐食防止と半田食われ防止のためのメッキを施す必要があるが、導電性接着剤６６はパラジウムを含むメッキと相性が悪く接着強度が低下することが知られている。そのため、リング部材６２の表面に、パラジウムを含まないニッケル、金のメッキ層６３を形成したものである。

配線基板１０のシールド構造を形成するに際し、電極パッド４０ｂの表面に、パラジウムを含まないメッキ層を直接形成し、その上部に導電性接着剤６６を介してキャップ部材６５を接合する構成も考えられる。しかし、この構成を採用すると、ビルドアップ層１６の上面の同層に形成された電極パッド４０ａ、４０ｂに対し、２種類のメッキを施すことになるため、中央の電極パッド４０ａの表面に形成すべきメッキ層４１用のメッキマスクと、周囲の電極パッド４０ｂの表面に形成すべきメッキ層（ニッケル、金）用のメッキマスクとを用いて別々にメッキ形成プロセスを行う必要が生じるので製造プロセスが極めて複雑になってしまう。本実施形態のように、リング部材６２を別途取り付ける構成を採用した場合、電極パッド４０ａ、４０ｂに対して１種類のメッキに対応する１つのメッキマスクを用いればよいので、製造プロセスを簡素化することができる。

なお、リング部材６２は、図５に示すように一体的な形状には限られず、図７に示すように、複数の部材片を組み合わせた構造としてもよい。図７（Ａ）は、平面内で左右に対称な２つの部材片からなるリング部材６２の構造例を示している。また、図７（Ｂ）は、平面内で上下左右に対称な４つの部材片からなるリング部材６２の構造例を示している。いずれの場合であっても、リング部材６２を電極パッド４０ｂに接合した状態で、同様のプロセスに従って、キャップ部材６５をリング部材６２に接着することができる。

また、配線基板１０に図５の複数のチップコンデンサ６１を設ける必要がない場合は、図２〜図４に示す複数の電極パッド４３を省略してもよい。さらに、図２〜図４では示されないが、配線基板１０において平面内の各辺に導通用ラグを設け、配線基板１０の各側面から導通用ラグを介してリング部材６２をグランド配線に接続する構造を採用してもよい。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について、図８〜図１１を参照して説明する。まず、図８に示すように、コア基板１１を準備する。このコア基板１１は、例えば、厚さ０．８ｍｍ程度の基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板からなる。そして、ドリルを用いてコア基板１１に穴あけ加工を施して貫通孔を形成し、この状態で無電解銅メッキ及び電解銅メッキを施し、その表面を粗化する。次いで、貫通孔の部分をエポキシ樹脂で埋めることにより、スルーホール導体１２及び穴埋材１３を形成する。

次に図９に示すように、コア基板１１の両面の銅箔に対し、ドライフィルムをラミネートして露光及び現像を行い、電解銅メッキを施した後、ドライフィルムを剥離する。これにより、コア基板１１の上下の導体層１４、１５が形成される。次いで、コア基板１１の上下に、導体層１４、１５を挟んでそれぞれフィルム状絶縁樹脂材料をラミネートし、上面側の樹脂絶縁層２１と下面側の樹脂絶縁層２４を形成する。続いて、樹脂絶縁層２１、２４を露光、現像して複数のビアホールを開口し、熱キュアを行った後に電解銅メッキを施すことにより、ビア導体３０、３２を形成する。

次に図１０に示すように、樹脂絶縁層２１、２４の表面にそれぞれドライフィルムをラミネートして露光及び現像を行い、電解銅メッキを施した後、ドライフィルムを剥離する。これにより、樹脂絶縁層２１、２４の上下に、導体層２２、２５が形成される。次いで、樹脂絶縁層２１、２４の上下に、導体層２２、２５を挟んでそれぞれフィルム状絶縁樹脂材料をラミネートし、上面側の樹脂絶縁層２３と下面側の樹脂絶縁層２６を形成する。続いて、樹脂絶縁層２３、２６を露光、現像して複数のビアホールを開口し、熱キュアを行った後に電解銅メッキを施すことにより、ビア導体３１、３３を形成する。

次に図１１に示すように、樹脂絶縁層２３の表面にドライフィルムをラミネートして露光及び現像を行い、電解銅メッキ及び無電解銅メッキを施した後、ドライフィルムを剥離する。これにより、電極パッド４０ａ、４０ｂが形成される。また、樹脂絶縁層２６の表面に同様の手法でＢＧＡ用パッド５０を形成する。次いで、樹脂絶縁層２３の上面にソルダーレジストフィルムをラミネートして露光及び現像を行った後に熱キュアを行い、電極パッド４０ａ、４０ｂが露出したソルダーレジスト層１８が形成される。また、樹脂絶縁層２６の下面に、同様の手法で、ＢＧＡ用パッド５０が露出したソルダーレジスト層１９が形成される。なお、チップコンデンサ６１用の電極パッド４３については、設けないものとして説明を行う。

次に、図１に戻って、電極パッド４０ａ、４０ｂの表面に、パラジウム、ニッケル、金の順にメッキを施し、共通のメッキ層４１を形成する。ＢＧＡ用パッド５０の表面にも同様の手法で、メッキ層５１を形成する。中央に配置された電極パッド４０ａ及びそのメッキ層４１の上部に、それぞれ半田バンプ４２を形成する。なお、ＢＧＡ用パッド５０には、それぞれ外部接続用の半田ボール（不図示）を形成する。

次に、図５（Ｂ）に示すように、予め表面にニッケル、金のメッキ層６３が形成されたリング部材６２を用意する。そして、周囲に配置された電極パッド４０ｂ及びそのメッキ層４１の上部に、半田６４を介してリング部材６２を載置する。この状態で、リフロー処理を施して半田６４を２００〜３５０度の温度まで加熱して溶解させ、その後に半田６４を凝固させることで、リング部材６２を接合する。この時点で、本実施形態の配線基板１０が完成する。

その後、図６（Ｂ）に示すように、半導体チップ６０の各パッド６０ａが各半田バンプ４２に接合される状態で、半導体チップ６０を搭載する。また、リング部材６２の上端に導電性接着剤６６を塗布した状態で、半導体チップ６０の上部を覆うキャップ部材６５を取り付ける。これにより、リング部材６２及びキャップ部材６５によって半導体チップ６０がシールドされる配線基板１０を得ることができる。

以上、本実施形態に基づき本発明の内容を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で多様な変更を施すことができる。例えば、本実施形態では、配線基板１０に半導体チップ６０が搭載される例を説明したが、電極パッド４０ａを介して接合可能な多様な電子部品を搭載した配線基板１０に対し、広く本発明を適用することができる。また、リング部材６２やキャップ部材６５の形状や材料についても本実施形態の例には限定されないとともに、これらを設けるのはシールド構造の形成を目的とする場合に限らず、電子部品の保護等の目的で設ける場合であっても、広く本発明を適用することができる。

１０…配線基板
１１…コア基板
１２…スルーホール導体
１３…穴埋材
１４、１５、２２、２５…導体層
１６、１７…ビルドアップ層
１８、１９…ソルダーレジスト層
２１、２３、２４、２６…樹脂絶縁層
３０、３１、３２、３３…ビア導体
４０ａ、４０ｂ、４３…電極パッド
４１、５１、６３…メッキ層
４２…半田バンプ
５０…ＢＧＡ用パッド
６０…半導体チップ
６１…チップコンデンサ
６２…リング部材
６４…半田
６５…キャップ部材
６６…導電性接着剤

Claims (9)

1. コア基板と、前記コア基板の両面に絶縁層と導体層を交互に積層形成したビルドアップ層とを備え、前記ビルドアップ層の一方の面に電子部品を搭載可能な配線基板であって、
   前記ビルドアップ層の一方の面のうち前記電子部品の端子群と対向して電気的に接続可能な領域に配置され、少なくともパラジウムを含む第１メッキ層が表面に形成された第１電極パッド群と、
   前記ビルドアップ層の一方の面のうち前記第１電極パッド群の周囲の領域に配置され、前記第１メッキ層が表面に形成された第２電極パッド群と、
   前記第２電極パッド群の上部に接合され、パラジウムを含まない第２メッキ層が表面に形成された金属部材と、
   を備え、前記金属部材の上部に、導電性接着剤を介して導電性材料からなるキャップ部材を接合可能であることを特徴とする配線基板。
2. 前記第１メッキ層は、ニッケル、パラジウム、金を用いて形成され、前記第２メッキ層は、ニッケル、金を用いて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記導電性接着剤は、エポキシ樹脂よりなることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記金属部材は、前記第２電極パッド群の上部に半田を介して接合されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の配線基板。
5. 前記第２電極パッド群は、前記ビルドアップ層のうちグランド電位が供給される所定の導体層と電気的に接続され、前記金属部材が前記キャップ部材とともに前記グランド電位に接続されるシールド構造を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
6. 前記金属部材は、前記ビルドアップ層の一方の面に前記電子部品を搭載した状態で前記電子部品を取り囲むリング状に形成されている請求項５に記載の配線基板。
7. コア基板の両面に絶縁層と導体層を交互に積層してビルドアップ層を形成し、前記ビルドアップ層の一方の面に電子部品を搭載可能な配線基板の製造方法であって、
   前記ビルドアップ層の一方の面に電極パッド群を形成する工程と、
   前記電極パッド群の表面に、少なくともパラジウムを含む第１のメッキ層を形成する工程と、
   パラジウムを含まない第２メッキ層が表面に形成された金属部材を、前記電極パッド群のうち、前記電子部品の搭載領域の周囲の領域に配置された１又は複数の電極パッドの上部に接合する工程と、
   を含み、前記金属部材の上部には、導電性接着剤を介して導電性材料からなるキャップ部材を接合可能であることを特徴とする配線基板の製造方法。
8. 前記電極パッド群の表面には、前記第１のメッキ層として、ニッケル、パラジウム、金の各メッキ層を順次形成し、
   前記金属部材の表面には、前記第２のメッキ層として、ニッケル、金の各メッキ層を順次形成することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記電子部品の周囲の領域に配置された１又は複数の電極パッドの上部にそれぞれ半田を介して前記金属部材を載置し、リフロー処理を施すことにより接合することを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。

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