JP3793421B2 - 面実装型電子回路ユニット及び面実装型電子回路ユニットの製造方法 - Google Patents

面実装型電子回路ユニット及び面実装型電子回路ユニットの製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、母基板(プリント基板)上の半田ランドに半田付けすることによって実装される面実装型電子回路ユニットに係り、特に、シールドカバーを付設した面実装型電子回路ユニット及び面実装型電子回路ユニットの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的に、この種の面実装型電子回路ユニットは、基板上にチップ抵抗やチップコンデンサあるいはトランジスタ等の回路部品を半田付けすると共に、該基板の端面に複数の端面電極を設けることによって構成されており、必要に応じて回路部品をシールドカバーで覆うように構成された面実装型電子回路ユニットも知られている。このシールドカバーは金属板を箱形状に折り曲げ形成したもので、周縁に折り曲げ形成された脚片を端面電極の一部に半田付けすることにより、回路部品を覆うように基板に取り付けられている。
【0003】
このように概略構成された面実装型電子回路ユニットは、基板の端面に露出する端面電極を母基板上の半田ランドに半田付けすることによって実装されるため、基板の端面から突出するリード端子を母基板のスルーホールに半田付けするリード付き電子部品に比べると、実装密度を大幅に高めることができるという利点があり、今後ますます需要が高まる傾向にある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで近年、チップ抵抗やチップコンデンサ等の回路部品を小形化する技術は著しく進歩しており、例えば外形寸法が0.6×0.3mm程度の超小形のチップ抵抗やチップコンデンサも実用化されている。したがって、前述した従来技術においても、このような小形のチップ部品やトランジスタ等を使用し、これらの回路部品を部品間ピッチを狭めた状態で基板上に実装すれば、面実装型電子回路ユニットをある程度までは小型化することが可能となる。
【0005】
しかしながら、チップ部品やトランジスタ等の回路部品の小形化には限界があり、しかも、多数の回路部品を基板上に搭載する際に、各回路部品の半田付け部分が短絡しないようにしなければならないため、部品間ピッチを狭めるのにも限界があり、これらのことが面実装型電子回路ユニットの更なる小型化を妨げる要因となっていた。また、面実装型電子回路ユニットが小型化されていくと、それに伴って基板とシールドカバーの外形寸法も小形になるため、基板にシールドカバーを取り付ける作業が困難になるという製造上の問題も発生する。
【0006】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、小型化に好適で製造の簡単なシールドカバー付きの面実装型電子回路ユニット及び面実装型電子回路ユニットの製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の面実装型電子回路ユニットでは、アースパターンを有する基板上に薄膜形成された回路素子とワイヤーボンディングされた半導体ベアチップとが搭載され、前記アースパターンに熱硬化性樹脂に導電性粒子を混入した導電性接着剤が塗布されると共に、前記回路素子と前記半導体ベアチップを被覆するように前記熱硬化性樹脂からなる絶縁性接着剤がポッティングされ、シールドカバーがこれら導電性接着剤と絶縁性接着剤を介して前記基板に接合されているように構成した。
【0008】
このような構成によれば、アースパターンに熱硬化性樹脂に導電性粒子を混入した導電性接着剤が塗布されると共に、基板上に薄膜技術等を用いて搭載された回路素子と半導体ベアチップが前記熱硬化性樹脂からなる絶縁性接着剤によって封止されるため、基板上に必要とされる回路部品を高精度かつ高密度に実装することができ、しかも、シールドカバーがこの絶縁性接着剤とアースパターンに塗布された導電性接着剤とを介して基板に接合されるため、シールドカバーを基板に強固に取り付けることができると共に、シールドカバーとアースパターンとを確実に導通させることができる。
【0009】
上記の目的を達成するために、本発明の面実装型電子回路ユニットの製造方法では、基板にアースパターンを含む導電パターンを薄膜形成し、前記アースパターンを除く領域に熱硬化性樹脂からなる絶縁性接着剤をボンディングすると共に、前記アースパターンに前記熱硬化性樹脂に導電性粒子を混入した導電性接着剤を塗布し、前記絶縁性接着剤を前記シールドカバーに接触させると共に、前記シールドカバーの下端を前記アースパターンに接触させ、加熱することにより前記前記絶縁性接着剤と導電性接着剤とを同時に硬化したので、これら導電性接着剤と絶縁性接着剤として互いの硬化条件が略等しいものを使用すると、シールドカバーを基板に取り付ける工程が著しく簡略化されて好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図1は本発明の実施形態例に係る面実装型電子回路ユニットの断面図、図2は該電子回路ユニットの分解斜視図、図3は該電子回路ユニットの製造工程を示す説明図である。
【0011】
図1と図2に示すように、本実施形態例に係る面実装型電子回路ユニットは、アルミナ材料からなる基板1と、この基板1上に搭載された後述の回路部品を被覆するシールドカバー2とを備えており、図示せぬ母基板上に半田付けされて実装される小形の面実装部品となっている。基板1は方形平板状に形成されており、大版基板を短冊状基板に分割した後、この短冊状基板をさらに細分割することによって得られる。シールドカバー2は金属板を断面コ字状にフォーミングしたもので、基板1とほぼ同じ大きさに設定されている。この基板1の表面には、抵抗やコンデンサ等の回路素子3が蒸着やスパッタリング等の薄膜技術を用いて形成されると共に、トランジスタやダイオード等の半導体ベアチップ4がワイヤーボンディングされており、これら回路素子3と半導体ベアチップ4を接続する図示せぬ導電パターンも薄膜形成されている。この導電パターンは基板1の縁部まで延びて複数の端面電極となっており、これら端面電極の一部は基板1の四隅でアースパターン5を形成している。
【0012】
基板1上のアースパターン5を除く領域には絶縁性接着剤6がポッティングされており、回路素子3と半導体ベアチップ4はこの絶縁性接着剤6によって封止されている。また、アースパターン5上には導電性接着剤7が塗布されており、これら絶縁性接着剤6と導電性接着剤7の接着力によって前述したシールドカバー2が基板1上に取り付けられている。ここで、絶縁性接着剤6はエポキシ樹脂やウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂からなり、硬化後の接着強度が高いという性質を有している。一方、導電性接着剤7はエポキシ樹脂やウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂中にAg等の導電性粒子を混入したもので、絶縁性接着剤6に比べると接着強度は低いという性質を有している。したがって、シールドカバー2は導電性接着剤7を介してアースパターン5に導通され、この導通状態が絶縁性接着剤6の高い接着力によって維持されることになる。なお、本実施形態例では、互いの硬化条件(例えば、硬化温度:約150°C、硬化時間:約10分)が略等しい絶縁性接着剤6と導電性接着剤7を使用している。
【0013】
次に、上記の如く構成された面実装型電子回路ユニットの製造工程について主として図3を用いて説明する。
【0014】
まず、縦横に格子状に延びる分割溝が刻設されたアルミナ材料からなる大版基板を準備し、図3(a)に示すように、この大版基板1A上に抵抗やコンデンサ等の回路素子3やアースパターン5等を含む導電パターンを薄膜形成すると共に、トランジスタやダイオード等の半導体ベアチップ4をワイヤーボンディングする。次に、大版基板1Aを一方向の分割溝に沿って切断して複数の短冊状基板を得た後、図3(b)に示すように、この短冊状基板1B上のアースパターン5を除く領域に絶縁性接着剤6をポッティングすると共に、アースパターン5上に導電性接着剤7を塗布する。次に、図3(c)に示すように、短冊状基板1Bの上からシールドカバー2を被せ、このシールドカバー2によって絶縁性接着剤6を押し広げると共に、シールドカバー2の下端を各アースパターン5に押し付ける。そして、この状態で絶縁性接着剤6と導電性接着剤7を所定の硬化条件(硬化温度:約150°C、硬化時間:約10分)で硬化させることにより、シールドカバー2を絶縁性接着剤6と導電性接着剤7の接着力で基板1上に取り付けると共に、シールドカバー2を導電性接着剤7を介してアースパターン5と電気的に接続する。最後に、短冊状基板1Bを他方の分割溝に沿って複数の基板1に細分割することにより、図1に示すような個々の基板1にシールドカバー2が取り付けられた面実装型電子回路ユニットが得られる。
【0015】
このように構成された実施形態例にあっては、基板1上に薄膜技術等を用いて搭載された回路素子3と半導体ベアチップ4が絶縁性接着剤6によって覆われているため、基板1上に必要とされる回路部品を高精度かつ高密度に実装することができ、回路素子3の損傷やワイヤーの断線を絶縁性接着剤6によって保護することができる。また、シールドカバー2とアースパターン5間を導通する導電性接着剤7の接着力が絶縁性接着剤6の高い接着力によって補完されるため、シールドカバー2を基板1に強固に取り付けることができると共に、シールドカバー2とアースパターン5とを確実に導通させることができる。さらに、絶縁性接着剤6と導電性接着剤7として互いの硬化条件が略等しいものを使用したため、これら絶縁性接着剤6と導電性接着剤7を同時に硬化させることができ、その分、シールドカバー2を基板1に取り付ける工程を著しく簡略化することができる。
【0016】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【0017】
アースパターンに熱硬化性樹脂に導電性粒子を混入した導電性接着剤が塗布されると共に、基板上に薄膜形成した回路素子とワイヤーボンディングした半導体ベアチップを封止するように前記熱硬化性樹脂からなる絶縁性接着剤をポッティングし、この絶縁性接着剤に被着したシールドカバーを導電性接着剤を介して基板のアースパターンに導通させたため、基板上に必要とされる回路部品を高精度かつ高密度に実装することができ、しかも、シールドカバーを基板に強固に取り付けることができると共に、シールドカバーとアースパターンとを確実に導通させることができ、それゆえ、小型化に好適で製造の簡単な面実装型電子回路ユニットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態例に係る面実装型電子回路ユニットの断面図である。
【図2】該電子回路ユニットの分解斜視図である。
【図3】該電子回路ユニットの製造工程を示す説明図である。
【符号の説明】
1 基板
1A 大版基板
1B 短冊状基板
2 シールドカバー
3 回路素子
4 半導体ベアチップ
5 アースパターン
6 絶縁性接着剤
7 導電性接着剤

Claims (2)

  1. アースパターンを有する基板上に薄膜形成された回路素子とワイヤーボンディングされた半導体ベアチップとが搭載され、
    前記アースパターンに熱硬化性樹脂に導電性粒子を混入した導電性接着剤が塗布されると共に、
    前記回路素子と前記半導体ベアチップを被覆するように前記熱硬化性樹脂からなる絶縁性接着剤がポッティングされ、
    シールドカバーがこれら導電性接着剤と絶縁性接着剤を介して前記基板に接合されていることを特徴とする面実装型電子回路ユニット。
  2. 基板にアースパターンを含む導電パターンを薄膜形成し、
    前記アースパターンを除く領域に熱硬化性樹脂からなる絶縁性接着剤をボンディングすると共に、前記アースパターンに前記熱硬化性樹脂に導電性粒子を混入した導電性接着剤を塗布し、
    前記絶縁性接着剤を前記シールドカバーに接触させると共に、前記シールドカバーの下端を前記アースパターンに接触させ、
    加熱することにより前記前記絶縁性接着剤と導電性接着剤とを同時に硬化したことを特徴とする面実装型電子回路ユニットの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4972391B2 (ja) * 2006-12-13 2012-07-11 新光電気工業株式会社 シールドケース付パッケージおよびシールドケース付パッケージの製造方法
JP2010192653A (ja) 2009-02-18 2010-09-02 Panasonic Corp 半導体装置
JP5150553B2 (ja) * 2009-04-16 2013-02-20 日本特殊陶業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP5375311B2 (ja) * 2009-04-28 2013-12-25 オムロン株式会社 電子部品実装装置及びその製造方法
WO2012165111A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 株式会社村田製作所 多層基板の製造方法および多層基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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