JP2015009471A - サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタ - Google Patents

Abstract

【課題】 エネルギ効率の向上を図ることの可能なサーマルプリントヘッドを提供すること。
【解決手段】 基材主面１１１を有する基材１１と、基材主面１１１に形成された抵抗体層４と、基材主面１１１に形成され且つ抵抗体層４に導通する電極層３と、抵抗体層４および電極層３を覆う保護層６と、を備え、電極層３は、隙間３９を介して第１方向Ｘ１に互いに離間する第１導電部３１および第２導電部３２を含み、抵抗体層４は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１導電部３１および第２導電部３２に跨る発熱部４１を含み、保護層６は、第１厚さＬ１１の第１部位と、第２厚さＬ１２の第２部位と、を含み、第１部位は、厚さ方向Ｚ視において隙間３９に重なる領域であり、第２部位は、厚さ方向Ｚ視において第１導電部３１に重なる領域であり、且つ、第１方向Ｘ１において、第１部位に隣接しており、第１厚さＬ１１は、第２厚さＬ１２よりも厚い。
【選択図】 図７

Description

本発明は、サーマルプリントヘッドと、サーマルプリンタと、に関する。

従来から知られているサーマルプリントヘッドは、基板と、グレーズ層と、発熱抵抗体と、電極と、保護層と、を備える。このようなサーマルプリントヘッドは、たとえば特許文献１に開示されている。同文献に開示のサーマルプリントヘッドにおいて、グレーズ層は基板に形成されている。グレーズ層は、発熱抵抗体にて発生した熱を蓄熱する役割を果たす。発熱抵抗体は、グレーズ層に形成されている。発熱抵抗体は、複数の発熱部を含む。各発熱部は、電極のうち互いに離間した２つの部分に跨るように、形成されている。保護層は発熱部を覆っている。

このようなサーマルプリントヘッドにおいて、保護層は、発熱部に重なる箇所において凹んでいる。そのため、保護層を印刷媒体へと接触させにくく、発熱部にて発生した熱を適切に印刷媒体へと伝えにくい。このことは、サーマルプリントヘッドのエネルギ効率を低下させる要因となっている。

特開２００６−３４６８８７号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、エネルギ効率の向上を図ることの可能なサーマルプリントヘッドを提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、基材主面を有する基材と、前記基材主面に形成された抵抗体層と、前記基材主面に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、前記抵抗体層および前記電極層を覆う保護層と、を備え、前記電極層は、隙間を介して第１方向に互いに離間する第１導電部および第２導電部を含み、前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記第２導電部に跨る発熱部を含み、前記保護層は、第１厚さの第１部位と、第２厚さの第２部位と、を含み、前記第１部位は、前記厚さ方向視において前記隙間に重なる領域であり、前記第２部位は、前記厚さ方向視において前記第１導電部に重なる領域であり、且つ、前記第１方向において、前記第１部位に隣接しており、前記第１厚さは、前記第２厚さよりも厚い、サーマルプリントヘッドが提供される。

好ましくは、前記第１部位は、前記基材主面の向く側を向く第１露出面を有し、前記第２部位は、前記基材主面の向く側を向く第２露出面を有し、前記第１露出面は、前記第２露出面と面一、あるいは、前記第２露出面よりも前記基材主面の向く側に位置している。

好ましくは、前記保護層には、前記第１部位および前記第２部位の間に、溝が形成されている。

好ましくは、前記溝は、前記基材の厚さ方向視において、前記隙間に重なる領域に配置されている。

好ましくは、前記第１部位は、前記基材主面の向く側に膨らむ凸状の部位を形成している。

好ましくは、前記第１露出面は、平坦な部分を有する。

好ましくは、前記保護層は、互いに積層された第１保護膜および第２保護膜を含み、前記第１保護膜および前記第２保護膜はいずれも、前記厚さ方向視において、少なくとも一部が前記発熱部に重なる。

好ましくは、前記第１保護膜および前記第２保護膜のいずれか一方は、前記第１部位を構成するかさ上げ部を有する。

好ましくは、前記第１保護膜および前記第２保護膜のいずれか一方は、前記かさ上げ部に連続してつながる周辺膜を有し、前記周辺膜の厚さは、前記かさ上げ部の厚さよりも薄い。

好ましくは、前記かさ上げ部は、前記基材の厚さ方向に交差する方向を向くかさ上げ部側面を有し、前記かさ上げ部側面は、前記基材の厚さ方向視において、前記隙間に位置している。

好ましくは、前記かさ上げ部は、前記第１保護膜における部分であり、前記かさ上げ部は、前記第２保護膜と前記発熱部との間に介在している。

好ましくは、前記かさ上げ部は、前記第２保護膜における部分であり、前記第１保護膜は、前記かさ上げ部と前記発熱部との間に介在している。

好ましくは、前記第２保護膜を構成する材料の熱伝導率は、前記第１保護膜を構成する材料の熱伝導率よりも、大きい。

好ましくは、前記第１保護膜は、Ｓｉ₃Ｎ₄よりなり、前記第２保護膜は、Ｓｉ₃ＮまたはＳｉＡｌＯＮよりなる。

好ましくは、前記第１保護膜の最大厚さは、３〜６μｍであり、前記第２保護膜の最大厚さは、３〜８μｍである。

好ましくは、配線基板と、複数のワイヤと、前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える。

好ましくは、前記保護層には、貫通窓が形成されており、前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている。

好ましくは、前記樹脂層は、前記保護層に直接接している。

好ましくは、前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備える。

好ましくは、前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ₂、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる。

好ましくは、前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる。

好ましくは、前記基材を支持する放熱板を更に備える。

本発明の第２の側面によると、本発明の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドと、前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタが提供される。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態のサーマルプリンタの部分断面図である。 本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。 図２に示したサーマルプリントヘッドの部分拡大平面図（一部構成省略）である。 図３の領域ＩＶの部分拡大平面図である。 図４から、電極層および絶縁層を省略して示す平面図である。 図３、図４のＶＩ−ＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図６の部分拡大断面図である。 本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの製造工程の一工程を示す断面図である。 図８に続く一工程を示す断面図である。 図９に続く一工程を示す断面図である。 図１０に続く一工程を示す断面図である。 図１１に示す工程を行ったときの部分拡大平面図である。 図１１に続く一工程を示す断面図である。 図１３に続く一工程を示す断面図である。 図１４に示す工程を行ったときの部分拡大平面図である。 図１４に続く一工程を示す部分拡大断面図である。 図１６に示す工程を行ったときの平面図である。 図１６に続く一工程を示す断面図である。 図１８に示す工程を行ったときの平面図である。 図１９に続く一工程を示す平面図である。 図２０に続く一工程を示す断面図である。 図２１に続く一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。 本発明の第２実施形態のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１〜図２２を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態のサーマルプリンタの部分断面図である。

同図に示すサーマルプリンタ８００は、印刷媒体８０１に印刷を施す。印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。サーマルプリンタ８００は、サーマルプリントヘッド５０１と、プラテンローラ８０２と、を備える。プラテンローラ８０２は、サーマルプリントヘッド５０１に正対している。

図２は、本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。図３は、図２に示したサーマルプリントヘッドの部分拡大平面図（一部構成省略）である。

これらの図に示すサーマルプリントヘッド５０１は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱部２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６（図２では省略）と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、樹脂層８２と、コネクタ８３とを備える。サーマルプリントヘッド５０１は、印刷媒体８０１に印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。このような印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。

図１に示す放熱板１３は、基材１１からの熱を放散させるためのものである。放熱板１３は、たとえばＡｌなどの金属よりなる。放熱板１３は、基材１１および配線基板１２を支持している。

基材１１は板状を呈している。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなる。基材１１を構成する半導体材料としては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＧａＮが挙げられる。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなるが、基材１１は半導体材料からなっていなくてもよい。たとえば、基材１１は、セラミックなどの絶縁材料よりなっていてもよい。本実施形態において、基材１１を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。本実施形態においては、蓄熱部２（後述）の熱伝導率と基材１１の熱伝導率との比は、１：１０〜６００であって、より望ましくは１：１００〜２００である。基材１１の厚さはたとえば０．６２５〜０．７２０ｍｍである。図２に示すように、基材１１は、方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。

図４は、図３の領域ＩＶの部分拡大平面図である。図５は、図４から、電極層および絶縁層を省略して示す平面図である。図６は、図３、図４のＶＩ−ＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。

図６に示すように、基材１１は基材主面１１１を有する。基材主面１１１は、方向Ｘと方向Ｙとに広がる平面状である。基材主面１１１は、方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材主面１１１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（以下、方向Ｚａと言う。図６では上方）を向く。すなわち、基材主面１１１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。

図１、図６に示すように、蓄熱部２は基材１１に形成されている。蓄熱部２は、基材１１の基材主面１１１の全体を覆っている。蓄熱部２は、発熱部４１（後述）にて発生した熱を蓄えるためのものである。蓄熱部２の厚さは、たとえば、３μｍ以上である。図６に示すように、蓄熱部２は蓄熱部表面２１を有する。蓄熱部表面２１は方向Ｚａを向く。すなわち、蓄熱部表面２１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。本実施形態では、蓄熱部表面２１は全体にわたって平坦である。蓄熱部表面２１が平坦であると、半導体プロセスによって抵抗体層４や絶縁層５を形成しやすい。蓄熱部２は、たとえば、ＳｉＯ₂よりなる。

図２、図３、図６に示す電極層３は基材１１に形成されている。図３における電極層３には、理解の便宜上、砂模様を付している。電極層３は蓄熱部２に積層されている。また、電極層３は抵抗体層４に積層されている。本実施形態においては、電極層３と蓄熱部２との間に、抵抗体層４が介在している。電極層３は、抵抗体層４に導通している。電極層３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成している。電極層３を構成する材料としては、たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉが挙げられる。本実施形態とは異なり、電極層３は、蓄熱部２と抵抗体層４との間に介在していてもよい。

図４、図６に示すように、電極層３は、第１導電部３１と第２導電部３２とを含む。第１導電部３１および第２導電部３２は、互いに離間している。具体的には、第１導電部３１および第２導電部３２は、隙間３９を介して方向Ｘ（第１方向）に互いに離間している。第１導電部３１と第２導電部３２の離間寸法は、たとえば、１０５μｍである。

本実施形態においては、図３に示すように、電極層３は、複数の個別電極３３（同図には６つ示す）と、１つの共通電極３５と、複数の中継電極３７（同図には６つ示す）とを含む。より具体的には、次のとおりである。

複数の個別電極３３は、互いに導通していない。そのため、各個別電極３３には、サーマルプリントヘッド５０１の組み込まれたプリンタが使用される際に、個別に、互いに異なる電位が付与されうる。各個別電極３３は、個別電極帯状部３３１と、屈曲部３３３と、直行部３３４と、斜行部３３５と、ボンディング部３３６とを有する。図４、図６に示すように、各個別電極帯状部３３１は、電極層３における第１導電部３１を構成しており、方向Ｘに沿って延びる帯状である。各個別電極帯状部３３１は、抵抗体層４に積層されている。屈曲部３３３は、個別電極帯状部３３１につながり、方向Ｙおよび方向Ｘのいずれに対しても傾斜している。直行部３３４は、方向Ｘにまっすぐ延びている。斜行部３３５は、方向Ｙおよび方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。ボンディング部３３６は、ワイヤ８１がボンディングされる部分である。本実施形態においては、個別電極帯状部３３１、屈曲部３３３、直行部３３４、および斜行部３３５の幅が、たとえば４７．５μｍ程度であり、ボンディング部３３６の幅がたとえば８０μｍ程度である。

共通電極３５は、サーマルプリントヘッド５０１の組み込まれたプリンタが使用される際に複数の個別電極３３に対して電気的に逆極性となる部位である。共通電極３５は、複数の共通電極帯状部３５１と、複数の分岐部３５３と、複数の直行部３５４と、複数の斜行部３５５と、複数の延出部３５６と、一つの基幹部３５７とを有する。共通電極帯状部３５１は、方向Ｘに延びる帯状である。図４、図６に示すように、各共通電極３５において、複数の共通電極帯状部３５１は、電極層３における第１導電部３１を構成しており、方向Ｙに互いに離間し、且つ、互いに導通している。各共通電極帯状部３５１は、抵抗体層４に積層されている。各共通電極帯状部３５１は、個別電極帯状部３３１と方向Ｙに離間している。本実施形態においては、互いに隣接した２つずつの共通電極帯状部３５１が、２つの個別電極帯状部３３１に挟まれている。複数の共通電極帯状部３５１、および複数の個別電極帯状部３３１は、方向Ｙに沿って配列されている。分岐部３５３は、２つの共通電極帯状部３５１と１つの直行部３５４をつなぐ部分であり、Ｙ字状である。直行部３５４は、方向Ｘにまっすぐ延びている。斜行部３５５は、方向Ｙおよび方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。延出部３５６は、斜行部３５５につながり、方向Ｘに沿って延びている。基幹部３５７は、方向Ｙに延びる帯状であり、複数の延出部３５６がつながっている。本実施形態においては、共通電極帯状部３５１、直行部３５４、斜行部３５５、および延出部３５６の幅が、たとえば４７．５μｍ程度である。

複数の中継電極３７はそれぞれ、複数の個別電極３３のうちの一つと共通電極３５との間に電気的に介在する。各中継電極３７は、２つの中継電極帯状部３７１と連結部３７３とを有する。図４、図６に示すように、各中継電極帯状部３７１は、電極層３における第２導電部３２を構成しており、方向Ｘに延びる帯状である。すなわち、電極層３における第２導電部３２と第１導電部３１とは、互いに離間しており、本実施形態においては、方向Ｘに互いに離間している。複数の中継電極帯状部３７１は、方向Ｙに互いに離間している。各中継電極帯状部３７１は、抵抗体層４に積層されている。複数の中継電極帯状部３７１は、抵抗体層４上において、複数の帯状部３３１，３５１とは方向Ｘにおいて反対側に配置されている。各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１の一方は、複数の共通電極帯状部３５１のいずれか一つと、方向Ｘに互いに離間している。各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１の他方は、複数の個別電極帯状部３３１のいずれか一つと、方向Ｘに互いに離間している。複数の連結部３７３はそれぞれ、方向Ｙに沿って延びている。各連結部３７３は、各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１につながる。これにより、各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１どうしが互いに導通している。

なお、電極層３は、必ずしも中継電極３７を含む必要はなく、たとえば、複数の個別電極と、これらの個別電極に隣接する共通電極と、を含むものであってもよい。

図１、図３〜図６に示す抵抗体層４は基材１１に形成されている。本実施形態では、抵抗体層４は、蓄熱部２を介して基材１１に形成されている。本実施形態においては、抵抗体層４は、複数の矩形状の部分を有する。抵抗体層４は、電極層３からの電流が流れた部分が発熱する。このように発熱することによって印字ドットが形成される。抵抗体層４は、電極層３を構成する材料よりも抵抗率が高い材料よりなる。抵抗体層４を構成する材料としては、たとえば、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ₂、および、ＴｉＯＮが挙げられる。本実施形態においては、抵抗体層４には、抵抗値の調整のため、イオン（たとえば、ホウ素）がドーピングされている。抵抗体層４の厚さは、たとえば、０．２μｍ〜１μｍである。

図４〜図６に示すように、抵抗体層４は、第１端面４１６と、第２端面４１７とを有する。

図４〜図６に示すように、第１端面４１６は、第２導電部３２（中継電極帯状部３７１）の位置する側とは反対側（すなわち、図６の右方向）を向いている。第２端面４１７は、第１導電部３１（個別電極帯状部３３１もしくは共通電極帯状部３５１）の位置する側とは反対側（すなわち、図６の左方向）を向いている。

図６に示すように、抵抗体層４は、サーマルプリントヘッド５０１の使用時に発熱する発熱部４１を含む。図４、図５に示すように、発熱部４１は、基材１１の厚さ方向視において、第１導電部３１および第２導電部３２に跨っている。各発熱部４１は蓄熱部２に積層されている。

図６に示すように、発熱部４１は、第１当接部４１１および第２当接部４１２を含んでいる。第１当接部４１１は、電極層３における第１導電部３１に当接している。第２当接部４１２は、電極層３における第２導電部３２に当接している。

図６に示すように、絶縁層５は、発熱部４１および電極層３の間に介在している部分を有する。絶縁層５を構成する材料としては、たとえば、ＳｉＯ₂、および、ＳｉＡｌＯ₂が挙げられる。絶縁層５は、第１介在部５１と、第２介在部５２と、中間部５３とを含む。図４〜図６に示すように、第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している部位である。第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。中間部５３は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１介在部５１と第２介在部５２とに挟まれている。中間部５３は、第１介在部５１および第２介在部５２につながっている。

図４〜図６に示すように、本実施形態において、第１介在部５１には、少なくとも１以上の第１開口５１１が形成されている。図４にて第１開口５１１は円形状である例を示しているが、第１開口５１１の形状は円形状に限られない。たとえば、第１開口５１１は矩形状であってもよい。図４にて第１介在部５１に第１開口５１１が複数形成されている例を示しているが、第１介在部５１に形成されている第１開口５１１の個数は、１つであってもよい。第１開口５１１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第１当接部４１１が位置している。図６に示すように、本実施形態においては更に、第１開口５１１内に、第１導電部３１の一部が形成されている。

本実施形態において、第２介在部５２には、少なくとも１以上の第２開口５２１が形成されている。図４にて第２開口５２１は円形状である例を示しているが、第２開口５２１の形状は円形状に限られない。たとえば、第２開口５２１は矩形状であってもよい。図４にて第２介在部５２に第２開口５２１が複数形成されている例を示しているが、第２介在部５２に形成されている第２開口５２１の個数は、１つであってもよい。第２開口５２１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第２当接部４１２が位置している。図６に示すように、本実施形態においては更に、第２開口５２１内に、第２導電部３２の一部が形成されている。

図４〜図６に示すように、本実施形態においては、絶縁層５は、部分５８１，５８２を含む。部分５８１は、第１介在部５１につながり且つ第１端面４１６を覆う部分である。部分５８２は、第２介在部５２につながり且つ第２端面４１７を覆う部分である。部分５８１，５８２はそれぞれ、蓄熱部２に直接接している。すなわち、絶縁層５に直接接する部分を、蓄熱部２が有している。本実施形態とは異なり、絶縁層５が部分５８１，５８２を含んでいなくてもよい。本実施形態とは異なり、サーマルプリントヘッド５０１が、絶縁層５を有していなくてもよい。

図１、図６に示す保護層６は、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを覆っており、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを保護するためのものである。保護層６は、絶縁材料よりなる。

図７は、図６の部分拡大断面図である。

保護層６は、第１部位６１Ａと、第２部位６１Ｂと、第３部位６１Ｃと、を含む。

第１部位６１Ａは、厚さ方向Ｚ視において、隙間３９に重なる部位である。第１部位６１Ａは第１露出面６１Ａａを有する。第１露出面６１Ａａは、基材主面１１１の向く側（方向Ｚａ）を向いている。本実施形態では、第１露出面６１Ａａは平坦な部分を有し、平面視において矩形状である。

本実施形態では、第２部位６１Ｂは、厚さ方向Ｚ視において、第１導電部３１および抵抗体層４に重なっている。第２部位６１Ｂは、第１導電部３１および第２導電部３２が離間する方向Ｘにおいて、第１部位６１Ａに隣接している。第２部位６１Ｂは第２露出面６１Ｂａを有する。第２露出面６１Ｂａは、基材主面１１１の向く側（方向Ｚａ）を向いている。本実施形態では、第２露出面６１Ｂａは平坦な部分を有する。

第３部位６１Ｃは、厚さ方向Ｚ視において、第２導電部３２に重なる部位である。本実施形態では、第３部位６１Ｃは、厚さ方向Ｚ視において、第２導電部３２および抵抗体層４に重なっている。第３部位６１Ｃは、第１導電部３１および第２導電部３２が離間する方向Ｘにおいて、第１部位６１Ａに隣接している。また、厚さ方向Ｚ視において、第１部位６１Ａは、第２部位６１Ｂと、第３部位６１Ｃとの間に配置されている。第３部位６１Ｃは第３露出面６１Ｃａを有する。第３露出面６１Ｃａは、基材主面１１１の向く側（方向Ｚａ）を向いている。本実施形態では、第３露出面６１Ｃａは平坦な部分を有する。

本実施形態においては、第１部位６１Ａの第１厚さＬ１１は、第２部位６１Ｂの第２厚さＬ１２よりも厚い。同様に、第１部位６１Ａの第１厚さＬ１１は、第３部位６１Ｃの第３厚さＬ１３よりも厚い。第１厚さＬ１１は、たとえば、３〜１０μｍである。第２厚さＬ１２および第３厚さＬ１３はそれぞれ、たとえば、３〜８μｍである。

より好ましくは、第１露出面６１Ａａは、第２露出面６１Ｂａと面一、あるいは、第２露出面６１Ｂａよりも基材主面１１１の向く側（方向Ｚａ）に位置している。同様に、より好ましくは、第１露出面６１Ａａは、第３露出面６１Ｃａと面一、あるいは、第３露出面６１Ｃａよりも基材主面１１１の向く側（方向Ｚａ）に位置している。図７では、第１露出面６１Ａａが第２露出面６１Ｂａよりも基材主面１１１の向く側（方向Ｚａ）に位置している例を示している。また、同図では、第１露出面６１Ａａが第３露出面６１Ｃａよりも基材主面１１１の向く側（方向Ｚａ）に位置している例を示している。一方、本実施形態の変形例として、図２３では、第１露出面６１Ａａが第２露出面６１Ｂａと面一である例を示している。また、同図では、第１露出面６１Ａａが第３露出面６１Ｃａと面一である例を示している。

なお、本実施形態とは異なり、第１露出面６１Ａａは、第２露出面６１Ｂａよりも基材主面１１１の向く側とは反対側（方向Ｚｂ）に位置していてもよい。同様に、第１露出面６１Ａａは、第３露出面６１Ｃａよりも基材主面１１１の向く側とは反対側（方向Ｚｂ）に位置していてもよい。

本実施形態においては更に、保護層６には２つの溝６３が形成されている。２つの溝６３のうちの一つは、第１部位６１Ａと第２部位６１Ｂとの間に形成されている。同様に、２つの溝６３のうちの一つは、第１部位６１Ａと第３部位６１Ｃとの間に形成されている。そのため、本実施形態では、第１部位６１Ａは、基材主面１１１の向く側に膨らむ凸状の部位を形成している。本実施形態では、各溝６３は、厚さ方向Ｚ視において、隙間３９に重なる領域に配置されている。本実施形態とは異なり、各溝６３が隙間３９に重なる領域に配置されておらず、たとえば、第１導電部３１や第２導電部３２に重なる領域に配置されていてもよい。また本実施形態とは異なり、保護層６に溝６３が形成されていなくてもよい。

本実施形態では保護層６は二層構造である。具体的には、保護層６は、第１保護膜６５および第２保護膜６６を有する。

第１保護膜６５および第２保護膜６６は互いに積層されている。第１保護膜６５および第２保護膜６６はいずれも、厚さ方向Ｚ視において、少なくとも一部が発熱部４１に重なっている。本実施形態では、第１保護膜６５は、第２保護膜６６と発熱部４１との間に介在している。

第１保護膜６５および第２保護膜６６のいずれか一方は、かさ上げ部６７１を有している。そして、本実施形態では、第１保護膜６５がかさ上げ部６７１を有している。

かさ上げ部６７１は、第１部位６１Ａを構成している。かさ上げ部６７１は、厚さ方向Ｚ視において発熱部４１に重なっている。また、かさ上げ部６７１は、発熱部４１および第２保護膜６６の間に介在している。好ましくは、かさ上げ部６７１の厚さは、たとえば、電極層３の厚さの２分の１以上である。更に好ましくは、かさ上げ部６７１の厚さは、たとえば、電極層３の厚さ以上である。更に好ましくは、かさ上げ部６７１の厚さは、たとえば、電極層３の厚さの１．５倍以上である。かさ上げ部６７１の厚さは、たとえば、３〜６μｍである。この厚さは、第１保護膜６５の最大厚さとなる。

かさ上げ部６７１は、かさ上げ部主面６７１Ａと、かさ上げ部側面６７１Ｂとを有している。

かさ上げ部主面６７１Ａは、基材主面１１１の向く方向（方向Ｚａ）を向いている。かさ上げ部側面６７１Ｂは、かさ上げ部主面６７１Ａにつながっており、厚さ方向Ｚに交差する方向を向いている。本実施形態では、厚さ方向Ｚ視において、かさ上げ部側面６７１Ｂは隙間３９に位置している。そして、かさ上げ部側面６７１Ｂは、第１導電部３１および第２導電部３２の各々から離間している。

第１保護膜６５および第２保護膜６６のいずれか一方は、かさ上げ部６７１に連続してつながる周辺膜６７３を有している。本実施形態では、第１保護膜６５が周辺膜６７３を有している。

周辺膜６７３は、第１導電部３１および第２導電部３２に重なっている。周辺膜６７３の厚さは、かさ上げ部６７１の厚さよりも薄い。周辺膜６７３の厚さは、たとえば、２〜３μｍである。

周辺膜６７３のうち、第１導電部３１の側面に形成された部分と、かさ上げ部６７１とによって、凹部６７５が形成されている。この凹部６７５は、厚さ方向Ｚ視において、上述の溝６３に重なっている。同様に、周辺膜６７３のうち、第２導電部３２の側面に形成された部分と、かさ上げ部６７１とによって、凹部６７５が形成されている。この凹部６７５は、厚さ方向Ｚ視において、上述の溝６３に重なっている。

なお、本実施形態とは異なり周辺膜６７３が全く形成されていなくてもよい。

第２保護膜６６と基材１１との間に、第１保護膜６５が配置されている。本実施形態では、第２保護膜６６は、第１露出面６１Ａａと、第２露出面６１Ｂａと、第３露出面６１Ｃａとを構成している。更に、本実施形態では、第２保護膜６６に上述の溝６３が形成されている。第２保護膜６６の厚さは、全体にわたって略一様である。第２保護膜６６の最大厚さは、たとえば、３〜８μｍである。

第１保護膜６５を構成する材料と第２保護膜６６を構成する材料とは、たとえば、互いに同一である。この場合、第１保護膜６５を構成する材料、および、第２保護膜６６を構成する材料は、たとえばＳｉ₃Ｎ₄である。一方、第１保護膜６５を構成する材料と第２保護膜６６を構成する材料とが、異なっていてもよい。この場合、第１保護膜６５を構成する材料は、たとえば、Ｓｉ₃Ｎ₄であり、第２保護膜６６を構成する材料は、たとえば、ＳｉＡｌＯＮである。また、第１保護膜６５を構成する材料の熱伝導率よりも、第２保護膜６６を構成する材料の熱伝導率が大きい構成を採用してもよい。

保護層６には、複数の貫通窓６１（図１には１つ示す）が形成されている。各貫通窓６１からは、ボンディング部３３６が露出している。

図１に示す配線基板１２は、たとえば、プリント配線基板である。配線基板１２は、基材層と図示しない配線層とが積層された構造を有する。基材層は、たとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。配線層は、たとえばＣｕよりなる。

図１、図３に示す駆動ＩＣ７は、各個別電極３３にそれぞれ電位を付与し、各発熱部４１に流す電流を制御するものである。各個別電極３３にそれぞれ電位が付与されることにより、共通電極３５と各個別電極３３との間に電圧が印加され、各発熱部４１に選択的に電流が流れる。駆動ＩＣ７は、配線基板１２に搭載されている。図３に示すように、駆動ＩＣ７は、複数のパッド７１を含む。複数のパッド７１は、たとえば、２列に形成されている。

図１、図３に示す複数のワイヤ８１は、たとえば、Ａｕなどの導体よりなる。複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１１はそれぞれ、駆動ＩＣ７にボンディングされ、且つ、電極層３にボンディングされている。より具体的には、各ワイヤ８１１は、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、ボンディング部３３６にボンディングされている。これにより、駆動ＩＣ７と各個別電極３３とが導通している。図３に示すように、複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１２は、それぞれ、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、当該配線層を介して、駆動ＩＣ７とコネクタ８３とが導通している。同図に示すように、複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１３は、共通電極３５における基幹部３５７にボンディングされ、且つ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、共通電極３５と上記配線層とが導通している。

図１に示す樹脂層８２は、たとえば、黒色の樹脂よりなる。樹脂層８２は、駆動ＩＣ７、複数のワイヤ８１、および、保護層６を覆っており、駆動ＩＣ７および複数のワイヤ８１を保護している。樹脂層８２は保護層６に直接接する。コネクタ８３は、配線基板１２に固定されている。コネクタ８３は、サーマルプリントヘッド５０１の外部からサーマルプリントヘッド５０１へ電力を供給し、駆動ＩＣ７を制御するためのものである。

次に、サーマルプリントヘッド５０１の使用方法の一例について簡単に説明する。

サーマルプリントヘッド５０１は、プリンタに組み込まれた状態で使用される。図１に示したように、当該プリンタ内において、サーマルプリントヘッド５０１の各発熱部４１はプラテンローラ８０２に対向している。当該プリンタの使用時には、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、方向Ｘに沿ってプラテンローラ８０２と各発熱部４１との間に一定速度で送給される。印刷媒体８０１は、プラテンローラ８０２によって保護層６のうち各発熱部４１を覆う部分に押しあてられる。一方、図３に示した各個別電極３３には、駆動ＩＣ７によって選択的に電位が付与される。これにより、共通電極３５と複数の個別電極３３の各々との間に電圧が印加される。そして、複数の発熱部４１には選択的に電流が流れ、熱が発生する。そして、各発熱部４１にて発生した熱は、保護層６を介して印刷媒体８０１に伝わる。そして、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びる第１ライン領域に、複数のドットが印刷される。また、各発熱部４１にて発生した熱は、蓄熱部２にも伝わり、蓄熱部２にて蓄えられる。

更に、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、方向Ｘに沿って一定速度で引き続き送給される。そして、上述の第１ライン領域への印刷と同様に、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びる、第１ライン領域に隣接する第２ライン領域への印刷が行われる。第２ライン領域への印刷の際、印刷媒体８０１には、各発熱部４１にて発生した熱に加え、第１ライン領域への印刷時に蓄熱部２にて蓄えられた熱が伝わる。このようにして、第２ライン領域への印刷が行われる。以上のように、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びるライン領域ごとに、複数のドットを印刷することにより、印刷媒体８０１への印刷が行われる。

次に、サーマルプリントヘッド５０１の製造方法の一例について簡単に説明する。本実施形態においてサーマルプリントヘッド５０１を製造するには、半導体プロセスを用いる。

まず、図８に示すように、半導体基板１９を用意する。本実施形態において半導体基板１９はＳｉよりなる。次に、図９に示すように、半導体基板１９の表面を熱酸化する。次に、ＣＶＤもしくはスパッタを行う。これにより、基材１１に積層された蓄熱部２が形成される。図示することは省略するが、基材１１の裏面にもＳｉＯ₂層が形成される。なお、本実施形態とは異なり、半導体基板１９の表面を熱酸化する必要は必ずしもなく、ＣＶＤもしくはスパッタによって、直接、蓄熱部２を形成してもよい。

次に、図１０に示すように、抵抗体層４’を形成する。抵抗体層４’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。抵抗体層４’は、基材１１の表面の全面に形成する。次に、図１１、図１２に示すように、抵抗体層４’をエッチングすることにより、抵抗体層４’’を形成する。抵抗体層４’のエッチングは、フォトリソグラフィの後に、ドライエッチングをすることにより行う。図１２に示すように、本実施形態では、抵抗体層４’’は、一方向に沿って帯状に延びる形状である。次に、抵抗体層４が所望の抵抗値になるように、抵抗体層４’’にイオンを打ち込む（図示略）。

次に、図１３に示すように、絶縁層５’を形成する。絶縁層５’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。次に、図１４、図１５に示すように、絶縁層５’をエッチングすることにより、上述の絶縁層５を形成する。絶縁層５’をエッチングする当該工程を経ることにより、図１５に示すように、上述の第１開口５１１および第２開口５２１が形成される。

次に、図１６、図１７に示すように、電極層３’を形成する。電極層３’の形成は、たとえば、スパッタもしくはＣＶＤにより行う。次に、図１８、図１９に示すように、電極層３’をエッチングすることにより、上述の形状の電極層３を形成する。電極層３’のエッチングは、フォトリソグラフィの後に、ウェットエッチングにより行う。

次に、図２０に示すように、抵抗体層４’’をエッチングすることにより、複数の矩形状の部分を有する上述の抵抗体層４が形成される。これは、サーマルプリントヘッド５０１の使用時において、抵抗体層４内を図２０の横方向に電流が流れることを防止するためである。なお、本実施形態とは異なり、帯状の抵抗体層４’’を形成することなく、抵抗体層４’を一度エッチングすることにより、複数の矩形状の部分を有する上述の抵抗体層４を形成してもよい。

次に、図２１に示すように、保護層６’を形成する。保護層６’の形成は、たとえば、ＣＶＤにより行う。本実施形態では、具体的には次のとおりである。

まず、図２１に示すように、第１保護膜６５’をＣＶＤによって形成する。同図では、第１保護膜６５’を２点鎖線を用いて示している。次に、フォトリソグラフィを行う。フォトリソグラフィの際、同図の上方から下方に向かって、光を照射する。次に、第１保護膜６５’の一部をエッチング（ドライエッチング）する。エッチングにより、第１保護膜６５’のうち、エッチングされなかった部分が、上述のかさ上げ部６７１として残存する。一方、第１保護膜６５’のうち、エッチングされた領域は、周辺膜６７３として形成される。そして、かさ上げ部６７１と、電極層３との間に、上述の凹部６７５が形成される。

次に、図２２に示すように、第２保護膜６６’をＣＶＤによって形成する。これにより、保護層６’が形成される。そして、凹部６７５と重なる位置に、上述の溝６３が形成される。

次に、図示は省略するが、保護層６’をエッチングすることにより、図１に示した貫通窓６１を形成する。保護層６’のエッチングは、フォトリソグラフィを用いたドライエッチングにより行う。

次に、図示は省略するが、基材１１の裏面を研磨することにより、基材１１の厚みを低減させる。次に、抵抗体層４の抵抗値の測定、および、基材１１のダイシングを行ったのち、ダイシング後の製品と、配線基板１２とを放熱板１３に配置する。次に、図１に示した、駆動ＩＣ７を配線基板１２に搭載し、ワイヤ８１を所望の箇所にボンディングし、樹脂層８２を形成する。これらの工程を経るなどして、図１に示したサーマルプリントヘッド５０１が製造される。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態では、保護層６は、第１厚さＬ１１の第１部位６１Aと、第２厚さＬ１２の第２部位６１Bと、を含む。第１部位６１Aは、厚さ方向Ｚ視において隙間３９に重なる領域である。第２部位６１Bは、厚さ方向Ｚ視において第１導電部３１に重なる領域であり、且つ、第１方向Ｘ１において、第１部位６１Aに隣接している。第１厚さＬ１１は、第２厚さＬ１２よりも厚い。このような構成によると、第１部位６１Ａを印刷媒体８０１により接近させることができる。これにより、第１部位６１Ａを、印刷媒体８０１により密着させることが可能となる。そのため、発熱部４１にて発生した熱を、より効率的に印刷媒体８０１に伝えることができる。したがって、サーマルプリントヘッド５０１のエネルギ効率の向上を図ることができる。

本実施形態では、基材１１は、Ｓｉよりなる。Ｓｉは、熱伝導率が大きいため、発熱部４１にて発生した熱を、より速く基材１１の外部（本実施形態では放熱板１３）へと伝える。そのため、高温になった発熱部４１の温度を、より速く、低下させることができる。このことは、印刷媒体８０１への印字の高速化に適する。一方、より速く基材１１の外部（本実施形態では放熱板１３）へと熱を伝えることは、発熱部４１にて発生した熱を印刷媒体８０１に伝えにくくなることを意味する。しかしながら本実施形態によると、上述のように発熱部４１にて発生した熱を、より効率的に印刷媒体８０１に伝えることができるから、本実施形態の構成は、発熱部４１にて発生した熱を印刷媒体８０１に伝えにくい、基材１１がＳｉよりなる構成において、特に有用である。

本実施形態では、第１部位６１Aは、基材主面１１１の向く側を向く第１露出面６１Ａａを有する。第２部位６１Bは、基材主面１１１の向く側を向く第２露出面６１Ｂａを有する。第１露出面６１Ａａは、第２露出面６１Ｂａと面一、あるいは、第２露出面６１Ｂａよりも基材主面１１１の向く側に位置している。このような構成によると、第１部位６１Ａを印刷媒体８０１に更に接近させることができる。これにより、第１部位６１Ａにおける第１露出面６１Ａａを印刷媒体８０１に更に密着させることが可能となる。そのため、発熱部４１にて発生した熱を、更に効率的に印刷媒体８０１に伝えることができる。したがって、サーマルプリントヘッド５０１のエネルギ効率の更なる向上を図ることができる。

本実施形態では、保護層６には、第１部位６１Aおよび第２部位６１Bの間に、溝６３が形成されている。溝６３は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、隙間３９に重なる領域に配置されている。これはは、かさ上げ部６７１が、第１導電部３１上や第２導電部３２上に重ならないようにするためである。第１導電部３１上や第２導電部３２上の部分が極端に盛り上がることを防止できる。これにより、より適切に発熱部４１にて発生した熱を、印刷媒体８０１に伝えることが可能となる。

本実施形態では、図２１にて示したように、第１保護膜６５’の一部をエッチングすることにより、かさ上げ部６７１を残存させて第１保護膜６５を形成する。このようにエッチングすることにより厚さの厚いかさ上げ部６７１を形成する方法は、製造の容易化に適する。

また、サーマルプリントヘッド５０１の使用の際、第１露出面６１Ａａのうち発熱部４１の中心に重なる部分が最も高温となる。そして、第１露出面６１Ａａの周囲に向かうにつれて、温度が低くなる。一方、第１露出面６１Ａａのうち周囲の箇所が、印刷媒体８０１に強く押し当てられる。そして、第１露出面６１Ａａの中心に向かうにつれて、印刷媒体８０１に押し当てられる強さが小さくなる。よって、本実施形態によると、矩形状の第１露出面６１Ａａ全体が、均一に印刷媒体８０１に熱が伝えることができる。そのため、印刷媒体８０１への印字のドットがより綺麗になる。

本実施形態においては、サーマルプリントヘッド５０１は絶縁層５を備える。絶縁層５は、電極層３および発熱部４１の間に介在している部分を有する。このような構成によると、電極層３と発熱部４１とが接触する領域を小さくすることができる。そうすると、発熱部４１に電流が流れて発熱した際に、電極層３と発熱部４１とが共晶してしまう領域を小さくすることができる。電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできると、サーマルプリントヘッド５０１の使用時に、サーマルプリントヘッド５０１の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。

本実施形態においては、絶縁層５は、第１介在部５１と第２介在部５２とを有する。第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第１導電部３１と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。本実施形態においては、第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。第１導電部３１と発熱部４１とが共晶すること、または、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを防止できると、電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできる。これにより、サーマルプリントヘッド５０１の使用時に、サーマルプリントヘッド５０１の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。

仮に、電極層３が抵抗体層４と蓄熱部２との間に介在している場合には、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱は、電極層３に逃げてしまうおそれがある。電極層３に逃げてしまった熱は、印刷媒体８０１への伝熱には寄与しない。一方、本実施形態においては、抵抗体層４は、電極層３および蓄熱部２の間に介在している。このような構成によると、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱が電極層３に伝わっても、電極層３に伝わった熱は、印刷媒体８０１への伝熱に寄与しうる。そのため、発熱部４１にて発生した熱をより効率的に、印刷媒体８０１に伝えることができる。すなわち、サーマルプリントヘッド５０１における印刷媒体８０１に接触する部位（保護層６）を、より速く、高温にすることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への高速印字が可能となる。

以下の説明では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。

＜第２実施形態＞
図２４を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

図２４は、本発明の第２実施形態のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。

本実施形態では保護層６は二層構造である。具体的には、保護層６は、第１保護膜６５および第２保護膜６６を有する。

第１保護膜６５および第２保護膜６６は互いに積層されている。第１保護膜６５および第２保護膜６６はいずれも、厚さ方向Ｚ視において、少なくとも一部が発熱部４１に重なっている。

第２保護膜６６と基材１１との間に、第１保護膜６５が配置されている。本実施形態では、第２保護膜６６は、第１露出面６１Ａａを構成している。一方、第１保護膜６５が、第２露出面６１Ｂａと、第３露出面６１Ｃａとを構成している。第１保護膜６５の厚さは、全体にわたって略一様である。

第１保護膜６５および第２保護膜６６のいずれか一方は、かさ上げ部６７１を有している。本実施形態では、第２保護膜６６がかさ上げ部６７１を有している。そして、本実施形態では更に、第２保護膜６６はかさ上げ部６７１のみからなる。

かさ上げ部６７１は、第１部位６１Ａを構成している。かさ上げ部６７１は、厚さ方向Ｚ視において、発熱部４１に重なっている。また、かさ上げ部６７１と、発熱部４１との間に、第１保護膜６５が介在している。好ましくは、かさ上げ部６７１の厚さは、たとえば、電極層３の厚さの２分の１以上である。更に好ましくは、かさ上げ部６７１の厚さは、たとえば、電極層３の厚さ以上である。更に好ましくは、かさ上げ部６７１の厚さは、たとえば、電極層３の厚さの１．５倍以上である。かさ上げ部６７１の厚さは、たとえば、３〜６μｍである。

かさ上げ部６７１は、かさ上げ部主面６７１Ａと、かさ上げ部側面６７１Ｂとを有している。

かさ上げ部主面６７１Ａは、基材主面１１１の向く方向（方向Ｚａ）を向いている。かさ上げ部側面６７１Ｂは、かさ上げ部主面６７１Ａにつながっており、厚さ方向Ｚに交差する方向を向いている。本実施形態では、かさ上げ部側面６７１Ｂは、方向Ｚ視において、隙間３９に位置している。また、かさ上げ部側面６７１Ｂは空隙に露出している。

第１保護膜６５を構成する材料と第２保護膜６６を構成する材料は、たとえば、互いに同一である。この場合、第１保護膜６５を構成する材料、および、第２保護膜６６を構成する材料は、たとえばＳｉ₃Ｎ₄である。一方、第１保護膜６５を構成する材料と第２保護膜６６を構成する材料とが、異なっていてもよい。この場合、第１保護膜６５を構成する材料は、たとえば、Ｓｉ₃Ｎ₄であり、第２保護膜６６を構成する材料は、たとえば、ＳｉＡｌＯＮである。また、第１保護膜６５を構成する材料の熱伝導率よりも、第２保護膜６６を構成する材料の熱伝導率が大きい構成を採用してもよい。

本実施形態によると、第１実施形態の作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。

第１保護膜６５を構成する材料の熱伝導率よりも、第２保護膜６６を構成する材料の熱伝導率が大きい場合、発熱部４１にて発生した熱は、平面視において広範囲に広がりにくい。そして、第２保護膜６６に至った熱は、そのまま直上の印刷媒体８０１に伝達される。よって、本実施形態によると、より効率的に発熱部４１にて発生した熱を印刷媒体８０１へと伝えることができる。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

上述の本実施形態では、保護層６が二層構造であったが、第２保護膜６６上に、第３保護膜が形成されていてもよい。第３保護膜は、たとえばＳｉＡｌＯＮよりなり、保護層６の摩耗を防止できる。

上述の実施形態では、保護層６が二層構造であったが、一層構造であってもよい。

５０１ サーマルプリントヘッド
１１ 基材
１１１ 基材主面
１２ 配線基板
１３ 放熱板
１９ 半導体基板
２ 蓄熱部
２１ 蓄熱部表面
３ 電極層
３’ 電極層
３１ 第１導電部
３２ 第２導電部
３３ 個別電極
３３１ 個別電極帯状部
３３３ 屈曲部
３３４ 直行部
３３５ 斜行部
３３６ ボンディング部
３５ 共通電極
３５１ 共通電極帯状部
３５３ 分岐部
３５４ 直行部
３５５ 斜行部
３５６ 延出部
３５７ 基幹部
３７ 中継電極
３７１ 中継電極帯状部
３７３ 連結部
３９ 隙間
４ 抵抗体層
４’ 抵抗体層
４’’ 抵抗体層
４１ 発熱部
４１１ 第１当接部
４１２ 第２当接部
４１６ 第１端面
４１７ 第２端面
５ 絶縁層
５’ 絶縁層
５１ 第１介在部
５１１ 第１開口
５２ 第２介在部
５２１ 第２開口
５３ 中間部
５８１ 部分
５８２ 部分
６，６’ 保護層
６１ 貫通窓
６１Ａ 第１部位
６１Ａａ 第１露出面
６１Ｂ 第２部位
６１Ｂａ 第２露出面
６１Ｃ 第３部位
６１Ｃａ 第３露出面
６３ 溝
６５，６５’ 第１保護膜
６６，６６’ 第２保護膜
６７１ かさ上げ部
６７１Ａ かさ上げ部主面
６７１Ｂ かさ上げ部側面
６７３ 周辺膜
６７５ 凹部
７ 駆動ＩＣ
７１ パッド
８００ サーマルプリンタ
８０１ 印刷媒体
８０２ プラテンローラ
８１ ワイヤ
８１１ ワイヤ
８１２ ワイヤ
８１３ ワイヤ
８２ 樹脂層
８３ コネクタ
Ｌ１１ 第１厚さ
Ｌ１２ 第２厚さ
Ｌ１３ 第３厚さ
Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ｚａ，Ｚｂ 方向

Claims (23)

1. 基材主面を有する基材と、
   前記基材主面に形成された抵抗体層と、
   前記基材主面に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、
   前記抵抗体層および前記電極層を覆う保護層と、を備え、
   前記電極層は、隙間を介して第１方向に互いに離間する第１導電部および第２導電部を含み、
   前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記第２導電部に跨る発熱部を含み、
   前記保護層は、第１厚さの第１部位と、第２厚さの第２部位と、を含み、
   前記第１部位は、前記厚さ方向視において前記隙間に重なる領域であり、
   前記第２部位は、前記厚さ方向視において前記第１導電部に重なる領域であり、且つ、前記第１方向において、前記第１部位に隣接しており、
   前記第１厚さは、前記第２厚さよりも厚い、サーマルプリントヘッド。
2. 前記第１部位は、前記基材主面の向く側を向く第１露出面を有し、
   前記第２部位は、前記基材主面の向く側を向く第２露出面を有し、
   前記第１露出面は、前記第２露出面と面一、あるいは、前記第２露出面よりも前記基材主面の向く側に位置している、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
3. 前記保護層には、前記第１部位および前記第２部位の間に、溝が形成されている、請求項１または請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
4. 前記溝は、前記基材の厚さ方向視において、前記隙間に重なる領域に配置されている、請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
5. 前記第１部位は、前記基材主面の向く側に膨らむ凸状の部位を形成している、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
6. 前記第１露出面は、平坦な部分を有する、請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
7. 前記保護層は、互いに積層された第１保護膜および第２保護膜を含み、
   前記第１保護膜および前記第２保護膜はいずれも、前記厚さ方向視において、少なくとも一部が前記発熱部に重なる、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
8. 前記第１保護膜および前記第２保護膜のいずれか一方は、前記第１部位を構成するかさ上げ部を有する、請求項７に記載のサーマルプリントヘッド。
9. 前記第１保護膜および前記第２保護膜のいずれか一方は、前記かさ上げ部に連続してつながる周辺膜を有し、
   前記周辺膜の厚さは、前記かさ上げ部の厚さよりも薄い、請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。
10. 前記かさ上げ部は、前記基材の厚さ方向に交差する方向を向くかさ上げ部側面を有し、前記かさ上げ部側面は、前記基材の厚さ方向視において、前記隙間に位置している、請求項８または請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
11. 前記かさ上げ部は、前記第１保護膜における部分であり、
    前記かさ上げ部は、前記第２保護膜と前記発熱部との間に介在している、請求項８ないし請求項１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
12. 前記かさ上げ部は、前記第２保護膜における部分であり、
    前記第１保護膜は、前記かさ上げ部と前記発熱部との間に介在している、請求項８ないし請求項１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
13. 前記第２保護膜を構成する材料の熱伝導率は、前記第１保護膜を構成する材料の熱伝導率よりも、大きい、請求項７ないし請求項１２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
14. 前記第１保護膜は、Ｓｉ₃Ｎ₄よりなり、前記第２保護膜は、Ｓｉ₃ＮまたはＳｉＡｌＯＮよりなる、請求項７ないし請求項１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
15. 前記第１保護膜の最大厚さは、３〜６μｍであり、前記第２保護膜の最大厚さは、３〜８μｍである、請求項７ないし請求項１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
16. 配線基板と、
    複数のワイヤと、
    前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
17. 前記保護層には、貫通窓が形成されており、
    前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
    前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、請求項１６に記載のサーマルプリントヘッド。
18. 前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、請求項１６または請求項１７に記載のサーマルプリントヘッド。
19. 前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備える、請求項１ないし請求項１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
20. 前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ₂、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる、請求項１ないし請求項１９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
21. 前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、請求項１ないし請求項２０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
22. 前記基材を支持する放熱板を更に備える、請求項１ないし請求項２１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
23. 請求項１ないし請求項２２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
    前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。

Images