JP6178669B2 - サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ - Google Patents
サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6178669B2 JP6178669B2 JP2013173046A JP2013173046A JP6178669B2 JP 6178669 B2 JP6178669 B2 JP 6178669B2 JP 2013173046 A JP2013173046 A JP 2013173046A JP 2013173046 A JP2013173046 A JP 2013173046A JP 6178669 B2 JP6178669 B2 JP 6178669B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- print head
- layer
- thermal print
- heat
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33505—Constructional details
- B41J2/3351—Electrode layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33505—Constructional details
- B41J2/33515—Heater layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/3354—Structure of thermal heads characterised by geometry
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33545—Structure of thermal heads characterised by dimensions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33555—Structure of thermal heads characterised by type
- B41J2/3357—Surface type resistors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33585—Hollow parts under the heater
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
本発明は、サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタに関する。
従来から知られているサーマルプリントヘッドは、基板と、グレーズ層と、発熱抵抗体と、電極と、を備える。このようなサーマルプリントヘッドは、たとえば特許文献１に開示されている。同文献に開示のサーマルプリントヘッドにおいて、グレーズ層は基板に形成されている。グレーズ層は、発熱抵抗体にて発生した熱を蓄熱する役割を果たす。発熱抵抗体は、グレーズ層に形成されている。発熱抵抗体は、複数の発熱部を含む。各発熱部は、電極のうち互いに離間した２つの部分に跨るように、形成されている。保護層は、たとえばガラス製であり、電極の２つの部分の両方を覆うように形成されており、両者に跨る発熱部も覆っている。
このようなサーマルプリントヘッドにおいて、発熱部にて発生した熱が、グレーズ層を経由して、グレーズ層における、当該発熱部に隣接する発熱部の形成されている領域まで、伝わることがある。このようなことでは、印刷媒体への印刷の際に、にじみが生じるおそれがある。
このようなサーマルプリントヘッドにおいて、グレーズ層が薄いと、発熱部にて発生した熱を、グレーズ層が十分に蓄えることができない。このようなことでは、印刷媒体への印刷を綺麗に行うことができないおそれがある。そのため、従来では、印刷媒体への印刷を綺麗に行うには、グレーズ層を厚く形成する必要があると考えられている。グレーズ層を厚く形成するには、高度な技術を要する。
このようなサーマルプリントヘッドにおいて、発熱部からグレーズ層に伝わった熱が、基板に多く逃げてしまうと、印刷媒体への印刷を綺麗に行うことができないおそれがある。
このようなサーマルプリントヘッドにおいて、発熱部で生じた熱が保護層を経由して印刷媒体へ伝わる。しかしながら、発熱部で生じた熱の一部はグレーズ層の方に伝わり、また、保護層内を伝わる過程でも熱が拡散するため、印刷媒体に効率的に熱量を伝えることが困難であり、発熱部で発熱する熱量を大きくする必要があった。発熱部での発熱量を増やすには、電極に流す電力をある程度大きくしなければならない。このことは、印刷時の消費電力の削減を図るうえで障害となっていた。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、印刷媒体への印刷品位を向上させることができるサーマルプリントヘッドを提供することをその主たる課題とする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、印刷媒体への印刷の際ににじみの発生を抑制できるサーマルプリントヘッドを提供することをその主たる課題とする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、製造の容易化を図ることのできるサーマルプリントヘッドを提供することをその主たる課題とする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、発熱部から印刷媒体への熱伝達の効率化を図り、そのことにより消費電力の削減を図ることが可能なサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタを提供することをその主たる課題とする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、印刷媒体への印刷の際ににじみの発生を抑制できるサーマルプリントヘッドを提供することをその主たる課題とする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、製造の容易化を図ることのできるサーマルプリントヘッドを提供することをその主たる課題とする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、発熱部から印刷媒体への熱伝達の効率化を図り、そのことにより消費電力の削減を図ることが可能なサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタを提供することをその主たる課題とする。
本発明の第１の側面によると、凹部が形成された基材と、前記凹部に形成された蓄熱部と、前記基材に形成された抵抗体層と、前記基材に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、を備え、前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に跨る発熱部を含み、前記発熱部は、前記厚さ方向視において、前記凹部に重なる位置に位置しており、前記基材を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である、サーマルプリントヘッドが提供される。
好ましくは、前記蓄熱部を構成する材料の熱伝導率と前記基材を構成する材料の熱伝導率との比は、１：１０〜６００である。
好ましくは、前記蓄熱部は、前記基材の厚さ方向視において、副走査方向における一方である第１方向に前記発熱部からはみ出た部位と、前記第１方向とは反対の第２方向に前記発熱部からはみ出た部位と、を有する。
好ましくは、前記基材を構成する材料の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料よりなる第１バリア部を更に備え、前記基材には、前記凹部に対し副走査方向に離間する第１溝が形成されており、前記第１バリア部は、前記第１溝に形成されている。
好ましくは、前記第１バリア部は、前記基材の厚さ方向視において、前記発熱部に対し副走査方向に離間した位置に形成されている。
好ましくは、前記第１溝の深さは、前記凹部の深さよりも深い。
好ましくは、前記第１溝は、主走査方向に沿って延びる形状である。
好ましくは、前記第１バリア部を構成する材料は、前記蓄熱部を構成する材料と同一の材料よりなる。
好ましくは、前記基材を構成する材料の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料よりなる第２バリア部を更に備え、前記基材には、前記凹部に対し副走査方向に離間する第２溝が形成されており、前記凹部は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１溝および前記第２溝の間に位置しており、前記第２バリア部は、前記第２溝に形成されている。
好ましくは、前記第２バリア部は、前記基材の厚さ方向視において、前記発熱部に対し副走査方向に離間した位置に形成されている。
好ましくは、前記第２溝の深さは、前記凹部の深さよりも深い。
好ましくは、前記第２溝は、主走査方向に沿って延びる形状である。
好ましくは、前記第２バリア部を構成する材料は、前記蓄熱部を構成する材料と同一の材料よりなる。
好ましくは、前記発熱部および前記蓄熱部の間に介在する中間層を更に備える。
好ましくは、前記中間層は、前記発熱部の位置する側を向く中間層表面を有し、前記中間層表面は、前記基材の厚さ方向視において前記発熱部に重なる平坦面を有する。
好ましくは、前記平坦面の副走査方向における寸法は、前記発熱部の副走査方向における寸法よりも、大きい。
好ましくは、前記中間層表面は、前記平坦面から連続する第１曲面を有し、前記第１曲面は、前記平坦面から遠ざかるにつれて前記基材に近づき、前記電極層は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１曲面に重なる部位を有する。
好ましくは、前記中間層表面は、前記平坦面から連続する第２曲面を有し、前記平坦面は、前記第１曲面および前記第２曲面の間に位置しており、前記第２曲面は、前記平坦面から遠ざかるにつれて前記基材に近づき、前記電極層は、前記基材の厚さ方向視において、前記第２曲面に重なる部位を有する。
好ましくは、前記電極層および前記基材の間に介在する絶縁層を更に備える。
好ましくは、前記基材は、前記凹部が形成された基材表面を有し、前記絶縁層は、前記基材表面に直接接している。
好ましくは、前記抵抗体層は、副走査方向の一方を向く第１端面を有し、前記絶縁層は、前記第１端面を覆う部分を含む。
好ましくは、前記抵抗体層は、前記第１端面の位置する側とは反対側を向く第２端面を有し、前記絶縁層は、前記第２端面を覆う部分を含む。
好ましくは、前記基材は、半導体材料よりなる。
好ましくは、前記抵抗体層と前記電極層と前記絶縁層とを覆う保護層を更に備える。
好ましくは、配線基板と、複数のワイヤと、前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える。
好ましくは、前記保護層には、貫通窓が形成されており、前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている。
好ましくは、前記樹脂層は、前記保護層に直接接している。
好ましくは、前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記基材内に作りこまれている。
好ましくは、前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている。
好ましくは、前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる。
好ましくは、前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少な
くともいずれかよりなる。
くともいずれかよりなる。
好ましくは、前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる。
好ましくは、前記基材を支持する放熱板を更に備える。
好ましくは、前記蓄熱部は、前記基材に食い込む形状の第１部分を有している。
好ましくは、前記蓄熱部は、前記第１部分と、前記発熱部との間に介在する第２部分を有している。
好ましくは、前記第１部分の内部には、複数の空隙が形成されている。
本発明の第２の側面によると、本発明の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドと、前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタが提供される。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
＜Ａ１実施形態＞
図１〜図２７を用いて、本発明のＡ１実施形態について説明する。
図１〜図２７を用いて、本発明のＡ１実施形態について説明する。
図１は、本発明のＡ１実施形態のサーマルプリンタの部分断面図である。
同図に示すサーマルプリンタＡ８００は印刷媒体８０１に印刷を施す。印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。サーマルプリンタＡ８００は、サーマルプリントヘッドＡ１００と、プラテンローラ８０２と、を備える。
サーマルプリントヘッドＡ１００は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱部２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、中間層５８と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。
放熱板１３は、基材１１からの熱を放散させるためのものである。放熱板１３を構成する材料としては、たとえば、Ａｌ、ＡｌＮ、Ａｇ、あるいは、Ｃｕが挙げられる。放熱板１３は、基材１１および配線基板１２を支持している。
図２は、本発明のＡ１実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線に沿う断面図に相当する。
基材１１は板状を呈している。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなる。基材１１を構成する半導体材料としては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＧａＮが挙げられる。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなるが、基材１１は半導体材料からなっていなくてもよい。たとえば、基材１１は、セラミックなどの絶縁材料よりなっていてもよい。基材１１を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることが好ましい。たとえば、基材１１がＳｉよりな
る場合を想定すると、Ｓｉの熱伝導率は、１４０〜１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。蓄熱部２（後述）を構成する材料の熱伝導率は、０．５〜５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。たとえば、蓄熱部２がＳｉＯ2よりなる場合を想定すると、ＳｉＯ2の熱伝導率は、１．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。蓄熱部２を構成する材料の熱伝導率と基材１１を構成する材料の熱伝導率との比は、１：１０〜６００であることが好ましく、１：１００〜２００であることが更に好ましい。基材１１の厚さは、たとえば０．６２５〜０．７２０ｍｍである。図２に示すように、基材１１は、主走査方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の副走査方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の主走査方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。
る場合を想定すると、Ｓｉの熱伝導率は、１４０〜１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。蓄熱部２（後述）を構成する材料の熱伝導率は、０．５〜５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。たとえば、蓄熱部２がＳｉＯ2よりなる場合を想定すると、ＳｉＯ2の熱伝導率は、１．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。蓄熱部２を構成する材料の熱伝導率と基材１１を構成する材料の熱伝導率との比は、１：１０〜６００であることが好ましく、１：１００〜２００であることが更に好ましい。基材１１の厚さは、たとえば０．６２５〜０．７２０ｍｍである。図２に示すように、基材１１は、主走査方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の副走査方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の主走査方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。
基材１１は、基材表面１１１と基材裏面１１２とを有する。基材表面１１１は、副走査方向Ｘと主走査方向Ｙとに広がる平面状である。基材表面１１１は、主走査方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材表面１１１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（以下、方向Ｚａと言う。図１では上方）を向く。すなわち、基材表面１１１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。基材裏面１１２は、副走査方向Ｘと主走査方向Ｙとに広がる平面状である。基材裏面１１２は、主走査方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材裏面１１２は、基材１１の厚さ方向Ｚの他方（以下、方向Ｚｂと言う。図１では下方）を向く。すなわち、基材裏面１１２は、抵抗体層４の位置する側とは反対側を向く面である。
図３は、図２に示したサーマルプリントヘッドの部分拡大平面図（一部構成省略）である。図４は、図３の領域ＩＶの部分拡大平面図である。図５は、図４から、電極層および絶縁層を省略して示す平面図である。図６は、図３、図４のＶＩ−ＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。
図４〜図６に示すように、基材１１には凹部１１３ａが形成されている。図４、図５では、凹部１１３ａの形成されている領域を、ハッチングを付すことにより示している。凹部１１３ａは、基材表面１１１から凹んでいる。本実施形態においては、凹部１１３ａは、主走査方向Ｙに沿って延びる形状である。凹部１１３ａの深さＤ１１（厚さ方向Ｚにおける、基材表面１１１から凹部１１３ａの底面に至るまでの寸法）は、１０〜１００μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることが更に好ましい。
図６に示すように、蓄熱部２は基材１１に形成されている。本実施形態においては、蓄熱部２は、凹部１１３ａに形成されている。蓄熱部２は、発熱部４１（後述）にて発生した熱を蓄えるためのものである。蓄熱部２は、基材１１を構成する材料の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料よりなる。蓄熱部２は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。図６に示すように、蓄熱部２は蓄熱部表面２１を有する。蓄熱部表面２１は方向Ｚａを向く。すなわち、蓄熱部表面２１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。本実施形態では、蓄熱部表面２１は、基材表面１１１とほぼ面一となっている。
蓄熱部表面２１は、第１縁２１１および第２縁２１２を有する。第１縁２１１は、蓄熱部表面２１のうち、副走査方向Ｘにおける一方である第１方向Ｘａ側の端に位置している。一方、第２縁２１２は、副走査方向Ｘにおける他方である第２方向Ｘｂ側の端に位置している。第１縁２１１および第２縁２１２は、主走査方向Ｙに沿って延びている。
図１、図３、図６に示す電極層３は基材１１に形成されている。図３における電極層３には、理解の便宜上、ハッチを付している。電極層３は抵抗体層４に積層されている。本実施形態においては、電極層３と蓄熱部２との間に、抵抗体層４が介在している。電極層３は、抵抗体層４に導通している。電極層３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成している。電極層３を構成する材料としては、たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉが挙げられる。本実施形態とは異なり、電極層３は、蓄熱部２と抵抗体層４との間に介在していてもよい。
図４、図５に示すように、電極層３は、第１導電部３１と第２導電部３２とを含む。第１導電部３１および第２導電部３２は、互いに離間している。第１導電部３１と第２導電部３２の離間寸法は、たとえば、１０５μｍである。
本実施形態においては、図３に示すように、電極層３は、複数の個別電極３３（同図には６つ示す）と、一つの共通電極３５と、複数の中継電極３７（同図には６つ示す）とを含む。より具体的には、次のとおりである。以下に述べる電極層３のパターン形状は一例にすぎず、他のパターン形状であってもよい。
複数の個別電極３３は、互いに導通していない。そのため、各個別電極３３には、サーマルプリントヘッドＡ１００の組み込まれたプリンタが使用される際に、個別に、互いに異なる電位が付与されうる。各個別電極３３は、個別電極帯状部３３１と、屈曲部３３３と、直行部３３４と、斜行部３３５と、ボンディング部３３６とを有する。図４、図５に示すように、各個別電極帯状部３３１は、電極層３における第１導電部３１を構成しており、副走査方向Ｘに沿って延びる帯状である。各個別電極帯状部３３１は、抵抗体層４に積層されている。屈曲部３３３は、個別電極帯状部３３１につながり、主走査方向Ｙおよび副走査方向Ｘのいずれに対しても傾斜している。直行部３３４は、副走査方向Ｘに平行にまっすぐ延びている。斜行部３３５は、主走査方向Ｙおよび副走査方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。ボンディング部３３６は、ワイヤ８１がボンディングされる部分である。本実施形態においては、個別電極帯状部３３１、屈曲部３３３、直行部３３４、および斜行部３３５の幅が、たとえば４７．５μｍ程度であり、ボンディング部３３６の幅がたとえば８０μｍ程度である。
共通電極３５は、サーマルプリントヘッドＡ１００の組み込まれたプリンタが使用される際に複数の個別電極３３に対して電気的に逆極性となる部位である。共通電極３５は、複数の共通電極帯状部３５１と、複数の分岐部３５３と、複数の直行部３５４と、複数の斜行部３５５と、複数の延出部３５６と、一つの基幹部３５７とを有する。各共通電極帯状部３５１は、副走査方向Ｘに延びる帯状である。図４、図５に示すように、各共通電極３５において、複数の共通電極帯状部３５１は、電極層３における第１導電部３１を構成しており、主走査方向Ｙに互いに離間し、且つ、互いに導通している。各共通電極帯状部３５１は、抵抗体層４に積層されている。各共通電極帯状部３５１は、個別電極帯状部３３１と主走査方向Ｙに離間している。本実施形態においては、互いに隣接した２つずつの共通電極帯状部３５１が、２つの個別電極帯状部３３１に挟まれている。複数の共通電極帯状部３５１、および複数の個別電極帯状部３３１は、主走査方向Ｙに沿って配列されている。分岐部３５３は、２つの共通電極帯状部３５１と１つの直行部３５４をつなぐ部分であり、Ｙ字状である。直行部３５４は、副走査方向Ｘに平行にまっすぐ延びている。斜行部３５５は、主走査方向Ｙおよび副走査方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。延出部３５６は、斜行部３５５につながり、副走査方向Ｘに沿って延びている。基幹部３５７は、主走査方向Ｙに延びる帯状であり、複数の延出部３５６がつながっている。本実施形態においては、共通電極帯状部３５１、直行部３５４、斜行部３５５、および延出部３５６の幅が、たとえば４７．５μｍ程度である。
複数の中継電極３７はそれぞれ、複数の個別電極３３のうちの一つと共通電極３５との間に電気的に介在する。複数の中継電極３７はそれぞれ、複数の発熱部４１（後述）のうち主走査方向Ｙにおいて互いに隣接するいずれか２つの発熱部４１を、連結している。各中継電極３７は、２つの中継電極帯状部３７１と連結部３７３とを有する。図４、図５に示すように、各中継電極帯状部３７１は、電極層３における第２導電部３２を構成しており、副走査方向Ｘに延びる帯状である。すなわち、電極層３における第２導電部３２と第１導電部３１とは、互いに離間しており、本実施形態においては、副走査方向Ｘに互いに離間している。複数の中継電極帯状部３７１は、主走査方向Ｙに互いに離間している。各中継電極帯状部３７１は、抵抗体層４に積層されている。複数の中継電極帯状部３７１は、抵抗体層４上において、複数の帯状部３３１，３５１とは副走査方向Ｘにおいて反対側に配置されている。各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１の一方は、複数の共通電極帯状部３５１のいずれか一つと、副走査方向Ｘに互いに離間している。各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１の他方は、複数の個別電極帯状部３３１のいずれか一つと、副走査方向Ｘに互いに離間している。複数の連結部３７３はそれぞれ、主走査方向Ｙに沿って延びている。各連結部３７３は、各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１につながる。これにより、各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１どうしが互いに導通している。
なお、電極層３は、必ずしも中継電極３７を含む必要はなく、たとえば、複数の個別電極と、これらの個別電極に隣接する共通電極と、を含むものであってもよい。
図１、図３〜図６に示す抵抗体層４は基材１１に形成されている。図４、図５に示すように、本実施形態においては、抵抗体層４は、複数の矩形状の部分を有する。抵抗体層４は、電極層３からの電流が流れた部分が発熱する。このように発熱することによって印刷ドットが形成される。抵抗体層４は、電極層３を構成する材料よりも抵抗率が高い材料よりなる。抵抗体層４を構成する材料としては、たとえば、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮが挙げられる。本実施形態においては、抵抗体層４には、抵抗値の調整のため、イオン（たとえば、ホウ素）がドーピングされている。抵抗体層４の厚さは、たとえば、０．２μｍ〜１μｍである。
図４〜図６に示すように、抵抗体層４は、第１端面４１６と、第２端面４１７とを有する。
第１端面４１６は、第２導電部３２（中継電極帯状部３７１）の位置する側とは反対側（すなわち、図６の右方向）を向いている。第２端面４１７は、第１導電部３１（個別電極帯状部３３１もしくは共通電極帯状部３５１）の位置する側とは反対側（すなわち、図６の左方向）を向いている。
抵抗体層４は、サーマルプリントヘッドＡ１００の使用時に発熱する複数の発熱部４１を含む。各発熱部４１は、電極層３のうち互いに離間した２つの部位に跨る。本実施形態では、各発熱部４１は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１導電部３１および第２導電部３２に跨っている。複数の発熱部４１は、一方向（主走査方向Ｙ）に沿って配列されている。
図５、図６に示すように、各発熱部４１は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、凹部１１３ａに重なる位置に位置している。本実施形態では、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、副走査方向Ｘにおける一方である第１方向Ｘａに発熱部４１からはみ出た部位を、蓄熱部２が有している。すなわち、図６にて、発熱部４１の左端よりも、蓄熱部２の左端の方が左側にある。そのため、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、発熱部４１よりも、第１方向Ｘａ側に、基材表面１１１における第１縁２１１が位置している。同様に、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、副走査方向Ｘにおける他方である第２方向Ｘｂに発熱部４１からはみ出た部位を、蓄熱部２が有している。すなわち、図６にて、発熱部４１の右端よりも、蓄熱部２の右端の方が右側にある。そのため、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、発熱部４１よりも、第２方向Ｘｂ側に、基材表面１１１における第２縁２１２が位置している。
図６に示すように、各発熱部４１は、第１当接部４１１および第２当接部４１２を含んでいる。第１当接部４１１は、電極層３における第１導電部３１に当接している。第２当接部４１２は、電極層３における第２導電部３２に当接している。
図６に示すように、中間層５８は、発熱部４１および蓄熱部２の間に介在している。より具体的には、中間層５８は、発熱部４１および蓄熱部２に直接接している。本実施形態では、中間層５８は、絶縁性材料よりなる。中間層５８を構成する絶縁性材料としては、たとえば、ＳｉＯ2、および、ポリイミドが挙げられる。本実施形態とは異なり、中間層５８が、導電性材料よりなっていてもよい。中間層５８の厚さ（基材１１の厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、１０〜１００μｍである。
中間層５８は、中間層表面５８１を有する。中間層表面５８１は、発熱部４１の位置する側を向いている。中間層表面５８１は、平坦面５８２と、第１曲面５８３と、第２曲面５８４と、を有する。
平坦面５８２は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において発熱部４１に重なっている。平坦面５８２の副走査方向Ｘにおける寸法は、発熱部４１の副走査方向Ｘにおける寸法よりも大きいことが好ましい。第１曲面５８３は、平坦面５８２から連続している。第１曲面５８３は、平坦面５８２から遠ざかるにつれて、基材１１に近づいている。本実施形態では、第１曲面５８３は、基材表面１１１に接している。基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１曲面５８３に重なる部位を、電極層３が有している。第２曲面５８４は、平坦面５８２から連続している。第２曲面５８４と第１曲面５８３との間に、平坦面５８２が位置している。第２曲面５８４は、平坦面５８２から遠ざかるにつれて、基材１１に近づいている。本実施形態では、第２曲面５８４は、基材表面１１１に接している。基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第２曲面５８４に重なる部位を、電極層３が有している。
本実施形態とは異なり、サーマルプリントヘッドＡ１００が中間層５８を備えていなくてもよい。
図６に示すように、絶縁層５は、電極層３と基材１１との間に介在している。本実施形態では、絶縁層５は、基材表面１１１のうち、中間層５８が形成された領域以外の領域を、覆っている。絶縁層５は、基材表面１１１に直接接している。絶縁層５は、抵抗体層４における第１端面４１６を覆う部分、および、抵抗体層４における第２端面４１７を覆う部分を有している。
絶縁層５は、発熱部４１および電極層３の間に介在している部分を有する。絶縁層５を構成する材料としては、たとえば、ＳｉＯ2、および、ＳｉＡｌＯ2が挙げられる。絶縁層５は、第１介在部５１と、第２介在部５２と、中間部５３とを含む。図６に示すように、第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している部位である。第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。中間部５３は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１介在部５１と第２介在部５２とに挟まれている。中間部５３は、第１介在部５１および第２介在部５２につながっている。
図４、図６に示すように、本実施形態において、第１介在部５１には、少なくとも１以上の第１開口５１１が形成されている。図４にて第１開口５１１は円形状である例を示しているが、第１開口５１１の形状は円形状に限られない。たとえば、第１開口５１１は矩形状であってもよい。図４にて第１介在部５１に第１開口５１１が複数形成されている例を示しているが、第１介在部５１に形成されている第１開口５１１の個数は、１つであってもよい。第１開口５１１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第１当接部４１１が位置している。図６に示すように、本実施形態においては更に、第１開口５１１内に、第１導電部３１の一部が形成されている。
本実施形態において、第２介在部５２には、少なくとも１つの第２開口５２１が形成されている。図４、図６にて第２開口５２１は円形状である例を示しているが、第２開口５２１の形状は円形状に限られない。たとえば、第２開口５２１は矩形状であってもよい。図４にて第２介在部５２に第２開口５２１が複数形成されている例を示しているが、第２介在部５２に形成されている第２開口５２１の個数は、１つであってもよい。第２開口５２１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第２当接部４１２が位置している。図６に示すように、本実施形態においては更に、第２開口５２１内に、第２導電部３２の一部が形成されている。
本実施形態とは異なり、絶縁層５が、発熱部４１および電極層３の間に介在している部分を有していなくてもよい。
図１、図６に示す保護層６は、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを覆っており、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを保護するためのものである。保護層６は、絶縁材料よりなる。保護層６を構成する絶縁材料としては、たとえば、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ＳｉＮおよびＳｉＯ2が挙げられる。本実施形態においては、保護層６は、電極層３および絶縁層５に直接接している。保護層６の厚さは、たとえば、１〜２０μｍである。
保護層６には、複数の貫通窓６１（図１には１つ示す）が形成されている。各貫通窓６１からは、ボンディング部３３６が露出している。
図１に示す配線基板１２は、たとえば、プリント配線基板である。配線基板１２は、基材層と図示しない配線層とが積層された構造を有する。基材層は、たとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。配線層は、たとえばＣｕよりなる。
図１、図２に示す駆動ＩＣ７は、各個別電極３３にそれぞれ電位を付与し、各発熱部４１に流す電流を制御するものである。各個別電極３３にそれぞれ電位が付与されることにより、共通電極３５と各個別電極３３との間に電圧が印加され、各発熱部４１に選択的に電流が流れる。駆動ＩＣ７は、配線基板１２に搭載されている。図３に示すように、駆動ＩＣ７は、複数のパッド７１を含む。複数のパッド７１は、たとえば、２列に形成されている。
図１、図３に示す複数のワイヤ８１は、たとえば、Ａｕなどの導体よりなる。複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１１はそれぞれ、駆動ＩＣ７にボンディングされ、且つ、電極層３にボンディングされている。より具体的には、各ワイヤ８１１は、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、ボンディング部３３６にボンディングされている。これにより、駆動ＩＣ７と各個別電極３３とが導通している。図３に示すように、複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１２は、それぞれ、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、当該配線層を介して、駆動ＩＣ７とコネクタ８３とが導通している。同図に示すように、複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１３は、共通電極３５における基幹部３５７にボンディングされ、且つ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、共通電極３５と上記配線層とが導通している。
図１に示す封止樹脂８２は、たとえば、黒色の樹脂よりなる。封止樹脂８２は、駆動ＩＣ７、複数のワイヤ８１、および、保護層６を覆っており、駆動ＩＣ７および複数のワイヤ８１を保護している。封止樹脂８２は保護層６に直接接する。コネクタ８３は、配線基板１２に固定されている。コネクタ８３は、サーマルプリントヘッドＡ１００の外部からサーマルプリントヘッドＡ１００へ電力を供給するためのものである。
次に、サーマルプリントヘッドＡ１００の使用方法の一例について簡単に説明する。
サーマルプリントヘッドＡ１００は、サーマルプリンタＡ８００に組み込まれた状態で使用される。図１に示したように、サーマルプリンタＡ８００内において、サーマルプリントヘッドＡ１００は、プラテンローラ８０２に正対している。サーマルプリンタＡ８００の使用時には、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、副走査方向Ｘに沿ってプラテンローラ８０２と各発熱部４１との間に一定速度で送給される。印刷媒体８０１は、プラテンローラ８０２によって保護層６のうち各発熱部４１を覆う部分に押しあてられる。一方、図３に示した各個別電極３３には、駆動ＩＣ７によって選択的に電位が付与される。これにより、共通電極３５と複数の個別電極３３の各々との間に電圧が印加される。そして、複数の発熱部４１には選択的に電流が流れ、熱が発生する。そして、各発熱部４１にて発生した熱は、保護層６を介して印刷媒体８０１に伝わる。そして、印刷媒体８０１上の主走査方向Ｙに線状に延びる第１ライン領域に、複数のドットが印刷される。また、各発熱部４１にて発生した熱は、蓄熱部２にも伝わり、蓄熱部２にて蓄えられる。
更に、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、副走査方向Ｘに沿って一定速度で引き続き送給される。そして、上述の第１ライン領域への印刷と同様に、印刷媒体８０１上の主走査方向Ｙに線状に延びる、第１ライン領域に隣接する第２ライン領域への印刷が行われる。第２ライン領域への印刷の際、印刷媒体８０１には、各発熱部４１にて発生した熱に加え、第１ライン領域への印刷時に蓄熱部２にて蓄えられた熱が伝わる。このようにして、第２ライン領域への印刷が行われる。以上のように、印刷媒体８０１上の主走査方向Ｙに線状に延びるライン領域ごとに、複数のドットを印刷することにより、印刷媒体８０１への印刷が行われる。
次に、サーマルプリントヘッドＡ１００の製造方法の一例について簡単に説明する。本実施形態においてサーマルプリントヘッドＡ１００を製造するには、主として半導体プロセスを用いる。
まず、図７に示すように、半導体基板１９を用意する。本実施形態において半導体基板１９はＳｉよりなる。次に、図８、図９に示すように、半導体基板１９に、凹部１１３ａを形成することにより、基材１１を得る。半導体基板１９に凹部１１３ａを形成するには、たとえば、半導体基板１９をエッチングすることにより行う。次に、図１０に示すように、凹部１１３ａに蓄熱部２を形成する。蓄熱部２の形成は、たとえば、スパッタリング、ＣＶＤ、あるいは、印刷により行う。
次に、図１１に示すように、基材１１の基材表面１１１および蓄熱部２の蓄熱部表面２１に、中間層５８を形成する。中間層５８の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。本実施形態とは異なり、中間層５８および蓄熱部２の形成を一度に行なってもよい。
次に、図１２に示すように、抵抗体層４’を形成する。抵抗体層４’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。抵抗体層４’は、基材１１の表面の全面に形成する。次に、図１３、図１４に示すように、抵抗体層４’をエッチングすることにより、抵抗体層４’’を形成する。抵抗体層４’のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。図１４に示すように、本実施形態では、抵抗体層４’’は、一方向に沿って帯状に延びる形状である。次に、抵抗体層４が所望の抵抗値になるように、抵抗体層４’’にイオンを打ち込む（図示略）。
次に、図１５に示すように、絶縁層５’を形成する。絶縁層５’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。次に、図１６に示すように、絶縁層５’をエッチングすることにより、上述の絶縁層５を形成する。絶縁層５’をエッチングする当該工程を経ることにより、上述の第１開口５１１および第２開口５２１が形成される。
次に、図１７、図１８に示すように、電極層３’を形成する。電極層３’の形成は、たとえば、スパッタもしくはＣＶＤにより行う。次に、図１９、図２０に示すように、電極層３’をエッチングすることにより、上述の形状の電極層３を形成する。電極層３’のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。
次に、図２１に示すように、抵抗体層４’’をエッチングすることにより、複数の矩形状の部分を有する上述の抵抗体層４を形成する。これは、サーマルプリントヘッドＡ１００の使用時において、抵抗体層４内を図２１の横方向に電流が流れることを防止するためである。なお、本実施形態とは異なり、帯状の抵抗体層４’’を形成することなく、抵抗体層４’を一度エッチングすることにより、複数の矩形状の部分を有する上述の抵抗体層４を形成してもよい。
次に、図２２に示すように、保護層６’を形成する。保護層６’の形成は、たとえば、ＣＶＤにより行う。次に、図２３に示すように、保護層６’をエッチングすることにより、複数の（図２３には一つのみを示す）貫通窓６１を形成する。保護層６’のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。
次に、図示は省略するが、基材１１の裏面を研磨することにより、基材１１の厚みを低減させる。次に、抵抗体層４の抵抗値の測定、および、基材１１のダイシングを行ったのち、ダイシング後の製品と、配線基板１２とを放熱板１３に配置する。次に、図１に示した、駆動ＩＣ７を配線基板１２に搭載し、ワイヤ８１を所望の箇所にボンディングし、封止樹脂８２を形成する。これらの工程を経るなどして、図１に示したサーマルプリントヘッドＡ１００が製造される。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、基材１１には、凹部１１３ａが形成されている。凹部１１３ａには、蓄熱部２が形成されている。発熱部４１は、厚さ方向Ｚ視において、凹部１１３ａに重なる位置に位置しており、基材１１を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。このような構成によれば、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、発熱部４１に重なる蓄熱部２の体積を大きくすることができる。そのため、蓄熱部２が、発熱部４１にて発生した熱をより多く蓄えることができる。その結果、基材１１を構成する材料の熱伝導率が大きくても発熱部４１にて発生した熱が基材１１に逃げてしまうことを防止でき、発熱部４１にて発生した熱をより多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への印刷品位を向上させることができる。また、発熱部４１にて発生した熱を、より多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となると、サーマルプリントヘッドＡ１００の消費電力を削減できる、
本実施形態においては、蓄熱部２は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、副走査方向Ｘにおける一方である第１方向Ｘａに発熱部４１からはみ出た部位と、第１方向Ｘａとは反対の第２方向Ｘｂに発熱部４１からはみ出た部位と、を有する。このような構成によると、蓄熱部２が、発熱部４１にて発生した熱を更に多く蓄えることができる。これにより、発熱部４１にて発生した熱が基材１１に逃げてしまうことをより好適に防止でき、発熱部４１にて発生した熱をさらに多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となる。その結果、印刷媒体８０１への印刷品位を向上させることができる。特に、印刷媒体８０１への印字をより濃くできる。
本実施形態においては、サーマルプリントヘッドＡ１００は、発熱部４１および蓄熱部２の間に介在する中間層５８を備える。このような構成は、保護層６のうち発熱部４１を覆っている部分を、隆起した形状に形成するのに適する。これにより、印刷媒体８０１に保護層６を当接させやすくなる。その結果、発熱部４１にて発生した熱を、より効率良く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となる。
本実施形態においては、中間層表面５８１は、平坦面５８２から連続する第１曲面５８３を有する。第１曲面５８３は、平坦面５８２から遠ざかるにつれて基材１１に近づく。電極層３は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１曲面５８３に重なる部位を有する。このような構成によると、中間層５８に急峻な段差が形成されることを防止することができる。これにより、中間層５８上に形成される電極層３の断線を防止できる。
本実施形態においては、中間層表面５８１は、平坦面５８２から連続する第２曲面５８４を有する。平坦面５８２は、第１曲面５８３および第２曲面５８４の間に位置している。第２曲面５８４は、平坦面５８２から遠ざかるにつれて基材１１に近づく。電極層３は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第２曲面５８４に重なる部位を有する。このような構成によると、中間層５８に急峻な段差が形成されることを防止することができる。これにより、中間層５８上に形成される電極層３の断線を防止できる。
本実施形態においては、サーマルプリントヘッドＡ１００は絶縁層５を備える。絶縁層５は、電極層３および発熱部４１の間に介在している部分を有する。このような構成によると、電極層３と発熱部４１とが接触する領域を小さくすることができる。そうすると、発熱部４１に電流が流れて発熱した際に、電極層３と発熱部４１とが共晶してしまう領域を小さくすることができる。電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできると、サーマルプリントヘッドＡ１００の使用時に、サーマルプリントヘッドＡ１００の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
本実施形態においては、絶縁層５は、第１介在部５１と第２介在部５２とを有する。第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第１導電部３１と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。本実施形態においては、第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。第１導電部３１と発熱部４１とが共晶すること、または、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを防止できると、電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできる。これにより、サーマルプリントヘッドＡ１００の使用時に、サーマルプリントヘッドＡ１００の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
仮に、電極層３が抵抗体層４と蓄熱部２との間に介在している場合には、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱は、電極層３に逃げてしまうおそれがある。電極層３に逃げてしまった熱は、印刷媒体８０１への伝熱には寄与しない。一方、本実施形態においては、抵抗体層４は、電極層３および蓄熱部２の間に介在している。このような構成によると、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱が電極層３に伝わっても、電極層３に伝わった熱は、印刷媒体８０１への伝熱に寄与しうる。そのため、発熱部４１にて発生した熱をより効率的に、印刷媒体８０１に伝えることができる。すなわち、サーマルプリントヘッドＡ１００における印刷媒体８０１に接触する部位（保護層６）を、より速く、高温にすることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への高速印刷が可能となる。
本実施形態では、基材１１は、Ｓｉよりなる。Ｓｉは、熱伝導率が大きいため、発熱部４１にて発生した熱を、より速く基材１１の外部（本実施形態では放熱板１３）へと伝えることができる。そのため、高温になった発熱部４１の温度を、より速く、低下させることができる。このことは、印刷媒体８０１への印刷の高速化に適する。
本実施形態では、保護層６における貫通窓６１は、保護層６’をエッチングすることにより形成される。そうすると、保護層６における所望の部位に貫通窓６１を形成することができるから、電極層３のうち保護層６に覆われていない部分を、封止樹脂８２とは別の樹脂層（ソルダーレジスト層）で覆う必要がない。別の樹脂層（ソルダーレジスト層）を形成する必要がないことは、サーマルプリントヘッドＡ１００の製造効率の向上を図るのに適する。
以下の説明（図５０までを参照して説明する実施形態およびその変形例）では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
＜Ａ１実施形態の第１変形例＞
図２４、図２５を用いて、本発明のＡ１実施形態の第１変形例について説明する。
図２４、図２５を用いて、本発明のＡ１実施形態の第１変形例について説明する。
図２４は、本発明のＡ１実施形態の第１変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大平面図（一部構成省略）である。図２５は、図２４のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿う部分拡大断面図である。
同図に示すサーマルプリントヘッドＡ１０１は、基材１１と、配線基板１２（本変形例では図示略）と、放熱板１３（本変形例では図示略）と、蓄熱部２と、第１バリア部２９１と、第２バリア部２９２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、中間層５８と、保護層６と、駆動ＩＣ７（本変形例では図示略）と、複数のワイヤ８１（本変形例では図示略）と、封止樹脂８２（本変形例では図示略）と、コネクタ８３（本変形例では図示略）とを備える。
サーマルプリントヘッドＡ１０１は、第１バリア部２９１および第２バリア部２９２を更に備える点において、サーマルプリントヘッドＡ１００と主に異なる。図２４では、第１バリア部２９１および第２バリア部２９２の形成されている領域を、砂模様を付すことにより示している。基材１１と、第１バリア部２９１と、第２バリア部２９２とを除き、サーマルプリントヘッドＡ１０１における、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱部２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、中間層５８と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３と、の各構成は、サーマルプリントヘッドＡ１００と同様であるから、説明を省略する。
サーマルプリントヘッドＡ１０１において、基材１１には、凹部１１３ａと、第１溝１１３ｂと、第２溝１１３ｃと、が形成されている。凹部１１３ａはサーマルプリントヘッドＡ１００におけるものと同様であるから、説明を省略する。
第１溝１１３ｂは、凹部１１３ａに対し副走査方向Ｘに離間した位置に形成されている。本変形例においては、第１溝１１３ｂは、凹部１１３ａに対し第１方向Ｘａに離間した位置に形成されている。第１溝１１３ｂは、基材表面１１１から凹んでいる。本実施形態においては、第１溝１１３ｂは、主走査方向Ｙに沿って延びる形状である。第１溝１１３ｂの深さＤ１２（厚さ方向Ｚにおける、基材表面１１１から第１溝１１３ｂの底面に至るまでの寸法）は、たとえば、１５〜１５０μｍである。第１溝１１３ｂの深さＤ１２は、凹部１１３ａの深さＤ１１よりも深いことが好ましい。本変形例とは異なり、第１溝１１３ｂの深さＤ１２は、凹部１１３ａの深さＤ１１と同一であってもよいし、凹部１１３ａの深さＤ１１より浅くてもよい。
第２溝１１３ｃは、凹部１１３ａに対し副走査方向Ｘに離間した位置に形成されている。本変形例においては、第２溝１１３ｃは、凹部１１３ａに対し第２方向Ｘｂに離間した位置に形成されている。基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第２溝１１３ｃおよび第１溝１１３ｂの間に、凹部１１３ａが位置している。第２溝１１３ｃは、基材表面１１１から凹んでいる。本実施形態においては、第２溝１１３ｃは、主走査方向Ｙに沿って延びる形状である。第２溝１１３ｃの深さＤ１３（厚さ方向Ｚにおける、基材表面１１１から第２溝１１３ｃの底面に至るまでの寸法）は、たとえば、１５〜１５０μｍである。第２溝１１３ｃの深さＤ１３は、凹部１１３ａの深さＤ１１よりも深いことが好ましい。本変形例とは異なり、第２溝１１３ｃの深さＤ１３は、凹部１１３ａの深さＤ１１と同一であってもよいし、凹部１１３ａの深さＤ１１より浅くてもよい。
第１バリア部２９１は、第１溝１１３ｂに形成されている。第１バリア部２９１は、基材１１を構成する材料の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料よりなる。第１バリア部２９１は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。第１バリア部２９１を構成する材料と、蓄熱部２を構成する材料とは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。本変形例においては、第１バリア部２９１は、中間層５８に覆われている。
第２バリア部２９２は、第２溝１１３ｃに形成されている。第２バリア部２９２は、基材１１を構成する材料の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料よりなる。第２バリア部２９２は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。第２バリア部２９２を構成する材料と、蓄熱部２を構成する材料とは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。本変形例においては、第２バリア部２９２は、中間層５８に覆われている。
次に、本変形例の作用効果について説明する。
本変形例によると、上述の作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。
本変形例においては、サーマルプリントヘッドＡ１０１は、基材１１を構成する材料の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料よりなる第１バリア部２９１を備える。基材１１には、凹部１１３ａに対し副走査方向Ｘに離間する第１溝１１３ｂが形成されている。第１バリア部２９１は、第１溝１１３ｂに形成されている。このような構成によると、蓄熱部２から基材１１に伝わった熱は、第１バリア部２９１にて蓄えられる。そのため、蓄熱部２から副走査方向Ｘにより離間した領域へと熱が伝わってしまうことを防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を抑制できる。
本変形例においては、第１溝１１３ｂの深さＤ１２は、凹部１１３ａの深さＤ１１よりも深い。このような構成によると、第１バリア部２９１はより多くの熱を蓄えることができる。そのため、蓄熱部２から副走査方向Ｘにより離間した領域へと熱が伝わってしまうことを更に防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを更に防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を更に抑制できる。
本変形例においては、第１バリア部２９１を構成する材料は、蓄熱部２を構成する材料と同一の材料よりなる。このような構成によると、蓄熱部２の形成と、第１バリア部２９１の形成と、を同一の工程で行うことができる。これは、サーマルプリントヘッドＡ１０１の製造の効率化に適する。
本変形例においては、サーマルプリントヘッドＡ１０１は、基材１１を構成する材料の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料よりなる第２バリア部２９２を備える。基材１１には、凹部１１３ａに対し副走査方向Ｘに離間する第２溝１１３ｃが形成されている。凹部１１３ａは、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１溝１１３ｂおよび第２溝１１３ｃの間に位置している。第２バリア部２９２は、第２溝１１３ｃに形成されている。このような構成によると、上述したのと同様の理由により、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を抑制できる。
本変形例においては、第２溝１１３ｃの深さＤ１３は、凹部１１３ａの深さＤ１１よりも深い。このような構成によると、上述したのと同様の理由により、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を更に抑制できる。
本変形例においては、第２バリア部２９２を構成する材料は、蓄熱部２を構成する材料と同一の材料よりなる。このような構成は、上述したのと同様の理由により、サーマルプリントヘッドＡ１０１の製造の効率化に適する。
＜Ａ１実施形態の第２変形例＞
図２６を用いて、本発明のＡ１実施形態の第２変形例について説明する。
図２６を用いて、本発明のＡ１実施形態の第２変形例について説明する。
図２６は、本発明のＡ１実施形態の第２変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。
同図に示すサーマルプリントヘッドＡ１０２は、蓄熱部２の副走査方向Ｘにおける寸法が発熱部４１より小さい点を除き、サーマルプリントヘッドＡ１０１と同様であるので、説明を省略する。
＜Ａ１実施形態の第３変形例＞
図２７を用いて、本発明のＡ１実施形態の第３変形例について説明する。
図２７を用いて、本発明のＡ１実施形態の第３変形例について説明する。
図２７は、本発明のＡ１実施形態の第３変形例のサーマルプリントヘッドの断面図である。
同図に示すサーマルプリントヘッドＡ１０３は、駆動ＩＣ７が基材１１に作りこまれている点において、上述のサーマルプリントヘッドＡ１００とは異なるが、その他の点については同様であるので、説明を省略する。なお、サーマルプリントヘッドＡ１０３においては、基材１１は、半導体材料よりなる。また、駆動ＩＣ７と電極層３とは、絶縁層５を貫通するビアを介して導通している。このような構成によると、サーマルプリントヘッドＡ１０３の部品点数を削減することができる。更に、サーマルプリントヘッドＡ１０３は、サーマルプリントヘッドＡ１００に関して述べたのと同様の作用効果を奏する。
＜Ａ２実施形態＞
図２８〜図３６を用いて、本発明のＡ２実施形態について説明する。
図２８〜図３６を用いて、本発明のＡ２実施形態について説明する。
図２８は、本発明のＡ２実施形態のサーマルプリンタの部分断面図である。
同図に示すサーマルプリンタＢ８００は印刷媒体８０１に印刷を施す。印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。サーマルプリンタＢ８００は、サーマルプリントヘッドＢ１００と、プラテンローラ８０２と、を備える。
図２９は、本発明のＡ２実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。図３０は、図２９に示したサーマルプリントヘッドの部分拡大平面図（一部構成省略）である。図３１は、図３０の領域ＸＸＸＩの部分拡大平面図である。図３２は、図３０、図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。図３３は、図３１のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。図２８は、図２９のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面に相当する。
これらの図に示すサーマルプリントヘッドＢ１００は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱部２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、中間層５８と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。
基材１１、蓄熱部２、絶縁層５、および保護層６を除き、本実施形態における、配線基板１２と、放熱板１３と、電極層３と、抵抗体層４と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３との各構成は、サーマルプリントヘッドＡ１００における構成と同様であるから、説明を省略する。また、サーマルプリントヘッドＢ１００は、サーマルプリントヘッドＡ１００とは異なり、中間層５８を備えていない。サーマルプリントヘッドＢ１００は、第１溝部７９１と、第２溝部７９２と、第３溝部７９３とが形成されている点において、サーマルプリントヘッドＡ１００と主に異なる。絶縁層５は、サーマルプリントヘッドＡ１００の絶縁層５と断面形状が異なっている。
基材１１は板状を呈している。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなる。基材１１を構成する半導体材料としては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＧａＮが挙げられる。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなるが、基材１１は半導体材料からなっていなくてもよい。たとえば、基材１１は、セラミックなどの絶縁材料よりなっていてもよい。基材１１を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることが好ましい。たとえば、基材１１がＳｉよりな
る場合を想定すると、Ｓｉの熱伝導率は、１４０〜１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。蓄熱部２（後述）を構成する材料の熱伝導率は、０．５〜５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。たとえば、蓄熱部２がＳｉＯ2よりなる場合を想定すると、ＳｉＯ2の熱伝導率は、１．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。蓄熱部２を構成する材料の熱伝導率と基材１１を構成する材料の熱伝導率との比は、１：１０〜６００であることが好ましく、１：１００〜２００であることが更に好ましい。基材１１の厚さは、たとえば０．６２５〜０．７２０ｍｍである。基材１１は、主走査方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の副走査方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の主走査方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。
る場合を想定すると、Ｓｉの熱伝導率は、１４０〜１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。蓄熱部２（後述）を構成する材料の熱伝導率は、０．５〜５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。たとえば、蓄熱部２がＳｉＯ2よりなる場合を想定すると、ＳｉＯ2の熱伝導率は、１．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。蓄熱部２を構成する材料の熱伝導率と基材１１を構成する材料の熱伝導率との比は、１：１０〜６００であることが好ましく、１：１００〜２００であることが更に好ましい。基材１１の厚さは、たとえば０．６２５〜０．７２０ｍｍである。基材１１は、主走査方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の副走査方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の主走査方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。
図３２に示すように、基材１１は、基材表面１１１と基材裏面１１２とを有する。基材表面１１１は、副走査方向Ｘと主走査方向Ｙとに広がる平面状である。基材表面１１１は、主走査方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材表面１１１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（方向Ｚａ）を向く。すなわち、基材表面１１１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。基材裏面１１２は、副走査方向Ｘと主走査方向Ｙとに広がる平面状である。基材裏面１１２は、主走査方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材裏面１１２は、基材１１の厚さ方向Ｚの他方（方向Ｚｂ）を向く。すなわち、基材裏面１１２は、抵抗体層４の位置する側とは反対側を向く面である。
図２８、図３２に示すように、蓄熱部２は基材１１に形成されている。蓄熱部２は、基材１１の基材表面１１１のほぼ全体を覆っている。蓄熱部２は、発熱部４１にて発生した熱を蓄えるためのものである。蓄熱部２の厚さは、たとえば、３μｍ以上である。図３２に示すように、蓄熱部２は蓄熱部表面２１を有する。蓄熱部表面２１は方向Ｚａを向く。すなわち、蓄熱部表面２１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。本実施形態では、蓄熱部表面２１は全体にわたって平坦である。蓄熱部表面２１が平坦であると、半導体プロセスによって抵抗体層４や絶縁層５を形成しやすい。
図２８、図３２、図３３に示す保護層６は、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを覆っており、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを保護するためのものである。保護層６は、絶縁材料よりなる。保護層６を構成する絶縁材料としては、たとえば、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ＳｉＮおよびＳｉＯ2が挙げられる。本実施形態においては、保護層６は、電極層３および絶縁層５に直接接している。
なお、図３３に示すように、各発熱部４１は、第１抵抗側面４１８および第２抵抗側面４１９を有する。第１抵抗側面４１８および第２抵抗側面４１９は、主走査方向Ｙのいずれかを向き、且つ、互いに反対側を向く。保護層６は、第１抵抗側面４１８および第２抵抗側面４１９を覆っている。
保護層６には、複数の貫通窓６１（図２８には１つ示す）が形成されている。各貫通窓６１からは、ボンディング部３３６が露出している。
図３１〜図３３に示すように、サーマルプリントヘッドＢ１００においては、第１溝部７９１と、第２溝部７９２と、第３溝部７９３とが形成されている。図３１では、第１溝部７９１、第２溝部７９２および第３溝部７９３が形成された領域を、ハッチングを付すことにより示している。
図３１、図３３に示す第１溝部７９１は、複数の発熱部４１のうち主走査方向Ｙにおいて隣接するいずれか２つの発熱部４１の間に位置している。本実施形態においては、第１溝部７９１は、副走査方向Ｘに沿って延びる形状である。第１溝部７９１の副走査方向Ｘにおける寸法は、発熱部４１の副走査方向Ｘにおける寸法よりも大きい。そして、第１溝部７９１は、副走査方向Ｘにおいて、複数の発熱部４１のいずれかの全体にわたって、重なっている。
図３３に示すように、第１溝部７９１は、蓄熱部２に形成されている。蓄熱部２は、第１溝部７９１を構成する第１蓄熱部溝側面２５ａを有する。本実施形態においては、第１溝部７９１は、保護層６から形成され、基材１１に達している。保護層６は、第１溝部７９１を構成する第１保護層溝側面６５ａを有する。基材１１は、第１基材溝側面１１５ａおよび第１基材溝底面１１５ｂを有する。第１基材溝側面１１５ａおよび第１基材溝底面１１５ｂは、第１溝部７９１を構成している。
本実施形態においては、基材１１に蓄熱部２および保護層６が形成された後に、第１溝部７９１が形成される。第１溝部７９１には何も充填されていない。そのため、第１基材溝側面１１５ａと、第１基材溝底面１１５ｂと、第１蓄熱部溝側面２５ａと、第１保護層溝側面６５ａと、は空隙に露出している。なお、第１溝部７９１の形成は、たとえば、エッチングにより行われる。
図３１、図３２に示す第２溝部７９２は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、中継電極３７よりも第１方向Ｘａ側に位置している。そして、副走査方向Ｘにおいて、第２溝部７９２と複数の発熱部４１との間に、中継電極３７が位置している。第２溝部７９２は、主走査方向Ｙに沿って延びる形状である。本実施形態において、第２溝部７９２は、基材１１の主走査方向Ｙの一端から他端にわたって、形成されている。本実施形態においては更に、第２溝部７９２は、第１溝部７９１とつながっている。本実施形態とは異なり、第２溝部７９２は、第１溝部７９１とつながっていなくてもよい。
図３２に示すように、第２溝部７９２は、蓄熱部２に形成されている。蓄熱部２は、第２溝部７９２を構成する第２蓄熱部溝側面２６ａを有する。本実施形態においては、第２溝部７９２は、保護層６から形成され、基材１１に達している。保護層６は、第２溝部７９２を構成する第２保護層溝側面６６ａを有する。基材１１は、第２基材溝側面１１６ａおよび第２基材溝底面１１６ｂを有する。第２基材溝側面１１６ａおよび第２基材溝底面１１６ｂは、第２溝部７９２を構成している。
本実施形態においては、基材１１に蓄熱部２および保護層６が形成された後に、第２溝部７９２が形成される。第２溝部７９２には何も充填されていない。そのため、第２基材溝側面１１６ａと、第２基材溝底面１１６ｂと、第２蓄熱部溝側面２６ａと、第２保護層溝側面６６ａと、は空隙に露出している。なお、第２溝部７９２の形成は、たとえば、エッチングにより行われる。
図３１、図３３に示す第３溝部７９３は、複数の発熱部４１のうち中継電極３７によって連結される２つの発熱部４１の間に位置している。本実施形態においては、第３溝部７９３は、副走査方向Ｘに沿って延びる形状である。第３溝部７９３の副走査方向Ｘにおける寸法は、発熱部４１の副走査方向Ｘにおける寸法よりも大きい。そして、第３溝部７９３は、副走査方向Ｘにおいて、複数の発熱部４１のいずれかの全体にわたって、重なっている。
図３３に示すように、第３溝部７９３は、蓄熱部２に形成されている。蓄熱部２は、第３溝部７９３を構成する第３蓄熱部溝側面２７ａを有する。本実施形態においては、第３溝部７９３は、保護層６から形成され、基材１１に達している。保護層６は、第３溝部７９３を構成する第３保護層溝側面６７ａを有する。基材１１は、第３基材溝側面１１７ａおよび第３基材溝底面１１７ｂを有する。第３基材溝側面１１７ａおよび第３基材溝底面１１７ｂは、第３溝部７９３を構成している。
本実施形態においては、基材１１に蓄熱部２および保護層６が形成された後に、第３溝部７９３が形成される。第３溝部７９３には何も充填されていない。そのため、第３基材溝側面１１７ａと、第３基材溝底面１１７ｂと、第３蓄熱部溝側面２７ａと、第３保護層溝側面６７ａと、は空隙に露出している。なお、第３溝部７９３の形成は、たとえば、エッチングにより行われる。第３溝部７９３と、第２溝部７９２と、第１溝部７９１との形成は、同時に行うとよい。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、蓄熱部２に第１溝部７９１が形成されている。第１溝部７９１は、複数の発熱部４１のうち主走査方向Ｙにおいて隣接するいずれか２つの発熱部４１の間に位置している。このような構成によると、ある発熱部４１にて発生した熱が、蓄熱部２を経由して、蓄熱部２における、当該発熱部４１に隣接する発熱部４１の形成された領域に伝わることを防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を抑制できる。また、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できることにより、発熱部４１の発熱効率を向上させることができる。これにより、印刷媒体８０１への印刷ドットを濃くすることができ、印刷品位の向上を図ることができる。
本実施形態においては、第１溝部７９１は、副走査方向Ｘにおいて、複数の発熱部４１のいずれかの全体にわたって、重なっている。このような構成によると、ある発熱部４１にて発生した熱が、蓄熱部２を経由して、蓄熱部２における、当該発熱部４１に隣接する発熱部４１の形成された領域に伝わることを更に防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを更に防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を更に抑制できる。
本実施形態においては、第１溝部７９１は、基材１１に達している。このような構成によると、ある発熱部４１にて発生した熱が、蓄熱部２を経由して、蓄熱部２における、当該発熱部４１に隣接する発熱部４１の形成された領域に伝わることを更に防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを更に防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を更に抑制できる。
本実施形態においては、第１蓄熱部溝側面２５ａは空隙に露出している。このような構成によると、発熱部４１から蓄熱部２に伝わった熱は、第１蓄熱部溝側面２５ａを通って、空隙に放たれる。そのため、蓄熱部２に蓄えられた熱をより効率的にサーマルプリントヘッドＢ１００の外部に放出することができる。よって、高温になった発熱部４１の温度を、より速く、低下させることができる。このことは、印刷媒体８０１への印刷の高速化に適する。
本実施形態においては、複数の発熱部４１は各々、主走査方向Ｙのいずれかを向く第１抵抗側面４１８および第２抵抗側面４１９を有する。第１抵抗側面４１８は、第２抵抗側面４１９とは反対側を向く。第１抵抗側面４１８および第２抵抗側面４１９はいずれも、保護層６に覆われている。このような構成によると、発熱部４１が空気に露出することを防止できる。その結果、発熱部４１の酸化を抑制でき、発熱部４１の抵抗値が変化してしまう不具合を回避できる。
本実施形態においては、電極層３は、複数の発熱部４１のうち主走査方向Ｙにおいて隣接するいずれか２つの発熱部４１を連結する中継電極３７を含む。蓄熱部２には第２溝部７９２が形成されている。中継電極３７は、副走査方向Ｘにおいて、第２溝部７９２および複数の発熱部４１の間に位置している。このような構成によると、第２溝部７９２よりも第１方向Ｘａ側に熱が伝わってしまうことを防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を抑制できる。また、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できることにより、発熱部４１の発熱効率を向上させることができる。これにより、印刷媒体８０１への印刷ドットを濃くすることができ、印刷品位の向上を図ることができる。
本実施形態においては、第２溝部７９２は、基材１１に達している。このような構成によると、第２溝部７９２よりも第１方向Ｘａ側に熱が伝わってしまうことを更に防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを更に防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を更に抑制できる。
本実施形態においては、第２蓄熱部溝側面２６ａは空隙に露出している。このような構成によると、発熱部４１から蓄熱部２に伝わった熱は、第２蓄熱部溝側面２６ａを通って、空隙に放たれる。そのため、蓄熱部２に蓄えられた熱をより効率的にサーマルプリントヘッドＢ１００の外部に放出することができる。よって、高温になった発熱部４１の温度を、より速く、低下させることができる。このことは、印刷媒体８０１への印刷の高速化に適する。
本実施形態においては、少なくとも蓄熱部２には第３溝部７９３が形成されている。第３溝部７９３は、複数の発熱部４１のうち中継電極３７によって連結される２つの発熱部４１の間に位置している。サーマルプリントヘッドＢ１００に第３溝部７９３が形成されることによって、サーマルプリントヘッドＢ１００に第１溝部７９１が形成されることによって享受できる上述の利点と同様の利点を、享受できる。
本実施形態においては、サーマルプリントヘッドＢ１００は絶縁層５を備える。絶縁層５は、電極層３および発熱部４１の間に介在している部分を有する。このような構成によると、電極層３と発熱部４１とが接触する領域を小さくすることができる。そうすると、発熱部４１に電流が流れて発熱した際に、電極層３と発熱部４１とが共晶してしまう領域を小さくすることができる。電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできると、サーマルプリントヘッドＢ１００の使用時に、サーマルプリントヘッドＢ１００の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
本実施形態においては、絶縁層５は、第１介在部５１と第２介在部５２とを有する。第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第１導電部３１と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。本実施形態においては、第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。第１導電部３１と発熱部４１とが共晶すること、または、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを防止できると、電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできる。これにより、サーマルプリントヘッドＢ１００の使用時に、サーマルプリントヘッドＢ１００の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
仮に、電極層３が抵抗体層４と蓄熱部２との間に介在している場合には、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱は、電極層３に逃げてしまうおそれがある。電極層３に逃げてしまった熱は、印刷媒体８０１への伝熱には寄与しない。一方、本実施形態においては、抵抗体層４は、電極層３および蓄熱部２の間に介在している。このような構成によると、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱が電極層３に伝わっても、電極層３に伝わった熱は、印刷媒体８０１への伝熱に寄与しうる。そのため、発熱部４１にて発生した熱をより効率的に、印刷媒体８０１に伝えることができる。すなわち、サーマルプリントヘッドＢ１００における印刷媒体８０１に接触する部位（保護層６）を、より速く、高温にすることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への高速印刷が可能となる。
本実施形態では、基材１１は、Ｓｉよりなる。Ｓｉは、熱伝導率が大きいため、発熱部４１にて発生した熱を、より速く基材１１の外部（本実施形態では放熱板１３）へと伝えることができる。そのため、高温になった発熱部４１の温度を、より速く、低下させることができる。このことは、印刷媒体８０１への印刷の高速化に適する。
本実施形態では、保護層６における貫通窓６１は、保護層６’をエッチングすることにより形成される。そうすると、保護層６における所望の部位に貫通窓６１を形成することができるから、電極層３のうち保護層６に覆われていない部分を、封止樹脂８２とは別の樹脂層（ソルダーレジスト層）で覆う必要がない。別の樹脂層（ソルダーレジスト層）を形成する必要がないことは、サーマルプリントヘッドＢ１００の製造効率の向上を図るのに適する。
＜Ａ２実施形態の第１変形例＞
図３４、図３５を用いて、本発明のＡ２実施形態の第１変形例について説明する。
図３４、図３５を用いて、本発明のＡ２実施形態の第１変形例について説明する。
図３４は、本発明のＡ２実施形態の第１変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。図３５は、本発明のＡ２実施形態の第１変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。
これらの図に示すサーマルプリントヘッドＢ１０１は、基材１１と、配線基板１２（本変形例では図示略）と、放熱板１３（本変形例では図示略）と、蓄熱部２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６と、駆動ＩＣ７（本変形例では図示略）と、複数のワイヤ８１（本変形例では図示略）と、封止樹脂８２（本変形例では図示略）と、コネクタ８３（本変形例では図示略）とを備える。
保護層６を除き、本実施形態における、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱部２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３との各構成は、サーマルプリントヘッドＢ１００における構成と同様であるから、説明を省略する。
本実施形態においては、第１溝部７９１、第２溝部７９２、および第３溝部７９３が形成された後に、保護層６が形成される。そのため、第１溝部７９１、第２溝部７９２および第３溝部７９３には、保護層６の一部が充填されている。
具体的には、第１基材溝側面１１５ａと、第１基材溝底面１１５ｂと、第１蓄熱部溝側面２５ａとは、保護層６に直接接している。また、第２基材溝側面１１６ａと、第２基材溝底面１１６ｂと、第２蓄熱部溝側面２６ａとは、保護層６に直接接している。第３基材溝側面１１７ａと、第３基材溝底面１１７ｂと、第３蓄熱部溝側面２７ａとは、保護層６に直接接している。
なお、本変形例とは異なり、第１溝部７９１に保護層６が充填されていない構成（サーマルプリントヘッドＢ１００参照）と、第２溝部７９２に保護層６の一部が充填されている構成（サーマルプリントヘッドＢ１０１参照）と、を組み合わせてもよい。また、第１溝部７９１に保護層６の一部が充填されている構成（サーマルプリントヘッドＢ１０１参照）と、第２溝部７９２に保護層６が充填されていない構成（サーマルプリントヘッドＢ１００参照）と、を組み合わせてもよい。
＜Ａ２実施形態の第２変形例＞
図３６を用いて、本発明のＡ２実施形態の第２変形例について説明する。
図３６を用いて、本発明のＡ２実施形態の第２変形例について説明する。
図３６は、本発明のＡ２実施形態の第２変形例のサーマルプリントヘッドの断面図である。
同図に示すサーマルプリントヘッドＢ１０２は、駆動ＩＣ７が基材１１に作りこまれている点において、上述のサーマルプリントヘッドＢ１００とは異なるが、その他の点については同様であるので、説明を省略する。なお、サーマルプリントヘッドＢ１０２においては、基材１１は、半導体材料よりなる。また、駆動ＩＣ７と電極層３とは、蓄熱部２を貫通するビアを介して導通している。このような構成によると、サーマルプリントヘッドＢ１０２の部品点数を削減することができる。更に、サーマルプリントヘッドＢ１０２は、サーマルプリントヘッドＢ１００に関して述べたのと同様の作用効果を奏する。
サーマルプリントヘッドＢ１０２は、サーマルプリントヘッドＢ１００の変形例として示したが、サーマルプリントヘッドＢ１０１の変形例として、駆動ＩＣ７が基材１１に作りこまれている構成を採用してもよい。
サーマルプリントヘッドＢ１００、サーマルプリントヘッドＢ１０１、サーマルプリントヘッドＢ１０２では、第１溝部７９１、第２溝部７９２、および第３溝部７９３が基材１１に達している例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、第１溝部７９１、第２溝部７９２、および第３溝部７９３のいずれかが、基材１１に達していなくてもよい。
また、サーマルプリントヘッドに、第２溝部７９２や第３溝部７９３が形成されていなくてもよい。
＜Ａ３実施形態＞
図３７〜図４０を用いて、本発明のＡ３実施形態について説明する。
図３７〜図４０を用いて、本発明のＡ３実施形態について説明する。
図３７は、本発明のＡ３実施形態のサーマルプリンタの部分断面図である。
同図に示すサーマルプリンタＣ８００は印刷媒体８０１に印刷を施す。印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。サーマルプリンタＣ８００は、サーマルプリントヘッドＣ１００と、プラテンローラ８０２と、を備える。
同図に示すサーマルプリントヘッドＣ１００は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、絶縁層５９と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。
基材１１および絶縁層５９を除き、本実施形態における、配線基板１２と、放熱板１３と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３と、の各構成は、サーマルプリントヘッドＡ１００における構成と同様であるから、説明を省略する。また、サーマルプリントヘッドＣ１００は、サーマルプリントヘッドＡ１００とは異なり、蓄熱部２、および中間層５８を備えていない。サーマルプリントヘッドＣ１００は、サーマルプリントヘッドＡ１００とは異なり、放熱板１３が、基材表面１１１の位置する側に配置されている。
図３８は、本発明のＡ３実施形態のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図（放熱板１３を省略）である。
基材１１は板状を呈している。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなる。基材１１を構成する半導体材料としては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＧａＮが挙げられる。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなるが、基材１１は半導体材料からなっていなくてもよい。たとえば、基材１１は、セラミックなどの絶縁材料よりなっていてもよい。基材１１を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることが好ましい。たとえば、基材１１がＳｉよりなる場合を想定すると、Ｓｉの熱伝導率は、１４０〜１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。基材１１の厚さは、１０〜５０μｍであり、非常に薄い。基材１１は、主走査方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の副走査方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の主走査方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。
図３８に示すように、本実施形態では、基材１１に凹部１１３ａが形成されていない。
基材１１は、基材表面１１１と基材裏面１１２とを有する。基材表面１１１は、副走査方向Ｘと主走査方向Ｙとに広がる平面状である。基材表面１１１は、主走査方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材表面１１１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（方向Ｚａ）を向く。すなわち、基材表面１１１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。基材裏面１１２は、副走査方向Ｘと主走査方向Ｙとに広がる平面状である。基材裏面１１２は、主走査方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材裏面１１２は、基材１１の厚さ方向Ｚの他方（方向Ｚｂ）を向く。すなわち、基材裏面１１２は、抵抗体層４の位置する側とは反対側を向く面である。本実施形態においては、基材裏面１１２の向く側に、プラテンローラ８０２が配置されている。そして、基材裏面１１２は、プラテンローラ８０２に正対している。基材裏面１１２とプラテンローラ８０２との間を、印刷媒体８０１が搬送される。基材１１を１０〜５０μｍ程度まで削った結果、基材裏面１１２には、線状痕１１２ａ（図３９参照）が形成されている。同図に示すように、線状痕１１２ａは、複数の平行な線よりなる。
図３７、図３８に示すように、絶縁層５９は基材表面１１１に形成されている。絶縁層５９は、基材１１の基材表面１１１のほぼ全体を覆っている。
本実施形態では、保護層６は放熱板１３に正対している。更に、保護層６は、放熱板１３に直接接している。保護層６の厚さは、たとえば、１〜５μｍである。本実施形態では、駆動ＩＣ７、封止樹脂８２、およびコネクタ８３は、配線基板１２に対し、プラテンローラ８０２の位置する側とは反対側に位置している。保護層６の熱伝導率は、たとえば、０．１〜０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、放熱板１３は、基材表面１１１の向く側に位置している。このような構成においては、各発熱部４１にて発生した熱は、基材１１を介して印刷媒体８０１に伝わる。そして、印刷媒体８０１への印刷が行われる。また、各発熱部４１にて発生した熱は、保護層６にも伝わり、保護層６にて蓄えられる。このように保護層６が蓄熱部としての役割を果たす。そのため、サーマルプリントヘッドＣ１００は、厚さが厚い蓄熱部を備える必要がない。厚さが厚い蓄熱部を形成するには、非常に高度な技術を要する。したがって、厚さが厚い蓄熱部を備える必要がないサーマルプリントヘッドＣ１００は、製造の容易化を図るのに適する。
電極層３や抵抗体層４の形成に用いる半導体プロセスは、数百℃の高温環境にて行われる。本実施形態においては、基材１１に電極層３や抵抗体層４を形成した後に、保護層６を形成する。そのため、保護層６を形成した後に、半導体プロセスを行う必要がない。よって、保護層６を数百℃の高温環境に晒す必要がない。したがって、保護層６を構成する材料として、耐熱温度が低いものを用いることが可能となる。なお、本実施形態では、保護層６として、ポリイミドを用いることができる。ポリイミドの耐熱温度は、４００℃程度であるが、ポリイミドの熱伝導率は非常に小さく蓄熱能力が高い。
本実施形態においては、基材１１を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、非常に大きい。このような構成は、発熱部４１にて発生した熱を、効率良く印刷媒体８０１へと伝えるのに適する。
本実施形態においては、基材１１の厚さは、１０〜５０μｍであり、非常に薄い。そのため、発熱部４１にて発生した熱を、印刷媒体８０１へと効率的に伝えることができる。これにより、印刷媒体８０１の印刷品位の向上を図ることが可能となる。
本実施形態においては、封止樹脂８２は、基材表面１１１の向く側に形成されている。このような構成によると、封止樹脂８２と印刷媒体８０１とが干渉することを回避できる。したがって、基材１１の副走査方向Ｘにおける寸法を小さくできる。これにより、サーマルプリントヘッドＣ１００の小型化を図ることができる。また、基材１１の副走査方向Ｘにおける寸法を小さくできると、サーマルプリントヘッドＣ１００の製造に要するコストの削減も可能となる。
本実施形態では、保護層６における貫通窓６１は、保護層６’をエッチングすることにより形成される。そうすると、保護層６における所望の部位に貫通窓６１を形成することができるから、電極層３のうち保護層６に覆われていない部分を、封止樹脂８２とは別の樹脂層（ソルダーレジスト層）で覆う必要がない。別の樹脂層（ソルダーレジスト層）を形成する必要がないことは、サーマルプリントヘッドＣ１００の製造効率の向上を図るのに適する。
＜Ａ３実施形態の第１変形例＞
図４０を用いて、本発明のＡ３実施形態の第１変形例について説明する。
図４０を用いて、本発明のＡ３実施形態の第１変形例について説明する。
図４０は、本発明のＡ３実施形態の第１変形例のサーマルプリンタの断面図である。
同図に示すサーマルプリントヘッドＣ１０１は、駆動ＩＣ７が基材１１に作りこまれている点において、上述のサーマルプリントヘッドＣ１００とは異なるが、その他の点については同様であるので、説明を省略する。なお、サーマルプリントヘッドＣ１０１においては、基材１１は、半導体材料よりなる。また、駆動ＩＣ７と電極層３とは、絶縁層５９を貫通するビアを介して導通している。このような構成によると、サーマルプリントヘッドＣ１０１の部品点数を削減することができる。更に、サーマルプリントヘッドＣ１０１は、サーマルプリントヘッドＣ１００に関して述べたのと同様の作用効果を奏する。
＜他の実施形態＞
図４１〜図４６を用いて、本発明の他の実施形態について説明する。
図４１〜図４６を用いて、本発明の他の実施形態について説明する。
本実施形態のサーマルプリントヘッドＤ１００は、蓄熱部２の形成方法が、上述のサーマルプリントヘッドと異なる。
本実施形態においては、蓄熱部２は、複数の第１部分２８１と、第２部分２８２と、を有する。
各第１部分２８１は、基材１１に食い込む形状を呈している。そのため、本実施形態においても、基材１１に凹部１１３ａが形成されており、凹部１１３ａに第１部分２８１が配置されているといえる。本実施形態では、蓄熱部は、基材１１を構成する材料を酸化した材料よりなる。たとえば基材１１がＳｉよりなる場合、第１部分２８１は、ＳｉＯ2よりなる。図４２に示すように、各第１部分２８１は、厚さ方向Ｚ視において、発熱部４１に重なっており、且つ、ほぼ同一の大きさである。また、各第１部分２８１は、互いに離間している。図４２には、第１部分２８１の占める領域を、ハッチングを用いて示している。詳細は後述するが、第１部分２８１は、基材１１にトレンチ１１３ｆを形成することにより、形成される。
第２部分２８２は、第１部分２８１と、発熱部４１との間に位置している。本実施形態では、第２部分２８２は、厚さ方向Ｚに垂直な平面に沿った形状である。第２部分２８２は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。
次に、サーマルプリントヘッドＤ１００の製造方法について説明する。
まず、図４３に示すように、半導体基板１９を用意する。本実施形態において半導体基板１９はＳｉよりなる。次に、図４４に示すように、半導体基板１９に、トレンチ１１３ｆを形成する。半導体基板１９にトレンチ１１３ｆを形成するには、たとえば、半導体基板１９をエッチングすることにより行う。本実施形態では、レジストパターン（図示略）をマスクとする異方性のディープＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）によって、具体的にはボッシュプロセスにより、半導体基板１９を掘り下げる。トレンチ１１３ｆは、具体的には、平面視において、ドット状の水玉模様パターン（たとえば、行列状、千鳥状等）に配列されるように形成する。
また、ボッシュプロセスでは、ＳＦ６（六フッ化硫黄）を使用して半導体基板１９をエッチングする工程と、Ｃ４Ｆ８（パーフルオロシクロブタン）を使用してエッチング面に保護膜を形成する工程とが交互に繰り返される。これにより、高いアスペクト比で半導体基板１９をエッチングすることができるが、エッチング面（トレンチ１１３ｆの内周面）にスキャロップと呼ばれる波状の凹凸が形成される。トレンチ１１３ｆの形成後、レジストパターン（図示略）を剥離する。本実施形態では、トレンチ１１３ｆの内周面１１３ｇは、図４４の上側に向かうほど、開口面積が大きくなる形状である。
次に、図４５に示すように、基材１１に、蓄熱部２の第１部分２８１と、蓄熱部２の第２部分２８２の一部と、を形成する。蓄熱部２の第１部分２８１と、蓄熱部２の第２部分２８２の一部と、の形成は、熱酸化によって行う。具体的には、たとえば真空中で、基板１１を熱酸化（たとえば、１１００℃〜１１５０℃で２４時間）する。基板１１を熱酸化すると、基板１１（本実施形態ではシリコンよりなる）の一部が、各トレンチ１１３ｆの内周面から同心円状に酸化シリコン膜に変質する。これとともに、当該酸化シリコン膜が熱膨張して各トレンチ１１３ｆを埋める。
次に、図４６に示すように、蓄熱部２の第２部分２８２の残りを形成する。第２部分２８２の残りの形成は、たとえば、熱酸化、スパッタリング、ＣＶＤ、あるいは、印刷により行う。本実施形態では、第２部分２８２は、ＬＴＯ（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｘｉｄｅ）膜である。第２部分２８２を形成した後、第２部分２８２の上面を平坦化する。
その後は、図１２以降の図を参照して説明した工程と同様の工程を経ることにより、サーマルプリントヘッドが製造される。
このようなサーマルプリントヘッドＤ１００によっても、蓄熱部２にて多くの熱を蓄えることができ、サーマルプリントヘッドＡ１００に関して述べたのと同様の作用効果を奏することが可能となる。
＜変形例＞
図４７に示すサーマルプリントヘッドＤ１０１は、蓄熱部２における第１部分２８１に、複数の空隙２６が形成されている点において、サーマルプリントヘッドＤ１００とは異なる。空隙２６は、断熱部として機能する。その他の点は、サーマルプリントヘッドＤ１００と同様であるから、説明を省略する。
図４７に示すサーマルプリントヘッドＤ１０１は、蓄熱部２における第１部分２８１に、複数の空隙２６が形成されている点において、サーマルプリントヘッドＤ１００とは異なる。空隙２６は、断熱部として機能する。その他の点は、サーマルプリントヘッドＤ１００と同様であるから、説明を省略する。
次に、サーマルプリントヘッドＤ１０１の製造方法について説明する。
本変形例においても、図４８に示すように、半導体基板１９に、トレンチ１１３ｆを形成する。本変形例では、本実施形態では、トレンチ１１３ｆの内周面１１３ｇは、図４８の上側に向かうほど、開口面積が小さくなる形状である。すなわち、トレンチ１１３ｆの内周面１１３ｇは逆テーパ状となっている。
次に、図４９に示すように、基材１１に、蓄熱部２の第１部分２８１と、蓄熱部２の第２部分２８２の一部と、を形成する。蓄熱部２の第１部分２８１と、蓄熱部２の第２部分２８２の一部と、の形成は、熱酸化によって行う。具体的には、たとえば真空中で、基板１１を熱酸化（たとえば、１１００℃〜１１５０℃で２４時間）する。基板１１を熱酸化すると、基板１１（本実施形態ではシリコンよりなる）の一部が、各トレンチ１１３ｆの内周面から同心円状に酸化シリコン膜に変質する。これとともに、当該酸化シリコン膜が熱膨張して各トレンチ１１３ｆをほぼ埋める。本変形例では、各トレンチ１１３ｆの全てが埋まりきらず、空隙２６として残存する。
次に、図５０に示すように、蓄熱部２の第２部分２８２の残りを形成する。第２部分２８２の残りの形成は、たとえば、熱酸化、スパッタリング、ＣＶＤ、あるいは、印刷により行う。本実施形態では、第２部分２８２は、ＬＴＯ（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｘｉｄｅ）膜である。第２部分２８２を形成した後、第２部分２８２の上面を平坦化する。
その後は、図１２以降の図を参照して説明した工程と同様の工程を経ることにより、サーマルプリントヘッドが製造される。
このようなサーマルプリントヘッドＤ１０１によっても、サーマルプリントヘッドＤ１００によって奏する作用効果と同様の作用効果を奏することが可能となる。
図１〜図５０、および、これらの図を参照した説明にて開示された発明のバリエーションを、以下に付記として示す。
［付記α１］
基材と、
前記基材に形成された蓄熱部と、
前記基材に形成された抵抗体層と、
前記基材に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、
前記抵抗体層を覆う保護層と、を備え、
前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に跨る複数の発熱部を含み、
少なくとも前記蓄熱部には第１溝部が形成されており、
前記第１溝部は、前記複数の発熱部のうち主走査方向において隣接するいずれか２つの発熱部の間に位置している、サーマルプリントヘッド。
［付記α２］
前記第１溝部は、副走査方向において、前記複数の発熱部のいずれかの全体にわたって、重なっている、付記α１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α３］
前記蓄熱部は、前記第１溝部を構成する第１蓄熱部溝側面を有する、付記α１または付記α２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α４］
前記第１溝部は、前記基材に達している、付記α３に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α５］
前記第１蓄熱部溝側面は、空隙に露出している、付記α３または付記α４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α６］
前記第１溝部は、前記保護層から形成されている、付記α１ないし付記α５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α７］
前記保護層の一部は、前記第１溝部に充填されている、付記α１ないし付記α５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α８］
前記複数の発熱部は各々、主走査方向のいずれかを向く第１抵抗側面および第２抵抗側面を有し、
前記第１抵抗側面は、前記第２抵抗側面とは反対側を向き、
前記第１抵抗側面および前記第２抵抗側面はいずれも、前記保護層に覆われている、付記α１ないし付記α７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α９］
前記電極層は、前記複数の発熱部のうち主走査方向において隣接するいずれか２つの発熱部を連結する中継電極を含み、
少なくとも前記蓄熱部には第２溝部が形成されており、
前記中継電極は、副走査方向において、前記第２溝部および前記複数の発熱部の間に位置している、付記α１ないし付記α８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１０］
前記第２溝部は、主走査方向に沿って延びる形状である、付記α９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１１］
前記蓄熱部は、前記第２溝部を構成する第２蓄熱部溝側面を有する、付記α１０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１２］
前記第２溝部は、前記基材に達している、付記α１１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１３］
前記第２蓄熱部溝側面は、空隙に露出している、付記α１１または付記α１２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１４］
前記第２溝部は、前記保護層から形成されている、付記α９ないし付記α１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１５］
前記保護層の一部は、前記第２溝部に充填されている、付記α９ないし付記α１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１６］
前記第２溝部は、前記第１溝部につながっている、付記α９ないし付記α１５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１７］
少なくとも前記蓄熱部には第３溝部が形成されており、
前記第３溝部は、前記複数の発熱部のうち前記中継電極によって連結される前記２つの発熱部の間に位置している、付記α９ないし付記α１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１８］
前記蓄熱部は、前記基材とは反対側を向く蓄熱部表面を有し、
前記第１溝部は、前記蓄熱部表面から凹み、前記第２溝部は、前記蓄熱部表面から凹む、付記α１７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１９］
前記抵抗体層は、前記電極層および前記蓄熱部の間に介在している、付記α１ないし付記α１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２０］
前記抵抗体層と前記電極層との間に介在する絶縁層を更に備え、
前記蓄熱部は、前記絶縁層に直接接している部分を有する、付記α１ないし付記α１９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２１］
前記基材は、半導体材料よりなる、付記α１ないし付記α２０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２２］
前記保護層は、前記絶縁層に直接接している、付記α２０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２３］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、付記α１ないし付記α２２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２４］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記α２３に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２５］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記α２３または付記α２４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２６］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、
前記駆動ＩＣは、前記基材内に作りこまれている、付記α１ないし付記α２５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２７］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている、付記α２３ないし付記α２５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２８］
前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる、付記α２０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２９］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる、付記α１ないし付記α２８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α３０］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記α１ないし付記α２９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α３１］
前記基材を支持する放熱板を更に備える、付記α１ないし付記α３０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α３２］
付記α１ないし付記α３１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
［付記β１］
互いに反対側を向く基材表面および基材裏面を有する基材と、
前記基材表面に形成された抵抗体層と、
前記基材表面に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、
樹脂よりなり且つ前記抵抗体層を覆う保護層と、
放熱板と、を備え、
前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に跨る複数の発熱部を含み、
前記複数の発熱部は、主走査方向に沿って配列され、
前記放熱板は、前記基材表面の向く側に位置している、サーマルプリントヘッド。
［付記β２］
前記保護層を構成する樹脂は、ポリイミド、ポリアミド、およびポリエチレンのいずれかである、付記β１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β３］
前記基材を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である、付記β
１または付記β２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β４］
前記基材を構成する材料は、半導体材料である、付記β１ないし付記β３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β５］
前記基材の厚さは、１０〜５０μｍである、付記β１ないし付記β４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β６］
前記基材裏面は、複数の平行な線よりなる線状痕が形成されている、付記β１ないし付記β５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β７］
前記保護層の厚さは、１〜５μｍである、付記β１ないし付記β６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β８］
前記基材表面に形成された絶縁層を更に備える、付記β１ないし付記β７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β９］
前記絶縁層は、前記抵抗体層と前記電極層とに直接接している、付記β８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１０］
前記保護層は、前記電極層に直接接している、付記β１ないし付記β９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１１］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備え、
前記樹脂層は、前記基材表面の向く側に形成されている、付記β１ないし１０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１２］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記β１１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１３］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記β１１または付記β１２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１４］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、
前記駆動ＩＣは、前記基材内に作りこまれている、付記β１ないし付記β１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１５］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている、付記β１１ないし付記β１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１６］
前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる、付記β８または付記β９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１７］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる、付記β１ないし付記β１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１８］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記β１ないし付記β１７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１９］
付記β１ないし付記β１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
プラテンローラと、を備え、
前記プラテンローラは、前記基材裏面の向く側に位置している、サーマルプリンタ。
［付記α１］
基材と、
前記基材に形成された蓄熱部と、
前記基材に形成された抵抗体層と、
前記基材に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、
前記抵抗体層を覆う保護層と、を備え、
前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に跨る複数の発熱部を含み、
少なくとも前記蓄熱部には第１溝部が形成されており、
前記第１溝部は、前記複数の発熱部のうち主走査方向において隣接するいずれか２つの発熱部の間に位置している、サーマルプリントヘッド。
［付記α２］
前記第１溝部は、副走査方向において、前記複数の発熱部のいずれかの全体にわたって、重なっている、付記α１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α３］
前記蓄熱部は、前記第１溝部を構成する第１蓄熱部溝側面を有する、付記α１または付記α２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α４］
前記第１溝部は、前記基材に達している、付記α３に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α５］
前記第１蓄熱部溝側面は、空隙に露出している、付記α３または付記α４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α６］
前記第１溝部は、前記保護層から形成されている、付記α１ないし付記α５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α７］
前記保護層の一部は、前記第１溝部に充填されている、付記α１ないし付記α５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α８］
前記複数の発熱部は各々、主走査方向のいずれかを向く第１抵抗側面および第２抵抗側面を有し、
前記第１抵抗側面は、前記第２抵抗側面とは反対側を向き、
前記第１抵抗側面および前記第２抵抗側面はいずれも、前記保護層に覆われている、付記α１ないし付記α７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α９］
前記電極層は、前記複数の発熱部のうち主走査方向において隣接するいずれか２つの発熱部を連結する中継電極を含み、
少なくとも前記蓄熱部には第２溝部が形成されており、
前記中継電極は、副走査方向において、前記第２溝部および前記複数の発熱部の間に位置している、付記α１ないし付記α８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１０］
前記第２溝部は、主走査方向に沿って延びる形状である、付記α９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１１］
前記蓄熱部は、前記第２溝部を構成する第２蓄熱部溝側面を有する、付記α１０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１２］
前記第２溝部は、前記基材に達している、付記α１１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１３］
前記第２蓄熱部溝側面は、空隙に露出している、付記α１１または付記α１２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１４］
前記第２溝部は、前記保護層から形成されている、付記α９ないし付記α１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１５］
前記保護層の一部は、前記第２溝部に充填されている、付記α９ないし付記α１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１６］
前記第２溝部は、前記第１溝部につながっている、付記α９ないし付記α１５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１７］
少なくとも前記蓄熱部には第３溝部が形成されており、
前記第３溝部は、前記複数の発熱部のうち前記中継電極によって連結される前記２つの発熱部の間に位置している、付記α９ないし付記α１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１８］
前記蓄熱部は、前記基材とは反対側を向く蓄熱部表面を有し、
前記第１溝部は、前記蓄熱部表面から凹み、前記第２溝部は、前記蓄熱部表面から凹む、付記α１７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α１９］
前記抵抗体層は、前記電極層および前記蓄熱部の間に介在している、付記α１ないし付記α１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２０］
前記抵抗体層と前記電極層との間に介在する絶縁層を更に備え、
前記蓄熱部は、前記絶縁層に直接接している部分を有する、付記α１ないし付記α１９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２１］
前記基材は、半導体材料よりなる、付記α１ないし付記α２０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２２］
前記保護層は、前記絶縁層に直接接している、付記α２０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２３］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、付記α１ないし付記α２２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２４］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記α２３に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２５］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記α２３または付記α２４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２６］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、
前記駆動ＩＣは、前記基材内に作りこまれている、付記α１ないし付記α２５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２７］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている、付記α２３ないし付記α２５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２８］
前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる、付記α２０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α２９］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる、付記α１ないし付記α２８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α３０］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記α１ないし付記α２９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α３１］
前記基材を支持する放熱板を更に備える、付記α１ないし付記α３０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記α３２］
付記α１ないし付記α３１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
［付記β１］
互いに反対側を向く基材表面および基材裏面を有する基材と、
前記基材表面に形成された抵抗体層と、
前記基材表面に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、
樹脂よりなり且つ前記抵抗体層を覆う保護層と、
放熱板と、を備え、
前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に跨る複数の発熱部を含み、
前記複数の発熱部は、主走査方向に沿って配列され、
前記放熱板は、前記基材表面の向く側に位置している、サーマルプリントヘッド。
［付記β２］
前記保護層を構成する樹脂は、ポリイミド、ポリアミド、およびポリエチレンのいずれかである、付記β１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β３］
前記基材を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である、付記β
１または付記β２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β４］
前記基材を構成する材料は、半導体材料である、付記β１ないし付記β３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β５］
前記基材の厚さは、１０〜５０μｍである、付記β１ないし付記β４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β６］
前記基材裏面は、複数の平行な線よりなる線状痕が形成されている、付記β１ないし付記β５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β７］
前記保護層の厚さは、１〜５μｍである、付記β１ないし付記β６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β８］
前記基材表面に形成された絶縁層を更に備える、付記β１ないし付記β７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β９］
前記絶縁層は、前記抵抗体層と前記電極層とに直接接している、付記β８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１０］
前記保護層は、前記電極層に直接接している、付記β１ないし付記β９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１１］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備え、
前記樹脂層は、前記基材表面の向く側に形成されている、付記β１ないし１０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１２］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記β１１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１３］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記β１１または付記β１２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１４］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、
前記駆動ＩＣは、前記基材内に作りこまれている、付記β１ないし付記β１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１５］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている、付記β１１ないし付記β１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１６］
前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる、付記β８または付記β９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１７］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる、付記β１ないし付記β１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１８］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記β１ないし付記β１７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記β１９］
付記β１ないし付記β１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
プラテンローラと、を備え、
前記プラテンローラは、前記基材裏面の向く側に位置している、サーマルプリンタ。
＜Ｂ１実施形態＞
図５１は、本発明のＢ１実施形態のサーマルプリンタの部分断面図である。
図５１は、本発明のＢ１実施形態のサーマルプリンタの部分断面図である。
同図に示すサーマルプリンタ８００は、印刷媒体８０１に印刷を施す。印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。サーマルプリンタ８００は、サーマルプリントヘッド５０１と、プラテンローラ８０２と、を備える。
図５２は、本発明のＢ１実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。図５１は、図５２のＬＩ−ＬＩ線に沿う断面図に相当する。
これらの図に示すサーマルプリントヘッド５０１は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱部２と、複数の断熱部２６（図５６〜図５８参照）と、中間層２７（図５８参照）と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６（図５２では省略）と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。基材１１と蓄熱部２とは、基板を構成している。
図５１に示す放熱板１３は、基材１１からの熱を放散させるためのものである。放熱板１３を構成する材料としては、たとえば、Ａｌ、ＡｌＮ、Ａｇ、あるいは、Ｃｕが挙げられる。放熱板１３は、基材１１および配線基板１２を支持している。
基材１１は板状を呈している。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなる。基材１１を構成する半導体材料としては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＧａＮが挙げられる。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなるが、基材１１は半導体材料からなっていなくてもよい。たとえば、基材１１は、セラミックなどの絶縁材料よりなっていてもよい。本実施形態において、基材１１を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。本実施形態においては、蓄熱部２（後述）の熱伝導率と基材１１の熱伝導率との比は、１：１０〜６００であって、より望ましくは１：１００〜２００である。基材１１の厚さは、たとえば０．６２５〜０．７２０ｍｍである。図５２に示すように、基材１１は、主走査方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の副走査方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の主走査方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。
図５３は、図５２に示したサーマルプリントヘッドの部分拡大平面図（一部構成省略）である。図５４は、図５３の領域ＬＩＶの部分拡大平面図である。図５５は、図５４から、電極層および絶縁層を省略して示す平面図である。図５６は、図５３、図５４のＬＶＩ−ＬＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。図５７は、図５４のＬＶＩＩ−ＬＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。
図５６、図５７に示すように、基材１１は、基材表面１１１を有する。基材表面１１１は、副走査方向Ｘと主走査方向Ｙとに広がる平面状である。基材表面１１１は、主走査方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材表面１１１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（以下、方向Ｚａと言う。図５６、図５７では上方）を向く。すなわち、基材表面１１１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。
図５６、図５７に示すように、蓄熱部２は基材１１に形成されている。蓄熱部２は、基材１１の基材表面１１１の全体を覆っている。蓄熱部２は、基材表面１１１の全体を覆っている必要はなく、基材表面１１１の一部分のみを覆っていてもよい。蓄熱部２は、発熱部４１（後述）にて発生した熱を蓄えるためのものである。蓄熱部２の厚さは、たとえば、３〜１０μｍである。蓄熱部２は蓄熱部表面２１を有する。蓄熱部表面２１は方向Ｚａを向く。すなわち、蓄熱部表面２１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。本実施形態では、蓄熱部表面２１は全体にわたって平坦である。
図５６，図５７に示すように、基板（基材１１および蓄熱部２によって構成されている）には、複数の凹部２４が形成されている。凹部２４についての説明は後述する。
図５１、図５３〜図５６に示す電極層３は基材１１に形成されている。図５３における電極層３には、理解の便宜上、ハッチを付している。電極層３は抵抗体層４に積層されている。本実施形態においては、電極層３と蓄熱部２との間に、抵抗体層４が介在している。電極層３は、抵抗体層４に導通している。電極層３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成している。電極層３を構成する材料としては、たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉが挙げられる。本実施形態とは異なり、電極層３は、蓄熱部２と抵抗体層４との間に介在していてもよい。
図５４〜図５６に示すように、電極層３は、第１導電部３１と第２導電部３２とを含む。第１導電部３１および第２導電部３２は、互いに離間している。第１導電部３１と第２導電部３２の離間寸法は、たとえば、１０５μｍである。
本実施形態においては、図５３に示すように、電極層３は、複数の個別電極３３（同図には６つ示す）と、一つの共通電極３５と、複数の中継電極３７（同図には６つ示す）とを含む。より具体的には、次のとおりである。
複数の個別電極３３は、互いに導通していない。そのため、各個別電極３３には、サーマルプリントヘッド５０１の組み込まれたプリンタが使用される際に、個別に、互いに異なる電位が付与されうる。各個別電極３３は、個別電極帯状部３３１と、屈曲部３３３と、直行部３３４と、斜行部３３５と、ボンディング部３３６とを有する。図５４、図５６に示すように、各個別電極帯状部３３１は、電極層３における第１導電部３１を構成しており、副走査方向Ｘに沿って延びる帯状である。各個別電極帯状部３３１は、抵抗体層４に積層されている。屈曲部３３３は、個別電極帯状部３３１につながり、主走査方向Ｙおよび副走査方向Ｘのいずれに対しても傾斜している。直行部３３４は、副走査方向Ｘに平行にまっすぐ延びている。斜行部３３５は、主走査方向Ｙおよび副走査方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。ボンディング部３３６は、ワイヤ８１がボンディングされる部分である。本実施形態においては、個別電極帯状部３３１、屈曲部３３３、直行部３３４、および斜行部３３５の幅が、たとえば４７．５μｍ程度であり、ボンディング部３３６の幅がたとえば８０μｍ程度である。
共通電極３５は、サーマルプリントヘッド５０１の組み込まれたプリンタが使用される際に複数の個別電極３３に対して電気的に逆極性となる部位である。共通電極３５は、複数の共通電極帯状部３５１と、複数の分岐部３５３と、複数の直行部３５４と、複数の斜行部３５５と、複数の延出部３５６と、一つの基幹部３５７とを有する。各共通電極帯状部３５１は、副走査方向Ｘに延びる帯状である。図５４、図５６に示すように、各共通電極３５において、複数の共通電極帯状部３５１は、電極層３における第１導電部３１を構成しており、主走査方向Ｙに互いに離間し、且つ、互いに導通している。各共通電極帯状部３５１は、抵抗体層４に積層されている。各共通電極帯状部３５１は、個別電極帯状部３３１と主走査方向Ｙに離間している。本実施形態においては、互いに隣接した２つずつの共通電極帯状部３５１が、２つの個別電極帯状部３３１に挟まれている。複数の共通電極帯状部３５１、および複数の個別電極帯状部３３１は、主走査方向Ｙに沿って配列されている。分岐部３５３は、２つの共通電極帯状部３５１と１つの直行部３５４をつなぐ部分であり、Ｙ字状である。直行部３５４は、副走査方向Ｘに平行にまっすぐ延びている。斜行部３５５は、主走査方向Ｙおよび副走査方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。延出部３５６は、斜行部３５５につながり、副走査方向Ｘに沿って延びている。基幹部３５７は、主走査方向Ｙに延びる帯状であり、複数の延出部３５６がつながっている。本実施形態においては、共通電極帯状部３５１、直行部３５４、斜行部３５５、および延出部３５６の幅が、たとえば４７．５μｍ程度である。
複数の中継電極３７はそれぞれ、複数の個別電極３３のうちの一つと共通電極３５との間に電気的に介在する。各中継電極３７は、２つの中継電極帯状部３７１と連結部３７３とを有する。図５４、図５６に示すように、各中継電極帯状部３７１は、電極層３における第２導電部３２を構成しており、副走査方向Ｘに延びる帯状である。すなわち、電極層３における第２導電部３２と第１導電部３１とは、互いに離間しており、本実施形態においては、副走査方向Ｘに互いに離間している。複数の中継電極帯状部３７１は、主走査方向Ｙに互いに離間している。各中継電極帯状部３７１は、抵抗体層４に積層されている。複数の中継電極帯状部３７１は、抵抗体層４上において、複数の帯状部３３１，３５１とは副走査方向Ｘにおいて反対側に配置されている。各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１の一方は、複数の共通電極帯状部３５１のいずれか一つと、副走査方向Ｘに互いに離間している。各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１の他方は、複数の個別電極帯状部３３１のいずれか一つと、副走査方向Ｘに互いに離間している。複数の連結部３７３はそれぞれ、主走査方向Ｙに沿って延びている。各連結部３７３は、各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１につながる。これにより、各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１どうしが互いに導通している。
なお、電極層３は、必ずしも中継電極３７を含む必要はなく、たとえば、複数の個別電極と、これらの個別電極に隣接する共通電極と、を含むものであってもよい。
図５２〜図５７に示す抵抗体層４は基材１１に形成されている。本実施形態では、抵抗体層４は、蓄熱部２に直接形成されている。本実施形態においては、抵抗体層４は、複数の矩形状の部分を有する。抵抗体層４は、電極層３からの電流が流れた部分が発熱する。このように発熱することによって印字ドットが形成される。抵抗体層４は、電極層３を構成する材料よりも抵抗率が高い材料よりなる。抵抗体層４を構成する材料としては、たとえば、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮが挙げられる。本実施形態においては、抵抗体層４には、抵抗値の調整のため、イオン（たとえば、ホウ素）がドーピングされている。抵抗体層４の厚さは、たとえば、０．２μｍ〜１μｍである。
図５４〜図５６に示すように、抵抗体層４は、第１端面４１６と、第２端面４１７とを有する。
図５４〜図５６に示すように、第１端面４１６は、第２導電部３２（中継電極帯状部３７１）の位置する側とは反対側（すなわち、図５６の右方向）を向いている。第２端面４１７は、第１導電部３１（個別電極帯状部３３１もしくは共通電極帯状部３５１）の位置する側とは反対側（すなわち、図５６の左方向）を向いている。
図５６に示すように、抵抗体層４は、サーマルプリントヘッド５０１の使用時に発熱する複数の発熱部４１を含む。図５４、図５５に示すように、複数の発熱部４１はそれぞれ、基材１１の厚さ方向視において、第１導電部３１および第２導電部３２に跨っている。各発熱部４１は蓄熱部２に積層されている。複数の発熱部４１は、主走査方向Ｙに沿って配列されている。
図５６に示すように、発熱部４１は、第１当接部４１１および第２当接部４１２を含んでいる。第１当接部４１１は、電極層３における第１導電部３１に当接している。第２当接部４１２は、電極層３における第２導電部３２に当接している。
図５６、図５７に示すように、本実施形態では、複数の凹部２４はそれぞれ、蓄熱部表面２１から凹んでいる。複数の凹部２４はそれぞれ、厚さ方向Ｚのうち、電極層３の位置する側（図５６において上側）に開放している。
複数の凹部２４は、複数の第１凹部２４Ａと、複数の第２凹部２４Ｂと、複数の第３凹部２４Ｃと、複数の中間凹部２４Ｄと、を含む。図５５では、凹部２４を仮想線で示している。
図５５に示すように、複数の第１凹部２４Ａはそれぞれ、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに重なっている。複数の第２凹部２４Ｂはそれぞれ、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、第１方向Ｘａ（本実施形態では図５５の下側）に離間した位置に形成されている。複数の第３凹部２４Ｃはそれぞれ、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、第２方向Ｘｂ（本実施形態では図５５の上側）に離間した位置に形成されている。また、複数の第３凹部２４Ｃはそれぞれ、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、複数の第２凹部２４Ｂの位置する側とは反対側に位置している。複数の中間凹部２４Ｄはそれぞれ、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のうち互いに離間する２つの発熱部４１の間に位置している。
図５５に示すように、各凹部２４（第１凹部２４Ａと、第２凹部２４Ｂと、第３凹部２４Ｃと、中間凹部２４Ｄ）は、厚さ方向Ｚ視において、散在している。本実施形態では、各凹部２４の厚さ方向Ｚ視の形状は円形状である。各凹部２４の厚さ方向Ｚ視の形状は円形状に限定されず、たとえば、六角形状や三角形状であってもよい。複数の発熱部４１のいずれか一つの発熱部４１の面積に対する、複数の凹部２４のうち、厚さ方向Ｚ視において当該発熱部４１に重なる複数の凹部２４の占める面積の割合は、たとえば、５０〜９５％である。各凹部２４の深さは、たとえば、１〜５μｍである。各凹部２４の幅は、たとえば、１〜３μｍである。
サーマルプリントヘッド５０１において、第２凹部２４Ｂ、第３凹部２４Ｃ、中間凹部２４Ｄが形成されている必要は必ずしもない。すなわち、複数の凹部２４が、厚さ方向Ｚ視において発熱部４１と重なる位置にのみ形成されていてもよい。また、サーマルプリントヘッド５０１にて、第２凹部２４Ｂ、第３凹部２４Ｃ、および中間凹部２４Ｄの少なくともいずれかと、第１凹部２４Ａと、が形成されていてもよい。
図５６、図５７に示すように、複数の断熱部２６はそれぞれ、複数の凹部２４のいずれかに配置されている。具体的には、複数の断熱部２６はそれぞれ、複数の第１凹部２４Ａ、複数の第２凹部２４Ｂ、複数の第３凹部２４Ｃ、複数の中間凹部２４Ｄのいずれかに配置されている。
図５８は、図５６の領域ＬＶＩＩＩの部分拡大図である。
断熱部２６は、蓄熱部２よりも熱伝導率が小さい。本実施形態では、断熱部２６は空隙であり、気体が充填された状態あるいは真空状態となっている。当該気体はたとえば空気である。
図５８に示すように、本実施形態において、中間層２７は、蓄熱部２および抵抗体層４の間に位置している。本実施形態においては更に、中間層２７は、蓄熱部２と抵抗体層４とに直接接している。
中間層２７は、部分２７１および部分２７２を有する。
部分２７１は、中間層２７のうち、凹部２４に配置された部分である。すなわち、中間層２７は、複数の凹部２４に少なくとも一部が配置されている。部分２７１は、内側面２７１ａを有している。内側面２７１ａは、断熱部２６たる空隙の一部分を規定している。
部分２７２は、蓄熱部表面２１を覆っている。より具体的には、部分２７２は、厚さ方向Ｚ視において、蓄熱部表面２１における、複数の凹部２４のうち互いに隣接する２つの凹部２４の間に、配置されている。また、部分２７２は、発熱部４１と蓄熱部２との間に位置している。すなわち、中間層２７は、発熱部４１と蓄熱部２との間に位置する部位を有する。部分２７２は、部分２７１につながっている。
中間層２７は、絶縁材料よりなる。このような絶縁材料としては、たとえばシリコン酸化膜が挙げられる。中間層２７は絶縁材料よりなる必要は必ずしもなく、中間層２７は導電材料よりなっていてもよい。
図５６に示すように、絶縁層５は、発熱部４１および電極層３の間に介在している部分を有する。絶縁層５を構成する材料としては、たとえば、ＳｉＯ2、および、ＳｉＡｌＯ2が挙げられる。絶縁層５は、第１介在部５１と、第２介在部５２と、中間部５３とを含む。図５４，図５６に示すように、第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している部位である。第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。中間部５３は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１介在部５１と第２介在部５２とに挟まれている。中間部５３は、第１介在部５１および第２介在部５２につながっている。
図５４、図５６に示すように、本実施形態において、第１介在部５１には、少なくとも１以上の第１開口５１１が形成されている。図５４にて第１開口５１１は円形状である例を示しているが、第１開口５１１の形状は円形状に限られない。たとえば、第１開口５１１は矩形状であってもよい。図５４にて第１介在部５１に第１開口５１１が複数形成されている例を示しているが、第１介在部５１に形成されている第１開口５１１の個数は、１つであってもよい。第１開口５１１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第１当接部４１１が位置している。図５６に示すように、本実施形態においては更に、第１開口５１１内に、第１導電部３１の一部が形成されている。
本実施形態において、第２介在部５２には、少なくとも１以上の第２開口５２１が形成されている。図５４にて第２開口５２１は円形状である例を示しているが、第２開口５２１の形状は円形状に限られない。たとえば、第２開口５２１は矩形状であってもよい。図５４にて第２介在部５２に第２開口５２１が複数形成されている例を示しているが、第２介在部５２に形成されている第２開口５２１の個数は、１つであってもよい。第２開口５２１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第２当接部４１２が位置している。図５６に示すように、本実施形態においては更に、第２開口５２１内に、第２導電部３２の一部が形成されている。
図５４，図５６に示すように、本実施形態においては、絶縁層５は、部分５８１，５８２を含む。部分５８１は、第１介在部５１につながり且つ第１端面４１６を覆う部分である。部分５８２は、第２介在部５２につながり且つ第２端面４１７を覆う部分である。部分５８１，５８２はそれぞれ、蓄熱部２に直接接している。すなわち、絶縁層５に直接接する部分を、蓄熱部２が有している。本実施形態とは異なり、絶縁層５が部分５８１，５８２を含んでいなくてもよい。また、本実施形態とは異なり、サーマルプリントヘッド５０１が、絶縁層５を備えていなくてもよい。
図５６、図５７に示す保護層６は、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを覆っており、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを保護するためのものである。保護層６は、絶縁材料よりなる。保護層６を構成する絶縁材料としては、たとえば、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ＳｉＮおよびＳｉＯ2が挙げられる。本実施形態においては、保護層６は、電
極層３および絶縁層５に直接接している。
極層３および絶縁層５に直接接している。
保護層６には、複数の貫通窓６１（図５１には１つ示す）が形成されている。各貫通窓６１からは、ボンディング部３３６が露出している。
図５１に示す配線基板１２は、たとえば、プリント配線基板である。配線基板１２は、基材層と図示しない配線層とが積層された構造を有する。基材層は、たとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。配線層は、たとえばＣｕよりなる。
図５１、図５３に示す駆動ＩＣ７は、各個別電極３３にそれぞれ電位を付与し、各発熱部４１に流す電流を制御するものである。各個別電極３３にそれぞれ電位が付与されることにより、共通電極３５と各個別電極３３との間に電圧が印加され、各発熱部４１に選択的に電流が流れる。駆動ＩＣ７は、配線基板１２に搭載されている。図５３に示すように、駆動ＩＣ７は、複数のパッド７１を含む。複数のパッド７１は、たとえば、２列に形成されている。
図５１、図５３に示す複数のワイヤ８１は、たとえば、Ａｕなどの導体よりなる。複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１１はそれぞれ、駆動ＩＣ７にボンディングされ、且つ、電極層３にボンディングされている。より具体的には、各ワイヤ８１１は、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、ボンディング部３３６にボンディングされている。これにより、駆動ＩＣ７と各個別電極３３とが導通している。図５３に示すように、複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１２は、それぞれ、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、当該配線層を介して、駆動ＩＣ７とコネクタ８３とが導通している。同図に示すように、複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１３は、共通電極３５における基幹部３５７にボンディングされ、且つ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、共通電極３５と上記配線層とが導通している。
図５１に示す封止樹脂８２は、たとえば、黒色の樹脂よりなる。封止樹脂８２は、駆動ＩＣ７、複数のワイヤ８１、および、保護層６を覆っており、駆動ＩＣ７および複数のワイヤ８１を保護している。封止樹脂８２は保護層６に直接接する。コネクタ８３は、配線基板１２に固定されている。コネクタ８３は、サーマルプリントヘッド５０１の外部からサーマルプリントヘッド５０１へ電力を供給し、駆動ＩＣ７を制御するためのものである。
次に、サーマルプリントヘッド５０１の使用方法の一例について簡単に説明する。
サーマルプリントヘッド５０１は、サーマルプリンタ８００に組み込まれた状態で使用される。図５１に示したように、サーマルプリンタ８００内において、サーマルプリントヘッド５０１は、プラテンローラ８０２に正対している。サーマルプリンタ８００の使用時には、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、副走査方向Ｘに沿ってプラテンローラ８０２と各発熱部４１との間に一定速度で送給される。印刷媒体８０１は、プラテンローラ８０２によって保護層６のうち各発熱部４１を覆う部分に押しあてられる。一方、図５３に示した各個別電極３３には、駆動ＩＣ７によって選択的に電位が付与される。これにより、共通電極３５と複数の個別電極３３の各々との間に電圧が印加される。そして、複数の発熱部４１には選択的に電流が流れ、熱が発生する。そして、各発熱部４１にて発生した熱は、保護層６を介して印刷媒体８０１に伝わる。そして、印刷媒体８０１上の主走査方向Ｙに線状に延びる第１ライン領域に、複数のドットが印刷される。また、各発熱部４１にて発生した熱は、蓄熱部２にも伝わり、蓄熱部２にて蓄えられる。
更に、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、副走査方向Ｘに沿って一定速度で引き続き送給される。そして、上述の第１ライン領域への印刷と同様に、印刷媒体８０１上の主走査方向Ｙに線状に延びる、第１ライン領域に隣接する第２ライン領域への印刷が行われる。第２ライン領域への印刷の際、印刷媒体８０１には、各発熱部４１にて発生した熱に加え、第１ライン領域への印刷時に蓄熱部２にて蓄えられた熱が伝わる。このようにして、第２ライン領域への印刷が行われる。以上のように、印刷媒体８０１上の主走査方向Ｙに線状に延びるライン領域ごとに、複数のドットを印刷することにより、印刷媒体８０１への印刷が行われる。
次に、サーマルプリントヘッド５０１の製造方法の一例について簡単に説明する。本実施形態においてサーマルプリントヘッド５０１を製造するには、半導体プロセスを用いる。
まず、図５９に示すように、半導体基板１９を用意する。本実施形態において半導体基板１９はＳｉよりなる。次に、図６０に示すように、半導体基板１９の表面を熱酸化し、次にＣＶＤもしくはスパッタを行う。これにより、基材１１に積層された蓄熱部２が形成される。図示することは省略するが、基材１１の裏面にもＳｉＯ2層が形成される。なお、本実施形態とは異なり、半導体基板１９の表面を熱酸化する必要は必ずしもなく、ＣＶＤもしくはスパッタによって、直接、蓄熱部２を形成してもよい。
次に、図６１、図６２に示すように、蓄熱部２に、複数の凹部２４を形成する。蓄熱部２に複数の凹部２４を形成するには、たとえば、エッチングすることにより行う。
次に、図６３に示すように、蓄熱部２に中間層２７を形成する。中間層２７の形成は、たとえば、ＣＶＤ、スパッタリング、あるいは、熱酸化によって形成される。本実施形態では、中間層２７はＣＶＤによって形成される。凹部２４に中間層２７を形成する際に、断熱部２６における空隙が形成される。
次に、図６４に示すように、抵抗体層４’を形成する。抵抗体層４’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。抵抗体層４’は、基材１１の表面の全面に形成する。次に、図６５、図６６に示すように、抵抗体層４’をエッチングすることにより、抵抗体層４’’を形成する。抵抗体層４’の形成は、フォトリソグラフィーによるマスクパターンの形成と、たとえばドライエッチングにより行う。図６６に示すように、本実施形態では、抵抗体層４’’は、一方向に沿って帯状に延びる形状である。次に、抵抗体層４が所望の抵抗値になるように、抵抗体層４’’に、イオン・インプランテーション、気相拡散などによって不純物を導入する（図示略）。
次に、図６７に示すように、絶縁層５’を形成する。絶縁層５’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。次に、図６８、図６９に示すように、絶縁層５’をエッチングすることにより、上述の絶縁層５を形成する。絶縁層５’をエッチングする当該工程を経ることにより、上述の第１開口５１１および第２開口５２１が形成される。
次に、図７０、図７１に示すように、電極層３’を形成する。電極層３’の形成は、たとえば、スパッタもしくはＣＶＤにより行う。次に、図７２、図７３に示すように、電極層３’をエッチングすることにより、上述の形状の電極層３を形成する。電極層３’の形成は、フォトリソグラフィーによるマスクパターンの形成と、たとえばウエットエッチングにより行う。
次に、図７４に示すように、抵抗体層４’’をエッチングすることにより、複数の矩形状の部分を有する上述の抵抗体層４が形成される。これは、サーマルプリントヘッド５０１の使用時において、抵抗体層４内を図７４の横方向に電流が流れることを防止するためである。なお、本実施形態とは異なり、帯状の抵抗体層４’’を形成することなく、抵抗体層４’を一度エッチングすることにより、複数の矩形状の部分を有する上述の抵抗体層４を形成してもよい。
次に、図７５に示すように、保護層６’を形成する。保護層６’の形成は、たとえば、ＣＶＤにより行う。次に、図７６に示すように、保護層６’をエッチングすることにより、複数の貫通窓６１を形成する。保護層６’の形成は、フォトリソグラフィーによるマスクパターンの形成と、たとえばドライエッチングにより行う。
次に、図示は省略するが、基材１１の裏面を研磨することにより、基材１１の厚みを低減させる。次に、抵抗体層４の抵抗値の測定、および、基材１１のダイシングを行ったのち、ダイシング後の製品と、配線基板１２とを放熱板１３に配置する。次に、図５１に示した、駆動ＩＣ７を配線基板１２に搭載し、ワイヤ８１を所望の箇所にボンディングし、封止樹脂８２を形成する。これらの工程を経るなどして、図５１に示したサーマルプリントヘッド５０１が製造される。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、少なくとも一つ（本実施形態では複数）の断熱部２６のいずれか一つは、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに重なっており、且つ、基板（基材１１あるいは蓄熱部２）内に形成されている。このような構成によれば、断熱部２６が、発熱部４１にて発生した熱が基材１１に伝わることを抑制する。その結果、基材１１を構成する材料の熱伝導率が大きくても発熱部４１にて発生した熱が基材１１に逃げてしまうことを防止でき、発熱部４１にて発生した熱を、より多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への印刷品位を向上させることができる。また、発熱部４１にて発生した熱を、より多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となると、サーマルプリントヘッド５０１の消費電力を削減できる。
本実施形態においては、複数の断熱部２６は各々、厚さ方向Ｚ視において、散在している。このような構成によれば、発熱部４１にて発生した熱が基材１１に伝わることを抑制しつつ、発熱部４１にて発生した熱を蓄熱部２へと好適に伝えることもできる。よって、蓄熱部２が蓄熱する機能を好適に果たすことができる。
本実施形態においては、複数の凹部２４は、複数の第２凹部２４Ｂを含む。複数の第２凹部２４Ｂは各々、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、副走査方向Ｘに離間した位置に形成されている。複数の第２凹部２４Ｂにはそれぞれ、複数の断熱部２６のいずれか一つが配置されている。このような構成によると、第２凹部２４Ｂよりも第１方向Ｘａ側に熱が伝わってしまうことを防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印字のにじみの発生を抑制できる。また、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できることにより、発熱部４１の発熱効率を向上させることができる。これにより、印刷媒体８０１への印字を濃くすることができ、印刷品位の向上を図ることができる。
本実施形態においては、複数の凹部２４は、複数の第３凹部２４Ｃを含む。複数の第３凹部２４Ｃは各々、副走査方向Ｘにおいて、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、複数の第２凹部２４Ｂの位置する側とは反対側に位置する。複数の第３凹部２４Ｃにはそれぞれ、複数の断熱部２６のいずれか一つが配置されている。このような構成によると、第３凹部２４Ｃよりも第２方向Ｘｂ側に熱が伝わってしまうことを防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印字のにじみの発生を抑制できる。また、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できることにより、発熱部４１の発熱効率を向上させることができる。これにより、印刷媒体８０１への印字を濃くすることができ、印刷品位の向上を図ることができる。
本実施形態においては、複数の凹部２４は、複数の中間凹部２４Ｄを含む。複数の中間凹部２４Ｄは各々、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のうち互いに隣接する２つの発熱部４１の間に位置する。複数の中間凹部２４Ｄにはそれぞれ、複数の断熱部２６のいずれか一つが配置されている。このような構成によると、ある発熱部４１にて発生した熱が、蓄熱部２を経由して、蓄熱部２における、当該発熱部４１に隣接する発熱部４１の形成された領域に伝わることを防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印字のにじみの発生を抑制できる。また、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できることにより、発熱部４１の発熱効率を向上させることができる。これにより、印刷媒体８０１への印字を濃くすることができ、印刷品位の向上を図ることができる。
本実施形態においては、サーマルプリントヘッド５０１は絶縁層５を備える。絶縁層５は、電極層３および発熱部４１の間に介在している部分を有する。このような構成によると、電極層３と発熱部４１とが接触する領域を小さくすることができる。そうすると、発熱部４１に電流が流れて発熱した際に、電極層３と発熱部４１とが共晶してしまう領域を小さくすることができる。電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできると、サーマルプリントヘッド５０１の使用時に、サーマルプリントヘッド５０１の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
本実施形態においては、絶縁層５は、第１介在部５１と第２介在部５２とを有する。第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第１導電部３１と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。本実施形態においては、第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。第１導電部３１と発熱部４１とが共晶すること、または、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを防止できると、電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできる。これにより、サーマルプリントヘッド５０１の使用時に、サーマルプリントヘッド５０１の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
仮に、電極層３が抵抗体層４と蓄熱部２との間に介在している場合には、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱は、電極層３に逃げてしまうおそれがある。電極層３に逃げてしまった熱は、印刷媒体８０１への伝熱には寄与しない。一方、本実施形態においては、抵抗体層４は、電極層３および蓄熱部２の間に介在している。このような構成によると、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱が電極層３に伝わっても、電極層３に伝わった熱は、印刷媒体８０１への伝熱に寄与しうる。そのため、発熱部４１にて発生した熱をより効率的に、印刷媒体８０１に伝えることができる。すなわち、サーマルプリントヘッド５０１における印刷媒体８０１に接触する部位（保護層６）を、より速く、高温にすることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への高速印字が可能となる。
本実施形態では、基材１１は、Ｓｉよりなる。Ｓｉは、熱伝導率が大きいため、発熱部４１にて発生した熱を、より速く基材１１の外部（本実施形態では放熱板１３）へと伝えることができる。そのため、高温になった発熱部４１の温度を、より速く、低下させることができる。このことは、印刷媒体８０１への印字の高速化に適する。
本実施形態では、保護層６における貫通窓６１は、保護層６’をエッチングすることにより形成される。そうすると、保護層６における所望の部位に貫通窓６１を形成することができるから、電極層３のうち保護層６に覆われていない部分を、封止樹脂８２とは別の樹脂層（ソルダーレジスト層）で覆う必要がない。別の樹脂層（ソルダーレジスト層）を形成する必要がないことは、サーマルプリントヘッド５０１の製造効率の向上を図るのに適する。
なお、第１凹部２４Ａ、第２凹部２４Ｂ、第３凹部２４Ｃ、中間凹部２４Ｄの深さが互いに異なっていてもよい。図７７、図７８には、第２凹部２４Ｂの深さＤ２４Ｂと、第３凹部２４Ｃの深さＤ２４Ｃと、中間凹部２４Ｄの深さＤ２４Ｄと、が第１凹部２４Ａの深さＤ２４Ａよりも深い例を示している。
このような構成によると、上述の作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。
第２凹部２４Ｂの深さＤ２４Ｂが第１凹部２４Ａの深さＤ２４Ａよりも深いと、あるいは、第３凹部２４Ｃの深さＤ２４Ｃが第１凹部２４Ａの深さＤ２４Ａよりも深いと、蓄熱部２から副走査方向Ｘにより離間した領域へと熱が伝わってしまうことを更に防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを更に防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を更に抑制できる。
中間凹部２４Ｄの深さＤ２４Ｄが第１凹部２４Ａの深さＤ２４Ａよりも深いと、ある発熱部４１にて発生した熱が、蓄熱部２を経由して、蓄熱部２における、当該発熱部４１に隣接する発熱部４１の形成された領域に伝わることを更に防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを更に防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印刷のにじみの発生を更に抑制できる。
以下の説明（Ｂ１実施形態の各変形例、Ｂ２実施形態、および、Ｂ２実施形態の変形例）では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
＜Ｂ１実施形態の第１変形例＞
図７９を用いて、本発明のＢ１実施形態の第１変形例について説明する。
図７９を用いて、本発明のＢ１実施形態の第１変形例について説明する。
図７９は、本発明のＢ１実施形態の第１変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。
本変形例のサーマルプリントヘッドは、中間層２７を備えない点を除き、サーマルプリントヘッド５０１と同様である。本実施形態では、断熱部２６は凹部２４によって規定されている。このような構成によると、上述の作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。
本変形例においては、複数の凹部２４は各々、断熱部２６たる空隙の一部分を規定している。このような構成によると、サーマルプリントヘッド５０１における中間層２７を形成する必要がない。よって、本変形例のサーマルプリントヘッドは、製造の効率化を図るのに適する。
＜Ｂ１実施形態の第２変形例＞
図８０、図８１を用いて、本発明のＢ１実施形態の第２変形例について説明する。
図８０、図８１を用いて、本発明のＢ１実施形態の第２変形例について説明する。
図８０は、本発明のＢ１実施形態の第２変形例のサーマルプリントヘッドの部分断面図である。図８１は、本発明のＢ１実施形態の第２変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。
これらの図に示すサーマルプリントヘッド５０３は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱部２と、複数の断熱部２６と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。基材１１と蓄熱部２とは、基板を構成している。
サーマルプリントヘッド５０３は、凹部２４が蓄熱部表面２１に形成されているのではなく、基材１１に形成されている点において、サーマルプリントヘッド５０１と異なる。サーマルプリントヘッド５０３では、蓄熱部２が、断熱部２６の空隙の一部分を規定している。
図示は省略するが、サーマルプリントヘッド５０３を形成する際、図５９に示した半導体基板１９に凹部２４を形成する。次に、半導体基板１９の表面を熱酸化することにより、蓄熱部２が形成される。その後は、蓄熱部２に抵抗体層４’および電極層３’等を形成する工程を行うことにより、サーマルプリントヘッド５０３が製造される。
このような構成によると、サーマルプリントヘッド５０１に関して述べた作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。
本変形例においては、複数の凹部２４はそれぞれ、基材１１に形成されている。このような構成によると、基材１１により近接している位置に、断熱部２６を配置することができる。よって、発熱部４１にて発生した熱を十分に蓄熱部２へと伝える一方、蓄熱部２に伝わった熱を基材１１へ逃すことをより防止できる。これにより、印刷媒体８０１への印刷品位を向上させることができる。また、発熱部４１にて発生した熱を、より多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となると、サーマルプリントヘッド５０３の消費電力を削減できる。
また、サーマルプリントヘッド５０３では、サーマルプリントヘッド５０１における中間層２７を形成する必要がない。よって、サーマルプリントヘッド５０３は、製造の効率化を図るのに適する。
＜Ｂ１実施形態の第３変形例＞
図８２を用いて、本発明のＢ１実施形態の第３変形例について説明する。
図８２を用いて、本発明のＢ１実施形態の第３変形例について説明する。
図８２は、本発明のＢ１実施形態の第３変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。
これらの図に示すサーマルプリントヘッド５０４は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱部２と、複数の断熱部２６と、中間層２７と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。基材１１と蓄熱部２とは、基板を構成している。
同図に示すサーマルプリントヘッド５０４は、駆動ＩＣ７が基材１１に作りこまれている点において、上述のサーマルプリントヘッド５０１とは異なるが、その他の点については同様であるので、説明を省略する。なお、サーマルプリントヘッド５０４においては、基材１１は、半導体材料よりなる。また、駆動ＩＣ７と電極層３とは、蓄熱部２を貫通するビアを介して導通している。このような構成によると、サーマルプリントヘッド５０４の部品点数を削減することができる。更に、サーマルプリントヘッド５０４は、サーマルプリントヘッド５０１に関して述べたのと同様の作用効果を奏する。
＜Ｂ２実施形態＞
図８３は、本発明のＢ２実施形態のサーマルプリンタの部分断面図である。
図８３は、本発明のＢ２実施形態のサーマルプリンタの部分断面図である。
同図に示すサーマルプリンタ８００は、印刷媒体８０１に印刷を施す。印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。サーマルプリンタ８００は、サーマルプリントヘッド５０６と、プラテンローラ８０２と、を備える。
サーマルプリントヘッド５０６は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、中間体２００と、複数の断熱部２６０（図８５〜図８７も参照）と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。基材１１と中間体２００とは、基板を構成している。
基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３と、の各構成の説明は、サーマルプリントヘッド５０１について述べた説明を適用できるから、本実施形態では省略する。
図８４は、図８３に示したサーマルプリンタ８００におけるサーマルプリントヘッド５０６の部分拡大平面図（一部構成省略）である。図８５は、図８３の部分拡大断面図である。
図８４、図８５に示すように、サーマルプリントヘッド５０６には、少なくとも一つの断熱部２６０が形成されている。少なくとも一つの断熱部２６０は、基板内に（基材１１内あるいは中間体２００内に）、形成されている。本実施形態では、少なくとも一つの断熱部２６０は、中間体２００に形成されている。本実施形態とは異なり、少なくとも一つの断熱部２６０が、基材１１内に形成されていてもよい。なお、本実施形態では、断熱部２６０の個数は複数である。図８４に示すように、複数の断熱部２６０は各々、厚さ方向Ｚ視において、散在している。
図８６は、図８５の領域ＬＸＸＶＩの部分拡大図である。
断熱部２６０は、中間体２００よりも熱伝導率が小さい。本実施形態では、断熱部２６０は空隙であり、気体が充填された状態あるいは真空状態となっている。当該気体はたとえば空気である。断熱部２６０についての更なる説明は後述する。
図８５、図８６に示すように、中間体２００は基材１１上に位置している。中間体２００は、基材１１および抵抗体層４の間に介在している。中間体２００は、基材１１の基材表面１１１の全体を覆っている。
図８６に示すように、中間体２００は、第１積層膜２１０と、第２積層膜２２０と、充填防止膜２３０と、蓄熱層２５０と、を含む。
第１積層膜２１０は基材１１に位置している。本実施形態では、第１積層膜２１０は、第２積層膜２２０を介して基材１１に積層されている。第１積層膜２１０は、基材１１と、蓄熱層２５０との間に介在している。第１積層膜２１０は、ＸＹ平面に沿って広がっている。第１積層膜２１０は、たとえば絶縁性の材料よりなる。第１積層膜２１０は、たとえば、ＳｉＯ2、あるいは、ＳｉＮよりなる。本実施形態では、後述のように、第１積層
膜２１０はプラズマ酸化（プラズマＣＶＤ）によって形成される。第１積層膜２１０の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、２．０〜１０．０μｍである。
膜２１０はプラズマ酸化（プラズマＣＶＤ）によって形成される。第１積層膜２１０の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、２．０〜１０．０μｍである。
第１積層膜２１０は第１積層膜表面２１１を有する。第１積層膜表面２１１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（方向Ｚａ）を向く。すなわち、第１積層膜表面２１１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。第１積層膜表面２１１は、ＸＹ平面に沿って広がっている。
本実施形態においては、第１積層膜２１０には、少なくとも一つの凹部２４０が形成されている。本実施形態においては、凹部２４０の個数は複数である。複数の凹部２４０はそれぞれ、第１積層膜表面２１１から凹んでいる。複数の凹部２４０はそれぞれ、厚さ方向Ｚのうち、電極層３の位置する側（図８５において上側）に開放している。
図８７は、図８６のＬＸＸＶＩＩ−ＬＸＸＶＩＩ線に沿う矢視図（充填防止膜２３０を省略）である。
同図に示すように、各凹部２４０は、厚さ方向Ｚ視において、散在している。複数の断熱部２６０はそれぞれ、複数の凹部２４０のいずれかに配置されている。各凹部２４０は、厚さ方向Ｚ視において、多角形状を呈する。そして、本実施形態では、各凹部２４０は、厚さ方向Ｚ視に直交する平面による断面において、多角形状を呈する。特に本実施形態では、各凹部２４０は、厚さ方向Ｚ視に直交する平面による断面において、正六角形状を呈する。そのため、複数の凹部２４０によって、ハニカム構造が形成されている。なお、図８７に示しているように、多角形（本実施形態では正六角形）の角は、丸くなっている。各凹部２４０の厚さ方向Ｚ視に直交する平面による断面形状は正六角形状に限定されず、たとえば、円形状や三角形状であってもよい。各凹部２４０の開口部分の最大寸法Ｌ１１は、たとえば、２０〜３０μｍである。凹部２４０のピッチＰ１は、たとえば、２２〜３５μｍである。
図８６に示すように、各凹部２４０は、凹部内面２４１を有する。凹部内面２４１は湾曲した形状となっている。凹部内面２４１は、上述の断熱部２６０を規定している。
図８４に示すように、複数の凹部２４０は、複数の第１凹部２４０Ａと、複数の第２凹部２４０Ｂと、複数の第３凹部２４０Ｃと、複数の中間凹部２４０Ｄと、を含む。図８４では、凹部２４０を点線で示している。
図８４に示すように、複数の第１凹部２４０Ａはそれぞれ、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに重なっている。複数の第２凹部２４０Ｂはそれぞれ、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、第１方向Ｘａ（本実施形態では図８４の下側）に離間した位置に形成されている。複数の第３凹部２４０Ｃはそれぞれ、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、第２方向Ｘｂ（本実施形態では図８４の上側）に離間した位置に形成されている。また、複数の第３凹部２４０Ｃはそれぞれ、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、複数の第２凹部２４０Ｂの位置する側とは反対側に位置している。複数の中間凹部２４０Ｄはそれぞれ、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のうち互いに離間する２つの発熱部４１の間に位置している。
複数の第１凹部２４０Ａ、複数の第２凹部２４０Ｂ、複数の第３凹部２４０Ｃ、複数の中間凹部２４０Ｄのいずれかには、複数の断熱部２６０がそれぞれ、配置されている。
サーマルプリントヘッド５０６において、第２凹部２４０Ｂ、第３凹部２４０Ｃ、中間凹部２４０Ｄが形成されている必要は必ずしもない。すなわち、複数の第１凹部２４０Ａが、厚さ方向Ｚ視において発熱部４１と重なる位置にのみ形成されていてもよい。また、たとえば、サーマルプリントヘッド５０６にて、第２凹部２４０Ｂ、第３凹部２４０Ｃ、および中間凹部２４０Ｄの少なくともいずれかと、第１凹部２４０Ａと、が形成されていてもよい。
図８６、図８７に示すように、第１積層膜２１０は壁２１３を有する。
壁２１３は、複数の断熱部２６０を互いに仕切っている。壁２１３は、厚さ方向Ｚに起立した形状である。壁２１３は、充填防止膜２３０に接している。壁２１３は、凹部２４０における凹部内面２４１を構成している。壁２１３の最も細い部分の幅は、たとえば、２〜５μｍである。壁２１３は、厚さ方向Ｚにおいて、抵抗体層４から遠ざかるほど大きくなっている。たとえば、壁２１３の最もＺｂ側（図８６の最も下側）における壁２１３の幅Ｗ１２は、壁２１３の最も方向Ｚａ側（図８６の最も上側）における、壁２１３の幅Ｗ１１の１．５〜３．０倍程度である。壁２１３が厚さ方向Ｚにおいて、抵抗体層４から遠ざかるほど大きくなっているのは、凹部２４０がウェットエッチングによって形成される（後述）ためである。
図８６に示すように、第２積層膜２２０は基材１１に積層されている。第２積層膜２２０は、基材１１と、第１積層膜２１０との間に介在している。第２積層膜２２０は、ＸＹ平面に沿って広がっている。第２積層膜２２０は、たとえば絶縁性の材料よりなる。第２積層膜２２０は、基材１１における基材表面１１１に直接接しており、また、第１積層膜２１０に直接接している。本実施形態では、後述のように、第２積層膜２２０は、熱酸化によって形成される。第２積層膜２２０が熱酸化によって形成される場合、第２積層膜２２０は、基材１１を構成する材料の酸化物よりなる。基材１１がＳｉよりなる場合には、第２積層膜２２０はＳｉＯ2よりなる。第２積層膜２２０の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、０．５〜１．５μｍである。第２積層膜２２０は、第１積層膜２１０が基材１１から剥離することを防止するために形成されている。本実施形態とは異なり、サーマルプリントヘッド５０６に、第２積層膜２２０が形成されていなくてもよい。
図８６に示すように、充填防止膜２３０は第１積層膜２１０に積層されている。充填防止膜２３０は、凹部２４０に蓄熱層２５０が充填されてしまうことを防止するためのものである。本実施形態では、充填防止膜２３０は凹部２４０を形成するためのマスクとしても機能する。充填防止膜２３０は、第１積層膜２１０と、蓄熱層２５０との間に介在している。充填防止膜２３０は、ＸＹ平面に沿って広がっている。充填防止膜２３０は、たとえば絶縁性の材料よりなる。充填防止膜２３０は、第１積層膜２１０と、蓄熱層２５０とに直接接している。本実施形態では、後述のように、充填防止膜２３０は、熱ＣＶＤによって形成される。充填防止膜２３０は、たとえば、ＳｉＮあるいはポリシリコンよりなる。充填防止膜２３０の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、０．１〜０．３μｍである。なお、Ｂ１実施形態の中間層２７が凹部２４０に形成されている場合には、サーマルプリントヘッド５０６に、充填防止膜２３０が形成されていなくてもよい。
充填防止膜２３０は、充填防止膜表面２３１および充填防止膜裏面２３２を有する。
充填防止膜表面２３１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（方向Ｚａ）を向く。すなわち、充填防止膜表面２３１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。充填防止膜表面２３１は、ＸＹ平面に沿って広がっている。充填防止膜表面２３１は蓄熱層２５０に直接接している。
充填防止膜裏面２３２は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（方向Ｚｂ）を向く。すなわち、充填防止膜裏面２３２は、抵抗体層４の位置する側とは反対側を向く面である。充填防止膜裏面２３２は、ＸＹ平面に沿って広がっている。充填防止膜裏面２３２は第１積層膜２１０に直接接している。また、充填防止膜裏面２３２は断熱部２６０の一部を規定している。
充填防止膜２３０には、複数の貫通穴２３５が形成されている。
各貫通穴２３５は充填防止膜２３０を貫通している。具体的には、各貫通穴２３５は、充填防止膜表面２３１から充填防止膜裏面２３２へと貫通している。各貫通穴２３５は厚さ方向Ｚに沿って延びている。複数の貫通穴２３５は各々、複数の凹部２４０のいずれか一つに通じている。
図８８は、図８６のＬＸＸＶＩＩＩ−ＬＸＸＶＩＩＩ線に沿う矢視図（壁２１３、凹部２４０、断熱部２６０を透視化）である。
各貫通穴２３５の厚さ方向Ｚ視の形状によって、厚さ方向Ｚ視に直交する平面による断面における凹部２４０の形状が決定される。そのため、各貫通穴２３５の厚さ方向Ｚ視の形状は、厚さ方向Ｚ視に直交する平面による断面における凹部２４０の形状と、相似している。本実施形態では、各凹部２４０は、厚さ方向Ｚ視に直交する平面による断面において、正六角形状を呈するから、図８８に示すように、各貫通穴２３５の厚さ方向Ｚ視の形状も、正六角形状である。各貫通穴２３５の開口部分の最大寸法Ｌ１２は、凹部２４０における寸法Ｌ１１よりも小さく、たとえば、０．１〜１．０μｍである。貫通穴２３５のピッチＰ２は、凹部２４０のピッチＰ１と同一であり、たとえば、２２〜３５μｍである。
図８６に示すように、蓄熱層２５０は充填防止膜２３０に積層されている。蓄熱層２５０は、発熱部４１にて発生した熱を蓄えるためのものである。蓄熱層２５０は、第１積層膜２１０と、抵抗体層４との間に介在している。蓄熱層２５０は、ＸＹ平面に沿って広がっている。蓄熱層２５０は、たとえば絶縁性の材料よりなる。蓄熱層２５０は、充填防止膜２３０と、抵抗体層４とに直接接している。蓄熱層２５０は、ＳｉＯ２、あるいは、ＳｉＮよりなる。本実施形態では、後述のように、蓄熱層２５０はプラズマ酸化（プラズマＣＶＤ）によって形成される。蓄熱層２５０の厚さ（厚さ方向Ｚにおける寸法）は、たとえば、１．０〜１０．０μｍである。蓄熱層２５０は貫通穴２３５を塞いでいる。そして本実施形態では、蓄熱層２５０の一部は貫通穴２３５に形成されている。蓄熱層２５０と基材１１との間には、断熱部２６０が介在している。すなわち、蓄熱層２５０に対して基材１１の位置する側に、断熱部２６０が位置している。
蓄熱層２５０は蓄熱層表面２５１を有する。蓄熱層表面２５１は方向Ｚａを向く。すなわち、蓄熱層表面２５１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。本実施形態では、蓄熱層表面２５１は全体にわたって平坦である。
次に、サーマルプリントヘッド５０６の製造方法の一例について簡単に説明する。本実施形態においてサーマルプリントヘッド５０６を製造するには、半導体プロセスを用いる。
まず、図８９に示すように、半導体基板１９を用意する。本実施形態において半導体基板１９はＳｉよりなる。次に、図９０に示すように、半導体基板１９の表面を熱酸化する。これにより、基材１１に積層された第２積層膜２２０（本実施形態ではＳｉＯ2層）が
形成される。図示することは省略するが、基材１１の裏面にもＳｉＯ2層が形成される。
形成される。図示することは省略するが、基材１１の裏面にもＳｉＯ2層が形成される。
次に、図９１に示すように、第２積層膜２２０上に、第１積層膜２１０’を形成する。第１積層膜２１０’を形成はプラズマ酸化（プラズマＣＶＤ）によって形成する。
図９２は、図９１に続く一工程を示す断面図である。図９３は、図９２の部分拡大図である。
次に、図９２、図９３に示すように、第１積層膜２１０’上に充填防止膜２３０’を形成する。充填防止膜２３０’は熱ＣＶＤによって形成する。
次に、図９４に示すように、充填防止膜２３０’に複数の貫通穴２３５を形成する。貫通穴２３５を形成するには、たとえば次の通りの手順で行う。まず、充填防止膜２３０’の表面にレジスト層（図示略）を形成する。次に、当該レジスト層に対して露光する等して、レジスト層のうち、貫通穴２３５が形成されるべき部位に重なる領域を除去する。次に、ドライエッチング（異方性エッチング）を行い、貫通穴２３５を形成する。貫通穴２３５を形成した後、レジスト層を除去する。
次に、図９５に示すように、第１積層膜２１０’に、少なくとも一つ（本実施形態では複数）の凹部２４０を形成する。凹部２４０は、ウェットエッチングによって形成する。ウェットエッチングにはエッチング溶液を用いる。エッチング溶液は、貫通穴２３５を通って、第１積層膜２１０がエッチングされる。そのため、貫通穴２３５の図９５の下方に、凹部２４０が１つずつ形成される。エッチング時間を調整することにより、凹部２４０の大きさ（すなわち、壁２１３の幅）を調整できる。エッチング溶液としては、たとえば、フッ酸あるいはバッファードフッ酸を用いる。
図９６は、図９５に続く一工程を示す部分拡大断面図である。図９７は、図９６の縮小断面図である。
次に、図９６、図９７に示すように、充填防止膜２３０上に蓄熱層２５０を形成する。蓄熱層２５０は、たとえば、プラズマ酸化（プラズマＣＶＤ）によって行う。蓄熱層２５０を形成する際、蓄熱層２５０が貫通穴２３５を塞ぐ。そして、本実施形態においては、蓄熱層２５０の一部は貫通穴２３５に形成される。
その後は、図６４〜図７６を参照して説明した方法と同様に、抵抗体層４、絶縁層５、電極層３、および保護層６を形成する等により、サーマルプリントヘッド５０６が製造される。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、少なくとも一つ（本実施形態では複数）の断熱部２６０のいずれか一つは、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに重なっており、且つ、基板（基材１１あるいは中間体２００）内に形成されている。このような構成によれば、断熱部２６０が、発熱部４１にて発生した熱が基材１１に伝わることを抑制する。その結果、基材１１を構成する材料の熱伝導率が大きくても発熱部４１にて発生した熱が基材１１に逃げてしまうことを防止でき、発熱部４１にて発生した熱を、より多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への印刷品位を向上させることができる。また、発熱部４１にて発生した熱を、より多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となると、サーマルプリントヘッド５０６の消費電力を削減できる。
本実施形態においては、中間体２００は、蓄熱層２５０を有する。少なくとも一つの断熱部２６０は各々、蓄熱層２５０と基材１１との間に介在している。このような構成によると、断熱部２６０は、発熱部４１にて発生した熱が蓄熱層２５０へと伝導することを、妨げない。よって、蓄熱層２５０がより多くの熱を蓄えることができる。このことは、サーマルプリントヘッド５０６の印刷品位の向上を図るのに適する。このように本実施形態では、蓄熱する箇所と断熱する箇所とを分離することができる。
本実施形態においては、第１積層膜２１０は、複数の断熱部２６０を互いに仕切る壁２１３を有する。壁２１３は、厚さ方向Ｚに沿って起立している。このような構成によると、壁２１３が充填防止膜２３０に接合した状態で支持する。そのため、充填防止膜２３０が撓んだり、あるいは、サーマルプリントヘッド５０６の製造の際に第１積層膜２１０から剥離したりすることを防止できる。
本実施形態においては、複数の凹部２４０はいずれも、厚さ方向Ｚに直交する平面による断面において、多角形状を呈する。このような構成によると、開口率（厚さ方向Ｚ視における、単位面積当たりの凹部２４０の面積）をより大きくするのに適する。その結果、発熱部４１にて発生した熱が基材１１に逃げてしまうことをより効果的に防止でき、発熱部４１にて発生した熱を、更に多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への印刷品位を更に向上させることができる。また、発熱部４１にて発生した熱を、更に多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となると、サーマルプリントヘッド５０６の消費電力を更に削減できる。
本実施形態においては、複数の凹部２４０はいずれも、厚さ方向Ｚに直交する平面による断面において、正六角形状を呈する。すなわち、サーマルプリントヘッド５０６にはハニカム構造が形成されている。このような構成によると、開口率をより大きくするのに更に適する。したがって、開口率を大きくすることによって享受できる上述の利点を、更に効果的に享受することができる。
仮に、プラズマ酸化によって基材１１上に第１積層膜２１０を直接形成した場合、第１積層膜２１０が基材１１から剥離するおそれがある。本実施形態においては、中間体２００は、第２積層膜２２０を有する。少なくとも一つの断熱部２６０は、第２積層膜２２０と、蓄熱層２５０と、の間に位置している。第２積層膜２２０と第１積層膜２１０とは、比較的強固に接合される。そのため、第１積層膜２１０が基材１１から剥離することを防止できる。
本実施形態においては、中間体２００は、第１積層膜２１０と蓄熱層２５０との間に介在する充填防止膜２３０を有する。充填防止膜２３０には、充填防止膜２３０を貫通する複数の貫通穴２３５が形成されている。このような構成によると、蓄熱層２５０が凹部２４０に充填されることを防止できる。このことは、空隙である断熱部２６０を形成するのに適する。
本実施形態においては、複数の凹部２４０は、複数の第２凹部２４０Ｂを含む。複数の第２凹部２４０Ｂは各々、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、副走査方向Ｘに離間した位置に形成されている。複数の第２凹部２４０Ｂにはそれぞれ、複数の断熱部２６０のいずれか一つが配置されている。このような構成によると、第２凹部２４０Ｂよりも第１方向Ｘａ側に熱が伝わってしまうことを防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印字のにじみの発生を抑制できる。また、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できることにより、発熱部４１の発熱効率を向上させることができる。これにより、印刷媒体８０１への印字を濃くすることができ、印刷品位の向上を図ることができる。
本実施形態においては、複数の凹部２４０は、複数の第３凹部２４０Ｃを含む。複数の第３凹部２４０Ｃは各々、副走査方向Ｘにおいて、複数の発熱部４１のいずれか一つに対し、複数の第２凹部２４０Ｂの位置する側とは反対側に位置する。複数の第３凹部２４０Ｃにはそれぞれ、複数の断熱部２６０のいずれか一つが配置されている。このような構成によると、第３凹部２４０Ｃよりも第２方向Ｘｂ側に熱が伝わってしまうことを防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印字のにじみの発生を抑制できる。また、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できることにより、発熱部４１の発熱効率を向上させることができる。これにより、印刷媒体８０１への印字を濃くすることができ、印刷品位の向上を図ることができる。
本実施形態においては、複数の凹部２４０は、複数の中間凹部２４０Ｄを含む。複数の中間凹部２４０Ｄは各々、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のうち互いに隣接する２つの発熱部４１の間に位置する。複数の中間凹部２４０Ｄにはそれぞれ、複数の断熱部２６０のいずれか一つが配置されている。このような構成によると、ある発熱部４１にて発生した熱が、中間体２００を経由して、中間体２００における、当該発熱部４１に隣接する発熱部４１の形成された領域に伝わることを防止できる。これにより、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できる。その結果、印刷媒体８０１への印字のにじみの発生を抑制できる。また、印刷媒体８０１における所望の領域以外の領域に熱が伝わることを防止できることにより、発熱部４１の発熱効率を向上させることができる。これにより、印刷媒体８０１への印字を濃くすることができ、印刷品位の向上を図ることができる。
本実施形態においては、サーマルプリントヘッド５０６は絶縁層５を備える。絶縁層５は、電極層３および発熱部４１の間に介在している部分を有する。このような構成によると、電極層３と発熱部４１とが接触する領域を小さくすることができる。そうすると、発熱部４１に電流が流れて発熱した際に、電極層３と発熱部４１とが共晶してしまう領域を小さくすることができる。電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできると、サーマルプリントヘッド５０６の使用時に、サーマルプリントヘッド５０６の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
本実施形態においては、絶縁層５は、第１介在部５１と第２介在部５２とを有する。第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第１導電部３１と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。本実施形態においては、第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。第１導電部３１と発熱部４１とが共晶すること、または、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを防止できると、電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできる。これにより、サーマルプリントヘッド５０６の使用時に、サーマルプリントヘッド５０６の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
仮に、電極層３が抵抗体層４と中間体２００との間に介在している場合には、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱は、電極層３に逃げてしまうおそれがある。電極層３に逃げてしまった熱は、印刷媒体８０１への伝熱には寄与しない。一方、本実施形態においては、抵抗体層４は、電極層３および中間体２００の間に介在している。このような構成によると、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱が電極層３に伝わっても、電極層３に伝わった熱は、印刷媒体８０１への伝熱に寄与しうる。そのため、発熱部４１にて発生した熱をより効率的に、印刷媒体８０１に伝えることができる。すなわち、サーマルプリントヘッド５０６における印刷媒体８０１に接触する部位（保護層６）を、より速く、高温にすることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への高速印字が可能となる。
本実施形態では、基材１１は、Ｓｉよりなる。Ｓｉは、熱伝導率が大きいため、発熱部４１にて発生した熱を、より速く基材１１の外部（本実施形態では放熱板１３）へと伝えることができる。そのため、高温になった発熱部４１の温度を、より速く、低下させることができる。このことは、印刷媒体８０１への印字の高速化に適する。
本実施形態では、保護層６における貫通窓６１は、保護層６’をエッチングすることにより形成される。そうすると、保護層６における所望の部位に貫通窓６１を形成することができるから、電極層３のうち保護層６に覆われていない部分を、封止樹脂８２とは別の樹脂層（ソルダーレジスト層）で覆う必要がない。別の樹脂層（ソルダーレジスト層）を形成する必要がないことは、サーマルプリントヘッド５０６の製造効率の向上を図るのに適する。
＜Ｂ２実施形態の第１変形例＞
図９８は、本発明のＢ２実施形態の第１変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。
図９８は、本発明のＢ２実施形態の第１変形例のサーマルプリントヘッドの部分拡大断面図である。
これらの図に示すサーマルプリントヘッド５０７は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、中間体２００と、一つの断熱部２６０と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える（一部は図９８では略。図８３〜図８６等参照）。基材１１と中間体２００とは、基板を構成している。
基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３と、の各構成の説明は、サーマルプリントヘッド５０６について述べた説明を適用できるから、本変形例では省略する。
サーマルプリントヘッド５０７には、少なくとも一つの断熱部２６０が形成されている。少なくとも一つの断熱部２６０は、基板内に（基材１１内あるいは中間体２００内に）、形成されている。本変形例では、少なくとも一つの断熱部２６０は、中間体２００に形成されている。本変形例とは異なり、少なくとも一つの断熱部２６０が、基材１１内に形成されていてもよい。なお、本変形例では、断熱部２６０の個数は１である。
断熱部２６０は、中間体２００よりも熱伝導率が小さい。本変形例では、断熱部２６０は空隙であり、気体が充填された状態あるいは真空状態となっている。当該気体はたとえば空気である。断熱部２６０についての更なる説明は後述する。
中間体２００は基材１１上に配置されている。中間体２００は、基材１１および抵抗体層４の間に介在している。中間体２００は、基材１１の基材表面１１１の全体を覆っている。
中間体２００は、第１積層膜２１０と、第２積層膜２２０と、充填防止膜２３０と、蓄熱層２５０と、を含む。
第１積層膜２１０には、凹部２４０が一つのみ形成されている点、および、壁２１３が形成されていない点、を除き、サーマルプリントヘッド５０６における第１積層膜２１０と同様であるから説明を省略する。なお、凹部２４０を一つのみ形成するには、凹部２４０を形成するためのウェットエッチングをする時間を長くするとよい。
第２積層膜２２０、充填防止膜２３０、および蓄熱層２５０は、サーマルプリントヘッド５０６におけるものと同様であるから説明を省略する。
次に、本変形例の作用効果について説明する。
本変形例においては、断熱部２６０は、厚さ方向Ｚ視において、複数の発熱部４１のいずれか一つに重なっており、且つ、基板（基材１１あるいは中間体２００）内に形成されている。このような構成によれば、断熱部２６０が、発熱部４１にて発生した熱が基材１１に伝わることを抑制する。その結果、基材１１を構成する材料の熱伝導率が大きくても発熱部４１にて発生した熱が基材１１に逃げてしまうことを防止でき、発熱部４１にて発生した熱を、より多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への印刷品位を向上させることができる。また、発熱部４１にて発生した熱を、より多く印刷媒体８０１へと伝えることが可能となると、サーマルプリントヘッド５０７の消費電力を削減できる。
本変形例においては、中間体２００は、蓄熱層２５０を有する。断熱部２６０は、蓄熱層２５０と基材１１との間に介在している。このような構成によると、断熱部２６０は、発熱部４１にて発生した熱が蓄熱層２５０へと伝導することを、妨げない。よって、蓄熱層２５０がより多くの熱を蓄えることができる。このことは、サーマルプリントヘッド５０７の印刷品位の向上を図るのに適する。
仮に、プラズマ酸化によって基材１１上に第１積層膜２１０を直接形成した場合、第１積層膜２１０が基材１１から剥離するおそれがある。本変形例においては、中間体２００は、第２積層膜２２０を有する。断熱部２６０は、第２積層膜２２０と、蓄熱層２５０と、の間に位置している。第２積層膜２２０と第１積層膜２１０とは、比較的強固に接合される。そのため、第１積層膜２１０が基材１１から剥離することを防止できる。
本変形例においては、中間体２００は、第１積層膜２１０と蓄熱層２５０との間に介在する充填防止膜２３０を有する。充填防止膜２３０には、充填防止膜２３０を貫通する複数の貫通穴２３５が形成されている。このような構成によると、蓄熱層２５０が凹部２４０に充填されることを防止できる。このことは、空隙である断熱部２６０を形成するのに適する。
本変形例においては、サーマルプリントヘッド５０７は絶縁層５を備える。絶縁層５は、電極層３および発熱部４１の間に介在している部分を有する。このような構成によると、電極層３と発熱部４１とが接触する領域を小さくすることができる。そうすると、発熱部４１に電流が流れて発熱した際に、電極層３と発熱部４１とが共晶してしまう領域を小さくすることができる。電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできると、サーマルプリントヘッド５０７の使用時に、サーマルプリントヘッド５０７の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
本変形例においては、絶縁層５は、第１介在部５１と第２介在部５２とを有する。第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第１導電部３１と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。本変形例においては、第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。このような構成によると、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを、抑制できる。第１導電部３１と発熱部４１とが共晶すること、または、第２導電部３２と発熱部４１とが共晶することを防止できると、電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできる。これにより、サーマルプリントヘッド５０７の使用時に、サーマルプリントヘッド５０７の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
仮に、電極層３が抵抗体層４と中間体２００との間に介在している場合には、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱は、電極層３に逃げてしまうおそれがある。電極層３に逃げてしまった熱は、印刷媒体８０１への伝熱には寄与しない。一方、本変形例においては、抵抗体層４は、電極層３および中間体２００の間に介在している。このような構成によると、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱が電極層３に伝わっても、電極層３に伝わった熱は、印刷媒体８０１への伝熱に寄与しうる。そのため、発熱部４１にて発生した熱をより効率的に、印刷媒体８０１に伝えることができる。すなわち、サーマルプリントヘッド５０７における印刷媒体８０１に接触する部位（保護層６）を、より速く、高温にすることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への高速印字が可能となる。
本変形例では、基材１１は、Ｓｉよりなる。Ｓｉは、熱伝導率が大きいため、発熱部４１にて発生した熱を、より速く基材１１の外部（本変形例では放熱板１３）へと伝えることができる。そのため、高温になった発熱部４１の温度を、より速く、低下させることができる。このことは、印刷媒体８０１への印字の高速化に適する。
本変形例では、保護層６における貫通窓６１は、保護層６’をエッチングすることにより形成される。そうすると、保護層６における所望の部位に貫通窓６１を形成することができるから、電極層３のうち保護層６に覆われていない部分を、封止樹脂８２とは別の樹脂層（ソルダーレジスト層）で覆う必要がない。別の樹脂層（ソルダーレジスト層）を形成する必要がないことは、サーマルプリントヘッド５０７の製造効率の向上を図るのに適する。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
図５１〜図９８、および、これらの図を参照した説明にて開示された発明のバリエーションを、以下に付記として示す。
［付記１］
基板と、
前記基板に形成された抵抗体層と、
前記基板に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、
少なくとも一つの断熱部と、を備え、
前記抵抗体層は、前記基板の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に各々が跨る複数の発熱部を含み、
前記少なくとも一つの断熱部のいずれか一つは、前記基板の厚さ方向視において、前記複数の発熱部のいずれか一つに重なっており、且つ、前記基板内に形成されている、サーマルプリントヘッド。
［付記２］
前記少なくとも一つの断熱部の個数は、複数であり、
前記基板には、複数の凹部が形成され、前記複数の凹部は、前記基板の厚さ方向視において、前記複数の発熱部のいずれか一つに各々が重なる複数の第１凹部を含み、
前記複数の第１凹部にはそれぞれ、前記複数の断熱部のいずれか一つが配置されている、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３］
前記複数の断熱部は各々、空隙である、付記２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４］
前記空隙は、気体が充填された状態あるいは真空状態になっている、付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５］
前記複数の断熱部は各々、前記基板の厚さ方向視において、散在している、付記２ないし付記４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６］
前記基板の厚さ方向視における前記複数の発熱部のいずれか一つ発熱部の面積に対する、前記複数の凹部のうち、前記基板の厚さ方向視において当該発熱部に重なる複数の凹部の占める面積の割合は、５０〜９５％である、付記５に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記７］
前記複数の凹部は、前記基板の厚さ方向のうち、前記電極層の位置する側に開放している、付記２ないし付記６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記８］
前記複数の凹部は、複数の第２凹部を含み、前記複数の第２凹部は各々、前記基板の厚さ方向視において、前記複数の発熱部のいずれか一つに対し、副走査方向に離間した位置に形成され、
前記複数の第２凹部にはそれぞれ、前記複数の断熱部のいずれか一つが配置されている、付記２ないし付記７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記９］
前記複数の第２凹部の各々の深さは、前記複数の第１凹部のいずれか一つの深さよりも深い、付記８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１０］
前記複数の凹部は、複数の第３凹部を含み、前記複数の第３凹部は各々、副走査方向において、前記複数の発熱部のいずれか一つに対し、前記複数の第２凹部の位置する側とは反対側に位置し、
前記複数の第３凹部にはそれぞれ、前記複数の断熱部のいずれか一つが配置されている、付記８または付記９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１１］
前記複数の第３凹部の各々の深さは、前記複数の第１凹部のいずれか一つの深さよりも深い、付記１０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１２］
前記複数の凹部は、複数の中間凹部を含み、前記複数の中間凹部は各々、前記基板の厚さ方向視において、前記複数の発熱部のうち互いに隣接する２つの発熱部の間に位置し、
前記複数の中間凹部にはそれぞれ、前記複数の断熱部のいずれか一つが配置されている、付記２ないし付記１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１３］
前記複数の中間凹部の各々の深さは、前記複数の第１凹部のいずれか一つの深さよりも深い、付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１４］
前記基板は、基材と、前記基材に形成された蓄熱部と、を含む、付記２ないし付記１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１５］
前記蓄熱部は、前記抵抗体層の位置する側を向く蓄熱部表面を有する、付記１４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１６］
前記複数の凹部はそれぞれ、前記蓄熱部表面から凹んでいる、付記１５に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１７］
前記複数の凹部に少なくとも一部が配置された中間層を更に備え、
前記中間層は、前記空隙を規定する内側面を有する、付記３または付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１８］
前記基板は、基材と、前記基材に形成された蓄熱部と、を含み、
前記蓄熱部は、前記抵抗体層の位置する側を向く蓄熱部表面を有し、
前記中間層は、前記蓄熱部表面を覆い且つ前記複数の発熱部のいずれか一つと前記蓄熱部との間に位置する部位を有する、付記１７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１９］
前記中間層は、前記抵抗体層に直接接している、付記１７または付記１８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２０］
前記複数の凹部は各々、前記空隙の一部分を規定している、付記３または付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２１］
前記抵抗体層は、前記空隙の一部分を規定している、付記２０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２２］
前記基板は、基材と、前記基材に形成された蓄熱部と、を含み、
前記複数の凹部はそれぞれ、前記基材に形成されている、付記３または付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２３］
前記蓄熱部は各々、前記空隙の一部分を規定している、付記２２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２４］
前記抵抗体層は、前記電極層および前記蓄熱部の間に介在している、付記１５または付記１６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２５］
前記基板は、半導体材料よりなる、付記２ないし付記２４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２６］
前記抵抗体層と前記電極層とを覆う保護層を更に備える、付記２ないし付記２５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２７］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、付記２６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２８］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記２７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２９］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記２７または付記２８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３０］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、
前記駆動ＩＣは、前記基板内に作りこまれている、付記２ないし付記２９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３１］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている、付記２７ないし付記２９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３２］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれ
かよりなる、付記２ないし付記３１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３３］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記２ないし付記３２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３４］
前記基板を支持する放熱板を更に備える、付記２ないし付記３３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３５］
付記２ないし付記３４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
［付記３６］
前記少なくとも一つの断熱部は各々、空隙である、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３７］
前記空隙は、気体が充填された状態あるいは真空状態になっている、付記３６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３８］
前記基板は、基材と、中間体と、を含み、前記中間体は、前記基材および前記抵抗体層の間に介在しており、
前記少なくとも一つの断熱部は、前記中間体内に形成されている、付記３６または付記３７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３９］
前記中間体は、蓄熱層を有し、前記少なくとも一つの断熱部は各々、前記蓄熱層と前記基材との間に介在している、付記３８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４０］
前記中間体は、第１積層膜を有し、前記第１積層膜は、前記蓄熱層と前記基材との間に介在しており、
前記少なくとも一つの断熱部は各々、前記第１積層膜内に形成されている、付記３９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４１］
前記第１積層膜には、少なくとも一つの凹部が形成され、
前記少なくとも一つの凹部のいずれか一つには、前記少なくとも一つの断熱部が配置されている、付記４０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４２］
前記第１積層膜は、前記抵抗体層の位置する側を向く第１積層膜表面を有し、
前記少なくとも一つの凹部は各々、前記第１積層膜表面から凹んでいる、付記４１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４３］
前記少なくとも一つの断熱部の個数は複数であり、
前記第１積層膜は、前記複数の断熱部を互いに仕切る壁を有し、
前記壁は、前記基板の厚さ方向に沿って起立している、付記４０ないし付記４２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４４］
前記壁の幅は、前記基板の厚さ方向において前記電極層から遠ざかるほど、大きくなる、付記４３に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４５］
前記壁の最も細い部分の幅は、２〜５μｍである、付記４３または付記４４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４６］
前記少なくとも一つの凹部の個数は複数である、付記４１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４７］
前記複数の凹部はいずれも、前記基板の厚さ方向に直交する平面による断面において、多角形状を呈する、付記４６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４８］
前記複数の凹部はいずれも、前記基板の厚さ方向に直交する平面による断面において、正六角形状を呈する、付記４７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４９］
前記複数の凹部のいずれか一つの開口部分の最大寸法は、２０〜３０μｍである、付記４７または付記４８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５０］
前記中間体は、第２積層膜を有し、前記少なくとも一つの断熱部は、前記第２積層膜と、前記蓄熱層と、の間に位置している、付記４０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５１］
前記中間体は、前記第１積層膜と前記蓄熱層との間に介在する充填防止膜を有し、
前記充填防止膜には、前記充填防止膜を貫通する複数の貫通穴が形成されている、付記４１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５２］
前記複数の貫通穴は各々、前記複数の凹部のいずれかに通じている、付記５１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５３］
前記複数の貫通穴は各々、前記蓄熱層に塞がれている、付記５２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５４］
前記複数の貫通穴の形状は、前記基板の厚さ方向に直交する平面による断面における、前記複数の凹部の形状と、相似している、付記５１ないし付記５３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５５］
前記複数の貫通穴のいずれか一つの最大寸法は、０．１〜１．０μｍである、付記５１ないし付記５４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５６］
前記基板は、半導体材料よりなる、付記３６ないし付記５５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５７］
前記抵抗体層と前記電極層とを覆う保護層を更に備える、付記３６ないし付記５６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５８］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、付記５７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５９］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記５８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６０］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記５８または付記５９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６１］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備える、付記３６ないし付記６０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６２］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれ
かよりなる、付記３６ないし付記６１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６３］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記３６ないし付記６２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６４］
前記基板を支持する放熱板を更に備える、付記３６ないし付記６３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６５］
付記３６ないし付記６４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
［付記１］
基板と、
前記基板に形成された抵抗体層と、
前記基板に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、
少なくとも一つの断熱部と、を備え、
前記抵抗体層は、前記基板の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に各々が跨る複数の発熱部を含み、
前記少なくとも一つの断熱部のいずれか一つは、前記基板の厚さ方向視において、前記複数の発熱部のいずれか一つに重なっており、且つ、前記基板内に形成されている、サーマルプリントヘッド。
［付記２］
前記少なくとも一つの断熱部の個数は、複数であり、
前記基板には、複数の凹部が形成され、前記複数の凹部は、前記基板の厚さ方向視において、前記複数の発熱部のいずれか一つに各々が重なる複数の第１凹部を含み、
前記複数の第１凹部にはそれぞれ、前記複数の断熱部のいずれか一つが配置されている、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３］
前記複数の断熱部は各々、空隙である、付記２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４］
前記空隙は、気体が充填された状態あるいは真空状態になっている、付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５］
前記複数の断熱部は各々、前記基板の厚さ方向視において、散在している、付記２ないし付記４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６］
前記基板の厚さ方向視における前記複数の発熱部のいずれか一つ発熱部の面積に対する、前記複数の凹部のうち、前記基板の厚さ方向視において当該発熱部に重なる複数の凹部の占める面積の割合は、５０〜９５％である、付記５に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記７］
前記複数の凹部は、前記基板の厚さ方向のうち、前記電極層の位置する側に開放している、付記２ないし付記６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記８］
前記複数の凹部は、複数の第２凹部を含み、前記複数の第２凹部は各々、前記基板の厚さ方向視において、前記複数の発熱部のいずれか一つに対し、副走査方向に離間した位置に形成され、
前記複数の第２凹部にはそれぞれ、前記複数の断熱部のいずれか一つが配置されている、付記２ないし付記７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記９］
前記複数の第２凹部の各々の深さは、前記複数の第１凹部のいずれか一つの深さよりも深い、付記８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１０］
前記複数の凹部は、複数の第３凹部を含み、前記複数の第３凹部は各々、副走査方向において、前記複数の発熱部のいずれか一つに対し、前記複数の第２凹部の位置する側とは反対側に位置し、
前記複数の第３凹部にはそれぞれ、前記複数の断熱部のいずれか一つが配置されている、付記８または付記９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１１］
前記複数の第３凹部の各々の深さは、前記複数の第１凹部のいずれか一つの深さよりも深い、付記１０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１２］
前記複数の凹部は、複数の中間凹部を含み、前記複数の中間凹部は各々、前記基板の厚さ方向視において、前記複数の発熱部のうち互いに隣接する２つの発熱部の間に位置し、
前記複数の中間凹部にはそれぞれ、前記複数の断熱部のいずれか一つが配置されている、付記２ないし付記１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１３］
前記複数の中間凹部の各々の深さは、前記複数の第１凹部のいずれか一つの深さよりも深い、付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１４］
前記基板は、基材と、前記基材に形成された蓄熱部と、を含む、付記２ないし付記１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１５］
前記蓄熱部は、前記抵抗体層の位置する側を向く蓄熱部表面を有する、付記１４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１６］
前記複数の凹部はそれぞれ、前記蓄熱部表面から凹んでいる、付記１５に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１７］
前記複数の凹部に少なくとも一部が配置された中間層を更に備え、
前記中間層は、前記空隙を規定する内側面を有する、付記３または付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１８］
前記基板は、基材と、前記基材に形成された蓄熱部と、を含み、
前記蓄熱部は、前記抵抗体層の位置する側を向く蓄熱部表面を有し、
前記中間層は、前記蓄熱部表面を覆い且つ前記複数の発熱部のいずれか一つと前記蓄熱部との間に位置する部位を有する、付記１７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１９］
前記中間層は、前記抵抗体層に直接接している、付記１７または付記１８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２０］
前記複数の凹部は各々、前記空隙の一部分を規定している、付記３または付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２１］
前記抵抗体層は、前記空隙の一部分を規定している、付記２０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２２］
前記基板は、基材と、前記基材に形成された蓄熱部と、を含み、
前記複数の凹部はそれぞれ、前記基材に形成されている、付記３または付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２３］
前記蓄熱部は各々、前記空隙の一部分を規定している、付記２２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２４］
前記抵抗体層は、前記電極層および前記蓄熱部の間に介在している、付記１５または付記１６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２５］
前記基板は、半導体材料よりなる、付記２ないし付記２４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２６］
前記抵抗体層と前記電極層とを覆う保護層を更に備える、付記２ないし付記２５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２７］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、付記２６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２８］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記２７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２９］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記２７または付記２８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３０］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、
前記駆動ＩＣは、前記基板内に作りこまれている、付記２ないし付記２９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３１］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている、付記２７ないし付記２９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３２］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれ
かよりなる、付記２ないし付記３１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３３］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記２ないし付記３２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３４］
前記基板を支持する放熱板を更に備える、付記２ないし付記３３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３５］
付記２ないし付記３４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
［付記３６］
前記少なくとも一つの断熱部は各々、空隙である、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３７］
前記空隙は、気体が充填された状態あるいは真空状態になっている、付記３６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３８］
前記基板は、基材と、中間体と、を含み、前記中間体は、前記基材および前記抵抗体層の間に介在しており、
前記少なくとも一つの断熱部は、前記中間体内に形成されている、付記３６または付記３７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３９］
前記中間体は、蓄熱層を有し、前記少なくとも一つの断熱部は各々、前記蓄熱層と前記基材との間に介在している、付記３８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４０］
前記中間体は、第１積層膜を有し、前記第１積層膜は、前記蓄熱層と前記基材との間に介在しており、
前記少なくとも一つの断熱部は各々、前記第１積層膜内に形成されている、付記３９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４１］
前記第１積層膜には、少なくとも一つの凹部が形成され、
前記少なくとも一つの凹部のいずれか一つには、前記少なくとも一つの断熱部が配置されている、付記４０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４２］
前記第１積層膜は、前記抵抗体層の位置する側を向く第１積層膜表面を有し、
前記少なくとも一つの凹部は各々、前記第１積層膜表面から凹んでいる、付記４１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４３］
前記少なくとも一つの断熱部の個数は複数であり、
前記第１積層膜は、前記複数の断熱部を互いに仕切る壁を有し、
前記壁は、前記基板の厚さ方向に沿って起立している、付記４０ないし付記４２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４４］
前記壁の幅は、前記基板の厚さ方向において前記電極層から遠ざかるほど、大きくなる、付記４３に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４５］
前記壁の最も細い部分の幅は、２〜５μｍである、付記４３または付記４４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４６］
前記少なくとも一つの凹部の個数は複数である、付記４１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４７］
前記複数の凹部はいずれも、前記基板の厚さ方向に直交する平面による断面において、多角形状を呈する、付記４６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４８］
前記複数の凹部はいずれも、前記基板の厚さ方向に直交する平面による断面において、正六角形状を呈する、付記４７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４９］
前記複数の凹部のいずれか一つの開口部分の最大寸法は、２０〜３０μｍである、付記４７または付記４８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５０］
前記中間体は、第２積層膜を有し、前記少なくとも一つの断熱部は、前記第２積層膜と、前記蓄熱層と、の間に位置している、付記４０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５１］
前記中間体は、前記第１積層膜と前記蓄熱層との間に介在する充填防止膜を有し、
前記充填防止膜には、前記充填防止膜を貫通する複数の貫通穴が形成されている、付記４１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５２］
前記複数の貫通穴は各々、前記複数の凹部のいずれかに通じている、付記５１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５３］
前記複数の貫通穴は各々、前記蓄熱層に塞がれている、付記５２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５４］
前記複数の貫通穴の形状は、前記基板の厚さ方向に直交する平面による断面における、前記複数の凹部の形状と、相似している、付記５１ないし付記５３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５５］
前記複数の貫通穴のいずれか一つの最大寸法は、０．１〜１．０μｍである、付記５１ないし付記５４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５６］
前記基板は、半導体材料よりなる、付記３６ないし付記５５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５７］
前記抵抗体層と前記電極層とを覆う保護層を更に備える、付記３６ないし付記５６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５８］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、付記５７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５９］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記５８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６０］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記５８または付記５９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６１］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備える、付記３６ないし付記６０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６２］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれ
かよりなる、付記３６ないし付記６１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６３］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記３６ないし付記６２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６４］
前記基板を支持する放熱板を更に備える、付記３６ないし付記６３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６５］
付記３６ないし付記６４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
＜Ｃ１実施形態＞
図９９〜図１１９を用いて本発明のＣ１実施形態について説明する。
図９９〜図１１９を用いて本発明のＣ１実施形態について説明する。
図９９は、本発明のＣ１実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。図１００は、図９９のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
これらの図に示すサーマルプリントヘッド１０１は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱層２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６（図９９では省略）と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。サーマルプリントヘッド１０１は、印刷媒体８０１に印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。このような印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。
図１００に示す放熱板１３は、基材１１からの熱を放散させるためのものである。放熱板１３は、たとえばＡｌなどの金属よりなる。放熱板１３には基材１１および配線基板１２が取り付けられている。
基材１１は板状を呈している。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなる。基材１１を構成する半導体材料としては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＧａＮが挙げられる。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなるが、基材１１は半導体材料からなっていなくてもよい。たとえば、基材１１は、セラミックなどの絶縁材料よりなっていてもよい。本実施形態において、基材１１を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００（Ｗ／ｍ・ｋ）である。本実施形態においては、蓄熱層２（後述）の熱伝導率と基材１１の熱伝導率との比は、１：１００〜６００である。基材１１の厚さは、たとえば０．６２５〜０．７２０ｍｍである。図９９に示すように、基材１１は、主走査方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の副走査方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の主走査方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。
図１０１は、図９９に示したサーマルプリントヘッド１０１の部分拡大平面図（一部構成省略）である。図１０１では、絶縁層５、保護層６の一部、および、封止樹脂８２を省略している。また、図１０２は、図９９に示したサーマルプリントヘッド１０１の部分拡大断面図（図１０１のＣＩＩ−ＣＩＩ線に沿う断面の一部を拡大したもの）である。
図１０２に示すように、基材１１は基材表面１１１を有する。基材表面１１１は、方向Ｘと方向Ｙとに広がる平面状である。基材表面１１１は、方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材表面１１１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（以下、方向Ｚａと言う。図１０２では上方）を向く。すなわち、基材表面１１１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。
図１００、図１０２に示すように、蓄熱層２は基材１１に形成されている。蓄熱層２は、基材１１の基材表面１１１の全体を覆っている。蓄熱層２は、発熱部４１（後述）にて発生した熱を蓄えるためのものである。蓄熱層２の熱伝導率は、たとえば、０．５〜５（Ｗ／ｍ・ｋ）程度である。蓄熱層２の厚さは、たとえば、３μｍ以上である。図１０２に示すように、蓄熱層２は蓄熱層表面２１を有する。蓄熱層表面２１は方向Ｚａを向く。すなわち、蓄熱層表面２１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。本実施形態では、蓄熱層表面２１は全体にわたって平坦である。蓄熱層表面２１が平坦であると、半導体プロセスによって抵抗体層４や絶縁層５を形成しやすい。
図１００、図１０２に示すように、本実施形態では、蓄熱層２は、第１層２６と第２層２７とを含む。第１層２６は、第２層２７と基材１１との間に位置している。第１層２６は、基材１１を構成する半導体材料を酸化した材料よりなる層である。たとえば、基材１１を構成する半導体材料がＳｉである場合には、第１層２６はＳｉＯ2よりなる層である。第２層
２７は絶縁材料よりなる層である。第２層２７を構成する材料は、特に限定されないが、本実施形態においては、第１層２６を構成する材料と同一の材料よりなる。本実施形態とは異なり、蓄熱層２が二層構造ではなく、一層構造であってもよい。
２７は絶縁材料よりなる層である。第２層２７を構成する材料は、特に限定されないが、本実施形態においては、第１層２６を構成する材料と同一の材料よりなる。本実施形態とは異なり、蓄熱層２が二層構造ではなく、一層構造であってもよい。
図１００〜図１０２に示す電極層３は基材１１に形成されている。図１０１における電極層３には、理解の便宜上、ハッチを付している。具体的には、電極層３は蓄熱層２に積層されている。また、電極層３は抵抗体層４に積層されている。本実施形態においては、電極層３と蓄熱層２との間に、抵抗体層４が介在している。電極層３は、抵抗体層４に導通している。電極層３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成している。電極層３を構成する材料としては、たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉが挙げられる。本実施形態とは異なり、電極層３は、蓄熱層２と抵抗体層４との間に介在していてもよい。
本実施形態においては、図１０１に示すように、電極層３は、複数の個別電極３３（同図には６つ示す）と、一つの共通電極３５と、複数の中継電極３７（同図には６つ示す）とを含む。より具体的には、次のとおりである。
複数の個別電極３３は、互いに導通していない。そのため、各個別電極３３には、サーマルプリントヘッド１０１の組み込まれたプリンタが使用される際に、個別に、互いに異なる電位が付与されうる。各個別電極３３は、個別電極帯状部３３１と、屈曲部３３３と、直行部３３４と、斜行部３３５と、ボンディング部３３６とを有する。図１０２に示すように、各個別電極帯状部３３１は、抵抗体層４に積層されている。また、図１０１に示すように、各個別電極帯状部３３１は、方向Ｘに沿って延びる帯状に形成されている。屈曲部３３３は、個別電極帯状部３３１につながり、方向Ｙおよび方向Ｘのいずれに対しても傾斜している。直行部３３４は、方向Ｘに平行にまっすぐ延びている。斜行部３３５は、方向Ｙおよび方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。ボンディング部３３６は、ワイヤ８１がボンディングされる部分である。本実施形態においては、個別電極帯状部３３１、屈曲部３３３、直行部３３４、および斜行部３３５の幅が、たとえば４７．５μｍ程度であり、ボンディング部３３６の幅がたとえば８０μｍ程度である。
共通電極３５は、サーマルプリントヘッド１０１の組み込まれたプリンタが使用される際に複数の個別電極３３に対して電気的に逆極性となる部位である。共通電極３５は、複数の共通電極帯状部３５１と、複数の分岐部３５３と、複数の直行部３５４と、複数の斜行部３５５と、複数の延出部３５６と、一つの基幹部３５７とを有する。図１０２に示すように、各共通電極帯状部３５１は、抵抗体層４に積層されている。また、図１０１に示すように、各共通電極帯状部３５１は、方向Ｘに延びる帯状である。各共通電極帯状部３５１は、個別電極帯状部３３１と方向Ｙに離間している。本実施形態においては、互いに隣接した２つずつの共通電極帯状部３５１が、２つの個別電極帯状部３３１に挟まれている。複数の共通電極帯状部３５１、および複数の個別電極帯状部３３１は、方向Ｙに沿って配列されている。分岐部３５３は、２つの共通電極帯状部３５１と１つの直行部３５４をつなぐ部分であり、Ｙ字状である。直行部３５４は、方向Ｘに平行にまっすぐ延びている。斜行部３５５は、方向Ｙおよび方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。延出部３５６は、斜行部３５５につながり、方向Ｘに沿って延びている。基幹部３５７は、方向Ｙに延びる帯状であり、複数の延出部３５６がつながっている。本実施形態においては、共通電極帯状部３５１、直行部３５４、斜行部３５５、および延出部３５６の幅が、たとえば４７．５μｍ程度である。
複数の中継電極３７はそれぞれ、複数の個別電極３３のうちの一つと共通電極３５との間に電気的に介在する。図１０１に示すように、各中継電極３７は、２つの中継電極帯状部３７１と連結部３７３とを有する。各中継電極帯状部３７１は、方向Ｘに延びる帯状である。複数の中継電極帯状部３７１は、方向Ｙに互いに離間している。各中継電極帯状部３７１は、抵抗体層４に積層されている。複数の中継電極帯状部３７１は、抵抗体層４上において、複数の帯状部３３１，３５１とは方向Ｘにおいて反対側に配置されている。各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１の一方は、複数の共通電極帯状部３５１のいずれか一つと、方向Ｘに互いに離間している。各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１の他方は、複数の個別電極帯状部３３１のいずれか一つと、方向Ｘに互いに離間している。複数の連結部３７３はそれぞれ、方向Ｙに沿って延びている。各連結部３７３は、各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１につながる。これにより、各中継電極３７における２つの中継電極帯状部３７１どうしが互いに導通している。
なお、電極層３は、必ずしも中継電極３７を含む必要はなく、たとえば、複数の個別電極と、これらの個別電極に隣接する共通電極と、を含むものであってもよい。
図１００〜図１０２に示す抵抗体層４は基材１１に形成されている。本実施形態では、抵抗体層４は、蓄熱層２に直接形成されている。本実施形態においては、抵抗体層４は、Ｙ方向に沿って配列される複数の矩形部４０１を有する。抵抗体層４は、電極層３からの電流が流れた部分が発熱する。このように発熱することによって印字ドットが形成される。抵抗体層４は、電極層３を構成する材料よりも抵抗率が高い材料よりなる。抵抗体層４を構成する材料としては、たとえば、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮが挙げられる。本実施形態においては、抵抗体層４には、抵抗値の調整のため、イオン（たとえば、ホウ素）がドーピングされている。抵抗体層４の厚さは、たとえば、０．２μｍ〜１μｍである。
各矩形部４０１は、図１０２に示すように、Ｘ方向において互いに反対を向く第１端面４１６および第２端面４１７を有している。第１端面４１６は、図１０２における右方向を向いており、第２端面４１７は図１０２における左方向を向いている。
図１０２に示すように、各矩形部４０１は、サーマルプリントヘッド１０１の使用時に発熱する発熱部４１を含む。発熱部４１は、基材１１の厚さ方向視において、電極層３のうち互いに離間した２つの部位に跨るように形成されている。なお、電極層３のうち互いに離間した２つの部位は、たとえば、個別電極帯状部３３１と中継電極帯状部３７１とがそうである。個別電極帯状部３３１は矩形部４０１の中央よりも第１端面４１６寄りの領域と重なるように形成され、中継電極帯状部３７１は矩形部４０１の中央よりも第２端面４１７寄りの領域と重なるように形成されている。個別電極帯状部３３１と中継電極帯状部３７１とは、矩形部４０１の中央部を間に挟んでＸ方向に離間している。また、共通電極帯状部３５１と中継電極帯状部３７１も電極層３のうち互いに離間した２つの部位として扱うことができる。共通電極帯状部３５１は矩形部４０１の中央よりも第１端面４１６寄りの領域と重なるように形成されている。共通電極帯状部３５１と中継電極帯状部３７１とは、矩形部４０１の中央部を間に挟んでＸ方向に離間している。
図１０２に示すように、発熱部４１は、第１当接部４１１および第２当接部４１２を含んでいる。第１当接部４１１は、矩形部４０１の中央よりも第１端面４１６寄りの領域に位置し、個別電極帯状部３３１あるいは共通電極帯状部３５１と当接している。第２当接部４１２は、矩形部４０１の中央よりも第２端面４１７寄りの領域に位置し、中継電極帯状部３７１に当接している。
図１０２に示すように、絶縁層５は、発熱部４１および電極層３の間に介在している部分を有する。絶縁層５を構成する材料としては、たとえば、ＳｉＯ2、および、ＳｉＡｌＯ2が挙げられる。絶縁層５は、第１介在部５１と、第２介在部５２と、中間部５３とを含む。第１介在部５１は、個別電極帯状部３３１あるいは共通電極帯状部３５１と、発熱部４１との間に介在している部位である。第２介在部５２は、中継電極帯状部３７１と発熱部４１との間に介在している。中間部５３は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１介在部５１と第２介在部５２とに挟まれている。中間部５３は、第１介在部５１および第２介在部５２につながっている。
さらに、本実施形態においては、絶縁層５は、部分５８１，５８２を含む。部分５８１は、第１介在部５１につながりかつ第１端面４１６を覆う部分である。部分５８２は、第２介在部５２につながりかつ第２端面４１７を覆う部分である。部分５８１，５８２はそれぞれ、蓄熱層２に直接接している。すなわち、絶縁層５に直接接する部分を、蓄熱層２が有している。本実施形態とは異なり、絶縁層５が部分５８１，５８２を含んでいなくてもよい。
図１００および図１０２に示す保護層６は、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを覆っており、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを保護するためのものである。保護層６は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、発熱部４１と重なる低熱抵抗部６１と、低熱抵抗部６１よりも熱抵抗率の高い高熱抵抗部６２と、を有している。本実施形態では、低熱抵抗部６１は、高熱抵抗部６２から露出している。なお、図１０１では、保護層６のうち高熱抵抗部６２を省略している。
図１０１に示すように、低熱抵抗部６１は、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の部分を有している。なお、図１０１では省略しているが、低熱抵抗部６１の複数の部分同士の間は高熱抵抗部６２によって埋められている。このため、低熱抵抗部６１の複数の部分同士は高熱抵抗部６２によって隔てられている。本実施形態では、低熱抵抗部６１の複数の部分はそれぞれ矩形状であり、以下において各部分を矩形部６１ａと呼称する。本実施形態では、各矩形部６１ａ同士は、Ｙ方向において互いに離間している。また、複数の矩形部６１ａの個数は複数の発熱部４１の個数と同数であり、各矩形部６１ａは、複数の発熱部４１のいずれか１つと重なるように形成されている。
図１０２に示すように、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、低熱抵抗部６１のＸ方向における中央部は、矩形部４０１の中央部および絶縁層５の中間部５３と重なっている。さらに低熱抵抗部６１のＸ方向における図中右端部は第１当接部４１１と重なり、Ｘ方向における図中左端部は第２当接部４１２と重なっている。本実施形態においては、低熱抵抗部６１は、電極層３の一部および絶縁層５に直接接している。
高熱抵抗部６２は、保護層６のうち低熱抵抗部６１を除く大部分を占める部分であり、絶縁材料よりなる。高熱抵抗部６２の厚みはたとえば１〜５μｍである。高熱抵抗部６２を構成する絶縁材料としては、たとえば、ポリイミド、ポリアミド、あるいは、ポリエチレンが挙げられる。本実施形態においては、高熱抵抗部６２は、電極層３に直接接している。また、保護層６の高熱抵抗部６２には、複数の貫通窓６２１（図１００には１つ示す）が形成されている。各貫通窓６２１からは、ボンディング部３３６が露出している。
低熱抵抗部６１は、保護層６の大部分を占める高熱抵抗部６２よりも熱抵抗率が低い、すなわちより熱伝導性に優れた絶縁材料よりなる。低熱抵抗部６１を構成する絶縁材料としては、たとえば、ポリシリコンが挙げられる。ここで用いられるポリシリコンは、絶縁性を確保するために、ドーピングを行わないものである。なお、低熱抵抗部６１を構成するのに適した絶縁材料の他の例としては、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＣＢＮ等が挙げられる。
また、低熱抵抗部６１の厚みはたとえば１〜５μｍが望ましい。本実施形態では、図１０２に示すように、低熱抵抗部６１の厚さ方向Ｚにおける図中上端が、高熱抵抗部６２の厚さ方向Ｚにおける図中上端よりも上にくるように、低熱抵抗部６１の厚みは調整されている。このような調整を施すことにより、低熱抵抗部６１の一部が高熱抵抗部６２から方向Ｚａに突き出す構成を容易に得ることができる。
図１００に示す配線基板１２は、たとえば、プリント配線基板である。配線基板１２は、基材層と図示しない配線層とが積層された構造を有する。基材層は、たとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。配線層は、たとえばＣｕよりなる。
図１００、図１０１に示す駆動ＩＣ７は、各個別電極３３にそれぞれ電位を付与し、各発熱部４１に流す電流を制御するものである。各個別電極３３にそれぞれ電位が付与されることにより、共通電極３５と各個別電極３３との間に電圧が印加され、各発熱部４１に選択的に電流が流れる。駆動ＩＣ７は、配線基板１２に搭載されている。図１０１に示すように、駆動ＩＣ７は、複数のパッド７１を含む。複数のパッド７１は、たとえば、２列に形成されている。
図１００、図１０１に示す複数のワイヤ８１は、たとえば、Ａｕなどの導体よりなる。複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１１はそれぞれ、駆動ＩＣ７にボンディングされ、かつ、電極層３にボンディングされている。より具体的には、各ワイヤ８１１は、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、かつ、ボンディング部３３６にボンディングされている。これにより、駆動ＩＣ７と各個別電極３３とが導通している。図１０１に示すように、複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１２は、それぞれ、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、かつ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、当該配線層を介して、駆動ＩＣ７とコネクタ８３とが導通している。同図に示すように、複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１３は、共通電極３５における基幹部３５７にボンディングされ、かつ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、共通電極３５と上記配線層とが導通している。
図１００に示す封止樹脂８２は、たとえば、黒色の樹脂よりなる。封止樹脂８２は、駆動ＩＣ７、複数のワイヤ８１、および、保護層６を覆っており、駆動ＩＣ７および複数のワイヤ８１を保護している。封止樹脂８２は保護層６に直接接する。コネクタ８３は、配線基板１２に固定されている。コネクタ８３は、サーマルプリントヘッド１０１の外部からサーマルプリントヘッド１０１へ電力を供給し、駆動ＩＣ７を制御するためのものである。
次に、サーマルプリントヘッド１０１の使用方法の一例について簡単に説明する。
サーマルプリントヘッド１０１は、プリンタに組み込まれた状態で使用される。図１００に示したように、当該プリンタ内において、サーマルプリントヘッド１０１の各発熱部４１はプラテンローラ８０２に対向している。また、各発熱部４１と重なる低熱抵抗部６１もプラテンローラ８０２と対向している。当該プリンタの使用時には、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、方向Ｘに沿ってプラテンローラ８０２と各発熱部４１との間に一定速度で送給される。印刷媒体８０１は、プラテンローラ８０２によって低熱抵抗部６１に押しあてられる。一方、図１０１に示した各個別電極３３には、駆動ＩＣ７によって選択的に電位が付与される。これにより、共通電極３５と複数の個別電極３３の各々との間に電圧が印加される。そして、複数の発熱部４１には選択的に電流が流れ、熱が発生する。そして、各発熱部４１にて発生した熱は、低熱抵抗部６１を介して印刷媒体８０１に伝わる。そして、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びる第１ライン領域に、複数のドットが印刷される。また、各発熱部４１にて発生した熱は、蓄熱層２にも伝わり、蓄熱層２にて蓄えられる。
更に、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、方向Ｘに沿って一定速度で引き続き送給される。そして、上述の第１ライン領域への印刷と同様に、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びる、第１ライン領域に隣接する第２ライン領域への印刷が行われる。第２ライン領域への印刷の際、印刷媒体８０１には、各発熱部４１にて発生した熱に加え、第１ライン領域への印刷時に蓄熱層２にて蓄えられた熱が伝わる。このようにして、第２ライン領域への印刷が行われる。以上のように、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びるライン領域ごとに、複数のドットを印刷することにより、印刷媒体８０１への印刷が行われる。
次に、サーマルプリントヘッド１０１の製造方法の一例について簡単に説明する。本実施形態においてサーマルプリントヘッド１０１を製造するには、半導体プロセスを用いる。
まず、図１０３に示すように、半導体基板１９を用意する。本実施形態において半導体基板１９はＳｉよりなる。次に、図１０４に示すように、半導体基板１９の表面を熱酸化する。これにより、基材１１と、基材１１に積層された第１層２６とが形成される。本実施形態においては、第１層２６は、ＳｉＯ2よりなる。次に、図１０５に示すように、ＣＶＤもしくはスパッタによって、第１層２６上に第２層２７を形成する。これにより、基材１１に積層された蓄熱層２が形成される。図示することは省略するが、基材１１の裏面にもＳｉＯ2
層が形成される。なお、本実施形態とは異なり、半導体基板１９の表面を熱酸化する必要は必ずしもなく、ＣＶＤもしくはスパッタによって、直接、蓄熱層２を形成してもよい。
層が形成される。なお、本実施形態とは異なり、半導体基板１９の表面を熱酸化する必要は必ずしもなく、ＣＶＤもしくはスパッタによって、直接、蓄熱層２を形成してもよい。
次に、図１０６に示すように、抵抗体層４’を形成する。抵抗体層４’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。抵抗体層４’は、基材１１の表面の全面に形成する。次に、図１０７、図１０８に示すように、抵抗体層４’をエッチングすることにより、抵抗体層４’’を形成する。抵抗体層４’のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。図１０８に示すように、本実施形態では、抵抗体層４’’は、一方向に沿って帯状に延びる形状である。次に、抵抗体層４が所望の抵抗値になるように、抵抗体層４’’にイオンを打ち込む（図示略）。
次に、図１０９に示すように、絶縁層５’を形成する。絶縁層５’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。次に、図１１０に示すように、絶縁層５’をエッチングすることにより、上述の絶縁層５を形成する。
次に、図１１１に示すように、電極層３’を形成する。電極層３’の形成は、たとえば、スパッタもしくはＣＶＤにより行う。次に、図１１２、図１１３に示すように、電極層３’をエッチングすることにより、上述の形状の電極層３を形成する。電極層３’のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。
次に、図１１４に示すように、抵抗体層４’’をエッチングすることにより、複数の矩形状の部分（矩形部４０１）を有する上述の抵抗体層４が形成される。これは、サーマルプリントヘッド１０１の使用時において、抵抗体層４内を図１１４の横方向に電流が流れることを防止するためである。なお、本実施形態とは異なり、帯状の抵抗体層４’’を形成することなく、抵抗体層４’を一度エッチングすることにより、複数の矩形状の部分を有する上述の抵抗体層４を形成してもよい。
次に、図１１５、図１１６に示すように、低熱抵抗部６１’を形成する。低熱抵抗部６１’の形成は、たとえば、ポリシリコンを帯状の領域に塗布する、あるいは、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。次に、図１１７に示すように、低熱抵抗部６１’をエッチングすることにより、複数の矩形状の部分（矩形部６１ａ）を有する低熱抵抗部６１が形成される。これは、サーマルプリントヘッド１０１の使用時において、低熱抵抗部６１を図１１６の横方向に熱が伝わることを防止するためである。
次に、図１１８に示すように、高熱抵抗部６２’を形成する。高熱抵抗部６２’の形成は、たとえば、ＣＶＤにより行う。次に、図１１９に示すように、高熱抵抗部６２’をエッチングすることにより、複数の貫通窓６２１を形成する。高熱抵抗部６２のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。低熱抵抗部６１と高熱抵抗部６２とが形成されることにより保護層６が完成する。
次に、図示は省略するが、基材１１の裏面を研磨することにより、基材１１の厚みを低減させる。次に、抵抗体層４の抵抗値の測定、および、基材１１のダイシングを行ったのち、ダイシング後の製品と、配線基板１２とを放熱板１３に配置する。次に、図１００に示した、駆動ＩＣ７を配線基板１２に搭載し、ワイヤ８１を所望の箇所にボンディングし、封止樹脂８２を形成する。これらの工程を経るなどして、図１００に示したサーマルプリントヘッド１０１が製造される。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、保護層６が熱抵抗率の異なる低熱抵抗部６１と高熱抵抗部６２とを備えており、厚さ方向Ｚ視において発熱部４１と重なる位置には低熱抵抗部６１が配置されている。発熱部４１で生じた熱は低熱抵抗部６１を経由して印刷媒体８０１へ伝わる。この際、高熱抵抗部６２は低熱抵抗部６１よりも熱抵抗率が高いため、低熱抵抗部６１を伝わる熱は高熱抵抗部６２には伝わりにくくなっている。すなわち、本実施形態においては、保護層６内で熱が拡散しにくくなっており、発熱部４１からの熱を効率的に印刷媒体８０１へ伝達することが可能である。従って、サーマルプリントヘッド１０１は、従来よりも小さな熱量でも印刷を行うことが可能となり、印刷時の消費電力の削減を図ることができる。
さらに、本実施形態では、低熱抵抗部６１が高熱抵抗部６２から突き出すように露出している。このため、サーマルプリントヘッド１０１をプリンタに組み込んで使用する際には、印刷媒体８０１はプラテンローラ８０２によって低熱抵抗部６１に押しあてられることになる。このような構成は、保護層６で熱が拡散するのを防ぐのに適している。
さらに、本実施形態においては、低熱抵抗部６１が複数の矩形部６１ａに分割されており、各矩形部６１ａ同士は比較的熱抵抗率の高い高熱抵抗部６２によって隔てられている。このため、各発熱部４１で発生した熱が拡散するのを防ぎやすくなっている。このことは、印刷媒体８０１への印刷時ににじみが生じるのを防ぐ上で好ましいことである。
さらに、本実施形態においては、サーマルプリントヘッド１０１は絶縁層５を備える。絶縁層５は、電極層３および発熱部４１の間に介在している部分を有する。このような構成によると、電極層３と発熱部４１とが接触する領域を小さくすることができる。そうすると、発熱部４１に電流が流れて発熱した際に、電極層３と発熱部４１とが共晶してしまう領域を小さくすることができる。電極層３と発熱部４１とが共晶する領域を小さくできると、サーマルプリントヘッド１０１の使用時に、サーマルプリントヘッド１０１の抵抗値が変化してしまう不具合を抑制できる。
仮に、電極層３が抵抗体層４と蓄熱層２との間に介在している場合には、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱は、電極層３に逃げてしまうおそれがある。電極層３に逃げてしまった熱は、印刷媒体８０１への伝熱には寄与しない。一方、本実施形態においては、抵抗体層４は、電極層３および蓄熱層２の間に介在している。このような構成によると、抵抗体層４における発熱部４１にて発生した熱が電極層３に伝わっても、電極層３に伝わった熱は、印刷媒体８０１への伝熱に寄与しうる。そのため、発熱部４１にて発生した熱をより効率的に、印刷媒体８０１に伝えることができる。すなわち、サーマルプリントヘッド１０１における印刷媒体８０１に接触する部位（保護層６）を、より速く、高温にすることが可能となる。これにより、印刷媒体８０１への高速印字が可能となる。
本実施形態では、基材１１は、Ｓｉよりなる。Ｓｉは、熱伝導率が大きいため、発熱部４１にて発生した熱を、より速く基材１１の外部（本実施形態では放熱板１３）へと伝えることができる。そのため、高温になった発熱部４１の温度を、より速く、低下させることができる。このことは、印刷媒体８０１への印字の高速化に適する。
一方で、基材１１側に伝わる熱量が大きくなり過ぎると、保護層６に伝わる熱量が小さくなり、印刷時に省電力化を図りにくくなる問題がある。本実施形態における低熱抵抗部６１はポリシリコン製であり、Ｓｉ製の基材１１よりも熱伝導率を大きくすることが可能である。このため、低熱抵抗部６１に伝わる熱量を相対的に大きくすることは容易であり、基材１１側に伝わる熱量が大きくなり過ぎること防ぎやすくなっている。
本実施形態では、高熱抵抗部６２における貫通窓６２１は、高熱抵抗部６２’をエッチングすることにより形成される。そうすると、高熱抵抗部６２における所望の部位に貫通窓６２１を形成することができるから、電極層３のうち保護層６に覆われていない部分を、封止樹脂８２とは別の樹脂層（ソルダーレジスト層）で覆う必要がない。別の樹脂層（ソルダーレジスト層）を形成する必要がないことは、サーマルプリントヘッド１０１の製造効率の向上を図るのに適する。
＜Ｃ２実施形態＞
図１２０を用いて、本発明のＣ２実施形態について説明する。
図１２０を用いて、本発明のＣ２実施形態について説明する。
以下の説明では、上記（Ｃ１実施形態）と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
図１２０は、本発明のＣ２実施形態のサーマルプリントヘッドの要部拡大断面図である。
同図に示すサーマルプリントヘッド１０２は、低熱抵抗部６１が絶縁部６１１および導体部６１２を有している点でサーマルプリントヘッド１０１と異なっている。絶縁部６１１は、導体部６１２と発熱部４１との間に介在しており、電極層３および絶縁層５と直接接している。導体部６１２は絶縁部６１１と直接接している。絶縁部６１１は、導体部６１２が電極層３に接するのを防いでいる。
絶縁部６１１は、サーマルプリントヘッド１０１における低熱抵抗部６１と同様にドーピングされていないポリシリコンからなる。導体部６１２は金属製である。具体的には、導体部６１２は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、あるいは、Ｔｉの少なくともいずれかからなる。
本実施形態では、発熱部４１で発生した熱は導体部６１２を経由して印刷媒体８０１に伝わる。導体部６１２は金属製であり、高熱抵抗部６２よりも熱抵抗率が小さいため、絶縁部６１１から高熱抵抗部６２へ熱が拡散しにくくなっている。このため、サーマルプリントヘッド１０２においても、発熱部４１が発した熱を無駄に拡散させることなく効率的に印刷媒体８０１へ伝えることができる。一方で、金属製の導体部６１２が電極層３と接触することは望ましくなく、絶縁部６１１を設けるのは理に適う構成である。
なお、絶縁部６１１をポリシリコン以外の材質を用いて形成しても構わない。具体的には、絶縁部６１１がＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2からなる構成であってもよい。また、導体部６１２は必ずしも金属製である必要はない。たとえば、導体部６１２をＳｉで形成することも可能である。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
たとえば、上述した実施形態では、低熱抵抗部６１と発熱部４１との間に絶縁層５が介在する構成となっているが、発熱部４１と低熱抵抗部６１とが直接に接する構成であってもよい。絶縁層５の一部を除去することで、発熱部４１と低熱抵抗部６１とが直接に接する構成は容易に実現可能である。なお、上述したサーマルプリントヘッド１０１，１０２は絶縁層５を備えた構成であるが、絶縁層５を備えない構成としてもよい。その場合にも発熱部４１と低熱抵抗部６１とが直接に接する構成となる。
また、上述した実施形態では、低熱抵抗部６１が複数の部分（矩形部６１ａ）を有する構成であるが、低熱抵抗部６１の複数の部分の形状は矩形状に限定されず、様々な形状とすることが可能である。また、低熱抵抗部６１の形状は、各発熱部４１と個々に重なる複数の部分を有する形状にも限定されない。たとえば、低熱抵抗部６１が、複数の発熱部４１が並ぶ方向に沿って延びる帯状に形成されていても構わない。
また、上述した実施形態では、低熱抵抗部６１が高熱抵抗部６２から突き出す構成となっているが、このような構成に限定されることもない。たとえば、低熱抵抗部６１が高熱抵抗部６２に対して僅かに凹むような形状であっても構わない。そのような形状であっても、プラテンローラ８０２を用いて印刷媒体８０１を低熱抵抗部６１に押し当てることは可能である。
また、上述した実施形態では、低熱抵抗部６１が高熱抵抗部６２から露出する構成であるが、このような構成に限定されることもない。仮に、高熱抵抗部６２によって低熱抵抗部６１が完全に覆われる構成であっても、低熱定抵抗部６１が設けられている分だけ発熱部４１からの熱は伝わり易くなっており、一定の効果を期待することができる。
図９９〜図１２０、および、これらの図を参照した説明にて開示された発明のバリエーションを、以下に付記として示す。
［付記１］
基材と、
前記基材に形成された蓄熱層と、
前記基材に形成された抵抗体層と、
前記基材に形成されかつ前記抵抗体層に導通する電極層と、
前記抵抗体層および前記電極層を覆う保護層と、を備え、
前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に跨る複数の発熱部を含み、
前記保護層は、前記基材の厚み方向視において、前記複数の発熱部と重なる低熱抵抗部と、前記低熱抵抗部よりも熱抵抗率の高い高熱抵抗部と、を有していることを特徴とする、サーマルプリントヘッド。
［付記２］
前記複数の発熱部は、主走査方向に沿って並んでおり、
前記低熱抵抗部は、主走査方向に沿って並ぶ複数の部分を有しており、
前記低熱抵抗部の前記各部分は、前記複数の発熱部のいずれかと重なっている、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３］
前記低熱抵抗部の前記複数の部分は、それぞれ互いに離間している、付記２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４］
前記低熱抵抗部は絶縁材料からなり、かつ、前記電極層と直接接している、付記１ないし付記３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５］
前記低熱抵抗部は、ポリシリコンからなる、付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６］
前記低熱抵抗部は、前記電極層と直接接する絶縁部と、前記絶縁部と直接接する導体部とを有している、付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記７］
前記絶縁部は、前記導体部と前記発熱部との間に介在している、付記６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記８］
前記導体部は、金属製である、付記７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記９］
前記導体部は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、あるいは、Ｔｉの少なくともいずれかからなる、付記８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１０］
前記絶縁部は、ポリシリコン、ＳｉＯ2あるいはＳｉＡｌＯ2の少なくともいずれかよりなる、付記６ないし付記９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１１］
前記高熱抵抗部は、ポリイミド、ポリアミド、あるいは、ポリエチレンの少なくともいずれかよりなる、付記１ないし付記１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１２］
前記低熱抵抗部が、前記高熱抵抗部から露出している、付記１ないし付記１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１３］
前記低熱抵抗部は、前記高熱抵抗部から突き出している、付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１４］
前記基材の厚み方向における前記低熱抵抗部の厚みは１〜５μｍである、付記１ないし付記１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１５］
前記基材が半導体材料よりなる、付記１ないし付記１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１６］
前記抵抗体層は、前記電極層および前記蓄熱層の間に介在している、付記１ないし付記１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１７］
前記抵抗体層と前記電極層との間に介在する絶縁層を更に備え、
前記蓄熱層は、前記絶縁層に直接接している部分を有する、付記１ないし付記１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１８］
前記保護層は、前記絶縁層に直接接している、付記１７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１９］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、付記１ないし付記１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２０］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記１９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２１］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記１９または付記２０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２２］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている、付記１９ないし付記２１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２３］
前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる、付記１７または１８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２４］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれ
かよりなる、付記１ないし付記２３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２５］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記１ないし付記２４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２６］
前記基材を支持する放熱板を更に備える、付記１ないし付記２５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２７］
付記１ないし付記２６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
［付記２８］
前記低熱抵抗部が、前記プラテンローラと対向している、付記２７に記載のサーマルプリンタ。
［付記１］
基材と、
前記基材に形成された蓄熱層と、
前記基材に形成された抵抗体層と、
前記基材に形成されかつ前記抵抗体層に導通する電極層と、
前記抵抗体層および前記電極層を覆う保護層と、を備え、
前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に跨る複数の発熱部を含み、
前記保護層は、前記基材の厚み方向視において、前記複数の発熱部と重なる低熱抵抗部と、前記低熱抵抗部よりも熱抵抗率の高い高熱抵抗部と、を有していることを特徴とする、サーマルプリントヘッド。
［付記２］
前記複数の発熱部は、主走査方向に沿って並んでおり、
前記低熱抵抗部は、主走査方向に沿って並ぶ複数の部分を有しており、
前記低熱抵抗部の前記各部分は、前記複数の発熱部のいずれかと重なっている、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記３］
前記低熱抵抗部の前記複数の部分は、それぞれ互いに離間している、付記２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記４］
前記低熱抵抗部は絶縁材料からなり、かつ、前記電極層と直接接している、付記１ないし付記３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記５］
前記低熱抵抗部は、ポリシリコンからなる、付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記６］
前記低熱抵抗部は、前記電極層と直接接する絶縁部と、前記絶縁部と直接接する導体部とを有している、付記４に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記７］
前記絶縁部は、前記導体部と前記発熱部との間に介在している、付記６に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記８］
前記導体部は、金属製である、付記７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記９］
前記導体部は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、あるいは、Ｔｉの少なくともいずれかからなる、付記８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１０］
前記絶縁部は、ポリシリコン、ＳｉＯ2あるいはＳｉＡｌＯ2の少なくともいずれかよりなる、付記６ないし付記９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１１］
前記高熱抵抗部は、ポリイミド、ポリアミド、あるいは、ポリエチレンの少なくともいずれかよりなる、付記１ないし付記１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１２］
前記低熱抵抗部が、前記高熱抵抗部から露出している、付記１ないし付記１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１３］
前記低熱抵抗部は、前記高熱抵抗部から突き出している、付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１４］
前記基材の厚み方向における前記低熱抵抗部の厚みは１〜５μｍである、付記１ないし付記１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１５］
前記基材が半導体材料よりなる、付記１ないし付記１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１６］
前記抵抗体層は、前記電極層および前記蓄熱層の間に介在している、付記１ないし付記１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１７］
前記抵抗体層と前記電極層との間に介在する絶縁層を更に備え、
前記蓄熱層は、前記絶縁層に直接接している部分を有する、付記１ないし付記１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１８］
前記保護層は、前記絶縁層に直接接している、付記１７に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記１９］
配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、付記１ないし付記１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２０］
前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、付記１９に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２１］
前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、付記１９または付記２０に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２２］
前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている、付記１９ないし付記２１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２３］
前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる、付記１７または１８に記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２４］
前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれ
かよりなる、付記１ないし付記２３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２５］
前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、付記１ないし付記２４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２６］
前記基材を支持する放熱板を更に備える、付記１ないし付記２５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
［付記２７］
付記１ないし付記２６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
［付記２８］
前記低熱抵抗部が、前記プラテンローラと対向している、付記２７に記載のサーマルプリンタ。
上記したサーマルプリントヘッド等における特徴は、異なる実施形態におけるものであっても、適宜組み合わせることが可能である。
Ａ１００，Ａ１０１，Ａ１０２，Ａ１０３，Ｂ１００，Ｂ１０１，Ｂ１０２，Ｃ１００，Ｃ１０１，Ｄ１００ サーマルプリントヘッド
Ａ８００，Ｂ８００，Ｃ８００ サーマルプリンタ
１１ 基材
１１１ 基材表面
１１２ 基材裏面
１１３ａ 凹部
１１３ｂ 第１溝
１１３ｃ 第２溝
１２ 配線基板
１３ 放熱板
１９ 半導体基板
２ 蓄熱部
２１ 蓄熱部表面
２１１ 第１縁
２１２ 第２縁
２９１ 第１バリア部
２９２ 第２バリア部
３ 電極層
３３ 個別電極
３３１ 個別電極帯状部
３３３ 屈曲部
３３４ 直行部
３３５ 斜行部
３３６ ボンディング部
３５ 共通電極
３５１ 共通電極帯状部
３５３ 分岐部
３５４ 直行部
３５５ 斜行部
３５６ 延出部
３５７ 基幹部
３７ 中継電極
３７１ 中継電極帯状部
３７３ 連結部
４ 抵抗体層
４１ 発熱部
４１１ 第１当接部
４１２ 第２当接部
４１６ 第１端面
４１７ 第２端面
５ 絶縁層
５１ 第１介在部
５１１ 第１開口
５２ 第２介在部
５２１ 第２開口
５３ 中間部
５８ 中間層
５８１ 中間層表面
５８２ 平坦面
５８３ 第１曲面
５８４ 第２曲面
６ 保護層
６１ 貫通窓
７ 駆動ＩＣ７１ パッド
８１，８１１，８１２，８１３ ワイヤ
８２ 封止樹脂
８３ コネクタ
８０２ プラテンローラ
Ｄ１１ 深さ
Ｄ１２ 深さ
Ｄ１３ 深さ
７９１ 第１溝部
１１５ａ 第１基材溝側面
１１５ｂ 第１基材溝底面
７９２ 第２溝部
１１６ａ 第２基材溝側面
１１６ｂ 第２基材溝底面
７９３ 第３溝部
１１７ａ 第３基材溝側面
１１７ｂ 第３基材溝底面
２５ａ 第１蓄熱部溝側面
２６ａ 第２蓄熱部溝側面
２７ａ 第３蓄熱部溝側面
４１８ 第１抵抗側面
４１９ 第２抵抗側面
６５ａ 第１保護層溝側面
６６ａ 第２保護層溝側面
６７ａ 第３保護層溝側面
５９ 絶縁層
１１２ａ 線状痕
３’ 電極層
３１ 第１導電部
３２ 第２導電部
４’，４’’ 抵抗体層
５’ 絶縁層
６’ 保護層
８０１ 印刷媒体
２８１ 第１部分
２８２ 第２部分
１１３ｆ トレンチ
１１３ｇ 内周面
２６ 空隙
Ｘ 副走査方向
Ｙ 主走査方向
Ｚ 厚さ方向
Ｚａ 方向
Ｚｂ 方向
Ｘａ 第１方向
Ｘｂ 第２方向
Ａ８００，Ｂ８００，Ｃ８００ サーマルプリンタ
１１ 基材
１１１ 基材表面
１１２ 基材裏面
１１３ａ 凹部
１１３ｂ 第１溝
１１３ｃ 第２溝
１２ 配線基板
１３ 放熱板
１９ 半導体基板
２ 蓄熱部
２１ 蓄熱部表面
２１１ 第１縁
２１２ 第２縁
２９１ 第１バリア部
２９２ 第２バリア部
３ 電極層
３３ 個別電極
３３１ 個別電極帯状部
３３３ 屈曲部
３３４ 直行部
３３５ 斜行部
３３６ ボンディング部
３５ 共通電極
３５１ 共通電極帯状部
３５３ 分岐部
３５４ 直行部
３５５ 斜行部
３５６ 延出部
３５７ 基幹部
３７ 中継電極
３７１ 中継電極帯状部
３７３ 連結部
４ 抵抗体層
４１ 発熱部
４１１ 第１当接部
４１２ 第２当接部
４１６ 第１端面
４１７ 第２端面
５ 絶縁層
５１ 第１介在部
５１１ 第１開口
５２ 第２介在部
５２１ 第２開口
５３ 中間部
５８ 中間層
５８１ 中間層表面
５８２ 平坦面
５８３ 第１曲面
５８４ 第２曲面
６ 保護層
６１ 貫通窓
７ 駆動ＩＣ７１ パッド
８１，８１１，８１２，８１３ ワイヤ
８２ 封止樹脂
８３ コネクタ
８０２ プラテンローラ
Ｄ１１ 深さ
Ｄ１２ 深さ
Ｄ１３ 深さ
７９１ 第１溝部
１１５ａ 第１基材溝側面
１１５ｂ 第１基材溝底面
７９２ 第２溝部
１１６ａ 第２基材溝側面
１１６ｂ 第２基材溝底面
７９３ 第３溝部
１１７ａ 第３基材溝側面
１１７ｂ 第３基材溝底面
２５ａ 第１蓄熱部溝側面
２６ａ 第２蓄熱部溝側面
２７ａ 第３蓄熱部溝側面
４１８ 第１抵抗側面
４１９ 第２抵抗側面
６５ａ 第１保護層溝側面
６６ａ 第２保護層溝側面
６７ａ 第３保護層溝側面
５９ 絶縁層
１１２ａ 線状痕
３’ 電極層
３１ 第１導電部
３２ 第２導電部
４’，４’’ 抵抗体層
５’ 絶縁層
６’ 保護層
８０１ 印刷媒体
２８１ 第１部分
２８２ 第２部分
１１３ｆ トレンチ
１１３ｇ 内周面
２６ 空隙
Ｘ 副走査方向
Ｙ 主走査方向
Ｚ 厚さ方向
Ｚａ 方向
Ｚｂ 方向
Ｘａ 第１方向
Ｘｂ 第２方向
Claims (37)
- 凹部が形成された基材と、
前記凹部に形成された蓄熱部と、
前記基材に形成された抵抗体層と、
前記基材に形成され且つ前記抵抗体層に導通する電極層と、を備え、
前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記電極層のうち互いに離間した２つの部位に跨る発熱部を含み、
前記発熱部は、前記厚さ方向視において、前記凹部に重なる位置に位置しており、前記基材を構成する材料の熱伝導率は、１００〜３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である、サーマルプリントヘッド。 - 前記蓄熱部を構成する材料の熱伝導率と前記基材を構成する材料の熱伝導率との比は、１：１０〜６００である、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記蓄熱部は、前記基材の厚さ方向視において、副走査方向における一方である第１方向に前記発熱部からはみ出た部位と、前記第１方向とは反対の第２方向に前記発熱部からはみ出た部位と、を有する、請求項１または請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記基材を構成する材料の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料よりなる第１バリア部を更に備え、
前記基材には、前記凹部に対し副走査方向に離間する第１溝が形成されており、
前記第１バリア部は、前記第１溝に形成されている、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記第１バリア部は、前記基材の厚さ方向視において、前記発熱部に対し副走査方向に離間した位置に形成されている、請求項４に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記第１溝の深さは、前記凹部の深さよりも深い、請求項４または請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記第１溝は、主走査方向に沿って延びる形状である、請求項４ないし請求項６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記第１バリア部を構成する材料は、前記蓄熱部を構成する材料と同一の材料よりなる、請求項４ないし請求項７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記基材を構成する材料の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料よりなる第２バリア部を更に備え、
前記基材には、前記凹部に対し副走査方向に離間する第２溝が形成されており、
前記凹部は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１溝および前記第２溝の間に位置しており、
前記第２バリア部は、前記第２溝に形成されている、請求項４ないし請求項８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記第２バリア部は、前記基材の厚さ方向視において、前記発熱部に対し副走査方向に離間した位置に形成されている、請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記第２溝の深さは、前記凹部の深さよりも深い、請求項９または請求項１０に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記第２溝は、主走査方向に沿って延びる形状である、請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記第２バリア部を構成する材料は、前記蓄熱部を構成する材料と同一の材料よりなる、請求項９ないし請求項１２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記発熱部および前記蓄熱部の間に介在する中間層を更に備える、請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記中間層は、前記発熱部の位置する側を向く中間層表面を有し、
前記中間層表面は、前記基材の厚さ方向視において前記発熱部に重なる平坦面を有する、請求項１４に記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記平坦面の副走査方向における寸法は、前記発熱部の副走査方向における寸法よりも、大きい、請求項１５に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記中間層表面は、前記平坦面から連続する第１曲面を有し、
前記第１曲面は、前記平坦面から遠ざかるにつれて前記基材に近づき、
前記電極層は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１曲面に重なる部位を有する、請求項１５または請求項１６に記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記中間層表面は、前記平坦面から連続する第２曲面を有し、
前記平坦面は、前記第１曲面および前記第２曲面の間に位置しており、
前記第２曲面は、前記平坦面から遠ざかるにつれて前記基材に近づき、
前記電極層は、前記基材の厚さ方向視において、前記第２曲面に重なる部位を有する、請求項１７に記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記電極層および前記基材の間に介在する絶縁層を更に備える、請求項１ないし請求項１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記基材は、前記凹部が形成された基材表面を有し、
前記絶縁層は、前記基材表面に直接接している、請求項１９に記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記抵抗体層は、副走査方向の一方を向く第１端面を有し、
前記絶縁層は、前記第１端面を覆う部分を含む、請求項１９または請求項２０に記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記抵抗体層は、前記第１端面の位置する側とは反対側を向く第２端面を有し、
前記絶縁層は、前記第２端面を覆う部分を含む、請求項２１に記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記基材は、半導体材料よりなる、請求項１ないし請求項２２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記抵抗体層と前記電極層と前記絶縁層とを覆う保護層を更に備える、請求項１９に記載のサーマルプリントヘッド。
- 配線基板と、
複数のワイヤと、
前記配線基板、前記複数のワイヤ、および、前記保護層を覆う樹脂層と、を更に備える、請求項２４に記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記保護層には、貫通窓が形成されており、
前記電極層は、前記貫通窓から露出するボンディング部を含み、
前記ボンディング部には、前記複数のワイヤのいずれかがボンディングされている、請求項２５に記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記樹脂層は、前記保護層に直接接している、請求項２５または請求項２６に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、
前記駆動ＩＣは、前記基材内に作りこまれている、請求項１ないし請求項２７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 - 前記電極層に電流を流す駆動ＩＣを更に備え、前記駆動ＩＣは、前記配線基板に搭載されている、請求項２５に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる、請求項１９ないし請求項２２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記抵抗体層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる、請求項１ないし請求項３０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記電極層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、請求項１ないし請求項３１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記基材を支持する放熱板を更に備える、請求項１ないし請求項３２のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記蓄熱部は、前記基材に食い込む形状の第１部分を有している、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記蓄熱部は、前記第１部分と、前記発熱部との間に介在する第２部分を有している、請求項３４に記載のサーマルプリントヘッド。
- 前記第１部分の内部には、複数の空隙が形成されている、請求項３４に記載のサーマルプリントヘッド。
- 請求項１ないし請求項３６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記サーマルプリントヘッドに正対するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013173046A JP6178669B2 (ja) | 2012-08-29 | 2013-08-23 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
| PCT/JP2013/072864 WO2014034659A1 (ja) | 2012-08-29 | 2013-08-27 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
| US14/423,336 US9248663B2 (en) | 2012-08-29 | 2013-08-27 | Thermal print head and thermal printer |
| US14/980,765 US9352585B2 (en) | 2012-08-29 | 2015-12-28 | Thermal print head and thermal printer |
Applications Claiming Priority (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012188441 | 2012-08-29 | ||
| JP2012188443 | 2012-08-29 | ||
| JP2012188442 | 2012-08-29 | ||
| JP2012188441 | 2012-08-29 | ||
| JP2012188443 | 2012-08-29 | ||
| JP2012188442 | 2012-08-29 | ||
| JP2012224919 | 2012-10-10 | ||
| JP2012224918 | 2012-10-10 | ||
| JP2012224919 | 2012-10-10 | ||
| JP2012224918 | 2012-10-10 | ||
| JP2013095613 | 2013-04-30 | ||
| JP2013095613 | 2013-04-30 | ||
| JP2013173046A JP6178669B2 (ja) | 2012-08-29 | 2013-08-23 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014231216A JP2014231216A (ja) | 2014-12-11 |
| JP6178669B2 true JP6178669B2 (ja) | 2017-08-09 |
Family
ID=50183471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013173046A Active JP6178669B2 (ja) | 2012-08-29 | 2013-08-23 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9248663B2 (ja) |
| JP (1) | JP6178669B2 (ja) |
| WO (1) | WO2014034659A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2015159819A1 (ja) * | 2014-04-14 | 2017-04-13 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタ |
| WO2016114289A1 (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
| JP6618709B2 (ja) * | 2015-05-15 | 2019-12-11 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
| JP6557066B2 (ja) * | 2015-06-22 | 2019-08-07 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドの製造方法およびサーマルプリントヘッド |
| JP6650264B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2020-02-19 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
| CN109789707B (zh) * | 2016-10-20 | 2021-05-25 | 惠普发展公司，有限责任合伙企业 | 耗散加热元件的热量 |
| JP6767296B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2020-10-14 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| JP6923358B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2021-08-18 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法 |
| JP7269802B2 (ja) * | 2019-06-25 | 2023-05-09 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
| JP7360880B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-10-13 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド及びその製造方法 |
| WO2023210301A1 (ja) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド、およびサーマルプリントヘッドの製造方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4554398A (en) | 1984-10-29 | 1985-11-19 | Exxon Research & Engineering Co. | Process for the separation of C9 aromatic isomers |
| JPS61109739U (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-11 | ||
| JPH0482750A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-16 | Alps Electric Co Ltd | 多孔質酸化シリコン層を有するシリコン基板 |
| JP3016884B2 (ja) * | 1991-02-06 | 2000-03-06 | ローム株式会社 | サーマルヘッド |
| JPH05138908A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-08 | Kyocera Corp | サーマルヘツド |
| JP3657654B2 (ja) * | 1995-05-15 | 2005-06-08 | ローム株式会社 | 発熱ブロック、サーマルプリントヘッド、加熱ヒータ、および発熱ブロックの製造方法 |
| JPH09123501A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Kyocera Corp | サーマルヘッド |
| US6151054A (en) * | 1997-03-28 | 2000-11-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thermal head and method of manufacturing the same, and heat-sensitive recording method |
| JPH1134374A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-09 | Tdk Corp | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
| US6335750B2 (en) * | 1999-02-12 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal print head |
| JP2001246771A (ja) * | 2000-03-04 | 2001-09-11 | Heiji Imai | サーマルプリントヘッド |
| JP4467273B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-05-26 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッド及びその製造方法、並びにサーマルプリンタ |
| JP2009119852A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Seiko Instruments Inc | 発熱抵抗素子とその製造方法、サーマルヘッドおよびプリンタ |
| JP5210090B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-06-12 | キヤノン株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| JP5052572B2 (ja) * | 2009-07-10 | 2012-10-17 | 秀夫 谷口 | 加熱ヘッドならびにそれを用いた加熱装置および加熱方法 |
| JP5622492B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2014-11-12 | ローム株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルヘッドの製造方法 |
| JP2012066400A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | サーマルプリントヘッド |
| CN102529416B (zh) | 2010-11-30 | 2016-01-20 | 罗姆股份有限公司 | 热敏打印头 |
| JP2012116065A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Rohm Co Ltd | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法 |
-
2013
- 2013-08-23 JP JP2013173046A patent/JP6178669B2/ja active Active
- 2013-08-27 WO PCT/JP2013/072864 patent/WO2014034659A1/ja active Application Filing
- 2013-08-27 US US14/423,336 patent/US9248663B2/en active Active
-
2015
- 2015-12-28 US US14/980,765 patent/US9352585B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014231216A (ja) | 2014-12-11 |
| US20160107452A1 (en) | 2016-04-21 |
| US9352585B2 (en) | 2016-05-31 |
| US20150251440A1 (en) | 2015-09-10 |
| WO2014034659A1 (ja) | 2014-03-06 |
| US9248663B2 (en) | 2016-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6178669B2 (ja) | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ | |
| US8446442B2 (en) | Thermal print head and method of manufacturing the same | |
| JP4276212B2 (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JP6371529B2 (ja) | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタ | |
| US6331868B1 (en) | Thermal printhead and method of making the same | |
| JP6209019B2 (ja) | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタ | |
| JP5972654B2 (ja) | サーマルプリントヘッド、および、サーマルプリントヘッドの製造方法 | |
| JP6786669B2 (ja) | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタ | |
| JP5820107B2 (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| JP4668637B2 (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| JP4589800B2 (ja) | サーマルヘッド及びその製造方法 | |
| JP7269802B2 (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| JP6219076B2 (ja) | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタ | |
| JP5905203B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP5798311B2 (ja) | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ | |
| JP2020199694A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| WO2016158643A1 (ja) | サーマルプリントヘッド、および、サーマルプリントヘッドの製造方法 | |
| JP2009131994A (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2012111048A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JP2006095943A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP2016215389A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JP2023165460A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JP2020138335A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JP2018130831A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JP2016187938A (ja) | サーマルプリントヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160714 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170711 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170714 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6178669 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |