JP2010179551A - サーマルヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
サーマルヘッドおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010179551A JP2010179551A JP2009024529A JP2009024529A JP2010179551A JP 2010179551 A JP2010179551 A JP 2010179551A JP 2009024529 A JP2009024529 A JP 2009024529A JP 2009024529 A JP2009024529 A JP 2009024529A JP 2010179551 A JP2010179551 A JP 2010179551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- heat generating
- film
- thermal head
- protective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
【課題】 サーマルヘッドの発熱部を覆う保護層表面の凹部を無くし、その発熱部の熱放出特性を向上させて画像形成における高精細化を容易にする。
【解決手段】 支持基板11表面に絶縁体材から成るグレーズ層12が形成され、グレーズ層12の表面に発熱抵抗体13が形成される。そして、発熱抵抗体13上に間隙Gを設けて第1の電極14aと第2の電極14bからなる一対の電極14が形成され、上記間隙Gの部分の発熱抵抗体13が発熱部15になる。そして、この間隙において上記一対の電極により生じる段差を緩和するように発熱部上に絶縁体材から成る埋設構造体16が形成され、この埋設構造体16および一対の電極14の一部領域に積層して保護膜17が形成される。このようにして、保護膜17表面は平坦形状あるいは所望の凸形状にされる。
【選択図】 図1
【解決手段】 支持基板11表面に絶縁体材から成るグレーズ層12が形成され、グレーズ層12の表面に発熱抵抗体13が形成される。そして、発熱抵抗体13上に間隙Gを設けて第1の電極14aと第2の電極14bからなる一対の電極14が形成され、上記間隙Gの部分の発熱抵抗体13が発熱部15になる。そして、この間隙において上記一対の電極により生じる段差を緩和するように発熱部上に絶縁体材から成る埋設構造体16が形成され、この埋設構造体16および一対の電極14の一部領域に積層して保護膜17が形成される。このようにして、保護膜17表面は平坦形状あるいは所望の凸形状にされる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、サーマルプリンタ等の印刷装置に用いられるサーマルヘッドに係り、特に高品位の画像形成等を容易にするサーマルヘッドおよびその製造方法に関する。
サーマルヘッドは、その発熱部の発熱を利用して、例えばインクリボンの熱転写式あるいは感熱記録式により文字などから成る画像等を形成する出力用デバイスである。一般に、このサーマルヘッドは、画像形成あるいはオーバーコート処理のための発熱部が設けられた抵抗体基板部、およびその発熱部への通電駆動を行なう駆動ICが搭載された駆動回路基板部などを、放熱基板の一主面上に配置した構造になる。
そして、近年ではビデオプリンター、イメージャー、シールプリンター等の出力用デバイスとして注目されるサーマルヘッドがその低騒音、低ランニングコスト等の利点から種々に開発されている。更に、例えばプリント倶楽部(商品名)や業務プリント(キオスク端末等)のようなカラー写真印刷においては、サーマルヘッドによる画像の高精細化のために階調あるいは色調の高精度の制御が追求されている。
図11を参照して従来技術のサーマルヘッドの一例について説明する。図11はサーマルヘッドの発熱部近傍を抜き出した図で記録媒体が搬送される方向(副走査方向)における拡大断面図である。このサーマルヘッドは、この副走査方向に直交する方向(主走査方向)に沿い所要の長さに延在する。
図11に示すように、セラミックなどで形成された支持基板101上に、蓄熱層や平滑層として機能するグレーズ層102が設けられている。グレーズ層102上に発熱抵抗体103が設けられ、発熱抵抗体103上に重層して例えば個別電極となる第1の電極104aおよび共通電極となる第2の電極104bが形成されている。ここで、これ等の一対の電極104は所定長さの間隙Gを有し、この間隙Gで露出する発熱抵抗体が発熱部105となる。そして、発熱部105の通電電極となる一対の電極104と上記発熱部105が1つの発熱素子となり、抵抗体基板部においてサーマルヘッドの主走査方向に所要のピッチ(dpi)でアレイ状に配列されている。更に、上記発熱素子アレイを保護する絶縁体材から成る保護層106がスパッタリングなどで形成されている。
上記サーマルヘッドを用いた記録媒体への画像形成では、感熱記録紙や熱転写インクリボン等(図示せず)が、発熱部105領域上の保護層106といわゆるプラテンローラ(図示せず)との間で挟圧され、副走査方向に所定の速度で搬送される。この搬送において、例えば感熱記録媒体が、通電パルスで発熱する発熱部105によって加熱され、その熱により印画される。
上述したサーマルヘッドは、発熱抵抗体103、一対の電極104および保護層106等が蒸着やスパッタリングなどの薄膜形成技術を用いて形成されることから、上記発熱素子の微細化が容易になり画像形成における高精細化に適した構造になっている。しかし、図11に示すように、保護層106の表面において凹部107が一対の電極104の電極先端(リーディングエッジ)の段差に対応して必然的に生じる。そして、この凹部107は、サーマルヘッドを用いた記録媒体の画像形成あるいはオーバーコート処理において、上記プラテンローラとのニップエリアに存在することから記録媒体との間に不均一なギャップを生じさせ、濃度ムラの発生あるいは光沢性低下の要因となる。また、この凹部107の存在により、発熱部105の熱放出特性が低下し過度な発熱エネルギーが必要になる。
ところで、従来技術のサーマルヘッドとして発熱抵抗体材料、電極材料および保護層材料のペーストをスクリーン印刷あるいは塗布形成する厚膜形成技術を用いて、その構成層を形成する厚膜型サーマルヘッドがよく知られている。そして、この厚膜型サーマルヘッドにおいて上述したような保護層106表面に生じる凹部107発生を解消するために、例えばガラスペーストのスクリーン印刷により凹部107を埋め込む方法が提示されている(例えば、特許文献1参照)。
上記薄膜形成技術を用いその構成層を形成する薄膜型サーマルヘッドは、確かにその画像形成等における高精細化に適した構造になっている。しかしながら、発熱素子の微細化が従来に増して進んでくると、上述した凹部107は、それによる画像の濃度ムラの発生あるいは光沢性低下を顕在化させ、画像形成における高精細化の阻害要因になってくる。そして、特許文献1に提示されている凹部107にガラスペーストを埋め込む方法は、上記発熱素子の微細化に伴い凹部107幅が縮小してくることから、その適用が難しくなる。
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、サーマルヘッドの発熱部を覆う保護層表面の凹部を簡便な方法で無くし、その発熱部の熱放出特性を向上させることを目的とする。そして、画像形成における高精細化の阻害要因を取り除いて、高品位の画像形成が容易になるサーマルヘッドおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
上記目的を達成するために、本発明にかかるサーマルヘッドは、支持基板上に形成した保温層と、該保温層上に形成した発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に間隙を設けて形成され、主走査方向に所定間隔に配列される複数組の発熱素子を前記発熱抵抗体とともに構成する電極と、この電極の前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上および前記電極上を被覆する保護層とを有するサーマルヘッドにおいて、前記保護層は、前記間隙において前記電極により生じる段差を緩和するように前記発熱部上に形成される絶縁体材から成る第1の保護層と、該第1の保護層および前記電極に積層する第2の保護層とから構成されている。
そして、本発明にかかるサーマルヘッドの製造方法は、支持基板上に形成した保温層と、該保温層上に形成した発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に間隙を設けて形成され、主走査方向に所定間隔に配列される複数組の発熱素子を前記発熱抵抗体とともに構成する電極と、この電極の前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上および前記電極上を被覆する保護層とを有するサーマルヘッドの製造方法において、前記電極に前記間隙の部分を形成した後、前記間隙を充填し前記電極を被覆する絶縁体膜を成膜し、前記絶縁体膜上に形成したエッチングマスクを用いた選択的なプラズマエッチングにより前記間隙の領域に第1の保護層を形成して前記間隙における段差を緩和し、前記第1の保護層および前記電極を被覆し表面が平坦あるいは凸状となる第2の保護層を形成する、構成になっている。
あるいは、本発明にかかるサーマルヘッドの製造方法は、支持基板上に形成した保温層と、該保温層上に形成した発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に間隙を設けて形成され、主走査方向に所定間隔に配列される複数組の発熱素子を前記発熱抵抗体とともに構成する電極と、この電極の前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上および前記電極上を被覆する保護層とを有するサーマルヘッドの製造方法において、レジストマスクを用いた選択的なエッチングにより前記電極に前記間隙の部分を形成した後、前記レジストマスク上および前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上に絶縁体膜を成膜し、その後、前記レジストマスクとともに前記レジストマスク上の前記絶縁体膜をリフトオフにより除去して前記間隙の領域に第1の保護層を形成し、前記第1の保護層および前記電極を被覆し表面が平坦あるいは凸状となる第2の保護層を形成する、構成になっている。
あるいは、本発明にかかるサーマルヘッドの製造方法は、支持基板上に形成した保温層と、該保温層上に形成した発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に間隙を設けて形成され、主走査方向に所定間隔に配列される複数組の発熱素子を前記発熱抵抗体とともに構成する電極と、この電極の前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上および前記電極上を被覆する保護層とを有するサーマルヘッドの製造方法において、前記保温層上に抵抗体膜と絶縁体膜とを積層して形成し、前記絶縁体膜を所定パターンにエッチング加工し、前記エッチング加工により露出した前記抵抗体膜に被着し前記所定パターンの前記絶縁体膜上で除去された電極膜を形成した後に、電極用パターンを有するエッチングマスクを用いた選択的なエッチングにより前記電極膜、前記所要パターンの絶縁体膜および前記抵抗体膜をエッチング加工して前記電極、前記絶縁体膜から成る第1の保護層、前記発熱抵抗体を形成し、前記第1の保護層および前記電極を被覆し表面が平坦あるいは凸状となる第2の保護層を形成する、構成になっている。
本発明の構成により、サーマルヘッドの発熱部を覆う保護層表面の凹部発生が簡便に解消し、発熱部の熱放出特性が向上する。そして、サーマルヘッドの発熱動作において、画像形成の高精細化が容易になって高品位の画像が容易に形成できる。
以下に本発明の好適な実施形態のいくつかについて図面を参照して説明する。ここで、互いに同一または類似の部分には共通の符号を付して、重複説明は一部省略される。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なる。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態にかかるサーマルヘッドについて図1および図2を参照して説明する。ここで、図1は本実施形態にかかるサーマルヘッドの発熱部近傍を抜き出した平面図である。図2は図1のX−X矢視断面図で、(A)は一例の拡大断面図、(B)は他例の拡大断面図である。
本発明の第1の実施形態にかかるサーマルヘッドについて図1および図2を参照して説明する。ここで、図1は本実施形態にかかるサーマルヘッドの発熱部近傍を抜き出した平面図である。図2は図1のX−X矢視断面図で、(A)は一例の拡大断面図、(B)は他例の拡大断面図である。
図1,2に示すように、セラミックス等の耐熱性および熱伝導性のよい支持基板11上に保温層であるグレーズ層12が設けられている。そして、このグレーズ層12表面を被覆してサーメット材から成る発熱抵抗体13が形成され、この発熱抵抗体13上に重層して第1の電極14aおよび第2の電極14bが間隙Gを挟んで対向して配置してある。ここで、これ等の一対の電極14(14a,14b)のリーディングエッジにおいて間隙Gで露出する発熱抵抗体13が発熱部15となる。そして、発熱部15とその通電用電極である一対の電極14から成る発熱素子が、サーマルヘッドの主走査方向に所要のdpiで一列に配設されている。
そして、絶縁体材から成る第1の保護層である埋設構造体16が発熱部15の発熱抵抗体13上であって上記間隙Gに埋め込まれるように設けられている。この埋設構造体16は、図1に示すようにヘッドの主走査方向に例えば帯状に形成され、全ての発熱素子の発熱部15における間隙Gを埋設するようになる。ここで、図2(A)に示すように、埋設構造体16は、その厚さが一対の電極14のそれより大きくなるように形成され、その幅が間隙Gより小さくなるように形成される。あるいは、図2(B)に示すように、埋設構造体16の厚さが一対の電極14と略同じになるように形成され、その幅が間隙Gと略同じであり間隙Gを充填するように形成される。いずれにしても、一対の電極14の厚さからなる間隙Gにおける段差を緩和するように上記埋設構造体16が形成される。
そして、上記埋設構造体16および発熱素子の発熱部15は、第2の保護層と成る保護膜17により被覆されている。このようにして、本実施形態では上記埋設構造体16からなる第1の保護層と上記保護膜17からなる第2の保護層とが積層してサーマルヘッドの保護層を形成する。ここで、1つの発熱素子はいわゆる1ビット構成の発熱部15を有する構造になっている。
上述した埋設構造体16は、一対の電極14の厚さすなわち間隙Gにおける段差をDとし埋設構造体16の厚さをHとして、D≦H≦1.5Dの範囲になるように形成すると好適である。ここで、埋設構造体16の厚さHがD以上になることにより、サーマルヘッド全体に亘る保護膜17表面において従来技術で説明したような凹部の発生は安定的に解消される。しかし、厚さをHが1.5Dを超えてくると、図2(A)に示したような保護膜17表面に生じる凸部18の段差により、画像形成においてプラテンローラとの圧力ムラが生じ副走査方向のうねりあるいは筋状模様が発生し易くなる。
上記サーマルヘッドにおいては、支持基板11は耐熱性を有する絶縁体材から成る支持基板であり、アルミナセラミックスの他に、シリコン、石英、炭化珪素等により構成される。グレーズ層12は、発熱部15の発する熱の適度な蓄熱、および熱放散の作用を有し、表面平滑性のある絶縁体材料から成る絶縁体薄膜である。このようなグレーズ層12としては、例えばSiO2膜(シリコン酸化膜)、SiON膜(シリコン酸窒化膜)あるいはSiN膜(シリコン窒化膜)が挙げられる。
発熱抵抗体13は、例えばTaSiO、TaSiNO、NbSiO、TiSiCO系の電気抵抗体材であるサーメット膜あるいは半導体膜等から成る。そして、第1の電極14aおよび第2の電極14bの通電用電極となる一対の電極14は低抵抗になるほど好ましく、例えば、Al、Cu(銅)あるいはAlCu合金等の金属を主成分にして構成される。
そして、埋設構造体16は、例えば化学気相成長(CVD)法、スパッタリング法等で成膜するSiO2膜、SiON膜、SiN膜等の熱伝導性のある絶縁体材から成る。ここで、埋設構造体16は、保護膜17と異なり必ずしも硬質で緻密な絶縁体材により構成されなくてもよい。また、その熱伝導性を高めるような物質が含有されるようにしてもよい。但し、その絶縁性を低下させないようにする必要がある。
また、保護膜17は、SiO2膜、SiN膜、SiON膜あるいはSiC膜(炭化ケイ素膜)等の硬質で緻密な熱伝導性のある絶縁体材から成る。ここで、保護膜17の最表面に少なくともSi(シリコン)と炭素(C)が含まれていると熱伝導性が高くなり好適である。この保護膜17は、発熱素子アレイの一対の電極14の一部領域および埋設構造体16を被覆し記録媒体の圧接あるいは摺接による磨耗、並びに大気中に含まれている水分等の接触による腐食から保護する機能を有する。
次に、第1の実施形態にかかるサーマルヘッドの一製造方法について図3および図4を参照して説明する。図3はサーマルヘッドの発熱部近傍を抜き出した主要な製造工程別断面図であり、図4はその平面図である。
先ず、アルミナからなり副走査方向の幅が数mm程度、板厚が0.5mm〜1mmの細長の支持基板11を用意する。そして、支持基板11上にSiO2のガラス粉末に適当な有機溶剤、溶剤を添加・混合して得たガラスペーストを塗布形成し適度な温度での焼成を施して例えば膜厚が50〜200μm程度のグレーズ層12を形成する。
次に、グレーズ層12表面上に、例えばスパッタリング法により抵抗体膜として膜厚が50nm程度のTaSiO2のサーメット膜を成膜し、引き続いてスパッタリング法により上記サーメット膜を被覆して例えば膜厚が0.5μm程度のAl膜、AlCu合金膜等の電極膜を成膜する。そして、フォトエングレービングプロセスにより、発熱素子アレイの通電用電極になる第1の電極14aおよび第2の電極14bと発熱抵抗体13をパターニング形成する。更に、フォトエングレービングプロセスにより、上記電極膜をエッチングして間隙Gの部分を形成し、その領域の発熱抵抗体13を露出させて発熱部15を形成する。ここで、発熱部15の表面は電極膜の残存が無いように処理される。
このようにした後、図3(a)および図4(a)に示すように、第1の電極14aおよび第2の電極14bを被覆し、発熱部15の間隙Gを充填するように埋設構造体用絶縁膜16aを成膜する。この成膜では、第1の電極14aおよび第2の電極14bから成る一対の電極14のリーディングエッジすなわち間隙Gでの段差被覆性に優れた例えばプラズマ励起のCVD法を用いるとよい。あるいは、CVD法による成膜において、その反応ガスのうち例えばSiH4(モノシラン)ガスをTEOS(テトラエトキシシラン)ガスに替えることにより、間隙Gでの段差埋め込み性が得られるようになる。
そして、図3(b)および図4(b)に示すように、上記埋設構造体用絶縁膜16a表面に公知のフォトリソグラフィ技術によりレジストマスク19を形成する。そして、このレジストマスク19をエッチングマスクにして埋設構造体用絶縁膜16aの選択的なプラズマエッチングを施し、サーマルヘッドの主走査方向に例えば帯状の埋設構造体16を形成する。ここで、プラズマエッチングにおけるエッチングガスとしてCF4(四フッ化炭素)ガスを用いると好適である。このエッチングガスであると、発熱抵抗体13とのエッチング選択比を高くでき、発熱部15において発熱抵抗体13が上記プラズマエッチングで露出してもそのエッチング損傷が生じにくい。
その後は、レジストマスク19を除去し、図1および図2で説明したようにスパッタリング法により保護膜17を成膜する。ここで、保護膜17は、例えば膜厚が2μm〜5μm程度に堆積される。上述した方法では、埋設構造体16は間隙Gの領域内に形成され、一対の電極14のリーディングエッジとの間にスペースができる。そこで、上記膜厚の保護膜17がそのスペースを埋めるように成膜される。以上のようにして、図1および図2(A)で説明したようなサーマルヘッドにおける抵抗体基板部が容易に作製される。
次に、第1の実施形態にかかるサーマルヘッドの他の製造方法について図5および図6を参照して説明する。図5はサーマルヘッドの発熱部近傍を抜き出した主要な製造工程別断面図であり、図6はその平面図である。
上述したサーマルヘッドの一製造方法で説明したのと同様にして、支持基板11上にグレーズ層12、重層してパターニング形成した発熱抵抗体13と電極膜を形成する。更に、図5(a)および図6(a)に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術によりレジストマスク20を形成する。そして、レジストマスク20をエッチングマスクにしたフォトエングレービングプロセスにより、上述したように電極膜をエッチングして間隙Gの部分を形成し発熱部15を設ける。ここで、発熱部15の表面は電極膜の残存が無いように処理される。
次に、図5(b)および図6(b)に示すように、レジストマスク20上に堆積し、発熱部15の間隙Gを充填するように埋設構造体用絶縁膜16bを成膜する。この成膜では、間隙Gにおける一対の電極14のリーディングエッジでの段差部を被覆しない成膜方法がとられる。ここで、このような成膜方法として、垂直方向の指向性スパッタである例えばコリメートスパッタリング法、ロングスロースパッタリング法を用いるとよい。このようにして、埋設構造体用絶縁膜16bは間隙Gにおける発熱部15上とレジストマスク20上に成膜される。
次に、図5(c)および図6(c)に示すように、レジストマスク20を化学薬液中で除去する。この除去においてレジストマスク20上の埋設構造体用絶縁膜16bが選択的に除去される。このようにして、いわゆるリフトオフ法により発熱部15の間隙Gに充填する埋設構造体16が選択的に形成される。
その後は、上述したサーマルヘッドの一製造方法で説明したのと同様にして保護膜17を成膜する。以上のようにして図1および図2(B)で説明したようなサーマルヘッドにおける抵抗体基板部が作製される。
図5および図6では、埋設構造体用絶縁膜16bの厚さが間隙Gの段差Dに略同じ場合について示されているが、この埋設構造体用絶縁膜16bは、その厚さが上記段差Dより大きくなるように成膜してもよい。ここで、埋設構造体用絶縁膜16bがレジストマスク20の側壁を覆い尽くさないようにする必要がある。上記側壁が埋設構造体用絶縁膜16bにより覆われるとリフトオフができなくなるからである。
上述したサーマルヘッドでは、グレーズ層12の全体が平坦になったいわゆるFG(Flat Glaze)構造の場合について説明している。このグレーズ層12は、その一部がパーシャルエッチングで形成され盛上がり部を有するいわゆるPEG構造になっていてもよい。あるいは、逆にその平坦部がなサーマルヘッドの主走査方向に帯状に盛り上って形成されたPG構造になっていてもよい。
また、本実施形態のサーマルヘッドは、1つの発熱素子で1ドットの印字が可能な例の場合であるが、1つの発熱素子で2ドットの印字を行う2ビット構造のものであっても構わない。
そして、図1では保護膜17は一対の電極14の一部の領域上に形成される場合について示されているが、一対の電極14の略全てを被覆するように形成される場合であっても構わない。
上記実施形態のサーマルヘッドを用いた記録媒体への画像形成あるいはオーバーコート処理では、感熱記録紙や熱転写インクリボン等(図示せず)が、発熱部15および埋設構造体16領域上の保護膜17とプラテンローラとの間で挟圧され、サーマルヘッドの副走査方向に所定の速度で搬送される。この搬送において、記録媒体は、通電パルスで発熱する発熱部15によって埋設構造体16および保護膜17を介して加熱され、その熱により印画あるいはオーバーコート処理される。
第1の実施形態では、サーマルヘッドの発熱素子を構成する一対の電極14の間隙Gの領域内に絶縁体材から成る埋設構造体16が形成される。ここで、この埋設構造体16は一対の電極14により前記間隙Gに生じる段差を緩和するように発熱部15上に形成される。そして、上記埋設構造体16と第1の電極14に積層するように保護膜17が形成される。このようにして形成した保護膜17の表面は平坦状あるいは凸状になり、従来技術の場合に間隙Gにおいて起こっていた保護層表面の凹部発生が安定的にしかも簡便に解消される。
上記保護層表面における凹部発生の解消は、発熱素子の微細化が進むことによる顕在化する上記凹部による濃度ムラの発生あるいは光沢性低下を防止する。このようにして、画像形成における高精細化の阻害要因が取り除かれて高品位の画像形成が容易になる。
また、上記凹部発生の解消により、サーマルヘッドの発熱部の熱放出特性が向上し、一対の電極14を通した発熱部15への過度の発熱エネルギーの供給が不要になる。このようにして、サーマルヘッドの消費電力を低減することができるようになる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態にかかるサーマルヘッドについて図7および図8を参照して説明する。ここで、図7は本実施形態にかかるサーマルヘッドの発熱部近傍を抜き出した平面図である。図8は図7の矢視断面図で、(a)はそのX−X矢視断面図、(b)はそのY−Y矢視断面図である。
次に、本発明の第2の実施形態にかかるサーマルヘッドについて図7および図8を参照して説明する。ここで、図7は本実施形態にかかるサーマルヘッドの発熱部近傍を抜き出した平面図である。図8は図7の矢視断面図で、(a)はそのX−X矢視断面図、(b)はそのY−Y矢視断面図である。
図7,8に示すように、第1の実施形態で説明したのと同様に支持基板11上にグレーズ層12が設けられ、グレーズ層12表面を被覆してサーメット材から成る発熱抵抗体13が形成されている。そして、発熱抵抗体13上に重層して第1の電極14aおよび第2の電極14bがそれ等のリーディングエッジを挟んで対向して配置されている。そして、これ等の一対の電極14(14a,14b)のリーディングエッジ間(間隙G)の発熱抵抗体13が発熱部15となり、この発熱部15とその通電用電極である一対の電極14から成る発熱素子が、サーマルヘッドの主走査方向に所要のdpiで一列に配設されている。
そして、絶縁体材から成るブロック状の埋設構造体16が各発熱素子の発熱部15上に重層して配置されている。ここで、図8(a)に示すように、埋設構造体16は、その厚さが一対の電極14と略同じになるように形成される。あるいは、図示しないがその厚さが一対の電極14より厚くなるように設けられる。いずれにしても、一対の電極14の厚さからなる間隙Gにおける段差を緩和するように上記埋設構造体16がそれぞれの発熱部15上に形成される。そして、上記ブロック状の埋設構造体16は、第1の実施形態で説明したのと同様にして、その厚さHがD≦H≦1.5Dの範囲になるように形成すると好適になる。
そして、上記埋設構造体16および発熱素子の発熱部15は、第2の保護層と成る保護膜17により被覆されている。このようにして、第2の実施形態では上記ブロック状の埋設構造体16からなる第1の保護層と上記保護膜17からなる第2の保護層とが積層してサーマルヘッドの保護層を形成する。
本実施形態では、ブロック状の埋設構造体16が各発熱素子の発熱部15上に形成されることから、図8(b)に示すようにサーマルヘッドの主走査方向において保護膜17表面に凹凸が発生している。しかし、この場合では、発熱部15上が凸状になり、発熱素子の発熱部15間が凹状になることから、発熱部15上が凹状になる従来技術で説明した場合のような問題は生じない。
また、サーマルヘッドの高精細化においてその発熱素子が微細化し発熱部15間の寸法が小さくなってくると、保護膜17の成膜において発熱部15間に保護膜17が埋め込まれてその表面が平坦化するようになる。例えば、現状のサーマルヘッドにおける発熱部15間の寸法が20μm程度から15μmに減縮してくると、例えば保護膜17の膜厚を10μm程度にすることにより上記埋め込みにより充分な平坦性が確保できるようになる。
なお、第2の実施形態の場合における支持基板11、グレーズ層12、発熱抵抗体13、一対の電極14、埋設構造体16および保護膜17は、第1の実施形態で説明したのと同様な材料により構成されている。
次に、第2の実施形態にかかるサーマルヘッドの製造方法の一例について図9および図10を参照して説明する。図9はサーマルヘッドの発熱部近傍を抜き出した主要な製造工程別断面図であり、図10はその主要な製造工程別平面図である。
はじめに、第1の実施形態で説明したサーマルヘッドの製造方法の場合と同様にして、支持基板11上にグレーズ層12を形成する。そして、このグレーズ層12上に所要の膜厚の例えばサーメット材からなる抵抗体膜13aをスパッタリング法により成膜する。更にこの抵抗体膜13a上に積層して例えばスパッタリング法により所要の膜厚の埋設構造体用絶縁膜を成膜し、図9(a)に示すように公知のフォトリソグラフィ技術によりレジストマスク21を形成する。そして、レジストマスク21をエッチングマスクにしたフォトエングレービングプロセスにより上記埋設構造体用絶縁膜をエッチングし、所定パターンである例えばサーマルヘッドの主走査方向に延在するパターンの埋設構造体用絶縁膜16cにする。
ここで、上記フォトエングレービングプロセスのエッチングにおいて、エッチングガスとしてCF4ガスを用いた上記プラズマエッチングを適用することができる。
次に、図9(b)に示すように、レジストマスク21上に堆積し、抵抗体膜13aを被覆する電極膜22を成膜する。この成膜では、レジストマスク21の側壁を被覆しない成膜方法がとられる。このような成膜方法として、垂直方向の指向性スパッタである例えばコリメートスパッタリング法、ロングスロースパッタリング法を用いるとよい。
次に、図9(c)に示すように、レジストマスク21を化学薬液中で除去する。この除去においてレジストマスク21上の電極膜22が選択的に除去される。このようにして、いわゆるリフトオフ法により埋設構造体用絶縁膜16c以外の領域の抵抗体膜13a上に選択的に電極膜22が形成される。ここで、埋設構造体用絶縁膜16cが被覆して保護される抵抗体膜13aが、後述するフォトエングレービングプロセスのエッチングを通して発熱部15になる。
図10(a)は、上記図9(c)で説明したような状態の平面図となっている。そして、この状態にした後に、所要の電極用パターンを有するレジストマスクをエッチングマスクにしたフォトエングレービングプロセスにより、電極膜22および埋設構造体用絶縁膜16c、これ等の下層の抵抗体膜13aを順次にエッチングする。このようにして、図10(b)に示すように、第1の電極14aおよび第2の電極14b並びにブロック状の埋設構造体16、この一対の電極14および埋設構造体16に重層する発熱抵抗体13を形成する。埋設構造体16に重層する発熱抵抗体13が上記発熱部15となる。
その後は、第1の実施形態における製造方法で説明したのと同様にして保護膜17を成膜する。ここで、保護膜17は、例えば膜厚が2μm〜10μm程度に堆積される。以上のようにして図7および図8で説明したようなサーマルヘッドにおける抵抗体基板部が作製される。
図9(c)および図10(a)で示したような所定パターンの埋設構造体用絶縁膜16c以外の領域の抵抗体膜13a上に選択的に電極膜22を形成する方法としては、その他に例えば電極膜の化学的機械研磨(CMP)法を援用するものがある。この方法の場合には、図9(a)において所定パターンの埋設構造体用絶縁膜16cを形成した後に、レジストマスク21を除去する。そして、抵抗体膜13aおよび埋設構造体用絶縁膜16c上の全面に電極膜を被覆した後に、埋設構造体用絶縁膜16cを研磨ストッパーとしたCMP法により埋設構造体用絶縁膜16c上の電極膜を研磨除去する。このようにして、抵抗体膜13aに被着し埋設構造体用絶縁膜16c上で除去された電極膜22が形成される。
なお、第2の実施形態のサーマルヘッドを用いた記録媒体への画像形成あるいはオーバーコート処理は、第1の実施形態で説明したのと同様になされる。また、上述したサーマルヘッドでは、第1の実施形態で説明したように、グレーズ層12はFG構造、PEG構造あるいはPG構造になっている。そして、1つの発熱素子は2ビット構造のものであっても構わない。
第2の実施形態では、第1の実施形態で説明したのと同様な作用効果が奏され、画像形成における高精細化およびその動作の低消費電力化が容易になる。また、第2の実施形態では、第1の保護層である埋設構造体16は、サーマルヘッドの製造工程において、第1の実施形態の場合に較べて早い段階からその発熱素子の発熱部15を保護するようになる。このために、第1の実施形態で説明した例えば一対の電極14における間隙G形成のためのエッチング加工、このエッチング加工用のレジストマスク除去等のその後の工程で生じる発熱部15表面のダメージが抑制されるようになる。そして、極めてバラツキの低減した安定した抵抗値を有する発熱部15が得られる。そして、サーマルヘッドの画像形成における高精細化が促進されるようになる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。
例えば、本発明は、上記実施形態で説明した構造の発熱素子とは異なり、例えば帯状に延在して形成された発熱抵抗体上に、上記延在する方向に直交する方向から櫛状に多数の電極が並設されて発熱素子のアレイが配列される構造の場合にも同様に適用できる。
11…支持基板,12…グレーズ層,13…発熱抵抗体,13a…抵抗体膜,14…一対の電極,14a…第1の電極,14b…第2の電極,15…発熱部,16…埋設構造体,16a,16b,16c…埋設構造体用絶縁膜,17…保護膜,18…凸部,19,20,21…レジストマスク,22…電極膜
Claims (7)
- 支持基板上に形成した保温層と、該保温層上に形成した発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に間隙を設けて形成され、主走査方向に所定間隔に配列される複数組の発熱素子を前記発熱抵抗体とともに構成する電極と、この電極の前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上および前記電極上を被覆する保護層とを有するサーマルヘッドにおいて、
前記保護層は、前記間隙において前記電極により生じる段差を緩和するように前記発熱部上に形成される絶縁体材から成る第1の保護層と、該第1の保護層および前記電極に積層する第2の保護層とから構成されていることを特徴とするサーマルヘッド。 - 前記第1の保護層は、主走査方向に帯状をなして全ての発熱素子の前記発熱部上に配設されていることを特徴とする請求項1に記載のサーマルヘッド。
- 前記第1の保護層の厚さHは、前記段差をDとすると、D≦H≦1.5Dを満たすことを特徴とする請求項1又は2に記載のサーマルヘッド。
- 支持基板上に形成した保温層と、該保温層上に形成した発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に間隙を設けて形成され、主走査方向に所定間隔に配列される複数組の発熱素子を前記発熱抵抗体とともに構成する電極と、この電極の前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上および前記電極上を被覆する保護層とを有するサーマルヘッドの製造方法において、
前記電極に前記間隙の部分を形成した後、前記間隙を充填し前記電極を被覆する絶縁体膜を成膜し、前記絶縁体膜上に形成したエッチングマスクを用いた選択的なプラズマエッチングにより前記間隙の領域に第1の保護層を形成して前記間隙における段差を緩和し、前記第1の保護層および前記電極を被覆し表面が平坦あるいは凸状となる第2の保護層を形成することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。 - 前記プラズマエッチングにおいて用いるエッチングガスはCF4ガスであることを特徴とする請求項4に記載のサーマルヘッドの製造方法。
- 支持基板上に形成した保温層と、該保温層上に形成した発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に間隙を設けて形成され、主走査方向に所定間隔に配列される複数組の発熱素子を前記発熱抵抗体とともに構成する電極と、この電極の前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上および前記電極上を被覆する保護層とを有するサーマルヘッドの製造方法において、
レジストマスクを用いた選択的なエッチングにより前記電極に前記間隙の部分を形成した後、前記レジストマスク上および前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上に絶縁体膜を成膜し、その後、前記レジストマスクとともに前記レジストマスク上の前記絶縁体膜をリフトオフにより除去して前記間隙の領域に第1の保護層を形成し、前記第1の保護層および前記電極を被覆し表面が平坦あるいは凸状となる第2の保護層を形成することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。 - 支持基板上に形成した保温層と、該保温層上に形成した発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に間隙を設けて形成され、主走査方向に所定間隔に配列される複数組の発熱素子を前記発熱抵抗体とともに構成する電極と、この電極の前記間隙の部分に露出する前記発熱抵抗体の発熱部上および前記電極上を被覆する保護層とを有するサーマルヘッドの製造方法において、
前記保温層上に抵抗体膜と絶縁体膜とを積層して形成し、前記絶縁体膜を所定パターンにエッチング加工し、前記エッチング加工により露出した前記抵抗体膜に被着し前記所定パターンの前記絶縁体膜上で除去された電極膜を形成した後に、電極用パターンを有するエッチングマスクを用いた選択的なエッチングにより前記電極膜、前記所要パターンの絶縁体膜および前記抵抗体膜をエッチング加工して前記電極、前記絶縁体膜から成る第1の保護層、前記発熱抵抗体を形成し、前記第1の保護層および前記電極を被覆し表面が平坦あるいは凸状となる第2の保護層を形成することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009024529A JP2010179551A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009024529A JP2010179551A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010179551A true JP2010179551A (ja) | 2010-08-19 |
Family
ID=42761463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009024529A Pending JP2010179551A (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010179551A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015009471A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタ |
JP2018034407A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 東芝ホクト電子株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6227157A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-05 | Sony Corp | サ−マルヘツド |
JPS6360768A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | Nikon Corp | サ−マルヘツド |
JPH03219967A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Nec Corp | サーマルヘッド |
JP2004154969A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Alps Electric Co Ltd | サーマルヘッド及びその製造方法 |
JP2004351867A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Alps Electric Co Ltd | サーマルヘッド |
-
2009
- 2009-02-05 JP JP2009024529A patent/JP2010179551A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6227157A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-05 | Sony Corp | サ−マルヘツド |
JPS6360768A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | Nikon Corp | サ−マルヘツド |
JPH03219967A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Nec Corp | サーマルヘッド |
JP2004154969A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Alps Electric Co Ltd | サーマルヘッド及びその製造方法 |
JP2004351867A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Alps Electric Co Ltd | サーマルヘッド |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015009471A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタ |
JP2018034407A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 東芝ホクト電子株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005193535A (ja) | サーマルヘッド及びその製造方法、並びにサーマルヘッドのドットアスペクト比調整方法 | |
CN1090568C (zh) | 热打印头 | |
JP2010179551A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
JP4541229B2 (ja) | サーマルヘッド及びその製造方法 | |
US5157414A (en) | Thick film type thermal head and thermal recording device | |
JP5595697B2 (ja) | サーマルヘッド | |
JP2010000599A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
JP3668035B2 (ja) | サーマルヘッド | |
JPH11179948A (ja) | サーマルヘッド | |
JP4557677B2 (ja) | サーマルヘッド及びそれを用いたサーマルプリンタ | |
JP5329887B2 (ja) | サーマルヘッド | |
JP6341723B2 (ja) | サーマルプリントヘッド及びサーマルプリンタ | |
JP2009066854A (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
JP4666972B2 (ja) | サーマルヘッド及びそれを用いたサーマルプリンタ | |
JP4748864B2 (ja) | サーマルヘッド | |
JP4522183B2 (ja) | サーマルヘッド及びそれを用いたサーマルプリンタ | |
JP4969600B2 (ja) | サーマルプリントヘッド | |
JP4284079B2 (ja) | サーマルプリンタ | |
JP2004195947A (ja) | サーマルヘッド及びそれを用いたサーマルプリンタ | |
JP4978042B2 (ja) | サーマルヘッド及び印画装置 | |
JP4721570B2 (ja) | サーマルヘッド及びそれを用いたサーマルプリンタ | |
JP2005297343A (ja) | サーマルヘッド | |
JP2004017523A (ja) | サーマルヘッド及びその製造方法 | |
JP2004291513A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
JPH081973A (ja) | サーマルヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110506 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20110512 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111004 |